TWI247551B - Method of manufacturing electrical resistance heating element - Google Patents

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TWI247551B
TWI247551B TW093122399A TW93122399A TWI247551B TW I247551 B TWI247551 B TW I247551B TW 093122399 A TW093122399 A TW 093122399A TW 93122399 A TW93122399 A TW 93122399A TW I247551 B TWI247551 B TW I247551B
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Hiroto Matsuda
Kazuhiro Nobori
Yutaka Mori
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Ngk Insulators Ltd
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Description

五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於一種内藏有電極之發熱體的製造方法， •適用於熱CVD裝置及失頭裝置等的半導體製造裝置的加熱 •器、靜電夾頭以及高週波印可基座等。 【先前技術】 在半導體製造技術的領域中，經常會進行對晶圓等的 電漿蝕刻、化學蒸鍍（CVD，Chemical Vap〇r 作 ^p^s 111 on)、離子鍍等的處理加工，在實施此處理加 或=中，加熱晶圓的構件係使用加熱裝置（加熱器）、 -曰曰=固疋構件的靜電夾頭以及高週波印可用的基座。 、南i 裝置及钱刻裝置等的半導體製造裝置中， 清洗及钕性氣體作為蒸鑛、餘
等卿氣中，由於充填氯氣 其ΓΤ Γ3Π 7 Ϊ dr …、及基座被腐♦虫’會有在加孰哭B ==氯化物或氧化物等的顆粒的問題 炼點金屬所構成構成基座’並將高 上述陶瓷加熱器的萝皮， 壓成形的模具中而預備^ ^ I先係將陶瓷粉末加入衝 定的平面圖宰f f^ 預備成形的表面上沿著gj 置連績的凹部或溝槽，之後將端子二； 7066- 6321-PF(N3)；Chentf.ptd 第5頁 1247551 五、發明說明（2) 捲動高炫點金屬之線體 體’該電阻發熱體係容納於凹部或=而^電阻發熱 >究粉末而成形。更進一步在埋二；：f上填充陶 波電極，在其上填充 末、：成士方之：置 狀的成型體以熱加壓的方法燒結，狀的成型體，將圓盤 由上述陶瓷加熱器的製造方法所的 於將高炫點金屬所構成的電务埋 甸^加熱器由 材，在承載晶圓的狀態下，直接；於緻密的陶兗基 以及加熱時的反應。而且，在陶^心二’可提升均熱性 的電極，由於對於晶圓承載面，“2 =電漿產生用 性，無法對所承载的晶圓直接施^、、ώ =具有絕緣 率的加熱。5木之虞的載置，則可對晶圓做有效 專利文iu特開平6_1 51 332號公報（第2頁，第 【發明内容】 形體上配置熱器的製造方法中，在預備成 竟粉末而燒的！動體，之後由於填充陶 的問題。當成妒體Γ h有伴奴緻密化而使成形體收縮 陶:編在燒結後從具有晶圓載置面的 度(以下，稱為 電漿的強度由於視電漿產生用電極的埋設位置即介電 第6頁 7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd 1247551 五、發明說明（3) 層的厚度而定，若 無法均勻。若電漿 .時無法進行均勻的 品質降低的問題。 近年來，伴隨 要求需有高度的製 例如，習知技術中 使用於1GDRAM的層 均化，因此要求介 内。因此，在半導 厚度誤差，俾使電 為解決上述問 電極之發熱體的製 產品的良率。 介電層的 的產生無 成膜，因 厚度不均勻，則電漿的產生就 法均勻’在晶圓等的成膜處理 此晶圓等的良率會降低，導致 半導體高 品良率， 介電層厚 間絕緣膜 電層厚度 體製造裝 漿產生得 題，本發 造方法 度積體化及配線法則微細化， 介電層的厚度也要求要平均。 度的誤差平均為± 0· 5mm。在 =、’為了使介電層厚度誤差平 秩差在± 0. 〇5随以下的範圍 置中，以往均要求減少介電層 以平均化。 明的目的在於提供一種内藏有 使電漿的產生平均化，並提升 解決問題的手段 如前所述，電漿的均勻性與介電層的厚度誤差（ 度）之間的相關關係為公知’藉由介電層的厚度誤差的降 低，可使電漿的產生平均化。 $ 於此，本申請案的發明人，為了使電衆均句地產生， 對於降低介電層厚度的誤差做了種種的研究。巾且 預備陶莞燒結體或陶竟鍛燒體’並使用所形成的陶竟芦= 體或陶瓷鍛燒體，在陶竟燒結體或陶瓷鍛燒體上形成 極。之後，藉由形成埋设南熔點金屬的陶瓷基材，在燒結 7066-632l-PF(N3);Chentf.ptd 第7頁 五、發明說明（4) ^伴隨^結收縮等 果使電漿的產生心”電層厚度的誤差降低，結 制浐· r本^月之内藏電極之發熱體的製造方氺1 士 •二燒結體或陶究鍛燒體的製程上：下列 it:或陶兗锻燒體形成於電極上的製程；：ΐϊ之陶 電極上开^成土士化 乂及在^ μ & 戚埋5又回烙點金屬的陶瓷基材，並# 4上述 内臧發熱體的製程。 猎此形成電極 在本發明的特徵中，由於電漿產 體上，陶咖吉體燒結時產生收縮，、可於陶 内因熱傳導率的差所引起的變形。因此，夢ΐ陶究 3結體形成既定的形狀，在陶竟燒結體上形成電：由陶究 極配置於既定位置之同時，可減少介電層: = 將電 又，上述的發明更包括在形成心：：。 =吉=陶績體的形成上述電極的面二=^ 中央邛中央高起而形成中凸形狀的製程。 力工使 =發明中，形成電極的陶瓷燒結體的面， 中央突起而形成中凸形狀，可以緩和中央 : 荷的高壓，減少介電層厚度的誤差。 、。邛負 (hea二；ϋίϊΛ，内藏電極的發熱體最好是加熱器 (heater)靜電火碩（e! ec t r os t a t i c chuck )以及 (susceptor)其中之一 〇 在本發明中，由於得到可盡& 器、靜電夾頭以及基座，可提古成腺:1的陶究加熱 更進-步，在上述的：：；：ί;刻㈣度。 土月甲，上述電極最好是以高熔 1247551 五、發明說明（5) — 網狀的任一種形狀的電極 使使用容易變形之電極 點金屬為主要成分的塊體或印刷體所構成的線狀、板狀或 網狀的任一種形狀的電極。 - 在本發明中，即使使用容易變形之電極，也可減 電層厚度的誤差 、:八又’在上述發明中，陶瓷燒結體或陶瓷鍛燒體的陶竟 粉末最好從氮化鋁（A1N)、碳化矽（SiC)、氮化矽（SiNX， S h I)之中選擇出作為原料，成形之後燒結或鍛燒而得。 I 在本發明中，由於氮化鋁、碳化矽、氮化矽中任一均 ^有高的熱傳導率，可提升藏於電極内的發熱體的加熱效 半。又，陶瓷燒結體使用A1N的情況下，可得到 糸腐蝕性氣體的耐蝕性。 、…/、 wp又，在上述發明中，上述高熔點金屬最好從Mo、W、 以及M〇2C、W/Mo合金中選擇一種以上的金屬。 i μ在本發明中，特別是可作為熱CVD等的高溫用途&本 導體製造裝置。 用逮的+ 沾^在上述的發明中，在上述電極上形成埋設高熔點金屬 基材而形成内藏有電極 體传於： 充填陶㈣末，成形之= 後ιΐ本= :埋設高溶點金屬成形 上述t，上磨加工的製程，相對於 中凸形全厚[，研磨加工後上部 。體或陶瓷鍛燒體的直徑變小的位置起 7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd 第9頁 1247551 五、發明說明（6) _—^ U二二…的㈣，其t/a /8以 值在1/20〜1/10的範圍内更佳。 Τ/Α比 成形胃^ ^中藉由以上述既定範圍的比例而研磨加 .成形’負荷壓力的誤差降低，所埋設的電極得以 發明之效果 入f ^ ^明之内藏電極的發熱體的製造方法中，藉由诘柄 介電層厚度的誤差而使電嗖 叮〜，減低 良好製品。 便電氷的產生均勻化，可得良率佳的 【實施方式】 、告太=I在本發明之實施型態中的内藏電極的發熱體的萝 ^ ^ ，内藏電極的發熱體係以陶瓷加熱器為例，用^ 1圖〜第3圖以及表^文說明。 用弟 第1 (a)〜1 (c)圖所示的為表示本發明之實施型能 二加熱器的製造方法的順序的概略示意圖。如第…二： 示制首先开》成陶瓷粉末成形後進行燒結的陶瓷燒結體 1 (衣耘1 )。接著，如第1 (b)圖所示，在陶瓷燒結體1上形 成產生電漿的網狀高週波電極2 (製程2)。之後，如第1(^) =所不，在高週波電極2上充填已埋設電阻發熱體4的陶瓷 粉末5/將高週波電極2配置於上侧，而將陶瓷燒結體}置 =成幵y用模具3中。在高週波電極2上填充埋設有電阻發熱 體的陶瓷粉末5，在高週波電極2上埋設有電阻發熱體4的 陶究基材作為成形體，經燒結製程而形成陶莞加熱器（製 第10頁 7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd 1247551
五、發明說明（7) 程3) 〇 在衣私 '中的陶瓷燒結體1的形成，首先使用將黏結 1加入陶=粉末的的原料粉末，在壓力25〜5〇〇kg/⑶2下， 以-軸加壓形成成形冑，或者是在壓力卜“/^下，以 Y ^成+开^而形成成形體。所得到的成形體，雖然與根據陶 免粉末的燒成法不同，但是以例如熱壓法（hot press， HP)、常壓燒結法或者是靜壓熱燒結法（h〇t is〇static press，HIP)等所燒結的燒結體亦可。例如，在使用熱壓 法、况下，燒結條件溫度為1 6 0 0。〇〜1_°C，壓力為50 〜2 0 0 k g / c m2 較佳。 η、5 : f ΐ述製程1中，並無限定要形成陶瓷燒結體， =成H鍛燒體亦可。、緻密的陶究燒結體雖然難以實施研 十“加i ’由於使用相對密度50%的陶究锻燒體比較容易實 施研磨加工，加工精度可以提高。 、 成痔：Π:體1製造方法例如以黏結劑加入陶瓷原料形 r脫脂，然後在比燒、結溫度低的溢度範圍1400 C〜1 6 0 0 C做1〜4水8本沾如l & f J日守的遙燒而形成陶瓷鍛燒體。 雷極陶”結體及陶£锻燒體在任何-形成高週波 =:理研磨加工使中央部中央突起而形成中 理由 目 ιλί ΙΆ z丄 成形體之間存在間㈣，、U:t f ’與模具相接的面與 於成形體，在；二卜；；施加-定厂堅力的負荷 反力的刀佈。於此，在本發明之實施型態中，將高壓力負 何的陶m吉體及陶莞鍛燒體，肖應於其壓力分佈而研磨
1247551 五、發明說明（8) 加工形成中凸形狀，以緩和不平均的壓力負荷。 形成高週波電極面側的中央部形成中央^起的中凸形 -^的陶瓷燒結體或陶瓷鍛燒體，全厚度' 為4〇]111的情況下， ，直徑寬度變小的位置到陶瓷燒結體或陶瓷鍛燒體的頂上 部為止的厚度τ係〇〜〇.5mm較佳。又更佳的厚度丁為位於〇· Z〜〇. 4mm的範圍之内。 在製程2中’在陶瓷燒結體1上形成高週波電極2之 際j將高週波電極2以連接材料連接於陶瓷燒結體1上，或 者是不用連接材料連接而將高週波電極2承載士 體1上。而且，將高週波電極2承載於嶋載结 後述之成形時，會受限於承載於陶瓷燒結體丨上的高週波 電極2不產生錯位及不彈起的情況下。 在製程3中，陶瓷基材的形成，在將陶瓷粉末5填充於 成形用模具3内而成形後M吏用轉寫模具而形成溝槽，在 ίϊΛ阻發熱體4後，再度填充陶瓷粉末5，並使用成形用 ^口 彡’製作成形體。之後’將所得到的成 ^ I +70 Ί而形成陶瓷基材。又，在製程3的陶瓷基材的 二成來用Hr下的方法亦可。首先，將陶莞粉末5填充 描 ^ 吴/、内，之後使用轉寫模具而形成溝槽，在溝 槽配置電阻發執體4夕你 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 之後，再度以陶瓷粉末5充填，並將所 形體載作。之後，將埋設電阻發熱體4的成 ; = 電極2上，燒結陶变燒結體1及成形體， 更進 ν 針對在本發明之實施型態的陶瓷加熱器的 7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd 第12頁
1247551 五、發明說明（9) 製造方法中所使用的材料做說明。 埶〜2如’使用陶竟加熱器作為熱CVD裝置的情況中，加 t = f〇〇°Cmi〇〇°c的溫* ’因此需要耐熱性。因此 陶竞i结體w好是以Al2〇3(氧化铭）、A1N(氮化銘）、 化矽）、Sl3N4(氮化矽）、SIAL〇N 或者是 A1203_SiC 複 合材料等所形成的燒結體。 陶兗燒結體β然最好以非氧化物系的㈣形成較 :险：是與？03等氧化物系陶瓷相比，非氧化物系共有結 二触兗係於冋真空中氣體放出量較少。更具體的說，各燒 了體係用以下的方法製作。Α1Ν燒結體係使用Ca〇及Ah作 為助燒，劑，以常壓燒結法或熱壓法製作。燒結體係 將B與C等的助燒結劑添加於s丨c粉末，常壓燒結的情況係 =2 0 0 〇 c以上的溫度進行燒結。s “比燒結體係將少量添加 】〇或Alj3-乙〇3作為助燒結劑，而以熱壓法熱間等方壓加 ，法、常壓及氛圍氣加壓燒結法製作。s丨AL〇N燒結法通常 是以Si3N4-AlN-ΑΙΑ、Si3N4一A1N — Si〇2、Si3N4 — A1N — Si〇2、 ϋ 41 Μ-A、〇3-Si 〇2等的混合粉末作為出發原料，在氮氣 %丨兄下，於1 7 0 〇 t〜1 8 〇 〇 °C的溫度以熱壓法或常壓燒結法 製作。 即使在上述陶瓷燒結體1中，也最好使用A 1 N燒結體。 A1N燒」结體由於具有1〇〇w/mK〜27〇w/mK的高熱傳導率，放 熱性咼’可得到對於氟化物系蝕刻氣體等的耐蝕性。 產生電浆的高週波電極2最好以Mo、W、WC以及Mo2C、 W/Mo合金等的高炫點金屬所形成。在高週波電極2上，連
7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd
第13頁 1247551 五、發明說明（10) 接高週波供給用的端子，將連接於高週波供給用端子連接 於供給高週波的高週波用欖線。又，高週波電極2必須將 •供傳遞高週波的電抗（reactance)成分降低，為了降低至1 Ω以下，必須具有充分的厚度。因此，在高週波電極2以w 或Mo形成的情況下，其厚度最好在8 Am以上。 高週波電極2最好使用金屬塊體或印刷體，例如網 狀、v#狀以及衝壓金屬（p u n c h i n g m e t a 1)等的形狀。網狀 係以焉溶點金屬形成的金屬線規則地編成網目狀，在平板 上形成規則或不規則形狀的複數個狹縫或孔。 f使用鬲熔點金屬所形成的金屬線規則地編成的網目 狀的咼週波電極2的情況下，使用以下的尺寸較佳。例 如，線徑0為0.35mm的金屬線的情況下，使用開孔（網目 ί::二尺寸)為〇.71mm的網目(#24) ’線徑為0.12㈣的金 屬η線的&況下，使用開孔為0.39mm或0· 3〇_的網目或 88丄二18龍的金屬線的情況下，使用開孔為〇. 88mm的、罔目（#24)。又，電極為箔狀的情況 為25/zm〜150/zm的高週波電極2。 予又 •在‘私2中，連接咼週波電極2的 、 烯（isoprene)等的天然橡膠連接材料。使用π插戊二 的環氧樹脂等所形成的雙面膠。 了使用二種成分 電阻發熱體4最好是以高熔點 M〇白金）或該等之合金。又屬所^成，特別是w、 各種的形狀，做螺# 植//λ Ρ么熱體4雖然可用 成為漩渦狀的構迕r # '二’：電阻發熱體的上面觀之， 構&車父佳。電阻發熱體4的兩端部設有電力 第14頁 7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd 1247551 五、發明說明（11) 尨供給用端子的電力供认用γ 4 :且Λ加熱器加熱時， • 電阻發熱體4並不限定於蟫#壯沾ΜΧ…、體 地加熱承載於陶f 疋、累疋狀的捲繞，可均勻 -可。 麦加熱裔上的晶圓等，任何一種形狀均 前述= 上：成的陶堯基材的材料最好使用* 而言，==^ 合材料等。又，3m材雖二l3N、以紅⑽紐务加複 ^ , α 司是基材雖然取好使用舆陶瓷；έ士蝴1 ΑΑ 原枓具有相同成分的陶究粉末 分=:U的 好是^於，結體!與陶变基材的成刀分; 作而成的陶：Γ:1〜實施例6以及比較例1的製造方法夢 用各陶£加熱器，並測定從埋設 介電層的厚度的；究加熱器的表面為止的 (實施例1〜實施例6) 的電漿的均一性。 準備含有5%的氧化銦（γ2〇3)粉末的 將所準備的含有氧化銦粉末的氮化粉、 、末。 形機中，在壓力2〇〇kg/cm2下做_軸^力:入—軸加麈成 狀的成形體。之後，將所得的成形體在土溫成度形 18二形成圓盤 2 00kg/cm2下，以熱壓法（Hp)燒結， 1 壓力 的燒結體。 而形成M40_、厚8mm 之後，將所得的圓盤狀燒結體藉由 做研磨力…在旋轉台平面研磨中，二：：：：： 7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd 第15頁 1247551 五、發明說明（12) 切剤基具，氣氣齓 磨，成中央高起的圓錐狀，而成 第2/所ί::磨加工後圓錐狀燒結體的斷 弟2圖所不，燒結體的全厚度? 乂 位置起=結體的頂上部為止的厚度τ可為心二？ 〇· 2關、〇· 3顏、〇. 4咖、〇· 5mm等各種 而· Ϊ〜實施例6所使用的陶瓷燒結體。 成為貫施例 [產生電漿用的高週波電極的形成] 由純度9 9. 9 5%以上的Mo所形成的 2(尺寸.·内徑規格#24^=大的電極 燒結體！上。 Z4)由異戊一烯連接於陶竟 直空：ί:成！體密接於網狀的高週波電極2上的 Γ已-成衣遠接:Ά伏的保官後開封，將網狀高週波電極 」已兀成連接的陶瓷燒結體1取出。 [成形製程] 形成網狀的高週波電極2的陶瓷燒結體丨***内 =3= Γ莫具3後，將含有5%氧化姻邮）粉末工的氮 化鋁（A1 Ν)粉末以既定量填充。 ，使用轉寫模具，在壓力20 0kg/cm2下形成溝槽， 並決疋電阻發熱體4的埋設位置。在溝槽中，做螺旋狀捲 動，在埋設從上面觀之由漩渦狀的Mo所形成的電阻發埶體 旦，以含有5%氧化銦（Y2〇3)粉末的氮化鋁（A1 N)粉末\乂、既 疋里填充’之後得到在壓力2〇〇kg/cm2下成形的成體。 [燒結製程] 五、發明說明（13) i狀处成形用模具3將成形體取出後，在溫度1 820艺、氮 力0.5kg/mm2G的氣體環境下做六小時的熱壓燒結，而 -仔到陶瓷加熱器。 (比較例1 ) 、，比較例中，不使用於實施例1〜實施例6的製造中 的陶究燒結體，而是將陶瓷粉末成形來製作陶瓷加熱器。 而且，所使用的原材料、高週波電極以及電阻發熱體的材 料、2結條件等係與前述之實施例1〜實施例6相同。 具體而言，將含有5%氧化銦（ΥΛ)粉末的氮化鋁（A1N) 真充於成形用模具後，配置Mo的網狀高週波電極。之 1 j填充相同的陶瓷粉末，在配置電阻發熱體之後，填充 的陶瓷粉末。之後，在壓力2 0 0kg/cm2下，成形後燒社 而得到陶瓷加熱器。 段乂、、。 埶即所=到的實施例1〜實施例6以及比較例1的各陶瓷加 二裔，用旋轉的平面研磨盤或圓筒研磨盤，研磨加工 徑必337_、厚3〇mm後，測定介電層的厚度。 [介電層厚度的測定] 用渦用的高週波電極的面側， 差測定圓盤形度的，差。☆電層厚度的誤 Νπ 0w 士狀的燒結體的中心點的一點（表1所示的 點·（表1所%的:點起於半徑7〇mm的位置做角度變化而測定8 所:的Ν0·2〜no 9)，更進—
No. 18)，合計H角。度交化而測定9點（表1所示叫· 10〜 um5i. 五、發明說明（14) 為了從測定介電層厚度的誤Iy 的厚度誤差成為最小，用曰、差而得到的資料使介電層 •的高週波電極的傾斜。從將乘法’算出產生電衆用 果，施加更加傾斜的加工，』；：；；的傾斜的計算結 在做傾斜加工之際，使用#40 0的鑽石，並用旋轉平面研磨 盤做平面加工。 器 對於實施例1〜實施例6以及比較例丨的各陶莞加熱 ’測定介電廣厚度的誤差’其結果表示於表1及第3圖。 7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd 第18頁 I?纖l 五、發明說明（15) 第19頁 7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd 1247551 -------- 五、發明說明（16) __ 如表1及第3圖所示，使用A1N燒妹體而 11 f ^",J1 ^ ^ ^ "|J6 * ^ ^ ^ B, ^ ^ .的電極平坦地埋設於陶兗加熱器内。因此，在ίΐ電漿用 至實施例6的各陶究加熱器中，任一介電声欠/轭例1 0. Ohm〜〇· 33·，而判斷電漿的產生是否曰均句子化-為 :是將上部做圓錐狀加工，使用圓錐狀部 又’特 ^況下，可緩和中央部所負荷的高麼力，介電ί::,器的 :至〇.11_以下，判斷電漿的發生是否平均化：更可 4，在燒結時負荷的塵力均勾化，♦電層 例 值〇. 04Π1Π1，電漿的產生得以均又1最小 結體，在使用陶奢#丈& ^ ^ 2 對 不使用Α1Ν燒 比，H由人瓷末成成形體而製造陶瓷加熱器的 戸二 ，；丨電層的厚度表示成0.38 mm的值，介電# & 厚度誤差變大，電漿的產生變得不均句。 電層的 你氣=ΐ，從上述的實施例1到實施例6，係以陶瓷加埶哭 將產哇爾於電極的發熱冑，僅使用將高週波電極2作為、電 生：：電極，但内藏於電極的發熱體並不 ’、’、 m ^ ^ 、、、靜電谷里夾持晶圓的靜電夾頭電極使用。具 極2 ,δ同時將Λ於產生靜電容量的直流電壓施加於高週波電 吸附於陶究1ΤΛ變壓器供給高頻訊號，同時可將晶圓 竟加熱裔上。而且，在供給高頻訊號之際，電纜 7066-6321-PF(N3)；Chi entf-ptd 第20頁 mi551 五、發明說明（17) 的阻抗值為為1 Ω以下，在使用W (鎢）的情況下，至少需要 0 1 mm的四根，僅作為靜電夾頭使用之際，阻抗值為0〜數 .百Ω，即使0. 1 mm的程度，與可能的情況相比，也會大大 的不同。
7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd 第21頁 1247551 圖式簡單說明 【圖示簡單說明】 第1 (a)圖至第l(c Γ圖為本發明之實施型態的陶瓷加熱 .器的製造方法的概略說明的示意圖。 第2圖為本發明之實施型態的陶瓷加熱器的製造方法 中所使用的陶竟燒結體的剖視圖。 第3圖為實施例1〜實施例6以及比較例1製作的各陶瓷 加熱器中，所測定之介電層厚度與測定位置（PCD)的關係 圖。 【主要元件符號說明】 1〜陶瓷燒結體； 2〜高週波電極； 3〜成形用模具； 4〜電阻發熱體； 5〜陶瓷粉末。
7066-6321-PF(N3);Chentf.ptd 第22頁

Claims (1)

1247551 六、申請專利範圍 1 ·—種内藏有電極之發熱體的p 程 7衣艳方法，具有下列製 形成陶瓷燒結體或陶瓷锻燒體的製程· 程 =述之陶究燒結體或陶_燒體形成於電極上的製 在上述電極上形成埋設高熔點金屬的陶瓷 此形成電極内藏發熱體的製程。 才亚猎 制11申請專利11 ®第1項所述之内藏有電極之發孰體 的衣过方法，其更包括在形成上述電極 x'焯- 锻燒體的形成上述電極的面㈣，研磨二=: 口p中央回起而形成中凸形狀的製程。 、 ί !請ί利範圍第1項所述之内藏有電極之發孰體 ^衣也^法，，、中上述内藏於電極的發熱體為加埶哭 (heater)、靜電夾頭（electr〇static ，、、、- (susceptor)其中之一。 uck)以及基座 體的4制ί Π專tj範圍第1或2項所述之内藏有電極之發熱 的塊體或印刷體所構成的線狀為要成刀 的電極。 K狀板狀4、、·罔狀的任一種形狀 體的製造m m:1或2項所述之内藏有電極之發熱 ^ ^ ^ ^ |S ? ,, ^ f ^ ^ J J ^ ^ ^ ^ ^ £ 成形之後燒結或鍛燒而得。氮化石、擇出作為原料， 6·如申明專利範圍第1項所述之内藏有電極之發熱體
1247551 上…v .….........、二乂:.‘._-·,:，^^ ______ . 六、申請專利範圍 " ' - 的製造方法’其中上述高炫點金屬係從M〇、W、WC以及 Mo2C、W/Mo合金中選擇一種以上的金屬。 7 ·如申明專利範圍第4項所述之内藏有電極之發熱體 的製造方法，其中在上述電極上形成埋設高熔點金屬的陶 -瓷基材而形成内藏有電極之發熱體的製程係於上述電極上 埋設高溶點金屬而充填陶瓷粉末，成形之後做燒結或鍛燒 而形成陶瓷基材。 70 8 ·如申請專利範圍第1項所述之内藏有電極之發熱體 的製造方法，其中上述在電極上形成埋設高熔點金屬的陶 瓷基材的内藏有電極之發熱體的製程中，在上述電極上埋 設高熔點金屬而充填陶瓷粉末，成形之後燒結或鍛燒而形 成陶瓷基材。 9 ·如申睛專利範圍第2項所述之内藏有電極之發熱體 的製造方法，其中上述研磨加工的製程，相對於上述陶莞 燒結體或陶瓷鍛燒體的全厚A，研磨加工後上部中凸形狀 的陶瓷燒結體或陶瓷鍛燒體的直徑變小的位置起至頂上部 為止的厚度T，其T/A比值在1/8以下。
7066-6321-PF(N3)；Chentf.ptd 第24頁
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