TWI282958B - Pixel element substrate, display device, electronic device, and method for manufacturing the pixel element substrate - Google Patents
Pixel element substrate, display device, electronic device, and method for manufacturing the pixel element substrate Download PDFInfo
- Publication number
- TWI282958B TWI282958B TW093125011A TW93125011A TWI282958B TW I282958 B TWI282958 B TW I282958B TW 093125011 A TW093125011 A TW 093125011A TW 93125011 A TW93125011 A TW 93125011A TW I282958 B TWI282958 B TW I282958B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pixel
- substrate
- pixel element
- display device
- range
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
- H10K59/1275—Electrical connections of the two substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
1282958 ' ⑴ 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於採用有機EL(Electr〇luminescence)元 為 件或液晶顯示元件等之顯示裝置及其製造方法,特別是關 · 於使畫素開口效率提升之顯示裝置及其製造方法。 ~ 【先前技術】 [背景技術] · 申請專利人係就關於有機EL顯示體及其至方法,在 日本平成1 3年1 2月1 8日進行申請專利,而此申請專利係爲 貼合製入有機EL兀件之EL基板與,製入驅動此有機EL 元件之驅動電路的驅動電路基板來形成顯示裝置之構成, 由此,例如將可作爲有效率地生產顯示裝置之構成。
在作爲提案之顯示裝置之中係如後述之參考例(參照 圖1 0及圖1 1 )’因爲爲貼合配置複數有機EL元件之EL基 板與驅動有機EL元件之複數驅動電路基板之構成,故形 D 成共通地接續複數有機EL元件於EL基板之透明之共通 電極配線(I τ 〇 (I n d i u m T i η Ο X i d e)),並在與E L基板之驅 動電路基板對向的面於側邊配置每個各有機E L元件之畫 素電極(A1),由此,將可容易進行驅動電路基板之驅動電 路與有機EL元件的接續。 [曰本申請專利文獻1]曰本特願200 1 _ 3 8 5 79號 【發明內容〕 -4- (2) (2)1282958 [發明之掲示] [欲絕發明之課題] 但,爲了經由EL基板取出有機EL元件的發光光於 外部,則由透明電極形成有機E L元件之共通電極,而作 爲透明電極所使用之I T 0係因爲爲大電阻値,故如成爲大 畫面(大面積)時,根據電壓下降而施加均一的電壓於構成 畫面之有機EL元件的情況則成爲困難,而當無法施加均 一的驅動電壓情況時,發光則成爲不均一的情況,並對於 畫質產生很大的影響。 而作爲對策則有考慮配置鋁等低電阻値補助配線成格 子狀於觸排部之情況,但因爲了降低電阻値而加寬補助配 線的寬度時,發光範圍則將變窄而照成開口率下降,故將 共通電及設定爲充分之低電阻値之情況則爲困難。 因此,本發明之目的係提供施加均一的驅動電壓於各 畫素,並發光範圍則不會變窄之顯示裝置之情況。 另外,本發明之目的係提供具有如此所改良之顯示裝 置的電子機器之情況。 另外,本發明之目的係提供如施加均一的驅動電壓於 各畫素,並發光範圍則不會變窄之顯示裝置之畫素元件基 板與及其製造方法情況。 [爲解決課題之手段] 爲了解決上述之目的,本發明之顯示裝置係針對在由 接合配列複數晝素元件之晝素元件基板與包含上述複數畫 (3) (3)1282958 素元件之驅動電路的驅動電路基板而成之顯示裝置,其中 前述驅動電路基板係於與上述畫素元件基板對向的面包含 有接續在上述複數畫素元件之驅動電路的複數接續端子, 並上述畫素元件基板係包含形成在透光性基板上之畫素電 極與,各自接合各自之一端於上述複數畫素電極上而形成 之複數畫素元件與,共通地接續上述複數畫素元件之各另 一端的共通電極配線與,使上述複數畫素元件相互分離來 劃定畫素元件各自範圍之觸排範圍與,藉由形成在上述觸 排範圍之通孔來各自接續上述驅動電路基板之複數接續端 子與因應此等之上述複數畫素元件之畫素電極的複數個別 電極配線。 根據作爲有關之構成情況,將可配置各畫素之個別電 極於畫素元件基板之透光性基板側而得到具有共通電極於 與畫素元件基板之驅動電路對向側之構造,而因個別電極 的面積小5故可使用電阻値比較大之材料,例如 ITO(Indium Tin Oxide)之情況,而因不需要爲了降低電阻 之補助配線的範圍,而此部份可採取加大個別電極之面積 ,並提升分配於一畫素之範圍中的發光範圍之比率。 另外,上述觸排部係具有複數段差,並於最高的部份 開口有通孔,且利用其他的段差部份得到構成前述畫素元 件之成膜,而由此,將可容易進行個別電極配線與驅動電 路基板之接續端子的接續,另外,利用其他的段差部份作 爲畫素元件之形成,例如成爲可更容易進行由液滴吐出法 (濺射法)之有機EL元件的成膜之情況。 -6 - (4) (4)1282958 另外,上述之畫素元件係包含有機EL元件,液晶顯 示元件或發光二極體,而由此,則容易形成顯示裝置。 另外,上述畫素電極爲透明電極,並上述畫素元件之 發光光或透過光則取出於上述畫素元件基板側,而於各畫 素元件之透光性基板側,將畫定爲小面積之個別電極作爲 透明電極,並將與畫素元件基板之驅動電路對向側之共通 電極,根據作爲含有 Al,Cu,Cr等之導電性高之金屬的 情況,即使使用比較來說電阻値高之ITO (透明電極)亦可 消解電壓下降的問題。 另外,對於上述之畫素元件基板,驅動電路基板可使 用玻璃基板或可曲性之壓克力基板之情況。 對於將上述之顯示裝置使用在筆記型電腦,行動電話 ,數位相機,PDA(攜帶型終端),攜帶電視等之各種電子 機器的情況係有著可形成小型之顯示部的優點。 另外,本發明之畫素元件基板係包含形成在透光性基 板上之複數畫素電極與,各自接合各自之一端於上述複數 畫素電極上而形成之複數畫素元件與,共通地接續上述複 數畫素元件之各另一端的共通電極配線與’使上述複數畫 素元件相互分離來劃定畫素元件各自範圍之觸排範圍與, 藉由通孔來各自接續因應上述複數畫素電極而形成在上述 觸排範圍表面上之複數外部接續部與上述複數畫素電極的 複數個別電極配線。 根據作爲有關之構成情況,於透光性基板側具有畫定 爲小面積之晝素電極,並可得到於此相反側具有共通電極 -7- (5) (5)1282958 構造之畫素兀件基板’而根據各畫素電極爲小面積之情況 ,即使使用商電阻之畫素電極材料,例如透明電極ITO , 電壓下降之影響亦少。 另外,本發明之畫素元件基板的製造方法係包含將光 透過可能之導電層成膜於透光性絕緣基板上,並將此進行 圖案化來形成複數畫素電極之第1工程與,將絕緣層成膜 於上述複數晝素電極上,並將此進行圖案化於各畫素電極 上將接觸孔範圍與畫素元件形成範圍進行開口之第2工程 與,於上述絕緣層上將接觸孔範圍及各畫素元件形成範圍 進行開口之同時,形成在各接觸孔範圍之外周圍之中爲相 對來說高的第1高度之觸排層,而在各畫素元件形成範圍 之外周圍之中爲相對來說低的第2高度之觸排層的第3工程 與,於各畫素元件形成範圍之畫素電極上形成畫素元件之 第4工程與,將導電層成膜於上述觸排層及各畫素元件上 ,並將該導電層至上述觸排層之上述第1高度部份露出爲 止進行硏磨之第5工程。 而理想係上述第3工程包含形成將各接觸孔及各畫素 元件形成範圍開口在上述絕緣層上之上述第2高度之第1觸 排層之工程與,形成上述第1高度之第2觸排層於上述第1 觸排層之各接觸孔範圍外周圍之工程,而由此將可形成段 差於觸排之情況。 而理想爲上述畫素元件係包含包含有機EL元件’液 晶顯示元件,發光二極體。 冬 (6) (6)1282958 [發明之效果] 如根據本發明,因作爲配置小面積之畫素電極於透明 (光通過性)基板側,並將與畫素元件基板之驅動電路對向 側之共通電極作爲含有例如 A1,C U,C r等之導電性高之 金屬的構成,故即使將高電阻之電極材料,例如ITO使用 於透明(光通過性)基板側,亦不容易產生根據電壓下降之 畫像亮度不均,另外,因不需要爲了降低高電阻之電極材 料而在畫素周圍作爲網目狀之補助配線,故將可成爲提升 顯示區域之開口效率之情況。 【實施方式〕 [爲了實施發明之最佳形態] 以下,關於本發明之實施形態來參照圖面進行說明。 本發明之時施例之中係表示有由貼合製入畫素元件 之畫素元件基板與,製入驅動畫素元件之驅動電路基板而 成之顯示裝置,而此薄膜裝置之畫素元件基板係多數配列 具有至少2個電極之畫素元件,並由觸排相互絕緣畫素元 件’而畫素元件之1的電極係爲劃定在畫素元件基板之透 光性基板側的透明電極,而另1個電極係爲共通接續配置 在與,驅動電路基板對向面側之複數畫素元件的共通電極, 而畫素係根據通過畫素元件基板之透光性基板的光所辨識 ’另對於1畫素係分配有由觸排所圍住之發光範圍與形成 在觸排中之通孔,並利用通孔來將與各畫素電極(透明電 極)之配線導出於與畫素元件基板之驅動電路基板對向面 -9- (7) (7)1282958
[實施例1 ] 圖1係爲表示有關本發明之實施例的顯示裝置,並大 致區分爲畫素元件基板1 0 Q與驅動電路基板2 0 0。 首先,畫素元件基板1 0 0係根據基板1 1 〇,絕緣層1 1 1 ’透明之畫素電極1 1 2,絕緣層1 1 3,觸排層1 1 5,通孔1 1 6 ’爲畫素元件之有機EL元件120,共通電極層131等所構 成之。 基板1 1 〇係爲例如由石英玻璃等之無鹼性玻璃,壓克 力薄膜等而成之透明基板,而於其上方成膜有絕緣層n】 ’另如後述,於此絕緣層1 1 1之上方配列(配置)有圖案化 爲四角形之複數畫素電極1 1 2,而畫素電極1 1 2係由透明之 IT0所成膜,而畫素電極1 12之外周及上面係由絕緣層1 13 所包覆,並從其他的畫素電極1 1 2分離(絕緣),畫素電極 1 1 2上之絕緣層1 1 3係將畫素形成範圍1 1 4及通孔形成範圍 1 1 6作爲開口。 於絕緣層1 1 3上,如圍住畫素形成範圍1 1 4及通孔形成 範圍1 1 6外周圍之水庫地將觸排層1 1 5成膜,而觸排層1 } 5 係如後詳述地具有複數的段差(參照圖5 ),而通孔形成範 圍1 1 6外周圍成爲最高的部份,換言之,觸排層n 5之最上 段上面中央部性成爲通孔1 1 6,而對於通孔Π 6的底部係露 出著畫素電極1 ] 2的一部份,根據由鋁等導電材料埋入此 通孔1 1 6來形成與衋素電極1 1 2所接續之爲個別電極配線的 (8) (8)1282958 畫素電極配線1 3 2,而畫素電極配線1 3 2之上端部係成爲與 驅動電路之接續部。 另外,對於圍住露出著觸排層11 5之畫素電極1 1 2主要 部份之畫素形成範圍1 4 1的範圍形成段差,並此段差係可 利用於畫素元件120之形成,而觸排層1 15係例如根據丙烯 基樹脂,聚 亞胺,氧化矽等絕緣材料所形成之。 對於畫素形成範圍1 4 1係形成有構成顯示畫面(或者顯 示範圍)之單位畫素的畫素元件1 2 0,而在此實施例之中係 作爲畫素元件1 2 0而形成有機E L元件,而有機E L元件係 於透明的畫素電極1 1 2上將正孔注入層1 2 1,有機EL層 1 2 2,陰極1 3 1進行成膜而構成,而有機E L元件係由眾知 的材料,眾知的製造方法所形成,陰極1 3 1係由將鈣,鋁 進行成膜而成,並接續於共通地接續各有機EL元件之共 通電極配線1 3 1。 如此所構成之畫素元件基板1 0 0係成爲將基板1 1 〇之下 面作爲顯示面,並於基板1 0之上面配列複數畫素元件1 2 0 之構成,而各畫素元件係將分割成成膜在基板10上面之每 各畫素的透明畫素電極1 1 2作爲一方端,而將共通電極1 3 1 作爲另一方端,並且,利用觸排層1 1 5來形成從共通電極 1 3 1所絕緣之範圍,並於此範圍形成各畫素電極之接續配 線的端子部。 另一方面,驅動電路基板2 0 0係於由無鹼性玻璃或壓 克力薄膜等而成之絕緣務而成之基板2 1 〇表面形成有由氧 化砂而成之絕緣膜2 1] ’更加地,於此絕緣膜上因應各畫 -11 - 1282958 Ο) 素元件120之配置來複數形成驅動畫素元件120之驅動電路 212,而畫素元件120係具體來說爲上述之有機EL元件, 而各驅動電路212係除了 TFT(薄膜電晶體)還包含電容器 ,掃描線,信號線等,另此驅動電路2 1 2相互間係根據由 氧化矽等之絕緣層2 1 3所絕緣著,而於此絕緣層2 1 3形成藉 由貫通孔而各自接續於各驅動電路2 1 2之複數接續端子2 1 4 ,而各接續端子2 1 4係在與驅動電路基板2 0 0之畫素元件基 板1〇〇對向的面,配置在因應畫素元件基板100之各畫素電 極1 1 2之接續配線1 3 2之端子部的位置。 藉由導電性樹脂3 0 1來貼合如此所構成之畫素元件基 板1 〇 〇與驅動電路基板2 0 0而形成顯示裝置,而導電性樹脂 3 0 1係亦可採用混合銀塗漿或銅塗漿等之金屬與樹脂之構 成,而採用異方性導電樹脂或異方性導電膜也可以。 如根據有關的構成,因由金屬薄膜來形成共通電極, 故作爲由高電阻之ITO來形成透明畫素電極,而因其面積 小電壓下降亦不會成爲問題,另外,因活用分離畫素之觸 排部而在通孔將畫素電極與驅動電路接續,故比較於以下 之參考例,開口效率則無下降。 另外,上述之構成係爲亦可適用於形成晝素元件於2 個電極間之液晶顯不裝置或發光二極體之構成。 接著’爲了容易理解上述本發明之實施例的特徵,關 於作爲先行之申請專利的參考例來參照圖〗〇及圖n來進行 說明。 凸】〇係爲參考例之顯示裝置的剖面圖,另外,圖n係 -12 - (10) (10)1282958 表示顯示裝置之畫素元件基板,針對在兩圖示,對於與圖 1對應之部分係附上相同的符號,並省略相關的說明。 在參考例之中係藉由絕緣膜1 1 1來將透明電極(I τ 0)作 爲各畫素元件120之共通電極151來形成於玻璃基板110上 ,而如前述ITO係因爲爲高電阻値,故爲了抑制針對在大 面積之共通電極1 5 1的電壓下降,故形成鋁之補助配線1 5 2 爲格子狀於分離各畫素之觸排部份,而各畫素元件1 20係 將其楊極接於共通電極1 5 1,並將其陰極接於鋁之個別分 離之畫素電極1 5 3,而畫素電極1 5 3相互間係由陰極隔板所 分離。 如此所構成之畫素元件基板1 00係藉由導電性樹脂3 0 1 來與驅動電路基板200貼合而形成顯示裝置。 在如此之參考例之構成之中係爲了抑制高電姐之共通 電極1 5 1的電壓下降而必須配置寬度寬之補助配線1 5 2成格 子狀於觸排範圍所產生的結果,開口效率則下降。 [實施例2 ] 接著’關於本發明之顯示裝置之畫素元件基板的製造 工程來參照圖2乃至圖9進行說明,而圖2乃至圖8 ( a)圖係 爲畫素元件基板的平面圖,而圖2乃至圖8之各(b)圖係表 不沿著在平面圖中所示之A - A方向的剖面圖,另外,圖5 及圖8之各(c)圖係表示沿著在平面圖中所示之b-B方向的 剖面圖。 首先’如圖2所不,於厚度〇 . 5 m 之無驗性的玻璃基 -13- (11) 1282958 板1 1 0上’例如針對在膜形成裝置,根據等離g 解T E 0 S,而將氧化矽層成膜爲5 〇 〇 〇埃程度, 膜1 1 1 ’而於此上方將ITO成膜爲5 0 0 0埃程度 明電極層’接著,採用無圖示之畫素電極的光 電極層進行圖案化,而形成複數之畫素電極n 如圖3所示,於畫素電極丨12及作爲一部份 膜11 1上’根據等離子CVD法將氧化矽層成膜 度,而形成絕緣膜1 1 3,而將此絕緣膜1 1 3使用 畫素元件範圍之光罩進行圖案化,並於絕緣月) 範圍1 1 6及畫素元件範圍〗4丨進行開口,然而, 由2點虛線來表示畫素電極1 1 2之範圍。 如圖4所示,於絕緣膜1 1 3上,採用印刷法 法,除了通孔範圍1 1 6及畫素元件範圍1 4 1,將 成膜爲2 厚度,而形成觸排層1 1 4,而通孔範 件範圍係沒被埋設。 如圖5所示,於通孔範圍1 1 6外周,更加地 或液滴吐出法,於觸排層114(參照圖5(b))之上 基樹脂堆積爲2 厚度,形成觸排層Π 5 (參照 由此,觸排層係形成爲觸排層1 1 4與1 1 5之2段 而,在實施例之中係將觸排層形成爲2段,但 有3段以上之複數段差的層來形成之。 如圖6所示,於畫素元件範圍之畫素電極1 滴吐出法來將正孔注入層成膜爲〗0 0 0埃厚度 EL層成膜爲]0 0 0埃厚度。 =CVD法分 而形成絕緣 ,而形成透 罩來將透明 2 〇 露出之絕緣 爲2 0 0 0埃程 通孔範圍及 I 1 1 3將通孔 在圖3 (a)中 或液滴吐出 丙烯基樹脂 圍及畫素元 採用印刷法 方,將丙烯 圖5(c)),而 的高度,然 亦可作爲具 1 2上,由液 ,而將有機 - 14 - (12) (12)1282958 如圖7所示,於畫素元件基板1 Ο 0全體,由噴射法堆積 鋁(導電材料),並埋設通孔範圍1 1 6,再形成有機EL元件 之陰極及共通電極配線1 3 1,而由此形成畫素元件1 2 0。 接著,如圖8所示,將畫素元件基板1 〇 〇全體從上進行 機械硏磨,並將鋁層削製觸排層1 1 5最上層露出爲止,而 由此,在通孔範圍1 1 6周圍之觸排層1 1 5部份之中係分離共 通電極配線1 3 1與畫素電極配線1 3 2,另外,在觸排層1 1 5 部份之中係維持接續同爲畫素元件1 2 0之電極(陰極)之狀 態。 如圖9所示,將如此所構成之畫素元件基板1 〇〇與驅動 電路基板2 0 0介在有導電性述之於兩者之接續端子部分來 作爲貼合,而對於貼合係可使用接著劑之情況。 如此將可得到藉由形成在觸排層1 1 5之通孔1 1 6來取出 形成在畫素元件基板1 〇 〇上之畫素電極1 1 2的配線1 3 2於驅 動電路基板2 0 0側之構造。 如此,如根據實施例之製造方法,將可製造開口效率 佳之顯示裝置。 [實施例3] 接著,就關於幾個具備上述顯示裝置(有機EL顯示裝 置)之電子機器的例子來進行說明之。 <其1 :筆記型電腦> 首先,關於將有關上述實施例之有機EL顯示裝置1 -15- (13) (13)1282958 適用於筆記型個人電腦的例子來進行說明,而圖1 2係爲表 示此個人電腦構成之斜視圖,而針對圖,電腦1 1 0 0係由具 備有鍵盤1102之主體部1104與,有機EL顯示裝置1所構 成。 <其2 :行動電話> 接著,關於將有機EL顯示面板行適用於行動電話的 顯示部之例子來進行說明,而圖1 3係爲表示此行動電話構 成之斜視圖,而針對圖,行動電話1 2 0 0係爲除了複數之操 作按鍵1202之外,具備有受話口 1204,送話口 1206之同時 亦具備有有機EL顯示裝置1之構成。 <其3 :數位相機> 更加地,關於將有機EL顯示裝置1使用於尋像器之 數位相機進行說明,而圖Μ係爲表示數位相機構成之斜視 圖,但關於與外部機器之接續亦有簡易地表示。 通常的相機係對於根據被攝體之光像來將軟片進行感 光之情況,數位相機1 3 0 0係爲根據 CCD(Charge Coupled Device)等之攝像元件,將被攝體之光像進行光電變換來 生成攝像信號之構成,而在此,對於針對在數位相機1 3 0 0 之機殼1 3 02的背面係成爲設置有上述之有機EL顯示裝置 1,並依據由C CD之攝像信號來進行顯示之構成,因此, 有機EL顯示裝置1係作爲顯示被攝體之尋像器來發揮機 能,另外,對於機殼1 3 0 2之觀察側(針對圖示係內面側)係 -16 -
Claims (1)
1282958
-^ ___^ Θ月收修(更)正替換買 (1) 申請專利範圍 第93 1 2501 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 5年1 2月18日修正 1 · 一種顯示裝置,係接合排列複數畫素元件之畫素元 件基板和包含前述複數之畫素元件之驅動電路之驅動電路 基板而成顯示裝置,其特徵係前述驅動電路基板乃於與前 述畫素元件基板對向之面,包含連接於前述複數畫素元件 之驅動電路之複數連接端子, 前述畫素元件基板包含形成於透光性基板上之複數畫 素電極,和於前述複數之畫素電極上,各自連接個別之一 端而形成之複數畫素元件,和共通連接前述複數之畫素元 件各另一端之共通電極配線,和相互分離前述複數之畫素 元件,並界定各畫素元件之範圍之間隔壁範圍,和將前述 驅動電路基板之複數之連接端子和對應於此等之前述複數 之畫素元件之畫素電極,藉由形成於前述間隔壁範圍通孔 ,加以個別連接之複數之個別電極配線。 2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中,前述間 隔壁範圍具有複數之階差,於其最高之部分開出前述之通 孔,利用其他階差部分,進行前述畫素元件之成膜。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項之顯示裝置,其中, 前述畫素元件乃包含有機電激發光元件,液晶表示元件或 發光二極體。 4.如申請專利範圍第1項或第2項之顯示裝置,其中, 1282958
(2) 前述畫素電極爲透明電極,前述畫素元件之發射光或透過 光,由前述畫素元件基板之側面取出。 5 · —種電子機器,其特徵係包含如申請專利範圍1至4 任何一項所記載之顯示裝置。 ~ 6 · —種畫素元件基板,係包含形成於透光性基板上之 複數畫素電極, 和於前述複數之畫素電極上,各別連接各自之一端而 形成之複數畫素元件, φ 和共通連接前述複數之畫素元件各另一端之共通電極 配線, 和相互分離前述複數之畫素元件,分割各畫素元件之 範圍之間隔壁範圍, 和將於前述間隔壁範圍表面,對應於前述複數之畫素 電極形成之複數之外部連接部和前述複數之畫素電極,藉 由通孔個別加以連接之複數之個別電極配線。 7 · —種畫素元件基板之製造方法,係包含於透光性絕 # 緣基板上成膜可透光之導電層,將此圖案化,形成複數之 畫素電極之第1工程, 和於前述複數之畫素電極上成膜絕緣層,將此圖案化 ,於各畫素電極上開口連接孔範圍與畫素元件形成範圍之 第2工程, 和於前述絕緣層上開口前述各連接孔範圍及各畫素元 件形成範圍的同時,於各連接孔範圍之外圍,形成相對高 之第1高度,於各畫素元件形成範圍之外圍,形成相對低 -2 - 1282958 ^ t 之第2高度之間隔壁層之第3工程, 和於各畫素元件形成範圍之畫素電極上,形成畫素元 件之第4工程, 和於前述連接孔,前述間隔壁層及前述各畫素元件上 ,成膜導電層,將該導電層硏磨至前述間隔壁層之前述第 1高度部分被露出爲止之第5工程。 8 .如申請專利範圍第7項之畫素元件基板之製造方法 ,其中,前述第3工程乃包含於前述絕緣層上,形成開口 前述各連接孔範圍及各畫素元件形成範圍之前述第2高度 之第1間隔壁層之工程, 和於前述第1間隔壁層之各連接孔範圍之外圍,形成 前述第1高度之第2間隔壁層之工程。 9·如申請專利範圍第7項或第8項之畫素元件基板之製 造方法,其中,前述畫素元件係有機電激發光元件。
-3-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003298611A JP3915985B2 (ja) | 2003-08-22 | 2003-08-22 | 画素素子基板、表示装置、電子機器、及び画素素子基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200521917A TW200521917A (en) | 2005-07-01 |
TWI282958B true TWI282958B (en) | 2007-06-21 |
Family
ID=34191216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093125011A TWI282958B (en) | 2003-08-22 | 2004-08-19 | Pixel element substrate, display device, electronic device, and method for manufacturing the pixel element substrate |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7202597B2 (zh) |
JP (1) | JP3915985B2 (zh) |
KR (1) | KR100622903B1 (zh) |
CN (1) | CN1317593C (zh) |
TW (1) | TWI282958B (zh) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100747569B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2007-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 접착형 유기 el 디스플레이 |
US7999458B2 (en) * | 2004-08-26 | 2011-08-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro luminescence device and fabrication method thereof |
WO2006054421A1 (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機エレクトロルミネセンスパネル及びその製造方法、並びに、カラーフィルタ基板及びその製造方法 |
US7772763B2 (en) * | 2004-12-02 | 2010-08-10 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescence display device comprising grid shaped auxiliary electrode |
KR100682835B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR100738226B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2007-07-12 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
KR101202035B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2012-11-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
US8222116B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011126726A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-13 | Semprius, Inc. | Electrically bonded arrays of transfer printed active components |
US9161448B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-10-13 | Semprius, Inc. | Laser assisted transfer welding process |
JP5625448B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-11-19 | 凸版印刷株式会社 | 有機el素子,有機el画像表示装置の製造方法 |
KR101367584B1 (ko) * | 2010-07-08 | 2014-02-25 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
JP2013025972A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
US9412727B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-09 | Semprius, Inc. | Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion |
KR101948207B1 (ko) * | 2012-09-24 | 2019-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 발광 소자, 이를 포함하는 백색 발광 패널, 백색 발광 패널의 제조 방법, 및 백색 발광 소자를 포함하는 표시 장치 |
KR20140139304A (ko) * | 2013-05-27 | 2014-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP6207239B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-10-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR102218573B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2021-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP6409287B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2018-10-24 | 株式会社リコー | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置および有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法、並びに画像形成装置 |
CN110265344B (zh) | 2014-07-20 | 2023-09-12 | 艾克斯展示公司技术有限公司 | 用于微转贴印刷的设备及方法 |
US9704821B2 (en) | 2015-08-11 | 2017-07-11 | X-Celeprint Limited | Stamp with structured posts |
US9640108B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Bit-plane pulse width modulated digital display system |
US10360846B2 (en) | 2016-05-10 | 2019-07-23 | X-Celeprint Limited | Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device |
US10453826B2 (en) | 2016-06-03 | 2019-10-22 | X-Celeprint Limited | Voltage-balanced serial iLED pixel and display |
KR102103962B1 (ko) | 2016-09-02 | 2020-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 제조 방법 |
US10832609B2 (en) * | 2017-01-10 | 2020-11-10 | X Display Company Technology Limited | Digital-drive pulse-width-modulated output system |
CN109616587B (zh) * | 2018-12-04 | 2021-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示装置 |
US10748793B1 (en) | 2019-02-13 | 2020-08-18 | X Display Company Technology Limited | Printing component arrays with different orientations |
CN111211242B (zh) | 2020-01-07 | 2021-08-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05167004A (ja) | 1991-12-12 | 1993-07-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH0954306A (ja) * | 1995-08-15 | 1997-02-25 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
US6157428A (en) * | 1997-05-07 | 2000-12-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US6335770B1 (en) * | 1997-07-22 | 2002-01-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode LCD with specific arrangement of common bus line, data electrode, and common electrode |
JP3556437B2 (ja) | 1997-07-25 | 2004-08-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3769997B2 (ja) | 1999-09-22 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | マルチチップパッケージの製造方法 |
JP2001102168A (ja) | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP3840926B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示体及びその製造方法、並びに電子機器 |
KR100748442B1 (ko) * | 2001-02-26 | 2007-08-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그제조 방법 |
JP4801278B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP2003017245A (ja) | 2001-06-27 | 2003-01-17 | Sony Corp | 有機elディスプレイ及びその駆動回路接続方法 |
JP2003233326A (ja) | 2001-11-30 | 2003-08-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置及びその作製方法 |
JP4329022B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2009-09-09 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、電気光学装置、電子機器、および発光装置の製造方法 |
US6835954B2 (en) * | 2001-12-29 | 2004-12-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic electroluminescent display device |
US7038377B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Display device with a narrow frame |
JP2003280552A (ja) | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 画像表示装置 |
JP4534430B2 (ja) | 2003-04-24 | 2010-09-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
US7132796B2 (en) * | 2003-12-30 | 2006-11-07 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Organic electroluminescent device and method of fabricating the same |
-
2003
- 2003-08-22 JP JP2003298611A patent/JP3915985B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-12 US US10/888,015 patent/US7202597B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-04 KR KR1020040061334A patent/KR100622903B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-08-12 CN CNB2004100574680A patent/CN1317593C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-19 TW TW093125011A patent/TWI282958B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1317593C (zh) | 2007-05-23 |
US7202597B2 (en) | 2007-04-10 |
CN1584669A (zh) | 2005-02-23 |
JP3915985B2 (ja) | 2007-05-16 |
US20050040754A1 (en) | 2005-02-24 |
KR100622903B1 (ko) | 2006-09-19 |
JP2005070295A (ja) | 2005-03-17 |
TW200521917A (en) | 2005-07-01 |
KR20050020936A (ko) | 2005-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI282958B (en) | Pixel element substrate, display device, electronic device, and method for manufacturing the pixel element substrate | |
CN109817672B (zh) | 有机电致发光显示基板及其制造方法、显示面板、装置 | |
WO2021147987A1 (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN105824457B (zh) | 有机发光二极管显示器 | |
JP2022165983A (ja) | 電子機器 | |
CN104885252B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
US20150115293A1 (en) | Light emitting diode display panel | |
JP5153825B2 (ja) | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 | |
CN102084412B (zh) | 有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法 | |
KR20160010356A (ko) | 표시 장치 | |
US20210367003A1 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate | |
CN110310575A (zh) | 一种显示面板及其制作方法和显示装置 | |
US11342396B2 (en) | Organic light emitting diode display panel, organic light emitting diode counter substrate, and fabricating method thereof | |
CN1773334A (zh) | 电光装置和电子设备 | |
JPWO2015087498A1 (ja) | 表示装置 | |
KR100690523B1 (ko) | 전기 광학 장치의 제조 방법 | |
CN1784096A (zh) | 电光学元件的制造方法、电光学装置 | |
CN110379310A (zh) | 一种柔性显示模组及其制备方法、柔性显示装置 | |
WO2020211044A1 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate | |
CN110047896B (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
RU2720080C1 (ru) | Экран дисплея на органических светоизлучающих диодах и электронное устройство | |
CN108963112B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
WO2012005198A1 (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
CN111490066A (zh) | 一种显示面板以及电子装置 | |
WO2023024069A1 (zh) | 显示背板及其制备方法、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |