TWI269943B - Photolithographic parameter feed back system and control method - Google Patents
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Description
1269943 五、發明說明(2) 確保。接下來’籍由一對準光源系(aHgnment light source uni t )40,例如一氦-氖(He-Ne)雷射光源系,以產 生對準光’藉由一透鏡系5 0而投射於該晶圓2 〇上之對準鍵 (alignment mark)30表面上,以藉由回射而產生之例如繞 射反應之繞射光6 0再循由上述之透鏡系5 〇回逕經一濾光器 (f i 11 e r ) 7 0而將繞射光之訊息收集至一光探測器 (detector)80,以便做下一步之對準動作。 對半導體晶圓製造業而言,一般的做法是於執行曝光 程序(將光罩上之圖案微影成像於晶圓上)前,必須經由極 其精密之對準系統以進行對準程序,來確認曝光設備於預 定層或當層(current layer)之最佳補償參數值,一般而 言’於下貨前需藉由測機控片(test or monit〇r wafer) 經曝光後,以疊對量測設備(overlay metr〇1〇gy)來量測 當層光阻與前層(pre layer)之疊對偏移值(〇verlay shift—)諸項數據,經由這些數據來決定疊對之各項補償參 數,藉以決定該回饋(feed back)多少偏移值(〇ffset " value)以補償(compensate)該曝光設備之對準系統來決^ 該曝光製程之最佳對準參數,以便之後的整批、疋 ljt)或數批晶圓藉由此一正確之偏移補償值以進行曝 藉以確保當層(current layer)與前層(或第一層;{卜时 layer)達成精確之對準。除此之外,測機控片亦用來決st 曝j機台所需提供之曝光能量。也就是說,前者確保卷 與^達成精確之對準,後者則在於精準地控制光阻^ 之被距(critical dimension;CD)。 、
1269943 五、發明說明(3) 然而於下貨前須先經由測機控片測得數項疊對補償參 數及曝光能量之程序,如此每次執行之測機控片之後皆須 經酸洗溶液重工(rework)以去除光阻的程序,不僅消耗酸 洗溶液之使用而提高生產成本,也對曝光設備之利用率 (up t i me )不利,對產能及成本控制均造成極大之殺傷 力0 為改善上述問題,於半導體晶圓製造業界大多u π 土 出一套橫向式微影參數回饋系統(horiz〇ntal ph〇t〇 feed back system)加以運用來解決上述問題。如第^圖所示, 當一批晶圓欲執行曝光對準程序前,此微影參數回饋系統 乃搭配自動化程序,將最近前數批(例如三批)已輸入一微 衫參數回饋系統資料庫(PFBS Da t abas e)儲存起來之當層 曝光機台歷史資料(tool history information)的疊對量 測數據以一運算模式(model)得一統計值,該批欲執行曝 光之晶圓則參考此統計值之疊對偏移趨勢以輸出資料而決 定最佳對準參數,然後控制曝光設備以進行曝光。這種回 饋做法的好處,在於不必使用控4,就可以使曝光設備對 =當層之工作表現(疊對量測數據),維持在一定穩定的狀 悲。譬如說,如果之前一拙曰田 批日日固的璺對$測數據有些許偏 移了期望值’以此橫向式料旦彡会机 / ^ ^ 、 八铖衫參數回饋系統的方法,就會 減少€下這一批晶圓的叠對吾:目丨奴祕 曰 ± ^ 且對里測數據往相同的方向之偏移 量。請參閱第2B圖,第洛甘 ,τ 弟β圖為某一曝光機台對於DT層(第 一層)的曝光結果圖。橫細卜沾么^ ^ 口 饿孕由上的母個數字組代表一批晶圓 之批號;右縱軸表示DT層盥恭臨, , ^ ’興刚層(pre layer)之疊對量測
1269943 五、發明說明(4) 殘值(residue),例如一疊對倍率殘值(C — Mag — X(PPM)); 左縱軸表示此DT層疊對倍率偏移預補值 (C-Mag-X(PPCS))。殘值(residue)定義為一經線性補償後 所無法補償除盡之隨意係數(rand〇in factor)。第2B圖中 顯示,對於曝光機台於DT層之基準(baseline)值 —3· 6ppm(中心點)而言,右縱軸之疊對倍率殘值 (C-Mag-X(PPM))因某製程或其他因素影響出現了標註為 A、B、C、D四點突然的凸點(bump )其各自對應不同之四批 晶圓V6C04288 、V6C04292 、V6C04294及V6C04296 ,然而上 述之異常於運用此橫向式微影參數回饋系統下卻仍可得到 橫軸上各批之疊對倍率偏移預補值(c —Mag-X(ppcs))之正 常趨勢。 接著’請參閱第2C圖,第2C圖為某一曝光機台於gc層 對準D T層的曝光結果圖。橫軸上的每個數字組一樣代表一 批晶圓之批號;右縱軸表示G C層對準])τ層之疊對倍率殘 值,左縱軸表示此GC層對準DT層之疊對倍率偏移預補值 (C-Mag-X(PPCS))。需特別注意的是,第2B圖中四個突然 的凸點竟於第2C圖中GC層對準DT層中再度出現。且如2β圖 一樣,上述之突點異常於運用該橫向式微影參數回饋系統 下卻仍可得到橫軸上各批之疊對倍率偏移預補值 (C-Mag-X(PPCS))之正常趨勢,其顯示對於GC層而言,前 層DT層之殘值會直接影響至(^層之殘值,且最重要的是, 橫向式微影參數回饋系統係無法對殘 然而,上述異常之前層殘值卻二;::;機,因為
1269943 五、發明說明(6) 資料對應一預定批,包含至少一前層之曝光後疊對 (overlay)量測數據。該曝光機台歷史資料(t〇〇i history inf ormat ion)包含一製程中之一預定層的至少一曝光後之 疊對(over lay)量測數據,對應一曝光後之一批基材。接 著’依據该批基材歷史資料以及該曝光機台歷史資料,以 數學運算決定該曝光機台於該預定層之補償(〇 f f s e七〇 r compensate)值以控制該曝光機台之曝光參數,並對該預 定批基材進行曝光。 本發明另提供一種微影參數回饋系統,主要包括一資 料庫(database)以及一曝光機台。該資料庫中有一基材歷 史駟料以及一曝光機台歷史資料。該基材歷史資料對應一 預定批基材,並包含至少一前層之曝光後量測數據。該曝 光機台歷史資料(tool history information)包含一製程 中之一預定層的至少一曝光後量測數據,對應一曝光後之 一批基材。該曝光機台,與該曝光機台歷史資料相對應, 用以對該預定批基材進行曝光。該曝光機台之至少一曝光 參數係依據該批歷史資料以及該曝光機台歷史資料而回饋 更新。 本發明之微影參數回饋系統以及控制方法,不只是水 ^或橫向)的考慮曝光機台歷史資料(也就是該曝光機台 j ::的過往表:)’更垂直地考慮了當下要進行曝光之 土材,匕在:θ曝光後之量測數據。所以可以免除因 為别層之量測數據所導致之當層曝光表現問題。 為讓本啦明之上迷和其他目的、特徵、和優點能更明
〇593-A40117twf(nl);92091;YYHSU.ptd 第10頁 1269943 五、發明說明(9) 償而獲致良好之疊針口哲。士 + 1 a 丄 ^ 处从且對σ口負。由此可見,本發明之微影參數 控制方法丄此夠有效的彌補前層的曝光結果之缺失。 3C 0 U ί Ϊ :本發明之微影參數回饋系統。請參閱第 3C圖苐3C圖為本發明之微影參數回饋***。 曝光機台118可以是一步進機(stepper)或一曝光掃描 *。scanner),例如是—Can〇n廠牌(型號es3)之曝光掃 描機台(scanner),利用自動傳輸系統傳輸一批已塗佈光 阻之半導體晶圓載入該曝光機台丨丨a以進行一預定層(或當 層)之曝光。 曝光前需執行對準程序,該對準機制為藉由光罩中設 计之對準鍵(allgnment mark)位置設立座標,利用該座標 對應於欲曝光之晶圓上以決定該批晶圓需補償(〇ffset 〇Γ compensate)之對準偏移向量,進而決定該批晶圓於晶圓 座台系之最佳位置以獲得當層^…^“ layer)光阻圖案 與勒層(口16 layer)對準鍵(alignment mark)之間最佳之 對應位置,然後再進行曝光。 曝光機台11 8之曝光方式係以一雷射發生器通入特定 氣體以進行激發反應(st imul at i 〇n)而產生不同波長之光 子’再經由濾波裝置將特定波長,例如深紫外光(DUV)之 KrF-2 4 8nm或ArF-1 93nm光源以偵測器加以收集而形成所需 之曝光光源,該光源藉由數十個極具精細品質之透鏡 (lens)經反覆多次地聚光及散光步驟將原質之光源傳輸通 過曝光光罩,以投射光罩圖案化的方式照射光阻層而曝光 成像於晶圓表面。 〇593-A401l7twf(nl);92091;YYHSU.ptd 第13頁 1269943 五、發明說明(10) 曝光機台11 8之曝光參數是如何決定的,在此暫時不 解釋,稍後會詳加說明。 之後’已曝光之批晶圓將被傳輸而載入一量測機台, 例如一具白光(broad band)光源之疊對量測機台(〇verlay metrol〇gy)200 進行豐對里測(overlay measurement)。一 般而言,由積體電路之設計規則(design ruie)將依不同 產品及等級(generation)而訂定出該產品之前後各層之間 所需要求之疊對需求(或規格),其中該訂定之規格亦須考 量生產及量測機台之誤差(error)或其製程極限、材料之 製程特性(其包括光阻或感光材料之解析能力、光罩尺寸 之精碟度、曝光光源經過透鏡(lens)及光阻、光罩等介質 而成像於晶圓上之光阻偏移(r e s i s t b i a s)、光罩偏移 (mask bias)再加上I虫刻偏移(etching bias)等因素)及考 慮光學進接效應(proximity effect )等以決定該層之疊對 規格’其最終以達成元件之最佳電性特性為目標。而該疊 對品質之優劣除了晶圓本身之製程因素外,曝光設備中之 對準精準度(alignment accuracy)為決定疊對品質之首 要。置測之目的為獲得當層(current layer)之光阻圖案 與前層(pre layer)對準鍵(alignment mark)之間維持最 佳之對應位置’以便當層與前層間之電路圖案的疊對品質 得以,保。一般做法,基於設計規則(design rule)考 $ ’藉由一套設計出之各層間之對準樹系(al ignment tree)以决疋各S層所應對準之前層對準鍵(alignment mark)後再進行曝光,曝光後之前後層疊對品質有一規
0593-A40117twf(nl);92091;YYHSU.ptd 1269943 五、發明說明(Π) 格’係藉由原先設計於光罩上之各層別之疊對標記 (overlay mark)座標以程式化之方式在疊對量測機台2〇〇 中建立各層別之疊對量測程式,藉以監控曝光機台Z前後 層對準品質。 然後’透過一疊對量測機台端之自動化數據傳輪介面 (equipment automation user interface)S100,例如一 電月®寅訊糸統(C I Μ ) ’將邊批s測所得之一疊對量測齡撼 3〇〇轉換為一筆可由量測機台傳出之數據。且于里則數據 接著,藉由一微影參數回饋系統疊對偏移數據管制軟 體以判讀該筆疊對量測數據30 0是否超出設定之疊對偏移 值(overlay shift ;nm)規格S20 0。若超出上述疊對偏移 規格,表示此疊對量測數據3 0 0所對應之批晶圓的曝光結 果元全不可接受’曝光步驟應該重做,所以此疊對量測數 據3 0 0作廢且此批晶圓以一重工(r e w 〇 r匕)程序§ 3 〇 〇處理。 而且,在此狀況下,也應該呼叫工程師檢驗曝光機台丨i 8 疋否有問題’或是製程有任何異常。 若此疊對量測數據3 0 0無超出規格,表示此批晶圓曝 光結果還可以接受,接著檢查看此疊對量測數據3 〇 〇是否 異常。藉以一微影參數回饋系統疊對殘值數據管制軟體以 判讀該筆疊對量測數據3 0 0中的疊對殘值是否超出設定之 疊對殘值(residue ;ppm)規格S4 00。若無超出規格,表示 此批晶圓曝光結果相當不錯的,則逕行將該筆量測數據 300丟進一數據資料庫(database)400。若超出上述疊對殘 值規格,則表示此疊對量測數據3 0 0雖然可以接受,但是
0593-A40117twf(nl);92091;YYHSU.ptd 第15頁 1269943 五、發明說明(12) 卻有些異常,因此,將該批晶圓之批號(1 〇 t I D )於微影參 數回饋系統中提列出來,並標記為一”異常”批S 5 0 0。而這 個”異常”標記以及疊對量測數據3 〇 〇最後會一起被丟進一 數據資料庫(database)400。 在步驟S 2 0 0決疋此批晶圓曝光結果還可以接受後,此 批晶圓便可以接著進行後續的製程,譬如離子佈值、蝕刻 等。 一批晶圓在歷經後續之製程後,很可能還是要回來進 行另一次的曝光步驟。譬如說,眾所週知的,製程流程 上,M0層在GC層之後,GC層又在DT層之後。以下假定,一 批晶圓X已經依照前面所述的流程,歷經了 Μ層以及層 的曝光以及資料收集步驟,以及相關的蝕刻或是離子佈值 製程’現在進入第3C圖中之曝光機台118,等待進行M〇層 之曝光。曝光參數的決定方法如下。 曰 首先’檢查數據資料庫(database) 40 0中,此批晶圓X =否有異常”標記。如果沒有,表示此批晶圓X在所有的 釗層之曝光結果,不論是DT層還是GC層,都非常的正常。 因此,單純地以一橫向式微影參數回饋系統運算模式 (horizontal PFBS mode)S6〇〇,配合最近數批當層所對應 之曝光機台歷史資料(tool history informati〇nK亦包 含疊對量測機台之誤差)做運算後再傳輸到自動化數據傳 輸介面si 〇〇,來對曝光機台118做回饋補償,決定曝光機 台118的曝光參數。所謂橫向式回饋運算模式是一種參考 批對批Uot to lot)間之疊對誤差,其參考之基準為彡各批
1269943 五 、發明說明(13)
f圓於當層時所對應之機台及當層製程的穩定度。換句話 祝’將前幾批之資料庫所儲存之疊對量測數據歷史資料 入微影參數回饋系統數學模式中運算,運算所得的補償參 數再回饋至曝光設備端對應的參數,以省掉過去測機控^ 所需時間及原物料消耗(例如光阻、HMDs、顯影液等)二以 最近前數批,例如前三批晶圓於當層之疊對量測數據藉= 微影參數回饋系統(PFBS)之運算模式得一統計平均值,9泉 考此統計平均值之疊對偏移趨勢以決定該批晶圓於當芦: ,,曝光對準參數。此橫向式微影參數回饋系統亦1 ‘決 定一最佳曝光量(exposure d〇se)參數以控制 /、 值(CD)。 田《 <倣距 ^異巾以’表不,在某-前層’可能οτ層或是g、 ”中之一,此時的曝光後之疊對量測數據,雖麸、々二 規格,但是有殘值量過大之異常。那麼,==有,出 式(H.+V. PFBS m〇de)S7 00做運算後傳輸到動Τ、〇運异模 輸介面S1 00,再對曝光機台118做回饋補 數據傳 台118的Μ0層曝光參數。綜合運算模式(11 + ’、疋曝光機 S70 0包含了橫向式微影參數回饋系統運算楔PFBS mode) (horizontal PFBS mode)及縱向式微影:數工 模式(vert ical PFBS mode)。 回饋糸統運算 橫向式微影參數回饋系統運瞀禮— 此不再贅述。 連开极式已經解釋過了,在 所謂縱向式回饋運算模式是一錄灸 種參考該抵晶圓X之歷
1269943 五、發明說明(14) 2 L Hi之基準係以當㈣(此例_層)為基準, 收集诸則層卜(Ν-1 )(此例為奵層以及Gc層 值之諸前層,以針對疊對量測數據 據::殘 -曝射單元於X方向之倍率誤差(c_Mag_x)、一 匕括. ) 曝射早兀於Y方向之旋轉誤差 (j-Rot-X))等十項曝光對準參數)做補償。在此,以一運 算式作為例子來表示縱向式微影參數回饋系統。 PPSN(”=g Al(ai”:a 傘 i_l 1 其中PPSn(〕為縱向式微影參數回饋系、统之輸ill值,Ai為常 數項,A為第i層的疊對殘值,两為心在此運算式中的比 重UeUht)。當^之絕對值<ki時(ki為第i層之殘值規 格),則Ai = 0 ’反之,當〜之絕對值&時,則^ = 1。簡單 的來說,A〆表示第丨層之疊對殘值(的絕對值必須 到達Γ Ϊ程Ϊ,第1層的疊對殘值(ai)才會被列入考慮。 2 :個而要考慮的是,縱向式微影參數回饋系統可以僅僅 考慮"異發生之後的層,因為只有"異常"的前層會影響 到當下的這一層。藉此,來加快其資料抓取以及運算速 度。譬如說’ %對於"異常發生之前的層都為G,而"異常 ”發生之後的層都不為〇。在此例子中,如果此晶圓χ_τ 以及®GC都可以不是〇。但
層就被標記為Π異常”,那roDT
1269943 五、發明說明(15) 是,如果此批晶圓X方「Γ成丄 在GC層才被標記為”異常”,則历DT應該 是0而0不是〇 〇 人、w 5二t、向式微影參數回饋系統之輸出值為PPSn(H),綜 p口ρς (二吴/pS7〇〇(簡稱H·+V· PFBS)之輸出ppsn(h+v),可以是 〇 口之曝光苓數,便依據來被更新。 rv二項、疊對數據包括x方向偏移(x_shft)、γ方向偏移 晶圓於χ方向之倍率誤差(w~Mag-χ)、晶圓於γ 方向之仏率誕差(W-Mag-Y)、晶圓於$方向之旋轉誤差 (W-Rot-X)、晶圓於Y方向之旋轉誤差(w_R〇t_Y)、曝射 兀於X方向之倍率誤差(C —Ma χ)、 杳Μ MM Μ 、、 曝射早兀於Υ方向之倍 率誤差(C-Mag-Y)、曝射單元於乂方向之旋轉誤差 (c-R〇t-X)以及曝射單元於¥方向之旋轉誤差(c_R〇t_x)。 2 數據都可以拿來作為縱向式微影參數回饋系統 以及杈向式微影參數回饋系統之輸入資料。 ^如同先前技術所述,習知的微影參數控制技術會發生 則層的異常曝光結果’會導致當層錯誤的曝光結果,也不 正常的影響了當層後續批晶片之#光結果。本發明之微影 參數控制技術,都能夠有效的解決以上的問題。 本發明雖以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定 本發明,任何熟習此項技藝者,在不脫離本發明之精神和 範圍内,當可做些許的更動與潤飾,因此本發明之保镬範
1269943 五、發明說明(16) 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
0593-A40117twf(nl);92091;YYHSU.ptd 第20頁 111·! 1269943 圖式簡單說明 為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂, 下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如 明丨A 日 1 2 說第第 :示 下圖 圖 面 剖 之 統 系 準 對 光 曝 之 知 習 一 為 圖 圖 要 概 法 方 之 統 系 饋 回 數 參 影 微 之 知 習 為 圖 前 對 針 法 無 統 系 饋 回 數 參 影 微 之 知 習 示 顯 圖 C 2 B 2 第 當 、 意 值示 殘性 測關 量相 對之 。 疊據 統 後數 系 。光測 饋 圖曝量 回 意層對 數 示前疊 參 神之層 影 精明當 微 之發及 之 。明本以 明 善發據準 發 改本依基 本 行為為之 進圖圖台 itA B 幾 ί 3 3 J4 殘第第光 之 曝。 層 層圖 為1 圖明: 3C說術 各乾支 οοοοοοοο 身穿才 12345678 符知 t習 系 。 •,源·,·,;器 鍵光系光器測 罩圓準準鏡射光探 光晶對對透繞濾光
0593-A40117twf(nl);92091;YYHSU.ptd 第21頁 1269943 圖式簡單說明 本發明技術: 1 0 0〜晶圓; 102/118〜曝光機台; 1 0 4〜晶圓歷史資料; 1 0 6〜曝光機台歷史資料; 1 0 8〜微影參數回饋系統資料庫; 11 0〜前層曝光後疊對量測殘值; 112〜當層曝光機台之基準; 11 4〜當層對前層疊對量測數據;
S100〜自動化數據傳輸介面; 2 0 0〜疊對量測機台; S2 0 0〜疊對偏移值規格; 3 0 0〜疊對量測數據; S300〜重工程序; 40 0〜數據資料庫; 54 0 0〜疊對殘值規格; 55 0 0〜異常批; 56 0 0〜橫向式PFBS運算模式; 57 0 0〜橫向式+縱向式PFBS綜合運算模式。
0593-A40117twf(nl);92091;YYHSU.ptd 第22頁
Claims (1)
- b號 92136813 _ 1斗年 曰 修正 六、申請專利範圍 1 · 一種微影參數回饋系統,包括 一資料庫(database),包含有 · 一批Got)基材歷史資料(1〇t hist〇ry information),包含至少一前厗 + na Y ^ fT ^ 則層之曝光後量測數據,對應 一預定批基材;以及 一曝光機台歷史資料(t〇cU histQFy information),包含一製程中之一預定層的至少一曝光後 量測數據,對應一曝光後之一批基材;以及 一曝光機台,與該曝光機台歷史資料相對應,以對該 預定批基材進行曝光,該曝光機台之至少一曝光參數係依 據該批基材歷史資料以及該曝光機台歷史資料而回饋更 新。 2·如申請專利範圍第丨項所述之微影參 其中該基材可以是-晶圓、一顯示器基板、_光學元件基 板、一印刷電路板或其他利用曝光製程完成的材料。 3·如申請專利範圍第丨項所述之微影參數回饋系統, 其中該曝光機台係為一步進機(stepper)或—曝光掃描機 (scanner) 〇 4·如申請專利範圍第1項所述之微影參數回饋系統, 該微影參數回饋系統另包含有一量測設備,用以產生該前 層之曝光後量測數據以及該預定層的曝光後量測數據。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之微影參數回饋系統, 其中該量測設備包括一疊對量測設備,以量測該前層以及 該預定層間於曝光後之疊對偏移值。0593-A40117twfl(nl);92091;YYHSU.ptc 第23頁92136813 修正 月 曰 六、申請專利範圍 6 ·如申請專利範圍第4項所述之微影參數回饋系統, 其中該量測設備更包括一微距(CD)量測設備,以量測該預 定層於曝光後之微距值。 7 · —種微影參數控制方法,包括下列步驟: fei、 批(l〇t)基材歷史資料(i〇t history information) ’包含至少一前層之曝光後疊對(〇veriay) 量測數據,對應一預定批; 提供一曝光機台之一曝光機台歷史資料(ΐ〇〇1 histoyy information),包含一製程中之一預定層的至少 一曝光後之疊對(over lay)量測數據,對應一曝光後之一 批基材;以及 依據該批基材歷史資料以及該曝光機台歷史資料,以 數學運异決定該曝光機台於該預定層之補償(〇ffset 〇r compensate)值以控制該曝光機台之曝光參數,以對該預 定批基材進行曝光。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之微影參數控制方法, 其中該基材可以是一晶圓、一顯示器基板、一光學元件基 板、一印刷電路板或其他利用曝光製程完成的材料。 9 ·如申請專利範圍第7項所述之微影參數控制方法, 其中該曝光參數係包含該批基材之基材曝光對準參數。 1 0 ·如申請專利範圍第7項所述之微影參數控制方法, 其中該曝光參數更包含該批基材之曝射單位(sh〇t f i e 1 d)曝光對準參數。第24頁 0593-A40117twfl(nl);92091;YYHSU.ptc 修正 六、申請專利範圍 盆中^晶如對申Λ專童^圍第7項所述之微影參數控制方法‘, (:二 測數據至少包括-χ與γ方向之疊對偏移值 j:由3.:: 專利範圍第7項所述之微影參數控制方法, 厂中δ亥曝先機台係為一步進機(stepper)或一曝光 (scanner)。 饿 1 3.如申請專利範圍第7項所述之微影參數控制方法, 其中該批(lot)基材之歷史資料(1〇t hist〇ry information)係包括該批基材前層之一殘值(residu^, 該殘值Ueddue)係定義為一經線性補償後所無法補償除 趾之P过思係數(r a n d 〇 in f a c t 〇 r)。 、 14·如申請專利範圍第7項所述之微影參數控制方法, 其中依據該批基材歷史資料(1〇ΐ hist〇ry 7對應之疊對量測數據以決定該曝光機台於該預定層應補 償(offset or compensate)之回饋偏移值之數學運算式為 而算出’其中A為第1層的殘值^為第i 層的比重,Ai係以為變數之階梯函數(step f unc t i on) ’當絕對值<k時,Aj = 0 ;當a i絕對值〉k時, A; = 1 〇 、 1 5 ·如申請專利範圍第7項所述之微影參數控制方法, 其中該曝光機台歷史資料(tool history inf〇rmati〇n)係 包含複數批基材之曝光後疊對量測數據。 1 6 · —種微影參數控制方法,包括下列步驟:0593-A40117twfl(nl);92091;YYHSU.ptc 第25頁 imm 92136813 年 月 六、申請專利範圍 提供一批(lot)基材歷史資料(1〇t history ^formation),包含至少一前 曝光後量 一預定批基材; 據,對應 提供一曝光機台之一曝光機台歷史資料(ΐ〇〇ι history informati〇n) ’包含一製程中之一預定芦 一曝光後量測數據’對應一曝光後之一批基材;^及夕 依據該批基材歷史資料以及該曝光機台歷史資 新該曝光機台之至少一暖氺备抖兮 " 曝光。 ^ 曝光芩數,以對忒預疋批基材進行 1 7 ·如申請專利範圍第丨6項所述之微影參數控制方 法,其中該曝光參數係包括該批基材之基材曝光對 及曝射單位(sh〇t neld)曝光對準參數。 、 、1 8 ·如申請專利範圍第1 6項所述之微影參數控制方 法,其中該曝光參數更包括該批基材之曝光量 d 〇 s e)參數° 1 9 ·如申請專利範圍第1 6項所述之微影參數控制方 法,其中該量測數據係為一疊對(〇verlay)量測數據。 2 ◦·如申請專利範圍第1 6項所述之微影參數控制方 法,其中該量測數據更包括一微距(CD)量測數據。 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項所述之微影參數控制方 法,其中該疊對量測數據至少包括一X與γ方向之疊對偏移 值(shift) 〇 2 2 ·如申請專利範圍第1 6項所述之微影參數控制方 法,其中該曝光機台係為一步進機(stepper)或一曝光掃、2 3 .如申請專利範圍第1 6項所述之微影參數控制方 法’其中該批(lot)基材之歷史資料(iot history information)係包括該批基材前層之一殘值(residue), 該殘值(res i due )係定義為一經線性補償後所無法補償除 趾之P返思係數(r a n d 〇 in f a c ΐ 〇 r)。 、 24·如申請專利範圍第1 6項所述之微影參數控制方 法’其中依據該批基材歷史資料(1 〇 t h i s t 〇 r y information)所對應之疊對量測數據以決定該曝光機台於 該預定層應補償(〇f fset 〇r compensate)之回饋偏移值之 數學運算式為£ 而算出,其中A為第土層的 殘值,%為第i層的比重,\係以α i為變數之階梯函數 (step f unct ion),當a絕對值<k時,\ = 〇 ;當h絕對值 〉k 時,Ai = 1。 、 2 5 ·如申請專利範圍第丨6項所述之微影參數控制方 法,其中該曝光機台歷史資料(tool history information)係包括複數批基材之曝光後疊對量測數據。 2 6 ·如申請專利範圍第1 6項所述之微影參數控制方 法,其中,於更新該曝光機台之|少一曝光參數時候,若 該前層之曝光後量測數據少於一特定值,該前層之曝光後 量測數據便不列入考慮。 2 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之微影參數控制方第27頁0593-A40117twfl(nl);92091;YYHSU.ptc 第28頁
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW092136813A TWI269943B (en) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | Photolithographic parameter feed back system and control method |
US10/949,361 US20050154484A1 (en) | 2003-12-25 | 2004-09-27 | Photolithographic parameter feedback system and control method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW092136813A TWI269943B (en) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | Photolithographic parameter feed back system and control method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200521631A TW200521631A (en) | 2005-07-01 |
TWI269943B true TWI269943B (en) | 2007-01-01 |
Family
ID=34738145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092136813A TWI269943B (en) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | Photolithographic parameter feed back system and control method |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050154484A1 (zh) |
TW (1) | TWI269943B (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI281115B (en) * | 2005-01-25 | 2007-05-11 | Promos Technologies Inc | Integration system for managing photolithography tools and the method for operating the same |
US8228538B2 (en) * | 2008-06-23 | 2012-07-24 | Ricoh Company, Ltd. | Performance of a locked print architecture |
US8440475B2 (en) * | 2008-08-01 | 2013-05-14 | Qimonda Ag | Alignment calculation |
US11366397B2 (en) | 2013-07-10 | 2022-06-21 | Qoniac Gmbh | Method and apparatus for simulation of lithography overlay |
US10379447B2 (en) * | 2013-07-10 | 2019-08-13 | Qoniac Gmbh | Method and apparatus for simulation of lithography overlay |
US10642255B2 (en) | 2013-08-30 | 2020-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Component control in semiconductor performance processing with stable product offsets |
CN109426692B (zh) * | 2017-09-04 | 2023-01-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 补偿套刻数据的方法和*** |
WO2021032398A1 (en) | 2019-08-22 | 2021-02-25 | Asml Netherlands B.V. | Method for controlling a lithographic apparatus |
CN112987516B (zh) * | 2019-12-02 | 2023-01-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体光刻工艺的方法 |
CN112180690B (zh) * | 2020-09-30 | 2023-02-03 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 提升器件关键尺寸面内均一性的方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10199784A (ja) * | 1997-01-06 | 1998-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント補正方法及び半導体装置 |
US6405096B1 (en) * | 1999-08-10 | 2002-06-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for run-to-run controlling of overlay registration |
US6674516B2 (en) * | 2002-02-20 | 2004-01-06 | International Business Machines Corporation | Method of photolithographic exposure dose control as a function of resist sensitivity |
-
2003
- 2003-12-25 TW TW092136813A patent/TWI269943B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-09-27 US US10/949,361 patent/US20050154484A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200521631A (en) | 2005-07-01 |
US20050154484A1 (en) | 2005-07-14 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |