TWI270979B - Method of manufacturing active matrix substrate, active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

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Description

1270979 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於主動矩陣型基板之製造方法、主動矩陣型 基板、光電裝置及電子機器。 【先前技術】 隨著筆記型電腦、手機等攜帶式機器之普及，薄而輕量 之液晶顯示裝置等已逐漸被廣泛使用。此種液晶顯示裝置 等係在上基板與下基板間夾著液晶層之裝置。 圖17係表示前述下基板（主動矩陣型基板）之一例。如同 圖所示，下基板1係具備玻璃基板2、在此玻璃基板2上以 互相交叉方式被配線之閘極掃描電極3及源極電極4、同樣 地被配線於玻璃基板2上之汲極電極5、連接於此汲極電極 5之畫素電極（ITO)6、介在閘極掃描電極3與源極電極4間 之絕緣層7、及薄膜半導體所構成之Τ]ρτ(ΤΜη Transistor ;薄膜電晶體）8所構成。 在上述下基板1之各金屬配線之形成中，例如如日本特 許3261699號公報所示，使用重複多數次組合乾式製程與 光微影ϋ刻之步驟之方法。 [專利文獻1]日本特許3261699號公報 [發明所欲解決之問題] 但’在如上述之技術中’由於重複執行多數次組合 製程與光微影蝕刻之處理，材料費及管理費容易增加，且 有良率難以提升之問題。 即 需預先在塗敷導電膜之基板上塗敷所謂光 阻膜之感 102790.doc 1270979 光材料，照射電路圖案而將其顯影，依照光阻膜圖案_ 導電膜，以形成薄膜之配線圖案。又，需要真空褒置等^ 規模設備與複雜之步驟，材料使用效率也僅有數％程度， 其大部分都不得不廢棄’故製造成本高昂。 因此’對被要求製造成本之低廉化之液晶顯示裝置等而 言’減少組合乾式製程與光微影钕刻之處理之次數已成為 大的課題。 本發明係顧及如以上之問題點所研發而成，#目的在於 提供可降低組合乾式製程與光微影蝕刻之步驟之次數之主 動矩陣型基板之製造方法等。 【發明内容】 在本發明之主動矩陣型基板之製造方法、主動矩陣型基 板、光電裝置及電子機器中，為解決上述課題，採用以$ 之手段。 第1發明係在主動矩陣型基板之製造方法中，包含第1步 驟，其係在基板上形成第1方向或第2方向中之任一方配線 在交叉部被切斷之格子圖案之配線者；第2步驟，其係在 前述交又部及前述配線之一部分上形成包含絕緣膜與半導 體膜之積層部者；及第3步驟，其係在前述積層部上形成 使前述被切斷之配線電牲連接之導電層、及經由前述半導 體膜電性連接於前述配線之畫素電極者。 依據本發明’可減少組合乾式製程與光微影蝕刻之處 理’謀求製造成本之降低及良率之提升。 又’前述配線之特徵在於包含源極線、閘極線、及沿著 102790.doc 1270979 閘，線延伸成略直線狀之電容線；前述源極線係在前述交 ‘又口p破切斷，由於可避免此等配線之接觸，故可同時在同 、 一面上形成此等配線。 又則述第1步驟係包含利用噴墨法配置導電性材料之 步驟，故可推_丰， 進步減少組合乾式製程與光微影蝕刻之處 理。 ^ ’别述第2步驟係包含在前述電容線上形成在前述交 ⑩《邠：切斷之積層部之步驟，由於前述電容線上之積層部 不與乂又部上之積層部接觸，故可避免流過形成於交叉部 -之積層部上之導電層之電流流入電容線之積層部。 又，前述第2步驟係包含對前述半導體膜施以半曝光處 理並形^開關元件之步驟，故可容易形成開關元件。 、、又，刖述第3步驟係包含利用喷墨法配置透明導電性材 料之/驟，故可進一步減少組合乾式製程與光微影餘刻之 處理。 • 又，前述第3步驟係包含形成將前述透明導電性材料配 置於特疋位置用之分隔壁之步驟，故可將透明導電性材料 配置於適切位置。 ，第2¾明之主動矩陣型基板係利用第〗發明之製造方法所 製=依據本發明，可獲得低成本之主動矩陣型基板。 第31明之光電裝置係包含第2發明之主動矩陣型基板。 •依據本發明，由於使用低成本之主動矩陣型基板，故可抑 - 制光電裝置之成本。 第4^明之電子機裔係包含第3發明之光電裝置。依據本 I02790.doc 1270979 發明，由於使用低成本之光電裝置，故可抑制電子機器之 成本。 【實施方式】 以下，參照圖式說明有關本發明之主動矩陣型基板之製 造方法、主動矩陣型基板、光電裝置及電子機器之實施型 態。 <主動矩陣型基板> 圖1係本發明之主動矩陣型基板之局部放大圖。 在主動矩陣型基板2 0上，具有配置成袼子狀之閘極配線 40與源極配線42。即，多數閘極配線40係形成向X方向（第 1方向）延伸，源極配線42係形成向Y方向（第2方向）延伸。 又’在閘極配線4 0，連接閘極電極41，在閘極電極41上 介著絕緣層配置TFT30。另一方面，在源極配線42，連接 源極電極43，源極電極43之一端連接於TFT(開關元 件）30 〇 而’在被閘極配線40與源極配線42所包圍之區域，配置 者晝素電極45 ’介者〉及極電極44而連接於TFT30。 又，在主動矩陣型基板20上，以略平行於閘極配線4〇方 式將電容線46配線。電容線46係介著絕緣層被配置於晝素 電極45及源極配線42之下層。 又，閘極配線40、閘極電極41、源極配線42、電容線牝 係形成於同一面上。 圖2係主動矩陣型基板20之等效電路圖’表示使用於液 晶顯示裝置之情形。 I02790.doc 1270979 將主動矩陣型基板20使用於液晶顯示裝置之情形，在田 像顯示區域，多數畫素l〇0a係構成矩陣狀。在此等書= ⑽a分別形成晝素開關用之TFT3G，供應晝素信號^、、 82.....&之源極配線42經由源極電極43被電性連接 於TFT30之源極。供應至源極配線42之畫素信號μ、μ、 • ··、Sn係既可依序以行順序方式供應，亦可對相鄰接 之多數源極配線42彼此依照每組方式供靡。 又’在TFT30之閘極，經由閘極電極41電性連接閉極配 線4〇。而’構成以㈣之時間，脈衝性地將掃描信號⑴、 ........................... 畫素電極45係經由汲極電極44被電性連接至丁之汲 ，。:，僅在一定期間使開關元件之TFT30處於通電狀 悲，糟以在特定時間將由源極配線42被供應之畫素信號 S1.........寫入各畫素。如此’經由晝素電極45 被寫入液晶之特定位準之畫素信號Sl、s2......係 在與圖15所示之相向基板㈣之相向電極121間被保持一定 期間。 又，為防止被保持之晝素信號S1......... 成，藉電容線46，與形成於晝素電極45與相向電極121之 間之液晶電容並聯地附加蓄積電容48。例如，晝素電極45 電[可藉蓄積電谷4 8保持比施加源極電壓之時間長3位 數之時間。藉此，可改善電荷之保持特性，實現對比度高 之液晶顯示裝置100。 <主動矩陣型基板之製造方法> 102790.doc 1270979 其次，參照圖式說明有關主動矩陣型基板20之製造方 法。 主動矩陣型基板2〇係利用在基板p上形成格子圖案之配 線之第1步驟、形成積層部35之第2步驟、及形成晝素電極 45等之第3步驟所製成。 以下，詳細說明各步驟。 (第1步驟：配線形成） 圖3、圖4係說明第1步驟之配線形成步驟之圖。又，圖 3(b)、圖4(b)分別係沿著圖3(a)、圖4(a)之A_A，線之剖面 圖。 作為形成閘極配線40及源極配線42等之格子圖案之配線 之基板P，可使用玻璃、石英玻璃、Si晶圓、塑膠膜、金 屬板等各種材料。且也包含在此等各種素材基板表面形成 有半導體膜、金屬膜、電介質膜、有機膜等作為底層之基 板。 而，f先，如圖3所示，在基板P上形成絕緣性有機樹脂 構成之分隔壁51。分隔壁係用於將後述之配線用墨汁配置 於基板P之特定位置。 具體上，如圖3(a)所示，在洗淨之基板P上面，依據光微 影照相法形成具有對應於格子圖案之配線形成位置之多數 開口部52、53、54、55之分隔壁51。 作為分隔壁5 1之材料，使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹 脂、聚煉煙樹脂、三聚氰胺樹脂等之高分子材料。又，為 良好地將配線圖案用墨汁配置於開口部52、53、54、55 102790.doc 11 1270979 内，在分隔壁5 1施以撥液性處理。作為撥液性處理，施以 CF4電漿處理等（使用含氟成分之氣體之電漿處理）。又， 也可取代CF4電漿處理等，而預先在分隔壁51之素材本體 填充撥液成分（氟基等）。 藉分隔壁51形成之開口部52、53、54、55係對應於閘極 配線40及源極配線42等之袼子圖案之配線。即，在分隔壁 51之開口部52、53、54、55配置配線用墨汁，以形成閘極 配線40及源極配線42等之袼子圖案之配線。 具體上，向X方向延伸形成之開口部52、53係對應於閘 極配線40、電容線46之形成位置。而，在對應於閘極配線 40之形成位置之開口部52，連接對應於閘極電極41之形成 位置之開口部54。X，向γ方向延伸形成之開口部^係對 應於源極電極42之形成位置。又，向丫方向延伸之開口部 5 5係在交叉部5 6被切斷而形成與向χ方向延伸之開口部 52、53交叉。 接著，藉後述之液滴噴出裝置π，將含導電性微粒子之 配線用墨汁喷出·配置於開口部52、53、54、55内，而在 基板上形成閘極配線40及源極配線42等之格子圖案之配 線。 配線用墨汁係由使導電性與 、 守4 ^生试粒子分散於分散媒之分散液 或使有機銀化合物及查2日+ 〜、 、艮不'米粒子分散於溶劑（分散媒） 之溶液所組成。作為導電性 电性从粒子，除了例如金、銀、 銅、錫、鉛等金屬微粒子外， 了使用此專之氧化物、及導 電性聚合物或超導電體之料#工# ^ ^ 子等。為提高分散性，此等 102790.doc 1270979 導電性微粒子也可在表面塗敷有機物等使用。 導電性微粒子之粒徑最好在1 nm以上〇 ·丨# m以下。大於 0·1 μηι時，後述之液滴噴出頭之喷嘴有發生阻塞之虞。 又，小於1 nm時，對導電性微粒子之塗敷劑之體積比變 大，所得之膜中之有機物之比率過多。 作為分散媒，只要屬於可使上述導電性微粒子分散，且 不引起凝聚之材料，並無特別限定。例如，除了水以外， • 可例不甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類、n_庚烷、^辛 烷、癸烷、十二烷、四癸烷、甲苯、二甲苯、甲基異丙 • 苯、暗煤、茚、二戊烯、四氫化萘、十氫化萘、環己基苯 • 等碳化氫系化合物、或乙二醇二甲醚、乙二醇二***、乙 二醇二甲***、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二***、二乙 二醇二甲***、1，2—二甲氧基乙烷、雙（2_甲氧基乙）醚、 P-—噁烷等之醚系化合物、以及碳酸丙烯酯、7 _ 丁内酯、 N-甲基-2-’比嘻院酮、二甲替曱醯胺、二甲亞硬 '環己酉同 φ #極性化合物。此等之中，在微粒子之分散性、及適用於 液滴喷出法（喷墨法）之容易度之點上，以水、醇類、碳化 虱系化合物、醚系化合物較理想，作為更理想之分散媒， 可列舉碳化氫系化合物。 導電性微粒子之分散液之表面張力例如最好在〇〇 2N/m •以上⑽―以下之範圍内。利用噴墨法噴出液體之際， 、表面張力在〇.〇2N/m以下時，墨汁組成物對噴嘴面之濕潤 印立曰大，故容易發生彎曲飛行現象。超過〇 〇7 以上 時，在喷嘴前端之彎月面之形狀不敎，故喷出量及噴出
1〇2790.dOC 1270979 時間之控制較困難。為調整表面張力，只要在上述分散劑 中，在不大幅降低與基板之接觸角之範圍内，微量添加氣 系石夕系、非離子系等表面張力調節劑即可。非離子系表 面張力調節劑有助於提高液體對基板之濕潤性，改良膜: 凋平性’防止臈產生微細之凹凸等。上述表面張力調節劑 必要時也可含有醇、峻、醋、酮等有機化合物。 分散液之黏度最好在！ mPa· 3以上5〇 mPa· 8以下。使 用噴墨法喷出液狀材料作為液滴之際 下時，喷嘴之週邊部容易被墨汁之流出所污染，又:二 於50 mPa · 8時，在喷嘴之阻塞頻度增高，難 喷出液滴。 將配線用墨汁喷出至基板p後，為除去分散媒，可依需 要施行烘乾處理、煅燒處理。 烘乾處理例如可利用加熱基板p之通常之熱板、電爐等 之加熱處理進行。例如施行180t加熱60分鐘程度。 =燒處理之處理溫度需考慮分散媒之滞點（蒸氣屢） t之分散性及氧化性等熱的動態、塗㈣之有血及盆 =基材之耐熱溫度等之後再適宜地加以決^。例如 除去有機物構成之塗敷劑，需要以約250t锻燒。為 利用此種烘乾•煅燒處理， 性的接觸，將其變換成導電性膜，微粒子間之電 屬可在閉極配線40及源極配線42等之配線上形成金 電性膜來抑制银或銅等構成之導 之（電）遷移現象等之薄膜。作為形成金屬保護膜47 102790.doc -14- 1270979 之材料，以錦較為理想。鎖所構成之金屬保護膜47也可藉 . 液肩唢·出法配置形成於基板p上。 II以上之步驟，可在基板p上如圖4所示，形成分隔壁 及袼子圖案之配線構成之層。 、而作為液滴噴出法之噴出技術，可列舉帶電控制方 式、加Μ振動方式、電氣機械變換方式、電氣熱變換方 t、靜電吸引方式等。帶電控制方式係以帶電電極將電荷 籲⑯加至材料，以偏向電極控制材料之飛翔方向而由喷嘴喷 出之方式。又，加麼振動方式係將30kg/cm2程度之超高麼 -施加至材料而使材料向喷嘴前端側喷出之方式，不施加控 制電壓之情形’材料直接前進而由噴嘴噴出，施加控制電 壓時’在材料間會發生靜電的相斥，材料會飛濺而不由喷 嘴喷出。又’電氣機械變換方式係利用遷電（piezo)元件受 到脈衝性的電氣信號而變形之性質，藉屋電元件之變形而 在儲存材料之空間，經由可挽性物質施加壓力，將材料由 _ 空間擠出而由喷嘴喷出之方式。 又’電氣熱變換方式係利用言史在儲存材料之空間内之加 …、器使材料急遽氣化而產生氣泡（bubble)，藉氣泡之壓 力喷出空間内之材料。靜電吸引方式係對儲存材料之空間 内施加微小壓力，在喷嘴形成材料之f月面，在此狀態施 .加靜電引力後吸出材料。又，此外，利用電場引起之黏度 ， 變化之方式及以放電火花使其喷出之方式等技術也可適 用液滴噴出法具有材料之使用浪費少，且可確實將希望 量之材料配置於希望之位置之優點。又，利用液滴噴出法 102790.doc 15 1270979 貫出之液狀材料（流動體）之一滴之量例如為！〜则奈克。 作為形成袼子圖案之配線之際使用之液滴喷出裝㈣ 例如使用圖5所示之液滴噴出裝置。
+液滴噴出裝置(喷墨裝置则用於由液滴噴出頭對基板j :出(滴下)液滴之裝置，具備液滴噴出頭3〇1、又軸方向驅 轴304、γ軸方向導動軸3〇5、控制裝置c⑽τ、工作△ 3〇7、潔淨機構3〇8、基台3〇9、加熱器315。工作台撕: 利用此液滴噴出裝置Ι<Γ支持設有墨汁（液體材料）之基板p， 具有將基板Ρ固定於基準位置之未圖示之固定機構。 液滴喷出頭301係具有多數喷嘴之多喷嘴型之液滴喷出 貝使其長度方向與γ軸方向一致。多數喷嘴係在液滴喷 出頭301之下面，以一定間隔排列設置於γ軸方向。由液滴 噴出頭3G1之喷嘴對支持於卫作台斯之基板ρ喷出含上述 導電性微粒子之墨汁。 在X軸方向驅動軸304連接X軸方向驅動馬達302。X軸方 ° /動馬達302係步進馬達等，當又軸方向之驅動信號由控 制虞置CONT被供應時，使又軸方向驅動軸则旋轉。又轴 方向駆動軸304旋轉時，液滴噴出頭3(H向X軸方向移動。 △ Y軸方向導動軸305係被固定成不對基台309移動。工作 ，、有Υ軸方向•驅動馬達303。γ轴方向•驅動馬達如係 V進鬲達#田Υ軸方向之驅動信號由控制裝置CONT被 供應時，使工作台307向¥軸方向移動。 /工制袭置CONT係供應液滴之噴出控制用之電壓至液滴 喷出頭3G1 °又’將控制液滴噴出頭301之X軸方向之移動 102790.doc -16- 1270979 之驅動脈衝信號供應至x軸方向 二307之ΥΙά方Θ^ 、、動馬達302，將控制工作 口 3 07之Υ軸方向之移動之驅動 .^ . 衝化號供應至Υ軸方向驅 動馬達303 a 干均乃叼細 潔淨機構308係用於潔淨液 3⑽，具備有未圖示之丫軸方向之^頭3〇1。在潔淨機構 力门之驅動馬達。藉此Y軸方向 :驅：馬=驅動’使潔淨機構沿著Υ軸方向導動軸3。5移 办Mf3G8之移動也受控制裝置CONT控制。
二：315在此係利用燈退火熱處理基板P之手段，施行 =於基板P上之液體材料所含之溶劑之蒸發及供乾。此 加熱器315之電源接通及切斷也受控制裝置CONT控制。 液滴噴出裝置π係-面相對掃推液滴喷出頭3〇ι與支持 土板二之工作台307，—面對基板P噴出液滴。在此，在以 下之說明+，以X軸方向為掃描方向，以與球方向正交 方向為非掃描方向。 因•此，液滴噴出頭301之噴嘴係以一定間隔排列設置於 ::描方向之Y軸方向。又’在圖3中，液滴喷出頭训係 * 土板P之行進方向成直角地被配置，但也可調整液滴噴 出碩州之角度而使其與對基板P之行進方向成交叉。如 :::可藉調整液滴噴出頭301之角度而調節喷嘴間之間 又也可任意調節基板P與噴嘴面之距離。 圖6係液滴噴出頭301之剖面圖。 、/夜滴噴出頭301，鄰接於收容液體材料（配線用墨汁等） ^液體室321設置有壓電元件322。液體材料經由含收容液 一材料之材料箱之液體材料供應系統323被供應至液體室 1〇279〇.d〇c -17- 1270979 321 ° 壓電元件322係連接於驅動電路324，將由此驅動電路 324將電壓施加至壓電元件322，使壓電元件322變形，藉 以使液體室321變形，由喷嘴325噴出液體材料。 此情形，藉改電施加電壓之值控制壓電元件322之變形 量。且藉改變施加電壓之頻率控制壓電元件322之變形速 度。壓電方式之液滴喷出不對材料加熱，故具有對材料組 成不造成影響之優點。 (第2步驟：積層部形成） 圖7〜圖1 〇係說明第2步驟之積層部形成步驟之圖。又， 圖7(b)〜圖10(b)分別係沿著圖7(a)〜圖l〇(a)之A-A，線之剖面 圖，圖8(c)〜圖10(c)分別係沿著圖7(a)〜圖i〇(a)iB-B，線之 剖面圖。 在第2步驟中，在分隔壁51及格子圖案之配線構成之層 上之特定位置形成絕緣膜31與半導體膜（接觸層33、活性 層32)構成之積層部35。 首先，利用電漿CVD法對基板P全面施行絕緣膜31、活 性層32、接觸層33之連續成膜。具體上，如圖7所示，藉 改、I:原料軋體及電漿條件而連續地形成氮化石夕膜作為絕緣 膜31、形成非晶質矽膜作為活性層32、形成n+型矽膜作為 接觸層33。 其次，如圖8所示，利用光微影照相法在特定位置配置 光阻膜58(58a〜58c)。所謂特定位置，係如如圖8(a)所示， 指閘極配線40與源極配線42之交又部56上、閘極電極“上 102790.doc 1〇 1270979 及電容線46上。 ‘ 又’配置於交叉部56上之光阻膜W與配置於電容線邾 -上之光阻膜58b係形成不接觸。又，在配置於閑極電極η ^之光阻膜58e上’如圖8(b)所示，藉施行半曝光而形成溝 接著，對基板p全面施行蝕刻處理，以除去接觸層33及 活性層32。再施行蝕刻處理，以除去絕緣膜3 。 瞻藉此，如圖9所示，可由配置光阻膜58(58a〜58勹之特定 位置除去接觸層33、活性層32、絕緣膜31。另一方面，在 配置光阻膜58之特定位置，形成絕緣膜31與半導體膜（接 觸層33、活性層32)構成之積層部35。 又’在形成於閘極電極41上之積層部35，由於在光阻膜 58c上藉施行半曝光而形成溝59，故在蝕刻前，可藉再度 顯影而使溝貫通。如圖9(b)所示，對應於溝59之接觸層33 被除去而形成被切斷成2部份之狀態。藉此，在閘極電極 φ 41上形成TFT30作為由活性層32及接觸層33構成之開關元 件0 而，如圖10所示，在基板P全面形成氮化矽膜，作為保 護接觸層33之保護膜60。 如此，積層部3 5之形成即告完成。 (第3步驟） 圖11〜圖13係說明第3步驟之畫素電極45等之形成步驟之 圖。又，圖11(b)〜圖13(b)分別係沿著圖11 (a)〜圖13(a)之A-A’線之剖面圖，圖u⑷〜圖13(c)分別係沿著圖u(a)〜圖 102790.doc -19- 1270979 13(a)之B-B，線之剖面圖。 在第3步驟中，形成源極電極43、汲極電極44、導電層 49及晝素電極45。 源極電極43、汲極電極44、導電層49及晝素電極45例如 均可利用IT〇(Indium Tin Oxide :銦錫氧化物）等之透光性 材料形成。又，此等電極等之形成係與第1步驟同樣地使 用液滴噴出法。 • 首先，以覆蓋閘極配線40及源極配線42等之方式，依據 光微影法形成分隔壁61。即，如圖11所示，形成略格子狀 • 之分隔壁6 1。又，在源極配線42與閘極配線40、及源極配 , 線42與電容線46之交叉部56形成開口部62。 又，開口部62如圖11(b)所示，係以露出形成於閘極電極 41上之積層部35(TFT30)之一部份方式形成。即，分隔壁 61係形成將積層部35(TFT30)向X方向分割成2部份。 作為分隔壁61之材料，例如與分隔壁51同樣地，使用丙 春 烯酸树脂、聚醢亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂等 之高分子材料。又，與分隔壁51同樣地，施以撥液性處 理。 由分隔壁61形成之開口部62係對應於連結被切斷之源極 配線42之導電層49或源極電極43之形成位置。又，分隔壁 61所包圍之區域係對應於畫素電極45及汲極電極料之形成 位置。即，在分隔壁61之開口部62内及被分隔壁61所包圍 ， 之區域配置透明導電性材料，可形成連結被切斷之源極配 線42之導電層49、源極電極43、汲極電極44、畫素電極 102790.doc -20 - 1270979 明導電性材料以外之 45。又，也可在開口部62配置配置透 配置導電性材料。 接著’利用蝕刻處理除去成膜於基μ全面之保蠖膜 6〇。藉此，如圖12所示’除去成膜於未配置分隔壁61之區 域上之保護膜6〇。另外，士 t也除去形成於袼子圖案之配線上 之金屬保護膜47。
接著，制前述液滴喷出裝將透料電性材料喷出 •配置於分隔壁61之開口部62内及被分隔壁61所包圍之區 域内。透明導電性材料係使㈣之導電性微粒子分散於分 散劑之分散液。 而，將透明導電性材料喷出至基板ρ後’為除去分散 媒’可依需要施行烘乾處理、煅燒處理。利用烘乾·烺燒 處理’可確保導電性微粒子間之電性的接觸，將其變換成 導電性膜。 ' 如此’在基板Ρ上’如圖13所示’即可形成連結被切斷 、原極配線42之導電層49、源極電極43、汲極電極、書 素電極4 5。 、“在本貫轭型怨中，雖說明利用液滴噴出法配置透明 導電f生材料之方法’但也可藉由施行處理與钱刻處理 予以配置。此情形，不需要分隔壁61。 左由以上之步驟，即可製成主動矩陣型基板。 如此，由於利用在基板P上形成格子圖案之配線之第1步 驟、形成積層部35之第2步驟、及形成晝素電極45等之第3 步驟製成主動矩陣型基板2()，故可減少組合乾式製程與光 102790.doc 21 1270979 4办钱刻之處理。即’，由於同時形成閘極配線及源極 配線42，妨可、〇> 1 ‘ 』減1次組合乾式製程與光微影蝕刻之處 理。 另外，在第1步驟及第3步驟中，由於利用液滴喷出法在 基板P配置導電性材料，故可進一步減少組合乾式製程與 光微影蝕刻之處理。 又’由於形成於電容線46上之積層部35(絕緣膜31、活 Φ 14層32、接觸層33)係以不與形成於交叉部56上之積層部 35接觸方式被切斷而形成，故可避免流過源極配線u之電 /瓜"丨L入電各線46上之積層部35之麻煩現象。 ' 即’形成積層部35之層中，接觸層33係導電性膜， 而，在交叉部56上之積層部35(接觸層33)上，形成有連 …源極配線42之導電層49。為此，流過源極配線42之電 流也會流入接觸層33。因此，形成於電容線46上之積層 邛3 5與形成於交叉部5 6上之積層部3 5接觸時，如上所 參述，就會發生流過源極配線42之電流流入電容線46上之 積層部3 5之現象。 因此，依據本發明之主動矩陣型基板2〇，可避免此種麻 煩現象，故可發揮希望之性能。 又，在本實施型態中，係說明在交又部56分割源極配線 • 42之铋形，但也可採用在交叉部56分割閘極配線4〇之情 形。 另外，雖說明藉由使形成於電容線46上之積層部乃與形 成於交叉部56上之積層部35不接觸方式，避免流過源極配 102790.doc -22- 1270979 、、友2之電伽_ "丨L入電容線46上之積層部乃之麻煩現象之情 ^仁也可藉由在TFT30之形成時同時除去交叉部56上之 積層部35之接觸層33之方式，避免上述之麻煩現象。 <光電裝置> 其-人，說明使用主動矩陣型基板2 〇之光電裝置之一例之 液晶顯示裝置100。 圖14係液晶顯示裝置1〇〇由相向基板之側所視之平面 • 圖，圖15係沿著圖14之H-H，線之剖面圖。 又，在以下說明所使用之各圖中，為使各層及各構件呈 • 現在圖式上可辨識之大小，依照各層及各構件採用不同之 • 縮尺。 在圖14及圖15中’液晶顯示裝置（光電裝置）1〇〇係利用光 硬化性之封閉材料之密封材料152貼合含主動矩肆型基板 20之TFT陣列基板11〇與相向基板12〇。在此密封材料152所 劃分之區域内，封入•保持液晶150。密封材料152係形成 φ 在基板内之區域中被密閉之框狀，而呈現不具有液晶住入 口’且無被封閉材料封閉之痕跡之構成。 在在、封材料152之形成區域之内側之區域，形成遮光性 材料構成之周邊分隔部153。在密封材料152之外側區域， 沿著TFT陣列基板11〇之一邊形成資料線驅動電路2〇1及安 裝知子202 ’沿著鄰接於此一邊之2邊形成掃描線驅動電路 204 °在TFT陣列基板11〇之剩下之一邊，設有連接設於圖 像顯不區域兩側之掃描線驅動電路2〇4之間用之多數配線
205 °又’在相向基板12〇之角落部之至少1處，配設在TFT 102790.doc •23- 1270979 陣列基板110與相向基板12 0間取得電性導通用之基板間導 通材料2 0 6。 又，為取代在TFT陣列基板11 〇上形成資料線驅動電路 201及掃描線驅動電路204，例如也可將安裝有驅動用[si 之TAB(Tape Automatic Bonding :膠帶自動接合）基板與形 成於TFT陣列基板11 〇周邊部之端子群經由各向異性導電膜 電性或機械性地連接。 I 又’在液晶顯示裝置1 〇 〇中，可依照使用之液晶1 5 〇之種 類，即TN(Twisted Nematic ;扭轉向列）模態、c-TN法、 • VA方式、IPS方式模態等之動作模態或常白模態/常黑模態 之別’在特定方向配置相位差板、偏光板等，但在此省略 其圖示。 又，將液晶顯示裝置1 00構成彩色顯示用之情形，在相 向基板120中，在朝向TFT陣列基板110之後述各晝素電極 之區域，例如與其保護膜同時形成紅（R)、綠（G)、藍⑺）之 0 渡光片。 又，作為使用主動矩陣型基板20之光電裝置，例如可應 用於有機EL(電致發光）顯示裝置。 有機EL顯示裝置具有以陰極與陽極夾著含螢光性之無機 及有機化合物之薄膜之構成，係將電子及電洞（h〇le)注入 鈾述薄膜使其激發而產生激子（exciton)，而利用此激子再 躺合之際釋放光線（螢光•燐光）而發光之元件。 而’在具有TFT30之主動矩陣型基板20上，形成使用於 有機EL顯示元件之螢光性材料中，以呈紅、綠及藍色之各 102790.doc -24- 1270979 發光色之材料即發光層形成材料及形成電洞注入/電子輸 运層之材料作為墨汁，分別將其圖案化而製成自發光全彩 有機EL顯示裝置。 另外，主動矩陣型基板20也可適用於PDP(電漿顯示面 板）及利用對形成於基板上之小面積薄膜通以平行於臈面 之電机而釋放電子之現象之表面傳導型電子釋放元件等。 <電子機器> 兹說明本發明之電子機器之具體例。 圖16(a)係表示手機之一例之立體圖。在圖16(甸中， 係表示手機本體，601係具備有上述實施型態之液晶顯示 裝置100之顯示部。 圖16(b)係表示文書處理機、個人電腦等攜帶型資訊處理 裝置之一例之立體圖。在圖16(b)中，7〇〇係表示資訊處理 裝置，701係表示鍵盤等輸入部，7〇3係表示資訊處理本 體，702係表示具備有上述實施型態之液晶顯示裝置ι〇〇之 顯示部。 圖16(c)係表示電子錶型電子機器之一例之立體圖。在圖 16(c)中，800係表示電子錶本體，8〇1係表示具備有上述實 施型態之液晶顯示裝置1〇〇之顯示部。 、 如此，圖16(a)〜(c)所示之電子機器因具備有上述實施型 態之液晶顯示裝置1〇〇，故可獲得高的品質及性能。 又，本實施型態也可使用於電視或監視器等大型液晶顯 示面板。 又，本實施型態之電子機器雖具備液晶顯示裝置， 102790.doc -25- 1270979 但也可構成具備有機EL顯示裝置、電漿型顯示裝置等其他 之光電裝置之電子機器。 以上，一面參照附圖一面說明本發明之理想之實施型 態’但本發明當然不限定於該例。在上述之例中所示之各 構成構件之諸形狀及組合等僅係一例，在不脫離本發明之 主旨之範圍内，自可依據設計要求等作種種之變更。 【圖式簡單說明】 圖1係主動矩陣型基板之局部放大圖。 圖2係主動矩陣型基板之等效電路圖。 圖3(a)、（b)係表示製造主動矩陣型基板之程序之圖。 圖4(a)、（b)係表示接續在圖3之程序之圖。 圖5係液滴噴出裝置之概略立體圖。 圖6係液滴噴出頭之剖面圖。 圖7(a)、（b)係表示接續在圖4之程序之圖。 圖8(a)〜(C)係表示接續在圖7之程序之圖。 圖9(a)〜（c)係表示接續在圖8之程序之圖。 圖10(a)〜(c)係表示接續在圖9之程序之圖。 圖11(a)〜(c)係表示接續在圖1〇之程序之圖。 圖12(a)〜(c)係表示接續在圖η之程序之圖。 圖13(a)〜(c)係表示接續在圖丨]之程序之圖。 圖14係液晶顯示裝置由相向基板之側所視之平面圖。 圖15係液晶顯示裝置之剖面圖。 圖16⑷〜(C)係表示電子機器之具體例之圖。 圖17係表不以往之主動矩陣型基板之圖。 102790.doc •26- 1270979 【主要元件符號說明】 p 基板 20 主動矩陣型基板 30 TFT(開關元件半導體膜） 3 1 絕緣膜 32 活性層（半導體膜） 33 接觸層（半導體膜） 35 積層部
40 閘極配線 42 源極配線 45 晝素電極 46 電容線 49 導電層 51 分隔壁 56 交叉部 61 分隔壁 100 液晶顯示裝置 600 手機本體（電子機器） 700 資訊處理裝置（電子機器） 800 電子錶本體（電子機器） 102790.doc -27-

Claims (1)

1270%^127958號專利申請案 r -、 中文申清專利範圍替換本(95年6月） f------------^ 十、申請專利範圍： 爹私月和修(更)正替換頁 1· 一種主動矩陣型基板之製造方法，其特徵在於包含 第1步驟，其係在基板上形成第丨方向或第2方向中之 任一方配線在交叉部被切斷之格子圖案之配線者； 第2步驟，其係在前述交叉部及前述配線之一部分上 形成包含絕緣膜與半導體膜之積層部者；及 第3步驟，其係在前述積層部上形成使前述被切斷之 配線電性連接之導電層、及經由前述半導體膜電性連接 I 於前述配線之晝素電極者。 2·如請求項1之主動矩陣型基板之製造方法，其十前述配 - 線係包含源極線、閘極線、及沿著閘極線延伸成略直線 • 狀之電容線；前述源極線係在前述交叉部被切斷者。 3·如請求項1或2之主動矩陣型基板之製造方法，其中前述 第1步驟係包含利用喷墨法配置導電性材料之步驟者。 4.如請求項1或2之主動矩陣型基板之製造方法，其中前述 第2步驟係包含在前述電容線上形成在前述交又部被切 Β 斷之積層部之步驟者。 5·如請求項1或2之主動矩陣型基板之製造方法，其中前述 第2步驟係包含對前述半導體膜施以半曝光處理並形成 開關元件之步驟者。 6·如請求項1或2之主動矩陣型基板之製造方法，其中前述 第3步驟係包含利用喷墨法配置透明導電性材料之步驟 者。 7·如請求項6之主動矩陣型基板之製造方法，其中前述第3 102790-950616.doc - 1 - ,1270979 - 步驟係包含形成將前述透明導電性材料配置於特定位置 用之分隔壁之步驟者。 8· —種主動矩陣型基板，其特徵在於其係利用如請求項i 至7中任一項之製造方法所製造者。 9· 一種光電裝置，其特徵在於包含如請求項8之主動矩陣 型基板者。 種電子機器，其特徵在於包含如請求項9之光電裝置 者。 、 、
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