TWI274667B - Method of manufacturing substrate for ink jet recording head and method of manufacturing recording head using substrate manufactured by this method - Google Patents

Description

1274667 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於製造一噴墨記錄頭之方法以及使用該方 法製成的基底以製造一記錄頭之方法。 【先前技術】 一種噴墨記錄頭舉例來說係揭示在日本專利申請特許 鲁公開案第S60- 1 59062號之圖1及圖3中，該噴墨記錄頭 具有作爲其構成部件之一孔口及一熱作用部分（熱產生部 分），該孔口被提供用於排放液體，而該熱作用部分則係 一與該孔口相連通之部分且於其中用以排放液滴之熱能係 作用在該液體上。對應於此專利公告案之圖1的結構係顯 示在圖9中。在此結構中，一當被通電時會產生熱之熱產 生電阻層204被提供在一基底200之下層202上，且電極 層對203被提供在用於一熱產生部分之該熱產生電阻層 φ 204上。再者，在該熱產生電阻層204及該電極層203上 係提供有一絕緣保護層205，以保護這些層204及203與 墨水隔離，且在該絕緣保護層205上係提供有一金屬保護 層206，以保護該絕緣保護層205免於發生氣穴現象，此 現象係當墨水起泡所形成之氣泡消失時會發生。一對應於 日本專利申請特許公開案第S60- 1 59062號案之圖3的結 構係顯示在圖1 0中。此結構與圖9之結構相同，除了該 電極層203與熱產生電阻層204之垂直配置與圖9之配置 相反以外。 舉例來說，在圖9中，該電極層2 03與一熱產生部分 -5- (2) 1274667 207正對之端部203 a係以一種具有某些斜度之方式來形 成。然而，該端部203 a之斜度愈接近垂直於該熱產生電 阻層2 0 4，則在絕緣保護層2 0 5中會產生愈多瑕疵覆蓋部 分，其從該端部203a之熱產生電阻層204覆蓋一高起部 分210，如此造成該絕緣保護層205有時可能無法展現其 絕緣的功能。因此，當該電極層203被提供而使得該端部 203 a之斜度相對於熱產生電阻層204而形成一小角度時， φ該端部203a具有一更尖銳之角度（該端部203a之斜度的 前端部分）之底端部分會破損，或者被定位在該電極層對 2 03之間的該熱產生電阻層（熱產生部分）會由於在形成 該電極層20 3期間所產生之該端部203 a之底端部分的位 置精確度的誤差而有所變動。由於此緣故，在該熱產生部 分207之生熱値上便會發生變異。當企求更高級之記錄影 像時，此處便存在一個需要被解決的問題。 在圖10中，電極層對203以夾置一熱產生部分207 φ之方式被提供在一下層202上，且一熱產生電阻層204被 提供在該電極層203上。在此結構的例子中’其本身所用 之材料爲堅硬材料之熱產生電阻層204係覆蓋作爲一較堅 硬層體之電極層203，因此，該電極層203之熱變形（例 如，當該電極層由鋁製成時會發生的***）即使在一欲被 形成在該熱產生電阻層204上之絕緣保護層205於一高溫 下形成時亦不會發生。因此，來自於該熱產生部分2〇7之 熱可更有效率地被傳送至墨水。 然而，即使在圖1〇之結構中’除了由於該電極層203 之端部203 a之前緣端角度所造成的問題以及在圖9之結 -6 - (3) 1274667 構的例子中之熱產生部分之區域中的變異以外，該端部 203 a相對於該下層202愈接近垂直，則當該熱產生電阻層 2 04形成在該電極層203上時，覆蓋該端部2 03a之高起部 分210之該熱產生電阻層204之薄膜品質會比其他部件還 差，因此這又造成另一個問題。因此，當藉由該電極層對 203所構成之熱產生電阻體以及該熱產生電阻層204被驅 動時，電流集中會發生在熱產生電阻層204中相對於該等 φ電極層203之端部203a處（在相對於該下層202而形成 一高度差的部分），因此溫度會局部地上升且會產生熱應 力。這會造成一個問題。除了這些問題以外，當一熱產生 電阻體被高頻率地連續驅動以配合高速度、高解析度記錄 之與日倶增的需求時，產生較大熱應力的可能性極高，因 此在該熱產生電阻層中造成接線破損。 【發明內容】 φ 本發明之一目的係要提供一種用於一噴墨記錄頭之基 底的製造方法，其可以降低由於熱應力而在一用於一噴墨 記錄頭而具有一覆蓋該電極層之熱產生電阻層之基底中發 生破損接線的機會，且其中可以增進熱產生電阻體之耐用 度，以及一種製造一噴墨記錄頭之方法。 本發明之另一目的係要提供一種用於一噴墨記錄頭之 基底的製造方法，其可以增進覆蓋一熱產生電阻層之保護 薄膜之階差覆蓋’俾確保一熱產生電阻體之充份耐久度， 即使該保護薄膜被製成很薄時亦然，藉此在熱產生電阻體 中所產生之熱可被充份使用在墨水之排放以節省電力，以 -7- (4) 1274667 及一種製造一噴墨記錄頭之方法。 本發明又一目的係要提供一種用於一噴墨記錄頭之基 底的製造方法，該基底具有一支撐件，該支撐件在其表面 上具有一絕緣層、被設置在該支撐件之表面上的電極層對 以及一連續地覆蓋該電極層對及一介於該電極層對之間之 部分的熱產生電阻層，該方法包含在該支撐件上形成一電 極層之步驟；藉由蝕刻該電極層而形成該電極層對之步 Φ驟，且其中在藉由蝕刻該電極層以形成該電極層對之步驟 中，藉由蝕刻介於該電極層對之間之絕緣層之一表面部分 而在該絕緣層之表面部分中形成一凹陷，且亦提供一種藉 由使用該用於一噴墨記錄頭之基底來製造一噴墨記錄頭之 方法。 【實施方式】 以下將視需要參考附圖而利用實施例來具體說明本發 •明。 圖1係一槪要平面圖，其中顯示依照本發明之用於一 噴墨記錄頭之基底的構造，且更具體而言，其係顯示接近 一用於一記錄頭之基底之熱作用部分1 07的區域。圖2係 沿著圖1中之剖面線2-2所取之部分的槪要截面圖。 在圖2所示類型之一用於噴墨記錄頭之基底中，一熱 產生電阻層1〇4覆蓋形成在一下層（熱累積層）1〇2上之 電極層對103，其中該下層係形成在一板101之表面上， 且在該下層1〇2中係形成有一凹陷，其位置對應至一介於 該電極層對之間的部分。 -8 - (5) 1274667 藉由供應電力至一熱產生電阻體（其係由該電極層 1〇3、該熱產生電阻層104等等所構成）而產生在被定位 於該電極層對103之間之熱產生電阻層104中的熱係從一 熱作用部分107被傳輸至一諸如墨水的液體。 依照此一結構，該熱產生電阻層1 04係被彎曲而在被 形成於該下層102介於該電極層對103之間之部分的凹陷 中略呈U狀。爲此，該熱產生電阻層104由於電流集中而 II被施以最大熱應力之部分（亦即，該熱產生電阻層1〇4覆 蓋一介於該電極層103之端部（階狀部分）103a與該下層 102之間之邊界110的部分）係遠離該熱產生電阻層1〇4 之薄膜品質相對較差之彎曲部分1 1 2，因此便可降低由於 在該熱產生電阻層104中所產生之熱應力所造成之該熱產 生電阻層1 04的破損接線發生的機會。 再者，當在接續該電極層103之端部l〇3a之該下層 102之一部分（該凹部之一壁表面）處形成一錐角 Hi B時，被定位在該電極層對103之間之熱產生電阻層1〇4之 略呈U狀之彎曲部分112中的彎折角度會變得較爲平緩° 因此，在表面部分中之熱產生電阻層1 的薄膜品質會變 得較佳而可以增進排墨耐久性。 再者，藉由形成以下如圖3及4所示之基底’該彎曲 部分1 1 2之結構可被更平緩地形成，藉此可進一步降低由 於產生在熱產生電阻層104中之熱應力所造成之熱產生電 阻層1 04之破損接線發生的機會，且可更進一步增進排墨 耐久性。再者，在如此形成之結構中，如圖3及4所示’ 保護層之彎曲部分Π 3的形狀會變得比圖2之結構的形狀 -9- (6) 1274667 更爲平緩，且該保護層l〇5、106之階差覆蓋會比圖2之 結構的階差覆蓋還佳。基於此緣故，上方絕緣保護層之薄 膜厚度會被進一步縮減，且諸如墨水之液體能以較小電力 藉由確保起泡來予以排放。 如圖3所示，藉由確保在一電極層103之端部103a 中之一錐狀的錐角109 (該電極層之錐角）大於在一作爲 一電極層103之基部之支撐件（一下層102)之錐狀部分 φ的錐角1 1 1 (基部之錐角）且小於90度，則在介於覆蓋該 下層102之錐狀部分之部分與覆蓋該電極層103之端部之 上方（其接續該表面部分）之部分之間之邊界處的熱 產生電阻層1 04會變得比圖2之結構還平緩。由於此緣 故，因爲該熱產生電阻層104之表面部分的薄膜品質被增 進，因此可以進一步降低由於熱應力造成破損接線發生的 機會，且可進一步增進排墨耐久性。在下層1〇2中之錐角 111愈小，則愈可增進該熱產生電阻層104之表面部分的 Φ薄膜品質，且如此將更爲恰當。然而，如上所述，在電極 層1 03之端部中之錐狀部分之錐角1 09愈小，則在該電極 層對1 03之間的距離的精確度愈低，且諸如一熱作用部分 1 07之電氣屬性會更易於發生變異。因此’針對此點有需 要予以注意。 再者，如圖4所示，藉由在一電極層103之前表面側 上以一種提供一修圓表面之方式來形成一邊緣部分114之 角隅，覆蓋一熱產生電阻層1 〇4之該上方絕緣保護層 105以及上方金屬保護層106的階差覆蓋會被進一步增 進。基於此一緣故，可將上方絕緣保護層1 05以及上方金 -10- (7) 1274667 屬保護層1 06之薄膜厚度形成比圖2及3之結構中的該等 薄膜厚度還小而無損於排墨耐久性性能。由於此緣故，當 熱從一熱產生部分被傳輸至墨水時可以節省電力。 藉由以濺射蝕刻來形成該電極層1 03之邊緣部分1 1 4 之角隅俾提供一彎曲表面且接著在一於其中執行該濺射蝕 刻之裝置中來形成該熱產生電阻層104之一薄膜，便可增 進覆蓋該熱產生電阻層104之上方絕緣保護層105以及上 φ方金屬保護層1 06的階差覆蓋，同時將製造成本降至最 低。 接下來將參考圖 5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、 6A、6B、6C、6D、6E及6 F來說明製造一用於一噴墨記 錄頭之基底的方法，該噴墨記錄頭由於上述之結構而可以 產生極佳的效果。附帶一提，圖5A、5B、5C、5D、5E、 5F及5G依序說明圖2所示之結構的製造程序，而圖 6A、6B、6C、6D、6E及6F則藉由利用沿圖1之剖面線 _ 2-2所取之截面來依序說明圖3及4所示之結構的製造程 序。 首先，將說明在圖5A、5B、5C、5D、5E、5F及5G 中所示之步驟。一 Si02層（其會變成一熱累積層102)係 藉由熱氧化法（圖5A)而形成在一矽板101上達1.0微米 之厚度，且被形成爲一電極層103之鋁係藉由濺鍍法（圖 5B)而被形成在熱累積層102上達0.6微米之厚度。一光 阻劑藉由微影方法而以一適當形狀被圖案化於該電極層 103上，且該電極層103以乾蝕刻方法被予以鈾刻，藉此 可以獲得具有一適當佈線組態之電極層1 〇3 (圖5 C )。該 -11 - (8) Ϊ274667 蝕刻係藉由使用一 ECR蝕刻裝置來予以執行。就蝕刻 件而言，氣體壓力爲2.66Pa，且採用C12/BCI2氣體，且 波功率爲1 〇 〇 W。進行蝕刻以使得該電極層1 0 3之一圖 化端部103a變成大致垂直於如圖5C所示之基底，且蝕 時間略少於5 0秒。當藉由降低氣體壓力而達到1 . 3 3 P a 略高真空度時，由於電極層1〇3之蝕刻而變成外露之熱 積層102會開始被鈾刻成一凹曲形狀。雖然電極層103 #要藉由化學蝕刻來予以蝕刻，然而在一較高真空度中所 行之該熱累積層1 02的蝕刻則主要藉由濺鍍蝕刻來予以 刻。基於此緣故，接續於該電極層103之端部103a之 熱累積層1 02的端部被蝕刻成可提供具有一定角度之錐 斜面（圖5 D )。 接下來，藉由濺鍍法而在該圖案化電極層103上形 一厚度爲0.04微米之氮化鉬（TaN)薄膜以作爲一熱產 電阻層104。且藉由微影方法將一光阻劑圖案化成一適 φ 形狀且藉由乾蝕刻方法或溼蝕刻方法來形成一熱產生部 107。接下來，藉由電漿CVD方法從墨水來形成一厚度 〇·3微米之氮化矽（SiN )薄膜以作爲一上方絕緣保護 105以保護該電極層103以及熱產生電阻層104 ( 5F)。再者，爲了防止該電極層1〇3、熱產生電阻層1 以及上方絕緣保護層1 05免於在氣泡消失時（在氣泡消 期間）受損，圖此如圖5G所示，形成一厚度爲0.2微 之鉬薄膜以作爲金屬保護層1 06。附帶一提，該保護層 以爲一單一材料之單一層體或如上所述，其可以具有例 Si3N4、Si02、SiON、Ta205 等等之絕緣層 105 與 Ta 等 條 微 案 刻 之 累 主 執 蝕 該 狀 成 生 當 分 爲 層 圖 04 失 米 可 如 之 -12- (9) 1274667 金屬層1 〇 6的層疊結構，以增進氣穴抵抗性。 一具有熱作用部分1 07之用於噴墨記錄頭的基底係如 此形成。 接下來，將說明顯示在圖6Α、6Β、6C、6D、6Έ及 6F之步驟。圖6Α對應於圖5Β。一 Si02層（其會變成一 熱累積層102 )係藉由熱氧化法而形成在一矽板1〇1上達 1·〇微米之厚度，且被形成爲一電極層103之鋁係藉由濺 II鍍法而被形成在熱累積層102上達0.6微米之厚度。接下 來’一光阻劑藉由微影方法而以一適當形狀被圖案化於該 電極層103上，且該電極層1〇3及該熱累積層102以乾蝕 刻方法被予以飩刻。該蝕刻係藉由使用一 ECR蝕刻裝置 來予以執行。爲了在該兩層體之端部形成一錐角，該蝕刻 條件係氣體壓力爲2.66Pa，且採用C12/BCI2氣體，且微波 功率爲100冒（在圖5八、53、5(：、5〇、5£、5卩及5〇所 示之步驟中，相同於圖5 D及後續圖式中所示之蝕刻條 φ 件）。需要花費1 20秒的時間來蝕刻該電極層1 03，且花 費7 0秒的時間來蝕刻該熱累積層1 〇2。如上所述，該兩層 體之端部主要係藉由濺鍍蝕刻來予以蝕刻而非藉由化學乾 蝕刻方法。在此時，由於作爲熱累積層102之Si02層相 較於電極層103之鋁具有較低的蝕除率，因此錐狀會進一 步變化且該錐角會變成較小（圖6 B )。在此實施例中， 該熱累積層102具有60度的錐角111，而該電極層1〇3具 有7〇度的錐角109。藉由以此方式使該電極層103之端部 的錐角1 09大於該熱累積層1 02之端部的錐角Π 1 (且小 於90度），便可以進一步降低該熱產生電阻層104在邊 -13- ⑧ (10) 1274667 界1 10中之彎曲部分1 12以及從該電極層103之端部103a 至該熱累積層1 02之端部的兩個錐狀部分的凹曲底部之彎 曲角度的變化，且可以增進該熱產生電阻層1 04之薄膜品 質。 附帶一提，即使在特定蝕刻條件下進行蝕刻而在該電 極層103之錐角109未不同於其基部（熱累積層102)之 錐角11 1的情況下，該兩錐角仍可以藉由針寺電極層103 •及熱累積層102 (其爲該電極層103之基部）採用不同的 蝕刻條件來造成彼此不相同。 再者，在電極層1 03之蝕刻期間，該蝕刻條件可以改 變，使得該電極層103之端部的錐角109被改變成分級降 低。 接下來，在圖6B之步驟中，以相同於圖5E、5F及 5G的例子，一作爲一熱產生電阻層1 04之具有0.04微米 薄膜厚度之TaN薄膜以及一作爲一上方絕緣保護層1〇5之 φ具有0.3微米薄膜厚度之SiN薄膜係被形成在電極層103 上，且一作爲金屬保護層106之具有0.2微米薄膜厚度之 Ta薄膜被進一步形成在該上方絕緣保護層1〇5上，藉此 便可形成一具有如圖3所示結構之熱產生電阻體之用於一 噴墨記錄頭的基底。 如圖6C所示，當一基底100之電極層1〇3側藉由在 形成該熱產生電阻層104之前於氬氣中施加i〇〇w之高頻 波至該基底1 00而濺鍍蝕刻達20秒時，由於濺鍍特性， 亦即，因爲突起會被先蝕刻，因此該電極層103之鋁電極 層之階狀部分的頂部的角落部分1 1 4會比其他部分被先蝕 -14 - ⑧ (11) 1274667 刻，且該角落部分π 4會變成修圓狀。亦即，在所獲得的 結構中，藉由該電極層1 03之端部之傾斜表面以及該電極 層之頂面所形成之角落部分114會比該電極層1〇3之端部 具有一較大的斜度。藉由執行在該角落部分114上形成一 修圓的曲面的步驟以及藉由使用相同濺鍍裝置而在電極層 103上進行稍後的熱產生電阻層104之薄膜形成步驟，便 可以避免大幅增加成本。 以此方式，在圖6 C之步驟之後，以相同於圖5 Ε、5 F 及5G之方式，一作爲一熱產生電阻層104之具有0.04微 米薄膜厚度之TaN薄膜（圖6D)以及一作爲一上方絕緣 保護層105之具有0.3微米薄膜厚度之SiN薄膜（圖6E) 係被形成在電極層103上，且一作爲金屬保護層1〇6之具 有0·2微米薄膜厚度之Ta薄膜（圖6F)被進一步形成在 該上方絕緣保護層1 05上，藉此便可形成一具有如圖4所 示結構之熱產生電阻體之用於一噴墨記錄頭的基底。 藉由以此方式修圓該電極層之階狀部分的頂面之角落 部分114，便可增進由上方保護層1〇5以及金屬保護層 106之覆蓋。這是因爲在電極層之階狀部分之頂面之角落 部分114中之每一保護層不會發生異常成長，且因此亦不 會發生由於異常成長而可能出現的薄膜瑕疵，且每一保護 層被較爲均勻地形成在該電極層之階狀部分中。基於此緣 故’便可以防止由於墨水滲入至位在每一保護層下方之電 極層1 03所造成破損接線發生的機會，且因此可將保護層 105、106之每一者形成較薄。 附帶一提’若該電極層之角落部分未具有銳角區域係 -15- (12) 1274667 較佳的。當該電極層之角落部分具有修圓時，即使僅係略 微修圓，亦可依照修圓程度來獲得效果。 圖7係一具有用以形成一液體腔室之液體通道及凹溝 之頂板的槪要立體視圖，其構成一藉由使用一用於一記錄 頭之基底所製成之噴墨記錄頭，該基底係藉由上述製造方 法所製成，且圖8係一噴墨記錄頭之槪要立體視圖，其係 藉由使用一用於一記錄頭且藉由上述製造方法所製成之基 底以及圖7之頂板予以組合而成。 在形成一在一板101上具有上述之熱能產生裝置（熱 作用部分107)及保護層105、106之基底100之後，藉由 將一具有對應至每一熱能產生裝置之液體通道17以及被 形成用以提供與該液體通道相連通之液體排放孔2 1的凹 溝1 8之頂板1 6 (圖7 )結合至該基底1 00，便可得到如圖 8所示之噴墨記錄頭。附帶一提，可視需要而將一液體供 應管20連接至一共同液體腔室1 9，且諸如墨水之液體經 φ由該液體供應管20而被導入至該記錄頭。藉由導通上述 該電極層對之每一者，該電極11、12便可供應用於墨水 排放之電能至該熱作用部分（熱產生部分）1 〇 7。 附帶一提，在形成該液體排放孔2 1、該液體通道1 7 等等時，並不一定需要使用頂板16，且這些構件可以藉由 一光敏性樹脂之圖案化或類似方式來形成。本發明並未僅 侷限於上述具有多個液體排放出口之多陣列型噴墨記錄 頭，本發明當然亦可以應用於具有一液體排放出口之單陣 列型噴墨記錄頭。 藉由使用此記錄頭來進行一排墨耐久性測試。即使在 -16- (13) 1274667 不小於1 x 1 09脈衝之排墨信號之輸入之後，該熱產生電阻 層104未呈現破損接線，雖然上方絕緣保護層1〇5之薄膜 厚度係電極層103之薄膜厚度的二分之一，且該脈衝耐久 度壽命係比如圖1 〇所示之傳統結構的記錄頭還長。 這是因爲在此實施例之結構中，大大地受到由於電流 集中所造成之熱應力之熱產生電阻層104的部分（亦即’ 覆蓋一介於該電極層103之一端部與該熱累積層102之間 •之一邊界（該電極層之一階狀部分）110之熱產生電阻層 104的部分）係遠離一彎曲部分112’該處係熱產生電阻 層104之薄膜品質較差的部分，且因爲藉由確保在該電極 層之端部中之該錐狀（電極層之錐角）大於在一支撐件 (熱累積層102 )之錐狀部之錐角1 11 (基部之錐角）’ 其中該支撐件係該電極層之基部之支撐件’該熱產生電阻 層104覆蓋介於該電極層103之端部與該熱累積層102之 錐狀部分之間之邊界1 1 〇，因此可以增進該熱產生電阻層 φ 104之表面部分的薄膜品質。由於此緣故’可以進一步降 低在表面部分中由於熱應力造成破損接線發生之機會，且 亦可增進排墨耐久度性能。 再者，在此實施例之結構中，該保護層1 0 5、1 0 6之 彎曲部分113的形狀變得較爲平緩。除了藉由修圓該電極 -層103之角落部分114而增進該保護層105、106之階差 覆蓋以外，藉由進一步降低該上方絕緣保護層1〇5之薄膜 厚度，在熱作用部分中所產生之熱可更有效率地被傳 輸至諸如墨水之液體。因此’便可以較少電力藉由造成起 泡來排放該液體。 -17- (S) (14) 1274667 【圖式簡單說明】 圖1係依照本發明之製造方法所製造之一用於噴墨記 錄頭之基底的槪要平面視圖； 圖2係藉由本發明之製造方法所製成之一用於噴墨記 錄頭之基底之一實施例的槪要截面視圖； 圖3係藉由本發明之製造方法所製成之一用於噴墨記 #錄頭之基底之另一實施例的槪要截面視圖； 圖4係藉由本發明之製造方法所製成之一用於噴墨記 錄頭之基底之又一實施例的槪要截面視圖； 圖5A、5B、5C、5D、5E、5F及5G係用以闡述本發 明之一實施例之一用於噴墨記錄頭之基底的製造方法之每 一步驟的示意圖； 圖6八、68、6(：、60、6£及6?係用以闡述本發明之 一實施例之一用於噴墨記錄頭之基底的另一製造方法之每 φ —步驟的示意圖； 圖7係具有用以形成一液體腔室之液體通道及凹溝之 頂板的槪要立體視圖，其係使用在藉由使用一藉由本發明 之製造方法所製成之一用於記錄頭之基底所製成之噴墨記 錄頭之一實例中； 圖8係一噴墨記錄頭之一實例的槪要立體視圖，該噴 墨記錄頭係藉由使用一藉由本發明之製造方法所製成之用 於一記錄頭之基底而獲得； 圖9係用於一噴墨記錄頭之傳統基底之一實例的槪要 截面視圖；及 -18- (15) 1274667 圖1 0係用於一噴墨記錄頭之傳統基底之另一實例的 槪要截面視圖。 【主要元件符號說明】 11 電極 12 電極 16 頂板 17 液體通道 18 凹溝 19 共同液體腔室 20 液體供應管 21 液體排放孔 100 基底 101 板 102 下層（熱累積層） 103 電極層 l〇3a 端部 1 04 熱產生電阻層 105 保護層 106 保護層 107 熱作用部分 109 錐角 110 邊界 111 錐角 112 彎曲部分 -19- (16) (16)1274667 113 彎曲部分 114 邊緣部分 200 基底 201 板 202 下層 203 電極層 203 a 端部 204 熱產生電阻層 205 絕緣保護層 206 金屬保護層 207 熱產生部分 2 10 高起部分

Claims (1)

1274667 十、申請專利範圍 第94 1 1 3 1 3 7號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國95年4月6曰修正 1.一種用於噴墨記錄頭的基底之製造方法，該基底具 有一支擦件，該支撐件在其表面上具有一絕緣層、被設置 在該支撐件之表面上的電極層對以及一連續地覆蓋該電極 層對及一介於該電極層對之間的區段的熱產生電阻層，該 方法包含z 在該支撐件上形成電極層之步驟； 藉由蝕刻該電極層而形成該電極層對之步驟； 其中，在形成該電極層對之步驟中，藉由餓刻介於該 電極層對之間之絕緣層之表面部分而在該絕緣層之表面部 分中形成凹陷。 2·如申請專利範圍第1項之用於噴墨記錄頭的基底之 製造方法，其中，在形成該電極層對之步驟中，在接續該 電極層對之端部之該絕緣層之凹陷的一部分中形成一錐 狀。 3 ·如申請專利範圍第2項之用於噴墨記錄頭的基底之 製造方法，其中，在形成該電極層對之步驟中，在該電極 層對之彼此相對的端部中形成一錐狀。 4 .如申請專利範圍第3項之用於噴墨記錄頭的基底之 製造方法，其中在該電極層之端部中所形成之該錐狀係具 有一比絕緣層中之該錐狀還大的角度。 5 ·如申請專利範圍第4項之用於噴墨記錄頭的基底之 1274667 製造方法，其中，該蝕刻係乾蝕刻，且當錐狀形成時之乾 倉虫刻期間’一蝕刻氣體係比當該錐狀未被形成時之乾蝕刻 期間之一蝕刻氣體具有一較高的真空度。 6.如申請專利範圍第5項之用於噴墨記錄頭的基底之 製造方法，其中在該蝕刻氣體中，該絕緣層之蝕除率係低 於該電極層之蝕除率。 7 ·如申請專利範圍第1項之用於噴墨記錄頭的基底之 製造方法，在形成該電極層對之步驟後而在形成該熱產生 電阻層之步驟前，進一步包括藉由濺射蝕刻來修圓化彼此 相對置之該電極層對之端部之角落部分的步驟、在該電極 層對上以及在介於該電極層對之間的部分形成該熱產生電 阻層之步驟以及形成一覆蓋該熱產生電阻層之保護薄膜之 步驟。 8 .如申請專利範圍第4項之用於噴墨記錄頭的基底之 製造方法，在形成該電極層對之步驟後而在形成該熱產生 電阻層之步驟前，進一步包括藉由濺射飩刻來修圓化彼此 相對置之該電極層對之端部之角落部分的步驟、在該電極 層對上以及在介於該電極層對之間的部分形成該熱產生電 阻層之步驟以及形成一覆蓋該熱產生電阻層之保護薄膜之 步驟。 9 .如申請專利範圍第6項之用於噴墨記錄頭的基底之 製造方法，在形成該電極層對之步驟後而在形成該熱產生 電阻層之步驟前，進一步包括藉由濺射蝕刻來修圓化彼此 相對置之該電極層對之端部之角落部分的步驟、在該電極 層對上以及在介於該電極層對之間的部分形成該熱產生電 -2- 1274667 阻層之步驟以及形成一覆蓋該熱產生電阻層之保護薄膜之 步驟。 1 〇. —種噴墨記錄頭之製造方法，該噴墨記錄頭具有 一排放孔以排放墨水，且具有熱能產生裝置’其被提供用 於該排放孔且產生被使用於排放墨水之熱能’該熱能產生 裝置具有被設置在一支撐件之一表面上的電極層對，該支 撐件在其表面上具有一絕緣層以及一連續地覆蓋該電極層 對及一介於該電極層對之間之部分的熱產生電阻層’該方 法包含= 在該支撐件上形成電極層之步驟； 藉由蝕刻該電極層而形成電極層對之步驟；以及 形成液體通道之步驟，俾藉由接收來自於該熱能產生 裝置之熱能而從該排放孔排放墨水’ 其中在形成該電極層對之步驟中’藉由鈾刻介於該電 極層對之間之絕緣層之一表面部分而在該絕緣層之表面部 分中形成一凹陷。 11.如申請專利範圍第10項之噴墨記錄頭之製造方 法，其中，在形成該電極層對之步驟中，在接續該電極層 對之端部之該絕緣層之凹陷的一部分中形成一錐狀° 1 2.如申請專利範圍第1 1項之噴墨記錄頭之製造方 法，其中，在形成該電極層對之步驟中，在該電極層對之 彼此相對的纟而部中开夕成一^錐狀。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之噴墨記錄頭之製造方 法，其中，在該電極層之端部中所形成之該錐狀係具有一 比絕緣層中之該錐狀還大的角度。 -3- 1274667 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之噴墨記錄頭之製造方 法，其中，該蝕刻係乾蝕刻，且當錐狀形成時之乾蝕刻期 間，一蝕刻氣體係比當該錐狀未被形成時之乾蝕刻期間之 一鈾刻氣體具有一較高的真空度。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之噴墨記錄頭之製造方 法，其中，在該蝕刻氣體中，該絕緣層之飩除率係低於該 電極層之蝕除率。 1 6 .如申請專利範圍第1 0項之噴墨記錄頭之製造方 法，在形成該電極層對之步驟後而在形成該熱產生電阻層 之步驟前，進一步包括藉由擺射触刻來修圓化彼此相對置 之該電極層對之端部之角落部分的步驟、在該電極層對上 以及在介於該電極層對之間的部分形成該熱產生電阻層之 步驟以及形成一覆蓋該熱產生電阻層之保護薄膜之步驟。 1 7 .如申請專利範圍第1 3項之噴墨記錄頭之製造方 法，在形成該電極層對之步驟後而在形成該熱產生電阻層 之步驟前，進一步包括藉由濺射蝕刻來修圓化彼此相對置 之該電極層對之端部之角落部分的步驟、在該電極層對上 以及在介於該電極層對之間的部分形成該熱產生電阻層之 步驟以及形成一覆蓋該熱產生電阻層之保護薄膜之步驟。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之噴墨記錄頭之製造方 法，在形成該電極層對之步驟後而在形成該熱產生電阻層 之步驟前，進一步包括藉由濺射鈾刻來修圓化彼此相對置 之該電極層對之端部之角落部分的步驟、在該電極層對上 以及在介於該電極層對之間的部分形成該熱產生電阻層之 步驟以及形成一覆蓋該熱產生電阻層之保護薄膜之步驟。 -4-