TWI265369B - Optical element, lithographic apparatus comprising such optical element and device manufacturing method - Google Patents

Description

1265369 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本啦明係關於一種光學組件’尤其係關於一種包含一個 對具有波長為λ之輻射具有至少部分透射性之層的光學組 件’該光學組件進一步包含一頂層，該頂層包含一具有rms 粗糙值之結構。另外，本發明係關於一種包含該光學組件 之微影裝置。本發明亦係關於一種元件製造方法。 【先前技術】 微影裝置為一將所要之圖案應用於一基板之一目標部分 上的機器。微影裝置可用於（例如）製造積體電路（IC)。在彼 情況下，諸如光罩之圖案化構件可用於產生一對應於1(：之

感材料（抗蝕劑）層之基板（例如矽 晶圓）上的一目標部分（包 含、部分、 、一或多個晶粒）上。一般而言， 單一基板將含有被

:迷度的積體電路，需要能成像較小特徵。儘 則微影投影裝置採用由㈣或準分 f牛及因而更高操 。儘管大多數當 雷射器所產生之紫外 97088.doc 1265369 2 ’但已提議使用較短波長之輻射，例如約13·之波長 、^射。該輻射稱為極端紫外線（EUV)或軟χ射線，且可能 =來源包括(例如)經雷射產生之電襞源、放電電漿源或來自 屯子儲存環之同步輻射。 、Τ些極端紫外線來源（尤其為電漿源）發射出大範圍頻率 的輪射，甚至包括紅外線⑽、可見光、紫外線（υν)及深 紫外線。若不對其加以阻止，則此等非吾人所樂見之頻率 將傳播並引起照射及投影系統之熱量問題，且引起非吾人 所樂見之抗蝕劑曝光；儘管照射及投影系統之多層式鏡面 可經優選以用於反射所要之波長（例如13 nm)，但是其仍為 光學平坦之鏡面且在IR波長、可見光波長&uv波長下具有 很高的反射率。因此’有必要自該來源為投影光束選擇相 對乍的頻<ητ。即使當該來源具有一相對窄之發射譜線，仍 有必要將輻射（尤其是較長波長下之輻射）排斥出彼線。已提 議將一薄膜用作過濾器以執行此功能。然而，該薄膜非常 精密且變得非常熱（200-30(TC或更高），從而導致在微影投 影'裝置内必要之高功率位準中產生高熱應力及破裂、昇華 及氧化。一膜過濾器一般亦吸收至少5 之所要輕射。 EP1197803描述了一微影投影裝置，其中在該微影投影裝 置之輕射系統中使用一格柵光譜過濾器。此格柵光譜過渡 器經設計以用於傳遞所要波長之輻射從而形成一投影光束 且用於偏轉非吾人所要之波長的輻射。該格柵光譜過渡器 大體上由在所要波長下具有接近於整數之複折射率的材料 形成，且包含矽突起（此結構對EUV輻射而言為”不可見”）。 97088.doc 1265369 該等突起具有一層狀鋸齒輪廓或一芦 、 ^ 增狀方波輪廓（分別為 EP1197803之圖3及4)。此外，該箄处 寻、、、口構可具有一可產生1 nm 之rms表面粗糙度的Ru塗層。 【發明内容】 具有該等塗層之該等光學過據器的_缺點為其亦反射大 量所要之輻射，而透射（藉由該等突起）才是吾人所需的。因 此’本發明之-目的係提供具有一個可促進透射（藉由光學 組件之至少-部分）或減少所要波長之反射的層的經改良 之光學組件（如過濾器、透鏡等）。該等光學組件可用於微影 投影裝置以自寬頻帶源選擇Euv輻射及/或排斥非吾人所 樂見之頻率，但其亦可用於其它應用中，例如用於υν或可 見光（VIS)。 因此，本發明之一目的係提供一具有一個層之光學組 件，如光學過濾器、光學格柵、鏡面、透鏡等，該層具有 波長λ為5-20 nm範圍内之入射Euv輻射的經減少之反射。 根據本發明，提供了一光學組件，該光學組件包含·· 個層，其對波長人在5_2〇 nm範圍内之Ευν輻射具有 至少部分透射性，及 -一包含具有rms粗糙值之結構的頂層， 粉徵在於该頂層對波長人在5-2〇 nm範圍内的輻射 具有透射性，且該頂層之結構為以下結構··對於空間週期 荨於或J於λ/2而吕具有等於或大於入/⑺的啦8粗趟值之結 構。 、口 。亥光本、、且件之優點為在該光學組件表面尤其是在該透射 97088.doc 1265369 性頂層上之輕射（例如以某一入射角投影）的反射由於存在 具有一結構之此透射性頂層而得以減少。因此，更多輻射 可透射穿過該光學組件之透射性頂層及/或（部分）透射性層 (參見例如 E· Spiller 的 Soft Ray Optics，Spie Optical Engineering Press， US, 1994, ISBN 0-8194-1655_x)。以此方式，更多輻射到達該光 學組件’且因此該光學組件可（例如）提供一經優選之過濾器 功能。 在另一實施例中，提供了根據本發明之光學組件，其中 透射性頂層之結構對於空間週期大於λ/2且等於或小於1 μΠ1而吕具有一等於或小於λ之rms粗糙值。在又一實施例 中’提供了-光學組件，其中至少部分透射性層包含一具 有、、’σ構之層，该結構對於空間週期大於約χ/2且等於或小 於約1 μηι而言具有等於或大於λ/5〇且等於或小於人之仰3粗 糙值，更佳為對於空間週期大於約等於或小於約_ 而言具有等於或大於λ/5〇且等於或小於約λ/2之薦粗糙值 的結構。 在一實》施例中’該透射性頂層包含一種對於波長入在 〇 nm範圍内之輻射具有相對低的折射率虛數部分的材 料’例如對於EUV應用而言，該透射性頂層包含__種選自 Be、B、C、Si、P、s、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr γ ζΓ、

Nb、Mo、Ru、Rh、 至夕種的材料。所有此等元素對於euv輻射具有一 :於約刚nm之衰減長度。亦可選擇材料之組合，如¥ ，等纟肖定貫施例中，本發明係針對一種根據本發 97088.doc 1265369 :月之光學二件，其中該透射性頂層包含選自由如、 卜”、—組成之群的_或多種材料。之 材料可不同於該透射性頂層之材 :、、、、而，其亦可相同。 在m施例中，本發明包含-光學組件，…透 射性頂層包含至少Ru。使㈣之-優點為在氧化方面I可 比（例如）叫目對更穩m方式，可由包含該結構之相對 穩定的透射性頂層來引人子波長㈣度。該透射性頂層亦 提供對該（部分）光學組件之保護，例如以免被氧化。在一變 體中’本發明係針對—光學組件，其中該透射性頂層及★亥 結構包含Ru。在EP 1197㈣中，該Ru層僅可提供保護但在 EP 1 197803中此Ru層之存在亦可增強反射。對比Ep 1 19 7 8 0 3 ’包含根據本發明之結構的透射性頂層既可保護反 射又可減少反射（如EP 1 197803中’其可另外藉由該保護性 層產生）。僅次於Ru之其它材料為Au、Rh、Ir、Ag、C；等， 其可被選擇用於本發明之透射性頂層，且其可提供一相對 化學惰性層。 在另一實施例中，該結構（具有等於或大於 I值）具有寺於或小於λ/2(例如λ/5或更小）之空間週期。冬 该結構之空間週期在λ/2以下時，反射損耗則”轉變”為透射 增益。對於約13.5 nm之EUV輻射而言，空間週期可為（例如） 約6 nm或更小、5 nm或更小、2.5 nm或更小、2 nm或更小， 或等於或小於約1 run。在另一實施例中，該透射性頂層可 為此層：其中rms值約為λ/5或更大、或λ/2或更大、或λ或更 大、或2 * λ或更大，例如約2 nm或更大、2 · 5 nm或更大、5 nm 97088.doc -9- 1265369 或、更大、6 nm或更大、10 t ϋ nm或更大，或約13·5 nm或更大（對 於約 13 · 5 nHi之 EUV亲宫 j. 早田射而§ )或甚至更大，例如對於上面所 ^及之專於或小於λ/2的允p弓、田符。γ & 的玉間週期而言為20或50 nm。對於 EUV應用而言，可獲得_粗糙值在“與約5〇之間（例如 2-2〇_)的良好結果。此外，對於等於或小於^(例如在約 1〇_2·5 nm(上限值（λ/2))與約1〇_4脑（下限值^/5》之間的 二間週期而吕，可選擇在約15與約5〇 nm之間的此⑽s粗糙 值。 在又一實施例中，該頂層結構為對於等於或小於約λ/2之 空間週期而言具有等於或大於約人/1〇及等於或大於約4*λ 之rms粗糙值的結構。在一較佳實施例中，該頂層之結構為 對於等於或小於約λ/2及等於或大於約\/5之空間週期而言 具有等於或大於約λ/10及等於或大於約4*λ之rms粗糙值的 結構。 在再一實施例中，提供了一包含具有一結構之頂層的光 學組件，該結構具有 •對於等於或小於約χ/2及等於或大於約λ/5之空間週期 而言，rms粗糙值等於或大於約λ/10及等於或小於約 4*λ ;及 •對於大於約λ/2及等於或小於約1 μηι之空間週期而 吕’ rms粗链值等於或大於約λ/50及等於或小於約入。 可藉由為熟習此項技術者所熟知之技術（如（光學）散射技 術、STM、AFM、干涉量測等）來判定空間週期及rms粗糙 值0 97088.doc -10 - 1265369 在一貝施例中，根據本發明之透 ^ ^ 迷射丨生頂層包含一具有高 建、力10 nm，或高達約2〇 nm(例 、、、勺1〇-20 nm)之層厚度的 '在一特定實_巾，本發㈣針對—光學㈣，盆中該 ^少部分透射性層（此為其上存在本發明之透射性頂層之 、曰）具有帶有某粗縫度之結構的表面。此透射性層可為（例如） 透鏡，可為一鏡面（如包含該至少部分透射性層（如編層）之 掠入射鏡面）上之層或可為箱片等。通常將該等透射性層或 反射性層進行拋光或另外表面加工，使得可獲得某（最大） 粗縫度。例如’可應用具有一部分透射性層（具有一大體上 平坦之表面)的光學組件，其中該部分透射性層之大體上平 坦的表s包含一具有等於或小於入之删粗链*之結構的表 面。該mS粗糙度亦可等於或小於約λ/2或等於或小於約 λ’5。在此大體上平坦表面之頂部上存在包含根據本發明之 結構的透射性頂層。 在一特定實施例中，本發明之光學組件亦可包含一具有 透射性突起之層，例如在一反射鏡面之情況下，其具i一 鏡面反射表面，該表面包含對波長λ在5-20 nm範圍内之 EUV輻射具有透射性的一或多個突起。可將具有該結構之 根據本發明的透射性頂層呈現於彼等突起之上、該等突起 之間的層或表面上或突起及突起之間的層或表面上。由於 存在此透射性頂層，因此波長；I在5-20 nm範圍内之較少轄 射被反射’且更多輻射（例如）藉由該等透射性突起而被導引 至該光學組件。 97088.doc 1265369 在另-實施例中’本發明係針對—光學組件，其中該光 學組件包含-具有-鏡面反射表面之鏡面，其中該鏡面反 射表面包含對波長λ在5-2〇 nm||圍内之刪輻射具有透 射性的-或多個突起，且其中該鏡面反射表面之至少一部 分進-步包含含有該結構之透射性頂層。該光學組件可根 據歐洲專射請案第㈣77155號，㈣在此以引用的方式 倂入本文中。纟此實施例之一變體中，轉明係針對一光 干突起，該等突起含 、Ca、Sc、Br、Rb、

學組件，其中該鏡面反射表面包含若 有一種選自 Be、B、C、Si、P、S、K

Ag、Ba、La、Ce、Pr、Pa

Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、 及U中之至少一者的材料。 在此實施例之另一變體中，本發明係針對一光學組件， 其中該鏡面反射表面包含含有選自Be、B、C、p、s、K、

Ca、Sc、Br、Rb、Sr、γ、Zr、Nb、M〇、Ru、Rh ' Ag、

Ba、La、^^則中之至少一者的第一材料的一或 多、個第-突起，及選自Be、B、c、Si、p、s、K、。、sc、

Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、M〇、Ru、灿、Ag、以、^、 Ce Pr Pa及U中之至少—者的第二材料的—或多個第二突 起’且其中忒第一及該第二材料並不相同。在此等第一及， 或第二突起上呈現根據本發明之透射性頂層。 在另-實施例中，本發明係針對—具有至少一表面之光 學組件’該表面包含—具有高度差之輪廓，藉此提供具有 預定最大高度差之腔室及高地，纟中根據歐洲專利申請案 弟0307785G號，該光學組件進__步包含在該光學組件之腔 97088.doc -12- 1265369 室内及高地上的一大體上平坦之透射性層，其中該案在此 以引用的方式倂入本文甲，且其中該光學組件進一步包含 含有根據本發明之結構的透射性頂層（例如在該大體上平 坦之透射性層上）。 根據本發明之另一態樣，提供了一包含根據本發明之一 或多個光學組件的微影裝置。該微影裝置可包含·· -一用於供應輻射之一投影光束的輻射系統； _ 一用於支撐圖案化構件之支撐結構，該圖案化構件用 以根據一所要之圖案用來圖案化該投影光束，· -一用來固持一基板之基板台； -一用於將該經圖案化之光束投影至該基板之一目標部 分上的投影系統；及根據本發明之一或多個光學組件。 在本發明之另一態樣中，本發明係針對一元件製造方 法，其中使用了本發明之光學組件。該方法可（例如）包含以 下步驟： -提供一基板； 使用一照明系統提供輻射之一投影光束； •使用圖案化構件以賦予該投影光束在其橫截面中一 案； -將該經圖案化之輻射光束投影至該基板之一目標部分 上，且 其根據本發明 -提供根據本發明之一或多個光學組件。 根據本發明之又一態樣，提供了一元件， 之方法或使用根據本發明之裝置製造而成。 97088.doc -13 - 1265369 在本發明之内容中，”光學組件，，包含選自由光學過濾 器、光學格柵、鏡面及透鏡組成之群中的一或多個。該等 光學組件可平坦或彎曲且可呈現為層、箱片、元件等。例 如’對於預定波長λ在5-20 nm範圍内之輻射而言，其可為 閃耀式或經優選之光學組件。其可對波長為λ2Ευν輻射具 有透射性（例如在透鏡情況下），或具反射性（例如在鏡面情 況下），或具繞射性（例如在格栅情況下）。一些光學組件可 長:i、或夕種此專光學效應；參見（例如）歐洲專利申請案第 03077155及歐洲專利申請案第〇3〇7785〇。本發明之光學組 件至少包含一部分透射性層及一包含一結構之透射性頂 層。如熟習此項技術者將清楚，該光學組件亦可包含其它 層、特徵、構件等。此等層亦可在部分透射性層及一透射 性頂層之間。 本文中之”透射性的”或”大體上透射性的”意指穿過一透 射性層（例如，EUV透射性層）之透射大於〇，較佳（例如）為 至少30%、或至少50%、至少7〇%、至少8〇%，（例如）至少 90%或至少95%，更佳至少98%。或者，透射性亦可意指穿 過透射性層或（例如，穿過一透射性突起）等的衰減小於約 l/e(0.368)。在本文中，如熟習此項技術者將清楚，將衰減 長度界定為其中透射率已被減至1/e之值的長度。 本文中之”未被吸收”或”大體上未被吸收”意指輻射之吸 收小於100%，較佳小於（例如）70%，或小於50%，或小於 3 0%，小於20%，（例如）小於1〇%或小於5%，更佳小於。 如熟習此項技術者將清楚，”透射性，，以及”未被吸收，，不僅 97088.doc •14- 1265369 取決於材料的透射或吸收，而且取決於其它因素（如，舉例 而言’層厚度）。例如’歸因於包含根據本發明之結構的透 射性層可相對薄的事實，具有相對較小之透射性的材料如 Ru、Au等亦可使用（此處，為相對於Euv輻射的透射性）。 ，，非吾人所要之輻射"或"非吾人所要之波長"係指具有波 長大於（或小於）意欲使用之波長的輻射。例如，當具有約 13.5 nm之波長的輻射是吾人所要之輻射時，具有小於約 10 nm或大於約20 nmi波長的輻射則並非為吾人所要之輻 射。如熟習此項技術者將清楚，此意指短語"具有波長入在 5-20 nm範圍内之輻射"並不意欲受限至具有無限小二頻 寬的輻射。可將光學組件設計用於一特定波長人或一範圍之 波長。亦可在不同波長下使用光學組件（例如，歸因於二級 效應等）。 在本發明之内容中，將”結構"界定為可呈現於一層上或 -表面上之結構，或可將其視為提供高度差之表面。該結 構可包合經任意排序之高度差（任意結構）或經排序之高度 差（例如，5亥專尚度差之一或兩個空間排序）。 在本發明之内容中，將"任意結構"界定為可呈現在一層 上或-表面上之結構，或可將其視為一表面，且其不包含 「規則圖案或不包含一想要之規則圖案或輪廊。例如，在 表面加工(如拋光)後，可發現某規則性，但此規則性可 =非有,¾。與彼形成對比，在格柵之情況下，形成格拇 兩郭之突起具有一有意規則圖案。一任意結構可⑽如）藉由 沉積濺錢或另外在-表面上沉積某一尺寸（例如2、5或1〇議 97088.doc -15- 1265369 直徑）的結構而獲得。此 么士媸夕展介丨思我的方式出現。包含一任意 、·。構之層亦可(例如)藉由沉積 分濺鍍掉而獲得Q 積自層且隨後將該層之-部 關於”層"，本發明描 了/、有一或多個邊界面與其它層 及/或與如真空之其它 馆鮮本私σ , 瓶（使用中）的層。然而，如熟習此 項技術者所已知，”層" 亦可指示諸多声,々構之一部分。術語"層" 的。人9。此寺層可互相相鄰或位於彼此頂部上 荨，、可匕έ 一種材料或材料夕一彡人 飞材枓之一組合。”層”可為連續或 不連績層。例如，亦可脾 兀了將表面上之突起視為分離層或視為 對於根據本發明之E U V輻射具有至少部 分透射性的層可包含φ 4 大之，如（舉例而言）圖4_11中所示。 士本發明之”透射性頂層”包含該結構，但亦可基本上由此 ^構組成。本發明之透射性頂層可為（例如）突起上或透射性 曰上之分離層’但亦可為該光學組件之至少部分透射性層 :π刀。本發明之透射性頂層的至少一部分包含根 發明之結構。 在本發明中，該光學組件之"至少部分透射性層”為對波 長λ在5-20 nm範圍内之所要輻射具有（大體上）透射性的 層。本文中，，部分地"描述了該層不必具有完全透射性（例如 在邊界處）的事實。如熟習此項技術者將已知，此層之透射 將取決於（例如）輕射之波長及㈣光束之人射角。此亦意指 :層可具反射性及透射性。其次，取決於(例如)波長、心 光束之入射角及此層可能之排序(如，舉例而言—格栅)，該 層亦可具有折射效應。然而，如熟習此項技術者將清楚f 97088.doc -16 - 1265369 :應用根據本發明之光學組件時，將就具有波長九在 *圍内之輻射而主要使用此等光學效應中之一效應，藉此 亚不排斥其匕效應之可能使用及/或在除λ外之其它波長 、本文中至J部分透射性層，，可包含（有序）突起、在突起 上及/或在突起之間的層、透鏡或透鏡上之層等。 本^月中，冑主現於鏡面反射表面之”突起”界定為自 該鏡面反射表面延伸之結構，其可包含一種選自㈣心

Si、P、s、KmBr、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、

Ru、Rh、Ag、、τ 八 ^ La、Ce、Pr、中之至少一者的材 2此等大起可（例如）經由微影技術製造而成。在該技術 ’將上表面拋光至—非常良好之表面粗糙度，且凹槽蝕 〆有由光阻圖案界疋之焊盤。以此方式得到了某輪廓，例 々層狀方塊或層狀鋸齒。亦可藉由使用金剛石工具將(第 材料層劃線（刻一條線）來提供該輪廓。 鏡：反射表面上之此等突起可具有-層狀鋸齒輪 π八4等大起具有以層狀排列在—（鏡面反射）表面上之 «輪廓。該輪廓可排列形成—（閃耀式）m格柵，其具有 =之：行線(層狀鋸齒突起)。該等突起亦可具有層狀方 波輪廓，其中該等突起具有以層狀排列在一（鏡面反射）表面 =之正方形或長方形結構。該輪廓可排列形成—⑴格拇， /、具有某數目之平行線（層狀方波突起）。 亦可在2方向上週期性地排列該等突起。例如，該等 2魏週期性地構造之鑛齒輪廓，其中該等突起可（例如） 一方向上具有鑛齒輪廉之立方體或長方形，且其可被 97088.doc -17- 1265369

k W也排歹J如棋盤。該輪廓可排列形成(閃耀式)2〇格 柵’其具有某數目之週期性排列的結構（週期性鑛齒突起）。 在2方向上週期性排列輪琬 — 、 #勺另一貫施例為具有經週期性 構w之方波輪廓的結構’其中該等突起可⑼如)為被週期性 排列（如棋盤）的立方體或長方形。該輪廓可排列形成（閃耀 式）D；M冊其具有某數目之週期性排列的立方體或長方形 (週期性方波突起)。當使用該等2D輪廓時，該等突起排列 在一類㈣狀突起（獨立式週期性鋸齒突起）或塊狀突起（獨 立式週期性方波突起；同時為立方體或長方形）的塊狀結構 内，如热習此項技術者所已知。（例如US6469827或E. t 〇ptlcs，第二版，第 430 頁（第 1〇·2·7 段））。 在本發明中，稱突起為"第一”或”第二”突起僅是一種表明 不同材料之不同突起的方法。此等術語並不暗含某一次序。

此等突起或高地形成了”輪廓”，例如有規則的輪廊（如格 柵)、且在該等光學組件之表面上提供了，，腔室'相對於相鄰 區域較深之區域）’且可將其視為突起或高地（相對於相鄰區 域車乂兩之區域）之間的區域（2D所說明之區域）。通常，該等 大起平坦且具有相等高度；該等腔室通常亦平坦且具有相 2深度（因而通常等於該等突起之高度）。此意指該等突起之 阿度為一預定最大高度差。倘若該等突起及腔室不平坦， ^ °亥等腔室底部（表面）與該等高地頂部（表面）之間的最大 巧度差為預定最大高度。一般而言：高地（頂部表面）與腔室 (底邛表面）之間的最大高度差可得以判定且為”預定之最大 97088.doc -18- 1265369 在本發明之内容中，"第一高度，，意指該等腔室中之高 度’其可在向該等光學組件之腔室内及高地上提供了透射 性層後但在表面加工前獲得。歸因於隨後之表面加工程 序’第一高度被減少使得在腔室中獲得了大於預定最大高 度差的高度。此外，術語”第二高度”係指在高地上的透射 性層（例如’EUV透射性層）之高度，其在進行了表面加工（例 如，拋光）後獲得。 本文中’’大體上為零”意指該等突起或高地上之層的高度 (第二高度）可在表面加工方法之實際限制内減少至大體上 為零’例如幾奈米或更少。在對該透射性層進行表面加工 之丽，該等腔室中之透射性層具有第一高度。當表面加工 (例如拋光或虫刻）時，該透射性層之高度減少，且因此第一 南度亦減少，使得在進行表面加工後所獲得之高地上的第 二南度大體上為零或更大。當該透射性層之高度減少直至 咼地上之鬲度（第二高度）大體上為零時，第一高度亦減少， 從而導致腔室内出現”大體上等於”預定最大高度差之最終 高度。當該腔室内之層高度大體上等於預定最大高度差 枯’在此等咼度之間可存在（例如）幾奈米或更少的差異。 本文令短語”腔室内及高地上之大體上平坦的表面，，描述 了以下情形·一大體上連續之透射性層呈現於（至少部分的） 該光學組件上，藉此在該等腔室内及該等高地上提供了該 層。 在本發明中，"材料，，亦可解釋為材料之組合。短語"選自

Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、 97088.doc -19- 1265369

Nb Mo Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、&、、如 ^及。 中之至/者的材料，在本文中亦可包括包含—或多種此 等元素之材料’如氮切帥4、氮化卿N、氮化約Ca3N2 專’如將為此項技術者所瞭解。 儘b本文4寸疋參考了微影裝置在製造工匸中的用途，但是 應該清楚地明白’本文所描述之微影裝置可具有其它應 用’諸如製造積體光學系統、磁域記憶體之導引及谓測圖 案、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等等。熟f此項技術者將 瞭解，於該等替代應用之内容中，應將本文之術語"晶圓" 或''晶粒”的任何用途看作分別與更一般之術語"基板”或"目 標部分”同義。本文所指之基板可在曝光前或曝光後於（例 如）一執跡（通常將一抗蝕劑層塗覆至一基板並顯影該已曝 光之抗蝕劑的工具)中或-度量或檢測工*中加以處理。在 可應用日夺，本文的冑示内容可應用於該等或其它基板處理 工具另外’可不止一次地來處理基板（例如）以便創建一多 層式1C，使得本文所使用之術語基板亦係指一已含有多個 經處理之層的基板。 本文所用之術語”輕射”及，，光束”涵蓋了所有類型之電磁 幸田射包括备、外（UV)^射（如，波長九為365、248、193、157 或126 nm)及極端紫外線（EUV)輻射（如，波長在5_2〇 nm之 範圍内），以及諸如離子束或電子束之粒子束。在本文中， 短語”在5-20 nm之範圍内，，係指波長在5-2〇 nm之至少一部 分之間的輪射。熟習此項技術者將瞭解，本發明亦可用於 具有在EUV内之波長的輻射或在此範圍之外的軟χ射線，例 97088.doc -20- 1265369 如約1 nm或25 nm，且屬於申請專利範圍。 本文所用之術語"圖案化構件"應廣泛解釋為係指可用於 賦予-投影光束在其橫截面中一圖案以便在該基板之一目 標部分中創建-圖案之構件。應注意，賦予該投影光束之 圖案可能並不確切對應於該基板之目標部分中所要的圖 案。-般而言，賦予該投影光束之圖案將對應於正在該目 標部分中創建之元件中的—特定功能層，諸如—積體電路。 圖案化構件以透射型或反射型。圖案化構件之實例包 括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化lcd面板。光罩在 微影技術中已為吾人所熟知，且包括諸如二進位型、六互 相移型及衰減相移型的光罩類型，以及各種混合光：類 型。可程式化鏡面陣列之一實例採用小鏡面之矩陣配置，、 其鏡面均可獨立傾斜，以便在不同方向上反射一 入射光束；以此方式，圖案化反射光束。 支樓結構切該圖案化構件（意即，承受圖案化構件的重 幻。其以取決於該圖案化構件之定向、微影裝置之 其它條件（諸如，舉㈣言該·化構錢Μ 壤境内)之方式來固持該圖案化構件。支撐可使用機械： 位、真空或其它箱位技術，例如真空條 ，"貧 該支撐結構可為(例如)-框架或台，其視需要可 移動且其可保證該圖案化構件(例如 於一所要的位置。本文中術語"主光罩"或"光罩=4而處 可認為與更-般之術語，,圖案_#^ 壬何使用 本文所用之術語丨丨投影李 心系、，充應廣泛地解釋為涵蓋如適合 97088.doc -21 1265369 於（例如）所使用之曝光輻射或適合於諸如使用浸沒液體或 使用真空之其它因素的各種類型之投影系統，包括折射光 學系統、反射光學系統及反射折射混合光學系統。本文中 術語π透鏡”的任何用途可認為與更一般之術語”投影系統，， 同義。 照明系統亦可涵蓋各種類型之光學部件，包括用以導 引、成形或控制輻射之投影光束的折射、反射及反射折射 混合光學部件，且下文中亦可將該等部件集體或單獨稱 為π透鏡’’。 該微影裝置可為具有兩個（雙平臺）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上光罩台）的類型。在該等”多平臺”機器 中’可並行使用該等額外台，或者預備步驟可在一或多個 臺上進行，同時將一或多個其它台用於曝光。 該微影裝置之類型亦可為其中基板之至少一部分可被具 有相對高折射率的液體（例如水）所覆蓋以便填充投影系統 與基板之間的空間。浸沒液體亦可應用於微影裝置内的其 它空間，例如光罩與投影系統之間。將浸沒技術用於增加 投影系統之數值孔徑在此項技術中已為吾人所熟知。如本 文所用之術語，，浸沒”並非意指必須將一結構（諸如一基板） 淹沒於液體中，而僅意指在曝光期間將液體置於投影系統 與基板之間。 【實施方式】 實施例1 在此實施例中，首先概括地描述微影裝置而非描述粗链 97088.doc -22- 1265369 表面之某些特徵，且其後，概括地描述一具有透射性突起 之鏡面’其具有一包含根據本發明之結構的透射性頂層。 一般微影裝置 圖1不意性地描繪了根據本發明之一特定實施例的微影 裝置。該裝置包括： -一照明系統（照明器）IL，其用以提供輻射（例如，UV或 EUV輻射）之一投影光束pB ; 第一支撐結構（例如，一光罩台）MT，其用以支撐圖案 化構件（例如’一光罩）Μα且連接至用以相對於物件精確 疋位该圖案化構件之第一定位構件PM ; -一基板台（例如，一晶圓臺）WT，其用以固持一基板（例 士 塗復有抗餘劑之晶圓）W且連接至用以相對於物件pl 精確定位該基板之第二定位構件pW ;及 -一投影系統（例如，一反射性投影透鏡，其用以將 藉由圖案化構件MA而賦予該投影光束PB之圖案成像於基 板W之一目標部分c(例如，包括一或多個晶粒）上。 如此處所描繪，該裝置屬於反射類型（例如，採用如上文 所才曰之類型的反射型光罩或可程式化鏡面陣列）。或者，該 I置可屬於透射類型（例如，採用透射型光罩）。 照明器IL自輻射源S0接收一輻射光束。該輻射源及該微 影裝置可為分開之實體，例如當該輻射源為一電漿放電源 時。在該等狀況下，並不認為該輻射源形成了該微影裝置 之一部分，且該輻射光束通常借助於包括（例如）合適之收集 鏡面及/或光譜純度過濾器的輻射收集器而自輻射源s〇傳 97088.doc -23- 1265369 遞至照明器IL。在其它狀況下，該輻射源可為該裝置之組 成邛刀，例如當該輻射源為一汞燈時。可將輻射源S〇及照 明益IL稱為輻射系統。 …、明為IL可包括用以調節光束之角強度分佈的調節構 件。一般而言’可調節照明器之瞳孔平面中的強度分佈之 至少外部及/或内部徑向範圍（一般分別稱為σ外部及〇内 邠）。该照明器提供了一調整過的輻射光束，將該輻射光束 稱為投影光束ΡΒ，其在其橫截面中具有所要的均勻度及強 度分佈。 才又影光束ΡΒ入射於光罩ΜΑ上，該光罩ΜΑ被固持於光罩 台ΜΤ上。該投影光束ΡΒ經光罩ΜΑ反射後，其穿過透鏡pL， 该透鏡PL將該光束聚焦於基板w之目標部分c上。借助於第 二定位構件PW及位置傳感器iF2(例如，一干涉量測元件）， 可精確移動基板台WT，（例如）以便在光束PB之路徑中定位 不同目標部分C。類似地，例如，在自光罩庫機械擷取之後 或在掃描過程中，第一定位構件pM及位置傳感器IF丨可用 於相對於光束PB之路徑來精確定位光罩ΜΑ。一般而言，可 "ί曰助於一長衝程模組（粗定位）及一短衝程模組（精定位）實 現載物台ΜΤ及WT之移動，該等衝程模組形成了定位構件 ΡΜ及PW之一部分。然而，在步進器之狀況下（與掃描儀相 對）’光罩台ΜΤ可僅連接至短衝程致動器，或者可被固定。 可使用光罩對準標記Μ卜M2及基板對準標記Pi、Ρ2來對準 光罩MA及基板W。 所描繪之裝置可在以下較佳模式中使用： 97088.doc -24- 1265369 1·步進模式中，使光罩台ΜΤ及基板台WT保持基本上靜 止，同日$將賦予投影光束之整個圖案一次性（意即：單次靜 悲曝光）投影至目標部分C上。接著在X及/或γ方向上移動基 板台WT使得一不同目標部分c可被曝光。在步進模式中， 曝光場之最大尺寸限制了以單次靜態曝光成像的目標部分 c之尺寸。 2·掃描模式中，同步掃描光罩台MT及基板台WT，同時 將賦予該投影光束之一圖案投影至一目標部分c上（意即， 單次動態曝光）。基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向 可由投影系統PL之放大率（縮小率）及影像反轉特徵判定。 在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制了以單次動態曝光 之目標部分的寬度（在非掃描方向上），而掃描運動之長度判 定了目標部分之高度（在掃描方向上）。 3·在另一模式中，使光罩台MT保持基本上靜止從而固持 一可程式化之圖案化構件，且在將賦予投影光束之一圖案 投影至一目標部分C上時移動或掃描基板台WT。在此模式 中，通常採用一經脈動之輻射源，且掃描過程中可在基板 uWT之每一運動之後或相繼輻射脈衝之間根據需要更新 忒可程式化之圖案化設備。可不難將此運作模式應用於無 光罩微影，其利用可程式化之圖案化構件，諸如如上文所 指之類型的可程式化鏡面陣列。 亦可抓用對上述有用之模式的組合及/或變體或有用之 完全不同的模式。 圖2更詳細地展示了投影裝置1，其包含輻射系統42、照 97088.doc -25- 1265369 明光于單το 44及投影光學系統pL。該輻射系統42包含可藉 由放包私漿形成之輻射源SO。EUV輻射可藉由諸如Xe氣體 或Li療/飞之氣體或蒸汽而得以產生，其中產生了很熱的電 水以叙出在電磁波譜之Euv範圍内的輻射。藉由使經部分 離子化之玫％電漿壓縮至光軸〇上而產生很熱的電漿。需要 例如10 Pa之Xe或u蒸汽或任何其它合適之氣體或蒸汽的 ^刀壓力以用於有效地產生輻射。輻射源SO所發出之輻射 經由氣障結構或污染物收集器49自源腔室47傳遞至收集腔 至 Λ氣卩早結構49包含諸如（例如）詳細描述於歐洲專利申 請案ΕΡ_Α-1_057 079及ΕΡ_Α_1223468中之通道結構，該等 申请案在此以引用的方式倂入本文中。

收集腔室48包含輻射收集器50，其可藉由掠入射收集器 而开/成收集裔50所傳遞之輻射被反射出格柵光譜過濾器 51以使其焦於收集腔室48中的孔徑處之虛源點w内。自 收集腔至48，投影光束56在照明光學單元料中經由正入射 反射器53、54而被反射至定位於主光罩或光罩台MT上之主 光罩或光罩。形成了圖案化光束57,其在投影光學系統pL 中經由反射性組件58、59而成像於晶圓平臺或基板台WT 上除所示組件之外的更多組件通常可呈現於照明光學單 元44及投影系統pl中。 幸田射收集器50已自先前技術熟知。可用於本發明之輻射 收集器的一貫例（例如）描述於專利申請案Epi3946i2中。（尤 其見圖3、4及5)。 粗链表面之特徵 97088.doc -26 - 1265369 現已概括地描述了一微影裝置，對表面粗糙度作了一些 記錄。 一粗糙表面通常包含一結構，藉此提供了一高度輪廓。 此結構包含較小結構，藉此提供了高度差。該表面之高度 輪廓可藉由此項技術中所已知之技術而被特徵化。該高度 輪廓可界定為局部高度相對於該輪廓之平均高度的差異。 由於可任意定位粗糙表面上之結構，所以無必要界定經全 面詳細說明的高度輪廓，意即無必要知道每一位置處之輪 廓的高度。用以描述該結構之關鍵特徵 此:對該表面上的一組特徵長度而言，一組合;的子= 該高度之均方根（rms)粗糙值。此在圖3中得以說明，其中描 繪了-粗縫表面輪靡（不規則彎曲粗線）之示意性橫截面。在 此圖中’繪出了粗糙表面輪廓中所包含的5個正弦函數。該 輪廓中之結構表現為被任意排序。清楚的是長波長正弦在 此輪廓中仍佔優勢。 與该波長成比 圖3中，選擇該等正弦函數之相對振幅使其 例。表1總結了此等相對數： 表1 :圖3中之正弦波的波長及振幅： 空間週期ΤίΐΓί~ 振幅（a.u.) 100 '— 1 50 0.5 25 ' 0.25 12.5 '~ 0.125 6.25 0.0625 97088.doc -27- 1265369 忍决。圖3之結構可重複若干週期，藉此提供一種具有根據 本發明之所要rms粗糙度的規則結構。 圖J中之輪廓可因此以表1所給定的5組數字（該輪廓之傅 立葉分析）為特徵。注意，在此情況下，表1之數字完全界 疋了圖3之輪廓。一般而言，情況並非如此，因為需要多於 (例如）5個波長以用於分解。作為該波長之函數的正弦波之 振幅在文獻中稱為”功率譜密度”。該波長亦稱為，，空間週 " 另 吊用術語為”空間頻率”，此頻率在該空間週期上 為1。粗糙表面之結構或高度輪廓的傅立葉分析提供了該高 度輪廓的功率譜密度。 該等正弦波的振幅連同其空間週期足以表徵該結構之高 度輪廓。因此，為表徵此結構之高度輪廓，吾人將其分解 為一組具有經適當選擇之空間週期的正弦波。然後該等對 應振幅表徵該結構。在文獻中，通常使用該正弦波之均方 根（rms)值，意即么心乘以該波之振幅來表徵粗糙度。 該粗糙度之空間週期（意即該波長）為光學部件之一重要 量。對於（例如）EUV鏡面而言，具有小於i 111虻1(意即空間 週期大於1 mm)之空間頻率的粗糙度可導致如解析度及失 真之影像品質的問題。中度空間頻率粗糙度（1_1〇3 mm-1， 意即空間週期在i μηι與i mm之間）導致閃光，且高空間頻率 粗糙度，意即空間週期大於i μπι)似乎會導致反 射損耗。因此，粗糙度之物理效應很大程度上取決於該粗 糙度之空間頻率。注意，對實表面而言，在空間週期範圍 内來表徵或指定該粗糙度，因為單一空間週期不能描述粗 97088.doc -28- 1265369 糙度之全部效應。此亦意指並非使用單一正弦波而是使用 具有某一範圍（界限）内之空間週期的正弦波之疊加來計算 rms 值。 本發明係基於以下事實··具有非常精細粗糙度之表面， w即具有小於該入射光波長之約一半的空間週期（波長）可 不產生或產生較少的散射光，且反射率之損失可藉由透射 之增加來（部分地）補償。 例如，當用於EUV微影技術中時，光波長可為13 5nm。 因此’該粗糙度之空間週期可低於約6.7511111。為使大約所 有的光透射過該結構，需要顯著的rms.糖度。例如，在 結構上以15度之入射角、8 nm之rms粗輪度導致了大約36% 之反射損耗，意即可透射多於約36%之入射光（亦參見實施 例6)。較高粗糙度可導致更高之透射。具有大於約6 75 之二間週期的粗植度將導致更多散射，且因此導致所要幸昌 射的更多損失。 具有透射性突起之鏡面具有一包含根據本發明之結構的透 射性頂層 圖2之一或多個鏡面（例如在圖2之位置11上之光學過演 器）可為一光學組件，如圖4a所描繪，其包含一鏡面或光學 過濾器300，且具有一鏡面反射表面或反射層RL，其中該鏡 面反射表面包含對波長λ在5-20 nm範圍内之EUV輻射具有 (大體上）透射性的一或多個突起301(亦參見歐洲專利申請 案第03077155號），且其中該鏡面反射表面進一步包含含有 根據本發明之結構RS的透射性頂層TL。 97088.doc -29- 1265369 該光學過濾器或鏡面300可（例如）具有一突起輪廓，該突 起輪廓具有層狀方波輪廓（圖4a)、層狀鋸齒結構（如圖4b)或 一種層狀非對稱雙側鋸齒輪廓（如圖4c)等。 圖4a示意性地展示了 一光學過濾器或鏡面30〇，其具有_ 反射性層或鏡面反射表面RL，其中此表面具有一種層狀方 波'輪廓。此方波輪廓由突起301 (G，凹槽；L，焊盤）形成， 该專突起301具有（例如）500-5000 nm之間之值的週期或間 距P、高度h(例如12_20 nm)。在規則排列之突起3〇 1上（表面 340上），發現了透明頂層tl，且在此層上或在此層内或作 為該層TL之一部分具有一任意排列之結構rs。包含於結構 RS中之該等結構之間的距離hd，及其高度及直徑可在透明 層TL及光學過濾器或鏡面300之突起3〇1上變化（比較圖3所 展示之結構）’藉此提供具有結構RS之透射性頂層TL。 在此實施例中，結構RS對於等於或小於人/2(對於eUV輻 射而言’為約（例如）6.75 nm或更小）之空間週期而言可具有 等於或大於λ/1〇(約1.5 nm)之rms粗糙值。然而，該空間週 期亦可更小，例如3或1 nm，且rms值可為（例如）約5或1〇 nm。 一般而言，對此等空間週期而言之較高rms值會導致更好的 結果，因為表面處之反射損耗（在恆定波長及在相同輻射入 射角下）伴隨增加之均方根粗糙度而減少。 舉例而言，此展示於圖4a及4b中。具有使用鏡面3〇〇之入 射角α的投影光束PB傳播穿過包含結構RS之透射性頂層 TL、到達鏡面反射表面RL且以角度(3被反射回。注意，在 該圖式中未考慮可能之繞射或折射。角度以可比此圖中所描 97088.doc -30- 1265369 緣之角度更小或更大。角度α可等於角度β，但亦可不同， 其取決於RS、TL、突起301及鏡面300上之媒體之材料的折 射率。 在突起之表面處可反射投影光束ΡΒ之輻射的一部分，其 猎由反射光束PBr來展不。歸因於具有根據本發明之結構rs 的透射性頂層TL之存在，此反射PBr得以有利地減到最小且 具有所要波長λ在5-20 nm範圍内之投影光束PB得更多轄射 到達反射性層RL。倘若具有根據本發明之結構!^的此頂層 TL不存在，則具有所要波長λ之更多輻射可被反射，從而 導致能量損失。以此方式，可更有效地反射所要之輻射， 而具有非吾人所要之波長的輻射則可被突起3〇1吸收、折射 及/或繞射。因此，藉由提供具有根據本發明之結構Rs之此 透射性頂層TL，可提供更好的光學過濾器。當根據本發明 之結構RS不存在時，更多輻射亦可被反射，例如被不具有 根據本發明之該結構的透射性及/或保護性層TL反射，如 (例如）EP 1197803中之情況。 在圖4a中’在突起301之直立側上或突起3〇1之間的表面 RL上未描繪包含結構rs之透明層或頂部塗層。圖外中在 角度ba之相對側面上亦未完成此任務。然而，如圖所展 示，此實施例之此等變體亦包含此等側面或表面包含根據 本發明之透明頂層TL的情形（如圖4c所示）。儘管如此，此 等側面或表面亦不必要包含結構RS。 舉例而言，可藉由CVD處理來提供該透射性頂層。在創 建了一平滑頂層TL後（例如約2.5nm)，可進行CVD處理，緊 97088.doc -31 - 1265369 接著進行較大粒子（例如約5-10 nm)之"粗"沉積，藉此在該 透射性頂層内或其上創建結構RS。在CVD處理之此等兩個 步驟期間所使用的材料可不同，但亦可相同。離子濺鍍改 變了層之粗糙度的事實在文獻中已熟知。此外，濺鍍沉積 及蒸鐘沉積技術導致產生一樣品之某一粗糙度，此取決於 沉積設定。取決於所需之粗糙度，亦可使用層之拋光，可 選擇拋光材料（具有粒子之流體）之顆粒。使用（例如）光學方 法，可評價所得之粗糙度。在進行了此沉積後，可視情況 應用第二CVD處理以在具有結構rs之透射性頂層TL上形 成一薄層（圖4a-c中未描繪）。此層可包含與透射性層tl及/ 或結構RS相同之材料。例如，在一變體中，透射性層丁乙及 結構RS包含RU，且在另一變體中，由第一及第二CVD處理 所提供之透射性層TL包含Si且結構RS包含Si。 在此實施例及其變體中，具有一表面（具有等於或小於入 之rms粗糙值（例如，拋光後）之結構）的至少部分透射性層為 突起301及其表面340。在該等突起之側面上（自至少部分透 射性層延伸，在圖4a-c之反射性層RL中），且當在該等突起 之間的反射性層RL表面上可應用時，亦可呈現凹槽G、透 明頂層TL(參見上文）。 在圖4a-c(及5及6)中將結構rs描緣為具有相同尺寸之 球。然而，該結構可具有不同粒子尺寸、形狀等，例如自 約〇、交化至20 nm的尺寸分佈，例如約卜1〇 nm(如2或5 。 該透射性頂層可具有高達約2〇(例如約卜1〇)之層厚度。 在實施例7中，描述了對具有突起301之鏡面300(非本發 97088.doc -32 - 1265369 明之目標)的-些變體’其獨立於包含根據本發明之結構rs 的透射性頂層TL。 實施例2 此實施例描述了具有至少一表面之光學組件，該至少一 表面包含一具同度差之輪廓，藉此提供了具有預定最大高 度差之腔至及冋地，其中根據歐洲專利申請案第〇3〇7785〇 唬，該光學組件包含在該光學組件之腔室内及高地上的一 大體上平坦之透射性層，且其t該光學組件進一步包含含 有根據本發明之結構的透射性頂層。 第一，概括地描述了此實施例（獨立於根據本發明之透射 性頂層TL)，且隨後討論此頂層TL及其功能。 將此貫施例中之具有格栅結構的鏡面描述為Ευν光學組 件’但此貫施例並不限於EUV應用。 具有格柵結構之鏡面具有一大體而言平坦之透射性層 舉例而言，將此實施例示意性地描繪於圖5中，其中鏡面 300展示具有突起301，其中該等突起形成了層狀方波輪 廓。該等突起具有週期p、長度38〇及高度5〇2。高度5〇2為 預疋最大咼度（因為所有突起3 〇1均具有相同高度）。參考符 號L係指知盤且參考符號g係指”凹槽”。該等突起3 〇 1包含 (例如）EUV吸附劑（如〇或TaN)或Si/Mo多層。然而，亦可使 用可產生相位差之透射性材料如Zr。該等突起3〇1具有高度 502且該等腔室或凹槽G可根據本發明填充有euv透射性層 504以具有高度506。由參考符號5〇7來指示該等高地或突起 301上之EUV透射性層的高度（第二高度）。 97088.doc -33- 1265369 可（例如）由如Si之EUV透射性材料的化學氣相沉積來提 供如圖5所示之EUV透射性層504。在於該等腔室内及該等 高地上提供了此層後，拋光該EUV透射性層使得獲得了在 該等高地或突起301上具有高度507或在該等腔室或凹槽G 上具有高度506的EUV透射性層。 本文中，該至少部分透射性層（具有一帶有一結構之表面） 為此EUV透射性層504(例如在表面加工後）。此層之粗糙度 (例如在表面加工後）可具有等於或小於λ(例如λ/2)或等於 或小於λ/5之rms粗糙值。 根據圖5之鏡面可（例如）用作格柵，其中該格柵用於選擇 所要之波長，且該EUV透射性層一方面提供一易於清洗之 保護性層，且另一方面藉由透射EUV輻射並吸收（部分）非 EUV輻射來提供光學過濾器功能。EUV透射性層504可包含 一種選自 Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、 Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Pa及U 中之至少一者的材料。EUV透射性層504亦可包含兩種或兩 種以上此等材料之組合。熟習此項技術者可為EUV透射性 層'504及突起301選擇適當之材料。 在一替代實施例中，EUV透射性層504包含一種具有接近 於整數之複折射率的材料（如Si)。藉由為EUV透射性層504 選擇該材料，無必要重新設計該格柵，因為對於EUV輻射 而言，EUV透射性層504是不可見的（亦參見上文）。投影光 束PB之EUV輻射可大體上不受干擾地傳播穿過EUV透射性 層504，因為此層可大體上透射EUV輻射，且在Si之情況下 97088.doc -34- 1265369 亦可具有接近於整數之複折射率。此可（舉例而言）在圖5中 展、不’其中投影光束PB之射線rl傳播穿過EUV透射性層且 在鏡面300處被反射成射線^中，但未被折射。在選擇具有 不接近於整數之複折射率的材料或材料之組合的情況下， 射線rl及r2可被折射，此可意指必須使用一經重新設計之格 柵結構。 圖5描述了一具有格柵結構之鏡面，該格柵結構具有一層 狀方波輪廓。然而，此實施例可或者關於具有鋸齒輪廓之 鏡面具有一 EUV透射性層以及具有該EUV透射性層之2D格 柵’如熟習此項技術者將瞭解。 圖5所展示之格柵’或其它包含於此實施例之格柵可（例 如）呈現為圖2中之微影投影裝置之位置53、54、57或58上 的鏡面。 具有一格柵結構之鏡面具有一平坦透射性層且具有一包含 根據本發明之結構的透射性頂層 現在已描述了具有一格栅之鏡面具有一大體而言平坦之 透射性層後，描述包含在該光學組件頂部上之結構RS的透 射性頂層。 在该平坦透射性層504頂部，圖5展示了根據本發明之透 射性頂層TL。本文中，該透射性頂層丁乙包含結構尺8。具有 射線r 1之投影光束PB傳播穿過包含結構rs之透射性頂層 TL且在鏡面300處被反射成射線〇。當具有結構尺8之透射性 頂層TL不存在時，投影光束pB之射線^可在表面34〇處（在 該光學組件及平坦透射性層504之表面上的氣氛（在EUV情 97088.doc -35- 1265369 況下通书為真玉）之介面）被部分反射，而不進入該透射性層 504。現在，歸因於具有根據本發明之結構的透射性頂層 TL的存在，反射得以減少且圖5之光學組件可更好地提供其 過濾器功能(光學過濾非吾人所要之波長，而支持在“Ο· 耗'圍内之所要波長；1)。當根據本發明之結構rs不存在時， 更多輻射亦可被反射，例如被不具該結構RS之透射性及/ 或保護性層TL反射。尤其此實施例藉由拋光提供了創建結 構RS之可能性（參見上文）。 實施例3 根據I /州專利申请案第〇3077850號，此實施例將一閃耀 式格柵描述為一鏡面，其具有一鏡面反射表面、一相對於 該鏡面反射表面傾斜之傾斜多層式堆疊（例如，具有相對於 該鏡面反射表面傾斜之複數個傾斜多層式堆疊）及一在此 堆疊頂部上之EUV透射性層。該鏡面提供了包含一具有高 度差之輪廓的至少一表面，藉此提供具有預定最大高度差 之腔室及高地，其中該光學組件包含一在該光學組件之腔 室中及高地上的大體上平坦的透射性層。首先，概括地描 述了此實施例（獨立於根據本發明之透射性頂層），且隨後討 論此頂層及其功能。 在此實施例中將作為一具有一傾斜多層式堆疊及一在此 堆疊頂部上之E U V透射性層的鏡面之閃耀式格柵描述為 EUV光學組件，但此實施例並不限於euv應用。 大體而言具有一傾斜多層式堆疊及一在此堆疊頂部上之 EUV透射性層的鏡面 97088.doc -36 - 1265369 此實施例將一閃耀式格柵描述為一鏡面，其具有—傾斜 多層式堆疊及一在此堆疊頂部上之EUV透射性層，參見圖 6。该等傾斜多層式鏡面（不具有該EUV透射性層）及其生產 已自此項技術已知，參考（例如）Seely等人Applied 〇ptics 40，第 31卷，第 5565 頁（2001)。 在此圖中，該多層式表面為傾斜表面，且可創建多個層 之一類傾斜堆疊結構，其具有多個層之突起3〇1(例如，如 此項技術中已知之Si及Mo多個層）、具有週期？及閃耀角 ba。突起301之傾斜多層式堆疊可呈現（例如）在一基板或固 持器310上。多個層之突起或高地3〇1形成了具有變化高度 的高地。因此，突起之最大高度由高地頂部311來指示。此 外，存在腔室或凹槽G。本文中，腔室G與突起3〇1之頂部 3 11之間的高度差為高度502(預定最大高度差）。 在腔室G及突起或高地301上，存在Euv透射性層5〇4。此 EUV透射性層5〇4的高度（自高地頂部311計算所得）由參考 符號507指示，或為自腔室或凹槽〇之底部計算所得的高度 506 〇 若需要，則可存在額外層3 12，例如以提供一額外保護或 一額外光學過濾器功能。此額外層312不僅可應用於此實施 例中，而且亦可應用於先前實施例中。該層可（例如）包含 Ru 〇 舉例而言，藉由化學氣相沉積可提供（例如）Si2Euv透射 性層504，藉此提供一具有大於5〇2之高度的Euv透射性層 504，其後進行表面加工（例如拋光）程序。以此方式，提供 97088.doc -37- 1265369 了 一多層式鏡面，其可反射EUV輻射，且其可偏轉、反射 及/或吸收非EUV輻射。例如，為具有投影光束pB之Euv波 長（例如13.5 mm，所要之輻射）之輻射的射線rl不受干擾或 大體上不受干擾地傳播穿過任選層3 12&Eljv透射性層 504，且在該傾斜多層式堆疊的突起3〇1上被反射成射線 r2。熟習此項技術者考慮到來自投影光束pB之輻射可被格 栅（圖6未描繪）繞射可選擇該投影光束到達此傾斜多層式表 面的入射角及/或角度ba，藉此判定射線。被反射的方向。 具有除EUV波長之外之波長的輻射（例如VIS或IR)在任 選層312的表面處被反射（此反射未圖示），或在該Euv透射 性層504之表面處被反射。此藉由參考符號r3展示於圖6 中，其將可在EUV透射性層5〇4之表面處被反射的具有非 EUV波長之射線描述為射線r4。 部分或全部輻射亦可透射穿過任選層312、或透射穿過 EUV透射性層504或透射過兩者。然而，歸因於介面之兩側 上的材料（包括有空）的折射率之差異，為具有一非Euv波長 之投影光束PB的射線的（射線r5)被折射。歸因於此折射， 射線r5及r6(射線r5在多層式堆疊之突起3〇1處被反射）如圖 6所示被折射。 因為EUV透射性層5〇4對具有謂波長之轄射具有透射 性，但對具有非EUV波長之韓射則大體上不具有透射性， 所以具有非EUV波長之輕射的_部分亦可被吸收。由於反 射折射及吸收，在具有Euv波長⑹之輕射被反射（圖6之 πϋ圖式中未考慮繞射）的方向上具有非EUV波長之轄 97088.doc -38- 1265369 射得以減少。以此方式，獲得了具有一大體上平坦之表面 的光學過濾器，其具有易清洗之優點及為EUV輻射（例如 mm)提供了一光學過濾器之優點。 熟習此項技術者將瞭解，通常（其亦可應用於實施例2)， ' 若存在一範圍之預定农大咼度差之情況下，則該預定最大 高度差502可為最深腔室與最高高地或突起3〇1之間的高度 差502。此外，熟習此項技術者將瞭解，在該情況下，將通 吊相對於最高高地或突起3〇1(之頂部311)來界定該等高地 上大於零（表面加工後）之EUV透射性層的層高度5〇7，藉此 _ 在該等突起及腔室上提供一平坦EUV透射性層。 · 冰習此項技術者亦將能夠將本發明應用於彎曲之光學組 件，該等光學組件具有一輪廓，該輪廓具有在曲面上之高 度差’如曲面鏡或具有格柵結構之曲面鏡，藉此可考慮到 該透射性層將通常具有相同曲率。 具有一傾斜多層式堆疊及一在此堆疊頂部上之EUV透射性 層且具有一包含根據本發明之結構的透射性頂層的鏡面 現在在大體而言已概括地描述了具有一傾斜多層式堆疊 及一在此堆疊頂部上之EUV透射性層後，描述包含該光學 組件頂部上之結構RS的透射性頂層。 本文中，圖6展示了 一變體，其中該透射性頂層tl緣於層 312之頂部上。然而，層312亦可不存在，使得該透射性頂 層TL位於平坦之透射性層504的頂部上（如圖5中），意即在 透射性層504之表面340上。在此實施例之另一變體中，在 提供了具有結構RS之此層後（例如，藉由表面加工技術或 CVD技術等），層312亦可用作透射性頂層tL。此實施例亦 97088.doc •39· 1265369 提供了藉由拋光創建結構RS之可能性（參見上文）。 在平坦之透射性層504上，圖6展示了根據本發明之透射 性頂層TL。在本文中，該透射性頂層T]L包含結構RS。具有 射線rl之投影光束PB傳播穿過包含結構RS之透射性頂層 TL且在鏡面300處被反射（及/或折射；此圖中未考慮）成r2。 當具有結構RS之透射性頂層TL不存在時，投影光束pb之射 線Π可在該光學組件及層312之表面上的氣氛之介面處被 反射’而不是進入透射性層504。現在，歸因於具有根據本 發明之結構RS的透射性頂層tl的存在，反射得以減少且圖 6之光學組件可更好地提供其過濾器功能（光學過濾非吾人 所要之波長而支持所要波長λ )。此外，歸因於該結構之存 在，更少之輻射亦可在透射性層TL處被反射。 實施例4 實施例4(未描繪）描述了實施例2或3之光學組件，除了已 藉由（例如）表面加工技術（例如，熟習此項技術者所已知之 拋光、蝕刻等技術）來處理透射性層504之表面340使得形成 結構RS之外。以此方式，透射性層504包含透射性頂層TL 及根據本發明之結構RS。 實施例5 實施例5(未描繪）描述了實施例2、3或4之光學組件，除 了已選擇材料之一特定組合外：透射性層504大體上包含Si 且具有結構RS之透射性頂層TL大體上包含Ru。 實施例6 此實施例描述了根據本發明之頂層的反射及透射的依賴 97088.doc -40- 1265369 性’該頂層具有8 nm之rms粗糙值且對於13.5 nm之EUV輻 射而言具有等於或小於λ/2的空間週期（作為兩種不同材料 之入射角的函數）。 表2 :根據本發明之頂層的反射及透射之實例 入射角 材料 反射 透射 10 Ru 0.62 0.26 15 Ru 0.45 0.36 20 Ru 0.27 0.43 5 Au 0.5 10.33 10 「Au 0.23 0.44 15 Au 0.09 0.43 當該空間週期大於約λ/2時，獲得更少之透射。 '例如，假定rms粗糙值為約8 nm且具有波長為13·5 nm之 幸田射的輻射光束照射至具有根據本發明之結構且粗糙 值為約8mn的表面，反射將為約45%。若粗糙值為8加^ 且空間週期等於或小於人/2，則透射為約36%且散射（任意方 向上之反射）可忽略。然而，當rms粗糙值為8 nm且空間週 ’月大於λ/2但小於約！ μιη時，透射可忽略且％%被散射。因

此，歸因於根據本發明之結構，本發明提供了透射增益。 實施例7 I 此實施例並未描述包含根據本發明之結構RS的透射性 層TL，但描述了鏡面（非本發明之目標）的一些特定變體 其包含根據實施例!之此透射性頂層TWb等變體係關於I 洲專利中請㈣_77155號之實施例，該案在此以引用 方式倂人本文中。可在實施例7中所描述的表面上或鏡面 表面的-部分上、過濾、器及/或格栅上提供包含根據根據 發明之結構RS的透射性層TL，藉此提供此層對鏡面、㈤ 97088.doc -41· 1265369 裔及/或格拇之優點。

實施例7，變體A 圖7展示了本發明之鏡面的一實施例，其中展示了 一種層 狀鋸齒輪廓，且其中該等突起具有週期P、長度380、高度h 及角度ba。圖8描繪了具有一突起輪廓的另一實施例，該突 起輪廓具有層狀方波輪廓，其中該等突起具有週期p、長度 380、高度h。參考符號乙係指”焊盤”且參考符號G係指，，凹槽”。 該等突起排列於鏡面300之鏡面反射表面上。

該鏡面或包含該鏡面之裝置的優點為：當（例如）在某一 角度下鏡面300反射EUV輻射時，以此角度僅反射所要之 EUV輻射，而非吾人所要之輻射（例如IR輻射）則被上面所提 及之材料吸收及/或以其它方向偏轉或折射。舉例而言，此 «兑月於圖8中。具有入射角α之投影光束pB碰撞突起Lp 1 (層 狀犬起1)之表面。一部分光可被反射（未圖示）且一部分光或 所有光可進入該突起。由於該突起對Ευν輻射具有透射 性，所以此輻射可傳播而未被吸收或大體上未被吸收，而 具有非吾人所要之波長的輻射如UV或IR則大體上被吸 收。該光束可進一步傳播至下一突起（第二突起），該突起表 不為層狀突起LP2。到達此突起LP2之（左）表面後，一部分 幸田射可再-人被反射（未圖示），且一部分輻射將傳播穿過突起 LP2。此突起LP2亦可區分EUV輻射與具有其它波長之輻 射。當投影光束PB達到鏡面300(例如，多層式鏡面）之表面 的位置305處日守，以角度冷（在鏡面3 〇〇之表面上進行鏡面反 射之if況下，卢可為α )反射投影光束pB。該投影光束pB 97088.doc -42- 1265369 可進一步傳播穿過突起LP2及LP3。以此方式，該投影光束 PB可在被本發明之鏡面反射後而非在入射至該鏡面上之前 包含更咼的EUV/非EUV輻射比率。相對於投影光束pB之傳 播圖8中所說明之内容亦可應用於圖7，其中使用了層狀鋸 齒輪廓，而不是如圖8中之可形成層狀方波輪廓的層狀突 起。 注思圖7及8(及後面的圖9及11)中並未描繪投影光束pB 之折射。藉由使用閃耀式或經優選之格柵可進一步改良上 面所提及之比率。具有上面所提及之突起的鏡面即使當其 (例如）在UV波長下經優選或被閃耀時仍能阻擋非吾人所要 之波長（如IR)，但可透射EUV輻射，因為Be、B、C、Si、P、 S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、γ、Zr、Nb、Mo、RU、Rh、

Ag、Ba、La、Ce、Pr、pa&U#EUV輻射具有大體上透射 性，但對除EUV輻射之外的具有其它波長之輻射則不具有 大體上透射性。其次，包括Si之所有此等材料對於13.5 具有長於100 nm之吸收長度。該等突起亦可包含材料之組 合，如BW或SiC。此實施例之鏡面300上的突起主要呈現為 對EUV輻射具有透射性之光學過濾器及對該投影光束pB之 EUV輻射具有大體上透射性的可能之格柵或繞射結構。然 而，歸因於當EUV輻射進入並離開該突起時折射率之差 異，可存在投影光束PB之EUV輻射的一些繞射損失。

實施例7，變體B 在另一變體中，以此方式排列該等突起使得包含Euv輻 射且具有〇與90°之間的入射角的投影光束之euv輻射的一 97088.doc -43- 1265369 ，分僅通過—個突起，參見圖9,或該投影光束PB之大體上 每部分僅通過一個突起。 構造該輪廓（在（例如）約13.5 nm或其它EUV波長下’其可 為繞射或經優選的輪廓），使得包含於輻射光束附之i要 輻射僅通過該輪叙—個週期p，且在鏡面或鏡面表面3〇〇 波長，如uv、vis及ir)的反射。可選擇該等突起之長度38〇 及高度h、該等突起排列之週期p以及人射角α，使得投影光 束ΡΒ僅通過一個突起。 在（例如）位置305處被反射。該投影光束PB與鏡面鳩之入 射角由參考符说α指示，而該投影光束pB與—突起之側表 面的入射㈣4示為A。人射角（可保持小以使投影光束 PB的反射降到最低。並且，該等輪扉之上表面可成角度（如 在閃耀式格柵中），使得將在與所要之輕射不同的方向上導 引犬赵表面上的非吾人所要之輻射（例如具有高於之 糟由使用一金剛石工具進行劃線（刻一條線）可產生鏡面 上之輪廓。藉由離子姓刻正弦結構亦可I生該輪廊。使用 微影技術、隨後進行離子蝕刻在掠入射鏡面上產生一方塊 輪廓亦為一可行之選擇。以如圖9所展示之輪廓作為一實 例；其它輪廓亦可行，其限制條件為EUV輻射大體上不被 吸收（意即大體上透射），且Euv輻射之繞射較小（例如少於 約30%之EUV輻射被繞射）。 圖9藉由實例展示了一層狀方波輪廓。然而，此實施例亦 包含該組態，其中使用一層狀鋸齒輪廓，或其中使用一週 期性結構化之鋸齒輪廓或週期性結構化之方波輪廓。 97088.doc -44 - 1265369 在使用—層狀鑛齒輪廓之情況下，可選擇該等突起之長 度380及南度h、該等突起所排列之週期p及角度^以及入射 角、α，使得投影光束PB僅通過一個突起。 相似地，此可應用於週期性結構化之輪廊、然而在該實 施例中，該週期P包含兩個週期，因為形成了 結構。 此實施例亦可包含一輪廓，其中該等突起具有小於週期P 之一半的長度380(其展示於圖9中以用於經層狀排列之方 波輪廓，但此亦可適於鋸齒輪廓及2D輪廓）。

實施例7，變體C 在上文之變體中，概括地描述了一微影裝置，且描述了 包含一或多個突起之鏡面，該（該等）突起包含一種選自 Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、γ、心、

Mo Ru、处、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Pa及 U 中之至 少一者的材料。在實施例4中，描述了包含含有兩種或兩種 、 门材料之至少2個不同突起的鏡面，其將參考圖1〇 及11來解釋。 在此實施例中’呈現了鏡面300,其包含含有選自Be、b、 S K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、 h 八§、Ba、La、Ce、Pr、Pa及U中之至少一者的第 材料ml的—或多個第一突起LPla及LPlb，及包含含有選 自 Be、B、r、〇·

Si、p、s、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、 △、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、pa及 u 中之 至乂 者的第二材料m2的一或多個第二突起，且其中該第 一及該第二材料不同，例如Si及Mo、Mo及Zr、C及Si、Be 97088.doc -45- 1265369 及Zr等。在另一實例中，mi為Be或zr，且m2為Si3N4或Si02。 當需要時，除ml及m2之外的更多材料及/或除第一及第二 突起之外的更多突起可應用於鏡面3 00上。 在圖10中，更詳細地展示了此實施例之一組態。其描繪 了在鏡面300上之層狀鋸齒輪廓。對比圖7所展示之鋸齒輪 廓'，此處之層狀鋸齒輪廓包含兩種材料之結構。該結構具 有南度hi’且包含第一材料ml之第一突起Lpia(具有閃耀角 ba2及咼度hi)及第二材料m2之第二突起LPlb(具有高度h2 及角ba3)。（兩種或兩種以上材料之）此等突起共同形成了一 具有一閃耀角ba之突起或結構。該等突起可形成一具有週 期P之規則結構。 鏡面300上之該等突起（如圖1〇所示）可形成一格柵，其在 EUV波長下可閃耀，但在此實施例之另一變體中，在其它 波長（例如UV、VIS或IR波長）下其亦可閃耀。 '以此方式選擇閃耀角使得非吾人所要之輻射自所要之輻 射的方向偏轉（參見上文）。該閃耀角b a取決於突起L p丨a (第 一突起）之材料ml的角度ba2、突起LPlb(第二突起）之材料 m2的角度ba3及突起LPla及LPlb之高度hi及h2，該等突起 LPla及LPlb在此情形中位於彼此頂部上。 作為閃耀式輪廓之一替代，可使用圖丨丨中所展示之類型 的層狀輪廓。如圖11所示，該層狀輪廓具有方波表面輪廓， 其T有等於圖10所展示之層狀鋸齒輪廓之一個週期p的常 數Ρ。該等突起以交替之序列緊接另一個地設置且具有不同 南度，即材料ml之突起LPla具有高度…，且材料㈤]之突起 97088.doc -46- 1265369 LPlb具有高度h2。對於材料瓜丨之突起Lpia(第一突起）而言 由參考符號380a且對於材料m2之突起LPlb(第二突起）而言· 由參考符號380b在此圖中展示了該等突起之長度。在圖u 中，長度380a及380b相同，且當經添加時兩者的長度等於 週期ρ。 藉由基於材料之折射率、高度hi及^2來選擇該等材且當 可應用長度380a及380b或角度ba、ba2及ba3、第一及第二 突起之距離（週期ρ)及該投影光束在鏡面上之某一入射角度 時，可獲得一鏡面，該鏡面可以某一角度反射所要之輻射，_ 同時藉由不同材料校正光學路徑長度差使得其在該鏡面反 射表面上不變化，而非吾人所要之波長的光則被吸收及/或 — 以其它角度偏轉。 舉例而言，此展示於圖11中。本文中，投影光束PB之射 線rl進入材料ml之第一 pi a突起且可大體上被透射穿過此 突起且在鏡面或鏡面表面300之位置305上被反射。在經反 射後，射線rl離開該突起。亦被包含在投影光束pB中之射 _ 線1:2進入材料m2之第一突起LPlb，且在鏡面處或鏡面表面 300上之位置306處被反射。在此第二突起LPib不存在之情 形下，該光學路徑長度（穿過第一及第二突起及真空）對於不 同射線而言是不同的。為補償在光學路徑長度中之此差 異’存在材料m2之第二突起Ρ1 b。此材料m2具有另一折射 率。如上文所提及，藉由選擇適當的突起之尺寸及入射角， 材料m2之第二突起LPlb可補償投影光束pb中之（不同射線） 的光學路徑差’藉此提供一在該鏡面反射表面上不發生變 97088.doc -47- 1265369 化之光學路徑長度差。此意指該光學路徑長度差為零或該 波長之整數倍。亦應考慮該等突起上之真空以判定光學路 徑長度（差異）。以此方式，該等光學路徑長度（意即對射線 Γΐ及Γ2而言之路徑長度乘以折射率）始於在進入突起！^13及 LPlb之前的波前WFb至在進入突起LPla及LPlb之後波前 WFa，其是相同的或rl&r2之光學路徑長度之間的差異為該 波長（例如13 · 5 n m之輻射）之整數倍。因此，在此實施例中， 產生了EUV輻射之光學路徑長度差異，其在鏡面反射表面 上不會變化。 對於Si(其對EUV輻射具有接近於整數的折射率）而言，存 在該等補償性第三突起之必要程度不大。然❿，當應用其 它材料中之一種時，第二突起LPlb之存在可尤其有益。儘 笞如此$i亦可在投影光束PB内之不同射線之間（如圖11所 展示之rl及r2)產生小的光學路徑長度差異，其可藉由Be、 B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、

Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、pa 及 u 之第二突起 LPlb 的 存在來補償。 此實施例亦包含一具有一鏡面反射表面的鏡面（例如在 说衫破置中），其中以此方式排列該等突起使得一包含 幸田射且具有〇與90。之間的入射角的投影光束之EUV輻射的 一部分僅在第一突起LPla(材料ml)及第二突起Lplb(材料 m2)之一個週期P内傳遞。此意指突起380a及380b之長度小 於週期p。 此實施例亦包含一鏡面，其中突起之輪廓形成了一格 97088.doc -48 - 1265369 柵，該格柵在所要之輻射（例如13·5 nm或另一波長）下被閃 耀（鋸齒）或被優選（方波）。鏡面上之此等類型的輪廓可具有 1D或2D特徵。由於此等突起對EUV輻射是透明的，因此鏡 面300可反射所要之波長，且該輻射之非吾人所要之波長被 吸、收、折射及/或偏轉。 大體而言，此實施例描述了 一具有至少一鏡面反射表面 300的鏡面，其中該鏡面反射表面3〇〇包含含有第一材料 之一或多個突起Pla(第一突起），且包含含有第二材料㈤二之 一或多個突起LPlb(第二突起），且其中該第一及該第二材 料不同。當所用之材料對所要之波長透明時或經優選以對 所要之波長透明時，該鏡面3〇〇可用作一光學過濾器。為非 吾人所要之波長的其它波長可被該等材料吸收，且當選擇 用於某一波長之格栅時（格柵或閃耀式格柵），該等非吾人所 要之波長亦可被（部分地）偏轉。 此貝紅例亦可包含一含有如此實施例所描述之鏡面的微 影裝置（參見例如實施例1)。 為提供上述結構，可藉由使用一金剛石工具劃線一材料 ml層、沉積材料m2且再次使用一金剛石工具進行劃線來提 供該閃耀式結構。為獲得正方形結構，可使用微影處理。 實施例8 貫W例8 (未描繪）描述了實施例1之光學組件，除了已選 擇材料之一特定組合外：突起3〇1大體上包含Si且具有根據 本發明之結構RS的透射性頂層TL大體上包含RU。 實施例9 97088.doc -49- 1265369 實施例9(未描繪）描述了一光學組件，其包含一具有一保 護性塗層之鏡面，例如一掠入射鏡面、正入射鏡面及多層 式鏡面。該保護性塗層包含一含有根據本發明之結構RS的 透射性頂層TL。藉此，相對於不具有該結構RS之保護性 層，提供了 一具有增強之透射的保護性塗層。 實施例10 在下面之表中，為以下不同之波長給定了透射性頂層之 結、構的rms值：5、13.5及20 nm。如上文在許多實施例中所 描述，具有此等rms粗糙值之透射性頂層可呈現在本發明之 光學組件上。取決於用以提供給透射性頂層及其結構之應 用及方法，熟習此項技術者可選擇如下文所描述之範圍内 的rms粗糙值。 此外在該表中，提供了此實施例之一變體。例如，使用 約13.5 nm之波長，吾人可提供對於等於或大於約2·7 nm& 等於或小於約6.75 nm之空間週期而言等於或大於約14 nm 及等於或小於約54 nm之rms粗糙度。熟習此項技術者亦可 提供小於54 nm的rms粗糙度。例如，在一變體中，五人可 提供對於等於或大於約2.7 nm及等於或小於約6·75 nm之空 間週期而言等於或大於約2.7 nm及等於或小於約27 nmi rms粗糙度。 97088.doc -50- 1265369 表3 : 根據本發明之一實施例對不同空間週期而言之5、 13.5及2〇11111的]：1118粗糙度： λ 5.0 nm 等於或大於 1.0 空閟遛期範》(nm) 等於成小於2.5 等於或大於 0.5 RMS(nm) 等於成小於20.0 芩於或大於 1.0 RMS(nm)(變技> 尊於成小於10.0 λ 13.5 nm 等於或大於 2.7 空間遢期範K(nm> 等於或小於6.75 等於或大於 1.4 RMS(nm) 等於或小於54.0 等於或大於 2.7 HMS(nm)(變抝 等於或小於27.0 λ 20.0 nm 箅於或大於 4.0 空間遥期篝fl(iun> 等於成小於10.0 等於或大於 2.0 RMS(nm) 竽於成小於80.0 等於或大於 4.0 RMS(iun>(變 等於或小於40.0 λ 5.0 nm 大於 2.5 空間通期範属(nm) 等於或小於1 mu 等於或大於 0.1 RMS (nm) 等於或小於5.0 等於成大於 0.! RMS (nm)(變衝 等於或小於2.5 λ 13^ ora 大於 空聞通期範園(nm> 6.75 - 等於或小於1 mu 等於或大於 RMS(am) 0.27 - 等於或小於1丄5 等於或大於 RMS(nm)(^H) 0.27 · 等於或小於6.75 λ 20.0 am 大於 空閟通期範K(ara) 10.0 - 等於或小於1 mu 等於或大於 RMS(am) 0.4 - 等於或小於20.0 等於或大於 RMS(nm)Ofclt) 0.4. · 荨於或小於10.0 對於大於約6.75 nm及等於或小於約1 /xm之空間週期而 言，在此實施例中rms粗糙度等於或大於約0.1 nm及等於或 小於約5.0 nm。在一變體中，吾人可提供對於大於約6.75 nm 及等於或小於約1 μπι之空間週期而言等於或大於約0·1 nm 及等於或小於約2.5 nm之rms粗糙度。 儘管上文已描述了本發明之特定實施例時，但是將瞭 解，可除如描述之外來實施本發明。該描述並不意欲限制 本發明。此外，一些實施例尤其描述了 EUV應用及EUV光 學組件。然而，本發明亦可應用於其它光譜範圍如（例如）UV 或VIS之光學組件。此外，該等圖式通常僅包含對瞭解本發 明很必要的重要組件及特徵。本發明並不限於示意性圖式 中所展示之彼等組件。例如，可呈現除所展示之外的更多 的層。 -51- 97088.doc 1265369 【圖式簡單說明】 圖1示意性地描繪了根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2示意性地展示了根據圖1之微影投影裝置的euv照明 系統及投影光學的侧視圖。 圖3示意性地展示了 一理論粗糙表面之橫截面。 根據本發明之一實施例，圖4a示意性地展示了一光學過 據器’其具有一鏡面反射表面（反射性層）及呈層狀方波輪廓 之形式的突起及一透射性頂層。 根據本發明之一實施例，圖4b示意性地展示了一光學過 濾、益’其具有一鏡面反射表面（反射性層）及呈層狀鋸齒輪廓 形式之突起及一透射性頂層。 根據本發明之一實施例，圖4c示意性地展示了一光學過 渡器，其具有一鏡面反射表面（反射性層）及呈層狀非對稱雙 側鋸齒輪廓形式的突起及一透射性頂層。 根據本發明之一實施例，圖5示意性地展示了 一鏡面，其 在鏡面反射表面上具有呈層狀方波輪廓形式的突起、一大 體上平坦之（EUV)透射性層及一透射性頂層。 根據本發明之一實施例，圖6示意性地描繪了 一鏡面，其 具有一傾斜式多層堆疊及在此堆疊上之（EUV)透射性層及 一透射性頂層。 根據本發明之一實施例，圖7示意性地展示了 一鏡面，其 在鏡面反射表面上具有呈層狀鋸齒輪廓之形式的突起。 根據本發明之一實施例，圖8示意性地展示了 一鏡面，其 在鏡面反射表面上具有呈層狀方波輪靡之形式的突起。 97088.doc -52· 1265369 根據本發明之一實施例，圖9示意性地描繪了如圖4所示 之相似鏡面，但其中該等突起以此方式排列使得包含EUV 輪射之投影光束的EUV輻射之一部分僅通過一突&。 根據本發明之一實施例，圖1〇示意性地展示了一鏡面， 其在鏡面反射表面上具有呈位於彼此頂部上之兩種材料的 層狀鋸齒輪廓之形式的突起。 根據本發明之一實施例，圖丨丨示意性地展示了一鏡面， 其在鏡面反射表面上具有呈互相相鄰之兩種材料的層狀方 波輪廓之形式的突起。 【主要元件符號說明】 1F1 位置傳感器 1F2 位置傳感器 42 幸昌射糸統 44 照明光學單元 47 源腔室 48 收集腔室 49 氣障結構 50 輻射收集器 51 格柵光譜過濾器 52 虛源點 53 正入射反射器 54 正入射反射器 56 投影光束 57 投影光束 97088.doc -53- 1265369 ,5 8 反射性組件 59 反射性組件 300 鏡面 301 突起 311 頂部、高地頂部、突起頂部 312 額外層 340 表面 380 長度 502 南度 504 EUV透射性層 506 面度 507 高度 ba 閃耀角 G 凹槽 Hd 距離 h 南度 IL 照明系統 L 焊盤 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 光罩 MT 光罩台 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 97088.doc -54- 1265369 PBr 反射之束 PB 投影光束 PL 投影系統 PM 第一定位構件 PW 第二定位構件 P 週期 rl 射線 r2 射線 r3 參考符號 r4 射線 r5 射線 r6 射線 、RS 結構 SO 源 TL 透射性層 WT 基板台 W 基板 a 入射角 β 反射角 97088.doc -55

Claims (1)

1265369 十、申請專利範圍： 1. 一種光學組件，該光學組件包含： 一對一波長λ在5-20 nm範圍内的極端紫外線(EUV)輻射具 有至少部分透射性的層；及 一包含一具有一均方根（rms)粗糙值之結構的頂層，其 特徵在於該頂層對波長χ在5-20 nm範圍内的EUV輻射具 '有透射性，且該頂層之該結構為一對於空間週期等於或 小於人/2而έ具有荨於或大於入/iQ之— 糙值的結構。 2 ·如睛求項1之光學組件，其中該透射性頂層之該結構對於 空間週期大於λ/2及荨於或小於1 而言具有等於或小於 λ之一 rms粗糙度。 3.如請求項1或2之光學組件，其中該至少部分透射性層包 含一具有一結構的表面，該結構對於空間週期等於或小 於λ/2而言具有等於或大於λ/5〇及等於或小於4*λ之一 粗链值。 4.如請求項⑷之光學組件，其中該透射性頂層包含一選 自 Be、B、C、Si、P、s、K、Ca、Sc、Br Rb、Sr Y、 Zr、Nb、M〇、RU、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、 Pa及U中之至少一者的材料。 5 ·如請求項1或2之光學組件，盆由兮泳 包含Ru。 ，、中该透射性頂層及該結構 f)·如睛求項1或2之光 ,、从~巴兮一呈 :鏡面反射表面的鏡面，其中該鏡面反射表面包含對 長λ在5_20 範圍内的Euv輻射而言具有 多個突起’且其中該鏡面反射表面之至少—部分^ 97088.doc 1265369 包含含有該結構之該透射性頂層。 Ί·如請求項1或2之光學組件，其中至少一表面包含一具有 高度差之輪廓，藉此提供具有一預定最大高度差之腔室 及南地，其中該光學組件進一步包含在該光學組件之該 4腔室内及該等高地上之一大體上平坦之透射性層，且 其中該光學組件進一步包含含有如請求項1_5任一項中之 該結構的該透射性頂層。 8·如請求項1或2之光學組件，其中該透射性頂層之該rms粗 糙值對於空間週期等於或小於λ/2而言為2 nm或更大。 9·如請求項1或2之光學組件，其中該光學組件包含選自由 光+過渡益、光學格拇、鏡面及透鏡組成之群的一或多 I 〇·如請求項1或2之光學組件，其中該光學組件包含一具有 一鏡面反射表面、具有一相對於該鏡面反射表面傾斜之 傾斜多層式堆疊的鏡面。 II · 一種包含如前述請求項任一項中之一或多個光學組件的 微影裝置。 I2· —種元件製造方法，其包含以下步驟： 提供一基板； 使用一照明系統提供輻射之一投影光束； 使用圖案化構件賦予該投影光束在其橫截面中一圖 案； 將該經圖案化之輻射光束投影至該基板之一目標部分 上；及 提供如請求項1 -1 〇任一項中之一或多個光學組件。 97088.doc -2-