TWI275317B - Display device and production method for the same - Google Patents

Description

1275317 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 、本發明係關於顯示器裝置及用於該顯示器裝置之製造方 :，且特定言<，本發明係關於一種包含一有機 裝置(下文中亦稱之為”有祕裝置")之顯示器裝置及2 该顯示器裝置之製造方法。 、 【先前技術】

包含-包括一藉由一下電極及一上電極加以固持 層之有機層的有機此裝置已作為能夠發射具有藉由低電屬 DC驅動之高亮度光的發光裝置引起注意。 下電極、-提供於該下電極上之有機層，及—提供用以覆 蓋該有機層之上電極構成。在此等元件中，上電極係形成 為（例如）一覆蓋複數個像素之全面膜並用作該等複數個像 素共用之一電極。 ^ 一有機EL裝置（即，一有機扯顯示器）之主動式矩陣 型顯示器裝置在基板上之每一像素中包含一薄膜電晶體 (下文中亦簡稱為”TFT")。成為每-像素之有機EL裝置係藉 由一經受將處於連接至TFT之狀態中的每一像素圖案化: 為了保護主動式矩陣型顯示器裝置中之有機£1^裝置之開 口因素，採用頂部發光型係有效的。為此，為了保護透光 特性，可將諸如氧化銦錫（IT〇)及氧化銦鋅（IZ〇)之透明導電 氧化物或MgAg膜（其如此薄以致具有透光特性）用於上電極 中，然而’此等材料具有高薄片電阻（high resistance)，藉此導致壓降。另外，在增大有機£]1裝置之尺 98630.doc 1275317 存在隨著驅動電流增加而增加 寸或其達到高亮度的同時 壓降之趨勢。 為了防止-平面中之亮度降低或亮度不均勻(諸如藉由 姿降或其類似物之增加而導致的有機紅顯示器之顯示不均 勾)’報導了顯示器裝置之一實例，在該實例中，一由金屬 材料製成之輔助配線形成於像素開口間的第—絕緣膜上且 形成於像素區域之外的第—絕緣膜上，且隨後上電極連接 至辅助電極。 圖8中展示了具備如上所述之此輔助配線的顯示器裝置 之實例。顯不器裝置1 〇為頂部發光型有機EL顯示器且包 3像素區域A ’在该像素區域A中，像素（即，有機EL裴置（未 圖不））係排列於基板1丨上。在此情況下，說明一實例，在該 爲例中將導電膜3 1作為輔助配線而安置於在像素區域a之 外的周邊區域B中圍繞該像素區域a之框架的狀態中。導電 *、1連接至&供於基板Π之末端部分處的驅動電路且連 接至多個像素共用之上電極（未圖示）。圖9八及圖9B各自展 示在圖8之線χ-χ，處獲得之橫截面圖。 習知地，在用於具有如上所述之此構造之顯示器裝置的 製k方法中，弟一絕緣膜14及第二絕緣膜1 7各自普通地藉 由一有機絕緣膜（例如，由聚苯幷吟唑製成）形成，且隨後具 有含濕氣及其類似物之趨勢。因此，藉由在形成膜之後對 該膜執行烘烤處理，固化該膜且移除了其中所含有的濕氣 及其類似物。然而，在其中作為輔助配線之導電膜3丨形成 於基板11之周邊區域B中之第一絕緣膜14上的狀況下，在形 98630.doc 1275317 成第二絕緣膜17之後對其執行烘烤處理的同時，導電膜^ 處於覆蓋第一絕緣膜14之狀態中。為此，未充分執行除去 殘留在第一絕緣膜14中之濕氣及其類似物。 …因此’隨著有機EL裝置32自像素區域A之周邊開始而逐 漸劣化且有時產生無發光缺陷或有時縮短了發光壽命。 另外，隨著有機EL裝置32之劣化，驅動電壓有時變高。 為了以確定方式自被導電膜31覆蓋之第—絕緣膜Μ移除 濕氣及其類似物，有必要在高溫條件下或持續較長時間地 執仃烘烤處理，且因此產量並非有利的。 【發明内容】 為了解決上述問題，根據本發明之用於顯示器裳置之第 -製造方法制於具有—藉由將各自具有—藉由下電極及 上電極加以固持之有機層之複數個像素排列於一基板上而 形成之像素區域的顯示器裝置之製造方法，且該第一製造 =包含按次序執行如下所述之步驟。首先，在基板上形 成第一絕緣膜。-女，/冬 各自對應於每n 之第—絕緣膜上形成 > … 像素之複數個下電極，在像素區域之外的 弟一絕緣膜上形成導 α ^ — 成¥電臈，且隨後在該導電膜中形成-延 伸至弟一絕緣臈的孔。 产甘L上 此後，在其上提供有下電極及導電 Μ之基板上執行烘烤處理。 另外，待藉由第一製造方法而獲得 顯示器裝置為一碩干哭# $ ^ 藉由下電極及上電榀4 、， 分曰，、另 ^ ^ , σ1固持之有機層之複數個像素排列 “ '成的像素區域，且該顯示器裝置包含提供於 98630.doc 1275317 基板上之第一絕緣膜、各自對應於像素區域中之第一絕緣 膜上所提供之每一像素的複數個此等下電極，及一提供於 像素區域之外的第一絕緣膜上之導電膜，在該導電膜中一 孔延伸至第一絕緣膜。

根據用於顯示器裝置之第一製造方法及藉此獲得之第一 顯不益裝置’藉由在導電膜上形成延伸至第—絕緣膜之孔 之後執行烘烤處理，使作為導電膜之底層的第—絕緣膜中 所含有的濕氣及其類似物釋放通過該孔而移除該等濕氣及 其類似物、。為此’例如，將上述導電膜提供為輔助配線， 且ρ使田ν電膜形成於具有大面積之狀態中時，仍防止了 濕氣及其類似物殘留在作料電膜之底層之第—絕緣膜 因此防止了藉由濕氣及其類似物導致的像素 機EL裝置）劣化。 另外，根據本發明之用於顯示器裝置之第二製造方法係 用於具有一藉由將各自具有一藉由下電極及上電極加以固 Γ有機層之複數個像素_於基板上㈣成之像素區域 =器裝置之製造方法，且該第二製造方法包含按次序 :。：：述之步驟。首先，執行在基板上形成各自對應 數個下電極之步驟。其次，執行在基板上 ===電極之第—絕緣膜及隨後在該第一絕緣膜 後，執一在傻I 了電極表面曝露之像素開口的步驟。此 :後==域外之第—絕緣媒上形成-導電膜，及 隨後：且備導成—延伸至第—絕緣膜之孔的步驟。 現後在具備導電膜之基板上執行供烤處理。 98630.doc 1275317 -。另外，待藉由第二製造方法獲得之根據本發明之第二顯 不器裝置為一具有藉由將各自具有一藉由一下電極及一上 電極加以固持之有機層之複數個像素排列於基板上而形成 ^像素區域的顯示器裝置’且該顯示器裝置包含：複數個 /下電極#各自對應於像素區域中之基板上所提供的 像素；提供於基板上之第—絕緣膜，該第—絕緣膜中 提供有-允許此等下電極中每一者曝露之像素開口；及一 提供於像素區域外之第一絕緣膜上的導電膜，在該導電膜 中形成一延伸至第一絕緣膜之孔。 根據用於此顯示妒署夕楚-告』， 一 _ 只不态^置之第一製造方法及藉此獲得之第 二顯示器裝置’藉由在於導電膜中形成延伸至第―絕緣膜 的孔之後執行烘烤處理，在烘烤處理時，經由此孔而除去 作為導電膜底層之第-絕緣膜中所含之濕氣及其類似物。 為此，例如’將上述導電膜提供為輔助配線，且即使當導 電膜以具有大面積之狀態形成時’仍然防止了濕氣及:類 似物殘留在作為導電膜底層之第一絕緣膜中，且因此防止 了待由濕氣及其類似物導致的有機EL裝置劣化。 如上文已描述的，根據用於本發明之顯示器裝置的製造 方法及藉此獲得之顯示器裝置’由於防止了藉由殘留在第 一絕緣膜中之濕氣及其類似物導致的有卿裝置劣化，故 不僅可降低有機EL裝置之不發光缺陷數目，而且可延長發 光壽命，且亦可將驅動電壓維持在低位元准。另外，即使 當未於高溫條件下及未長時期執行供烤處理時，也由於以 確定方式移除了第一絕緣膜中所含之濕氣及其類似物，故 98630.doc 1275317 可增加生產力。 【實施方式】 在下文中’將參看於附圖中所示之較佳實施例詳細描述 本發明。 第一實施例 以頂部發光型有機EL顯示器作為實例，在製造步驟之次 序中描述每一部件之詳細構造。藉由給出相同參考號及符 號而說明如發明背景（BACKGR〇UND 〇F THE inventi〇叫 中所述之相同構造。 首先’如圖1A所示，藉由排列複數個TFT而形成之tft 陣列13形成於由諸如玻璃之絕緣材料製成之基板^上。其 次，在基板11(TFT陣列Π形成於其上）上，藉由塗佈（例2 旋塗法）形成包含正型感光性聚苯幷噚唑之第一絕緣膜 14。由此形成之第一絕緣膜14充當用以平整產生於基板“ 之表面側上之不均勻的平整膜。另外，在此情況下，雖然 將聚苯幷十坐用於第一絕緣膜14中，但可將諸如正型感光 性聚醯亞胺之任何其他絕緣材料用於其中。 此後，第一絕緣膜14經受曝光，且隨後經受顯影，藉此 在第一絕緣膜14中形成接觸孔丨5以連接至TFT。隨後，所得 基板11在惰性氣體（諸如％氣體）之氣氛中經受烘烤處理，藉 此不僅固化包含聚苯幷噚唑之第一絕緣膜14，而且移除第 一絕緣膜14中所含有之濕氣及其類似物。 其-人，在填充接觸孔15之方式中，將一IT〇膜、一 Ag| 至膜’及一 ITO膜’按自基板丨丨之側之所述次序進行層壓， 98630.doc 1275317 藉此在第一絕緣膜14上形成導電材料層（未圖示）。允許由此 形成之導電材料層的厚度係如此，使得（例如）ΙΤ〇膜/ Ag合 金膜/ITO膜距基板11之側約30奈米/約1〇〇奈米/約1〇奈米。 在此情況下，Ag合金膜成為下電極之反射層，該下電極係 藉由於後步驟中使導電材料層經受圖案化而得以形成。 P思後，在以普通你支影技術形成之抗钱劑圖案（未圖示）用 作光罩的同時，藉由蝕刻對導電材料層執行圖案化。藉由 此圖案化，導電材料層經由接觸孔15連接至像素區域八中之 第一絕緣膜14上的TFT，各自對應於每一像素的下電極“ 以陣列方式形成，且導電膜31形成於像素區域a外之周邊區 域B中的第一絕緣膜14上。導電膜31以約3毫米之寬度形成 於圍繞像素區域A之框架的狀態中，且同時被允許連接至驅 動電路（未圖示）。在此情況下，導電膜31充當輔助配線，且 連接至待於後步驟中形成之上電極，藉此減少配線電阻， 且由於此等特徵，提供導電膜31用於增強亮度及獲得有利 之内部平面亮度分佈之目的。出於此考慮，導電膜”係宜 由傳導率極佳之材料形成，且亦宜以較大寬度形成。 隨後，延伸至第一絕緣膜14之複數個孔3la形成於導電膜 31中。在此情況下，如圖1B中所示，此等孔3]^各自在寬度 與長度方向（例如）以具有2G微米―微米之尺寸之矩形形^ 而在導電膜31中任意兩個相鄰孔之間形成有ι〇〇微米之間 隙。 孔31a具有_孔’其在對待於後步驟中以圖案化方式形成 於第，'、邑、-彖膜14上（參看圖1A)之第二絕緣膜17(參看圖以） 98630.doc 1275317 執行烘烤處理時釋放移除作為導電膜31之底層的第一絕緣 膜4中所έ之濕氣及其類似物。在此情況下，在導電膜3 1 中以陣列形悲配置複數個孔3丨a，但即使當單獨地提供具有 (例如）20¼米X2〇微米之尺寸的矩形形狀之孔31&時，孔Ha 周邊之第一絕緣膜14中所含有之濕氣及其類似物仍被移 除。然而，為了以確定方式移除殘留在第一絕緣膜14中之 濕乳及其類似物，較佳地允許孔31a之開口面積較寬且較佳 地允許孔之數目在一範圍内盡可能地多，纟該範圍内可抑 制在上電極與導電膜31相連接之後產生之電壓降低的減 少。另外，孔31a均勻地配置在導電膜31之整個區域上為較 佳的另外，3 1 &之形狀並未經特定限制，且如圖2中所 示’其各自可以細縫形狀而形成於導電膜3丨中。 其次，如圖1A中所示，藉由塗佈（例如旋塗法）形成包含 正型感光性聚苯幷嘮唑之第二絕緣膜17(例如）於第一絕緣 膜14上，該第一絕緣膜上提供有下電極16及導電膜31。隨 後，由此形成之第二絕緣膜17經受曝光、顯影及固化，且 隨後形成用於形成像素區域A中之每一像素（即，有機裝 置）之像素開口 18，且此後，允許曝露下電極16之表面，且 亦允許曝露周邊區域B中之導電膜31之表面。在此情況下， 允許藉由第二絕緣膜17覆蓋導電膜31之末端部分。藉由如 上所述之配置，第二絕緣膜17不僅充當用於使像素彼此分 離之裝置分離膜，而且充當覆蓋導電膜31之末端部分的保 護膜。在此情況下，第二絕緣膜17對應於如請求項丨及^中 所界定之第二絕緣膜。另外，在此情況下，雖然將聚苯幷 98630.doc -12- 1275317 X用於第一絕緣膜’但可將諸如正型感光性聚醯亞 月女之任何其他絕緣材料用於其中。 現在，當藉由使用易氧化材料形成導電膜3】時，為了防 二導：旗之末端部分的氧化，藉由使用第二絕緣 Γ電膜31之末端部分係較佳的。根據本實施例，因為 =膜3!係藉由IT_/Ag合金膜/ιτ⑽之層_而形成， if二蓋導電膜31之:端部分，可防止易氧化^合金膜 …而在其’藉由使用幾乎不可氧化材料形成導 電膑3!的狀況下，導電糾之末端部分可保持曝露。 隨後，藉由使得處於如上 ^ ^ 处戈上所述狀恕中之基板11在惰性氣 -乳風中（諸如Ν2氣體）經受烘烤處理，聚苯幷吟哇被固 化，且亦移除了第一絕缝 濕氣及其類似物在 P兄下，因為在於周邊區域B中覆蓋 =崎膜14之導電膜31中提供複數個孔31a，故藉由使殘 二;弟々一絕緣膜14中之濕氣及其類似物釋放通過該等孔而 私除孩等濕氣及其類似物。 此後’為移除微小外來物質’藉由使用純水而在所得基 ϋί行旋轉式清洗’且隨後，在真空氣氛中於其上執 仃烘烤處理。ώ y 一奶^ 由此4執行，將黏附至第一絕緣膜14及第 巴=膜I7之濕氣移除。其次，處於維持真空氣氛之狀態 *基板11輸送至預處理腔室之後，藉由〇2電漿執行 二 :員處理。隨後’處於維持真空氣氛之狀態中，如 ^執订作為隨後步驟之有機層沈積。藉由允許執行如 上所述之此過程’將-在烘烤處理之後的步驟維持在真空 98630.doc -13- I2753l7 氣氛中’且因此防止了濕氣及其類似物吸收至基板u;此 特徵為有利的。 其次，在維持真空氣氛之狀態中，如圖3所示，分別位於 k T同顏色有機EL裝置32(紅色有機EL裝置32R、綠色有機扯 裝置32G及藍色有機EL裝置32B)中之有機層i9，即紅色有 機層19R、綠色有機層19G及藍色有機層ΐ9β各自獨立形成 於像素開口 18中之下電極16上（參看圖1A)。 φ 在如上所述之此等狀況下，例如在真空氣氛中，將基板 U輸送至一腔室中以沈積藍色有機層19B，將沈積光罩（未 圖示）置於基板11上以使其適當地與此對準，隨後，以覆蓋 像素開口 18(於下電極16曝露之底部處）之内壁之狀態按所 述次序沈積一孔注入層、一電洞傳遞層、一發光層及一電 子轉移層，藉此以約2叫米之膜厚度形絲色有機層跡 〜八-人，於維持真空氣氛之狀態中，將基板丨丨輸送至一腔 、至中以沈積紅色有機層观，將沈積光罩（未圖示）適當地對 _ 準於基板11上，且隨後以與在藍色有機層19B中相同之方式 以灼150奈米之膜厚度形成紅色有機層i9R。 此後，於維持真空氣氛狀態中，將基板丨丨輸送至一腔室 中以沈積綠色有機層19G，將沈積光罩（未目示）適當地對準 於基板11上，隨後，以與在藍色有機層19B中相同之方式以 、勺1 00奈米之膜厚度形成綠色有機層19G。 士上所述，在形成每一有機層19之後，於維持真空氣氛 之狀態中，將沈積光罩（未圖示）置於基板11上使得其適當地 與此對準，隨後，在有機層19、第二絕緣膜17及導電膜^ 98630.doc •14- 1275317 上藉由（例如）沈積方法以約1奈米之厚度形成一包含（例 如）LiF之電子注入層（未圖示）包含。此後，藉由使用由此形 成之光罩的真空沈積方法，在該電子注入層上以約1〇奈米 之膜厚度形成包含（例如）半透射性Mg Ag合金之上電極2〇。 藉由採用如上所述之構造，導電膜31及上電極2〇經由電子 注入層而彼此連接。 其次，將沈積上電極20時已使用之沈積光罩置於基板j j 上使得其適當地與此對準，隨後，藉由（例如）濺鍍法在上電 極20上以1〇〇奈米之膜厚度形成包含（例如）Iz〇之透明導電 層（未圖示）。 此後，藉由CVC方法，在適當對準光罩之狀態中，在透 明導電層上以1微米之膜厚度形成包含氮化矽（SiNx)之保 護膜21。隨後，將熱固性樹脂22塗覆在保護膜21及基板” 之周邊邛分上，隨後，將包含（例如）玻璃之基板23層壓於樹 脂22上，且此後，將所得層壓物品作為統一體進行加熱， 藉此執行樹脂密封。 。。藉由執行上述製造方法，可獲得頂部發光型有機el顯示 器，在該頂部發光型有機⑽示器中，允許產生於有機層 19¾光層中之光於含有Ag合金膜之下電極“之側處反射， 且隨後，自藉由半透射性MgAg合金形成之上電極2〇之側牵 引出。 ，根據如上所述之用於顯示器裝置之製造方法及待藉由該 製仏方法獲得之顯示器裝置，藉由延伸至第一絕緣膜"之 孔3 1场成於像素區域A之夕卜的周邊區域时所提供之導電 98630.doc -15- 1275317 膜31中之後執行烘烤處理，使得第一絕緣膜i4中所含之濕 氣及其類似物藉由釋放通過孔31a被移除。出於此考慮，防 止濕氣及其類似物殘留在第一絕緣膜14争，且因此可防止 待由濕氣及其類似物所導致之有機EL裝置32劣化。 因此，不僅達到有機EL裝置32之不發光缺陷數目之降 低’而且可延長發光壽命，且另外，可將驅動電屢維持在 低位元；隹。另夕卜，在未於高溫下執行洪烤處理或未長時間 執行烘烤處理之情況下，可以確定方式移除第一絕緣膜Μ 中所3之濕氣及其類似物；因此可增強生產力。 另外，根據本實施例，因為下電極16及導電膜31係以相 同材料形成，且可在相同步驟中形成下電極16及導電膜 3 1，且亦可在相同步驟中形成待形成於導電膜3 1中之孔 3U，故並未增加製造步驟之數目；因此，可達到卓越生 力。 另外，在此情況下，描述了一其中以圍繞像素區域a之框 ❿架之狀態形成導電膜31的實例；然而，導電膜31之形狀並 不侷限於如上所述之此形狀，且周邊區域B中允許一構造， f該構造中安置具有給定寬度之呈長條紋狀之導電膜31同 日守將其連接至驅動電路使得像素區域A夾於其中。 更，一步地，描述了一其中導電膜31僅提供於周邊部分b 中之實例；然而，如圖4所示，可允許一構造，在該構造中 以袼子狀態在以陣列方式形成之任意兩個像素之間的第一 、邑緣膜14上提供導電膜31，該等兩個像素各自包含有機 裝置32。在此情況下，如參看圖丨八中所描述的，當導電材 98630.doc -16- 1275317 曰膜狀態形成於第一絕緣膜14上且隨後下電極i6以陣 方式形成於像素區域A中，同時導電膜31形成於周邊區域 夺對‘電材料層執行圖案化使得允許以提供於袼子狀 任思兩像素之間的狀態將其連接至周邊區域B中之導 電膜31。 第二實施例 f第一實施例中，藉由將頂部發光型有機EL顯示器作為 ^實例來描述本發明。在本實施例中’參看圖5A及圖沾描 v下電極之側牵引出I生於有機層中之光的底部發光型 有枚EL顯不盗。藉由給予與第一實施例中之構造相同之構 同=考號來對其進行說明。另外’如圖5A中所示，以 與弟實施例相同之方式進行了多個㈣，在該等步驟 中错由塗佈而在其上形成有TFT陣列13之基板U上形成 一絕緣膜14,在於第—1賴14±形成接職㈣被連接 至TFT之後，將所得基板11經受烘烤處理。 其次，以藉由（例如）濺鑛法填充接觸孔15之狀態，在第 絕緣膜1 4上以約1 〇 〇太丰日替淨 、勺100不未Μ厚度之膜狀態形成包含 如）ΙΤ〇膜之導電材料層（未圖示）。隨後，藉由敍刻同時將料 由普通微影技術形成之抗㈣丨圖案（未圖示）用作光罩來^ 導電材料層執行圖案化。藉由此圖案化，在像素區域Α中之 第-絕緣賴上轉时式形成㈣接觸孔Η 且對應於每一像素之下電極16。 其次’藉由（例如）減鑛法，以約3〇〇奈求膜厚度之膜狀 態’在第-絕緣膜14上形成一包含敍化峰腕)之導電材 98630.doc -17- 1275317 料層（未圖示），該鈥化鋁具有比形成下電極16之汀〇更高之 傳導率。隨後，在以普通微影技術形成之抗蝕劑圖案（未圖 示）用作光罩的同時，藉由蝕刻對由此形成之導電材料層執 行圖案化。在此情況下，儘管亦於下電極16上以膜狀態形 成導電材料層，但由於AINd相對於ITO而言，係具有充分 I虫刻選擇比之材料，故未產生問題。 藉由使用上述之構造，以與第一實施例中相同之方式在 像素區域A外之周邊區域b中，以圍繞像素區域a之狀態形 成具有約3毫米之寬度的導電膜31，且同時在導電膜31上形 成延伸至第一絕緣膜14之複數個孔3 1 a。 其次，包含正型感光性聚苯幷噚唑之第二絕緣膜17藉由 塗佈形成於第一絕緣膜14(藉由（例如）旋塗法在其上提供下 電極16)上經受曝光及顯影，且隨後在像素區域a中形成 用於形成每一像素（即，有機EL裝置）之像素開口 18，且隨 灸*路下電極16之表面且亦曝露周邊區域b中之導電膜31 之表面。在此情況下，儘管在第一實施中，導電膜31之末 端部分被第二絕緣膜17覆蓋，但由於待用於本實施例中之 AINd並非易氧化材料，故允許導電膜3〗之末端部分保持曝 $。另外，在此情況下，儘管在第二絕緣膜17中係使用聚 笨幷咢唑，當可於其中使用任何其他絕緣材料，如正型聚 醯亞胺。 隨後，以與第一實施例中相同之方式在惰性氣體氣氛（諸 如N2氣體）中以如上所述之此狀態在基板丨丨上執行烘烤處 理，藉此固化聚苯幷吟唑，且亦移除第一絕緣膜14及第二 98630.doc -18- 1275317 、邑緣膜17中所含之濕氣及其類似物。此時，由於在覆蓋周 邊區域B中之第—絕緣膜14的導電膜3 i中提供複數個孔 31a，故藉由將殘留在第一絕緣膜14中之濕氣及其類似殘留 物釋放通過此等孔3 la而將其移除。 此後，為移除微小外來物質，藉由使用純水對所得基板 U執行旋轉式清洗，隨後在真空氣氛中於其上執行烘烤處 理。猎由此等執行，移除了吸收於第一絕緣膜14及第二絕 緣膜17中之濕氣。隨後，在維持真空氣氛之狀態中，將所 得基板11輸送至預處理腔室中並藉由使用〇2電漿而使其經 受預處理。隨後，在維持真空氣氛之狀態中，如下所述執 打作為隨後步驟之有機層沈積。藉由執行如上所述之此等 步驟，由於在真空氣氛中執行烘烤處理之後的步驟，故可 防止空氣中之濕氣及其類似物吸收於基板u上；此特徵為 有利的。 其次，在維持真空氣氛之狀態中，如圖5B所示，分別位 於不同顏色之有機EL裝置32(紅色有機EL裝置32R、綠色有 機EL裝置32G及藍色有機EL裝置32B)中之有機層19(紅色 有機層19R、綠色有機層19G及藍色有機層19B)以與第一實 施例中相同之方式形成於像素開口 18中之下電極16上。 隨後，在維持真空氣氛狀態中，將沈積光罩（未圖示）置 於基板11上，使得其與此適當地對準，且隨後藉由（例如） 沈積方法在有機層19、第二絕緣膜I?及導電膜31中每一者 上以約1奈米之膜厚度形成包含（例如）LiF之電子注入層（未 圖示）。此後，上電極20具有反射特性，其包含（例如）藉由 98630.doc -19· 1275317 使用沈積光罩之直空44* 士*、j* , ’、 積方法而在電子注入層上形成膜厚 度為100奈米之鋁。藉由如上所述之此構造，導電膜31及上 電極20經由電子注入層而彼此連接。 隨後，在光罩經適當對準之狀態中，藉由CVC方法而在 上電極2G上1毫米之膜厚度形成包含SiNA保護膜21。隨 後’將熱固性樹脂22塗覆在保護膜21及基板u之周邊部分 上，且隨後將包含（例如）玻璃之基板23層壓於樹脂22上，且

此後’將所得層壓物品作為統一體進行加熱，藉此執行樹 脂密封。 藉由執行上述製造方法，可獲得頂部發光型有機ELg 置，在该裝置中，允許產生於有機層19之發光層中之光於 包含Ag之上電極2〇之側處反射，且隨後自藉由透射性汀〇 膜形成之下電極1 6之側被牵引出。 即使藉由如上所述之此製造方法及藉此獲得之顯示器裝 置，也由於延伸至第一絕緣膜14之孔31a形成於提供在像素 區域A外之周邊區域B中之導電膜31中，故可達到與第一實 施例中相同之效能。 另外’根據本實施例，藉由使用具有高於下電極丨6之傳 導率的材料形成導電膜3 1，且隨後藉由將導電膜3 1連接至 上電極20 ’允許降低了配線電阻，且因此，增強了亮度並 可獲得有利内部平面亮度分佈。 另外’可將如本實施例中的藉由使用不同於下電極丨6之 材料的材料來形成導電膜3 1之此製造方法應用於如第一實 施例中所說明的頂部發光型顯示器裝置中。然而，特定言 98630.doc -20- 1275317 之，在底部發光型顯示器裝置具有其中下電極16 之構造的狀況下，在許多情況中將具有透光特性2ΐτ〇膜用 於下電極16中，由於ΙΤ0膜為具有相對較高電阻之材料，'故 較佳藉由使用具有高於下電極16之傳導率之傳導率之材料 來形成導電膜3 1。 修正實例 如上所述，在藉由使用具有高於下電極16之傳導率之傳 導率的材料形成導電膜31的狀況下，可在第二絕緣膜17上 形成導電膜31。藉由將底部發光型顯示器裝置作為一實 例，參看圖6說明一用於此狀況下之顯示器裝置的製造方 法。在此情況下，允許以與如圖5八中所述之第二實施例中 相同之方式來執行一步驟，在該步驟中，在基板u(tft陣 列13形成於其上）上形成第一絕緣膜14，且在於第一絕緣膜 14中形成一用於連接至該TFT之接觸孔15之後，執行基板“ 上之烘烤處理。另外，達到此要求之構造對應於如請求項 11及14中所界定之基板。 其次，如圖6中所示，以與第二實施例相同之方式在像素 區域A中之第一絕緣膜14上以陣列方式形成經由接觸孔b 連接至TFT並對應於每一像素之下電極丨6。隨後，在第一絕 緣膜14上藉由塗佈而形成包含正型感光性聚苯幷呤唑之第 一絕緣膜17,其中在該第一絕緣膜14上（例如）使用旋塗法提 供下電極16上。由此形成之第二絕緣膜17對應於如請求項 11及14中所界定之第一絕緣膜。另外，在此情況下，儘管 將聚苯幷.坐用於第二絕緣膜17中，但可將諸如正型感光 98630.doc 1275317 性聚醯亞胺之任何其他絕緣材料用於其中。 隨後，執行曝光及顯影以形成像素開口 18以用於在像素 區域A中形成每-像素（即’有機虹裝置32)，隨後允許曝露 下電極16之表面。隨後，在惰性氣體（諸如乂氣體）氣氛中 以如上所述之此狀態在基板丨丨上執行烘烤處理，藉此固化 聚苯幷噚唑，且亦移除第一絕緣膜14及第二絕緣膜Η中所 含的濕氣及其類似物。

八人在下電極16及第二絕緣膜17上藉由（例如）濺錢法 以約300奈米膜厚度之膜狀態形成包含鈥化鋁（AiNd)之導 電材料層（未圖示），該歛化紹（A1Nd)具有高於形成下電極Μ 之ITO之傳導率的傳導率。在此情況下，儘管亦在曝露於像 素開口 18中之下電極16上以膜狀態形成導電材料層，但由 於Amd為相對於加而言具有充分_選擇比之材料，故 無問題產生。 同時將藉由普通微影技術形成之抗蝕 隨後，藉由蝕刻， 劑圖案（未圖示）用作光罩來對導電枯料層執行圖案化。藉由 此圖案化，具有約3毫米寬度之導電膜31以圍繞像素區域A 之狀態而形成於像素區域A外之周邊區域B中，·時，處 於延伸至第二絕緣膜14之狀態中的複數個孔3u形成於導 電膜31中。在此情況下，以與第―相同之方式，各 自呈具有2G微米X2G微米之尺寸之矩形形狀的孔3〗a於寬度 與長度方向而在導電膜31中任意兩個相鄰孔之間形成有 100微米之間隙。此後，移除抗蝕劑圖案。 藉由使用純水在所得基 此後’為了移除微小外來物質 98630.doc •22- 1275317

執：㈣式清洗’隨後在真空氣氛中於其上執行烘 :。稭由此等執行，移除了黏附至第―絕緣膜14 =_17之濕氣。在此情況中，由於在覆蓋周邊區域B 弟二絕緣膜17的導電膜31中提供了複數個孔3U，故可 =使第-絕緣膜14及第二絕緣膜17中所含之濕氣 ::物釋放通過此等孔…而將該等濕氣及其類似物移除。隨 < ^維持真空氣氛之狀態中，將所得基板u輸送至預處理 月工至:並精由使用〇2電漿使其經受預處理。隨後，在維持 真空氣氛之狀態中’如下所述執行作為隨後步驟之有機層 ^積。藉由執行如上所述之步驟，由於在中真空氣氛中執 订烘烤處理之後的步驟，故可防止空氣中濕氣及其類似物 吸收於基板11上；此特徵為有利的。 ^許於維持真空氣氛之狀態中以與如參看圖3 b所述之第 二實施例相同之方式執行隨後步驟。 即使藉由如上所述之此顯示器裝置製造方法及藉此獲得 之顯不器裝置’也由於在提供於像素區域A外之周邊區域B 中之導電膜31中形成了延伸至第二絕緣膜17之孔“a，且隨 後在基板11上執行烘烤處理，故可達到與第_實施例中相 同之效能。 另外可將其中如上所述在第二絕緣膜17上提供導電膜 31之修正實例應用於如第—實施例中所述 :器裝置。更進-步地，在其中如具有上述構造之此顯；： 器裝置具有-構造（如參看圖4所述的在該構造中於任意兩 個相鄰像素之間形成一輔助配線）的狀況下，當導電材料層 98630.doc -23- 1275317 以膜狀態形成於第二絕緣膜14上且隨後執行圖案化以在周 邊區域B中以圍繞像素區域a之狀態形成導電膜3丨時，對導 電材料層執行圖案化，使得允許以被提供於袼子狀態之像 素之間的狀態將其連接至周邊區域B中之導電膜3 ι。 在如上所述之顯示器裝置中，已描述一其中允許下電極 16為陽極且允許上電極2〇為陰極之構造。然而，另一其中 允許下電極16為陰極且上電極2〇為陽極之構造亦為允許 的。在此情況下，包含以上述次序被層壓之電子轉移層、 發光層、電洞傳遞層及孔注人層的有機層19形成於其中下 電極16經由電子注入層而曝露的像素開口 18中，且隨後上 “ 0 X 士上所述之狀怨形成為覆蓋所得基板11之所有區 域。 另外已在第一實施例及第二實施例中分別描述了頂部 發光型顯示器裝置及底部發光型顯示器裝置，且在此等情 況下，下電極丨6及上電極2〇兩者皆由半透光材料形成。然 而：本發明亦適用於可自頂部與底部側兩者牵引出所發射 之光的頂部與底部發光型顯示器裝置。 實例 將進一步參看特定實例來描述本發明。 實例1 、^、第實靶例中相同之方式，製造如圖3所示之頂部發 ㈣示器裝置。另外，為了對比，…實施例一般製 :顯不4置，在該顯示器裝置中以圍繞像素區域A之狀 "絕緣膜14之周邊區域B中形成約3毫米寬度之導電 98630.doc -24- 1275317 ' 3 1 (不具有提供於其中之孔3 1 a)。 、」於：等顯示器裝置，如圖7所示，說明了在於_於怪 :=中儲存約1000小時之同時不發光像素數目隨時間流 二二化。在該圖表中’儲存時間及不發光像素數目分別 =於橫座標軸及縱座標軸中。如該圖表所示的，可確定: 發之顯示器裝置中’即使在約1000小時消逝之後不 =素數目仍未增加，且可獲得有利影像顯示，同時在 逝：二例1中之顯示器裝置中，不發光像素之數目隨時間流 逝而相加，且影像顯示劣化。 實例2

於Γ!第！！施例中相同之方式，製造如圖π所示之底部 、：：顯不器裝置。另外’為了對比，如比較實例2 一般製 裝置，在該顯示器裝置中，以圍繞像素區域A 導電 、百徒供於其令之孔3 1 a)。 在表中說明了於m： 存約10叫時之同時不發光«之數目隨 之變化。如該圖表所示，可確定：在實例2之顯示 仍。=中’即使在約购小㈣逝之衫發光像素之數目 之顯：心且可獲得有利影像顯示，同時’在比較實例2 且:：’不發光像素之數目隨時間流逝而增加’ 且衫像顯不劣化。 号二等Ϊ果表明：與比較實例1及實例2中每-者之顯示 4置相比，在實例！及實例2中每一者之顯示器裝置中， 98630.doc -25- I275317 由於防止了不發光像素數 軔d Η政,*人 故不發光缺陷之數目 孕乂小且發光壽命較長。 【圖式簡單說明】 固1Α及圖1Β分別為橫截面圖及俯 ^ 視圖，其用於說明用於 根據本發明之顯示器裝置之 古的第—實施例； 圖2為用於說明根據用於本 本u之顯不器裝置之製造方 古之第一貫施例的俯視圖； 圖3為用於說明根據用於本發 ^咕 不么月之顯不器裝置之製造方 居之第一實施例的橫截面圖； 、圖馎用於說明根據用於本發明之顯示器裝置之製造方 法之第一實施例的俯視圖； ^圖5A及5B為用於說明根據用於本發明之顯示器裝置之 製造方法之第二實施例的橫截面圖； 圖6為用於說明根據用於本發明之顯示器裝置之製造方 法之第二實施例的修正之實例的橫截面圖； 圖7為說明在實例及比較實例中，不發光像素數目隨時間 推移之變化的圖表； 0 圖8為用於說明用於顯示器裝置之習知製造方法 圖；及 、視 圖9A及9B為用於說明用於顯示器裝置之習知製造方、去 的橫截面圖。 【主要元件符號說明】

A B 像素區域 周邊區域 98630.doc -26. 1275317

10 顯示器裝置 11 基板 12 驅動電路 13 TFT陣列 14 第一絕緣膜 15 接觸孔 16 下電極 17 第二絕緣膜 18 像素開口 19 有機層 19R 紅色有機層 19G 綠色有機層 19B 藍色有機層 20 上電極 21 保護膜 22 熱固性樹脂 23 基板 31 導電膜 31a 32 有機EL裝置 32R 紅色有機EL裝置 32G 綠色有機EL裝置 32B 藍色有機EL裝置 98630.doc -27-

Claims (1)

1275317 申清專利範圍： 種用於製造一顯示器裝詈 /置之方法，在該顯示器裝置中 错由排列複數個像素而形成一 τ 像素&域，其中該等複數 像素各自具有一固持於一 機層，該方法包含： $極與-上電極之間的有 一第一步驟’其在該基板上形成-第-絕緣膜； 第一步驟，其在該後音Γ5" rf» 料^域巾之該第—絕緣膜上形 成對應於該等像素中每一者 母者之禝數個下電極、在該像素 區域外之該第一絕緣膜上开彡忐 ” 緣暝上形成-導電膜，及製造-通過 该導電膜至該第一絕緣膜之孔；及 :第三步驟’該步驟烘烤該其上提供有該下電極 導電膜之基板。 2.如請求項1之用於製造一顯示器裝置之方法’其中該下電 極及該導電膜係由相同材料形成。 3·如晴求項1之用於製造一顯示器裝置之方法，其中在該第 〆驟中⑥4 ^電膜之全部區域上以大體均勻之間隔 形成複數個孔。 4.如請求項1之用於製造一顯示器裝置之方法，包含： 2於該第二步驟與該第三步驟之間的步驟，該步驟 在δ亥弟-絕緣膜上形成一第二絕緣膜以覆蓋該等下電極 及該導電膜、在該第二絕緣膜上形成一像素開口以曝露 »亥=下電極中每一者之表面，及藉由移除該導電膜上之 該第二絕緣膜而曝露該導電膜之一表面，及 在該第三步驟之後，在該下電極上形成一有機層，且 98630.doc 1275317 形成一覆蓋該有機層、該第_ ^ 次系一絕緣膜及該導電膜之上雷 極，藉此允許該上雷搞只兮道& 5 上電桎及该導電膜彼此連接。 •如請求項4之用於製造一龜+盟壯取 n顯不益裝置之方法’其中在該曝 路该導電膜之該表面66半 一 ^ V驟中，移除該導電膜上之該第 一絕緣膜，並留下該導雷贈 導電膜之末鳊部分上之該第二絕緣 膜之一部分。 I 一種顯示器裝置’其具有-藉由將複數個像素排列於一 基板上而形成之像素區域，其中該等複數個像素各自具 $固持於一下電極與一上電極之間的有機層，該顯示 器裝置包含： 一第一絕緣膜，其提供於該基板上； 复數個此等下電極，其各自對應於該像素區域中之該 第一絕緣膜上所提供之該等像素中每-者；及 導電膜，其提供於該像素區域外之該第一絕緣膜 上，其中提供一孔通過該導電膜至該第一絕緣膜。 籲7. %請求項6之顯示器裝置，其中該下電極及該導電膜係由 相同材料製成。 8.如請求項6之顯示器裝置，其中複數個孔係以大體均句之 間隔而形成於該導電膜之全部區域上。 9·如請求項6之顯示器裝置，進一步包含·· 一第二絕緣膜，其提供於該第一絕緣膜上，其中一用 :允許曝露此等下電極中每一者之像素開口係提供於該 第一絕緣膜中； 有機層’其係提供於該下電極上；及 98630.doc 1275317 膜 上電極’其覆蓋該有機層、該第二絕緣骐及該導電 其中該上電極及該導電膜彼此連接。 末端部分係 10·如請求項9之顯示器裝置，其中該導電膜之 由該第二絕緣膜加以覆蓋。 11.=於製造一顯示器裝置之方法’該顯示器 二糟由將複數個像素排列於—基板上而形成之像二 域上：中該等複數個像素各自具有—固持於一下電極： 一上電極之間的有機層，該方法包含： /、 —弟-步驟’其形成各自對應於該基板上之該等像素 中每一者的複數個該等下電極； ’、 ;:第二步驟，其在該基板上形成一第一絕緣膜以覆蓋 該等下電極，及在該第—絕緣膜上形成—像素開口以曝 露該等下電極中每一者之一表面； j 第_步驟，其在該像素區域外之該第一絕緣膜上形 成一導電膜，及形成一孔通過該導電膜至該第一絕緣 膜；及 ’ 第四步驟’其烘烤該具備該導電膜之基板。 12·如請求項11之用於製造一顯示器裝置之方法，其中在該 第二步驟中，在該導電膜之全部區域上以大體均勻之間 隔形成複數個孔。 13.如請求項u之用於製造一顯示器裝置之方法，其中在該 第四步驟之後，在該下電極上形成一有機層，且形成一 覆蓋該有機層、該第一絕緣膜及該導電膜之上電極，藉 98630.doc 1275317 此允許該上電極及該導電膜彼此連接。 从一種顯示器裝置’其具有-藉由將複數個像素排列於一 基板上而形成之像素區域’其中該等複數個像素各自具 有-固持於一下電極與一上電極之間的有機層，該裝置 包含： 複數個此等下電極，其各自對應於該像素區域中之該 基板上所提供之該等像素中之每一者，· 第絕緣膜，其係提供於該基板上，其中提供一 許曝露該等下電極中每—者之像素開U 八 一導電膜，其係、提供於該像素區域外之該第-絕緣膘 上主其中提供一孔通過該導電膜至該第一絕緣膜。 月求項14之顯不器裝置，其中複數個孔係以大體均句 之間隔形&於該|電膜之全部區域上。 16.如請求項14之顯示器裝置，進一步包含： 有機層，其係提供於該下電極上；及 -上電極，其係提供以覆蓋該有機層、該第 及該導電膜， 犋 其中該上電極及該導電膜彼此連接。 98630.doc