TWI259419B - EL display device - Google Patents

Description

1259419 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於EL顯示裝置，特別是關於具有觸控面板 功此之EL顯示裝置。 【先前技術】 、L年使用笔★琢發光（Electro Luminescence :以下簡 稱為EL」）兀件之有機EL顯示裝置，係作為取代CRT或 LCD之_不u而χ人矚目。特別是具備有作為驅動有機 EL元:的開關元件之薄膜電晶體（τΜη Fi im τ刚仏加： 、下簡稱I TFT」）之有機EL顯示裝置的開發正持續進行 另-方面，LCD顯示裝置之應用例很多，其中一例為 行動電話以及行動資訊終端機用顯示器等。此外，利用手 才曰或筆型指不裝置進行輸人之觸控面板亦在開發中。 在相關之技術文獻方φ，有例如下述專利文獻。 [專利文獻1]曰本特開2002 —1 75029號公報 [專利文獻2]日本特開2〇〇2-214583 【發明内容】 [發明所欲解決之課題] η 一仁是在有機EL顯不裝置之應用例方面，雖與[CD 士不:置一樣’有行動電話以及行動資訊終端機用顯示含 =，㈣手指或筆型指示裝置進行輸人的觸控面板的應 有觸的檢討課題。因此，本發明之目的除提供肩 面板功能之有機乩顯示裝置外，亦著重於提升該種 316160 5 1259419 有機EL頭不I置之顯示部 「 , 1上的位置檢測精度。 [解決課題之手段] 本發明之有機EL顯示裝置，椋女 θ5 罝係有鑒於上述課題而創作 者係將包3頭示用有機EL元件之 r; ^ ^ ^ ^ 貞不畫素配置成矩陣狀 以幵y成頒不部。並設置有沿荖一 ^ . . . , 啕/ 口者w亥絲員不部之第1邊而配置之 包含稷數個光源用EL元件的第 著应第1邊相㈣、真 ’弟1先源部。此外，還設有沿 置的匕3锼數個檢測用光感測器 的弟1光檢測部。 Π木7C的，a又置有沿著顯示部 ^ 只,口1 <乐2邊而配置之包含複 數個先源用有機EL元件的第2 盥篦 先源°卩。此外，還設有沿著 一弟2邊相對的邊而配置的包 ^ 9 . ^ 直J匕3锼數個檢測用光感測器的 弟Z光檢測部。 哭；夕:，第1以及第2光檢測部中，設有參照用光感測 二丨/設有比較該參照用光感測器之輸出與檢測用光 感測益之輪出的比較器。此外’本發明係將顯示部、第丨 :及弟2光源部、f !以及第2光檢測部形成在同 上0 [發明之效果] 根據本發明，可藉由—個顯示面板實現具有觸控面板 功j的有機EL顯示裝置。藉此，不僅可削減該種顯示裝置 <零件數，還可達到小型化。 匕外’由於係藉由比較為比較光檢測部之檢測用光感 測器之輪出與參照用光感測器之輸出，而檢測出顯示部上 之點P之X座標以及y座標，因此可提高該座標檢測的精 316160 6 1259419 度。 【實施方式】 接著，參照圖式說明本發明之實施形態之有機EL顯示 裝置的構造。第1圖（a)係本發明之實施形態之有機£^顯 示裝置之平面圖。第1圖（b)係沿著第}圖（“之A-A線之 剖面圖。第1圖（c)係沿著第1圖（a)iB_B線之剖面圖。 第2圖（a)係第1及第2光檢測部3〇a、30b之上視圖。第 2圖（b)係沿著第2圖（a)之C-C線之剖面圖。此外，第3 圖係弟1以及弟2光檢測部30a、30b之1區塊份的等價電 路圖。 根據本實施形態，在顯示面板1之顯示部1 〇中，複數 個顯示畫素（未圖示）係配置成矩陣狀。各個顯示晝素係包 含·顯示用有機EL元件11;未圖示之畫素選擇用τρτ( Thin Film Transistor);驅動顯示用有機EL元件u之未圖示 之驅動用TFT等。 如第1圖（a)所示，顯示部1〇，係在平面圖上呈現長 方形的形狀，且沿著第1邊設置第1光源部2〇a。在第1 光源部2 0a中複數個光源用有機EL元件21係配置成列 狀。 此外，沿著與顯示部之第1邊相對的邊，係設置第1 光檢測部30a。第1光檢測部30a，係沿著顯示部1 〇之第 1 區义為複數個區塊（未圖示），各區塊中，係以列狀配 置複數個檢測用光感測器31 (例如光電二極體）。該等檢測 用光感測器31，一接收到光便會產生作為輸出之預定電流 7 316160 1259419 或包壓，藉由以電性方式檢測該電流或電壓即可檢測光。 此外’各區塊内之複數個檢測用光感測器31，係分別 與=它們同數量之比較器33(參照第4圖）相連接。檢測用 光感測器31之輸出（電流或電壓）係被輸入各個比較器33 中。 口。 此外’在第1光檢測部3Qa之各區塊中，與複數個檢 測：光感測器31所形成的列在同一線上的一端係配置有 芩妝用光感測器32(例如光電二極體）。該參照用光感測器 〃接收到光便會產生作為輸出之預定電流或電壓，藉 由以电性方式檢測該電流或電壓即可檢測光。 此外，參照用光感測器32,係與各區塊内的所有比較 裔33連接（參照第4圖）。上述之所有比較器33中， 入有參照用光感測器32之輸出(電流或電壓）。 同樣的’沿著顯示部1〇之第2邊，設有第2光源部 〇b。在第2光源部2Gb巾’係以列狀配置複數個光 機EL元件21。 此外，沿著與顯示部]n 馀 υ之弟2邊相對的邊，係設置| 2光檢測部30b。第？ #於、日丨^ ^ ^ 弟Z大^欢測部30b，係沿著顯示部1()之

第2邊區分為複數個區塊， 於” u UL Λ, 合(he塊中，係以列狀配置複畫 個檢測用光感測器31 (例如 — 々广说占 u尤屯一極體）。各區塊中的複韋 個檢測用光感測器31，伤八w i 係刀別與和它們同數量的複 較器33(參照第3圖）相連接 u η日埂接。在各比較器33中，係輸入 有檢測用光感㈣31之輪出（電流或電壓）。 此外，在弟2光檢測部鳥之各區塊中’與複數個杉 316160 8 1259419 測用光感測器31所形成的列在同—線上的-端，係配置有 f照用光感測器32(例如光電二極體）。該參照用光感測哭 、2,係與各區塊内的所有比較器33 it接（參照第4圖）。上 述之所有比較斋33中’均輸入有該參照用光感測器Μ之 輸出（電流或電壓）。 、^卜’沿著顯示部10之第lit，位於^光源部2〇a 以及弟1光檢測部30a的上方，係設置有―對之第i光反 射板40a (參照第i圖（b))。 该第1光反射板40a ’係用以使從第！光源部·之 光源用有機EL元件21通過玻璃基板5〇而垂直發出的光， 朝玻璃基板5 0之水平方向反射。 上述光，在未受到接觸或近接顯示部1〇之筆或指尖等 指示物體（未圖示）遮蔽時，會藉由另一方的第丨光^^板 40a，重新朝玻璃基板5〇之垂直方向反射，而導入第1光 檢測部3 0 a。 同樣的，沿著顯示部1〇之第2邊，位於第2光源部 20b以及第2光檢測部30b的上方，係設置有一對之第2 光反射板40b(參照第1圖（c))。 該第2光反射板40b，係用以使從第2光源部2〇1)之 光源用有機EL元件21通過玻璃基板5 0而垂直發出的光， 朝玻璃基板5 0之水平方向反射。 上述光’在未受到接觸或近接顯示部1 〇之筆或指尖等 指示物體（未圖示）遮蔽時，會藉由另一方的第2光反射板 40b’重新朝玻璃基板50之垂直方向反射，而導入第2光 316160 9 1259419 檢測部30b。 在此，配置有複數個顯示用有機EL元件11的顯示部 1〇 ;第1以及第2光源部20a、20b，第1以及第2光檢測 部30a、30b，係設在同一玻璃基板5〇上之絕緣膜52内， 並一體形成顯示面板1。 亦即，第1以及第2光源部20a、20b之光源用有機 EL兀件21，係與顯示部1 〇之顯示用有機此元件11具有 同一構造，它們均經由相同製造步驟形成。此外，第】以 及第2光檢測部3〇a、30b之檢測用光感測器31以及參照 用光感測器32係以TFT形成，此時。 TFT與驅動用TFT相同之製造步驟形成 。此外，將用以對畫素選擇用TFT與驅動用TFT供給言 號之驅動i路安裝在顯示面板卜亦即玻璃基板5◦上時 /驅動包路内之TFT亦可經由相同之製造步驟同時形成( 该顯不面板i係收納在收納容器6"，而顯示部Η =收、納容器60之窗口露出。此外，顯示面板係形成㈣ 邛〇务出的顯不光向外部放出的構造。 接著，說明顯示部10之顯示用 以及第2光源部20a、20b之 几件11弟 構造(未圖示）。 切、用有機EL元件21之詳、, 在k形成有EL元件之基板側輪ψ 謂的底部放射型的情形，顯示用 用概元件21係具備有:依二二丨1以細 發光層 '電子書送層、第2電極之砸序=電洞輸送層、 、序知層而成的構造。 316160 1259419 在此第1電極係由IT0(indlum Tin 〇xide)等所形成 之透明電極。此外，電洞輸送層，係由MTDATA(4,4-bis (3-methylPhenylphenylamin〇)biphenyl)所形成之第】電 /同輸达層與 TPD(4, 4, 4-tris (3-methyl phenyl phenyl ami no) tnphenylamine)所形成之第2電洞輸送層所形成。發光層 係由包含喹吖啶（Quinacrid〇ne)衍生物之Bebq2(l〇苯并 [h]喹啉酚鈹配位化合物）所形成，而電子輸送層係由

Bebq2形成。此外第2電極，係由鎂銦合金或鋁、或鋁合 金所形成。 在上述顯示用有機EL元件11以及光源用有機EL元件 21中，由第1電極注入之電洞與由第2電極注入之電子會 在發光層内部再結合。此再結合之電洞與電子，會激發形 成發光層之有機分子使之產生激發子。該激發子在放射鈍 化之過程中會由發光層放出光，該光從透明之第1電極透 過玻璃基板50放出至外部而發光。 接著’參照第2圖說明第1以及第2光檢測部3〇a、 3〇b之詳細構造。第2圖（a)係第1以及第2光檢測部3〇a、 30b之上視圖。另外第2圖（b)係沿著第2圖（a)之c—c線 之剖面圖。 如第2圖（a)所示’在第1以及第2光檢測部3〇a、3〇b 中七成有複數個光遮敝膜51 ’其具有與複數個檢測用光 感測器31，以及參照用光感測器32之位置對應之開口部。 亦即，如第2圖（b)所示，於玻璃基板50上形成複數 個光遮蔽膜51。在此，只在對應於鄰接之複數檢測用光感 316160 11 1259419 測器31 ’以及參照用光感測器32之間的位置，形成複數 個光遮蔽膜51。 另外，在光遮蔽膜51上形成有絕緣膜52，該絕緣膜 52中則形成有複數個檢測用光感測器31，以及參照用光感 測器32。來自顯示面板1外部之干擾光雖會入射至第i以 及第2光檢測部3〇a、3〇b，但藉由上述光遮蔽膜^，即可 遮蔽到達檢測用光感測器31，以及參照用光感測器犯之 干擾光（至少減少干擾光）。藉此可提升檢測用光感測器 31，以及參照用光感測器32之檢測精度。 接著’蒼照第1圖、第2圖、第3圖說明在顯示部i 〇 上，頒不筆或指尖等指示物體接觸或近接之位置的點P的 檢測過程。 在頒不部1 〇上，顯示接觸或近接之指示物體位置的點 P(x，y)，係由顯示部丨〇之χ座標以及y座標決定。在此， 假設X座標係對應顯示部10之第！邊，@ y座標係對應 顯不部10之第2邊。此外，假設來自第J以及第2光源部 2〇a、20b之光源用有機EL元件21的光，係為如雷射光二 般具有指向性的光。 點p之X座標’係以下述方式決定。從第i光源部2〇a 之各光源用有機EL it件2卜通過玻璃基板5G，而垂直發 出的光，係在未受到指示物體遮蔽的位置，藉由第丨光^ =板40a朝玻璃基板5〇之水平方向反射，再藉由另—方之 乐1光反射板40a朝垂直方向再度反射，而導入第工光檢 316160 12 1259419 導入該第1光檢測部30a的光 檢測用光感測器31檢測出。此外’、所對應之複數的 似成1出。此外，檢測用 各輪出與參照用光感測哭32之於+ γ 九砍則如31之 行比較。 匕32之輸出係藉由各比較器33進 在此’參照用光感測器3 2 #开彡士 有機、η开林” μ上/成可經常照射到光源用 有广E L兀件2 i的先的配置。如此—來 31之輸出（電流或電幻與參照用光感測器32之輸出 或電壓）係-致。此時比較器33會輪 ^ 位準）。藉此，即可判斷在該檢測 CHlgh 測到光。 _在制用先感測器3!之位置檢 另-方面，在顯示部1〇Ji，指示物體接觸或近接之位 置的X軸上的位置，因從光源用有機EL元件2ι發出 ^指示物體所遮蔽。因此’位於該位置之檢測用光感測器 ，測的光的強度，至少會小於參照用光感測器心斤 祆測出之光源用有機EL元件21所發出的光的強度。 *該位置的檢測用光感測器31⑽出（電流或ς幻與 麥肊用光感測器32的輸出（電流或電壓），係藉由連接於該 心測用光感測器31的比較器33進行比較。 在此，因上述之位置檢測用光感測器31的輸出，較參 照用光感測器32的輸出小，故比較器33會輸出預定的電 壓（Low位準）。連接比較器33之檢測用光感測器3ι的位 置’即為顯示部1 〇上之點P的X座標。 同樣的，點的y座標，係根據以下方式決定。從第2 光源。卩20b的各光源用有機el元件21，通過玻璃基板5〇， 316160 13 1259419 而以與基板垂直之方式發出的光，在未受指示物體遮蔽的 位置，係藉由第2光反射板4〇b朝玻璃基板50之水平方向 反射，再利用另一方的第2光反射板4〇b再度反射於垂直 方向’並引導至第2光檢測部3〇b。 被引導至第2光檢測部33〇b的光，係藉由所對應之複 數個杈測用光感測裔31檢測。此外，檢測用光感測器3 j 的各輸出與芩照用光感測器32的輸出，係以比較器犯進 行比較。 在此，本發明係以光源用有機EL元件21所發出的光 可經常照射於參照用光感測器32的方式配置。藉此，檢測 用光感測器31的輸出（電流或電壓）與參照用光感測器32 的輸出（電流或電壓）即一致。此時比較器33會輸出預定的 私[(High位準）。藉此，可判斷出已在該檢測用光感測器 31的位置檢測到光。 另一方面，在顯示部丨〇上指示物體所接觸或近接的位 置的y軸上的位置’從光源用有機EL元件21所發出的光， 係由指示物體所遮蔽。因此，位於該位置之檢測用光感測 器31所檢測之光的強度，至少會小於參照用光感測器犯 所檢測之從光源用有機EL元件21所發出的光。 ^該位置之檢測用光感測器31的輸出（電流或電壓）與 茶照用光感測H 32的輸出（電流或電壓），係藉 於、 檢測用光感測器31的比較器33進行比較。 、以 在此，因該位置之檢測用光感測器31的輸出，較來昭 用光感測器32的輸出小，故比較器33會輸出預定的電壓 316160 14 1259419 、準）連接比較為3 3之檢測用光感測器31的位置， 即為顯示部10上的點P的y座標。 β此外，來自第1以及第2光源部20a，2〇b之各光源用 $機EL元件21的光為不具有雷射光之指向性的擴散光 時，點P(x，y)的x座標以及y座標，可依照下述說明之方 式來決定。 h亦即，可依序切換發光之光源用有機EL元件，藉由逐 认偵測未檢測出光的檢洲光感測H的位置來決^。喪昭 第3圖說明決定此時之點Ρ(χ，_χ座標以〇座標㈣ 弟3圖（a)、第3圖⑻、第3圖（c)，係說明決定點 x，y)之X座標以及y座標之過程的一例的顯示面板ι的 2略平面圖。此外，在第3圖⑷、第3圖（13)、第3圖（〇 中：為簡化說明，而只顯示較第i圖⑷所示之個數為少的 光源用有機EL元件以及檢測用光感測器。 如第3圖（a)所示，從配置於f i光源部2〇a__端的光 源用有機EL元件21a發出的光，係通過玻璃基板5〇(未圖 不），與該玻璃基板呈垂直地射出。此光，係#由配置在第 其先源部，上方的第1光反射板術（未圖示），朝著玻璃 基板50的水平方向反射。朝水平方向反射的光，在未受指 不物體PT遮蔽的位置’藉由配置在第i光檢測部咖上方 的第1光反射板40a(未圖示)再度朝著顯示面板i的背面 之方向反射’並引導至第1光檢測部30a。 此外，上述光，係藉由配置在第2光檢測部3〇b上方 316160 15 1259419 之第2光反射板40b(不圖示）再度朝著顯示面板】的背面 之方向反射，並引導至第2光檢測部30b。藉由上述方式 被引導至第1以及第2光檢測部30a、30b的光，係由與有 该光源導入的位置對應的檢測用光感測器（在第3圖的例 中為檢測用光感測器 31a、31d、31e、31f、31g、31h、311、 31 j )加以檢測。 另一方面，朝水平方向反射的光受到指示物體ρτ遮蔽 的位置，因光文到指示物體所遮蔽，而無法被引導至第工 以及第2光檢測部30a、30b。亦即，在與該位置對應之檢 測用光感測器（在第3圖的例中為檢測用光感測器31b、3ic 並沒有檢測到光。 如上所述，調查第i以及第2光檢測部30a、3〇b之檢 測用光感測器中沒有檢測到㈣檢測用光感測器，再將其 X座標或y座標上的位置儲存於記憶體等記憶媒體（未圖 示）。在結束上述作業後，即熄滅光源用有機EL元件21a。 接著，如第3圖（b)所示，使光從鄰接光源用有機el 元件21a之光源用有機EL元件21b發出。接著，在第工 以及第2光檢測部30a、3〇b的檢測用光感測器中，將沒有 檢測道光的_用光m(在第3圖⑻的财為檢測用 光感測器31a、31b)的x座標或y座標上的位置儲存於記 憶體等（未圖示）。在4士击卜、十七 一 任、、、σ束上述作業後，即熄滅光源用有機 同樣的，依序切換第 用有機EL元件21c、21d、 1光源部20a中相互鄰接之光源 21c、21f使其發光以及熄滅， 316160 16 1259419 反伋進仃逐次調查沒有檢測到光的檢測用光感測器，並將 X座標或/座標上的位置記錄於記憶體等(未圖示)的作、 業接著如第3圖（c)所示，在使光從光源用有機此元 件21f發出時，將沒有檢測到光的檢測用光感測器（在第3 圖（〇的例中為檢測用光感測器31])的χ座標或乂座標上 的位置儲存於記憶體等（未圖示）。 丁 有機Ϊ著=束從配置於第1光源部⑽之端部的光源用 有機EL兀件21a到配置於另—端部的光源 := 光及，從第⑽ 有機ELtl件21g到另-端部的光源用有機虹元件 為止’依序切換使其發光以及媳滅，並逐次在第1以及 2的光檢測部，、鳩中，調查沒有檢測到 ^測器，並將^標“座標上的位置儲存於記憶體= 圖不）〇 1 如上所述，調查沒有檢測到第i以及第2光源部_、 2〇b的光的第i以及第2光檢測 、、目丨丨哭^ ^ , a dUb的檢測用光感 i ’依耗測與該位置對應^座標或y 儲存於記憶體等（未圖示）。 下、’將〆、 接著，II由綜合判斷依序侧並儲存之沒有檢測到光 之檢測用光感測II的X座標或y座標，來特定出指示物體 所接觸或近接之位置的點Ρ(Χ，Μ x座標或y座標。之 後，為檢測下一個點p(x，y)，而將丁 加以初期化。 料於仏體㈣内容 此外，參照用光感測器32可使用光遮蔽膜51遮蔽光， 316160 17 1259419 使之不受到光之經常照射。 上述之點P的X座標或y座標的檢測，係以第1以及 弟2光檢測部3 0 a、3 0 b的區塊單位來進行。以下，參照第 4圖說明以區塊為單位之點p的χ座標或y座標的檢測。 文供給用以選擇區塊的訊號（例如·· Η丨或L〇w位準） 的區塊切換訊號線Sb，係連接於區塊選擇用tft (Th i n F i 1 in transistor)7〇的閘極。區塊選擇用Tn 7〇的源極7〇s， 則連接將電源供給至檢測用光感測器31以及參照用光感 測器32的電源電壓Vdd。區塊選擇用TFT 70的汲極70d， 除連接複數個光感測器選擇用TFT 80的源極8〇s之外，亦 連接配置於同一區塊的參照用光感測器32(例如光電二極 體）。 各光感測器選擇用TFT 80的閘極，係分別與切換訊號 線SI S2、S3、S4、S5、S6連接，該等切換訊號線係用以 提供可依序切換導通（0N)的檢測用光感測器31之訊號。此 外，其汲極80d，係分別與複數個檢測用光感測器31 (例 如··光電二極體）連接。 上述之複數個檢測用光感測器31，係與複數個比較器 33之一方的輸入端子連接。此外，各比較器33之另一 的輸入端子，則共通而與參照用光感測器犯 隱、觀、嶋、、觀、〇UT6，係分別從上= 比較器3 3向外延伸。 接著，說明上述第！以及第2光檢測部3〇a、3〇b之區 塊以及檢測用光感測器31的切換動作。此外，在此，係假 316160 18 1259419 δ又區塊廷擇用TFT 70、光感測器選擇用τπ 8〇，均為N 通道型TFT而進行說明。 在第1以及第2光檢測部3〇a、3〇b之最初被選擇的區 塊中，當區塊切換訊號線Sb變為High位準時，區塊選擇 用TFT 70即導通⑽）。藉此’使電源電壓卿供給至複數 個光感測器選擇用TFT 80的源極8〇s。 此時，電源電壓Vdd亦同時被供給至參照用光感測器 32。因此，參照用光感測器32，在區塊切換訊號線讥為 High位準的期間，會持續輪出對應於受光量的電壓。 首先，切換訊號線S1至S6全部成為Low位準。此時， 口電源电壓Vdd未被供給至所有的檢測用光感測器Μ，故 全部為Low輸出，在所有的比較器33中，因參照用光感測 益32的輸出較高，故輸出線〇UT1至〇υτ6均為輸出。 接著，最初的光感測器選擇用m 8〇的切換訊號線 S1變為Hlgh位準’而選擇與之對應之連接於光感測器選 擇用TFT 80的檢測用光感測器3 j。 、^後，藉由比較裔33比較檢測用光感測器31的輸出 以及芩照用光感器32的輸出，並進行前述點p之X座標或 y座標的檢m，比較器33所得之比較結果，係成為 預疋甩麼（例如High或Low位準）而從輸出線〇UT1輸出。 例如’當參照用光感測器3 2照射到光時被選擇之檢測 用光感測器31沒有感測到光的情況，此時因檢測用光感測 裔31的輸出電壓下降，故比較器、33的輸出會變為Hlgh， 而在相反的情況下則輸出Low。 316160 19 Ϊ259419 。之後，在切換訊號線S1變為H i gh位準後，該光感測 克選擇用TFT 80即不導通（0FF)。接著，當鄰接之下一光 感測為選擇用TFT 80的切換訊號線§變為High位準時， 即下一光感測器選擇用TFT 80即導通（on)。 ^依序重覆上述切換動作以及點P之X座標或y座標的 榀測，直到與切換訊號線S6對應之光感測器選擇用 為止。之後，區塊切換訊號Sb變為Low位準，而選擇鄰接 之下一區塊。 亦即，當鄰接之下1區塊的區塊切換訊號線Sb變為高 位準時，該區塊之區塊選擇用TFT70即導通（0N)，並對複 數個光感測器選擇用TFT 80的汲極供給來自電源電壓vdd 的電流。 之後的光感測器選擇用TFT 80的切換動作以及點p 的X座標或y座標的檢測，係與最初之區塊的檢測相同。 上述之區塊的切換動作，會不斷重覆進行直到檢測到最後 的區塊。 在此’在進行上述之光感測器選擇用TFT 8〇的切換 時，可將切換訊號線S1乃至S6連接在同一移位暫存器， 而依序切換供給至切換訊號線S1乃至S6的訊號，使各檢 測用光感測器31依序動作。 此外，在上述之實施形態中，檢測用光感測器31以及 參照用光感測器32,係以例如光電二極體形成之感測器， 但亦可並聯連接複數個光電二極體，來形成1個檢測用光 感測器31或參照用光感測器32的至少其中之一。夂昭 316160 20 1259419 式說明此時之第1以及第2光檢測部30a、31 b的詳細構 造。 第5圖為並聯連接複數個光電二極體而形成檢測用光 感測器31或參照用光感測器32時之第1以及第2光檢測 部30a、30b的上視圖。此外，第6圖為此時之第1以及第 2光檢測部30a、30b的1區塊份的等效電路圖。 如第5圖所示，設置光遮蔽膜51 p，使之具有與並聯 連接之複數個光電二極體之檢測用光感測器3丨p以及參照 用光感測為32p對應之開口部。沿著第5圖之d-d線之剖 面圖，具有與第2圖（b)相同之構造。 此外，如第6圖所示，檢測用光感測器31p以及參照 用光感測器32p，係藉由並聯連接光電二極體而形成。藉 此，因檢測用光感測器31p以及參照用光感測器32p的各 輸出訊號變大，故得以提升其光檢測精度，而提升前述之 點P的X座標以及y座標的檢測精度。 此外，在上述實施形態中，檢測用光感測器3丨以及來 照用光感測器32，例如係以光電二極體形成，但檢測用光 感測器31、31p或參照用光感測器32、32p的至少其中之 一，可藉由光電二極體以外的光電子裝置構成。 此外’上述實施形態之顯示裝置，係於每一畫素形成 有TFT之以主動矩陣方式形成之顯示裝置，但本發明並未 侷限於此，本實施形態之顯示裝置，亦可形成為一種在每 —晝素中不具有TFT之以被動矩陣方式形成的顯示裝置。 此外，上述實施形態可適用於：使乩元件的光透過形 316160 21 1259419 成有EL元件之玻璃基板50而放出至外部的底部放】 顯不裝置。此外，亦可適用於：破璃基板5〇為面向升=、EL EL元件之玻璃基板而設置之基板的情形，亦即，使;成有 件的光，從基板之EL元件形成側的相反側放出之凡 型EL顯示裝置。 、°丨敌射 此外，在上述實施形態中，形成於光遮蔽膜5

之開口部’係呈圓形的形狀，但本發明並未偈限於此P 要該開口部可使光源用有機EL元件21的光通過並抑制： 擾光的射入，其他形狀亦可適用。 卞 如上所述，藉由與顯示用有機件11相同的有機 EL讀，形成用以檢測指示物體的光源。藉此，即不 用其他元件重新形成用以檢測指示物體的光源。因此而 同時形成顯示用以及光源用之兩種有機乩元件。 ^卜，由於本發明係以m形成光感測器（檢測用光成 測裔31、31p、芩照用光感測器32、32p)，因此，查 素中具有TFT之主動矩陣形虹顯示裝置中，可同時形^ 述之光感測器與晝素。 參上述/施形態，亦可適用於以無機材料做為發 光層的媒機EL #員不裝置。 如上所述’本發明可在不增加工程數的情況下，實現 。上述之具有觸控面板功能之el顯示裝置。 【圖式簡單說明】 右撒^ 1圖（a)至（C)係用以實施本發明之最佳實施形態之 顯不裝置的平面圖’A-A線剖面圖以及B_B線剖面 316160 22 1259419

第2圖（a)及（b)係顯示第1圖之有機EL顯示裝置 作之顯示面板的概略平面圖。 之動 光檢測部的 第3圖（a)至（c)係第1圖之第1以及第2 上視圖，以及C-C線剖面圖。 第4圖係第3圖之第1以及第2光檢測部的篝泰 圖。 寸双电路 圖係第1圖之第1以及第2光檢測部的上視圖 圖係第5圖之第1以及第2光檢測部的等效電路_ 第5 第6 圖。 【主要元件符號說明】 I 顯示面板 II 顯示用有機EL元件 2〇b 第2光源部 3〇a 第1光檢測部 31、31p檢測用光感測器 33 比較器 4〇b 第2光射板 51、51p光遮蔽膜 60 收納容器

8〇 光感測器選擇用TFT

Sb 區塊切換訊號線 SI 、 S2 、 S3 、 S4 、 S5 、 S6 10 顯示部 20a 第1光源部 21 光源用有機EL元件 30b 第2光檢測部 32、32p參照用光感測器 40a 第1光反射板 50 玻璃基板 52 絕緣膜

70 區塊選擇用TFT

Vdd 電源電壓 切換訊號線 OUT1、OUT2、OUT3、0UT4、OUT5、OUT6 輸出線 23 316160

Claims (1)

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、申凊專利範圍·· -種電場#光顯示裝置，係具有： 絲員不畫素配置成矩 將包含顯示用電場發光元件之 陣狀而成之顯示部； 沿著該顯示部第 揚癸本“一置之包含複數個 用電場發光元件的第1光源部’· 檢測述第1邊相對的邊而配置的包含複數個 私測用先感剛器的第1光檢測部； :著前述顯示部之第2邊而配置之包含複數個光 源用氧場發光元件的第2光源部；以及 於、目丨=前述第2邊相對的邊而配置的包含複數個 才双測^光感測器的第2光檢測部，而且 前述第1以及第2光檢測部，具有： 參照用光感測器；以及 分別比較該參照用光感測器之輸出與前述複數個 檢測用光感測器之各輸出的複數個比較器。 2. 3. 如曰申請專利範圍帛1項之電場發光顯示裝置，其中，前 L ”、、員示邛别述第1及第2光源部、以及前述第1及第 2光檢測部係形成於同一基板上。 如申請專利範圍第2項之電場發光顯示裝置，其中，具 有·將前述第1光源部發出的光，導入前述第丨光檢測 邛的1對的第1光反射板；以及 將前速第2光源部發出的光，導入前述第2光檢測 部的1對的第2光反射板。 24 316160 1259419 4. 如申^專利範圍第3項之電場發光顯示裝置，其中，前 =第1以及第2光檢測部之前述複數個檢測用光感測 〇〇與刖述苓照用光感測器，係由光電二極體構成。 5. 如=請專利範圍第4項之電場發光顯示裝置，其中，前 述^1以及第2光檢測部之前述複數個檢測用光感測器 與前述參照用光感測器，係並聯連接複數個光電二極體 而成。 6. ，申請專利範圍第1JM之電場發光顯示裝置，其係前述 頌不晝素中具有開關元件之主動型電場發光顯示 置。 7. 如申料利範圍U項或第6項之電場發錢示裝置， 其中’前述顯示用電場發光元件與前述光源用電場發光 元件係同時形成。 8·如申请專利範圍帛6項之電場發光顯示裝置，其中，前 ^』不旦素内之開關元件與前述檢測用光感測器係 時形成。 9·如申請專利範圍帛7項之電場發光顯示裝置，其中，前 述顯示晝素内之開關元件與前述檢測用光感測器係同 時形成。 、 10. 如申凊專㈣圍第i項之電場發光顯示裝置，其中，前 述顯示用電場發光元件與前述光源用電場發光元件之 構造係相同。 11. 如申料利範圍第i項之電場發錢示裝置，其中，前 述檢測用光感測器與前述參照用光感測器之構造係相 316160 25 1259419 同。 12.如申請專利範圍第1項之電場發光顯示裝置，其中，前 述檢測用光感測器係藉由移位暫存器而依序動作。 26 316160