TWI243287B - Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using the same - Google Patents

Description

1243287 A7

本發明係關於例如供全紫外線放射之照明系統。本發明尤 $曰此種裝置在微影投影裝置之應用，包含： 一照明系統，+構造並設置為供給一放射之投影束； 一第一物件台，設有一光罩座，構造為固持一光罩； 一第二物件台，設有一基片座，構造為固持一基片；以及 一投影系統，構造及設置為使光罩之一輻照部份成像至基 片之一 #巴部份。 為簡單起見，投影系統在下文可稱作”透鏡”；然而，此用 焐應孩予以廣義解釋為包含各種類型之投影系統，包括例 如折射光學裝置，反射光學裝置，折反射系統，及帶電粒 子光學裝置。另外，第一及第二物件台可分別稱作，，光罩台 及’’基片台’’。而且，微影裝置可為一種有二或更多記號台 ，及/或二或更多基片台之類型。在此等，，多級，，裝置，可在 並行使用另外之台，或可在一或多級實施預備步驟，同時 使用一個或多個其他級，以供曝光。雙級微影裝置例如說 明於國際專利申請案W〇98/28665號及w〇98M0791號。 微影投影裝置例如可使用於製造積體電路（j C)。在此種 情形’光罩（光栅）可包含一電路圖案，對應於一個別層之 1C ’並且此圖案可在一基片（石夕晶圓）予以成像至一巳塗布 一層光敏材料（抗蝕劑）之靶區域（晶粒）。通常，一單一晶圓 將會包含一整個網絡之相鄰晶粒，其經由光柵予以連續輻 照，一次一晶粒。在一種類型之微影投影裝置，每一晶粒 藉在一次使整個光柵圖案曝光至晶粒予以輻照；此種裝置 在下文將通稱為晶圓步進器。在一種替代性裝置（其在下文 -4-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公鰲) 1243287 A7 B7 五、發明説明（2 ) 將通稱為步進器及掃描裝置），每一晶粒係在投影束下，在 一既定參考方向（"掃描”方向）漸進掃描光柵圖案予以輻照 ，同時平行或不平行於此方向同步掃描晶圓台；由於投影 系統通常將有一放大因數Μ (通常< 1 )，掃描晶圓台之速率V 將為一因數Μ倍掃描光柵台者。自國際專利申請案 WO97/33205號，可發現關於如此處所說明微影裝置之更多 資訊。 在一種微影裝置，可予以成像至晶圓之特色，其大小係受 投影放射之波長所限制。為產生具有較高裝置密度，並因 而較高操作速率之積體電路，宜於能使較小裝置成像。雖 然大多數目前之微影投影裝置採用水銀燈或激元雷射所產 生之紫外線光，但人們曾建議使用1 3毫微米左右之較短波 長放射。此種放射稱作為全紫外線（EUV)或軟性X -射線，並 且可能之源包括雷射電漿源或來自電子儲存環之同步加速 器放射，一種使用同步加速器放射之微影投影裝置，其概 要設計說明於 ’’ Synchrotron radiation sources and condensers for projection x-ray lithography’’，JB Murphy 等人，Applied Optics Vol. 32 No.24 pp6920-6929( 1993年）。不過儲存環所 射出之同步加速器放射，被完全限定至含有循環電子束之 平面，其係在所有方向在該平面所射出，並產生一自寬角 度範圍收集同步加速器放射所必要之足夠強投影束。這導 致一種不合宜大之裝置總體，並特別需要提供大型收集鏡。 人們曾建議所謂之”波動器”及”擺動器”，作為全紫外線 放射之一種替代源。在此等裝置，一在高，通常為相對性 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1243287

速率，例如在儲存環行進之電子束，被導致通過一連串之 ^ ^在其中建乂垂直於束速度之磁場。在相鄰部位之磁 %I方向為相互相反，因而電子依循一波狀路徑。依循波 狀路徑之電子，其橫向加速導致射出Maxwell放射垂直於加 速之方白亦即在未偏移路徑之方向。較之於例如具有大 廣度之雷射電漿源，此等放射源通常具有中度或小廣度。 廣度一詞指源之大小及立體射出角之積。 本發明之一項目的，為提供一種光學系統，其可用以使自 其放射源射出之放射，特別是全紫外線放射，成形至一供 微影投影裝置之弓形或環形投影光束。 根據本發明，提供微影投影裝置，供將一在光罩之光罩圖 案成像至基片，該裝置包含： 一照明系統，構造並設置為供給一放射之投影束； 一第一物件台，設有一光罩座，構造為固持一光罩； 一第二物件台，設有一基片座，構造為固持；以及 一投影系統，構造及設置為使光罩之一輻照部份成像至基 片之一革巴部份；其特徵為，該照明系統包含： 散射裝置’構造並設置為控制該投影光束之輻散，該散射 裝置包含一維陣列之彎曲反射元件，各與一諸如將會反射 +及準直入射束至一彎曲扇之彎曲表面一致。 本發明因此提供一種照明系統，其可使用在微影裝置，以 提供一供光栅之弓形或環場照明，並且也良好填滿投影系 統'^入口光瞳。再者，本發明使能提供場光罩（REMA)及光 瞳光罩（供控制填滿因數）在系統之定位。 -6 -本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ297公釐) 五、發明説明（4 在光栅之^明之弓形，係由於教射鏡，其為—維（至少）陣 2=·^形，圓柱形或錐形鏡。就大廣度之光源而言， 2佳為-鏡之料’各4—維陣列之環形，圓柱來 鏡。矩陣之個別諸鏡可予以個別朝向為將放射集^ 在奴衫光束。就具有小廣度之光源而言，可將—第二 統中，以控制及改進光瞳填滿。第二散二可 為非球面鏡 < 二維陣列。 =發明之各種實施例，可提財繼（或成像）鏡。例如， =在=散射鏡前提供-中繼或集光鏡，以收集來自源之 光並成-通當入射角將其導至第—散射鏡。在 1面之中繼鏡’可予以提供為產生供場及 ^ 輛平面’以將光導至光栅及入口光曈，並保留第―：：二 所反射弓形束之形狀’目而在光栅之照明具有環場之兄 如果提供，第二散射鏡可與一中繼鏡合併至—單—二 此種合併之元件將會包含二維陣列之球面 =者 ，行散射功能，覆蓋在一.彎曲表面，有效進行 。使用較少元件有利於減低反射損耗。 ，、、、力月匕 提供投影束之放射源，可為一波動器或一擺動器， 束以-小輻散角度射出一窄波長範圍之放射，或—： 漿源，其射出放射至較寬範圍。本發明之簡 ：心 =能提供一供微影投影裝置之強力及成良好形狀j 本發明也提供一種使用微影裝置之裝置製造方法， 包含下列步驟： μ万法 12.43287

&仏基片其至少部份被一層能敏材料所覆蓋； 提供一含有圖案之光罩； 使用-放射投影光束，將光罩圖案之至少—部份 影至能敏材料層之一靶區域； 其特徵為該投影光束之輕散，在微影裝置之照明***使用 散射裝置予以控制，該散射裝置包含一維陣列之彎曲反射 元件，各與-諸如將會反射_窄及準直人射束至彎曲扇之 彎曲表面一致。 在一種使用一根據本發明之微影投影裝置之製造方法，將 在光罩《圖案成像至一基片，其至少部份被一層能敏材 料（抗蝕劑）所覆盍。在此成像步驟前，可經歷各種程序，諸 如打底，抗蝕劑塗布及一種軟烘焙。在曝光後，可使基片 經歷其他程序，諸如曝光後烘焙（p〇st_exp〇_ _，&稱

PEB)，顯像，一種硬烘焙及成像裝置之測量/檢查。使用此 陣列之程序，作為將一個別層之裝置例如1(:作成圖案之基 礎。然後可使此種有圖案層經歷各種方法，諸如蝕刻，離 子植入（摻雜），金屬化，氧化，化學_機械式拋光等，均意 在拋光一個別層。如果需要若干層，則整個程序，或其一 種k型，將必須每-新層予以重複。最終，在基片（晶圓）將 會存在一陣列之裝置。然後藉一種技術諸如切片或鋸開， 使此等裝置彼此分開，由此可將個別裝置安裝在一載體上 ’連接至插腳等。例如，自Peter van Zant所著" Fabrication , A practical Guide to Semiconductor Processing" 一書，第三版，McGraw Hill Publishing Co·，1997年，ISBN 本紙張尺度適财關冢鮮(CNS) A4^(21GX2_9™7公褒) 12.43287

07-06725G.4，可獲得關於此等方法之另外資訊。 不過在本文中可特別參考在製造1C，使用根據本發明之 裝置，請予明白瞭解，此種裝置有很多其他可能應用。例 如丄其可採㈣製造供磁域記憶體，液晶顯示板，薄膜磁 々等=整合光學系、统’導引及檢測圖案。精於此項技藝者 知k 4知，在此等替代性應用之範圍，在本文中"光柵"，” 晶圓”或，，晶粒，，諸詞之任何使用，應該視為分別被更一般用 語”光罩”，”基片’及”革巴區域’，所替代。 以下將參照例證性實施例及概略附圖，說明本發明及其 帶優點，在附圖中： ^ 圖1示一根據本發明第一實施例之微影投影裝置； 圖2為第一實施例之照明光學裝置，其相關組件之略圖； 圖3為在圖2之照明光學裝置中，第一散射鏡之略圖；以及 圖4示在圖2之照明光學裝置中，供第一散射 三 性剖面； ^ 圖5為在解釋第一散射鏡之效應所參照之視圖； 、圖6為本發明第二實施例之照明光學裝置，其相關組件之 視圖； 、圖7為本發明第三實施例之照明光學裝置，其相關組件之 視圖；以及 圖8為本發明第四實施例之照明光學裝置，其相關組件之 視圖。 在各圖中，相同參考圖號指示相同部份。 -9-

本紙張國家標準(5^_Α4規格(21〇—) 1243287 五 、發明説明（ 實施例 圖卜各示-根據本發明之微影投影裝置i。該裝置包人· •⑼放射系統LA，IL，用於供給一請放射之投景^束 •-第-物件台(光罩台)MT’，設有一光罩座，供固持 先罩MA(例如一光柵），並連接至第—定位裝置 ’供使光罩相對於物品p L準確定位； •-第二物件台(基片台)WT’設有一基片座，供固持一 基片W(例如一抗蝕劑塗布矽晶圓），並連接至第二定位 裝置PW，供使基片相對於物品PL·準確定位； 上 •-投影系統Γ透鏡"）PL(例如—折射或折反射系統或一

反射系統），供使光罩MA之一輕照部份成像至基片W 之一靶部份C(晶粒）。 放射系統包含一源LA(例如一繞一電子束之路徑，在一儲 存環或同步加速器所提供之波動器或擺動器），其產生一放 射束。此束沿包括在照明系統（”透鏡”）IL之各光學組件（在 本案中也稱作照明光學裝置）通㉟，因❿所產生之束pB被以 一種致使在投影系統及光罩之入口光瞳產生所希望形狀之 照明及強度分布之方式所收集。 束PB隨後照射在光罩MA，其在光罩台Μτ被固持在光罩 座。巳被光罩MA所選擇性反射，束]?8通過透鏡p]L，其將 束P B聚焦至基片w之一靶區域c。藉助於干涉移位測量裝 置IF及定位裝置PW，例如可使基片台|丁準確移動，俾使 不同靶區域C足位在束p b之路徑。同樣，定位裝置p M及干 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 2士公 1243287

涉移位測量裝㈣可用以例如在自—光罩庫機械式檢索光 f Μ A後’使光罩對於束別之路徑準確定位。通常， 精=於在圖、1中所未明示之—長行程模組（粗定位）及一短行 程模組（細定位），將會實現物件台MT之移動WT。 所示之裝置可使用在二不同模式： 在γ進模式，使光罩台“丁保持基本上靜止，並在一次（ 亦ρ單/人閃光）將一整個光罩影像投影至一靶區域 C :、、:後使基片台…丁在又及/或y方向偏移，以便可被束 P B輻照一不同之靶區域C ; 在掃描模式ρ佘了 一既定革巴區域c不在一單次”閃光”予 以曝光外’基本上適用相同情況。光罩台町代之為可 在-既足方向（所謂之”掃描方向”，例如χ方向），以速 率V移動’因而導致投影光束ΡΒ掃描一光罩影像；同時 ’使基片台WT同時在相同或相反方向，以速ρ = Μν 移動，其中Μ為透鏡PL之放大倍率（一般而言，.Μ 或1/5)。以此方式，可使一比較大靶區域c曝光，而不 必在解析度有所折衷。 如在圖2中所略示，照明系統IL自波動器或擺動器放射 源接收放射，其置為繞—在儲存環或同步加速器（未示）循環 之電子束11之路徑。波動器或擺動器10包含-連串之磁鐵( 例如電磁鐵），以產生交錯方向之磁場之部位，其導致電子 束依循-波狀路徑，從而產生Maxwell放射。諸部位之數及 配置’磁場強度，以及電子走女丄 、、 甩卞末大小及速率，可依產生希望 之放射強度及波長適當予以選擇。 -11 -

1243287 A7 _________B7 五、發明説明（9 ) 照2系統IL收集來自源之光，並在光罩反射後，將其導 至投影系統PL。光罩位於投影系統之物件平面。光罩之照 月區或具有環场之形狀。在散射鏡具有零功率之限制情 形’照明系統之成像特性為致使照明光學裝置在投影系統 之入口目里孔產生源之影像。因此光罩為聚光器之孔徑光闌 及投影系統之場光闌。照明系統IL沿投影束12之光徑包含 下列組件： 口 •第一中繼鏡13，將束腰12a成像至第一散射鏡14， •一第一散射鏡14，使光分散在一彎曲扇形， •第一中繼鏡15，將第一散射鏡14成像至投影系統PL·之 入口瞳孔1 8， •第二散射鏡1 6，使光以希望之束形狀及剖面分散，例 如均句填滿投影系統p L之入口光瞳。 f此種系統，使第一及第二中繼鏡最佳化，以在投影系統 之第一散射鏡及在入口光瞳提供源之良好成像。 圖2也示光罩17，其將投影束12選擇性反射至投影系統 PL之入口光瞳18。 罘一中繼鏡1 3在形狀為環形，而投影光束成一掠射角向 第一散射鏡14反射，其也為一掠射入射反射器。第一散射 鏡1 4予以放大示於圖3，並包含一維陣列之環形鏡元件 ;在圖3示四，但鏡實際上可包含更多，例如6或12。（在此 方面，，環形’一詞指示鏡反射表面僅與環形表面之一部份一 致）陣列之每一兀件之形狀及元件間之間距，控制在光罩 之照明之大小及均勾性。在圖4中示第一散射鏡14之三替代 -12· 1243287 五、發明説明（1〇 ί·生面。如在该圖可看出，第—散射鏡i 4可包含：所有凸 面兀件’示為14a;所有凹面元件’示為⑷；或交錯之凹面 及凸^件，示為14e。如果希望，也可採用其他組合。在 此散射鏡之入射角，也為一在光罩確定環場之曲率半徑之 :數。在？干實施例，第一散射鏡之元件可為圓柱形或錐 匕一非f $ (而且’视情況而定，，圓柱形，及，錐形，諸詞 ’指示僅與-圓柱形或錐形之一部份一致之反射表面。） :圖5中示第一散射鏡14之效應。為求明晰，鏡μ在此圖 -為平面，並不試圖例示元件之曲率。然而，鏡事實上將 予以構形為如以上所說明。考慮-在-致使其投影i，至鏡平 面為平行於環形元件14a之抽線之方向所入射之有準直束童 ，可最佳察知鏡之效應。而且，自法^至束彳之入射角大 。如在圖5中所示，反射束r於是為—f曲扇，而有—剖面c 成一對應於7L件14a之表面輪靡及投影束之入射角之弓形之 形狀。 第一中繼鏡1 5為橢圓形，並比較靠近光罩〗7。在其他實 施例:也可使用-橢面鏡。以及使第一散射鏡“成像至入 口光曈18，其為—近正常人射鏡，以㈣投影光扣，使 Γ5Γ=更予以定向。第二散射鏡16同樣靠近第二中繼鏡 睡别、並包含一在平形基片之二維正方形或六角形 車，< 凹面或凸面球面，非球面或環形鏡。每一組件之間 距，分布（矩形或六角形陣列），曲率半徑及形狀，在入口二 瞳控制照明之均句性’填滿因數及形狀。此等因數因此可 予以選擇為具有所希望之效應，以供本發明之特定實施例 -13- 本紙張尺度適财H Α视格(21GX297公复） 1243287

。第一散射鏡1 6保證投影系統之入口光瞳1 §適當填滿，以 及投影放射之入射角在光罩為適當。其自法向入射應該較 佳為一小角度，並且在本實施例約為5 · 4 9。。第二中繼鏡 及第二散射鏡均為近正常入射反射器。 第二散射鏡1 6為可與其他構形之鏡交換，以控制入口光 瞳1 8之填滿因數及照明之形狀。 在本發明所需要之鏡表面複雜，但可使用已知技術製造。 請予察知，可容忍在鏡之某些表面不規律，由於這通常將 會導致功率之損耗，而非在影像品質之減低。 、以上所說明之第一及第二散射鏡14，16，可藉拋光玻璃 或金屬=片製造。要不然其可藉表面全息圖或光敏抗蝕劑 之直接％子束曝光，或χ _射線微影所形成之微組件之陣列 形成。 以上所說明光學系統之參數及尺寸，曾予以設計及選擇為 供諸如總系統之特別機械式包絡，環場形狀及大小，以及 入口光目里直徑及填滿因數之設計準據。請予察知，最佳尺 寸及參數舲會改變或予以按比例匹配設計準據之任何改變。 立在此貫施例’可提供—場光罩，靠近第二散射鏡，及一光 目里光罩，在第二散射鏡與第二中繼鏡之間。為清楚起見， 此等組件自圖2予以省略。 實施例2 ^圖6中所示之本發明第二實施例’照明系統3在功能上 =罘-實施例者相同，但僅有三元件。第二中繼鏡(15)及 第二散射鏡(16)藉重疊周期散射結構在一彎曲基片，予以 -14- ^國國家標^ 10X297 公釐） 1243287 A7

二第三鏡19,以有效將第-散射鏡聚焦至入 :一在基片，亦即第二中繼鏡之曲率半徑，在散 重®别大時，這可比較容易完成 裝置配置相 在第二實施例，如自圖2及6之比較可看出 對於第一實施例略微予以改變。 實施例3 、在本發明之第三實施例，照明系統4為相似於第二實施例 《照明系統3，但包括一另外第三中繼鏡2〇，並且若干並他 組件之配置予以調整。如在圖7中可看出，入射束藉第二中 :鏡13及第一散射鏡“ ’以與在以上參照圖6所說明第二 貫她例之相同方式，成掠射角予以反射。然而，在第三實 施例’束12成-近法向角人射在第二中繼鏡15，再次成一 =法向入射角予以導至第二散射鏡16。然後提供第三中繼 鏡20以使束成一適當角度至光罩17，因而所反射（帶圖案） 之光依希望進入投影系統PL之入口光瞳18。 第三中繼鏡為橢圓形，並且使第二中繼鏡1 5所產生之第 一散射鏡14之中間影像成像至投影系統p]L之入口光瞳18。 第二及第三中繼鏡鏡之放大倍率予以選擇為致使第二散射 鏡16靠近光罩17之共軛平面。第三中繼鏡2〇將入口光瞳18 及光罩1 7之共軛平面導入至系統中，光曈及場光罩可依希 望置於該處。 實施例4 在圖8中略示本發明之第四實施例。其包含一更適合配合 一較大廣度之之光源（諸如雷射電漿及其他源等）使用之照明 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1243287

系統。在圖8中，源2 1示為一有大射出角之小源。照明光學 裝置收集來自源之光，並在光罩（或光柵）反射後，將其導至 投影系統。光罩位於投影系統之物件台。光罩之照明均勻 ，並具有弓形（環場）之形狀。如在先前實施例，光柵兼為投 影系統之場光闌及照明系統之孔徑光闌。在照明系統内， 有光柵之共轭平面，及投影系統之入口光瞳，其適合使場 及光瞳光罩定位。沿光路徑自源至光栅，照明系統包含下 列組件： •收集鏡1 3 ’，以收集來自源之光至散射鏡丨4, •散射鏡14’，將光分散在一彎曲扇，並將其導至假想平 面22，被散射鏡14,所產生之不同束在此該處重合，並 且均勻照明一弓形形區域 •第一中繼鏡15，將散射鏡14,成像至投影系統之入口光 瞳之共粞平面2 3 •第二中繼鏡2 0，將光導向光柵1 7，並將散射鏡1 4，成像 至投影系統之入口光瞳。 集光鏡1 3 1為非球面（例如橢圓形），並且其必須予以最佳 化，以自源收集儘可能多之光。就具有一大廣度之光源而 言，此鏡需要為一近正常入射鏡。 散射鏡1 4 ’予以在掠射入射使用。其為一鏡之矩陣，各為 一非球面鏡（例如圓柱形或環形）之一維陣列。每一鏡反射— 彎曲束。使在矩陣之諸鏡傾斜及/或旋轉，以便其所反射之 束在一既定距離，在假想平面2 2重合，並在此平面均勾『 明一弓形形區域（環場）。弓形之形狀及尺寸依入射角度，— -16 - t紙張尺度中®國家標邮則)Α4α格(21°X 297公董〉 --------- 1243287 A7 ______B7 五、發明説明（14 ) 維陣列之圓柱形或環形組件之形狀及間距而定。 反射束會合處之假想平面2 2，為二中繼鏡之一或二（如在 圖8中）之光柵之共軛平面，其依循散射鏡1 4，。在圖8中， 平面22示為在第一中繼鏡前，但其也可為在後。可將任何 場光罩置於在或靠近此平面2 2。就具有小廣度之光源而言 ’可能需要一第二散射鏡’以控制光瞳填滿，該鏡應該予 以置於為靠近此表面。在此情形，第四實施例將會很相似 於第三實施例。 一中繼鏡1 5及2 0為在近法向入射之球面鏡使用。第一中 繼鏡在假想平面2 3產生散射鏡之影像’其為投影系統之入 口光瞳之共軛平面。所需要之任何光瞳光罩可置於在或靠 近此平面2 3。最後，第二中繼鏡產生此中間共軛平面2 3之 影像至投影系統之入口曈孔。同時，中繼鏡產生平面2 2之 良好影像至光柵，並保留所照明區域之彎曲形狀，因而光 栅之照明也具有環場之形狀。在此系統，中繼鏡之形狀予 以最佳化，以在散射鏡與投影系統之入口光瞳之間，以及 在光柵與其共軛平面（平面23)之間，提供良好之成像。例 如，其可為橢圓形鏡。 雖然以上吾人巳所說明本發明之特定實施例，但請予容知 ，本發明可以所說明者以外之其他方式予以實施。不 意為限制本發明。 元件符號簡要說明 1微影裝置 11電子束 10 波動器或擺動器 12 投影束 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公复) 1243287 A7 B7 五、發明説明（15 ) 12a 束腰 13 第一中繼鏡 13, 收集鏡 14 第一散射鏡 14a 凸面元件 14b 凸面元件 14c 交錯之凹面及凸面元件 14， 散射鏡 15 第二中繼鏡 16 第二散射鏡 17 光罩 18 投影系統之入口光瞳 19 第三鏡 20 第三中繼鏡 21源 22光柵之假想平面 23投影系統之入口光瞳之假想平面 C 靶區域 IF移位測量裝置 IL照明系統 LA源 MT第一物件台(光罩台） PB投影之束 PL投影系統(透鏡） PM定位裝置 W基片 WT第二物件台(基片台） -18- 太鉍战j?廢说田士偷關公掩谁/r^vrc!、λ /1相故f oin y y.v格、

Claims (1)

1. 43 月 6 年 8 8 8 8 A BCD 六、申請專利範圍 1 · 一種极影投影裝置（1 )，用於將一在光罩（1 7 )之光罩圖 案成像至一基片（W)，該裝置包含： 一照明系統（IL )，構造及設置供給一放射之投影束 (PB)； 一第一物件台（MT)，設有一光罩座，構造為固持一 光罩（17); 一第二物件台（WT)，設有一基片座，構造為固持一基片 (W);以及 、投W系統（P L ) ’構造及設置為將光罩之一輻照部 份成像至基片之一靶部份；其特徵為，該照明系統包含 散射裝置（1 4 )，構造及設置為控制該投影光束之輻 散，該散射裝置包含一維陣列之彎曲反射元件（14a)， 各與一諸如將會反射一窄及準直入射束至一彎曲扇之彎 曲表面一致。 2. 如申請專利範圍第1項之微影投影裝置，其中該彎曲表 面有一曲率在該陣列之方向實際大於在垂直方向。 3. 如申請$利範圍第丨或2項之裝置，其中該彎曲表面包 含一圓筒，環狀體，錐體或類似者之一部份。 4. 如申請專利範圍第丨或2項之裝置，其中該散射裝置包 έ 一、、隹陣列之反射咨，每一該反射器包含一維陣列之 彎曲反射元件。 5. 如申請專利範圍第丨或2项之裝置，其中該彎曲反射元 件之諸中央點均位於一平形或單調彎曲表面。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) I243287

   A8 B8 C8 D8 請專利範圍 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該照明系統另 包含散射裝置，構造及設置為控制投影光束填滿投影系 統之入口光瞳。 ’、 η 如申請專利範圍第6項之裝置，其中該散射裝置另包含 —二維陣列之非球面反射元件。 g 如申清專利範圍第7項之裝置，其中該二維陣列為六角 开^陣列或正方形陣列。 9 ’如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該照明系統另 包含中繼裝置，構造及設置為將自一放射源射出之放射 導至散射裝置，以形成投影光束。 •如申請專利範圍第9項之裝置，其中該中繼裝置另構造 及设置為在或靠近散射裝置產生放射源之影像。 1 1 .如申請專利範圍第9項之裝置，其中該中繼裝置包含一 環形掠射入射鏡。 1 2 ·如申請專利範圍第9項之裝置，其中該照明系統另包含 第二中繼裝置，構造及設置在散射裝置後，以將投影裝 置導至光罩。 1 3 .如申請專利範圍第丨2項之裝置，其中該第二中繼裝置 另構造及設置為在投影系統之入口光瞳產生散射裝置之 影像。 1 4 .如申請專利範圍第1 2項之裝置，依附於申請專利範圍 第7或8項時，其中該第二中繼裝置及該第二散射裝置 一起包含一二維陣列之非球面反射元件，配置在一彎曲 基片。 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 玎 1243287

   15· 16. 如申請專利範圍第12項之裝置，其中該第二中繼裝置 包含一橢圓形近正常入射鏡。 如申請專利範圍第…項之裝置，另包含一放射源， 其包含一繞一帶電粒子束或雷射電漿源之路徑所提供之 波動器或擺動器。 17. 如申請專利範圍第…項之裝置，其中該投影光束包 含全紫外線放射，例如有波長在8至2〇毫微米，特別是 9至1 6毫微米之範圍。 18. —種使用微影裝置之元件製造方（去，該方法包含下 驟： 棱供一基片，其至少部份被一層能敏材料所覆蓋； 提供一含有一圖案之光罩； 使用一放射之投影光束，以將光罩圖案之至少一部份 之#像投影至能敏材料層之一乾區域；其特徵為： 在微影裝置之照明系統，該投影光束之輻散使用散射 裝置予以控制，其包含一維陣列之彎曲反射元件，各與 一諸如將會反射一窄及準直入射束至彎曲扇之彎曲表面 —致0 . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) ~--------