TWI259290B - Common-path phase-shift interferometry surface plasmon resonance microscope - Google Patents

Description

1259290 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種具共光程移相干涉術之表面電漿共 振顯微鏡，尤係關於一種裝置可藉由共光程移相干涉術來 1 /則一平面之垂直方向上相位變化量之二維分佈。 【先前技術】 如圖1所示，表面電漿波（Surface piasma wave ; spw)係 存在於金屬（金或銀）與非導電介質（空氣或水）界面的物理 現象，可藉由一入射光14經耦合器丨丨（菱鏡）耦合至一金屬膜 層12，因此可激發金屬膜層12及空氣13界面間自由電子在 縱向上產生集體性（e〇llective)共振運動，此種共振運動即 稱之為表面電漿波。 為了激發出上述非放射之表面電漿波，多採用衰逝全反 射（Attenuated Total Reflecti〇n; ATR)方法，亦即當入射光 14產生全反射之同時，平行人射面之p偏振光（p w叫會進 入空氣13層’其穿透深度約半個波長左右因此稱之為衰 逝波（evanescent wave)。表面電漿波震盪方向係垂直於金屬 膜層12及空氣13間界面，並^沿㈣界面水平μ傳遞。 電磁場因此有效地集中於界面’此衰逝波電場之極大值亦 存在於界面中，並隨著離開界面之距離呈指數分佈遞減。 表面電漿波產生需滿足Ρ偏振入射光於界面之平行波分量 kx與表面電漿波向量ksp如下之匹配條件： 刀里 k，k〇E — 0 = ksp·， 其中㈣光線相對於金屬膜層12之入射角；k〇=27r/A ; P41484\96591 . 003964119 1259290 又代表波長；ε 〇為耦合器11與波長相關之介電常數 (dielectric constant)。當產生表面電槳波時其色散關係式由 下列等式表示： κ=κ{-^-}2 ； 其中ε〗及ε 2分別代表金屬膜層12及空氣13與波長相關 之介電常數。當滿足上述匹配條件時，大部分入射光之能 量將傳給表面電漿波。 表面電漿共振感測器係利用上述原理所製成，其方法係 將待測物之配位體（ligand)固定或吸附於金屬膜層12表 面。當此配位體與待測物結合時，表面電漿波會發生改變， 此種改變即可表示出配位體與待測物間之結合狀態。藉此 可應用此種感測器伯測出抗原與抗體、酵素與基質、㈣ 與受體及核酸與核酸等分子間反應。另外，還可盘生物曰、 片配合，能快速完成平行篩檢之大量實驗。 日日 然而目前表面電漿妓振# 口口 ，、振感測為大夕會因外界環境擾動、 :械振動與光源不穩定而造成相位飄移： 適合於需要長時間量剛的應用。因此，市場上亟需要= 鄕. 員锨鏡，不僅能排除外部因辛之心 备，更能於長時間量測時保持極佳 口素〜 【發明内容】 ㈣疋度。 本發明之目 漿共振顯微鏡 界環境擾動、 ，小少

，其_ ”/、光程移相干涉術之表S 機械夕相干涉術，故可排隙 戍餓振動與光源不移 ^ 而乂成相位飄移之 P41484\96591 ； 003964119 1259290 題而車乂適用於長日守間量測一待測平面於垂直方向上相位 變化量之二維分佈。 為達上述目的’本發明揭示—種具共光程移相干涉術之 表面電漿共振顯微鏡，可藉由相位還原而達到二維成像。 該表面電漿共振顯微鏡包含一同調光源、一耦合器、一電 光調變器及-影像擷取器中軸合器有—表面塗佈至 =一金屬層。該㈣光源所發_調光線會射入該耦合 器，並激發該金屬層而產生表面電漿波。由於p偏振入射光 ^能激發表面電m波形成共振現象，而且該共振現象會隨 著該金屬層表面上界面條件改變而造成反射光線之相位驟 變。另外，因為s偏振光相位保持不變可作為參考光，利用 該電光調變ϋ使其與該P偏振光產生相位移干涉，並由該影 像擷取器取得相關之干涉圖案。 該電光調變器可以是-液晶相位延遲器，其可將該Ρ偏振 光震盪方向置於快軸上，及使該S偏振光震盪方向置於慢軸 上，經由外部電壓改變調變器透光軸方向而調變8偏振光之 相位延遲。最後經過調變後之該ρ偏振光及8偏振光會通過 一偏振板產生干涉，而再由該影像擷取器取得相關之干涉 圖案。 藉由改變該外部電壓而使該快軸與慢軸產生不同之相位 差’於不同相位差之狀況下可取得不同干涉圖案，然後藉 由相位還原方法將該複數個干涉圖案重建為相位變化之連 續分佈圖。 【實施方式】 Ρ41484\96591 , 003964119 1259290 圖2係本發明之具共光程移相干涉術之表面電漿共振顯 微鏡之示意圖。藉由一同調光源21發出同調光線以作為入 射光源，例如：波長為632.8nm之氦氖雷射，該同調光線先 經過一線性偏振板（linear P〇larizer}22丨調整入射之p偏振光 (P wave)及S偏振光（S wave)分量。然後偏極化之光線需要 由光束擴大23轉換為一平面光束，該平面光束會透過耦 合器24(本實施例為一菱鏡（prism))，而後激發第二金屬膜 層262及樣本層8〇間界面產生表面電漿波。 由於金的特性穩定，因此適合作為第二金屬膜層262之材 質，其介電常數為-l〇+L47j。在以金（Au)製作之第二金屬 膜層262與耦合器24(玻璃）間若以鉻（Cr)作為界面犧牲用途 之第一金屬膜層261之材質之材質，可以增加該耦合器24和 第二金屬膜層262間之附著力。又第一金屬膜層261和耦合 态24間可以匹配溶液達到緊密之配合。另外，若第二金屬 膜層262和耦合器24原本即具有良好附著力，其亦可直接附 者於搞合為24表面。 反射後之P偏振光及S偏振光會有相位差，然後通過一電 光凋變态（Electro-Optic Modulator ; EOM)25 與一聚焦鏡 28，而再由一分光鏡（beam spliUer)27將光束分為兩部分。 該電光調變器25可以是一液晶相位延遲器，或者是一電光 日日體，例如·· LiNb〇3、ADp(NH4H2P〇4RKDp(KH2P〇4)， 其可將該P偏振光震盪方向置於快軸上，及使該8偏振光震 盪方向置於慢軸上。經由外部電壓改變透光軸方向而調變 器透光轴方向而調變S偏振光之相位延遲，最後經過調變後 P41484\9659l . 003964119 1259290 之該p偏振光及s偏振光於直行部分之光束會通過—偏振板 =3產生干涉，而再由該影像擷取器”取得相關之干涉圖 案。轉折部分之光束會由偏振片222將s偏振光據除，而只 有P偏振光會抵達至光感測器23内，該光感測器2&會偵測出 共振角。 以向列型液晶相位延遲器來產生共光程移相干涉為較 佳’因為其為一正型單光軸晶體，相對於其他的光電晶體 有製造容易及成本低廉之優勢。另外在折射率異向性 (ams〇tr〇plc lndex)上亦遠大於一般電光晶體，而所需之操 作電壓亦遠小於電光晶體之操作電壓。 藉由改變電光調變器25之操作電壓而使該快軸與慢軸產 生不同之$位差，例如經校正得五電壓值，而分別可產生 Θ 〇、Θ 〇+h、Θ 〇+ 7Γ、0 0 〇+2 冗相位差，其中 0 〇 為仞始相位差。於此不同相位差之狀況下可取得五張不同 干涉圖案，然後藉由相位還原方法將該些干涉圖案重建為 相位變化之連續分佈圖。 圖3(a)〜3(e)係本發明藉由電光調變器25產生五步階相 位差之干涉圖案，其係〇1^八生物分子於一生物感測器上所 造成之相位改變分布情形，該感測器的結構為[Si〇2 / Cr / Au / HS(CH2)15COOH / DNA / N2]。在有關感測器的製備方 面’首先將金浸泡於ImM的硫醇化合物（Η8((^Η2)15(^0〇Η) 之t，於靜置12小時之後清洗，再以EDC/MES溶液（EDC， Ethyl- 3- (3- dimethylaminopropyl)- carbodiimide ； MES ^ 2- (N- morpholino) ethane sulfonic acid)浸泡 4小時後，將任 P4I484\9659I ； 003964119 1259290 意之單股DNA分子與含有50% DMSO(二甲基亞，Dimethyl Sulforide)之待測物點於感測器之上，例如本實施例中所使 用者為濃度50μΜ，長度為15個驗基之單股DNA分子（其序列 為·· 5’-CATCCGTGTGGTAAC-3，）；靜置 12小時之後，經〇.1% SDS與去離子水清洗，將單股之DNA固定鍵結於感測器之 上。經由此本發明所提出之系統擷取到影像如圖3(a)〜3(e) 所不。取影像中400像素χ4〇〇像素（約4.2mmx3mm)之面積作 五步移相干涉，並可將相位變化量解出，如此能清楚的看 出在有DNA點的位置上會有造成平均約〇·38π之相位差異。 利用圖3(a)〜3(e)之五步階相位差之干涉圖案進行五步 相位還原’可取得該等像素在垂直方向上之相位。然後再 將取得之相位做二維之解纏繞，以去除不連續之相位變 化’最後就得到原始相位之二維分佈圖形，如圖4所示。 圖5係本發明表面電漿共振顯微鏡之穩定度數據表示 圖。首先將入射角調至共振角的位置，樣本層8〇設為氮氣， 其流速為1〇〇μ卜溫度控制在3〇它，取1〇〇χ1〇〇像素並將其 資Λ平均。持績置測4小時下之相位變化，由實驗結果 顯示經過四個小時的量測其標準差可達2.8x1 (Τ\。 接著量/則此電聚共振顯微鏡之偵測靈敏度，同樣的將 入射角調至共振角的位置，待測物為氮氣與氬氣，兩者折 射率差約為1.5x1〇-5riu，流速設為1〇〇μ1，溫度控制在川 C，取ΙΟΟχίοο像素取得其相位資訊後將其平均，並於每$ 刀釦切換氣體一次。由圖6中可看出在氮、氬氣折射率差異 在1.5xl〇5Rlu的情況不之相位差異約5><1〇_~，再與所量 P41484\%591 .003964119 1259290 測之穩定度結果相比，估計可以解析出8.4xi〇_7RIU之折射 率差異量。 綜上所述，本發明之電漿共振顯微鏡2〇不僅可以提供一 高靈敏且高通量之平行檢測外，還可以提昇相位量測上之 铋疋度，使其於長時間之量測上避免因外界環境的擾動、 機械振動與光源的不穩定因素之影響造成之量測上誤差。 本發明之技術内容及技術特點已揭示如上，然而熟悉本 項技術之人士仍可能基於本發明之教示及揭#而作種種不 背離本發明精神之替換及修飾。因此，本發明之保護範圍 應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不f離本發明之 替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 一圖1係f知之Kretschmann組態之表面電漿共振感測器之 不意圖； 圖2係本發明之具共光程移相干涉術之表面電漿共振顯 微鏡之示意圖； 、，圖3⑷〜3(e)係本發明藉由電光調變器產生五步階相位 差之干涉圖案； 圖4係本發明之五步階相位差之干涉圖案還 分佈圖； 不 圖5係本發明表面電漿共振顯微鏡之穩定度數據表 圖；以及 圖6係本發明表 示圖。 面電漿共振顯微鏡之靈敏度實驗數據表 P41484\96591 ; 003964119 1259290 【主要元件符號說明】 2a 光感測器 2b 11 耦合器 12 13 空氣 14 20 表面電漿共振顯微鏡 21 23 光束擴大器 24 25 電光調變器 27 28 聚焦透鏡 29 80 樣本層 221 、222、223 偏振板 261 262 第二金屬膜層 相位還原處理裝置 金屬膜層 入射光 同調光源 耦合器 分光鏡 影像擷取器 第一金屬膜層 P41484\96591 ; 003964119 -12 -

Claims (1)

1259290 十、申請專利範圍： 種具共光B相干涉術之表面電漿共振顯微鏡，包含： 一輕合器； —同調光源’可發出同調光線，並射入該輕合器； —金屬層，其一表面緊臨-樣本層，該耦合器之射入 光線可激發該金屬層而於該金屬層與樣本層之界 表面電漿波； -電光調變器’可調變自該輕合器穿射出光線在不同 偏振方向上之相位；以及 —影像擷取n，操取得該μ偏振方向光線所產 干涉圖案。 2. 根據δ月求項1之具共光程移相干涉術之表面電聚共振顯微 鏡’其另包含一偏振板設於該同調光源及輕合器間其係 用來調整該同調光線之偏振性分量。 、” 3. =據：求項2之具共光程移相干涉術之表面電漿共振顯微 、見，、另包含-光束擴大器將偏振後之該同調光線轉換 一平面光束。 、 4·=據^求項1之具共光程移相干涉術之表面電浆共振顯微 兄」、包含一分光鏡將自該電光調變器穿射出之光線分 為一直行部分及一轉折部分。 刀 5. =據：求項4之具共光程移相干涉術之表面《共振顯微 、見、中該轉折部分由-光感㈣器備測該表面電装波之共 振角^角度，又該直行部分則進入該影像操取器内。 6. 根據。月未項5之具共光程移相干涉術之表面電聚共振 Ρ41484\96591 ; 003964119 1259290 鏡’其中該金屬層係由金所構成。 1 6.根據明求項丨5之具共光程移相干涉術之表面電漿共振顯 微鏡，其另包含一鉻之金屬層設於該金屬層與該耦合器 間。 17. 18. ^據:求項！之具共光程移相干涉術之表面電漿共振顯微 、兄，二中該金屬層係附著於該耦合器之一表面。 月长項1之具共光程移相干涉術之 帝將 鏡，其中兮 衣面私水共振顯微 不同偏振方向光線包括Ρ偏振光及S偏振光。 P41484\96591 ; 00396411^