TWI243405B - Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device - Google Patents
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Description
1243405 A7 _______B7 五、發明説明(1 ) 本發明是關於一種微影投影裝置,包括: -一供應輻射投影光束之輻射系統; _ 一支撐佈圖裝置之支撐結構,佈圖裝置依據所需的圖案 提供投影光束的圖案; -一用以支持基板之基板平台;及 -一投影系統,將佈圖後的光束投影在基板的目標區。 此處所稱的”佈圖裝置"可廣泛解釋為一種能根據基板目 寺示區的圖案所需,提供具有斷面圖案之輻射光束的裝置, 本文中亦可使用術語”光閥,,來稱呼。一般而言,該圖案對 應到裝置在其目標區所產生的特殊功能層,例如積體電路 或其他裝置(如下)。舉例而言,此種佈圖裝置包括: -光罩:在微影製程中光罩的概念眾所週知,光罩的形式 包括二位元,交替相位移轉,及衰減相位移轉,以及各 種混合式光罩。在輻射光束的路徑上放置此種光罩可根 據光罩上的圖案,會使照射在光罩上的輻射根據光罩上 的圖案選擇性地傳導(傳導型光罩)或反射(反射变光罩)。 一種光罩的例子是,支撐構件通常是光罩平台,用來j 保光罩能保持在輻射光束路徑的所需位置,炎玎根據而 要相對光束作移動。 _可程式鏡列:一種此裝置的例子是陣列式玎定址表面, 其具有兼具黏彈性控制層及反射面。此種設備的基本、 理是(舉例),反射面的定址區域將入射光反射成衍射光# 而未定址的區域則將人射光反射成非衍射光。使用適: 的濾鏡,可將該非衍射光從反射光束中濾掉’/、留彳 -4 - 一 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 1243405
射光,:在此種方法中’根據陣列式可定址面的定址圖案 το成光束佈圖。另_種可程式鏡列的實施例是採用多微 鏡陣列配置;^加適當的局部電場或採用壓電致動裝 置,可對每片微鏡相對其鏡軸做各別偏斜。同樣地,微 鏡是以陣列式可定址形式分布,因此定址的鏡片與未定 址的鏡片對入射輻射光束的反射方向不同;彡過此種方 法反射光束可根據陣列式可定址鏡的定址圖案來佈 圖。这種陣列式可定址形式可利用適當的電子裝置操 作。在上述兩個情形中,佈圖裝置可包括一或多個可程 式鏡片陣列。關於更多的鏡列資訊請參考,如美國專利 US 5’296,891 及 US 5,523,193,及 PCT 專利申請案號 WO 98/38597及WO 98/33096,在此併入本文做參考。 在可程式鏡列的例子中,該支撐結構可為框架或平台, 舉例而言,可根據需要設計成固定式或可移動式。 -可程式LCD陣列:此種結構的範例如美國專利 5,229,872,其併入本文做參考。如上述,支撐結構可為 框架或平台,舉例而言,可根據需要設計成固定式或可 移動式。 為了簡化說明,在本文中直接舉用光罩及光罩平台的範 例;然而,基本原理請參考上面提出的佈圖裝置内容。 微影投影裝置可應用在如積體電路(ICs)的製造之技術' 在此例中,佈圖裝置可根據1C的:各層產生一電路圖案,且 此圖案可映射在事先塗布有一層輻射感光材料(光阻)之基板 (石夕晶圓)的目標區(例如,包括一或多顆晶片,上^通常,單 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1243405 A7
片曰日圓包含由相鄰目標區所形成的整個 投影系統一次推扞、查妗^ 狀、、,。構,可經由 A 連續輻f在現行設備中, 平〇上的光罩進行佈圖,主要區分 △。名刀馮兩種不同形式的機 ^日二—種微影投影設備中,_次將整個光罩圖案曝 先在目^區上。另—種裝置収,投影 μ 的參考方向(,,掃描,,方向)掃描光罩並照射St :、’同時平行或垂直該方向同步掃描基板平台;、甬 常,因為投影系統具有放大因子乂(通常 二缸^ 是式择描光革平台速度的M倍。::微= 更夕貝訊,如US 6,046,792中所述,其併入本文做參考。 在使用微影投影設備的製程中,將圖案(例如,光罩上的 圖案)成像在局部塗布有輻射感光層(光阻)的基板上。在成 像步驟之前,基板可能經過各種處理步驟,如整齊化,光 阻塗布及預烤。在曝光後,基板會進行其他處理程序,如 曝光後烘烤(PEB),顯影,長烤及成像特徵的量測及檢驗。 此種程序是裝置,例如IC各層在佈圖時的基本程序。佈圖 後的層會進行各種處理,如蝕刻,離子植入(摻雜),金屬 化,氧化,化學機械研磨等,目的在完成各層的製作。如 果需要許多層,則每新的一層即需重複上述程序。最後將 裝置陣列形成在基板(晶圓)上。接著,利用切割技術將各個 裝置分離,之後將個別裝置黏著在載板上,並進行電性焊 接。關於製程處理的資訊,舉例;,請參考”微晶片製造:半 導體製程指南’’("Microchip Fabrication : A Practical Guide to Semiconductor Processing”),第三版,peter -6- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1243405 A7 B7
van Zant ^ McGraw Hill Publishing C〇„ 1997, ISBN 0-07-067250-4,併入本文做參考。 為了簡化起見,投影系統此後稱做,,透鏡組";缺而,此 術語可廣泛解釋為各種形式的投影系統,舉例.,包括折射 光學,反射光學’及陰極屈光系統,系統亦可包括用 來引導’塑形或控_射投影光束所f的任何零件,這類 零件在下^中亦統稱為"透鏡組"。再者,微影設備可且有 兩個或兩個以上的基板平台(及/或兩個或兩個以上的光罩平 台)。在此種”多平台式,,的裝置中,多具平台 或著讓-或多具平台處於準備階段,而其他平台執行曝光 處理。雙平台微影設備描述於,舉例,us 5,969,441或 WO 98/40791中,併入本文做參考。 在微影投μ理巾,照射在総±之光量(亦即,於曝光 期間照射在每單位面積上的能量)的精確控制相當重要。已 知光阻具有相當敏銳的門檻值,因此如果單位面積接受到 的能量超過該⑽值’則曝光’否則保持未曝光的狀態。 縱使衍射效應導致祕密度在特徵姐產生逐漸擴大的鳥 尾形狀,在進行光阻顯影時,亦可在特徵邊緣產生尖銳的 邊緣。如果光束密度不正確’曝光密度曲線會與光阻門樣 值交叉在錯誤的點上。正確的成像很難控制。 已知的微影設備在ϋ射系統特定點上監測光束強度,並 校正該點與基板平面之間由於設備所造成的光量吸收。光 束強度的監測使用偏光鏡’將輕射系統内之投影光束的已 知分量轉向至能3:感測器。能量感測器測量光束已知分量 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公爱) 1243405
二7正:此決定輻射系統在該點處的光束能量。設備吸 讀在偏紐下方,以能量感測器取代基板,執 校正。能量感測器的輪出可有效地測量輻射源 :::支化並結合設備下游部能量吸收的校正結果來預測 基板表面的能量準位。在一些例子中,基板表面之能量準 位的預測可當作曝光參數,例如輻㈣統設定值。接著, 可調整曝光參數,例如持續時間或掃福速度,及/或賴射源 的輸出來控制照射到光阻上的光量。 然而’已知的光量控制方法考慮到輻射光源的輸出變化 同時預測在能量感測器下游的吸收變化,並非所有的吸收 變化皆能容易地或精破地預測。尤其是使用較短波長之曝 光輻射的設備(應用在極小特徵的成像,如193 nm,157 nm,或126 nm)。此種波長嚴重地遭空氣或其他氣體所吸 收,採用&類波長的微影設備必須灌人非吸收氣體或在真 二狀恶下才Hb使用。灌入氣體成分的變化或洩漏會導致設 備下游部之光束吸收的變動無法預測,便無法計算出照射 在光阻上的光量。 因此,本發明的目的是提供一種增進之光量感測器及控 制系統,可避免或減少習知能量感測器及光量控制系統的 問題。 本發明的此項及其他目的可藉由微影設備達成,其特徵 進一步包括: 二 一感測器,用以偵測該投影光束通過該投影系統所產生 的冷光輻射。 8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂 線 1243405 A7 B7 五、發明説明(6 ) 舉例而言,感測器可包括一顆或多顆光二極體,用以偵 測投影光束輻射(例如紫外光)與投影系統材料(例如氟化鈣 或石英透鏡元件)相互影響所產生的冷光輻射。冷光輻射密 度表示傳送到基板的劑量。不同於其他劑量感'測器,由於 冷光輻射是投影光束輻射與透鏡互相影響的固有特性,不 會對投影光束產生阻礙或轉向。再者,不同於其他劑量量 測,冷光輻射可由投影系統在相當靠近基板的情況下量測 出來,不需考慮因輻射源與基板之間光路徑的傳送變化而 造成的誤差。冷光輻射可在投影系統的側邊或端部之外測 得,因此可避免佔用投影系統與基板之間有限的空間。 根據一較佳實施例,感測器包括數顆偵測器。這些偵測 器可捕獲從不同方向射出的冷光輻射並將捕獲的冷光輻射 加總以產生訊號。根據本發明另一實施例,設置有輻射導 引,將從多個方向射出的冷光輻射引導至單一偵測器。此 種方式可降低成本並減少多顆偵測器在電路設計上的複雜 性,並可將該單一偵測器設置在離投影系統較遠之處,藉 此降低空間並方便偵測器的更換作業。 特殊的發光模式及投影光束的佈圖可產生不同類的冷光 輻射。因此,縱使在基板上實際的劑量相同,冷光輻射的 方向會隨著不同的發光設定及圖案設計而變化。由於可偵 測出來自多個方向所發出的冷光輻射(使用多顆偵測器或使 用導波設置及單一偵測器),上述任一種較佳實施例可避免 此項問題;因此不論使用何種發光模式或投影光束的佈圖 方式,獲得的訊號可代表實際劑量。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1243405 A7 B7 五、發明説明(7 ) 根據本發明另一方面,提供一種裝置製造方法,其步驟 包括: -提供至少局部覆蓋有一層輻射感光材料之基板; -提供一使用一輻射系統之輻射投影光束; · -使用佈圖裝置對投影光束提供截面圖案; -將佈圖後的輻射光束,投影在該基板上位於輻射感光材 料層上方的目標區上, 其特徵在於下列步驟: 偵測該投影光束通過該投影系統所產生的冷光輻射。 雖然在本文中,本發明之設備是用來製造1C,應能理解 此種裝置能有多種可能的應用。例如,本設備可用來製造 整合之光學系統,磁領域記憶體的導引及偵測圖案,液晶 顯示面板,薄膜磁頭等。對於熟悉相關技藝之人應能理 解,在各種應用場合中,本文中使用的術語”晶圓”或’’晶片 ”可分別用更廣泛的術語”基板’’及’’目標區域”來取代。 在本文中,術語輻射及光束用來涵蓋所有形式的電磁輻 射,尤其是紫外線輻射,例如波長為365,248,193,157 或 1 26 nm 〇 以下參考附圖,以範例方式描述本發明實施例,其中·· 圖1顯示本發明實施例之微影投影設備; 圖2顯示本發明第一實施例之投影透鏡系統以及冷光輻射 感測器局部之縱斷面示意圖;二 圖3顯示圖2實施例之感測器之橫斷面示意圖; 圖4顯示本發明第二實施之感測器之橫斷面示意圖;及 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1243405 A7 ____B7 五、發明説明(8 ) 圖5顯示本發明第三實施例之投影透鏡系統局部以及冷光 輻射感測器之縱斷面示意圖; 在圖中,參考標號對應元件符號。 第一實施例 · 圖1顯示本發明實施例之微影投影設備的示意圖。設備包 括: -輻射系統LA,Ex,IL,用來提供輻射投影光束PB(如uv 輻射); -一第一目標平台(光罩平台)MT,用來支持光罩MA(如光 柵),並與第一定位裝置連接,相對p]L精確地對光罩做定 位; -一第二目標平台(基板平台)WT,用來支持一基板W(例如 塗布有光阻劑的石夕晶圓),並與第二定位裝置連接,以相 對PL精確地對基板做定位; -一投影系統(”透鏡”)PL(例如,石英及/或CaF2透鏡系統 或陰極屈光系統,包括利用此種材料製成的透鏡元件), 用來將光罩MA之受照區(透光區)成像在基板w的目標區 上C(包含一或更多顆晶片)。 此處所描述的設備是傳導型(例如,具有傳導式光罩)。然 而,通常亦可採用反射型(具有反射式光罩)。另一種方式 是’此設備可採用任何形式的佈圖裝置,如上述提及之可 程式鏡列型。 二 輻射系統包括一源LA(例如UV雷射),用以產生一輻射光 束。將此光束直接或經由條件裝置(例如,光束擴大器Ex) -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1243405 A7 B7 五、發明説明(9 ) 後,送入發光系統(發光器)IL。發光器IL包括調整裝置 AM,用來設定光束在外部及/或内部之輻射強度的分布程 度(一般分別指的是σ-外部及σ-内部)。此外,通常包括有 其他各種元件,如積分器IN及聚光器CO。透過此種方式, 使得照射在光罩MA上的光束PB截面能達到所需的均勻性 及密度分布。 值得注意的是,如圖1,可將源LA設置在微影投影設備的 外殼内(如常用之實例般令源LA為一水銀燈),但也可以設 置在遠離微影投影設備處,將產生的輻射光束導入設備内 (例如,利用適當的指向面鏡協助);當源LA是激勵雷射 時,通常採用後者方案。本發明及申請專利範圍包括這兩 種方案。 光束PB連續載擊位於光罩平台MT上,由光罩支持器所支 撐的光罩MA。光束PB穿過光罩MA後通過透鏡組PL,將光 束PB聚焦在基板W的目標區C上。藉由第二定位裝置的協 助(干涉量測裝置IF),基板平台WT能夠精確地移動,例 如,以便將不同的目標區C定位在光束PB的路徑上。類似 地,第一定位裝置可用來精確地定位光罩MA與光束PB路 徑的相對位置(例如,在光罩MA從光罩庫作機械復歸後, 或在掃描期間)。通常,移動目標平台MT,WT分別提供長 程模組(粗定位)及短程模組-(微定位),圖1中沒有明確顯 示。然而,採用晶圓步進器時(相對於步進-掃描設備),光 罩平台MT只與短程致動器連接,或固定不動。 上述設備可應用在兩種不同模式: -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1243405 A7 B7 五、發明説明(1〇 ) 1. 在步進模式,光罩平台MT基本上保持不動,整個光罩影 像在一次”閃光”下投影在目標區C。接著,沿著X及/或y 方向移動基板平台WT,使得光束PB能照射到不同的目標 位置C ; · 2. 在掃描模式,除了給定的目標區C無法在單次”閃光”下完 成曝光之外,基本上採用相同的方案。此外,光罩平台 MT可以速度v順著指定方向(所謂的”掃描方向”,例如X 方向)移動,使得投影光束PB掃描整個光罩影像;同時, 基板平台WT以速度V = Mv,依相同方向或反方向同步 移動,其中Μ是透鏡PL的放大倍率(典型地,Μ = 1/4或 1/5)。透過此種方式,可曝光相當大的目標區C,而又不 會喪失解析度。 圖2顯示介於光罩ΜΑ及晶圓W之間,投影透鏡PL的縱斷 面。投影透鏡PL由多片個別的透鏡元件疊置而成。一對偵 測器11,12,如光二極體,設置在接近晶圓W之投影透鏡 元件10的徑向兩側。投影光束ΡΒ通過投影透鏡組PL。如果 投影光束ΡΒ波長為193 nm,則投影透鏡元件10的材料可為 氟化鈣或石英。如果投影光束PB的輻射波長為157 nm,則 投影透鏡元件10的材料可為氟化鈣(現存的面鏡之一,包含 陰極屈光系統)。當這些投影透鏡元件10的材料經由投影光 束PB的雷射光照射後,產生一些冷光輻射,如標示LR之箭 頭所指。舉例而言,冷光輻射矣型上為可見光譜中綠色至 黃色光部分。投影透鏡元件10的材料與具有高能量,短波 長之投影光束PB的雷射輻射產生交互作用,將光束中的一 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1243405
微小部分轉換成具有長波長之冷光輻射LR。投影透鏡元件 ίο的材料大致上被冷光輻射lr所穿透。在雷射源LA的例子 中’冷光輻射的振幅正比(線性或幾乎線性)於投影光束PB 之雷射脈衝的脈衝能量。偵測器131,12對冷光.輻射]111感光 並產生輸出電流,透過此種方式,投影光束雷射脈衝的振 幅能藉由偵測器11,12的輸出電流加以測得。由於晶圓接 近且直接位於光學路徑上、投影透鏡元件1〇的下方,此種 量測亦可取得晶圓上曝光劑量的指示。 無娜投影光束P B通過投影透鏡元件1 〇的位置為何,皆可 作為冷光源。如圖2所示,冷光源的位置與發光模式有極大 的關係,亦即,通過投影光束PB及透鏡元件1〇的密度分 布。為了避免此一偵測訊號變動的潛在源,可設置一顆以 上的偵測器,例如圖2使用之一對偵測器11,12。然而,根 據本實施例,採用圖3的配置方式可獲致更令人滿意的結 果,其中將一圈8顆的偵測器11-18設置在投影透鏡元件1〇 之圓周的外圍。 線20,21顯示環形電路,用來並聯全部的偵測器11-18。 此種配置方式可加總來自偵測器11-18的訊號,藉以產生整 體感測訊號。 實施例2 除了偵測器以反射元件30-3 8(將冷光輻射導至單一偵測 器39)取代之外,圖4基本上顯示I與圖3相同的配置。投影透 鏡系統的内壁40亦具有反射性,與反射元件30-38結合,形 成反射輻射導引。如圖4,一顆特殊的反射元件36接收來自 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
裝 訂
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五、發明説明(12 ) 射,將輻射環繞導引至偵 為了清楚,由其他反射元 ’但其導光路徑僅以箭號 透鏡元件10之楔形區42的冷光輻射 測區39(如圖顯示的斜線區44)。 件所引導之冷光輻射則加以省略 方向表示。 可使用如光纖等其他適合的輻射導引,將來自投影透鏡 元件ίο之不同區的冷光輻射導到單一偵測器39上。 實施例3 如圖5 ’除了從透鏡罩5〇(結合氣體淨化機器)的外部觀察 來自投影透鏡元件10的冷光輕射LR之夕卜,此實施例與前述 實施例之各方面皆相同。此種方式簡化了冷光輻射偵測器 的女裝並增進了後續的易使用(操作)性。 雖然在圖5中顯示如同第一實施例之偵測器n&12,亦可 採用上述第一實施例之方式,利用徑向導引及單一偵測器 取代。 在第三實施例中可看出,冷光輻射感測器系統設置在投 影透鏡元件10的前方,接近晶圓W的位置(不同於圖3及圖4 中’與技衫透鏡元件1 〇設置在同一平面)。感測器系統偵測 由最靠近晶圓W之投影透鏡元件10表面所發出的冷光輻 射。當然,藉由適當的輻射導引及/或反射元件,偵測器或 感測器系統的偵測器可設置在透鏡罩5〇的外側。 在本發明之上述的實施例中,在曝光時,來自冷光輻射 感測器系統的訊號可整合所有的脈衝訊號以產生整合的感 測訊號,藉此取代使用個別的脈衝。另一種方式是,將計 算後的輻射劑量儲存在記憶體中,藉以保存由先前脈衝所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1243405 A7 B7 五、發明説明(13 ) 傳送過來的輻射劑量歷史紀錄。既然基板上既定目標區域 的曝光是由一連串脈衝傳送過來的輻射劑量來進行,使用 先前的脈衝歷史(組成目前曝光)以便對後續曝光之脈衝做必 要的校正。在任何情況下,對計量控制之任何必要的校正 及調整是有用的。舉例,藉此調整輻射源LA的密度,調整 快門開啟的時間,調整位在發光系統之孔徑平面的虹膜開 啟程度,調整脈衝反覆率,調整步進-及-掃描設備之掃描速 度,或這些參數之適當組合。 此外,除了發光系統的能量感測器之外,亦可使用冷光 輻射感測器,兩者皆可支援劑量控制。冷光輻射感測器能 提供在曝光期間關於晶圓表面周圍有用的資訊。舉例,在 掃描期間,能使用冷光輻射感測器來微調雷射脈衝的設定 點。再者,投影透鏡元件的冷光能隨著時間(尤其是隨著長 的時間距離,例如透鏡壽命)來變化。這些參數可含括在微 影投影設備的劑量控制設定中,藉此補償由感測器測得之 冷光輕射的飄移。 雖然上面已有對本發明之實施例作一說明,應能理解本 發明仍可做其他各種實施。本發明不受上述實施例限制。 元件符號對照表 10 投影透鏡元件 11-18偵測器 - 20,21晶圓二 30-3 8反射元件 39 偵測器 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1243405 A7 B7 五、發明説明(14 ) 40 内壁 42 楔形區 44 斜線區 50 透鏡罩 AM 調整裝置 CO 聚光器 Ex 光束擴大器 IF 干涉量測裝置 IL 發光系統(發光器) IN 整合器 LA 源 MT 光罩平台 MA 光罩 P 投影光束 PB 投影光束 PL 投影透鏡 W 基板/晶圓 WT 基板平台 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
124348591 102445號專利申請案 /tit」$ 中文申請專利範圍替換本(92年2月)您 3^: Do . / 〆 六、申請專利範圍 1. 一種微影投影設備,包括: 一用以提供輻射投影光束之輻射系統; 一佈圖裝置,用來根據想要的圖案對投影光束佈圖; 一用以保持基板之基板平台; 一投影系統,將佈圖後的光束成像在基板的目標區 上, 其特徵進一步包括: 一感測器,用以偵測該投影光束通過該投影系統後所 產生之冷光輻射。 2. 如申請專利範圍第1項之設備,其中配置該感測器用以偵 測來自該投影系統其至少一透鏡元件所產生的冷光輻 射。 3. 如申請專利範圍第2項之設備,其中配置該感測器用以偵 測來自該投影系統其至少最接近基板平台之透鏡元件所 產生的冷光輻射。 4. 如申請專利範圍第1,2或3項之設備,其中該感測器包括 至少一偵測器。 5. 如申請專利範圍第4項之設備,其中各個偵測器提供有輻 射導引,用以將冷光輻射引導至各個偵測器。 6. 如申請專利範圍第5項之設備,其中該輻射導引包括至少 一反射元件及光纖。 7. 如申請專利範圍第5項之設備,其中各個偵測器遠離該投 影系統。 8. 如申請專利範圍第4項之設備,其中各個偵測器包括光二 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1243405
極體或光數增倍管。 如申睛專利範圍第4項之設備,包括多顆偵測器及一用來 加總偵測器輸出的裝置。 〇· ^申睛專利範圍第1,2或3項之設備,其中該感測器包括 夕顆裱繞在該投影系統之一透鏡元件四周的γ貞測器,用 以伯測來自透鏡元件的冷光輻射。 u’ T申請專利範圍第1,2或3項之設備,其中該感測器包括 夕顆環繞在該投影系統之一透鏡元件四周的反射元件, 將來自透鏡元件的冷光輻射導到單一偵測器。 12.如申請專利範圍第i,2或3項之設備,其中該感測器包括 至少一偵測器,用以偵測最靠近基板平台之投影透鏡元 件表面所發出的冷光輻射。 如申印專利範圍第丨,2或3項之設備,進一步包括一積分 器’用以積分該感測器隨時間的輸出。 14.如申請專利範圍第V,2或3項之設備,進一步包括一控制 ‘為,對該感測器的輸出做出響應,用以控制在一次曝光 動作中,由該投影光束所傳送過來的劑量。 5 ·如申叫專利範圍第丨,2或3項之設備,其中該輻射系統適 合提供該投影透鏡具有波長小於2〇〇 nm的輻射。 以如申請專利範圍第丄,2或3項之設備,其中該投影系統包 括至少一利用氟化鈣及石英製成透鏡元件,其中該冷光 轄射之發光是在可見光譜内。 .如申吻專利範圍第1,2或3項之設備,其中該佈圖裝置包 括用以保持光罩之光罩平台。 -2 - t紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格~ 1243405 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 18. —種裝置製造方法,包括步驟: 提供一局部覆蓋有一層輻射感光材料之基板; 提供一使用一輻射投影系統之輻射投影光束; 使用佈圖裝置對投影光束提供截面圖案; 將佈圖後的輻射光束投影在該基板上位於輻射感光材 料層上方的目標區上, 其特徵在於下列步驟: 偵測該投影光束通過該投影系統所產生的冷光輻射。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP01301257A EP1233304A1 (en) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | Lithographic apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI243405B true TWI243405B (en) | 2005-11-11 |
Family
ID=8181706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091102445A TWI243405B (en) | 2001-02-14 | 2002-02-08 | Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6700646B2 (zh) |
EP (1) | EP1233304A1 (zh) |
JP (1) | JP4268364B2 (zh) |
KR (1) | KR100588127B1 (zh) |
TW (1) | TWI243405B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7283208B2 (en) * | 2001-02-14 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of manufacturing a device, and device manufactured thereby |
CN100524023C (zh) * | 2002-08-30 | 2009-08-05 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置及设备制造方法 |
DE10323664B4 (de) * | 2003-05-14 | 2006-02-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Belichtungsvorrichtung mit Dosissensorik |
US8715909B2 (en) | 2007-10-05 | 2014-05-06 | Infineon Technologies Ag | Lithography systems and methods of manufacturing using thereof |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5004913A (en) * | 1982-08-06 | 1991-04-02 | Marcos Kleinerman | Remote measurement of physical variables with fiber optic systems - methods, materials and devices |
JPS6196643A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透過型電子顕微鏡 |
JPS62204527A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Hitachi Ltd | マスク露光装置 |
US4929083A (en) * | 1986-06-19 | 1990-05-29 | Xerox Corporation | Focus and overlay characterization and optimization for photolithographic exposure |
WO1989002175A1 (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-09 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Device for controlling the output of excimer laser |
NL9000503A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Asm Lithography Bv | Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
KR100210569B1 (ko) * | 1995-09-29 | 1999-07-15 | 미따라이 하지메 | 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법 |
JP3459742B2 (ja) * | 1996-01-17 | 2003-10-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
AU8356298A (en) * | 1997-07-22 | 1999-02-16 | Nikon Corporation | Projection exposure method, projection aligner, and methods of manufacturing andoptically cleaning the aligner |
AU1053199A (en) | 1997-11-14 | 1999-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of manufacturing the same, and exposure method |
JP2001035782A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-09 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 露光装置及び露光方法、光源装置、並びにデバイス製造方法 |
DE60116967T2 (de) * | 2000-08-25 | 2006-09-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
-
2001
- 2001-02-14 EP EP01301257A patent/EP1233304A1/en not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-02-08 TW TW091102445A patent/TWI243405B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-08 KR KR1020020007288A patent/KR100588127B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-02-13 US US10/073,259 patent/US6700646B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-13 JP JP2002035228A patent/JP4268364B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002313715A (ja) | 2002-10-25 |
US20020109103A1 (en) | 2002-08-15 |
US6700646B2 (en) | 2004-03-02 |
JP4268364B2 (ja) | 2009-05-27 |
KR100588127B1 (ko) | 2006-06-09 |
KR20020070789A (ko) | 2002-09-11 |
EP1233304A1 (en) | 2002-08-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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