TWI277732B - Real-time monitoring optically trapped carbon nanotubes - Google Patents

Description

1277732 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明的實施例係有關於半導體領域，特別是關於奈 米技術。 【先前技術】 碳奈米管是奈米技術中相當有前景的元件。其可以爲 書 由石墨柱體所組成的富勒Λ相關（fullerence-related )結 構。碳奈米管可加以功能化（藉由附加組成至碳奈米管） ，以增加其在溶劑中的溶解度以及控制其與其他分子或固 體材料之間的親合性。 目前用以分析碳奈米管的方法主要是在於後置實驗結 果。此技術是非直接的且易有許多不確定源，導致該些碳 奈米管的光學捕獲之實際效果被不適當的估量。目前並無 有效能的技術，用以即時監控在光學捕獲系統中該些碳奈 •米管之移動。 【發明內容】 本發明的一實施例係爲一種即時監控碳奈米管（CNT )的技術。藉由一雷射光束在一流體中操控一碳奈米管。 沿著該碳奈米管的軸線對準來自一光源的一照明光線’以 從該碳奈米管產生一光學響應。依據該光學響應並使用一 光學感應器以監控該碳奈米管。 於以下說明中’爲了解釋而非限制之目的’例如：特 -4- (2) 1277732 定結構、架構、介面 '技術等之特定細節係被加以說明’ 以提供對本發明各種®施例1自勺$ & 7解°然而’爲熟習方令 本技藝者所了解的，本案之各種實施例可以在沒有特定細 節的情形下加以實施。於部分例子中’已知裝置 '電路及 方法的說明被省略’以避免不必要的細卽阻礙本發明之說 明。 本發明的一實施例可以一製程的方式來加以敘述’通 ® 常係以一流程圖、一作業圖、一結構圖、或一方塊圖的方 式呈現。雖然一流程圖可以將該些操作敘述爲一循序的製 程，而該些操作的許多步驟可以平行地或並存地實行。此 外，該些操作的順序可以重新安排°當該些操作完成時則 一製程可以終止。一製程可以對應至一方法、一程序、一 製作方法或一製造方法等等。 本發明的一實施例藉由光學捕獲以即時監控單壁碳奈 米管（SWNT )之操控。引入暗場光學顯微鏡組態以供當 場觀測，用以替代後置實驗分析。於該光學捕獲步驟期間 ，在監控該些碳奈米管中使用暗場光學顯微鏡使得即時估 算捕獲效果是可行的。於外部光場之下’在該些碳奈米管 中感應的偶極動量沿著該偏極化場方向而定位該些碳奈米 管的方向。處於一暗場光學顯微鏡與一鹵素燈的照明之下 ，該些碳奈米管的定向可以從碳奈米管的瑞利散射而被確 認，因此光學捕獲的效果可以即時監控。 單壁碳奈米管的直徑約爲一奈米且長度約爲數微米。 本發明的一實施例提供一方法，用以在光學分類與操控期 -5- (3) 1277732 間觀測或顯現該些碳奈米管，其提供即時回饋至硏究者° 本發明一實施例的優點包含：（1 )即時觀測光學捕獲碳 奈米管的能力，以及（2 )使用來自已觀測的影像資訊之 回饋資訊以自動化碳奈米管之操控的能力。 【實施方式】 第1圖係爲一圖式，用以說明一系統1 00，其可以實 ® 行本發明的一實施例。該系統1 〇 〇包含一光源1 1 〇與一監 控器120。 該光源110可以爲適於產生一照明光線至該監控器 120的任何光源。在一實施例中，該光源110係爲具有適 當瓦特數的一鹵素燈。該光源的強度可以調整，以提供適 當的照明。 該監控器120以即時方式監控該光學捕獲碳奈米管的 位置與移動。該監控器120包含一雷射130、一光學組合 ^ 140、一顯微鏡150、一光學感應器170以及一控制器180 〇 該雷射1 3 0經由該光學組合1 4 0將一雷射光束1 3 5聚 焦至該顯微鏡1 5 0。該雷射1 3 0由該控制器1 8 0所控制， 以具有一些操控模式。該雷射1 3 0可以受控制以具有變動 的強度:以及光學頻率。該雷射1 3 0可以被偏極化。 該光學組合140提供光學元件以處理該雷射光束135 。光學元件的例子包含繞射光學裝置1 42、透鏡、望遠鏡 1 44、光學調制器以及濾光鏡。該光學組合1 40將該雷射 -6 - (4) 127773.2 光束135引導至一流體154，其含有置放 碳奈米管155^ 155N。 該顯微鏡150包含一偏光板152、一 色向面鏡162以及一檢偏鏡164。該顯微 其他元件。在一實施例中，該顯微鏡1 5 0 顯微法。該暗場顯微法藉由產生碳奈米管 及環繞場之間的對比而提供較佳的視覺化 像。 該偏光板152偏極化來自該光源110 係藉由沿著一碳奈米管的軸線對準該照明 自該碳奈米管的一光學響應。當光線沿著 軸而偏極化時，該碳奈米管的瑞利散射變 奈米管的光學響應通常係爲綠光。 該流體154包含不同流體的多層或通 在由玻璃或聚合物材料所製成的流體通道 154包含一些碳奈米管155^155^^。該些 單壁碳奈米管（SWNT)或多壁碳奈米管 些碳奈米管可以是功能化的。該流體1 5 4 152與該物鏡160之間，以提供碳奈米管 或移動的觀測與監控。 該雙色向面鏡162經由該物鏡160將 至該流體154，以操控該些碳奈米管。其 徑以傳送該光學響應，係當該些碳奈米管 1 6 4時。該檢偏鏡1 6 4係爲另一偏光板， 在該顯微鏡中的 物鏡160、一雙 鏡1 5 0可以包含 設置以提供暗場 :155!〜155N 以 及/或增強的影 的照明光線，其 光線，以產生來 該碳奈米管的光 爲較強的。該碳 道。其可以包含 或容器。該流體 碳奈米管可以爲 (MWNT ) 〇 該 置放在該偏光板 155】〜155N位置 該雷射光束反射 亦提供一光學路 散射至該檢偏鏡 其置放於該物鏡 -7- (5) 127773*2 1 60的後孔徑與該觀測管（圖未示）之間的光學路徑 ，或是該光學感應器1 70被置放的部分。 該監控器1 20提供一些方式以控制與監控該流體 中的該些碳奈米管。該控制包含操控該些碳奈米管。 控包含：捕獲一特定層級的碳奈米管、移動該捕獲的 米管、釋放該捕獲的碳奈米管、以及對準該捕獲的碳 管。使用雷射1 3 0以操控該些碳奈米管，係依據稍後 的光學偶極捕獲的觀念。 該光學感應器170依據該光學響應監控該些碳奈 。在一實施例中，該光學感應器170係爲一攝影機或 機。該視訊或影像資訊或是訊號被提供至該控制器1 以供處理。該些碳奈米管的監控包含該光學響應的即 測，以決定該些碳奈米管的地點、位置以及移動。觀 可以經由該光學感應器1 70觀測該些碳奈米管，並實 要的操作，例如：手動地控制該雷射1 30或致動該控 18 0。 該控制器1 8 0控制該雷射1 3 0，其係使用由該光 應器1 7 0所提供的視訊或影像資訊。其可以藉由人爲 自動地或半自動地實行該些控制功能。該控制器1 8 0 一雷射控制元件1 82、一光學控制元件1 84以及一處 186 〇 該雷射控制元件1 8 2在該雷射1 3 0上實行·一些控 能，其依據已觀測之光學響應的強度與移動二者之一 影響該碳奈米管的操控。這些控制功能可以包含=變 之中 -15 4 該操 碳奈 奈米 說明 米管 錄影 80， 時觀 測者 行必 制器 學感 操作 包含 理器 制功 ，以 動該 -8- (6) 127773*2 雷射光束1 3 5的頻率、改變該雷射光束〗3 5焦點的位置、 關閉該雷射光束1 3 5、阻擋該雷射光束〗3 5、過濾該雷射 光束1 3 5以減低雷射強度、移動該雷射光束丨3 5通過一液 固界面，以及偏極化該雷射光束1 3 5。 該光學控制元件1 84控制該光學組合。該些光學控制 操作可以包含移動及/或該些繞射光學裝置、透鏡、望遠 鏡以及濾光鏡的致能/失能。該光學控制元件1 84的使用 亦可以爲選擇性的，且該些光學控制功能可以手動地實行 〇 該處理器186解析在該流體154中該些碳奈米管的影 像資訊。該處理器1 86可以包含一影像解析器，用以追蹤 碳奈米管的光學響應；一決定邏輯，用以依據該光學響應 而將一控制訊號傳送至該雷射控制元件1 82及/或該光學 元件184。舉例而言，當由該些碳奈米管散射時，其可以 決定該綠光的強度，且將一控制訊號提供至該雷射控制元 件182，用以控制該雷射130，使得該些碳奈米管的強度 係位於某慨所欲之層級。 一聚焦的雷射光束可以捕獲一中性粒子或分子，其係 經由該雷射光束的電場與自發性偶極動量（在該粒子或分 子中感應）之間的交互作用。 一雷射光束的電場中中性粒子的感應偶極動量可以表 不爲參 Ρ= ε ο ^ E ( 1 ) 其中，Ρ爲每單位體積的極化性或偶極動量，ε 〇爲自由 (7) (7)127773-2 空間的介電常數，％爲介質磁化率，且E爲電場。 位能可以表示爲： U=( - 1/2)<Ρ·Ε>=( - 1/2) a 〇 χ <Ε>2 (2) 介質磁化率可以複數的形式表示爲如下的頻率函數： X (ω) =^!(ω) +ιχπ(ω) (3) 其中，Χΐω)爲實數部且％”（ω)爲虛數部。 當ω<ω〇’ χ’（ω) >0’其中ω〇係爲共振頻率。 從方程式（2 )可以推導出，當光強增加時則位能U 降低。再者，該粒子傾向於移動至較高電場的區域，且在 一雷射光束的中心被捕獲，其假設該雷射光束的光強分佈 係爲高斯分佈。. 依據直徑與旋度（chirality)而定，SWNT可以爲金 屬製的或半導體。SWNT的狀態之電子密度係由多個尖波 所組成，稱爲維范霍夫奇點（van Hove singularity )。在 相對應的維范霍夫奇點之間的能量間隙被光學地提供能帶 間傳輸能量。藉由挑選一適當的雷射頻率或連續地調整該 雷射頻率，可以捕獲一特定類型的奈米管。M WNT係爲具 有不同直徑與旋度的多個SWNT之組合。MWNT的捕獲係 依據其組成而定，亦即不同SWNT類型的比例。可以捕獲 所有類型SWNT的雷射頻率亦可以捕獲MWNT。 奈米管亦可以使用偏極化雷射光束而對準。偶極恆平 行於奈米管的軸線。極化性P可以分解爲水平分量Pp以 及垂直分量P。： Ρ = Ρρ + Ρ〇 = Ρρ= ε 〇 Ερ ( 4) -10- (8) (8)1277732 其中Ep是電場E的水平分量。 接著，位能可以表不爲· U= ( 一 1/2) <Ρ · E>= ( - 1/2) <Ep>2cos θ ( 5) 其中Θ係爲電場E與碳奈米管的該軸線之間的角度。 由以上的方程式，電場E的增加導致位能U的降低 。再者，當ω<ω〇，％’（ω) >0，角度0的降低導致位 能U的降低。因此，該些碳奈米管可以藉由偏極化雷射 光束而捕獲與對準。 第2圖係爲一圖式，用以說明根據本發明一實施例該 些碳奈米管之操控。該流體154包含一第一層210、一緩 衝層220以及一第二層230。 此三個層2 1 0、2 2 0、2 3 0係爲層流層。該緩衝層220 避免在第一與第二層210、230之間該些碳奈米管的隨機 擴散。該第一層210含有一些自由的碳奈米管155】〜155ν 〇 聚焦該雷射光束以捕獲在該第一層210的該地點240 上的碳奈米管1 5 5 k。該雷射光束以一特定頻率聚焦，其 稱爲捕獲頻率，以選擇性地捕獲及/或釋放對應於此捕獲 頻率的碳奈米管155k。一旦碳奈米管155k被捕獲，其可 以藉由控制該雷射光束而被移動與釋放。 爲了要移動碳奈米管1 5 5k，該雷射焦點的位置從該 地點240改變至位於第二層23 0的一位置25 0。該雷射可 以精確地移動，且因此碳奈米管1 5 5 k的移動可以精確地 控制。一旦碳奈米管1 5 5 k移動至新的地點，其可以被釋 -11 - (9) 127773-2 放。 該捕獲的碳奈米管155k可以使用一些方法而在第一 層2 1 0或第二層2 3 0的任何位置上被釋放，例如：地點 240或2 5 0。在第一方法中，該雷射1 10完全地關閉，以 切斷該雷射光束。該電場被移除且該碳奈米管155 k變成 自由的。在第二方法中，該雷射藉由一光學或機械阻擋器 而被阻擋。在第三方法中，該雷射強度使用在該光學組合 ® 1 2 0中或是雷射1 1 〇自身的濾光器而減低。在第四方法中 ，改變該雷射1 1 〇的頻率以使得與該捕獲頻率不同。在第 五方法中，在第二層230的流體以來自第一層210的另一 流體替代，其具有不同的黏滯度或介電常數。在第六方法 中，該雷射光束移動通過一液固界面，例如：微流體通道 的牆面。 該些碳奈米管的捕獲、移動與釋放可以藉由同步化該 雷射光束的掃描以及碳奈米管釋放的事件而連續地執行。 W 第3圖係爲一圖式，用以說明本發明一實施例可以實 行的該些碳奈米管之操控，其係使用具有不同黏滯度的多 個層。該流體具有三個層310、320與330。 該雷射光束被聚焦至在第一層310的碳奈米管。碳奈 米管155在一地點340被光學地捕獲。該捕獲的碳奈米管 155可以藉由移動該雷射光束而被移動至第二層320的一 地點350。接著，當碳奈米管I55上由於第三層330所導 致的剪力大於該雷射補獲力時’該捕獲的碳奈米管1 5 5在 具有不同黏滯度的二層流層3 20、3 3 0之界面上被釋放。 -12- (10) (10)1277732 該雷射光束可以在第三層330的地點340與地點360 之間來回地掃描，用以捕獲、移動與釋放在第二層320與 第三層330之間的界面上之碳奈米管155。此技術並不需 要該雷射強度的調制，或變動頻率以釋放該些碳奈米管。 在第3圖中一個極端的例子係爲：第三層.330係爲是 固體的（例如：微流體通道的牆面）。 第4圖係爲一圖式，用以說明根據本發明一實施例使 用偏極化雷射光束的碳奈米管之操控。該流體130包含第 一層410與第二層420。一層440係爲一固體基板（例如 :玻璃、矽）。一黏性層43 0可以塗敷至該基板440上。 碳奈米管1 5 5在第一層4 1 0的一地點4 5 0被該雷射光 束捕獲。碳奈米管1 5 5回應二偏極化。該雷射係爲一偏極 化雷射。碳奈米管1 5 5藉由該偏極化雷射光束而對準於預 備的定向。該捕獲的碳奈米管1 55藉由改變該雷射焦點的 位置而被移動至在第二層420的一地點460。接著，該捕 獲的碳奈米管1 5 5在第二層4 2 0與黏性層4 3 0之間的表面 上被釋放。該層43 0提供該釋放的碳奈米管155之支撐。 當保持其對準或與該雷射偏極化方向相同的定向時， 該層430亦固定碳奈米管155。該層430可以藉由一光微 影方法而圖案化，以進一步界定至碳奈米管1 5 5可以附接 處的位置。 假如該捕獲的碳奈米管155與該基板440的該表面具 有高親合性，可以不需要該黏性層4 3 0 ’且碳奈米管1 5 5 的固定可以由該基板層4 4 0加以執行。 -13- (11) 1277732 第二層420的角色係用以避免碳奈米管在該層430或 該層440上隨機地擴散。假如第一層410中的碳奈米管集 中度是相當稀薄使得在該表面43 0或440上的非特定接合 可以省略，則不需要第二層420。 當保持其對準或相同定向時，該基板層440的該表面 可以功能化以固定碳奈米管1 5 5。此可以藉由一些方式而 完成。舉例而言，當其接近該表面時，該基板層440可以 ® 塗敷具有正電荷分子的一層43 0 (例如：自組裝AP單層 膜；self-assembled 3-aminopropyltriethoxysilane monolayer )，其可以接合至碳奈米管155，或是功能性群 組或該功能化的碳奈米管1 5 5之化學部分組成。 該雷射光束可以在該基板層440的地點450與地點 4 70之間來回地掃描，用以捕獲、對準、移動、釋放與放 置（固定）在該基板層440上之碳奈米管155。 本發明已以若干較佳實施例揭露如上，然其並非用以 ^ 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 【圖式簡單說明】 本發明的許多觀點可以參考以下的圖式而更加清楚的 了解。相關圖式並未依比例繪製，其作用僅在清楚表現本 發明有關定理。此外，使用數字來表示圖式中相對應的部 分0 -14- (12) 1277732 第1圖係爲一圖式，用以說明一系統，其可以實行本 發明的一實施例。 第2圖係爲一圖式，用以說明根據本發明一實施例碳 奈米管之操控。 第3圖係爲一圖式，用以說明本發明一實施例可以實 行的碳奈米管之操控，其係使用具有不同黏滯度的多個層 〇 第4圖係爲一圖式，用以說明根據本發明一實施例使 用偏極化雷射光束的碳奈米管之操控。 【主要元件符號說明】 I 〇 〇 :系統 II 〇 :光源 120 :監控器 1 5 0 ·顯微鏡 1 w :偏光板 155】：碳奈米管 155N :碳奈米管 1 5 4 :流體 160 :物鏡 162 :雙色向面鏡 164 :解析器 17〇 :光學感應器 140 :光學組合 -15 - (13) (13)1277732 142 :繞射光學裝置 1 3 5 :雷射光束 1 3 0 :雷射 1 4 4 :望遠鏡 1 8 0 :控制器 182 :雷射控制元件 184 :光學控制元件 1 8 6 :處理器 2 4 0 :地點 1 5 5 k :碳奈米管 210 :第一層 2 2 0 :緩衝層 23 0 :第二層 2 5 0 :地點 3 4 0 :地點 3 1 0 :第一層 3 20 :第二層 3 3 0 :第三層 155 :碳奈米管 3 5 0 :地點 3 6 0 :地點 4 5 0 :地點 410 :第一層 420 :第二層 1277732 (14) 4 3 Ο :黏性層 4 4 Ο :基板層 4 6 0 :地點 4 7 0 :地點

Claims (1)

1. (1) 1277732 十、申請專利範圍 1 . 一種用以監控碳奈米管的方法，該方法包含： 藉由一雷射光束操控一流體中的一碳奈米管（CNT ) 沿著該碳奈米管的軸線對準來自一光源的一照明光線 ，以從該碳奈米管產生一光學響應；以及 依據該光學響應並使用一光學感應器以監控該碳奈米 •管。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該操控 包含下述的其中之一：捕獲該碳奈米管、移動該捕獲的碳 奈米管、釋放該捕獲的碳奈米管、藉由偏極化該雷射光束 以對準該捕獲的碳奈米管，以及固定該碳奈米管。 3 .如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該對準 包含： 沿著該碳奈米管的該軸線對準來自一鹵素燈的一照明 β光線。 4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該對準 包含： 沿著該碳奈米管的該軸線偏極化該照明光線。 5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該偏極 化包含： 沿著該碳奈米管的該軸線偏極化該照明光線，以從該 碳奈米管的瑞利散射產生一綠光。 6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該監控 - 18- (2) 1277732 包含： 使用耦接至一暗場顯微鏡的該光學感應器觀測該光學 響應。 7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該光學 感應器係爲一攝影機及一錄影機的其中之一。 8. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該監控 包含： ® 使用耦接至一暗場顯微鏡的一光學感應器觀測該綠光 〇 9. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該監控 更包含： 依據該已觀測光學響應的強度與移動其中之一控制該 雷射光束，以影響該碳奈米管的操控。 1 〇.如申請專利範圍第9項所述之方法，其中控制該 雷射光束包含下述的其中之一：變動該雷射光束的頻率、 ^ 改變該雷射光束焦點的位置、關閉該雷射光束、阻擋該雷 射光束、過濾該雷射光束以減低雷射強度、移動該雷射光 束通過一液固界面，以及偏極化該雷射光束。 11. 一種用以監控碳奈米管的裝置，該裝置包含： 一雷射，用以將一雷射光束聚焦至一流體中的一碳奈 米管（CNT )以實行該碳奈米管的操控； 一顯微鏡，用以沿著該碳奈米管的軸線對準來自一光 源的一照明光線，以從該碳奈米管產生一光學響應；以及 一光學感應器，其耦接至該顯微鏡，用以依據該光學 -19- (3) (3)1277732 響應監控該碳奈米管。 12.如申請專利範圍第1 1項所述之裝置，其中該操 控包含下述的其中之一：捕獲該碳奈米管、移動該捕獲的 碳奈米管、釋放該捕獲的碳奈米管、藉由偏極化該雷射光 束以對準該捕獲的碳奈米管，以及固定該碳奈米管。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項所述之裝置，其中該顯 微鏡包含= 一偏光板，用以沿著該碳奈米管的該軸線對準來自一 鹵素燈的該照明光線。 14.如申請專利範圍第1 1項所述之裝置，其中該偏 光板沿著該碳奈米管的該軸線偏極化該照明光線。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之裝置，其中該偏 光板沿著該碳奈米管的該軸線偏極化該照明光線，以從該 碳奈米管的瑞利散射產生一綠光。 1 6 .如申請專利範圍第1 1項所述之裝置，其中該光 學感應器允許以該顯微鏡的一暗場組態觀測該光學響應。 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之裝置，其中該光 學感應器係爲一攝影機及一錄影機的其中之一。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項所述之裝置，其中該光 學感應器允許以該顯微鏡的一暗場組態觀測該綠光。 1 9.如申請專利範圍第1 6項所述之裝置，更包含： 一控制器，用以依據該已觀測光學響應的強度與移動 其中之一控制該雷射光束，以影響該碳奈米管的操控。 20.如申請專利範圍第19項所述之裝置，其中該控 -20- (4) (4)1277732 制器藉由下述方法的其中之一控制該雷射光束：變動該雷 射光束的頻率、改變該雷射光束焦點的位置、關閉該雷射 光束、阻擋該雷射光束、過濾該雷射光束以減低雷射強度 、移動該雷射光束通過一液固界面，以及偏極化該雷射光 束。 2 1 . —種用以監控碳奈米管的系統，該系統包含： 一光源，用以產生一照明光源；以及 一監控器，其耦接至該光源，該監控器包含： 一雷射，用以將一雷射光束聚焦至一流體中的一 碳奈米管（CNT )以實行該碳奈米管的操控， 一顯微鏡，用以沿著該碳奈米管的軸線對準來自 一光源的一照明光線，以從該碳奈米管產生一光學響應， 以及 一光學感應器，其耦接至該顯微鏡，用以依據該 光學響應監控該碳奈米管。 22.如申請專利範圍第2 1項所述之系統，其中該操 控包含下述的其中之一：捕獲該碳奈米管、移動該捕獲的 碳奈米管、釋放該捕獲的碳奈米管、藉由偏極化該雷射光 束以對準該捕獲的碳奈米管，以及固定該碳奈米管。 23 .如申請專利範圍第2 1項所述之系統，其中該顯 微鏡包含： 一偏光板，用以沿著該碳奈米管的該軸線對準來自該 光源的該照明光線，該光源爲一鹵素燈。 2 4.如申請專利範圍第2 1項所述之系統，其中該偏 -21 - (5) 1277732 光板沿著該碳奈米管的該軸線偏極化該照明光線。 2 5.如申請專利範圍第2 4項所述之系統，其中該偏 光板沿著該碳奈米管的該軸線偏極化該照明光線’以從該 碳奈米管的瑞利散射產生一綠光。 2 6.如申請專利範圍第2 1項所述之系統，其中該光 學感應器允許以該顯微鏡的一暗場組態觀測該光學響應。 2 7 .如申請專利範圍第2 6項所述之系統，其中該光 • 學感應器係爲一攝影機及一錄影機的其中之一。 2 8 .如申請專利範圍第2 5項所述之系統，其中該光 學感應器允許以該顯微鏡的一暗場組態觀測該綠光。 2 9.如申請專利範圍第26項所述之系統，更包含： 一控制器，用以依據該已觀測光學響應的強度與移動 其中之一控制該雷射光束，以影響該碳奈米管的操控。 30.如申請專利範圍第2 9項所述之系統，其中該控制 器藉由下述方法的其中之一控制該雷射光束:變動該雷射 ^ 光束的頻率、改變該雷射光束焦點的位置、關閉該雷射光 束、阻擋該雷射光束、過濾該雷射光束以減低雷射強度、 移動該雷射光束通過--液固界面，以及偏極化該雷射光束 -22-