TWI243403B - Substrate processing apparatus and method for producing the semiconductor device - Google Patents

Substrate processing apparatus and method for producing the semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TWI243403B
TWI243403B TW093124294A TW93124294A TWI243403B TW I243403 B TWI243403 B TW I243403B TW 093124294 A TW093124294 A TW 093124294A TW 93124294 A TW93124294 A TW 93124294A TW I243403 B TWI243403 B TW I243403B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
gas
gas supply
gases
kinds
Prior art date
Application number
TW093124294A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200514130A (en
Inventor
Masanori Sakai
Toru Kagaya
Hirohisa Yamazaki
Original Assignee
Hitachi Int Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Int Electric Inc filed Critical Hitachi Int Electric Inc
Publication of TW200514130A publication Critical patent/TW200514130A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI243403B publication Critical patent/TWI243403B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31616—Deposition of Al2O3
    • H01L21/3162—Deposition of Al2O3 on a silicon body
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4557—Heated nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02181—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing hafnium, e.g. HfO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/3141—Deposition using atomic layer deposition techniques [ALD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

1243403 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於基板處理裝置及半導體裝置之製造方 法’特別是關於在製造矽（s i )半導體裝置時，經由原子層 沉澱法（A t 〇 m i c L a y e r D e ρ 0 s i t i ο η，A L D )執行膜的形成之半 導體製造裝置及經由原子層沉澱法的半導體裝置的製造方 法。 【先前技術】 首先，簡單的對利用化學氣相沉澱法（Chemical Vapor Deposition)中之一種原子層沉澱法的成膜處理加以說明。 原子層沉澱法是在成膜的條件（溫度、時間）之下，以 成膜用的2種類（或2種類以上）之原料氣體，交互供應每 一種氣體到基板上，使吸著1個原子層的單位，利用表面反 應執行成膜的方法。 亦即，例如，使用ALD法形成Al2〇3 (氧化鋁）膜時， 以TMA ( A1(CH3)3，三甲基鋁）和臭氧（〇3)，在250〜450°C 的低溫下，可以形成高品質的膜。這樣的ALD法是以交互 供應每一種氣體，依據供應多數種類的反應性氣體執行成 膜。且膜的厚度控制是以控制反應性氣體的循環次數來控制 的。例如，成膜速度爲lA/循環，要形成膜厚20人時，則需 要執行20次的循環成膜處理。 以往，用以結成Al2〇3膜的ALD裝置，在1個處理爐 同時處理基板片數1〜5片者被稱爲單片（枚葉）式裝置， 將25片以上的基板沿著反應管的管軸方向平行並列的所謂 -5- 1243403 批量式裝置，則尙無實用化。 使用TMA和臭氧，以垂直型批量式裝置成長Al2〇3膜 時，TMA的噴嘴和臭氧的噴嘴分別在反應爐內架起來，TMA 的氣體會在噴嘴內分解而結成鋁（A1 )膜，該鋁膜一旦變厚 即會剝落，而有成爲異物發生源的顧慮。 【發明內容】 本發明的主要目的在提供一種可以防止結成膜在噴嘴 內發生，可以抑制因結成膜剝落而發生異物的基板處理裝置 及半導體裝置的製造方法。 經由本發明的一種形態，其在提供一種基板處理裝置， 該基板處理裝置其有收容基板的處理室、和加熱該基板的加 熱部材，互相反應配合的至少2種的氣體交互供應到上述的 處理室內使上述的基板之表面生成所期望的膜，該基板處理 裝置之特徵爲其具備有： 使上述的2種氣體相互獨立、各自在其內流動的2支的 供應管； 在上述的處理室內供應氣體的單一的氣體供應部材，上 述2種氣體之中，至少有1種氣體其在分解的溫度以上之領 域之一部份，係該單一的氣體供應部材之延伸者， 而上述2支的供應管，在上述至少的1種氣體之未到分 解溫度之場所，使與上述氣體供應部材連結，如此使上述的 2種氣體通過上述氣體供應部材各自供應到處理室內者。 經由本發明的他一種形態，其在提供一種基板處理裝 置，該基板處理裝置其有收容基板的處理室、和加熱該基板 -6 - 1243403 的加熱部材，也備有互相反應配合的至少2種的氣體交互供 應到上述的處理室內使上述的基板之表面生成所期望的膜 的熱壁（hot wall)式的處理爐，該基板處理裝置之特徵爲其具 備有= 使上述的2種氣體相互獨立、各自在其內流動的2支的 供應管； 在上述的處理室內供應氣體的單一的氣體供應部材，其 一部份係配置於上述加熱部材之內側者， 而上述2支的供應管，在上述處理室內的上述基板的溫 度較低溫度的領域處，使與上述氣體供應部材連結，如此使 上述的2種氣體通過上述氣體供應部材各自供應到處理室內 者。 經由本發明另外他一種形態，其在提供一種半導體裝置 的製造方法，其係利用一基板處理裝置、該一基板處理裝置 其有收容基板的處理室、和加熱該基板的加熱部材，互相反 應配合的至少2種氣體交互供應到上述的處理室內使上述的 基板之表面生成所期望的膜，該一基板處理裝置再具備： 使上述的2種氣體相互獨立、各自在其內流動的2支的 供應管； 在上述的處理室內供應氣體的單一的氣體供應部材，上 述的2種氣體之中，至少有1種氣體其在分解的溫度以上之 領域之一部份，係該單一的氣體供應部材之延伸者， 該半導體裝置的製造方法之特徵爲：其所利用之基板 處理裝置，係將上述2支的供應管，在上述至少的1種氣 -7- 1243403 體之未到分解溫度之場所，使與上述氣體供應部材連結， 如此使上述的2種氣體通過上述氣體供應部材各自供應到 處理室內， 上述的2種氣體經由上述氣體供應部材交互供應到上 述的處理室內，而在上述基板的表面上生成所期望的膜者。 【實施方式】 關於本發明理想的實施例之批量式處理裝置，以原料來 說，是使用三甲基鋁（化學式爲 A1 ( CH3 ) 3、TMA )和臭 氧（〇3)，其備有：可保持複數片基板的基板保持治具、將 ® 該基板保持治具***並可實施基板處理的反應管、加熱基板 的加熱手段、可將反應管內的氣體排出的真空排氣裝置、及 對著基板的基板面上方向平行噴出氣體的噴嘴者，該噴嘴連 帶著TMA和臭氧的供應管線於反應室內相會合流，交互供 應TMA和臭氧到基板上，而使基板面上形成氧化鋁膜（Al2〇3 膜）。再者，在基板面上吸著有TMA，接著流入的臭氧使吸 著的TMA和臭氧反應，生成1個原子層的Al2〇3膜。 TMA若同時在高溫、高壓下，容易引起自行分解而生 € 成鋁膜。在上述的氣體噴嘴，設置有噴出氣體的噴嘴孔，因 爲噴嘴孔很小，所以噴嘴內的壓力比爐內的壓力高。例如， 爐內的壓力爲〇.5Torr (約67Pa )時，噴嘴內的壓力推測爲 lOTorr (約1 330Pa )。因此，若特別又在高溫時，噴嘴內時 TMA即容易引起自行分解。相對地，雖然爐內的溫度高，因 爲壓力沒有像噴嘴內那麼高，TMA很難引起自行分解。爲此 在噴嘴內生成鋁膜的問題是很明顯的。 1243403 再者’爲了去除附著在反應管的內壁之Al2〇3膜，流進 氟化氯（C1F3)氣體執行清潔工作，若從噴嘴供應清潔氣體， 同時也可去除附著在噴嘴內的Α]203膜，可使清潔工作容易 化、有效率化。 又者’本發明若不生成Α12〇3膜，生成氧化飴（Hf〇2) 膜也能適用。給（Hf)原料也和TMA產生同樣的問題。又者，
在此場合，被氣化的Tetrakis(N-乙基（ethyl) — N-甲胺 基（methyl amino )給（在常溫爲液體）的Hf原料氣體、與 臭氧氣體交互流動，可執行生成氧化給膜。 H 更進一步，本發明用以下材料來作Si02膜的生成，也 能適用。 (1 ) 〇3和Si2Cl6 (六氯乙硅烷）交互流動，依ALD法執行 生成Si02膜。 (2 ) 〇3 和 HSi ( OC2H5 ) 3 ( TRIES )交互流動，依 ALD 法 執行生成S i Ο 2膜。 (3 ) 03 和 His[N ( CH3 ) 2]3 ( TrisDMA )等交互流動，依 ALD法執行生成Si02膜。 € 實施例1 第1圖表示本實施例相關縱型的基板處理爐之槪略構 成圖、係表示處理爐部分的縱斷面，第2圖表示本實施例相 關縱型的基板處理爐之槪略構成圖、係表示處理爐部分的橫 斷面。第3 A圖表示本實施例相關基板處理裝置之縱型基板 處理爐之噴嘴233之說明用的槪略圖，第3B圖表示第3A 圖的A部的部分擴大圖。 1243403 於加熱手段之加熱器的內側，設置有對基板的晶片200 作處理的當作反應容器的反應管203，於該反應管203的下 端，連繫有例如以不鏽鋼形成的多支管（manifold) 209，更進 一步在其下端開口，係以蓋體的密封蓋2 1 9、經由氣密部件 的〇型環220，予以氣密封閉，該處理爐202，其至少係由 加熱器207、反應管203、多支管209、及密封蓋219，所形 成的。該多支管209係由保持手段（以下稱加熱器座251 ) 所固定。 反應管203的下端部及多支管209的上部開口端部，各 自設置有環狀形的凸緣（flange )，此等凸緣間配置有氣密 部件材（以下稱〇型環220 )，兩者之間以氣密封住。 於密封蓋2 1 9，經由石英蓋2 1 8設置有基板保持手段的 石英舟217，石英蓋218成爲保持石英舟217的保持體。接 著，將石英舟217***處理爐202內。在石英舟217，被批 量處理的晶片200以水平的姿勢在管軸的方向多段的積載 著。加熱器207以指定的溫度對***在處理爐202內的晶片 200作加熱。 向著處理爐202，設置有將複數種類氣體作供應的供應 管、此處是2種氣體的2支供應管232a、232b。氣體供應管 23 2a、23 2b設置貫通到多支管209的下部，氣體供應管232b 在處理爐202內和氣體供應管232a合流，2支供應管232a、 2 3 2b連通到一支有多孔的噴嘴233。噴嘴23 3設置在處理爐 2 02內，從氣體供應管232b延伸到TMA氣體的分解溫度以 上的領域。但是，氣體供應管232b在處理爐202內氣體供 1243403 應管23 2a合流的地方，係屬未達到TMA氣體分解的溫度之 領域、是比晶片200和晶片200附近之溫度更低溫的領域。 在此，從第1氣體供應管232a，經由流量控制手段的第1 流量控制器24la及開關閥的第1閥門243 a，進一步通過後 述設置於處理爐2〇2內的多孔噴嘴23 3，將反應氣體（〇3 ) 供應到處理爐2〇2內；從第2氣體供應管232b，經由流量控 制手段的第2流量控制器24 1 b及開關閥的第2閥門252、 TMA容器260、及開關閥的第3閥門250，再通過先前敘述 的多孔噴嘴23 3將反應氣體（TMA )供應到處理爐202內。 從TMA容器260到多支管209的氣體供應管23 2b，設置有 加熱器300，而使氣體供應管232b保持在50〜60 °C。 在氣體供應管232b，有不活性氣體的管線232c經由開 關閥門253接續到第3閥門250的下游側。又，在氣體供應 管232a ’有不活性氣體的管線232d經由開關閥門254接續 到第1閥門243 a的下游側。 處理爐2 0 2，其由作排氣的排氣管之排氣管2 3 1，經由 第4閥門243d與作爲排氣手段的真空幫浦（pump)作接續， 而形成真空排氣。又，該第4閥門243d由其閥門的開或關， 而可使處理爐202作真空排氣、或停止真空排氣，進而調整 打開開關閥門開的程度、則成爲可以調節壓力的開關閥門。 噴嘴23 3，其係從反應管203的下部跨過到上部，沿著 晶片200的積載方向配設的。因而在噴嘴233，設置有供應 複數種氣體供應孔248b。 在反應管203的中央部分，設置有將複數枚晶片200以 1243403 多段同一間隔載置的石英舟217，該石英舟217隨著石英舟 升降機構（圖中顯示省略）可以進出反應管203。又爲了提 高處理的均一性，再設置有作爲旋轉手段的石英舟旋轉機構 2 67，經由使石英舟旋轉機構267旋轉，在石英蓋218所保 持的石英舟2 1 7即會旋轉。 作爲控制手段的控制器1 2 1，與第1、第2的流量控制 器 241a、241b，第 1〜第 4 的閥門 243a、252、250、243d， 閥門25 3、254、加熱器207、真空幫浦246、石英舟旋轉機 構2 67，及圖中省略的石英舟升降機構有接續，而對第1、 第2的流量控制器241a、241b的流量的調整，第1〜第3 的閥門243a、252、250，閥門253、254爲開關動作，第4 的閥門243d之開關有壓力調整的動作，加熱器207是溫度 的調節，真空幫浦246的起動、停止，石英舟旋轉機構267 是旋轉速度的調節，石英舟升降機構的升降動作等，執行控 制動作。 其次，以ALD法的成膜例，以下說明使用TMA及臭氧 來成長ai2o3膜的情形。 首先，將要使其成膜的半導體矽晶片200裝塡到石英舟 2 17，並搬入到處理爐202內。搬入後，依照以下3個步驟 順序實行之。 〔步驟1〕 在步驟1，使臭氧流入。首先，將設置於第1氣體供給 管232a的第1閥門243a及設置於氣體排氣管231的第4閥 門2 4 3同時打開 > 從第1氣體供給管2 3 2 a經由第1流量控 1243403 制器243a調整臭氧氣體的流量，從噴嘴23 3的氣體供應孔 248b供給至處理爐202的同時，也從氣體排氣管23 1排氣。 流入臭氧時，第4閥門243d適度正確的調整處理爐202內 的壓力在10〜100 Pa之間。第1流量控制器241a所控制臭 氧的供應流量在1 000〜10000 seem之間。臭氧晒在晶片200 的時間是2〜120秒。這時加熱器207的溫度設定加熱晶片 的溫度爲250〜450 °C。 同時在氣體供給管232b的中途連接不活性的氣體管線 232c，打開閥門253讓不活性氣體流入，以防止臭氧回流到 TMA 側。 這時’處理爐202內流動的氣體只有臭氧和氮氣（N2 )、 氬氣（Ar )等不活性氣體，TM A氣體是不存在的。因此， 臭氧不會起氣相反應，在晶片20 0上因表面反應生長有基礎 膜。 〔步驟2〕 在步驟2,關閉第1氣體供給管232a的第1閥門243a， 停止供應臭氧。又，氣體排氣管23 1的第4閥門243d留在 打開的狀態，經由真空幫浦246將處理爐202內殘留的臭氧 排出’使處理爐202內的壓力在20Pa以下。又在這時，氮 氣等不活性氣體由臭氧的供給管線的第1氣體供給管232a 及TMA供給管線的第2氣體供給管232b分別供應進入處理 爐2 02內，使殘留的臭氧排出效果更好。 〔步驟3〕 在步驟3，使TMA氣體流入。TMA在常溫是液體，要 1243403 供應到處理爐內202，有加熱使之氣化的供應方法，以及利 用被稱爲載子的氮氣或稀有氣體等不活性氣體、使從TMA 容器260中通過、再將氣化部分的TMA氣體隨著載子氣體 同時流進處理爐202的供應的方法等，本實施例是以後者的 個案來作說明。首先，將設置在載子氣體供應管線232b的 閥門252、設置在TMA容器260和處理爐202之間的閥門 2 5 0、及設置在氣體排氣管2 3 1的第4閥門24 3 d同時打開， 載子氣體供應管線232b經由第2流量控制器24 lb作流量調 節，經過流量調節的載子氣體從TMA容器260中通過，TMA 鲁 和載子氣體的混合氣體，經由噴嘴2 3 3的氣體供應孔24 8 b 供應給處理爐202的同時，也從氣體排氣管231排出。在流 入TMA時，以第4閥門243d適度正確的調整處理爐202內 的壓力在10〜900 Pa。以第2流量控制器241a控制載子氣 體的供應流量在10000 seem以下。供應TMA的時間設定爲 1〜4秒。之後，爲了使更加吸著，在昇溫壓力環境中設定〇 〜4秒的曝晒時間亦可。這時的晶片溫度和供應臭氧時的溫 度相同在250〜450 °C。經由供應TMA，使在基礎膜上經由 ^ 臭氧和TMA起表面反應作用，在晶片200成長a1203膜。 同時在氣體供給管2 3 2 a的中途連接不活性氣體管線 2 3 2d ’打開閥門254讓不活性氣體流入，以防止TMA回流 到臭氧側。 膜形成後，關閉閥門250，打開第4個閥門243d，使處 理爐202作真空排氣，將貢獻TMA成膜後的殘留氣體排除。 又’在這時、將氮氣等不活性的氣體，從臭氧供應管線的第 -14- 1243403 1氣體供應管2 3 2 a及Τ Μ A供應管線的第2氣體供應管 2 3 2b，分別供應到處理爐202內，進一步的將貢獻TMA成 膜後，殘留在處理爐202內的氣體排出，使其排除效果更好。 上述步驟1〜3稱爲1個循環，這樣的循環來回操作數 次，使晶片2 0 0的A1 2 Ο 3膜長成到所希望的厚度。 從處理爐202內排氣排除臭氧氣體之後才流入TMA’ 故兩氣體向著晶片200在中途是不會起反應的。供應的TMA 只會在吸有臭氧的晶片200才會作有效的反應。 又，在臭氧的供應管線的第1供應管232a及TMA的供 應管線的第2供應管232b，彼等在處理爐202內會合流， TMA和臭氧在噴嘴233內會交互吸著，反應堆積著Al2〇3 膜是有可能的，但以各別噴嘴供應TMA和臭氧的時候，在 TMA的噴嘴內，沒有異物發生源的可能性、如生成鋁膜的問 題點。ai2o3膜比鋁膜有更優良的密著性，因而較難剝落， 異物發生源也較難形成。 其次，參照第4圖，對適用本發明的基板處理裝置之一 個例子的半導體製造裝置，以下對其作槪略說明。 在筐體101的內部之前面側，設置有與無圖示的外部搬 送裝置之間、作爲基板收納容器的卡匣100、執行該卡匣100 的授受的保持具授受部材之卡匣工作台105;在卡匣工作台 105之後方，設置有作爲昇降手段的卡匣昇降機115;在卡 匣昇降機115,安裝有作爲搬運手段的卡匣移載機114。又， 在卡匣昇降機1 1 5的後側，設置有作爲卡匣1 〇〇的載置手段 的卡匣架109之外，同時在卡匣工作台105的上方設置有預 1243403 備卡匣架110,在預備卡匣架110上方設置有清潔單元118， 清潔用空氣在筐體1 0 1的內部流通著。 在筐體1 0 1的後部上方，設置有處理爐202 ;在處理爐 2〇2的下方，設置有作爲石英舟217在處理爐202內的昇降 手段的石英舟升降機1 2 1，該石英舟2 1 7係作爲將基板的晶 片2 00以水平的姿勢作多段保持的基板保持手段者；安裝在 石英舟升降機1 2 1的昇降部材1 22的前端部位，安裝有作爲 蓋體的密封蓋219、以垂直地支持著石英舟217。在石英舟 升降機121和卡匣架1〇9之間，設置有作爲昇降手段的移載 魯 升降機113，於移載升降機113安裝有作爲搬送手段的晶片 移載機112。又，在石英舟升降機121的橫向，持有開關機 構的處理爐202下面，設置有作爲堵塞遮蔽部材的爐口快門 116。 裝塡有晶片200的卡匣1〇〇，其係從無圖示的外部搬運 裝置將晶片200以向上的姿勢搬入卡匣工作台105,晶片2〇〇 在卡匣工作台105以90°的旋轉成水平的姿勢。更進一步， 卡匣1〇〇，經由與卡匣昇降機115的升降動作、橫向動作及 ί 卡匣移載機1 1 4的進退動作、旋轉動作的協調，將晶片2 〇 〇 從卡匣工作台105搬運至卡匣架1〇9及預備卡匣架110。 於卡匣架109，成爲晶片移載機112的搬運對象的卡匣 1〇〇、有被收納的移載架123,供作移載晶片200的卡匣1〇〇、 經由卡匣昇降機115、卡匣移載機114，而被移載到移載架 123 ° 卡匣100 —旦被移載到移載架123，即經由晶片移載機 -16- 1243403 1 1 2的進退動作、旋轉動作及移載升降機i i 3的升降動作之 協調’將晶片2 0 0移載到從移載架1 2 3下降狀態的石英舟2 1 7 內。 將指定的晶片片數移載到石英舟2 1 7，則石英舟升降機 1 2 1將石英舟2 1 7***處理爐2 0 2，經由密封蓋2 1 9將處理 爐202作氣密的閉塞。晶片200在氣密的閉塞狀態的處理爐 2 0 2內被加熱的同時，有處理氣體被供給至處理爐2 〇 2內， 形成對晶片200作處理。 晶片200的處理一完成，晶片200以上述動作的相反順 H 序操作，從石英舟217被移載到移載架123的卡匣1〇0，卡 匣100經由卡匣移載機114從移載架123移載到卡匣工作台 1 05，再經由無圖示的外部搬運裝置搬出到筐體1 〇〗的外部。 又，爐口快門1 1 6，在石英舟2 1 7下降狀態時會塞住處理爐 2 0 2的下面，以防止外氣被捲入到處理爐2 0 2內。 前述卡匣移載機1 1 4等的搬運動作，係由搬運控制手段 124所控制的。 i 如以上說明，經由本發明的一形態，則可經由量產性優 Μ 越的批量式處理裝置，以ALD法成長出α1203膜等，進而可 以抑制副生成物、即噴嘴內鋁膜等的形成。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明的一個實施例之基板處理裝置的縱型 基板處理爐之槪略縱斷面圖。 第2圖係本發明的一個實施例之基板處理裝置的縱型 基板處理爐之槪略橫斷面圖。 -17- 1243403 第3 A圖係本發明的一個實施例之基板處理裝置的縱型 基板處理爐之噴嘴2 3 3的說明用的槪略圖。 第3 B圖係第3 A圖的A部的部分擴大圖。 第4圖係爲了說明本發明的一實施形態之基板處理裝 置的槪略斜視圖。 【元件符號說: 明 ] 121 控 制 器 200 晶 片 202 處 理 爐 203 反 應 管 207 加 熱 器 209 多 支 管 217 石 英 舟 218 石 英 蓋 219 密 封 蓋 220 0 型 環 23 1 氣 體 排 氣 管 232a 第 1 氣 體 供 應 管 232b 第 2 氣 體 供 應 管 232c, 232d 不 活 性 氣 體 管 線 233 噴 嘴 241a 第 1 流 量 控 制 器 24 1b 第 2 流 量 控 制 器 243a 第 1 閥 門
-18- 1243403 243 d 第4閥門 246 真空幫浦 248b 氣體供應孔 250 第3閥門 25 1 加熱器座 252 第2閥門 253, 254 閥門 260 TMA容器 267 石英舟旋轉機構 300 加熱器

Claims (1)

1243403 十、申請專利範圍： 1 · 一種基板處理裝置，該基板處理裝置其有收容基板的處理 室、和加熱該基板的加熱部材，互相反應配合的至少2種 的氣體交互供應到上述的處理室內使上述的基板之表面 生成所期望的膜，該基板處理裝置之特徵爲其具備有： 使上述的2種氣體相互獨立、各自在其內流動的2支 的供應管； 在上述的處理室內供應氣體的單一的氣體供應部 材，上述2種氣體之中，至少有1種氣體其在分解的溫度 · 以上之領域之一部份，係該單一的氣體供應部材之延伸 者， 而上述2支的供應管，在上述至少的1種氣體之未到 分解溫度之場所，使與上述氣體供應部材連結，如此使上 述的2種氣體通過上述氣體供應部材各自供應到處理室內 者。 2·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中上述氣體供 應部材係具有多數氣體噴出口的噴嘴。 € 3 ·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中形成上述處 理室時，再備有將積層的複數的基板、可予以收容的反應 管’且上述噴嘴係沿著從上述反應管的下部渡過上部的上 述基板的積載方向而被設置者。 4 ·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中上述的2支 供應管和上述氣體供應部材料的連接處所，係在上述的處 理室內。 -20- 1243403 5 ·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中在上述氣體 供應部材料的內壁，附著有經由上述至少2種的氣體的反 應所生成的膜者。 6 .如申g靑專利範圍第1項之基板處理裝置，其中上述處理室 的清潔和附著在氣體供應部材上的膜的去除，其實施係將 清潔用氣體經由上述氣體供應部材供應到上述處理室內 者。 7 .如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中上述氣體係 爲TMA和臭氧，而在上述基板的表面生成氧化鋁膜者。 8·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中上述氣體係 爲 Tetrakis( N—乙基（ethyl) — N —甲胺基（methylamino) 給和臭氧，而在上述基板之表面生成氧化給膜者。 9·一種基板處理裝置，該基板處理裝置其有收容基板的處理 室、和加熱該基板的加熱部材，也備有互相反應配合的至 少2種的氣體交互供應到上述的處理室內使上述的基板之 表面生成所期望的膜的熱壁式的處理爐，該基板處理裝置 之特徵爲其具備有： 使上述的2種氣體相互獨立、各自在其內流動的2支 的供應管； 在上述的處理室內供應氣體的單一的氣體供應部 材，其一部份係配置於上述加熱部材之內側者， 而上述2支的供應管，在上述處理室內的上述基板的 溫度較低溫度的領域處，使與上述氣體供應部材連結，如 此使上述的2種氣體通過上述氣體供應部材各自供應到處 -21- 1243403 理室內者。 1 〇. —種半導體裝置的製造方法，其係利用一基板處理裝置、 該一基板處理裝置其有收容基板的處理室、和加熱該基板 的加熱部材，互相反應配合的至少2種氣體交互供應到上 述的處理室內使上述的基板之表面生成所期望的膜，該一 基板處理裝置再具備： 使上述的2種氣體相互獨立、各自在其內流動的2支 的供應管； .在上述的處理室內供應氣體的單一的氣體供應部 €1 材，上述的2種氣體之中，至少有1種氣體其在分解的溫 度以上之領域之一部份，係該單一的氣體供應部材之延伸 者， 該半導體裝置的製造方法之特徵爲：其所利用之基板 處理裝置，係將上述2支的供應管，在上述至少的1種氣 體之未到分解溫度之場所，使與上述氣體供應部材連結’ 如此使上述的2種氣體通過上述氣體供應部材各自供應到 處理室內， I 上述的2種氣體經由上述氣體供應部材交互供應到上 述的處理室內，而在上述基板的表面上生成所期望的膜 者0 -22 -
TW093124294A 2003-08-15 2004-08-13 Substrate processing apparatus and method for producing the semiconductor device TWI243403B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003293953A JP3913723B2 (ja) 2003-08-15 2003-08-15 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200514130A TW200514130A (en) 2005-04-16
TWI243403B true TWI243403B (en) 2005-11-11

Family

ID=34191014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093124294A TWI243403B (en) 2003-08-15 2004-08-13 Substrate processing apparatus and method for producing the semiconductor device

Country Status (6)

Country Link
US (3) US20060258174A1 (zh)
JP (1) JP3913723B2 (zh)
KR (1) KR100819639B1 (zh)
CN (1) CN100367459C (zh)
TW (1) TWI243403B (zh)
WO (1) WO2005017987A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI453560B (zh) * 2006-07-31 2014-09-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing device and a method of determining whether or not to adjust the method

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100555582C (zh) * 2004-08-11 2009-10-28 株式会社明电舍 用于形成氧化物膜的方法和设备
JP4613587B2 (ja) 2004-08-11 2011-01-19 株式会社明電舎 酸化膜形成方法とその装置
JP4734317B2 (ja) * 2005-02-17 2011-07-27 株式会社日立国際電気 基板処理方法および基板処理装置
JP4632843B2 (ja) 2005-04-12 2011-02-16 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 強誘電体メモリ装置及びその製造方法
US20100162952A1 (en) * 2005-09-27 2010-07-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
US7795143B2 (en) * 2006-08-11 2010-09-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP5052071B2 (ja) * 2006-08-25 2012-10-17 株式会社明電舎 酸化膜形成方法とその装置
JP2008078448A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2008160081A (ja) * 2006-11-29 2008-07-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
US20090035951A1 (en) * 2007-07-20 2009-02-05 Hitachi Kokusai Electric Inc. Manufacturing method of semiconductor device
US20090035946A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Asm International N.V. In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors
JP5384852B2 (ja) * 2008-05-09 2014-01-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP5616591B2 (ja) * 2008-06-20 2014-10-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5222652B2 (ja) 2008-07-30 2013-06-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5665289B2 (ja) 2008-10-29 2015-02-04 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
US8193032B2 (en) 2010-06-29 2012-06-05 International Business Machines Corporation Ultrathin spacer formation for carbon-based FET
CN105336645B (zh) * 2014-08-14 2021-04-30 无锡华瑛微电子技术有限公司 利用含臭氧的流体处理半导体晶片表面的装置及方法
JP6820793B2 (ja) 2017-04-27 2021-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、排気管のコーティング方法及び基板処理方法
JP6994483B2 (ja) * 2018-09-26 2022-01-14 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置
JP1706319S (zh) * 2021-06-16 2022-01-31

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59142839A (ja) * 1983-02-01 1984-08-16 Canon Inc 気相法装置のクリ−ニング方法
US4699805A (en) * 1986-07-03 1987-10-13 Motorola Inc. Process and apparatus for the low pressure chemical vapor deposition of thin films
USRE36328E (en) * 1988-03-31 1999-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing apparatus including temperature control mechanism
JPH01296613A (ja) 1988-05-25 1989-11-30 Nec Corp ３−ｖ族化合物半導体の気相成長方法
JPH02267197A (ja) 1989-04-06 1990-10-31 Nec Corp 炭化硅素の成長方法
JP2839720B2 (ja) * 1990-12-19 1998-12-16 株式会社東芝 熱処理装置
JP3140068B2 (ja) * 1991-01-31 2001-03-05 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
US5484484A (en) * 1993-07-03 1996-01-16 Tokyo Electron Kabushiki Thermal processing method and apparatus therefor
JP3247270B2 (ja) * 1994-08-25 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びドライクリーニング方法
KR100252213B1 (ko) * 1997-04-22 2000-05-01 윤종용 반도체소자제조장치및그제조방법
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
JPH11345778A (ja) * 1998-05-29 1999-12-14 Tokyo Electron Ltd 成膜装置のクリーニング方法及びそのクリーニング機構
US6383300B1 (en) * 1998-11-27 2002-05-07 Tokyo Electron Ltd. Heat treatment apparatus and cleaning method of the same
KR100331544B1 (ko) * 1999-01-18 2002-04-06 윤종용 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드
KR100394571B1 (ko) * 1999-09-17 2003-08-14 삼성전자주식회사 화학기상증착용 튜브
US6780704B1 (en) * 1999-12-03 2004-08-24 Asm International Nv Conformal thin films over textured capacitor electrodes
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치
EP1333935A4 (en) * 2000-10-17 2008-04-02 Nanogram Corp PREPARATION OF A COAT BY REACTIVE DEPOSITION
KR100375102B1 (ko) * 2000-10-18 2003-03-08 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조에서 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치
JP3437830B2 (ja) 2000-11-28 2003-08-18 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP3924483B2 (ja) * 2001-03-19 2007-06-06 アイピーエス リミテッド 化学気相蒸着装置
JP2003045864A (ja) * 2001-08-02 2003-02-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4090347B2 (ja) * 2002-03-18 2008-05-28 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
KR20030081144A (ko) * 2002-04-11 2003-10-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 종형 반도체 제조 장치
JP3670628B2 (ja) * 2002-06-20 2005-07-13 株式会社東芝 成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法
JP4113755B2 (ja) * 2002-10-03 2008-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2004288899A (ja) 2003-03-24 2004-10-14 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI453560B (zh) * 2006-07-31 2014-09-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing device and a method of determining whether or not to adjust the method

Also Published As

Publication number Publication date
TW200514130A (en) 2005-04-16
CN100367459C (zh) 2008-02-06
KR100819639B1 (ko) 2008-04-03
US20120034788A1 (en) 2012-02-09
JP3913723B2 (ja) 2007-05-09
US20090186467A1 (en) 2009-07-23
KR20050117574A (ko) 2005-12-14
JP2005064305A (ja) 2005-03-10
US8598047B2 (en) 2013-12-03
US20060258174A1 (en) 2006-11-16
CN1762042A (zh) 2006-04-19
WO2005017987A1 (ja) 2005-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI243403B (en) Substrate processing apparatus and method for producing the semiconductor device
TWI415190B (zh) 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置
JP6270575B2 (ja) 反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
TWI334450B (en) Wafer treatment device and the manufacturing method of semiconductor device
TWI483313B (zh) 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置
TWI425572B (zh) 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置
TW201044484A (en) Substrate processing apparatus
TW201142076A (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2009295729A (ja) 基板処理装置
KR101015985B1 (ko) 기판 처리 장치
JP5344663B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法
US20100162952A1 (en) Substrate processing apparatus
KR101361984B1 (ko) 저마늄-안티모니-텔루륨 막의 성막 방법 및 기억 매체
TWI548769B (zh) Preparation of nickel film
KR100935289B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4963817B2 (ja) 基板処理装置
JP2006066557A (ja) 基板処理装置
JP5421812B2 (ja) 半導体基板の成膜装置及び方法
JP5568342B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理システム
JP4415005B2 (ja) 基板処理装置
JP2005064538A (ja) 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2009200298A (ja) 基板処理装置
JP2007227804A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005197541A (ja) 基板処理装置