TWI261871B - Apparatus and method for thin film deposition - Google Patents

Description

1261871 ............... 五 '發明說明（J) 發明背！ 1 ·發明之領域 本發明係與丰道 膜沈積用之設備與-裝置製造設備有關，特別是關於薄 2 ·相關技術之描述去 半導體跋置，/ 元件，通常是由s列如記憶體IC (積體電路）及其它邏輯 同條件下製# i、胃覆沈積及圖案轉移製程所製造。當在相 同特性ϋΐΓ震置，為了使所有半導體裝置具有相 來半導體裝置需I t厚度均句性應小於5%。然而，由於近 之厚度均勻间整合度及精密之積體電路，因此薄膜 通常？以小於5%以改善半導體裝置之可靠度。 體之引入器，藉設：使用喷灑頭當作反應氣 體。孔板通常使：孔板以均句散佈化學來源氣 每-氣體散佈孔分成兩個：八政佈孔上佈化學來源氣體， 徑，第二個部分具有較弟；個部分具有較大直 複數個氣體散佈孔廣泛地散：在丄：室：學來源氣體經由 然而’當化學來源氣I#丑々说 氣體累積且殘留在氣體散：;:至終化學來源 滿。此外，由於所散佈之化源===孔填 及少量之反應物，這些也合g接/ f1㈢傅V反應副產品 内，因此副產品及反應物在薄 放佈孔 凡田雜貝，因而使得 第6頁 1261871 五、發明說明（2) 沈積在基板上之薄膜均勻性及组成吳化 ” ’由=頭鄰接供應熱：基板之加熱 二將噴麗頭加熱而且化學來源氣體也會 =…到不利地影響。為了克服這個㈣ ： 喷灑頭内採用冷卻系統。麸而 在 的配置更加麻煩。同樣地二=冷卻系統會使喷灑頭 有不同的構造與配置1此：：：;麗=據其製造廠商而 =丄！刖=研究與發展出使用注射裝置當作反應氣 ^益，例如，如同美國專利第5987427號所揭示。 知二所Λ為二示，剖面圖，說明薄膜沈積設備依據習 反庳室ι’ο其f 4 ί置。如圖1所示’薄膜沈積設備包括 /出口4 ^\ 2〇、氣體注射裝置3〇及基板入口 。同樣地，反應室1〇可以分成三個部分_側壁部分 二;=Γ2二頂端部分U。在此同時，反應室10之底 口，將反應室1(3内之空氣排出。基板加 :=配5於；應室10之中央位置且由固定在反應室10 tii w 所支撐。薄膜沈積之基板或石夕晶圓 沈積製程期間放置於基板加熱構件20上，基 包括—加熱器’供應熱至基板切晶圓。基 口 40位於反應室1 0之側壁部分11，因此藉由基 ίο取出 4〇將基板或石夕晶圓放進反應室10或從反應室 加埶Lif人化學來源氣體之氣體注射裝置3G配置於基板 依：所接0周f。雖然圖1只有顯示一氣體注射裝置30， ;楗供化學來源氣體種類或注射那些種類的化學來源

五、發明說明（3) ^ ^。複數個乳體注射裝置3()可以圍繞在基板加熱構件 部分1另2: Γ雍’4η體注射裝置30穿透反應室10之底端 山 /口者心至〇之侧壁部分1 1延伸。反應室1 〇之頂 端部分13為圓頂形。由於$ μ μ 、 部分1 3，κι + w ；虱體注射裝置30朝向圓頂形頂端 反應室ίο之ft，=主射裝置30所注射之化學來源氣體自 # ^岑 丁、鳊郤刀3返回，或沿著圓頂形頂端部分1 3之 .其 予來源亂體便會擴散至反應室1 〇内而 ^基板或石夕晶圓上形成薄膜。在如m所示 備，化學來源氣體是難以受到安、積〇 加熱器的影響。 又到女衣於基板加熱構件2。内之 Λ献^^備巾’氣體注射裝置3G可為複數㈣繞於基板 2構：20，而基板加熱構件2。可向上及向下調整以獲得 句勻之:專膜及組成。然巾’在沈積薄膜中仍有些許問題。 亦即，沈積薄膜之厚度在靠近氣體注射裝置3〇之周圍部分 與基板中心之中央部分並不相同。另外在上述設備中，為 =勾擴散注，及返回之化學來源氣體並在基板上形成均 勻溥膜’反應室1 0需要足夠的空間。因此，反應室應 一士容量之體積且真空幫浦也會操作一段很長的時間使反 應至1 0之反應空間真空Α。另外，需要 以形成薄膜，因而導致生產成本增加。 原孔體 在此期間，當沈積薄膜使用習知化學氣相沈積（CVD )時，要得到雜質密度在允許範圍内之薄膜是不可能的， 而且要使薄膜厚度小於幾個奈米也是不可能 1261871

五、發明說明（4) 研究與引進解決這些問題所需之新科技。例如，美國專利 第40 5843 0號揭示習知使用磊晶於單晶上之原子層沈積 (ALD )方法。根據ALD方法，在不同時間分別引進兩個來 源成分至反應室，因而形成薄膜。換句話說，第一來源成 为疋首先引進至反應室並在基板上形成單原子層。之後， 在沈積反應後藉由真空幫浦或使用惰性氣體從反應室内去 除殘留物質。下一步，將第二來源成分引進反應室與第/ 來源成分反應5在基板上產生薄膜。近幾年來，已廣泛地 研究與發展將A L D方法應用於設備及形成薄膜半導體裝置 之方法。 ^ 上述ALD方法可使用在具有喷灑頭之設備與具有氣體 注射裝置之設備。美國專利第60 1 5 590號揭示另一種使用 ALD方法之設備。根據美國專利第6 〇丨5 5 9 0號所揭示之設 備’流入導^疋位於基板下方，使用ALD方法形成薄膜於 基板上，流出導管也位於基板下方與流入導管相反。因 此，來源反應物幾乎不會擴散至整個反應室。更特別的 是，來源反應物之密度較流入導管高而非流出導管。由於 基板上方之密度並不相同，導致鄰近流入導管之_部分基 板具有較鄰近流出導管之另一部分基板厚之薄膜，因而造 成薄膜厚度之不均勻性。為了克服此問題，需要淨化反應 室一段充足的時間以將殘留成分從反應室内排除。因此， 需要一段很長的時間來形成厚度均句的薄膜，假如反應室 沒有淨化的話’即使要得到薄膜也很困難。

第9頁 1261871 五、發明說明（5) 一 *~— 發明之概沭 因此’本發明針對薄膜沈積用之設備與方法，與 二相關技術之限制及缺點所衍生之一個或—個以上：；克 本發明之目的為設置薄膜沈積用之設備 呈 均勻厚度及成分。 、力决，具有 法。本發明之其它目的為設置形成超薄薄膜之設備與方 本赉明之其它特色與優點將會在下 中有一部分從本說明中將％而I g & f平扣出，其 t 特別是在文中說明及專利申％論θ π # 點。 了只覌及獲得本發明之目的及其它優 為了達成上述目標，形成薄膜之設備 邛为、侧壁部分及底端部分之一々括具有頂端 穿透頂端部分並讓來源.八 ^ :氣體注射裝置， 散佈裝置，其中在散佈I二$ = ^ 7連接氣體注射裝置之 數個注射孔注射來源成‘二I複數個庄射孔，、經由複 應室頂端、底端部分及側壁部熱構件’位於由反 於散佈裝置下方。 刀斤疋義之反應空間，安置 形成薄膜之設備另外包括大 分以支撐基板加熱構件。 力 固疋於反應室底端部 在上述設備中，散佈嚴 ^ 一 ”安置複數個注射孔44

似截斷圓錐體形狀之第二^匕括圓柱形之第一部分 1261871 ^^7 —--———〆 又置之第二部分侧面。 大直徑的部分及使來、庵：、射包括可接受來源成分 此，大直心成分速度增加之小直徑的部分。在 加熱構件位於反:小直徑的部分大。此外，” 頂端部分中央。心二s中央，軋體注射裝置安置於反應炱 八士上述设備可再包括複數個散佈裝置，分成位於頂端卻 :第央ΐ::ί佈裝置及位於頂端部分第-散佈裝置周園 弟一政佈衣置，注射來源成分，包括主要反應成分及次 要反，成分。在此，主要反應成分通過安置於^端部分中 央之第一散佈裝置，次要反應成分通過安置於第〆散佈裝 置周圍之第二散佈裝置。再者，當第一及第二散佈裝置安 置於反應室頂端部分時，第二散佈裝置之一軸與第一散佈 裝置之一軸形成約90度或小於90度之夾角。從一群由氨 (Ν Η3 )、聯氨（Ν2 Η4 )、水蒸汽（Η2 0 )、氧氣（〇2 )及臭 氧（03 )所組成的氣體挑選次要反應成分。 在本發明中，注射孔之數量及尺寸隨著反應室之反應 空間而改變。反應室之頂端部分為圓頂形，基板加熱構件 包括一體之加熱元件及電源供應器。 為了達成這些及其它優點，根據本發明之目的，不論 是具體說明或概括說明，在具有反應室之沈積設備内形成 薄膜之方法中，其中反應室具有反應空間，基板加熱構件 安置於反應空間内，氣體注射裝置安置於反應室頂端部分 而散佈裝置連接氣體注射裝置，此方法包括下列步驟：經 由氣體注射裝置注射化學來源氣體，經由具有複數個注射

1261871

五、發明說明（7) 孔之散佈裝 學來源氣體 薄m。 在上述 似截斷圓錐 於散佈裝置 源氣體之大 經的部分。 須了解 例與說明且 說明。 為了更 成本說明書 原理。 置將化學來源氣體注射至反應空間；及反應化 ，在安置於基板加熱構件上方之基板表面形成 方法中，散佈裝置包括圓柱形之第一部分及狀 體形狀之第二部分。另外，複數個注射孔安置 第二部分侧面。每一注射孔包括可接受化學來 直徑的部分及使化學來源氣體速度增加之小直 的是先前之一般說明及下列之詳細說明皆是範 如同專利申請範圍，將對本發明做更進一步的 進一步了解本發明而附上附圖，附圖結合並構 的一部分，說明本發明之實施例並解釋其工作 【較佳實施例之詳細說明】 例。說明本發明之實施例，其中附圖所示為範 同或類嫩用相同參考數字於圖例中表示相 奘詈f ί Γ明巾’具有複數個注射孔之散佈裝置連接注射 學來源氣體因而均勻擴散至反：室= 丄古另外，由於在本發明中使用原子層沈積 (ALD )方法形成薄膜，因此可獲得成分均勻之超薄薄

1261871 五、發明說明（8) 膜。隨後將有詳細之說明。 圖2所示為示意剖面圖5根據本發明，說明一具有散 佈裝置之薄膜沈積設備。如圖2所示，薄膜沈積設備包括 反應室110、基板加熱構件120、氣體注射裴置丨3〇及基板 入口 /出口 15 〇。同樣地，反應室11 〇可以分成三個部分-側 壁部分1 11、底端部分1 1 2及頂端部分1 1 3。侧壁部分1 1 1、 底端部分11 2及頂端部分11 3定義反應室1 1 0内部之反應空 間。在此同時，反應室11 0之底端部分11 2包括排氣口，將 反應室11 0内之空氣排出。基板加熱構件1 2 〇配置於反應室 11 0之中央反應空間内且由固定在反應室11 〇之底端部分 11 2的夯1 21所支撐。薄膜沈積之基板或矽晶圓（未顯示） 在沈積製程期間放置於基板加熱構件1 2 0上，基板加熱構 件1 2 0包括一加熱器，供應熱至基板或矽晶圓。基板入口/ 出口 1 50位於反應室11 〇之侧壁部分丨π，因此藉由基板入 口 /出口 1 5 0將基板或矽晶圓放進反應室丨丨〇或從反應室n 〇 取出。雖然圖2所示只有一基板入口 /出口 15〇，另一基板 入口 /出口也可形成在與第一基板入口 /出口相對之側壁部 分111，因而分別作為基板之入口或出口。 另外在圖2中，注射化學來源氣體之氣體注射裝置} 3 〇 放置於頂端部分113之中央。雖然圖丨所示只有一氣體注射 裝置130，複數個氣體注射裝置13〇可放置於反應室丨丨〇之 頂端部分1 1 3- ’、最好是在頂端部分丨i 3的中央。頂端部分 11 3如圖2所不為圓頂％，但也可為平面形。氣體注射裝置 1 30 f透反應至11 〇之了貝端部分丨丨3，具有複數個注射孔之 !261871 發明說明（9) 散佈裝置1 4 0連接氣體注射裝 體至反應室1 1 〇之反應空間。 置1 3 0之末端散佈化學來源氣 _在建構如上所述之本發明中，基板加熱構件120包括 一體之加熱元件及電源供應器。因此，可增加反應室丨i 〇 之反應空間。再者，由於氣體注射裝置13〇穿透並位於頂 端部分113之中央，因此相對於習知技術，反應室11〇之反 應空間增加。 現在，參考圖3A-3B及4說明散佈裝置14〇。圖3A為根 據本發明，散饰裝置之侧視圖；圖3B為根據本發明，散 裝置之仰視平面圖；及圖4所示為根據本發明，散佈 之注射孔剖面圖。 & 參考圖3A及3B，散佈裝置14〇分成第一部分21〇及 口P为220。第-部分21 0為圓柱形而第二部分22〇為狀似 斷圓錐體形。冑：部分220之頂端面積較其底端部分面積 大，因此第二部分220為倒截斷圓錐體形。在第二部分 之側面，形成複數個注射孔23 0使得來自氣體注射裝置。 (圖2 )之化學來源氣體經由這些注射孔23〇注射並完全 佈至反應室？0之反應空間（圖2)。由於複數個注射孔月 230安置於第二部分22 0之侧面，避免化學來源氣體直接注 射至基板。注射孔之數量及其直徑與反應空間之體積― 關。雖然反應空間之體積很大，注射孔之數量及其直徑 端視化學來源氣體之種類而減少。另外在本發明中，一 部分210之頂端面積實際上為螺拴形，為了將其固定圖^ 之氣體注射裝置130，使用複數個螺線。 01 z

1261871 五、發明說明（ίο)

圖4所示為根據本發明，散佈裝置H〇之注射孔23〇 面圖。在圖4_中’注射孔230分成兩個部分_大直徑部八口J 230a及小直徑部分230b。大直徑部分23〇a接受化學^ 體二來:原氣體通過小直徑部分23〇b。由於大直 分230a之直徑較小直徑部分23〇b大，因此在通過注 1 230後，由於Venturi效應化學來源氣體之速度會增加L 此，經由注射孔2 3 0所注射之化學來源氣體 。因 圖2反應室1 1 0之反應空間。 ^文佈在 二 述’複數個散佈裝置端視化學來源氣體可安晋 於反應至11G之頂端部分。此時，複數個散佈裝置置 基板適當地安置於頂端部分113之中央周圍。另J 散佈裝置連接至每一氣體注射裝置。 母一 來源成分例如形成薄膜之化學 要反應成分(亦 實於主要反應成分之散佈== 一政佈叙置之—軸（圖3 )與第— / 疋弟 90度或小於90度之夾角。同政佈衣置之—軸形成約 時’使用水、氧氣及/或臭氧：在基板上形成氧化薄膜 形成氣化物薄膜時，使用氨及/或聯氨做為* 根據本發明，在薄膜沈積設備中，由於散佈u 1261871 五'發明說明（1” 細 ~~ )里 >主射孔且其尺寸較喷灑頭裝置小，因此雜質產物及粒 子難以在散佈裝置内產生，因而減少劣質薄膜的產生。 、 此外，當使用喷灑頭裝置形成薄膜時，需要許多來源 成f ’此乃因噴灑頭之尺寸較基板大且所具有的注射孔也 車乂政佈裝置多。然而，根據本發明之沈積設備，需要較具 有喷〉麗頭裝置之習知設備少的來源成分，此乃因散佈裝置 具有較少及尺寸較小之注射孔。再者，根據本發明之沈積 設備可採用前述之ALD方法，可獲得最小厚度及成分均句、 之薄膜。 圖5A所示為氧化鋁（Alz〇3)薄膜之厚度圖，藉由本發 月所發明之設備形成氧化鋁（A込％ )薄膜，圖5β所示為氧 化鋁j A丨2 〇3 )薄膜之均勻性圖，藉由本發明所發明之設備 =氧化鋁（ai2o3 )薄膜。在測試氧化鋁（Al2〇3 )薄膜之 生前，使用三甲基紹（A1(CH3)3)及水蒸汽 (M )做為形成氧化銘⑴2〇3 )薄膜之來源成分。另 外’使用A L D方法，分別太尤1 9 Η 2：办s η (Α10 )續赠— 夕晶圓上形成氧化鋁 上ΑΙΑ):專Μ。在沈積期間，矽晶圓之溫度在攝氏2⑽ ^由於氧化鋁（αι2ο3 )薄膜之厚度在半 :於10。埃’因此本實驗所形成之氧：體衣置中通/ 度在1〇〇埃的範圍内。 溥膜厚 圖5Α每一點代表薄膜厚度 25點。如圖5Α所示，薄膜二二f勾值，母一基板量測 阁RR所-^ 厗度在〇埃至80埃的範圍内。 圖5B所不為形成於基板i至^ 厚度均勻性是由下列公式 .之膜厚度均句性。

第16頁 1261871 五、發明說明（12) [(tmax - tmin ) / ( 2 X Tavr ) ] X 1 Q 〇 在上述公式中i Tavr為薄膜厚度之平均勻值，每一基 板里測2 5點’ tmax為形成於每一基板上之每一薄膜最大厚 度’ tmin為形成於每一基板上之每一薄膜最小厚度。根據 圖5 B所示’沈積薄膜之厚度均勻性在2個百分比（％ )的範 圍内。 圖6A及6B所示為使用拉塞福背部散射光譜（RBS)量 測由本發明所發明之設備形成之氧化鋁（A丨2 )薄膜圖。 如圖6A所示，所量測之氧化鋁（Al2〇3 )薄膜在攝氏8〇度之

溫度形成於基板上而圖6B所示之薄膜則在攝氏2〇〇度之溫 度形成。 當使用習知設備形成氧化鋁（Al2〇3 )薄膜時，來源成 分例如三甲基鋁（Αία%)3)並未完全分解，因而導致雜 質如碳的產生。為了克服習知技術所衍生的問題，需以高 溫熱處理得到適當之氧化鋁組成。然而，當根據本發明形 成氧化鋁UhO3 )薄膜時，雜質並不會存在於氧化鋁 (A 12 〇3 )溥膜中且氧化I呂之原子比（a 1 : 〇 )為2 2 ·· 2 8

Α込％ )。另外，本發明無需熱處理。 根據本發明之工作原理範圍，由於散佈裝置經由其本 身之注射孔注射來源成分，因此在基板上之薄膜具有均勾 :厚度。同樣地’由於本發明採用原子層沈積（ald )方 法，因此沈積在S板上之薄膜具有均句之成分且無雜質。 熟悉本技藝者在不離開本發明之精神及範圍内可對本

1261871

第18頁 1261871

圖式簡單說明 在附圖中： 圖1所示為示意剖面圖，根據習知技術，說明一其有 注射裝置之薄獏沈積設備； 圖2所示為示意剖面圖，根據本發明，說明一具有散 佈裝置之薄膜沈積設備； 圖3A為根據本發明，散佈裝置之側視圖； 圖3B為根據本發明，散佈裝置之仰視平面圖； 圖4所不為根據本發明，散佈裝置之注射孔剖面圖； 圖5A所示為氧化鋁（a12〇3)薄膜之厚度 、 Δ 0 ^ ▼ Μ /于 明所發明之設備形成氧化鋁（A I2 03 )薄膜 務日日！示為氧化紹（Al2〇3)薄骐之均句性圖，藉由本 毛月所毛明之設備形成氧化鋁（A 12〇3 )薄膜；及 測由示為使用拉塞福背部散射光譜（RBS)量 七月所“之設備形成之氧化！呂（Al2〇3)薄膜圖。 【符號說明】 10反應室 11側壁部分 1 2 底端部分 1 3頂端部分 2 0 基板加熱構件 21夯 3 0氣體注射裝置 40基板入口 /出口

— 第19頁 1261871 圖式簡單說明 II 0 反應室 III 側壁部分 I 1 2 底端部分 II 3頂端部分 1 2 0 基板加熱構件 121夯 1 3 0 氣體注射裝置 140第一散佈裝置 140a 第二散佈裝置 1 50 基板入口 /出口 210 第一部分 220 第二部分 230 注射孔 230a大直徑部分 230b 小直徑部分

第20頁

Claims (1)

1261871 案號 901281 S.l 六 、申請專利範圍 1· 一種薄膜沈積用之設備，包括. -反應室，具有頂端部&、側 八/ 一氣體注射裝置，穿透頂端部分二二及底端部分； 一散佈裝置，連接氣體注射裴置亚，，源成分通過，· 形之第一部分、狀似截斷圓錐體形之> 4散佈裝置由圓柱 注射孔所組成，其中該複數個注射孔f =部分、與複數個 成，且來源成分經由複數個注射孔注f過該散佈裝置而形 一基板加熱構件，位於反應室之g i及 |分所定義之反應空間内’安置於散佈裝^ 壁及底端部 根據申請專利範圍第i項之薄 土括一固定於反應室底端部分之 2肴’另外包 案件。 乂支撐基板加熱構 § SB 寒3.根據申請專利範圍第i項之薄 g反應室之側壁部份包含美柘Α π/ j m ^ ^具中5亥 I入/出該反應室，且該反V室之广出，’藉其可將基板傳 f室内之空氣排出之排氣口應至之底^部份包含一可將反應 内 孔女置於散佈裝置之第二部分之側面。 射孔包據括申上專_^利範圍第4項之薄膜沈積用之設備，其中注 又Λ源成分之大直徑部分及使來源成分速度增

1261871 案號 90128183 Q x#- ^ Μ Π 9 修正 六、申請專利範圍 加之小直徑部分。 6。根據申請專利範圍第4項之薄膜沈積用之設備，其中大 直徑部分之直徑較小直徑部分大。 7 ·根據申請專利範圍第1項之薄膜沈積用之設備，其中基 板加熱構件位於反應空間之中央而氣體注射裝置安置於反 應室之頂端部分中央。 8 ·根據申請專利範圍第1項之薄膜沈積用之設備，另外包 括複數個散佈裝置，分成位於頂端部分中央之第一散佈裝 置、及位於頂端部分之第一散佈裝置周圍之第二散佈裝置 以便注射來源成分。 9. 根據申請專利範圍第8項之薄膜沈積用之設備，其中來 源成分包括主要反應成分及次要反應成分。 10. 根據申請專利範圍第9項之薄膜沈積用之設備，其中 主要反應成分通過安置於頂端部分中央之第一散佈裝置， 次要反應成分通過安置於第一散佈裝置周圍之第二散佈裝 置。 11. 根據申請專利範圍第1 0項之薄膜沈積用之設備，其中 當第一及第二散佈裝置安置於反應室之頂端部分時，第二

第22頁 1261871 案號 90128183 年 條/更 ， 1~| [：} j^jL ----------J ；τ；尉 六、申請專利範圍 散佈裝置之一軸與第一散佈裝置之一轴形成約9 0度之夾 角。 12. 根據申請專利範圍第1 0項之薄膜沈積用之設備，其中 當第一及第二散佈裝置安置於反應室之頂端部分時，第二 散佈裝置之一軸與第一散佈裝置之一轴形成小於90度之夾 角。 13. 根據申請專利範圍第1 0項之薄膜沈積用之設備，其中 次要反應成分係選自於由氨（NH3 )、聯氨（N2 H4 )、水蒸 汽（H2 0 )、氧氣（02 )及臭氧（03 )所組成之群組。 14. 根據申請專利範圍第1項之薄膜沈積用之設備，其中 注射孔之數量及尺寸端視反應室之反應空間而改變。 15. 根據申請專利範圍第1項之薄膜沈積用之設備，其中 反應室之頂端部分為圓頂形。 1 6. 根據申請專利範圍第1項之薄膜沈積用之設備，其中 基板加熱構件包括一體之加熱元件及電源供應器。 17. —種在沈積設備中形成薄膜之方法，其中沈積設備具 有一反應室，其内具有反應空間，一安置於反應空間内之 基板加熱構件，一位於反應室頂端部分之氣體注射裝置及

第23頁 1261871 _案號 90128183_年 φί_ 六、申請專利範圍 一連接氣體注射裝置之散佈裝置，該散佈裝置包括圓柱形 之第一部分、狀似截斷圓錐體形之第二部分、與複數個注 射孔，此方法包括下列步驟： 經由氣體注射裝置注射化學來源氣體； 經由具有複數個注射孔之散佈裝置將化學來源氣體注 ^ 射至反應空間；及 - 反應化學來源氣體，在安置於基板加熱構件上方之基 板表面形成薄膜。 18.根據申請專利範圍第1 7項之在沈積設備中形成薄膜之 鲁 方法，其中複數個注射孔安置於散佈裝置第二部分之側 面。 1 9. 根據申請專利範圍第1 8項之在沈積設備中形成薄膜之 · 方法，其中每一注射孔包括接受化學來源氣體之大直徑部 分及使化學來源氣體速度增加之小直徑部分。

第24頁