JP2009164544A - 太陽電池のパッシベーション層構造およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】表面パッシベーション効果を高め、太陽電池の光電変換効率を直接向上させることができる太陽電池のパッシベーション層構造を提供する。
【解決手段】パッシベーション層構造は、第1のパッシベーション層20および第2のパッシベーション層30を有する。第1のパッシベーション層20は、基板10上に配置されている。第2のパッシベーション層30は基板10と第1のパッシベーション層20との間に配置され、第2のパッシベーション層30の材料は、基板の材料の酸化物である。第2のパッシベーション層30が基板と第1のパッシベーション層20の間で配置されるので、光電デバイスの表面パッシベーション効果およびキャリア寿命が向上し、太陽電池の光電変換効率も同様に向上する。
【選択図】図1
【解決手段】パッシベーション層構造は、第1のパッシベーション層20および第2のパッシベーション層30を有する。第1のパッシベーション層20は、基板10上に配置されている。第2のパッシベーション層30は基板10と第1のパッシベーション層20との間に配置され、第2のパッシベーション層30の材料は、基板の材料の酸化物である。第2のパッシベーション層30が基板と第1のパッシベーション層20の間で配置されるので、光電デバイスの表面パッシベーション効果およびキャリア寿命が向上し、太陽電池の光電変換効率も同様に向上する。
【選択図】図1
Description
本発明は、概ね光電デバイスに関し、特に、光電変換効率を向上させることができる太陽電池のパッシベーション層構造、および、その製造方法に関する。
太陽エネルギーは、汚染を生じない無尽蔵なエネルギーである。石油化学エネルギー源が汚染およびエネルギー不足課題に直面する中、太陽エネルギーは、ますます注目の的になっている。近年では、太陽電池を直接電力エネルギーに変換することがかなり重要な研究課題となっている。
シリコンベースの太陽電池は、業界において一般的な太陽電池である。シリコンベースの太陽電池の動作原則は、p型半導体およびn型半導体を形成し、p型半導体およびn型半導体を接合することによりpn接合を形成するよう、半導体材料が異なる特徴を有するように高純度の半導体材料(シリコン)に、不純物添加されるということである。pn接合は、正のドナーイオンおよび負のアクセプタイオンによって形成され、正および負のイオンが位置する領域内に拡散電位が存在する。拡散電位は、領域内の可動キャリアを追い払うことができるので、その領域は、空乏領域と呼ばれる。pn形構造を有する半導体に太陽光線が照射される場合、電子正孔対を生成するよう、光子によってもたらされるエネルギーが半導体内の電子を励起する。電子および正孔は、どちらも拡散電位の影響を受け、正孔が電界の方向に移動する一方で、電子は、反対方向へと移動する。太陽電池が配線を介しロードに接続されることによりループが形成される場合、電流はロード中を流れる。これが太陽電池が電気を生成する原理である。太陽電池の改良を意図する場合は、光電変換効率の向上から着手するのがよい。
一般的に、反射防止層の他に、太陽電池の効率を決定するための重要な要因の1つにパッシベーション層がある。望ましいパッシベーション層は、シリコン表面および欠陥位置における電子正孔対の再結合速度を効率よく低下させるよう、シリコン表面または欠陥位置(例えばずれ、結晶粒界、または、点欠陥にダングリングボンドを形成することができ、それによって、多少のキャリアの寿命を伸ばし、太陽電池の効率を向上させる。パッシベーション層のパッシベーション効果を改良することが可能であれば、太陽電池の効率を上げることができる。
したがって、本発明は、表面パッシベーション効果を高め、太陽電池の光電変換効率を直接向上させることができる太陽電池のパッシベーション層構造を目的とする。
上記に鑑み、本発明は、光電変換層に配置された太陽電池のパッシベーション層構造を提供する。パッシベーション層構造は、第1のパッシベーション層および第2のパッシベーション層を含む。第1のパッシベーション層は、光電変換層に配置されている。第2のパッシベーション層は、光電変換層と第1のパッシベーション層の間に配置され、そして、第2のパッシベーション層の材料は、光電変換層の材料の酸化物である。
本発明は、太陽電池のパッシベーション層構造を製造する方法を提供する。方法は、以下のプロセスを含む。まず、光電変換層が設けられる。次に、光電変換層の上に第2のパッシベーション層は形成され、第2のパッシベーション層の上に第1のパッシベーション層が形成される。第2のパッシベーション層の材料は、光電変換層の材料の酸化物である。
本発明の構造において、第2のパッシベーション層は、パッシベーション層のパッシベーション効果を強化するよう、基板と第1のパッシベーション層との間で配置され、それによって太陽電池の光電変換効率が大いに高まる。
本発明の更なる理解を提供すべく、添付の図面が本願明細書中に組み込まれ、その一部を構成する。図面は、説明と共に本発明の実施形態を例示し、本発明の原理を説明する役目を果たす。
本発明への実施形態への参照が詳細になされ、その例は、添付の図面に示される。図面中、同じまたは同様の部分を参照する際は可能な限り同じ参照番号が用いられる。
図1は、本発明の一実施形態に従う太陽電池のパッシベーション層構造の断面図である。
図1を参照すると、本発明の太陽電池のパッシベーション層構造は、基板10に配置され、第1のパッシベーション層20および第2のパッシベーション層30を有する。第1のパッシベーション層20は、基板10に配置される。第2のパッシベーション層30は基板10と第1のパッシベーション層20の間に配置され、第2のパッシベーション層30の材料は、第1のパッシベーション層20の材料とは異なる。基板10は、例えば、太陽電池の光電変換層である。
例えば、第1のパッシベーション層20は、2ナノメートル乃至100ナノメートルの厚さを有する。例えば、第1のパッシベーション層20は、酸化アルミニウム、酸化亜鉛またはインジウム酸化スズでできている。第1のパッシベーション層20を形成するプロセスは、例えば、原子層堆積法(ALD)、スパッタリング、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)および分子線エピタキシ(MBE)からなる群から選択されるものである。
第2のパッシベーション層30は、例えば、基板10と第1のパッシベーション層20との間に配置される。第2のパッシベーション層30の材料は、例えば、基板10の材料の酸化物である。例えば、基板10の材料がシリコンである場合、第2のパッシベーション層30の材料は酸化シリコンである。例えば、第2のパッシベーション層30は、1ナノメートル乃至15ナノメートルの厚さを有する。第2のパッシベーション層30を形成するプロセスは、例えば、熱酸化プロセスである。
本発明の太陽電池のパッシベーション層構造およびその製造方法においては、表面パッシベーション効果およびキャリア寿命を効率よく向上させるべく、基板10と第1のパッシベーション層20との間に第2のパッシベーション層30が配置される。
本発明における表面パッシベーション効果を向上させるための構造およびその製造方法は上記で示している。本発明における表面パッシベーション効果を向上させるための構造を本発明の一実施形態における太陽電池へ適用することを以下に例示する。
図2は、本発明の一実施形態に従う太陽電池の断面図である。
図2を参照すると、太陽電池100は、例えば、光電変換層102、第2のパッシベーション層104a、第2のパッシベーション層104b、第1のパッシベーション層106a、第1のパッシベーション層106b、反射防止層108a、反射防止層108b、第1の電極110、および、第2の電極112によって形成される。
例えば、光電変換層102は、シリコンおよびその合金、CdS、CuInGaSe2(CIGS)、CuInSe2、CdTe、有機材料、または、上記材料が積み重ねられた多層構造でできている。シリコンは、単結晶シリコン、ポリシリコンおよびアモルファスシリコンを含む。シリコン合金とは、シリコンにH原子、F原子、Cl原子、Ge原子、O原子、C原子、N原子または他の原子を加えることである。
本実施形態において、シリコンベースの太陽電池として、太陽電池100を例に挙げる。光電変換層102は、例えば、p型半導体層114およびn型半導体層116によって形成される。p型半導体層114は、例えばB、GaおよびInなど周期表における3族の元素をドーピングされる。n型半導体層116は、例えばP、AsおよびSbなど周期表における5族の元素をドーピングされる。p型半導体層114およびn型半導体層116が接触することにより、pn接合が形成される。光電変換層102は第1の表面102aおよび第二表面102bを有し、第1の表面102aは第二表面102bの反対側にある。
第1のパッシベーション層106aおよび第1のパッシベーション層106bは、例えば、光電変換層102の第1の表面102aおよび第2の表面102b上にそれぞれ配置される。例えば、第1のパッシベーション層106aおよび第1のパッシベーション層106bは、2ナノメートル乃至100ナノメートルの厚さを有する。第1のパッシベーション層106aおよび第1のパッシベーション層106bは、固定の陰電荷を有する金属酸化物でできている。例えば、第1のパッシベーション層106aおよび第1のパッシベーション層106bは、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、または、インジウム酸化スズでできている。
第2のパッシベーション層104aおよび第2のパッシベーション層104aは、例えば、光電変換層102の第1の表面102aおよび第二表面102b上にそれぞれ配置され、それらは、光電変換層102と第1のパッシベーション層106aとの間に、そして、光電変換層102および第1のパッシベーション層106bとの間にそれぞれ位置する。第2のパッシベーション層104aおよび第2のパッシベーション層104bの材料は、第1のパッシベーション層106の材料とは異なる。第2のパッシベーション層104aおよび第2のパッシベーション層104bの材料は、例えば、光電変換層102の材料の酸化物である。例えば、第2のパッシベーション層104aおよび第2のパッシベーション層104bは、酸化シリコンでできている。例えば、第2のパッシベーション層104は、1ナノメートル乃至15ナノメートルの厚さを有する。
反射防止層108aおよび反射防止層108bは、例えば、第1のパッシベーション層106aおよび第1のパッシベーション層106bの上にそれぞれ配置されている。例えば、反射防止層108aおよび反射防止層108bは、オキシ窒化ケイ素および窒化シリコンなどでできている。
第1の電極110は、例えば、光電変換層102の第1の表面102aに配置されている。第1の電極108は、例えば、反射防止層108a、第1のパッシベーション層106aおよび第2のパッシベーション層104aを貫通することにより、光電変換層102に電気的に接続している。
第2の電極112は、例えば、光電変換層102の第2の表面102bに配置されている。第2の電極112は、例えば、光電変換層102の第2の表面102bを覆い、反射防止層108b、第1のパッシベーション層106bおよび第2のパッシベーション層104bを貫通することにより、光電変換層102に電気的に接続している。第1の電極110および第2の電極112は、金属材料(例えばアルミニウム)または透明導性電酸化物(TCO)でできている。第1の電極110および第2の電極112を形成するプロセスは、例えば、CVD法、スパッタリング法、スクリーン印刷および焼成法、あるいは、他の適切なプロセスである。
本実施形態において、表面パッシベーション効果およびキャリア寿命を効率よく強化し、かつ、太陽電池の効率を大幅に向上させるべく、光電変換層102と第1のパッシベーション層106a(106b)との間に第2のパッシベーション層104a(104b)が配置される。他の実施形態では、第1のパッシベーション層および第2のパッシベーション層のスタッキング構造が、光電変換層102の第1の表面102aおよび第2の表面102bのうちの1つに形成されるだけでもかまわないのはもちろんのことである。
本発明は、以下の実験例によって示される。
<キャリア寿命の実験>
第2のパッシベーション層を調べるべく類似したキャリア寿命を有する2つのチョクラルスキー(CZ)シリコンウェーハが準備される。
実験例1
2ナノメートルの厚さを有する酸化シリコン層がシリコンウェーハ上で成長して第2のパッシベーション層として機能し、15ナノメートルの厚さを有する酸化アルミニウムの層がALDプロセスによりコーティングされて第1のパッシベーション層として機能する。
比較例1
15ナノメートルの厚さを有する酸化アルミニウムの層がALDプロセスによりシリコンウェーハの上にコーティングされることにより、第1のパッシベーション層として機能する。
その後、窒素と水素の混合雰囲気(フォーミングガス)の処理の前後で実験例1および比較例1のサンプルに対してキャリア寿命測定がそれぞれ実行される。その結果を表1に示す。
表1の結果に基づき、窒素と水素の混合ガスの処理の前後を問わず、実験例1のキャリア寿命は、比較例1のキャリア寿命より長い。窒素と水素の混合ガスの処理の後、実験例のキャリア寿命は、100μsを超えるまでになる。実験は、第2のパッシベーション層を配置することによってより良好な表面パッシベーション効果が達成されることを証明している。
<太陽電池性能の実験>
類似したキャリア寿命を有する3つのポリシリコン・ウェーハが準備され、それらは、以下の状況に従い太陽電池にそれぞれ製造される。そして、第2のパッシベーション層を調べるべく、関連した太陽電池性能が測定される。
実験例2
太陽電池の光電変換層は、ホウ素をドーピングした1*1020cm−3のp型ポリシリコン・ウェーハ(mc−Siウェーハ)によって形成される。ポリシリコンウェーハの平均粒度は、ほぼ5mmである。ウェーハの表面にピラミッド構造が予め形成される。NP接合は、オキシ塩化リン(POCl3)を用いて850°Cで20分の間の拡散を実行することにより完成する。その後、ウェーハの表面および裏面の上にそれぞれパッシベーション層が形成される。パッシベーション層は、第2のパッシベーション層および第1のパッシベーション層により形成され、その形成プロセスは、以下を含む。まず、2ナノメートルの厚さを有する酸化シリコンの層がポリシリコンウェーハの表面および裏面上で成長することにより、第2のパッシベーション層として機能する。その後、15ナノメートルの厚さを有する酸化アルミニウムの層がALDプロセスによりコーティングされて第1のパッシベーション層として機能する。反射防止層は、ほぼ90ナノメートルのSiNx:Hフィルムにより形成されるウェーハの両面にそれぞれ形成される。反射防止層は、容量結合型RFプラズマ(CCP)を用い、SiH4およびNH3を前駆体として採用することにより、350°Cの反応温度で堆積プロセスを実行することによって形成される。その後、ポリシリコンウェーハの表面および裏面に金属電極が生成される。表面の金属電極は、金属印刷し、その後、930°Cの焼結プロセスによって製作されるアルミニウム電極である。また、裏面の電極は、スパッタリング法により成長した後、それからレーザ焼結により処理されるアルミニウム電極である。
比較例2
このプロセスは、熱酸化プロセスによって形成される20ナノメートルの厚さを有する単一層の酸化シリコンのみがパッシベーション層としてみなされることを除けば実験例と同様である。
比較例3
このプロセスは、ALDプロセスにより形成される15ナノメートルの厚さを有する単一層の酸化アルミニウムのみがパッシベーション層としてみなされることを除けば実験例と同様であり、その結果を表2に示す。
表2の結果によれば、実験例2の光電変換効率は比較例2および3の光電変換効率より高く、実験は、第2のパッシベーション層を配置することにより、より良好な表面パッシベーション効果を得ることができることを証明している。
焼結プロセスは、第1のパッシベーション層が従来技術の太陽電池電極を製作するために用いられる場合に要求される。高温焼結プロセスの後、第1のパッシベーション層は、結晶化を生じさせることができ、陰電荷を有する第1のパッシベーション層の格子定数は、通常、半導体材料の格子定数とは異なる。異なる格子定数を有する2つの材料が接合される場合、ずれが生じる。しかしながら、本発明において、光電変換層と第1のパッシベーション層との間より薄い第2のパッシベーション層が配置され、第1のパッシベーション層の結晶化の間に界面に生じる欠陥が減少するばかりでなく、陰電荷を有する第1のパッシベーション層が表面パッシベーション効果およびキャリア寿命を効果的に向上させることができるので、太陽電池の光電変換効率は大いに向上する。
要するに、本発明の太陽電池のパッシベーション層構造およびその製造方法においては、光電変換層と第1のパッシベーション層との間に第2のパッシベーション層が配置されることにより、効果的に表面パッシベーション効果およびキャリア寿命を効果的に向上させ、それによって、太陽電池の光電変換効率は大いに高まる。
本発明の範囲または趣旨から逸脱せずに本発明の構造に様々な修正および変更が成され得ることは、当業者にとって明らかであろう。上記に鑑み、添付の請求項およびその均等物の範囲に納まる限り、本発明は、その修正および変更を含むことが意図される。
Claims (17)
- 一の光電変換層に配置される一の太陽電池のパッシベーション層構造であって、前記光電変換層に配置される一の第1のパッシベーション層と、前記光電変換層と前記第1のパッシベーション層との間に配置される一の第2のパッシベーション層とを含み、
前記第2のパッシベーション層の一の材料は、前記光電変換層の一の材料の一の酸化物である、パッシベーション層構造。 - 前記第1のパッシベーション層の一の厚さは、2ナノメートル乃至100ナノメートルである、請求項1に記載の一の太陽電池のパッシベーション層構造。
- 前記第1のパッシベーション層の一の材料は、複数の固定陰電荷を有する一の金属酸化物である、請求項1に記載の一の太陽電池のパッシベーション層構造。
- 前記第1のパッシベーション層の前記材料は、酸化アルミニウム、酸化亜鉛およびインジウム酸化スズからなる一の群から選択されるものである、請求項1に記載の一の太陽電池のパッシベーション層構造。
- 前記第2のパッシベーション層の一の厚さは、1ナノメートル乃至15ナノメートルである、請求項1に記載の一の太陽電池のパッシベーション層構造。
- 前記第2のパッシベーション層の前記材料は、酸化シリコンである、請求項1に記載の一の太陽電池のパッシベーション層構造。
- 前記第2のパッシベーション層の前記材料は酸化シリコンであり、前記第1のパッシベーション層の前記材料は酸化アルミニウムである、請求項1に記載の一の太陽電池のパッシベーション層構造。
- 前記第1のパッシベーション層の前記材料は、一の原子層堆積法(ALD)によって形成される一のアルミニウム層である、請求項1に記載の一の太陽電池のパッシベーション層構造。
- 一の太陽電池の一のパッシベーション層構造を製造する方法であって、一の光電変換層を提供することと、前記光電変換層に、前記光電変換層の一の材料の一の酸化物である一の材料からなる一の第2のパッシベーション層を形成することと、前記第2のパッシベーション層上に一の第1のパッシベーション層を形成すること、を含む一の太陽電池の一のパッシベーション層構造を製造する方法。
- 前記第1のパッシベーション層を形成する一のプロセスは、一のALD、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)、スパッタリング法、および、分子線エピタキシ(MBE)からなる一の群から選択されるものである、請求項9に記載の一の太陽電池の一のパッシベーション層構造を製造する方法。
- 前記第1のパッシベーション層の一の厚さは、2ナノメートル乃至100ナノメートルである、請求項9に記載の一の太陽電池の一のパッシベーション層構造を製造する方法。
- 前記第1のパッシベーション層一の材料は、複数の固定陰電荷を有する一の金属酸化物である、請求項9に記載の一の太陽電池の一のパッシベーション層構造を製造する方法。
- 前記第1のパッシベーション層の前記材料は、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、および、インジウム酸化スズからなる一の群から選択されるものである、請求項9に記載の一の太陽電池の一のパッシベーション層構造を製造する方法。
- 前記第2のパッシベーション層を形成する一のプロセスは、一の熱酸化プロセスを実行することである、請求項9に記載の一の太陽電池の一のパッシベーション層構造を製造する方法。
- 前記第2のパッシベーション層の一の厚さは、1ナノメートル乃至15ナノメートルである、請求項9に記載の一の太陽電池の一のパッシベーション層構造を製造する方法。
- 前記第2のパッシベーション層の前記材料は、酸化シリコンである、請求項9に記載の一の太陽電池の一のパッシベーション層構造を製造する方法。
- 前記第1のパッシベーション層の前記材料は前記ALDにより形成される酸化アルミニウムであり、前記第2のパッシベーション層の前記材料は、酸化シリコンである、請求項9に記載の一の太陽電池の一のパッシベーション層構造を製造する方法。
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