TWI237862B - Shallow trench isolation void detecting method and structure for the same - Google Patents
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Description
故、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 . 本發明係有關於一種半導體製程，更明確而言，係有關於一 利於監測淺溝槽隔離區（STI)是否有空隙存在之方法。 、種 【先前技術】 在曰益緊密化的半導體裝置之製程中，用以形成各元件之主動 區10之間，係以淺溝槽隔離區（STI)加以分隔開來。主動區與 區10之間係形成淺溝槽，並填以介電質12。此介電層可為氧化 1 句動 例如可為氧化矽。然而，在填入該介電質12時，有時可能會形成 二隙13，如圖1所示。 在dram的製程中，也會發生此種情形，請參見圖2，此為 dram閘極區域結構俯視示意圖。如圖所示，2〇表示主動區 為閘極條，24表示深溝槽。如圖所示，主動區2G彼此相鄰二部= ，短。23表示主動區2〇與主動區2G之間的淺溝槽隔離區所填二 電質中形成的空隙。此種空隙的存在會影響半導體裝置的電性表 王2，，而，由於空隙通常非常小，在製程流程中難以發現，通常要
目到晶圓製造完成、_成晶纽封裝之後，在電性測試時才能發 現，因此造成製程上的浪費。 X 因此，需要一種能夠早期發現空隙存 不必要的浪費。本發明即滿;^此項需求。 U除製転上 【發明内容】 方法，驻i之目的為提供一種半導體晶圓之淺溝槽隔離區空隙檢測 本方法可早雜現淺溝槽區中是否有空·生，以提早發 不良。口，減少工時與成本之浪費。 檢測之測試Γ、種驗科體晶81之紐獅離區空隙 現令雀辦F = 藉由形成此測試區域並測試該測試區域可早期發 條甲是否有空隙產生。 5 J:\menu\pending-92\92322.doc 1237862 本么月之方面，一種半導體晶圓之淺溝槽隔離區空障檢測方 法包括步财於該晶圓之默區域巾紋__職輯；力與其他區域同 步之製程在朗試區域巾形成主龍以及與料主動㈣叉的閉極 條，該等主魅之間係填人介„，並且轉主祕彼此相鄰的部分至 少達-預定長度；以及測量鱗_條之電性值以判晴等主動區之間 所填入的介電質中是否有空隙產生。 _根據本發日狀又—Μ，—麵於半導體晶®之淺龍隔離區空 隙松測之測試區域結構係以與該晶他部分之結構同步的製程形成 於該晶=，刻試區域結構包括有複_主_，轉主動區之間 係填入介電質，並且該等絲區彼此轉的部分至少達-預定長度； 以及複數個_條，該等酿條雜鱗絲 又’ 【實施方式】 將多…、所附圖式詳細說明本發明之實施例。 翻之實關’係在晶圓上之縣處，較料預定為切 與其餘部分之形成同步的製程，另外製作包含主動 區以及閘極的測試區域。 二圖3因:示’該測試區域中的主動區30係形成為彼此平行的 =的、D主純3G整體彼此相鄰。主純3g與主動區3〇 mti，係、以與形成其他部分之結翻步的製程填入介電 層32如所不者，於本實施例中，主動區3 行的碰。由於_ 3G嶋_嫩長， ”山二二非測试區域的閘極條係以相同的間隔配置。如圖所 ^而二隙33為長形’因此至少會跨過兩條閑極條31，，因此， 舉例而r可由測試區域閘極條31，測量電位便可知道是否有空隙 的存在。 二、 J\menu\pending-92\92322.doc 6
Claims (1)
- ubmitted on March , \〇 種半導體晶圓之淺溝槽隔離區空隙檢測方法，包括步驟有·· 於該晶圓之預定區域中指定一測試區域； [pi職 i9# —3月 1一§ 日 請專利範圍 u專利申請案第92123507號 ^ Appln.No. 92123507 修正谗無劃声^申·請^利範圍中文本—附件(三） Amended Claims in Chinese - Encl.am 了％國.y4年3身w曰送i) (Submitted on March , \〇 , 2005) 以與其他區域同步之製程在酬試區域中形駐祕以及與該等 主動區交叉_極條，該等主動區之間係填人介電質，並且該等主動區 彼此並列的部分至少達一預定長度；以及測量該等’條之電性似觸鮮絲H職人的介電質 中是否有空隙產生。 2.如申請專利第1項所述之方法，其中該測試區域中的該等主動區係形成 為彼此平行的長條狀。 3·如申睛專利第1項所述之方法，其中該等閘極條係單數閘極條相連結， 而偶數閘極條相連結，構成雙梳狀結構。 4·如申w專利第3項所述之方法，其巾刺量步驟侧量單數閘極條之問 極梳狀結構與複數_條之_梳狀結構之電位。 5·如申睛專利第1項所述之方法，其中該測試區域係形成於該晶圓之預定籲 切割線上。 i 6. -種用於半導體晶圓之淺溝槽隔離區空隙檢測之測試區域結構，該測試 區域結構係以與形成該晶圓其他部分之結構同步的製程形成於該晶圓 上’該測試區域結構包括有： 複數個主動區’該等絲區之間佩人介電質，並·等主動區彼 此並列的部分至少達一預定長度；以及 複數個閉極條’ s彡等㈤極條係與該等主動區交叉。 L:\menu\pending-92\92322-接.doc -9-ο t 上 阻] Ί. 域中的該等主動區係形成' 為彼此平行的長條狀。 8.如申請專利第6項所述之結構，其中钤發 μ4閘極條係單數閘極條相連結， 而偶數閘極條相連結，構成雙梳狀結構。 9 •如申請專利第6項所述之結構，龙中姑、 該娜試區域結構係形成於該晶圓 之預定切割線上。L:\menu\pending-92\92322-接.doc -10.
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