TWI286622B

TWI286622B - Electro-optical glazing structures having scattering and transparent modes of operation and methods and apparatus for making the same

Info

Publication number: TWI286622B
Application number: TW089106299A
Authority: TW
Inventors: Le Li; Jian-Feng Li; Sadeg M Faris
Original assignee: Reveo Inc
Priority date: 1999-04-06
Filing date: 2000-05-31
Publication date: 2007-09-11
Also published as: US6897936B1; JP2002541515A; AU4206600A; CA2369364A1; CN1201181C; KR20020002420A; EP1175639A1; EP1175639A4; TW200714956A; WO2000060407A1; CN1359479A

Description

五、發明說明（丨）發明背景技術範圍 * 、本發月概有關具全散射式及半穿透式及全穿透式操作模式之電光結構，其可電性切換以在各種應用中用於動態控制電磁幅射流(譬如電光上釉結構)，及用於以大型及均勻方式產生此等電光結構之改良的方法及裝置而無缺陷、或需有模糊之應用（譬如可切換式隱密窗戶上釉）。背景技藝眾所周知在豕庭、商用大樓及車具之類中採用窗戶，此等結構及系統中提供窗戶的理由與進行的功能直接相關，譬如，窗戶結構可提供通風、照明、空間感、及親近戶外的方式，上釉製造（如玻璃材料）的窗戶亦可使電磁幅射選擇性傳輸於家庭、商用大樓及車具之戶外與内部空間之間，％知上釉形式雖有許多有效功能，此形式仍有問題。可藉由認識窗戶所普遍接觸之電磁幅射的性質及成份，而易於瞭解窗中採用習知上釉造成之問題。在晴天海平面上，電磁幅射包含3%的紫外線（亦即UV 頻π中之電磁幅射）、44%的可見光（亦即可見光頻帶中之電磁巾田射）、及53%的紅外線（亦即IR頻帶中之電磁幅射）。根據物理原理，50%的所產生電磁幅射係為左手圓形偏振 (LHCP)，而其他的5〇%為右手圓形偏振（RHCp)，撞擊在画表面之總電磁幅射為來自太陽的直接幅射與來自大氣環境的漫射幅射之組合，電磁幅射雖為寬頻性質，其紫外光成份在各種塑膠材料及無機染料中造成分子的分解而導致 1286622 A7 B7 五、發明說明（麵色當電磁幅射撞擊一玻璃窗時，產生三個不同的物理程序：部份幅射能量傳送過玻璃；部份幅射能量自玻璃反射開來；而一小部份幅射能量由玻璃吸收。傳過玻璃窗之能量一般係由内部環境中的裝飾或結構所吸收，且時常變成困在其内而造成内部溫度增加。依照季節，傳過玻璃窗之電磁幅射可使玻璃窗相關冷暖氣系統所受的熱負荷變少或加劇。因此，熱季節中，亟需遮蔽窗戶及玻璃滑門不受電磁幅射，以減少冷氣系統之熱負荷。冷季節中，亟需使窗戶及玻璃滑門暴露於電磁幅射，以減少暖氣系統之熱負荷。 P肩言之，亟需選擇性控制電磁幅射使之在每天及每年的不同時間傳輸過窗結構，故可盡量減少家用、商用及工業建物環境的冷暖氣系統之熱負荷。藉由盡量減少此熱負 =，可以經濟方式使用電力以控制家用、商用及工業建物環境的内部溫度，達成此目標將可有利影響自然環境，並改善生活品質。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製考慮此等目的，近來已擴大努力以改善選擇性控制電磁幅射傳過窗結構之方式及裝置。一種電磁幅射控制方式包含採用窗簾以減少電磁幅射傳過囪戶’最普遍的窗簾型式為百葉窗，但因為百葉窗安裝在建物至内或透明環境中，電磁幅射可通過窗戶使内部 /皿度:向’故在熱季節中增加冷氣系統的熱負荷。並且，百葉囱的操作係需要通常體積龐大且製造安裝及維修均布

本紙張尺度賴+目 297公釐）

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） !286622 貴之機械或電機控制。另-種電磁幅射控制方式包含採用實際施於建物及車具中的玻璃窗表面之日光控制膜，目前各公司售有多種日光控制膜，此等電磁控制膜可歸類成三種基本類型，亦即: 高反射膜；貯熱或冬季膜；及防褪色膜。 * 高反射電磁膜可最有效阻擋夏季的熱量，電磁獏的反射性愈高，愈能有效阻擋電磁幅射，具有_銀色鏡狀表面之電磁反射膜比起有色的較穿透膜更能有效地阻擋電磁幅射。電磁反射膜可減少超過10%之玻璃的1;值。顯然在^ 長需要暖氣之季節天候中，採用高反射膜時，將無法在冷天季節中採用冬陽來暖和建物室内（因而減少建物暖氣系統之熱負荷）。、貯熱或冬季膜設計係經由上釉而降低冬天的熱損失，這些膜可減少超過20%的玻璃窗u值。防褪色膜係設計濾除紫外線，紫外線在大多數家飾布及汽車儀表板造成約60-65%的褪色。雖然上述類型的電磁幅射控制膜可用以控制熱量及上釉、消除日光損害、且較小幅地降低白天對於建物内部的能見度，其主要缺點為：降低内部光線、喪失能見度、及 π潔時需額外小心。並且，習知技藝的電磁窗膜無法從冬季的傳輸式變成夏季的反射式，以有效利用生物環境（如人類居處、溫室及類似物）的動態溫度控制之電磁幅射。電磁幅射控制之另一方式包含採用特殊的玻璃板，其具有有效吸收（亦即阻擋）紅外及紫外波長之幅射傳輸特徵 6

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） j286622 5時傳輪可見波長而利用此窗技術使觀看窗戶的視線及、光進入建物内部空間。此玻璃的光線傳輸特徵雖在使用、、氣季節中（至外溫度一般超過72度F)提供一種電磁幅射、方式，其IR吸收特徵在暖氣季節可防止曰光的IR波長來加熱裴有此玻璃板之建物結構内部空間。結果，使用暖氣的^季節朗，此玻璃無法減少此建物的暖氣系統之熱負荷 (這疋冬季中企圖節約能源及加熱源所需要的）。去近來，極有利採用可變的光線傳輸玻璃或上釉（稱為㈢慧窗），以在建物及車中達成電磁幅射（亦即能量）控制採用智慧窗結構而非習知玻璃窗板之理由相當明顯，智慧固結構具有在每天（或每年）過程期間可受電性控制之光線傳輸特徵，以符合照明需求、盡量減少暖氣及/或冷氣系統之熱負荷、並提供建物及車内空間之隱密性。採用發色性可切換上釉或智慧窗以依照住戶舒適性來控制光及熱流入及流出一上釉，其詳述於下列文件：1995 年6月加拿大多倫多的窗創新會議論文發表之卡爾蘭柏 (Carl Lempert)之“發色性可切換上釉：智慧窗之發展”；及 1993年V〇iume.236，第6-13頁的薄固體膜中卡爾蘭柏發表的“上釉所用之光學切換技術，，，兩者以提及方式併入本文中。一般而言’具有數個不同型的發色性可切換上釉或智慧窗，亦即：非電性啟動可切換上釉；及電性啟動可切換上釉。非電性啟動類型之發色性可切換上釉係基於：光致色變、熱致色變及向熱性。最常用的電性啟動型的發色性 -7 1286622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Ί Ί I ^ --------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ------------ 五 '發明說明（5 ) 可切換上釉係基於聚合物分散液晶（PDLC)、分散粒子系統（DPS)及電致色變。根據習知扭轉向列液晶（TN)或超扭轉向列液晶（Stn) 液晶技術之習知技藝智慧窗結構係需要採用一對偏振器，但此將導致高的光學損失，在所需的非阻檔操作模式中，由偏振器吸收高達60%的入射光。根據聚合物分散液晶（PDLC)技術之智慧窗結構雖提供比基於TN或STN的窗結構更佳的性能，此等智慧窗結構具有數項顯著缺點，此等電致色變技術詳述於ρ·施洛特、G.波特、R·施密特及υ·溫柏格的‘‘智慧窗用之疊層電致色變裝置”（1994)Vol.2255第351頁中，且粒子懸浮技術揭示於發證予亞分Μ·馬克斯名為“具反射性_吸收性-傳輸性特徵之電光偶極懸浮”之美國專利4,663,083號中。譬如，當一電壓在其“無色，，狀態施至電致色變裝置時 ’係在離子（如鐘離子）及相關電子自反電極傳送至電致色變電極層時變暗，繼續染色直到電致色變系統抵達其最不透明狀態為止，電壓極性反轉而使離子及相關電子回到反電極’且該裝置變得更具穿透性。但是，電致色變裝置係受緩慢的反應時間及較短的使用壽命所苦。粒子懸浮技術中’微尺寸偶極金屬片懸浮在一載體中，不施加電場時，粒子或多或少為隨機定向，因此，光線大多受到反射及/ 或吸收，造成低透明性，當一電場施加通過裝置厚度，所有粒子在場向中對準，該裝置顯示一光學穿透式狀態，但，此技術具有金屬粒子因重力而沉澱之相關問題。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ϊ286622 A7 ^^ ------ B7_____ 五、發明說明（7 ) 另一液晶技術，其可用以產生電光結構（如電光上釉結構）。PSCT技術中，少量UV可交聯聚合物在其液晶相中係與膽固醇性液晶（CLC)相混合，其節距（pitch)可轉向紅外線區，混合物接著暴露至UV光而固化，同時施加一電壓使液晶與聚合物分子在跨越裝置厚度之方向相對準。在固化之後且不施加電場時，液晶材料存在一特別的膽固醇相中 (亦即一焦點錐形狀態）。此相中，液晶材料呈現由聚合物網絡所穩定之半透明狀態，施加一電場時，CLC分子解開扭曲且沿電場方向相對準，導致一穿透性狀態。因為此技術需要遠比PDLC技術更低的聚合物濃度、且不具有液晶滴粒，故呈現顯著較低的模糊，尤其當聚合物折射率與膽固醇液晶相配合時。但此方式需使一或多個可聚合性液晶材料作為聚合物，以穩定焦點錐形膽固醇相。習知技藝的PSCT技術至少有五個至今未滿意討論或解決之顯著問題。第一項，PSCT技術對於選擇聚合物材料具有很高要求，因為需要如美國專利5,691，795所述之具有一介晶生成基之液晶聚合物。需特別合成此液晶聚合物材料，因此 ’此液晶聚合物的成本變得極高，使PSCT裝置價格比 PDLC更高。第二項，典型的PSCT系統中，因為採用具有介晶生成基之單體，聚合物網絡的形成將部份變更各交聯處之定向範圍，由於聚合物網絡上出現介晶生成基，接近網絡的非反應性液晶分子現在強力固定在網絡上，為了沿所施電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）一—^------------訂---------線 I：請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286622 A7 --------B7 ____ 五、發明說明（8 ) 場切換所有液晶分子，需要一強力的場。此場常引起電性短路之問題，為了避免短路，產業採用中等強度之切換電場’但是，尤其在大歪斜角度時，接近聚合物網絡之液晶分子並不與一中等切換場相對應，造成強烈的模糊。第三項，PSCT基礎的裝置很難使板尺寸變大，為使裝置有大尺寸，製造PDLC時無法採用相同的疊層技術，因為當PSCT材料基本處於一液膠狀態時，玻璃基板本身係用以支撐PSCT結構。第四項，難以製造大尺寸的均勻PSCT裝置，因為無法使用此疊層方法，而是需要一充注方法，但當液晶充注成大尺寸板時，液晶的流條紋及聚合物混合物係引起顯眼的標記，因此，所生成的PSCT裝置顯得極不均勻。最後，採用PSCT基礎的技術時，具導電性氧化錫層塗佈之玻璃基板的成本很貴，並且，採用PDLC技術時，具導電性氧化錫層塗佈之塑膠基板成本很貴，此等因素造成基於PDLC及PSCT技術之電光裝置的高昂價格。因此，本技藝中極需要以比習知技術製造系統及方法更低之成本，來製造大尺寸液晶基礎的電光上釉結構之改良的裝置及方式。因此，本技藝顯然極需一種改良型式的可變光線傳輪上釉結構及方法與其製造裝置，其方式可避免習知技藝技術之缺點及不足。發明揭示因此，本發明之一主要目的係提供一種電光上釉結構本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） Ί--；------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 1286622

_ 五、發明説明（9 ) ，其可避免習知技藝的不足及缺點。本發明之另一目的係提供一種具全散射性及全傳輸性操作模式之電光上釉結構，用以改良對於電磁頻譜的太陽區（亦即太陽頻譜）内電磁幅射流之控制。本發明之另一目的係提供此電光上釉結構，其中可電性啟動或切換操作模式，同時避免採用能量吸收機構。本發明之另一目的係提供此電光上釉結構，其具有一寬頻操作，包括電磁頻譜之近IR、可見光及近UV部份。本發明之另一目的係提供本發明的電光上釉結構構成之一主動控制窗或觀看板，其中在電磁頻譜的近UV及近IR 區上之電磁幅射傳輸可完全散射而非吸收，故降低窗結構所需進行之溫度循環範圍。本發明另一目的係提供一大尺寸主動控制窗或觀察板，其中採用有低成本液晶材料之一聚合物穩定的膽固醇結構（PSCT)製造之一電光上釉結構。本發明的另一目的提供具均勻光學特徵且用低成本 PSCT聚合物材料構成之一種大尺寸低成本電光上釉結構。本發明另一目的係提供一種以PSCT為基礎的電光上釉結構，其中採用一種不具有習知技藝液晶組份所需之液晶相之聚合物（亦即聚合物不具介晶生成基）。本發明另一目的係提供一 PSCT為基礎的電光上釉結構，其在一低成本PSCT材料中採用二色性染料。本發明另一目的係提供一以PSCT為基礎的大尺寸電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

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五、發明說明（10 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製光上釉結構’其可用比習知技藝裝置更低之電壓作切換。本發明另一目的提供— PSCT為基礎的具改良機械強度之電光上釉結構。本發明另一目的提供一 PSCT為基礎採用低成本玻璃基板之電光上釉結構。本發明另一目的提供一 PSCT為基礎採用具絕緣層的低成本玻璃基板之電光上釉結構。本發明另一目的提供一 PSCT為基礎之電光上釉結構 ’其利用消除液晶流條紋之一特別添加物所製造。本發明另一目的提供一 PSCT為基礎之電光上釉結構 ’其利用一低成本導電層在玻璃基板上作為電極表面所製造。本發明另一目的提供一 PSCT為基礎採用低成本玻璃基板之電光上釉結構製程之改良製造方法，其中方式可製造具2公尺χ3公尺表面積之低成本PSCT為基礎的裝置。本發明另一目的提供一低成本PSCT為基礎之電光上釉結構的製造方法及改良系統，其中不具模糊、不具缺陷且在裝置表面積上具有均勻的光學特徵。本發明另一目的提供一低成本PSCT為基礎之電光上釉結構的製造方法及改良系統，其中採用不具有習知技藝液晶化合物所需液晶相之便宜的液晶材料（亦即聚合物不具有介晶生成基）。本發明另一目的提供一低成本PSCT為基礎之電光上釉結構的製造方法及改良系統，其中採用流質玻璃製造技本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 Ί!1------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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1286622 本發明另一目的提供一低成本pSCT為基礎之電光上釉結構的製造方法及改良系統，其中包含添加一界面活性劑，以在電光上釉結構整體表面上達成均勻的光學性質。本發明另一目的提供一智慧窗系統以安裝在房屋或辦公大樓内或車具如飛機或車輛上，其中本發明的電光上釉結構支撐在一預製窗架内，其中裝有：一電磁感測器，用以感測外部環境中之電磁狀況；一電池供應器，用以提供電力；一電磁動力的電池充電器，用以使電池充電；電路，用以產生上釉控制電壓，以驅動支撐在窗架内之電光上釉的電主動元件；及一微電腦晶片，用以控制電池充電器及電路的操作，以及存在程式化微控制器内之幅射流控制程式所需產生之上釉控制電壓。本發明另一目的係提供此電光窗結構，其設計整合於房屋、辦公大樓、廠房或車輛之暖氣/冷氣系統内，以控制通過電光窗結構之寬頻電磁幅射流，同時盡量減少其暖氣/冷氣系統之熱負荷。本發明另一目的提供本發明電光上釉結構製成之一熱 /觀看遮蔽部或板。本發明另一目的提供一智慧太陽眼鏡，其中利用本發明的電光上釉結構來實施各光學元件，其與太陽眼鏡架之尺寸相配合。本發明另一目的提供一智慧快門玻璃，其中利用本發明的電光上釉結構來實施各光學元件，其與快門玻璃架之 · I ^ ^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1286622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -—^--- 五、發明說明（l2 ) 尺寸相配合。本發明另一目的提供一智慧擋風玻璃或觀景玻璃，其利用本發明的電光上釉結構所實施。由下文及申請專利範圍得知本發明以上及其他目的。圖式簡單說明為了更瞭解本發明之目的，應配合圖式參照下列本發明示範實施例的詳述，其中·· 第1A圖為本發明智慧電光窗系統的—般實施例之立體圖其中電光上釉結構在4貞測—第—組程式化電磁狀況時以微電腦控制而電性切換至其全散射式操作狀態，因此田電磁巾田射傳播過其電光上轴結構時，寬頻的電磁幅射 (例如有關内部景像或物體）係完全散射；第1B圖為第以圖的智慧電光窗系統的一般實施例之立體圖丨中電光上釉結構在價測一第二組程式化電磁狀況時’以微電腦控制而電性切換至其傳輸式操作狀態，其中寬頻的電磁幅射係傳輸過其電光上轴結構；第2圖為本發明電光上轴結構之示範實施例之剖視圖頁不’丨於對相隔玻璃基板上支撐的一對光學穿透式導電膜層（譬如氧化錫或光學穿透式導光聚合物）之間的一 PSCT液晶材料’以傳統方式密封其周緣，且其上施加一控制電壓。第3A圖顯示在傳輸模式操作之第2圖的電光光學散射、。構其中外部電壓施加於光學穿透式（譬如氧化锡）的導電表面上（亦即v=V。。）；本紙張尺錢財國國家標準（CNS)A4規格（210 X挪范

一"®^-----------------^ -J- I I J . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣

1286622 A7 __________B7_____ 五、發明說明（I3 ) 第3B及3C顯示對於第3A圖所示操作模式之傳輸及散射特徵；第3D圖顯示第2圖以其光線散射模式操作之電光光線散射結構’其中外部電壓V並未施於光學穿透式（譬如氧化錫）的導電表面上（亦即ν=ν^); 第3Ε及3F圖顯示第3D圖所示操作模式之傳輸及散射特徵；第4圖為製造根據本發明原理之電光上釉結構的系統之主要次系統及次組份之示意圖；第5圖為採用第4圖的系統來製造根據本發明原理之低成本、無模糊及缺陷的電光上釉結構時，相關步驟之流程圖。本發明之最佳模式實施例現參照圖式，詳述本發明的智慧電光窗的示範實施命 ’各圖中’類似的結構及元件以類似的編號表示。第1A及1B圖中，顯示在鄰近窗結構處具有一内部竺間或容積之一環境（譬如建物或車輛）中裝設有本發明智囊電光上釉結構（亦即窗結構）之一般實施例。通常内部空指或容積係作為人們住所，但也有並非住所的情形。較佳，智慧電光窗結構1係配合房屋、辦公大樓、廠房或車輛# 暖氣/冷氣系統2 A，此較佳應用中，電光窗結構的功能仓選擇性控制通過其電光上釉結構及進入内部空間射流，以盡量減少或降低環境暖氣/冷氣系統的熱負荷。如第1A及1B圖所示，電光上釉結構1包含穩固支^名 .1 ^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 1286622 A7 B7 五、發明說明（Μ 可由幾乎任何適當材料（譬如塑膠、金屬、橡膠、木或複 «材料）實施的一預製窗架4内之一電光上釉板3。下列數個系統次組件係穩固安裝在窗架之内，亦即：一電磁幅射感測器5，用以感測外部環境中之電磁狀況；一可充電型電池6，用以在窗架内產生電力；一電磁動力電池充電器7 用以將可充電電池6充電；一微控制器（譬如，内載尺〇]^ 、EPRON、RAM之RISC型微電腦晶片）8，用以依存在微電腦晶片内之一幅射流控制程序所需方式控制電池充電及上釉控制訊號；及電路9，係回應上釉控制訊號，以產生施加至電光上釉結構3的電主動元件之控制電壓，由微控制器所控制將之自一光學狀態電性切換至另一光學狀態。如第1A圖所示，當電磁幅射感測器偵測到一第一組預没程式化電磁狀況（譬如一第一預定電磁幅射頻帶）時，電光上釉結構3係由預設程式化微控制器8電性切換至其全散射式操作狀態，此全散射式操作狀態中，可見及電磁幅射係在一寬頻頻譜波長上（譬如自近IR頻帶、在光學頻帶上、到遠uv頻帶）完全散射離開該上釉結構，其中約75% 的入射光係往前散射且約25%則往回散射。此操作狀態中，入射光的波長的相分佈所受扭曲足以使電光上釉結構呈高度半透明性，但無法如隱密性應用所需地在不嚴重扭曲情形下使影像投射通過。如第1B圖所示，當電磁幅射感測器偵測到一第二組預設程式化的電磁狀況（譬如，具有超過一第二預定功率低限值的功率之一第二預定電磁幅射頻帶）時，電光上釉本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）— ----->---^------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1286622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -------B7_____ 一五、發明說明（l5 ) 結構3係由預設程式化微控制器8電性切換至其傳輸式操作狀態。此傳輸式操作狀態中，可見及電磁幅射係在一寬頻頻谱波長上（譬如自近IR頻帶、在光學頻帶上 '到遠UV頻帶）傳輸通過該電光上釉結構。雖然上述一般實施例僅顯示兩個特定散射/傳輸狀態 ’瞭解可由本發明窗結構來實施幾乎任何組的中間散射/ 傳輸特徵，以視需要由目前特定應用提供“灰階，，照明控制。本發明此等各實施例中，可預先界定一特定組的狀況以觸發本發明電光上釉結構的光學狀態之改變，設定微控制器程序以在偵測到相對應狀況時切換上釉結構之光學狀態。另一實施例中，導致切換操作之一或多項環境狀況係不需與電磁幅射相關，但可與溼度、氣壓計壓力、溫度、或程式化的微控制器8内預定之任何其他參數相關。雖然本發明電光上釉結構理論上存在無數個實施例，下文詳述電光上釉結構之一示範實施例，以顯示發明性特徵，提供各種構造以製造本發明之電光上釉結構。藉由電光上釉材料之此超寬頻操作特徵，以及本文揭示的新型板構造，現可能提供習知技藝智慧窗系統及方法無法達成之電磁幅射控制值。本發明之電光上釉結構參照第2至3F圖，詳述根據本發明電光上釉結構之示範實施例。如第2圖所示，示範實施例的電光上釉結構包含：介於分別支撐在一對相隔玻璃基板13A及13B上的一對光學本紙張尺度翻+國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂-------1 ·線秦 18 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 I286622 A7 " " *______B7____ 五、發明說明（Π) 定焦點錐形狀態之膽固醇性紡織物，因此一中等切換電場足以沿場方向切換所有的非反應性液晶分子，結果係為在所有觀察角度均無模糊的裝置，譬如，一種來自Aldrich 的已知單體為二甲基丙烯酸乙二醇酯（EGD)，該單體為UV 可聚合性且對於[Si(CH3)2〇]n的化學結構具有丨·454〇之折射率’其他不具介晶生成基之UV可固化聚合物亦已譬如標為得自Master Bond(美國）之UV10、UV15-7，其可用以製造PSCT板，當UV10及UV15-7用以製造裝置時，液體及單體混合物中未添加光引發劑。採用較小分子重的單體係促進每單位容積較高之交聯處密度’較高的交聯密度係加強該裝置之機械強度。大多數低分子重之轉向列液晶已知適於製造所發明之 pSCT裝置，可用單化合物液晶（譬如得自emi(德國）的κ-及Μ-系列）及多重化合物液晶（譬如得自EMI(德國）的E—及 ZLI-系列），譬如，E7、E14(均得自德國的emi)及P9615( 得自中國的SLICHEM)已成功用於製造此等裝置。需有手徵性添加劑以在PSCT中引發一膽固醇相，已由EMI得到一手徵性組份CB15，可瞭解：其他手徵性添加劑亦可有效用於製造PSCT裝置。如上述，製造大尺寸PSCT裝置時，液晶/聚合物的流條紋產生不均勻之問題，為了解決此問題，添加少量界面活性劑亦有助於均勻度，添加少量的聚（二甲基硅氧烷）（黏度5cST)係可大幅改善板之均勻度，界面活性劑的功能係修改基板之表面性質，以降低基板耦合至液晶混合物的本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）---ΓΤ--— -2\j - -----_r---T-----------訂--------- 線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1286622 A7 B7 五、發明說明（18 ) 各種組份之差異。因此，混合物中之所有組份係均勻流動並維持其在混合物中之適當比值，而消除了流條紋。需要一光引發劑以引發液晶混合物中之聚合物化合物的聚合，已有數種光引發劑，其為：2,6-二-特丁基-4-甲基酚（Aldrich)、IG500(Cyba Geigy)、Darocur 1173(D1173) (Cyba Geigy)，已知其他光引發劑亦可有效製造本發明的上釉結構。用以製造本發明PSCT之配方已知用以製造本發明電光上釉結構之較佳成份（材料），此時適合詳述製造此等電光上釉結構之數種較佳配方。 — 一—--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製範例2: 成份功能 % 重量 (毫克）聚(二曱基硅氧烷）介面活性劑 0.01 0.1021 2,6-Di-tert-butyl-4- methylphenol 光引發劑 0.002 0.02 E44 轉向列液晶 91.125 930.5 CB15 手徵性 6.4929 66.3 EGD 單體 2.3699 24.2 範例1: 成份功能 % 重量 (毫克）聚(二甲基硅氧烷）介面活性劑 0.01 0.1032 2,6-Di-tert-butyl-4- methylphenol 光引發劑 0.0029 0.03 P9615A 轉向列液晶 89.731 926.3 CB15 手徵性 7.1821 74.1 EGD 單體 3.024 31.2 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 1286622 B7 五、發明說明（19 ) 範例3: 成份功能 % 重量 (毫克）聚(二甲基硅氧烷）介面活性劑 0.01 0.10959 IG500 光引發劑 0.1277 1.4 P9615A 轉向列液晶 90.09 987.4 CB15 手徵性 7.2627 79.6 EGD 單體 2.5091 27.5 範例4: 成份功能 % 重量 (毫克）聚(二甲基硅氧烷）介面活性劑 0.01 0.1004 Darocurll73(D1173) 光引發劑 0.2091 2.1 P9615A 轉向列液晶 89.694 900.8 CB15 手徵性 7.8463 78.8 EGD 單體 2.2404 22.5 範例5: 成份功能 % 聚(二甲基硅氧烷）介面活性劑 0.01 E7 轉向列液晶 90 CB15 手徵性 7 EGD 單體 2.99 _f— ^--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製範例6: 成份功能 % 重量(克）聚(二甲基硅氧烷）介面活性劑 0.01 0.0022 D1173 光引發劑 0.05 0.011 P9615A 轉向列液晶 90 19.8 CB15 手徵性 7.94 1.7468 EGD 單體 2 0.44 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 22 1286622 A7 B7 五、發明說明（2〇 ) 上述液晶及單體混合物可與二色性染料相混合而變色，譬如，已由EMI獲得三個二色性染料（D5、D35、D52) ，液晶混合物中之染料劑量為0.5%至>5%範圍，正常PSCT 板之相同製法（如下段所示）係可用以製造染後的PSCT，染後的PSCT板在未施電壓時呈現出一有色的非穿透式狀態。但若施加一電場，染料及液晶分子皆在場方向中對準變成一略有色的穿透式狀態，採用不同染料可產生不同顏色，下表為有色的PSCT裝置之染後的混合物。 ·---^-----------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製範例8: 成份功能 % 重量(克）聚(二曱基硅氧烷）介面活性劑 0.01 0.0022 D1173 光引發劑 0.0498 0.011 P9615A 轉向列液晶 89.552 19.8 CB15 手徵性 7.9005 1.7468 EGD 單體 1.99 0.44 D35 染料 0.4975 0.11 請注意：二色性染料D35的濃度可由0%變為1%。範例7: 成份功能 % 重量(克）聚(二甲基硅氧烷）介面活性劑 0.01 0.0022 D1173 光引發劑 0.0498 0.011 P9615A 轉向列液晶 89.552 19.8 CB15 手徵性 7.9005 1.7468 EGD 單體 1.99 0.44 D5 染料 0.4975 0.11 請注意：二色性染料D5的濃度可由0%變為1%。 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1286622 A7 B7 五、發明說明（21 ) 範例9: 成份功能 % 重量 (克）聚(二甲基硅氧烷）介面活性劑 0.01 0.0022 D1173 光引發劑 0.0498 0.011 P9615A 轉向列液晶 89.776 19.8 CB15 手徵性 7.9202 1.7468 EGD 單體 1.995 0.44 D52 染料 0.2494 0.055 請注意：二色性染料D52的濃度可由0%變為0.5%。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製對於本發明的電光上釉結構選擇及製備基板為了根據本發明製造低成本PSCT為基礎的裝置，較佳係為具一光學無色及導電層之便宜的玻璃基板，所有習知技藝技術採用顯示器標準之特殊玻璃基板，此等基板具有昂貴的高導電性及高光學傳輸性氧化銦錫（氧化錫）塗層。但玻璃很貴而幾乎不可能用於大尺寸的隱密性上釉，為了避免此不足，必須採用相等而便宜的玻璃，一種可能選項係為塗有光學無色之一便宜導電層之流質玻璃，此玻璃已得自供應商（Pilkington/LOF)且用以製造大尺寸的 (2’x3’）PSCT上釉板，玻璃具有以化學蒸氣沉積（CVD)設置每平方單位1500歐姆電阻之一氧化錫導電塗層，但此用途亦可適用其他低成本導電層，譬如Ζη02、銀或其他。流質玻璃在厚度及表面平坦度具有相當大之變化；極可能在導電層塗佈沉積程序期間產生導電粒子。另一方面，所用低成本液晶材料具有較低電阻係數，由於以上兩項理由，損害上釉板之電短路可成為一項問題，因此，在各 -—：—--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 24 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286622 A7 ----—------- 五、發明說明（22 ) 玻璃基板上之導電塗層頂上需要一電絕緣層，以防止電短路，一薄的SiOx層將作為絕緣層，但特定情形中，若玻璃基板的表面平坦度沒有極大變化、且沒有大的導電粒子，則不需要此電絕緣層。但是，可能採用一選擇性的預放電步驟以去除小尺寸的導電粒子，此程序包含在一空的玻璃格室（glass cell)上施加一電壓（較佳為4_1〇伏特/微米數值），其間隙取決於所施的圓緣固定部（bead spacer)。譬如 ’得自LOF的CVD沉積氧化錫導電層之流質玻璃基板已成功用以製造發明性的大尺寸低成本及均勻的PSCT裝置，但未導入絕緣塗層。本發明之製造方法及系統的描述為了製造大尺寸（2’x3’)PSCT板，可採用第4圖所示系統及第5圖所示程序。如第5圖的區塊A所示，使用玻璃鉸整裝置15以使玻璃邊緣平滑，以消除在製程中使玻璃裂角之可能。如第5圖的區塊B所示，使用超音波熱融裝置16以幫助清潔玻璃表面，此為顯示器業中之標準程序，吾人程序中，超音波熱融溶液包括約80加余水中之美國Alconox公司的4碎Alconox清潔劑。如第5圖的區塊C所示，使用沖洗裝置17以幫助自玻璃基板洗去超音波熱融清潔劑。如第5圖的區塊D所示，可用選擇性預放電裝置18以幫助自基板移除小的導電粒子，這是產業目前尚未使用之一項新程序，以一 30微米圓緣固定部分隔兩個基板，然後本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 25 ------一—^--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 1286622 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（23 ) 280V電麈施加在兩基板之間數分鐘之久，若有小的導電粒子，則由高電場的電火花所消除。如第5圖的區塊E所示，使用液晶混合裝置19以根據上述所選配方（亦即調配方式）來製備液晶及聚合物混合物〇如第5圖的區塊F所示，使用液晶塗佈裝置2〇將液晶及聚合物混合物施加在基板表面上，此程序步驟適合採用機械分散或刀具塗佈。如第5圖的區塊G所示，使用除氣裝置21以在約1〇·2托爾壓力之真空室中幫助自塗佈的液晶混合物移除氣泡。如第5圖的區塊Η所示，使用裝置22將頂玻璃板置放且覆蓋於液晶混合物上（譬如利用真空室内安裝之機械電磁開關裝置）。如第5圖的區塊I所示，在液晶完全充注之後，使用邊緣密封裝置23以利用一適當環氧樹脂來密封板總成之四個邊緣。如第5圖的區塊J所示，使用UV光線固化裝置24將UV 光線（365毫微米；3瓦特/平方公尺）施於密封的玻璃板總成（譬如上釉結構），以打開的電壓（約120伏特）來固化該板約*—個小時。本發明的電光上釉結構之其他實施例上述電光上釉板可以共同審查中的上述美國申請 09/032,302號所示之各種方式組合，以提供能控制數個幅射頻帶中之光線傳輸通過之智慧上釉結構。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 26 ;—^--------訂--------- 蠢 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1286622 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述之本發明智慧上轴結構可大致完全散射—極大部份的可見頻帶。 ° 在描述本發明此等其他實施例之後，可瞭解進 ^ 修改。 μ 、的譬如’上述電光上釉結構可以幾乎任何數量或順序堆疊及疊層在一起，以形成具超過兩光學狀態（譬如四個或更多）之複合的電光上釉結構，此等電光上釉結構可用以構成能提供複雜程度之陽光及/或可見幅射控制之精密的窗糸統。電控制CLC為基礎的本發明智慧窗可用於家庭、學校、辦公室、工廠、及車輛及飛機中以提供隱密性、亮度控制，並降低所用暖氣及冷氣系統之熱負荷。本發明的電光上釉可用以製造智慧太陽眼鏡及用於各種應用中之遮陽板，本發明之此實施例中，以安裝在使用者頭上的一架内支撐之一對鏡片形式（如習知眼鏡或遮陽片），來實施本發明之電光上釉。在第1Α及1Β圖所示窗架内實施之程式化微控制器、電池、電磁偵測器電池充電電路及光學狀態切換電路可減小尺寸、並在本發明的此示範實施例的超小型太陽眼鏡架内實施。本發明的電光上釉可用於汽車、水用載具、飛機及太空載具，本發明的結構亦可用以製造空間光強度調變（SLM) 板，其具有像素化或未像素化表面。本發明的電光板之傳輸性及散射性特徵本質係為二向性，且不受入射光波長的偏振狀態所影響，因此不論入射本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 27 > ：—--------^--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) !286622

發明說明（25 一的偏振狀悲如何，當電光上釉板在其傳輸性模式操作時，入射光係在任—方向傳輸而有最小散射；而當電光上釉板在其散射模式操作時，人射光在任一方向散射，其中往刖散射對於往後散射之比值至少^3/1 (如75%/25%)。但瞭解此比值可視目前應用而在本發明不同實施例作修改。上述修改僅供示範，熟悉本技藝者瞭解：示範實施例可有其他修改，所有此等修改及變化可視為本發明申請專利範圍界定之本發明之範圍及精神之内。元件標號對照經濟部智慧財產局員工消費合作社印製卜··電光上釉結構 2A…暖氣/冷氣系統 3…電光上釉板 4…預製窗架 5···電磁幅射感測器 6···可充電型電池 7···電磁動力電池充電器 8···微控制器 9…電路 11PSCT···液晶材料 12A，12B…光學穿透式導電膜層 13A，13B…玻璃基板 14…控制電壓 15…玻璃鉸整裝置 16…超音波熱融裝置 17…沖洗裝置 18…預放電裝置 19…液晶混合裝置 20…液晶塗佈裝置 21…除氣裝置 23…邊緣密封裝置 24...UV光線固化裝置；—；------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 28

Claims

第8 910 6 2 9 9號專利再審查案申請專利範圍修正本 1·, ---，裝： (請先閱讀背面之注意事項再μ 修正日期：95年11月 1· 一種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，其中該聚合物不具有一液晶相，亦即該聚合物不含有一介晶生成基；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式訂：操作狀態，且用以將該電光上轴板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及線該結構可使用相當低的電壓而在光學狀態之間被切換。 2· —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有一界面活性劑；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱〉 29 1286622 AS BS C8 D8 六、申請專利範圍第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀態’且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及該結構可使用相當低的電壓而在光學狀態之間被切換。 3 · 種電光上釉結構’具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有二色性染料；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態’以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀態，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及該結構可使用相當低的電壓而在光學狀態之間被切換。 4.如申請專利範圍第1、2或3項之電光上釉結構，其具有改良的機械強度。 5·如申請專利範圍第1、2或3項之電光上釉結構，其中該疊層構造包括數個於絕緣層内之玻璃基材。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------Ί—-llii — (請先閱讀背面之注意事項再ιϋΐ本頁} 訂 .線·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 30 AS B<S C8 D8 1286622 六、申請專利範圍 6·如申請專利範圍第1、2或3項之電光上釉結構，其中該疊層構造包括數個玻璃基材，該等玻璃基材具有數個作為電極表面之傳導層。 7·如申請專利範圍第1、2或3項之電光上釉結構，其係不具模糊、不具缺陷，且在該裝置表面上具有均勻的光學特徵。 8· —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，其中該聚合物不具有一液晶相，亦即该聚合物不含有一介晶生成基；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀怨’且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及該結構具有改良的機械強度。 9· 一種電光上釉結構，具有散射式及傳輪式操作模式，以为別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀悲，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------U “--、t·! (請先閱讀背面之注意事項再iUI本頁} a-τ·- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 31 !286622 as g —^^_一 _D8_ ' ~~**" —~ ----- --- 六、申請專利範圍膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有一界面活性劑；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射^ 操作狀態，且用以將該電光上釉板切換成該第二操^ 狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及該結構具有改良的機械強度。 ίο·—種電光上轴結構，具有散射式及傳輪式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上轴結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有二色性染料；以及光學狀態切換裝置’用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態’以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀態，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，U引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 :以及 5亥結構具有改良的機械強度。 U·如申請專利範圍第8、9或10項之電光上釉結構，其可使用相當低的電壓而在光學狀態之間被切換。 12·如申請專利範圍第8、9或1〇項之電光上釉結構，其中該本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^7^7 丨丨--Ί'.ι--、裝--- (請先閱讀背面之注意事項*本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 32

1286622 ®層構造包括數個於絕緣層内之玻璃基材。 13·如申請專利範圍第8、9或10項之電光上釉結構，其中該登層構造包括數個玻璃基材，該等玻璃基材具有數個作為電極表面之傳導層。 14·如申請專利範圍第8、9或10項之電.光上釉結構，其係不具模糊、不具缺陷，且在該裝置表面上具有均勻的光學特徵。 15· —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，其中該聚合物不具有一液晶相，亦即該聚合物不含有一介晶生成基；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀態，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 :以及其中該4層構造包括數個於絕緣層内之玻璃基材。 16· —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板’具有第一及第二光學操本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .—:fJ—裝— : : (請先閱讀背面之注意事項Wt®本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 33 A8 B8 C8 D8 1286622 申請專利範圍作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有一界面活性劑；以及光學狀態切換裝置’用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態’以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀態’且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態’以引發该電光上釉結構成為該傳輸式操作狀熊 ;以及其中该疊層構造包括數個於絕緣層内之玻璃美材。 17· —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以为別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上轴纟士構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有二色性染料；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀悲，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及其中該疊層構造包括數個於絕緣層内之玻璃基材。 M·如申請專利範圍第15、16或17項之電光上釉結構，其可使用相當低的電壓而在光學狀態之間被切換。本紙張尺度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 34 1286622 AS BS C8 D8 六、申請專利範圍 19·如申請專利範圍第15、16或17項之電光上釉結構，其具有改良的機械強度。 2〇·如申請專利範圍第15、16或17項之電光上釉結構，其中该豐層構造包括數個玻璃基材，該等玻璃基材具有數個作為電極表面之傳導層。 21 ·如申請專利範圍第丨5、丨6或丨7項之電光上釉結構，其係不具模糊、不具缺陷，且在該裝置表面上具有均勾的光學特徵。 22. —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態’且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，其中該聚合物不具有一液晶相，亦即該聚合物不含有一介晶生成基；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀態，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態’以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及其中該疊層構造包括數個玻璃基材，該等玻璃基材具有數個作為電極表面之傳導層。 23· —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上轴結構本€張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2Ϊ0 X 297公釐） ----— -35 - ------111.111.裝--- I (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂： --線：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C9CC88 ABCD 1286622 、申請專利範圍包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態’且包括一液晶材料’其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有一界面活性劑；以及〃光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第-操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀態，用以將該電光上純切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 :以及其中該疊層構造包括數個玻璃基材，該等玻璃基材具有數個作為電極表面之傳導層。 24. —種電光上轴結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上轴結構包含：：!：層構ie之電光上釉板，具有第一及第-學作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚=: 膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有二色性染料；以及〃光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第-操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀態，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及 1 X 297公釐） -------11:1.1111裝·11 •· (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 36 1286622 AS BS C8 D8 六、申請專利範圍其中該疊層構造包括數個玻璃基材，該等玻璃基材具有數個作為電極表面之傳導層。 25·如申請專利範圍第22、23或24項之電光上釉結構，其可使用相當低的電壓而在光學狀態之間被切換。 26·如申請專利範圍第22、23或24項之.電光上釉結構，其具有改良的機械強度。 27.如申請專利範圍第22、23或24項之電光上釉結構，其中該疊層構造包括數個於絕緣層内之玻璃基材。 28·如申請專利範圍第22、23或24項之電光上釉結構，其係不具模糊、不具缺陷，且在該裝置表面上具有均勻的光學特徵。 29· —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀怨，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，其中該聚合物不具有一液晶相，亦即該聚合物不含有一介晶生成基；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀態，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及该結構係不具模糊、不具缺陷，且在該裝置表面上本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210了297公_& ) - 义 -37 - ：： Γ--Τ--，庸裝--- -- ' I (請先閱讀背面之注意事項再本頁) - -4' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS BS C8 D8 1286622 六、申請專利範圍具有均勻的光學特徵。 30· —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式， :裝 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 以为別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有一界面活性劑；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀悲，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及该結構係不具模糊、不具缺陷，且在該裝置表面上具有均勻的光學特徵。 31 · —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以为別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一璺層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有二色性染料；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公爱） 38 1286622 AS BS C8 D8 六、申請專利範圍操作狀態，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及 " 该結構係不具模糊、不具缺陷，且在該震置表面上具有均勻的光學特徵。 32.如申請專利範圍第29、3〇或31項之電光上釉結構，其可使用相當低的電壓而在光學狀態之間被切換。 33·如申請專利範圍第29、3〇或31項之電光上釉結構，其具有改良的機械強度。 34·如申請專利範圍第29、30或31項之電光上釉結構，其中該疊層構造包括數個於絕緣層内之玻璃基材。 35·如申請專利範圍第29、30或31項之電光上釉結構，其中該疊層構造包括數個玻璃基材，該等玻璃基材具有數個作為電極表面之傳導層。 3 6 · —種電光上轴結構’具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀態，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構’其中该聚合物不具有一液晶相，亦即該聚合物不含有一介晶生成基；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態’以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀態，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作 ^^張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） 71:1"--•裝--- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂： •棘經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 39 8888 ABCD 1286622 六、申請專利範圍狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 :以及該電光上釉結構可使用相當低的電壓而在光學狀態之間被切換，並具有改良的機械強度；其中該疊層構造包括數個於絕緣層内之玻璃基材；其中該疊層構造包括數個玻璃基材，該等玻璃基材具有數個作為電極表面之傳導層；該電光上釉結構係不具模糊、不具缺陷，且在該裝置表面上具有均勻的光學特徵。 37· —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一疊層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀悲，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有一界面活性劑；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀悲，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 ;以及該電光上釉結構可使用相當低的電壓而在光學狀態之間被切換，並具有改良的機械強度；其中該疊層構造包括數個於絕緣層内之玻璃基材； -------ΙΙΙΊ--.裝--- -I 請先閲讀背面之注意事項本頁訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

40 1286622 is 六、申請專利範圍其中該疊層構造包括數個玻璃基材，該等玻璃基材具有數個作為電極表面之傳導層；該電光上釉結構係不具模糊、不具缺陷，且在該裝置表面上具有均勻的光學特徵。 38· —種電光上釉結構，具有散射式及傳輸式操作模式，以分別選擇性散射及傳輸電磁幅射，該電光上釉結構包含：一豐層構造之電光上釉板，具有第一及第二光學操作狀恶，且包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有二色性染料；以及光學狀態切換裝置，用以將該電光上釉板切換成該第一操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該散射式操作狀悲，且用以將該電光上釉板切換成該第二操作狀態，以引發該電光上釉結構成為該傳輸式操作狀態 :以及 71:171!裝— (請先閱讀背面之注意事項再^^本頁} 二ST_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製该電光上釉結構可使用相當低的電壓而在光學狀態之間被切換，並具有改良的機械強度；其中該疊層構造包括數個於絕緣層内之玻璃基材；其中該疊層構造包括數個玻璃基材，該等玻璃基材具有數個作為電極表面之傳導層；該電光上釉結構係不具模糊、不具缺陷，且在該裝置表面上具有均勻的光學特徵。 39· —種電光上釉結構，其具有全散射及全穿透式操作本紙張尺度適周中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐〉 41 1286622 AS B<S C8 D8 、申請專利範圍模式以改良控制電磁頻帶的曰光區内之電磁幅射流，該電光上釉結構包括一液晶材料，其具有一聚合物穩定的膽固醇性結構，其中該聚合物不具有一液晶相，亦即该聚合物不含有一介晶生成基。 40.種電光上袖結構’其具有全散射及全穿透式操作模式以改良控制電磁頻帶的日光區内之電磁幅射流，該電光上釉結構包括-液晶材料，其具有—聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的膽固醇性結構被添加有一界面活性劑。 41· -種電光上釉結構，其具有全散射及全穿透式操作模式以改良控制電磁頻帶的日光區内之電磁幅射流，該電光上釉結構包括-液晶材料，其具有—聚合物穩定的膽固醇性結構，該聚合物穩定的㈣醇性結構被添加有性染料。 42. 如申請專利範圍第39、4〇或41項之電光上轴結構，其中可電性啟動或切換該等操作模式，同時避免使用能量吸收機構。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 43. 如申請專利範圍第39、4〇或41項之電光上釉結構，其具有一操作寬頻帶，包括電磁頻譜之近IR、可見及近'uv 部份。 44·-種PSCT為基礎的電光上釉結構，其包含數種二色性染料併入一 PSCT材料中。 45. —種製造PSCT為基礎的電光上釉結構之系統該電光上釉結構係利用不具液晶相之液晶材料（亦即，聚合物本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公g〉 42 A8 B8 C8 D8 1286622 t、申請專利範圍不具介晶生成基），且該系統更利用流質玻璃製造技術，其中該PSCT為基礎的電光上釉結構具有大於2公尺X3 公尺之一表面積。 46. —種製造PSCT為基礎的電光上釉結構之系統，該電光上釉結構係利用具有一界面活性劑於該PSCT中之液晶材料，且該系統更利用流質玻璃製造技術，其中該PSCT 為基礎的電光上釉結構具有大於2公尺x3公尺之一表面積。 47· —種製造PSCT為基礎的電光上釉結構之系統，該電光上釉結構係利用具有二色性染料於該PSCT中之液晶材料，且該系統更利用流質玻璃製造技術，其中該PSCT 為基礎的電光上釉結構具有大於2公尺x3公尺之一表面積。 48. 如申請專利範圍第45、46或47項之系統，其中該PSCT 為基礎的電光上釉結構不具模糊且不具缺陷，且在該裝置表面積上具有均勻的光學特徵。 49. 一種製造PSCT為基礎的電光上釉結構之系統，該電光上轴結構利用不具液晶相之液晶材料（亦即^聚合物不具介晶生成基），該系統更利用流質玻璃製造技術，且其中該PSCT為基礎的電光上釉結構具有大於2公尺X3 公尺之一表面積、不具模糊且不具缺陷，且在該裝置表面積上具有均勻的光學特徵。 50. —種製造PSCT為基礎的電光上釉結構之系統，該電光上釉結構係利用具有一界面活性劑於該PSCT中之液晶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Ί— I J--，•裝--- (請先閱讀背面之注意事項本頁) 訂- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0^888 ABCD 1286622 六、申請專利範圍材料，S玄系統更利用流質玻璃製造技術，且其中該PSCT 為基礎的電光上釉結構具有大於2公尺x3公尺之一表面積、不具模糊且不具缺陷，且在該裝置表面積上具有均勻的光學特徵。 51· —種製造PSCT為基礎的電光上釉結構之系統該電光上釉結構係利用具有二色性染料於該PSCT中之液晶材料，該系統更利用流質玻璃製造技術，且其中該PSCT 為基礎的電光上釉結構具有大於2公尺x3公尺之一表面積、不具模糊且不具缺陷，且在該裝置表面積上具有均勻的光學特徵。 52·種熱/銳察罩’由如申請專利範圍第1、2、3、8、9 、10、15、16、17、22、23、24、29、30、3卜 36、37 或3 8項之電光上釉結構所製造。 53·—種電光上釉結構，具有一傳輸式模式及一散射式模式，包含：了電性切換液晶及聚合物混合物材料，配置於一對光學穿透式板之間，其中該可電性切換液晶及聚合物混合材料在該傳輸式模式操作時，係在所有觀察角度呈現最小的模糊，其中該可電性切換液晶及聚合物混合物材料係為一聚合物網絡，其中係支撐非反應性膽固醇性液晶分子 ’而不出現介晶生成基；且其中該聚合物網絡與該非反應性手徵性液晶分子之間的耦合係足以穩定焦點錐形狀態之該非反應性膽本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(2i〇T^97公釐) -- -44 - -------·——1!!裝 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂： .線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286622 AS B<S C8 D8 申請專利範圍 *醇性液晶分子，因此較低強度之一電場係足以沿場方向切換所有非反應性液晶分子，導致在所有觀察角度均無模糊的一裝置。 54·種電光上釉結構，具有一傳輸式模式及一散射式模式，包含：一可電性切換液晶及聚合物混合物材料，配置於一對光學穿透式板之間，其中該可電性切換液晶及聚合物混合材料在該傳輸式模式操作時，係在所有觀察角度呈現最小的模糊，其中該可電性切換液晶及聚合物混合物材料係為一聚合物網絡，其中係支撐非反應性膽固醇性液晶分子 ’且被加入有一界面活性劑；以及經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中該聚合物網絡與該非反應性手徵性液晶分子之間的輕合係足以穩定焦點錐形狀態之該非反應性膽固醇性液晶分子，因此較低強度之一電場係足以沿場方向切換所有非反應性液晶分子，導致在所有觀察角度均無模糊的一裝置。 55·種電光上釉結構，具有一傳輸式模式及一散射式模式，包含：一可電性切換液晶及聚合物混合物材料，配置於一對光學穿透式板之間，其中該可電性切換液晶及聚合物混合材料在該傳輸式模式操作時，係在所有觀察角度呈現最小的模糊本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21() x 297公爱） — -45 - 0^888 ABCD 1286622 六、申請專利範圍其中該可電性切換液晶及聚合物混合物材料係為一聚合物網絡，其中係支撐非反應性膽固醇性液晶分子 ’且被加入有二色性染料；以及其中該聚合物網絡與該非反應性手徵性液晶分子之間的耦合係足以穩定焦點錐形狀態之該非反應性膽固醇性液晶分子，因此較低強度之一電場係足以沿場方向切換所有非反應性液晶分子，導致在所有觀察角度均無模糊的一裝置。 56·種氣造PSCT為基礎的裝置之方法，包含以下步驟： (a) 製造第一及第二片流質型玻璃以使用一對玻璃基板； (b) —第一導電性光學無色層沉積在該第一片流質型玻璃上，沿其產生一第一組導電粒子，並將一第二導電性光學無色層沉積在該第二片流質型玻璃上，沿其產一第二組導電粒子； (c) 一第一導電性光學無色層沉積在該第一導電性光學無色層上，並將一第二導電性光學無色層沉積在該第二導電性光學無色層上；及 (d)將層聚合物穩定的膽固酵性纺織物（psct)材料施加在該等第一及第二片流質型玻璃之間，使得該等第一及第二片流質型玻璃相對彼此概呈平行沉積，該層PSCT材料沉積在該等第一及第二電絕緣光學無色層之間，且該等第一及第二電絕緣光學無色層配置於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------：----ΓΙ!裝--- c請先閱讀背面之注意事項再本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 0^888 ABCD 1286622 、申請專利範圍該等第一及第二導電性光學無色層之間，其中該pSCT 材料不具有介晶生成基。 7.種氣造PSCT為基礎的裝置之方法，包含以下步驟· (a) 製造第一及第二片流質型玻璃以使用一對玻璃基板； (b) —第一導電性光學無色層沉積在該第一片流質型玻璃上，沿其產生一第一組導電粒子，並將一第二導電性光學無色層沉積在該第二片流質型玻璃上，沿其產一第二組導電粒子； (c) 一第一導電性光學無色層沉積在該第一導電性光學無色層上，並將一第二導電性光學無色層沉積在該第二導電性光學無色層上；及 (d) 將一層聚合物穩定的膽固醇性紡織物（psCT)材料施加在該等第一及第二片流質型玻璃之間，使得該等第一及第二片流質型玻璃相對彼此概呈平行沉積，該層 PSCT材料沉積在該等第一及第二電絕緣光學無色層之間，且该專第一及第二電絕緣光學無色層配置於該等第一及第二導電性光學無色層之間，其中該PSCT材料添加有一界面活性劑。 58· —種製造PSCT為基礎的裝置之方法，包含以下步驟： (a) 製造第一及第二片流質型玻璃以使用一對玻璃基板； (b) —第一導電性光學無色層沉積在該第一片流質型玻璃上，沿其產生一第一組導電粒子，並將一第二導 r —裝--- (請先閱讀背面之注意事項本頁) 訂- .線：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 47

/'、申請專利範圍電性光學無色層沉積在該第二片流質型玻璃上，沿其產一第二組導電粒子； (C)一第一導電性光學無色層沉積在該第一導電性光學無色層上，並將一第二導電性光學無色層沉積在該第二導電性光學無色層上；及 (d)將一層聚合物穩定的膽固醇性紡織物（psct)材料施加在該等第一及第二片流質型玻璃之間，使得該等第一及第二片流質型玻璃相對彼此概呈平行沉積，該層 PSCT材料沉積在該等第一及第二電絕緣光學無色層之間，且該等第一及第二電絕緣光學無色層配置於該等第一及第二導電性光學無色層之間，其中該PSCT材料添加有二色性染料。 59·如申請專利範圍第56、57或58項之方法，其中步驟（b) 中，該等第一及第二導電性光學無色層由選自下列各物之材料製造：氧化錫、Ζη02、及銀。 6〇·如申請專利範圍第56、57或58項之方法，其中步驟（c) 中，該等第一及第二導電性光學無色層由選自下列各物之材料製造：SiOx。 61· 一種製造PSCT為基礎的裝置之方法，包含以下步驟： (a) 製造第一及第二片流質型玻璃以使用一對玻璃基板； (b) —第一導電性光學無色層沉積在該第一片流質型玻璃上，沿其產生一第一組導電粒子，並將一第二導電性光學無色層沉積在該第二片流質型玻璃上，沿其產本紙張尺度適家標準（CNS)A4規格（210 X 297公^—"— -— -48 - :--裝--- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂· «線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286622 AS BS CS D8 /、、申請專利範圍一第二組導電粒子； (C)使該等第一及第二組導電粒子作電性預放電； (d) —第一導電性光學無色層沉積在該第一導電性光學無色層上，並將一第二導電性光學無色層沉積在該第二導電性光學無色層上；及 (e) 將一層聚合物穩定的膽固醇性紡織物（PSCT)材料加在該等第一及第二片流質型玻璃之間，使得該等第一及第二片流質型玻璃相對彼此概呈平行沉積，該層 PSCT材料沉積在該等第一及第二電絕緣光學無色層之間，且該等第一及第二電絕緣光學無色層配置於該等第一及第二導電性光學無色層之間，其中該PSCT材料不具有介晶生成基。 62. 如申請專利範圍第61項之方法，其中該電性預放電係包各在^亥專第一及第二片流質玻璃形成之一空玻璃袼室上施加一電壓，且具有取決於該等第一及第二片間所施加的圓緣固定部之一間隙。 63. —種用以製造PSCT為基礎的裝置之系統，包含：一第一系統組份，用以產生第一及第二片的流質型玻璃以使用一對玻璃基板；一第二系統組份，用以將一第一導電性光學無色層沉積在該第一片流質型玻璃上，沿其產生一第一組導電粒子，及將-第二導電性光學無色層沉積在該第二片流質型玻璃上，沿其產生一第二組導電粒子； -第三系統組份，用以將一第一導電性光學無色層本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（2l0^7^y --------- - --- ^ —— (請先閱讀背面之注意事項本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 49 1286622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS g D8六、申請專利範圍沉積在該第一導電性光學無色層上，及將一第二電絕緣光學無色層沉積在該第二導電光學無色層上；及一第四系統組份，用以將一層聚合物穩定膽固醇性紡織物（PSCT)施加在該等第一及第二片流質型玻璃之間’使得該等第一及第二片流質型玻璃相對彼此大致平行沉積，該層PSCT材料沉積在該等第一及第二電絕緣光學無色層之間，且該等第一及第二電絕緣光學無色層配置在該等第一及第二導電性光學無色層之間，其中該 PSCT材料不具有介晶生成基。 64· —種用以製造PSCT為基礎的裝置之系統，包含· 一苐一系統組份，用以產生第一及第二片的流質型玻璃以使用一對玻璃基板；一第一系統組份，用以將一第一導電性光學無色層沉積在該第一片流質型玻璃上，沿其產生一第一組導電粒子，及將一第二導電性光學無色層沉積在讓第二片流質型玻璃上’沿其產生一第二組導電粒子；一第三系統組份，用以將一第一導電性光學無色層 /儿積在4第一導電性光學無色層上，及將一第二電絕緣光學無色層沉積在該第二導電光學無色層上；及一第四系統組份，用以將一層聚合物穩定膽固醇性紡織物（PSCT)施加在該等第一及第二片流質型玻璃之間，使得該等第一及第二片流質型玻璃相對彼此大致平行沉積，该層PSCT材料沉積在該等第一及第二電絕緣光學無色層之間，且該等第一及第二電絕緣光學無色層 Η---Γ -裝--- (請先閱讀背面之注意事項本頁) 訂· -ά 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 50 C9888 ABCD 1286622 申請專利範圍配置在該等第一及第二導電性光學無色層之間，其中該 PSCT材料添加有一界面活性劑。 65· —種用以製造PSCT為基礎的裝置之系統，包含一第一系統組份，用以產生第一及第二片的流質型玻璃以使用一對玻璃基板；一第二系統組份，用以將一第一導電性光學無色層沉積在該第一片流質型玻璃上，沿其產生一第一組導電粒子，及將一第二導電性光學無色層沉積在該第二片流質型玻璃上，沿其產生一第二組導電粒子；一第二系統組份，用以將一第一導電性光學無色層沉積在該第一導電性光學無色層上，及將一第二電絕緣光學無色層沉積在該第二導電光學無色層上；及一第四系統組份，用以將一層聚合物穩定膽固醇性紡織物（PSCT)施加在該等第一及第二片流質型玻璃之間，使得該等第一及第二片流質型玻璃相對彼此大致平行 >儿積，該層PSCT材料沉積在該等第一及第二電絕緣光學無色層之間，且該等第一及第二電絕緣光學無色層配置在該等第一及第二導電性光學無色層之間，其中該 P S C T材料添加有二色性染料。 66·如申請專利範圍第63、64或65項之系統，其中該等第一及第二導電性光學無色層由選自下列各物之材料製造：氧化錫、Ζη02、及銀。 67·如申請專利範圍第63、64或65項之系統，其中該等第一及第二電絕緣光學無色層由選自下列各物之材料製 1 -裝 (請先閱讀背面之注意事項本頁) - •線經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣

x 297公釐） 51 AS§D8 1286622 六、申請專利範圍 SiOx 〇 68· —種用以製造PSCT為基礎的裝置之系統，包含第系統組份，用以產生第一及第二片的流質型玻璃以使用一對玻璃基板；第一系統組份，用以將一第一導電性光學無色層沉積在該第一片流質型玻璃上，沿其產生一第一組導電粒子，及將一第二導電性光學無色層沉積在該第二片流質型玻璃上，沿其產生一第二組導電粒子；一第二系統組份，用以將一第一導電性光學無色層沉積在該第一導電性光學無色層上，及將一第二電絕緣光學無色層沉積在該第二導電光學無色層上；及一第四系統組份，用以將一層聚合物穩定膽固醇性紡織物（PSCT)施加在該等第一及第二片流質型玻璃之間，使得該等第一及第二片流質型玻璃相對彼此大致平行沉積，該層PSCT材料沉積在該等第一及第二電絕緣光學無色層之間’且該等第一及第二電絕緣光學無色層配置在該等第一及第二導電性光學無色層之間，其中該 PSCT材料不具有介晶生成基；以及一第五系統組份，用以使該等第一及第二組導電粒子作電性預放電。 69·如申請專利範圍第68項之系統，其中該第五系統組份包含用以將一電壓施加在該等第一及第二片流質玻璃形成之一空玻璃格室上之裝置，且具有取決於該等第一及第二片間所施加的圓緣固定部之一間隙。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） :；·裝--- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂· .線、經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 09 888 ABCD 1286622 六、申請專利範圍 70. —種主動控制觀察板，包含申請專利範圍第1、2、3、8 、9、10、15、16、17、22、23、24、29、3〇3136 “—-裳— (請先閱讀背面之注意事項鼻411?本頁) 、37、38、53、54、或55項之電光上釉結構，其中在電磁頻譜的近UV及近IR區上之電磁幅射傳輸可全部散射而非及收而降低该光學上釉結構所需操作之溫度循環〇如申請專利範圍第70項之主動控制觀察板，其中該電光上釉結構在其表面上具有均勻的光學特徵。 72· —種智慧窗系統，用於安裝在房屋或辦公大樓内、或在譬如飛機或車輛等運輸載具上，該智慧窗系統包含：如申請專利範圍第1、2、3、8、9、1〇、15、16、17、 22、23、24、29、30、31、36、37、38、53、54、或 55 項之電光上釉結構，其支撐在預製窗架内，其中安裝有 --線’· 電磁感測器，用以感測外部環境中之電磁狀況；電池供應器’用以提供電力；一電磁動力電池充電器’以將該電池充電；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製電路，用以產生上釉控制電壓，以驅動該窗架内支撐之電光上釉的電主動元件；及一微電腦晶片，以存在該程式化微控制器中之一幅射流控制程序所需方式控制該電池充電器及電路及該上釉控制電壓之操作。 73 · —種熱/觀察板，由如申請專利範圍第^3、8、9 、10 、 15 、 16 、 17 、 22 、 23 、 24 、 29 、 30 、 31 、 36 、 37或本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(2107^7公釐) 53 1286622 t、申請專利範圍 38項之電光上釉結構所製造。 SS88 ABCD (請先閱讀背面之注意事項本頁) . i線、經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 54