TWI237834B

TWI237834B - A method for manufacturing a multi-layered ceramic electronic component

Info

Publication number: TWI237834B
Application number: TW093108897A
Authority: TW
Inventors: Masahiro Karatsu; Sigeki Sato; Masaaki Kanasugi
Original assignee: Tdk Corp
Priority date: 2003-03-31
Filing date: 2004-03-31
Publication date: 2005-08-11
Also published as: KR100755231B1; CN1781170A; JPWO2004088686A1; EP1612814A1; US20060180269A1; US7491282B2; WO2004088686A1; KR20050116841A; TW200509160A

Description

1237834 (1) 玖、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係有關層積陶瓷電子零件之製造方法，更詳言之，可卻實地防止含有陶瓷生胚薄片（green sheet)和電極層之層積體單元的損傷，且可高效率地將所望數量的層積體單元予以層積，來製造層積陶瓷電子零件的層積陶瓷電子零件之製造方法。【先前技術】近年來，隨著各種電子機器的小型化，安裝在電子機器內的電子零件也要求小型化及高性能化，而在層積陶瓷電容等之層積陶瓷電子零件上，也要求層積數的增加、層積單位的薄層化。以層積陶瓷電容爲代表的層積陶瓷電子零件的製造中，首先，將陶瓷粉末，和丙烯酸酯樹脂、丁醛樹脂等黏結劑；鄰苯二甲酸乙酯類、乙二醇類、已二酸、磷酸乙酯類等可塑劑；甲苯、甲基乙基酮、丙酮等有機溶媒，予以混合分散，調製介電體糊。接著，將介電體糊，以射出成形塗佈機或凹板塗佈機，塗佈在由聚乙烯板（PET )或聚丙烯（PP )等所形成的支持片上，經過加熱使塗膜乾燥，製作陶瓷生胚薄片。然後，在陶瓷生胚薄片上，以網版印刷機等，將鎳等電極糊，以所定圖案印刷，令其乾燥，形成電極層。電極層形成後，將形成有電極層的陶瓷生胚薄片從支 -5- 1237834 (2) 持片剝離下來，形成含有陶瓷生胚薄片和電極層的層積體單元，將所望數量的層積體單元層積、加壓所獲得的層積體，切斷成小片（chip )狀，製作成生胚小片（green chip ) ° 最後，將黏結劑從生胚小片去除，將生胚小片燒成，形成外部電極，藉此以製造層積陶瓷電容等之層積陶瓷電子零件。隨著電子零件要求小型化及高性能化，現在，決定層積陶瓷電容之層間厚度的陶瓷生胚片的厚度已經要求在3 //m或2//m以下，且要求層積300層以上的含有陶瓷生胚片和電極層的層積體單元。其結果爲，如先前一般，當在層積陶瓷電容的外層上，層積必要數量的含有陶瓷生胚片和電極層的層積體單元時，在外層上，最先層積的層積體單元，會被加壓達 300次以上，容易受損，因此，是需要先將層積體單元，例如，每次5 0層而層積，形成複數之層積體塊，再將複數之層積體塊，層積在層積陶瓷電容的外層上。可是在此同時’當在層積陶瓷電容的外層上，層積必要數量的含有陶瓷生胚片和電極層的層積體單元時，雖然可將外層固定在模具上而層積層積體單元，但當層積體單元彼此層積時，若將含有陶瓷生胚片和電極層的層積體單元固定在模具上而層積層積體單元，則有很高的機率會損傷層積體單元，是爲問題。 -6- (3) 1237834 【發明內容】因此，本發明的目的，係提供層積陶瓷電子零件之製造方法，一方面可確實地防止含有陶瓷生胚片和電極層的層積體單元之損傷，同時可高效率地層積所望數量的層積體單元，來製造層積陶瓷電子零件。本發明所論之目的，係藉由一種層積陶瓷電子零件之製造方法，係屬於在支持片上，將依序層積了剝離層、電極層及陶瓷生胚片之複數層積體單元予以層積，以製造層積陶瓷電子零件之方法，其特徵爲，形成黏著層於前記支持體表面’使得其和支持體之間的接著強度爲，強於前記支持片和前記剝離層之間的接著強度，且弱於其和前記陶瓷生胚片之間的接著強度；使得前記層積體單元之前記陶瓷生胚片表面，接觸至形成在前記支持體表面之黏著層表面’而決定前記層積體單兀的位置，加壓之，並將前記層積體單元層積在前記支持體上來達成。右根據本發明’則由於在支持片上，依序層積有剝離層、電極層及陶瓷生胚片之層積體單元爲，黏著層是被形成於支持體表面，使得其和支持體之間的接著強度爲，強於支持片和陶瓷生胚片之間的接著強度，且弱於其和剝離層之間的接著強度；使得令層積體單元之剝離層表面，接觸至形成在支持體表面之黏著層表面，而決定層積體單元的位置，加壓之，而被層積在支持體上，因此在將所望數量的層積體單元予以層積，來製造層積陶瓷電子零件之際，可有效地防止層積體單元的損傷。 (4) 1237834 又’若根據本發明，則由於黏著層係形成在支持體表面上使得其和支持體之間的接著強度，是強於之支持片和剝離層之間的接著強度，因此可輕易地將支持體，從已被層積在支持體上之層積體單元的剝離層上剝離下來，且可在已被層積於支持體上之層積體單元的陶瓷生胚片上，有效率地層積新的層積體單元。再者’若根據本發明，則由於黏著層係形成在支持體表面上使得其和支持體之間的接著強度，是弱於黏著層和陶瓷生胚片之間的接著強度，因此在將支持片，從已被層積至支持體上之層積體單元的陶瓷生胚片上剝離下來後，將在陶瓷生胚片的表面上已形成有接著層的層積體單元，隔著接著層’而層積在已被層積於支持體上之層積體單元的剝離層上’重複以上步驟，則形成了有所定數量的層積體單元被層積於支持體上之層積體塊，並且將層積體塊，層積在層積陶瓷電容的外層等之上後，可保持黏著層接著至陶瓷生胚片的樣態，而直接只將支持體從黏著層剝離、取下’因此’被層積在外層等之上的層積體塊，在再次層積新的層積體塊時，不須在新的層積體塊上形成接著層，因此可有效率地製造層積陶瓷電子零件。本發明中，爲了形成陶瓷生胚片所使用的介電體糊，通常是將介電體原料，和令黏結劑溶解於有機溶劑中而成之有機賦形劑，進行混揉、調製而成。介電體原料有，形成複合氧化物或氧化物的各種化合物，例如：可從碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機金屬化 (5) 1237834 合物等中適宜選擇之，將其混合而使用。介電體原料，一般是以平均粒子直徑約0 · 1 a m〜3 · 〇 # m程度的粉末形式來使用。介電體原料的粒徑，一般是以小於陶瓷生胚片之厚度爲理想。有機賦形劑中所用的黏結劑，雖然並非特別限定，而可使用例如乙基纖維素、聚乙稀丁酵（P〇lyVinyl butyral )、丙烯酸酯樹脂等一般的黏結劑，但爲了使陶瓷生胚片薄層化，理想爲使用聚乙烯丁醛等丁醛系樹脂。有機賦形劑所用的有機溶劑，雖然亦無特別限定，而可使用例如品醇（terpineol) 、丁基卡必醇（butyl carbitol)、丙酮、甲苯等有機溶劑。本發明中，介電體糊，係將介電體原料，和溶解於水中的水溶性黏結劑而成的賦形劑進行混揉即可生成。水溶性黏結劑，並非特別限定，可使用的有聚乙烯酉孚、甲基纖維素、經基乙基纖維素（Hydroxyethyl Cellulose )、水溶性丙烯酸酯樹脂、乳膠（e m u 1 s i ο η ) 等。介電體糊的各成份的含有量，雖然沒有特別限定，但例如可爲含有約1重量％〜5重量％的黏結劑、約1 0重量 %〜50重量％的溶劑，來調製介電體糊。介電體糊中，因應需要，亦可含有從各種分散劑、可塑劑、介電體、副成份化合物、玻璃料、絕緣體等之中選擇出來的添加物。在介電體糊中添加這些添加物時，理想添加量爲1 0重量％以下。黏結劑樹脂’在使用丁醛系樹 -9- (6) 1237834 脂時，可塑劑的含有量，理想爲相對於1 Ο 0重量部的結合樹脂，約爲25重量部至1 00重量部爲理想。可塑料太少，則生成的陶瓷生胚片會有過脆的傾向；若過多’則可塑料會滲出，取用困難，都非理想。本發明中，陶瓷生胚片是將介電體糊塗佈在第一支持片上、乾燥之，製作而成。介電體糊，係使用射出成形塗佈機或凹板塗佈機，塗佈在由第一支持片上，形成塗膜。第一支持片，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等，且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹脂等。第一支持片的厚度，雖無特別限定，但理想約爲5 //m 乃至 100//m。如此形成的塗膜，例如，以約5 0 °C至1 0 0 °C的溫度，乾燥約1分至2 0分，在支持基板上就形成了陶瓷生胚片。本發明中，乾燥後陶瓷生胚片的厚度，理想爲3 // m 以下，更理想爲1 . 5 // m以下。本發明中，在形成層積體之電極層時，有別於第一支持片而另外準備了第二支持片，第二支持片上，使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷機，印刷電極糊，形成電極層。第二支持片’例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等，且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹脂等。弟一支ίττ片的厚度’雖無特別限定，但無論是相同 -10- (7) 1237834 於第一支持片或不同於第一支持片，理想約爲5 // m乃至 1 0 0 " m 〇本發明中，第二支持片上，在電極層形成之前，首先，調製介電體糊，塗佈在第二支持片上，在第二支持片上形成剝離層。用來形成剝離層之介電體糊，理想爲，含有和陶瓷生胚片所含之介電體相同成份的介電體粒子。用來形成剝離層的介電體糊，除了介電體粒子以外，可含有黏結劑，和做爲任意成份的可塑劑及剝離劑。介電體粒子的粒徑，雖然和陶瓷生胚片所含之介電體粒子的粒徑相同亦可，但理想爲更小。黏結劑，例如可使用的有：丙烯酸樹脂、聚乙烯丁醛、聚乙烯縮醛（polyvinyl acetal)、聚乙烯醇、聚烯烴 (polyolefin)、聚胺甲酸酯（polyurethane)、聚苯乙烯 (polystyrene )，或是它們的共聚物，或是它們的乳膠。用來形成剝離層的介電體糊所含的黏結劑，雖然和陶瓷生胚片所含的黏結劑爲同系或不同系皆可，但以同系者爲理想。用來形成剝離層的介電體糊，理想爲相對於介電體粒子100重量部，含有約2.5重量部〜約200重量部的黏結劑，更理想爲約5重量部〜約3 0重量部，尤其理想爲約 8重量部〜約3 0重量部。可塑劑無特別限定，例如可列舉有鄰苯二甲酸酯 (phthalate ester)、已二酸（adipic acid)、碟酸醋、乙 (8) 1237834 二醇（g 1 y c ο 1 )類等。用來形成剝離層的介電體糊所含的可塑劑，雖然和陶瓷生胚片所含的可塑劑爲同系，但亦可爲不同系。用來形成剝離層的介電體糊，理想爲相對於黏結劑 1 〇〇重量部，含有約0重量部〜約2 0 0重量部的可塑劑，理想爲約20重量部〜約200重量部，更理想爲約50重量部〜約1 0 0重量部。用來形成剝離層的介電體糊所含的剝離劑，並無特別限定，可舉例有例如石繼（paraffin)、纖（wax)、砂油等。用來形成剝離層的介電體糊，理想爲相對於黏結劑 1 〇〇重量部，含有約〇重量部〜約1 00重量部的剝離劑，更理想爲約5重量部〜約2 0重量部。本發明中，剝離層中所含之相對於介電體之黏結劑的含有比率，理想爲相等或更低於陶瓷生胚片中所含之相對於介電體之黏結劑的含有比率。又，剝離層中所含之相對於介電體之可塑劑的含有比率，理想爲相等或更高於陶瓷生胚片中所含之相對於介電體之可塑劑的含有比率。再者，剝離層中所含之相對於介電體之離型劑的含有比率，理想爲高於陶瓷生胚片中所含之相對於介電體之離型劑的含有比率。藉由形成具有此種組成之剝離層，使得即使陶瓷生胚片極度薄層化，也能使剝離層的強度，低於陶瓷生胚片的破壞強度，且在第二支持片剝離之際，可確實地防止陶瓷 (9) 1237834 生胚片遭到破壞。剝離層，係藉由使用製線條料塗佈機（wire bar c〇 at er )，在第二支持片上塗佈介電體糊而形成。剝離層的厚度，以其上所形成之電極層的厚度以下者爲理想，理想爲電極層厚度之約6 0 %以下，更理想爲電極層厚度之約3 0 %以下。剝離層形成後，剝離層係例如以約50°C〜100t、乾燥約1分鐘〜1 〇分鐘。剝離層乾燥後，在剝離層的表面上，於燒成後，以所定圖案，形成構成內部電極層的電極層。本發明中，用來形成電極層的電極糊，是將各種導電性金屬或合金所成的導電體材料燒成後，將各種導電性金屬或合金所成的導電體材料、有機金屬化合物或樹脂酸鹽等，和溶解在有機溶劑中的黏結劑所成之有機賦形劑，進行混揉、調製而成。製造電極糊之際所使用的導電體材料，理想可使用的有N i、N i合金或它們的混合物。導電體材料的形狀，並無b別限疋’可爲球狀、鱗片狀，或是這些形狀的混合。又，導電體材料的平均粒子徑，雖無特別限定，但通常使用約0 · 1 // m〜約2 // m，理想爲約0 · 2 // m〜約1 β m的導電性材料。有機賦形劑所用的黏結劑，雖無特別限定，而可使用例如乙基纖維素、丙烯酸酯樹脂、聚乙烯丁醛（polyvinyl butyral)、聚乙烯縮醛（p〇lyvinyl acetal)、聚乙烯醇、 •13- 1237834 (10) 聚烯烴（polyolefin)、聚胺甲酸酯（p〇iyurethane)、聚苯乙烯（polystyrene)，或是它們的共聚物，但尤其以使用聚乙烯丁醛等丁醛系黏結劑爲理想。電極糊，理想爲相對於導電材料1 00重量部，含有約 2.5重量部〜約2 0重量部的黏結劑。溶劑例如可使用品醇（terpineol ) 、丁基卡必醇

(butyl carbitol )、煤油（k e r o s i n e )等公知溶齊丨j。溶劑的含有量，相對於電極糊全體，理想爲約2 0重量％〜5 5 重量％。爲了改善接著性，電極糊以含有可塑劑者爲理想。

電極糊所含的可塑劑，並無特別限定，例如可列舉有鄰苯二甲酸节丁醋（benzyl butyl phthalate，BBP )、鄰苯二甲酸酯（phthalate ester)、已二酸（adipic acid)、磷酸酯、乙二醇（g 1 y c ο 1 )類等。電極糊，理想爲相對於黏結劑1 〇〇重量部，含有約1 0重量部〜約3 00重量部，更理想爲約1 〇重量部〜約2 0 0重量部的可塑劑。可塑劑的添加量若過多，則電極層的強度會有顯著下降，並非理想。電極層是藉由使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷機，將電極糊印刷在形成於第二支持片上之剝離層表面上而形成。電極層的厚度，約0.1 // m〜5 // m的厚度爲理想，更理想則爲〇. 1 // m〜1 .5 " m。本發明中，理想爲，在形成於第二支持片上之剝離層 -14- 1237834 (11) 表面之未形成有電極層的部份中，再度使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷機，以互補於電極層的圖案，印刷介電體糊，形成間隔層（spacer)。亦可早於電極層形成之前，就在形成於第二支持片上之剝離層的表面上，以互補於電極層的圖案，形成間隔層 (spacer ) 。本發明中，用來形成間隔層（spacer )的介電體糊，是被調製成相同於用來形成陶瓷生胚片之介電體糊。用來形成間隔層的介電體糊，理想爲，含有相同於陶瓷生胚片所含之介電體之組成的介電體粒子。用來形成間隔層的介電體糊，除了介電體粒子以外，可含有黏結劑，和做爲任意成份的可塑劑及剝離劑。介電體粒子的粒徑，雖然和陶瓷生胚片所含之介電體粒子的粒徑相同亦可，但理想爲更小。黏結劑，例如可使用的有：丙烯酸樹脂、聚乙烯丁醒、聚乙綠縮酸（polyvinyl acetal)、聚乙燒醇、聚嫌烴 (polyolefin)、聚胺甲酸酯（p〇iyUrethane)、聚苯乙烯 (polystyrene )，或是它們的共聚物，或是它們的乳膠。用來形成間隔層的介電體糊所含的黏結劑，可和陶瓷生胚片所含之黏結劑爲同系或非同系，但理想爲同系。用來形成間隔層的介電體糊，理想爲相對於介電體粒子1 〇〇重量部，含有約2.5重量部〜約200重量部的黏結劑’更理想爲約4重量部〜約1 5重量部，尤其理想爲約 6重量部〜約1 〇重量部。 -15- (12) 1237834 用來形成間隔層的介電體糊所含之可塑劑，並無限定，例如可列舉有鄰苯二甲酸酯（phthalate ester 已二酸（adipic acid)、磷酸醋、乙二醇（glycol 等。用來形成間隔層的介電體糊所含之可塑劑，可和生胚片所含之可塑劑，爲同系或非同系。用來形成間隔層的介電體糊，理想爲相對於黏 1〇〇重量部，含有約20重量部〜約200重量部的劑，更理想爲約5 0重量部〜約1 〇〇重量部。用來形成間隔層的介電體糊所含的剝離劑，並無限定，可舉例有例如石蠟（paraffin)、鱲（wax)、等。用來形成間隔層的介電體糊，理想爲相對於黏 1 〇〇重量部，含有約0重量部〜約1 00重量部的剝離更理想爲約5重量部〜約2 0重量部。本發明中，電極層及間隔層，理想爲滿足0.7 ^ S 1 .3 ( ts係間隔層的厚度，te係電極層的厚度）而者，較理想爲滿足0.8 S ts/t eg 1.2，更理想爲0.9 ^ $ 1 .2而形成者。電極層及間隔層，係例如，以約7 0 °C〜1 2 0 °C 度，乾燥5〜1 5分鐘。電極層及間隔層的乾燥條件，特別限定。陶瓷生胚片，和電極層及間隔層，係隔著接著層著，爲了形成接著層，而準備了第三支持片。第三支持片，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜特別 )' )類陶瓷結劑可塑特別砂油結劑劑， t s/te 形成 ts/t e 的溫並無而接等， -16- (13) 1237834 且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹脂等。第三支持片的厚度，雖無特別限定，但理想約爲5 乃至 100/im。接著層，係在第三支持片上，塗佈接著劑溶液而形成。本發明中，接著劑溶液，係含有黏結劑，和做爲任意成份的可塑劑、剝離劑及帶電防止劑。接著劑溶液，亦可含有相同於陶瓷生胚片所含之介電體粒子之組成的介電體粒子。接著劑溶液含有介電體粒子的情形中，黏結劑相對於介電體粒子的比例，理想爲小於陶瓷生胚片所含之介電體粒子的相對於黏結劑之比例者爲理想。接著劑所含的黏結劑，雖然理想爲和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的黏結劑爲同系，但亦可和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的黏結劑爲非同系。接著劑溶液所含的可塑劑，雖然理想爲和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲同系，但亦可和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲非同系。可塑劑的含有量，理想爲相對於黏結劑1 00重量部，含有約0重量部〜約200重量部的可塑劑，理想爲約20 重量部〜約200重量部，更理想爲約50重量部〜約100 重量部。本發明中，理想爲，接著劑溶液含有黏結劑之0.0 1 重量％〜15重量％的帶電防止劑，更理想爲含有黏結劑之 1237834 (14) Ο . Ο 1重量％〜1 0重量％的帶電防止劑。本發明中，接著劑所含的帶電防止劑，只要是具有吸溼性的有機溶劑即可，例如可使用乙二醇（ethylene

glycol)、聚乙二醇（poly ethylene glycol) 、2,3 -丁二醇 (2,3 -butanedi 〇1 )、甘油（glycerine)、咪坐啉 (imidazoline ) 系界面活性劑、聚烴基乙二醇 (ρ ο 1 y a 1 k y 1 e n e g 1 y c ο 1 )衍生物系界面活性劑、碳酸脒鹽 (a m i d i n e c a r b ο n a t e )系界面活性劑等之兩性界面活性劑等，做爲接著劑溶液所含之帶電防止劑來使用。

在這些帶電防止劑之中，除了少量且可防止靜電外，由於剝離力小且可從接著層將第三支持片剝離，因此理想爲咪Π坐啉（imidazoline )系界面活性劑、聚烴基乙二醇 (ρ ο 1 y a 1 k y 1 e n e g 1 y c ο 1 )衍生物系界面活性劑、碳酸脒鹽 (amidine carbonate )系界面活性劑，其中又以咪唑啉 (i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑，剝離力特小、可從接著層將第三支持片剝離，而尤其理想。接著劑溶液，係例如藉由膠條塗佈機（bar coater)、射出成形塗佈機（extrusion coater)、逆轉塗佈機（reverse coater)、浸沾式塗佈機（dip coater)、吻合式塗佈機（kiss coater)等，塗佈在第三支持片上，形成厚度理想爲約0.02 // m〜約〇.3 μ m，較理想爲約0.02 //m〜約的接著層。若接著層的厚度未滿約0.02 μ m，則接著力降低；反之，若接著層厚度超過約0.3 // m，.則會導致缺陷（間隙）產生，並非理想。 -18- 1237834 (15) 接著層，係例如，以室溫（2 5 °C )至約 8 0 CC的溫度，乾燥約1分至5分。接著層的乾燥條件，並無特別限定。被形成在第三支持片上的接著層，會被轉印到被形成在第二支持片上之電極層及間隔層的表面。接著層轉印之際，接著層是以接觸至形成於第二支持片上之電極層及間隔層之表面的狀態，在約40 °C〜約1〇〇 t的溫度下，將接著層和電極層及間隔層，以約0.2MPa 〜約 15MPa的壓力，理想爲，約0.2MPa〜約6MPa的壓力，加壓之，接著層便接著在電極層及間隔層的表面上，之後，便將第三支持片從接著層剝離下來。將接著層轉印至電極層及間隔層表面之際，將形成有電極層及間隔層的第二支持片，和形成有接著層的第三支持片加壓，雖然可使用加壓機或使用一對加壓滾輪來加壓，但理想爲藉由一對之加壓滾輪，將第二支持片和第三支持片加壓。接著，將陶瓷生胚片、電極層及間隔層，隔著接著層，而接著之。陶瓷生胚片、電極層及間隔層，是隔著接著層，在約 40°C〜l〇〇°C的溫度下，以約〇.2MPa〜約15MPa的壓力，理想爲，約〇.2MPa〜約6MPa的壓力，加壓之，令陶瓷生胚片、電極層及間隔層，隔著接著層而接著。理想爲，使用一對加壓滾輪，將陶瓷生胚片、接著層、電極層及間隔層加壓，使陶瓷生胚片、電極層及間隔 -19- (16) 1237834 層，隔著接著層而接著。一旦陶瓷生胚片、電極層及間隔層，隔著接著層而接著’便將第二支持片從剝離層剝離下來。如此所得之層積體，被裁斷成所定尺寸，製作成在第一支持片上’層積有陶瓷生胚片、接著層、電極層、間隔層及剝離層的層積體單元。如上所製作成的多數之層積體單元，令其隔著接著層層積，製作成層積體塊。在層積多數之層積體單元之際，首先，在形成有複數孔之基板上，設置形成有黏著層的支持體。本發明中’支持體的材料，並無特別限定，但是以聚乙條、聚丙嫌、聚碳酸醋、聚苯酸（polyphenylene ether )、聚對苯二甲酸乙烯酯（p ο 1 y e t h y 1 e n e terephthalate)等塑膠材料形成者爲理想。支持體的厚度，只要是能夠支持層積體單元的厚度即可，並無特別限定。支持體係藉由透過形成在基板的複數孔，以空氣吸引而固定在基板上的所定位置。黏著層，係在支持體上塗佈黏著劑溶液而形成。本發明中，黏著劑溶液係含有黏結劑，及做爲任意成份的可塑劑、剝離劑及帶電防止劑。黏著劑溶液，亦可含有相同於陶瓷生胚片所含之介電體粒子之組成的介電體粒子。黏著劑溶液含有介電體粒子時，介電體粒子的相對於黏結劑重量的比例，理想爲小於 20- 1237834 (17) 陶瓷生胚片中所含介電體粒子之相對於黏結劑重量的比例。黏著劑溶液所含之黏結劑，雖然以和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含之黏結劑爲同系之黏結劑爲理想，但亦可爲和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含之黏結劑爲 .非同系之黏結劑。黏著劑溶液所含之可塑劑，雖然以和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含之可塑劑爲同系之可塑劑爲理想，但亦可爲和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含之可塑劑爲非同系之可塑劑。可塑劑的含有量，理想爲相對於黏結劑1 00重量部，含有約〇重量部〜約2 0 0重量部的可塑劑，理想爲約2 0 重量部〜約200重量部，更理想爲約50重量部〜約100 重量部。本發明中，理想爲，黏著劑含有黏結劑之0.0 1重量％〜1 5重量％的帶電防止劑，更理想爲含有黏結劑之〇 . 〇 1 重量％〜1 0重量％的帶電防止劑。本發明中，接著劑所含的帶電防止劑，只要是具有吸溼性的有機溶劑即可，例如可使用乙二醇（ethylene glycol)、聚乙二醇（poly ethylene glycol) 、2,3-丁二醇 (2,3-butanediol )、甘油（g 1 y c e r i n e )、咪唑啉 (imidazoline ) 系界面活性劑、聚烴基乙二醇 (poly alky lene glycol )衍生物系界面活性劑、碳酸脒鹽 (amidine carbonate)系界面活性劑等之兩性界面活性劑 -21 - (18) 1237834 等，做爲接著劑溶液所含之帶電防止劑來使用。在這些帶電防止劑之中，除了少量且可防止靜電外，由於剝離力小且可從接著層將第三支持片剝離，因此理想爲咪唑啉（imidazoline )系界面活性劑、聚烴基乙二醇 (polyalkylene glycol)衍生物系界面活性劑、碳酸脒鹽 (amidine carbonate)系界面活性劑，其中又以咪_啉 (imidazoline )系界面活性劑，剝離力特小、可從接著層將第三支持片剝離，而尤其理想。本發明中，黏著層，係被形成在支持體上，使得黏著層和支持體之間的接著強度，強於層積體單元之第二支持片和剝離層之間的接著強度，且弱於黏著層和層積體單元之陶瓷生胚片之間的接著強度。本發明中，理想爲，在第二支持片表面，形成剝離層，使得：層積體單元之第二支持片和剝離層之間的接著強度爲5〜20mN/cm ;並在支持體的表面上形成黏著層，使得：黏著層和支持體之間的接著強度爲 20〜 3 5 0mN/cm，且黏著層和層積體單元之陶瓷生胚片之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以上。本發明中，理想爲，黏著層，具有0.01# m至0.3 //m的厚度，而形成在支持體上。若黏著層的厚度未滿 0.01 // m，則支持體和層積體單元之陶瓷生胚片之間的接著強度太小，要將層積體單元層積會有困難。另一方面，若黏著層的厚度超過〇.3//m，則將層積體單元層積、生成陶瓷生胚小片，並燒成陶瓷生胚小片時’黏著層部份會 -22- 1237834 (19) 產生間隙，導致層積陶瓷電子零件的靜電容量下降，並非理想。黏著層，係例如，以室溫（2 5 °C )至約8 0 °C的溫度’乾燥約1分至5分。黏著層的乾燥條件，並無特別限定。在層積體單元層積之際，令層積體單元的陶瓷生胚片表面接觸至形成在支持體表面的黏著層表面，加壓之，使層積體單元接著至形成在支持體表面的黏著層。 φ 一旦層積體單元，被接著、層積至形成在支持體表面的黏著層上，則將第二支持片從層積體單元的剝離層上剝離下來。此處，由於黏著層，係被形成在支持體上，使得黏著層和支持體之間的接著強度，強於層積體單元之第二支持片和剝離層之間的接著強度，且弱於黏著層和層積體單元之陶瓷生胚片之間的接著強度，因此只有第二支持片可輕易剝離。 · 一旦將第二支持片從層積在支持體表面的層積體單元上剝離下來，則在層積於支持體之黏著層上的層積體單元上，再度層積新的層積體單元。在層積於支持體之黏著層上的層積體單元上，再度層積新的層積體單元時，是和將形成在第三支持片上之接著 . 層轉印至電極層表面時相同，首先，在第三支持片上，形成接著層，並將接著層轉印至欲層積的層積體單元之陶瓷 ’ 生胚片表面。 -23- (20) 1237834 接著，使得轉印至陶瓷生胚片表面的接著層之表面，接觸至層積在支持體之黏著層上的層積體單元的剝離層表面，而決定新的欲層積之層積體單元的位置，加壓之，而將新的層積體單元，層積在已層積於支持體之黏著層的層積體單元上。接著，將新層積之層積體單元的第二支持片從陶瓷生胚片上剝離下來。同樣地，將所定數之層積體單元，層積在支持體之黏著層上，製作成層積體塊。一旦製作達到層積陶瓷電子零件所應含之所定數量的層積體塊，則將層積體塊層積於層積陶瓷電容之外層等之基板上。首先，使得層積體塊中最後層積之層積體單元的剝離層表面，接觸至形成於層積陶瓷電容等之外層上的接著層表面，而決定已層積在支持體上之層積體塊的位置，加壓之，將層積體塊層積在層積陶瓷電容等之外層等之基板上。一旦在層積陶瓷電容等之外層等之基板上，層積了層積體塊，則將支持體從層積體塊剝離。此處，由於黏著層，係被形成在支持體上，使得黏著層和支持體之間的接著強度，強於層積體單元之第二支持片和剝離層之間的接著強度，且弱於黏著層和層積體單元之陶瓷生胚片之間的接著強度，因此只有支持體可輕易地從層積體塊剝離。 -24 - 1237834 (21) 一旦將支持體從層積陶瓷電容等之外層等之基板上戶斤層積之層積體塊上剝離，則於層積陶瓷電容等之外層等$ 基板上所層積之層積體塊上，再度地，層積一已層積於支持體上的新層積體塊。此處，由於將支持體從層積體塊剝離之際，僅有支持體被剝離，而黏著層仍殘留在層積體塊側，因此在將已層積在支持體上的層積體塊，層積至已層積在層積陶瓷電容等之外層等之基板上的層積體塊上時，不須形成接著層，因此，可有效率地層積層積體塊。在層積新的層積體塊時，使得層積體塊中最後層積之層積體單元之剝離層表面，接觸至已層積在層積陶瓷電容等之外層等之基板上的層積體塊之黏著層表面，而決定已層積在支持體上之新層積體塊的位置，加壓之，將新層積體塊，層積在已層積於層積陶瓷電容等之外層等之基板上的層積體塊上。同樣地，將層積體塊層積，層積陶瓷電子零件所應含之所定數的層積體單元便被層積。本發明之上記及其他目的或特徵，可由以下記述及對應圖面而明瞭。【實施方式】以下將根據添附圖面，詳述說明本發明之理想實施形態的層積陶瓷電容之製造方法。製造層積陶瓷電容之際，首先，爲了製造陶瓷生胚 -25· (22) 1237834 片，調製介電體糊。介電體糊，通常，是將介電體原料，和令黏結劑溶解在有機溶劑中所成之有機賦形劑，進行混揉、調製而成。調製成的介電體糊，係例如，使用射出成形塗佈機或凹板塗佈機，塗佈在由第一支持片上，形成塗膜。第一支持片，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等，且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹脂等。第一支持片的厚度，雖無特別限定，但理想約爲5 //m 乃至 100//m。接著，塗膜，例如，以約5(TC至100°C的溫度，乾燥約1分至20分，在第一支持片上就形成了陶瓷生胚片。乾燥後陶瓷生胚片的厚度，理想爲3 " m以下，更理想爲1 · 5 // m以下。第1圖係第一支持片表面上，形成有陶瓷生胚片之狀態的槪略部份剖面圖。實際上，第一支持片1係形成爲長尺狀，陶瓷生胚片 2，係在長尺狀的第一支持片1表面上被連續地形成。另一方面，獨立於陶瓷生胚片2，另外準備第二支持片，在第二支持片上，形成剝離層及電極層。第2圖係該表面上，形成有剝離層5及電極層6之第二支持片4的槪略部份剖面圖。實際上，第二支持片4係形成爲長尺狀，剝離層5，係在長尺狀的第二支持片4表面上被連續地形成，且剝離層5的表面上’電極層6是以所定圖案而被形成。 -26- (23) 1237834 在第二支持片4表面’形成剝離層5時，首先，和形成陶瓷生胚片2時同樣地’調製用來形成剝離層5的介電體糊。用來形成剝離層5的介電體糊，理想爲，含有相同於陶瓷生胚片2所含之同一成份介電體的介電體粒子。用來形成剝離層5之介電體糊所含之黏結劑，雖然和陶瓷生胚片2所含的黏結劑可爲同系或不同系，但以同系者爲理想。如此，一旦介電體糊被調製，則例如使用製線條料塗佈機（wire bar coater ;未圖示），將介電體糊塗佈在第二支持片4上，形成剝離層5。剝離層5的厚度’電極層6的厚度以下者爲理想，理想爲電極層6厚度之約6 0 %以下，更理想爲電極層6厚度之約30%以下。第二支持片4 ’例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等’且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹脂等。第二支持片4的厚度，雖無特別限定，但無論是相同於第一支持片1或不同於第一支持片1，理想約爲 5//m 乃至 100//m。剝離層5形成後’剝離層5係例如以約5 〇艺〜1 〇〇 °C、乾燥約〗分鐘〜1 〇分鐘。本實施形態中’在第二支持片4表面形成剝離層5 ’ 使得：第二支持片4和剝離層5之間的接著強度爲，5〜 20mN/cm ° 1237834 (24) 剝離層5乾燥後，於燒成後，在剝離層5的表面上，以所定之圖案，形成構成內部電極的電極層6。電極層6的厚度，約o.i^m〜5/im的厚度爲理想，更理想則爲0 . 1 V m〜1 . 5 # m。將電極層6形成在剝離層5上之際，首先，將各種導電性金屬或合金所成的導電體材料燒成後，將各種導電性金屬或合金所成的導電體材料、有機金屬化合物或樹脂酸鹽等’和溶解在有機溶劑中的黏結劑所成之有機賦形劑，進fr混揉’調製成電極糊。製造電極糊之際所使用的導電體材料，理想可使用的有N i、N i合金或它們的混合物。導電體材料的平均粒子徑，雖無特別限定，但通常使用約Ο · 1 // m〜約2 // m，理想爲約0 · 2 // m〜約1 // m的導電性材料。電極層6是藉由使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷機，將電極糊印刷在剝離層5上而形成。藉由網版印刷法或凹版印刷法，將具有所定圖案的電極層6，形成在剝離層5的表面上後，未形成電極層6的表面，以互補於電極層 6 的圖案，形成間隔層 (spacer ) ° 第3圖係剝離層5表面上，形成有電極層6及間隔層 7之狀態的槪略部份剖面圖。間隔層7，亦可早於電極層形成之前，就以互補於電極層6的圖案而形成在剝離層5的表面上。 -28- (25) 1237834 間隔層7形成時’是調製相同於用來形成陶瓷生胚片 2之介電體糊成份之介電體糊’並藉由網版印刷法或凹版印刷法，將介電體糊，以互補於電極層6的圖案，印刷在未形成電極層6之剝離層5的表面。本實施形態中’間隔層7是被形成在剝離層5上，滿足ts/te=l .1。此處，ts係間隔層7的厚度，te係電極層6 的厚度。本實施形態中’是構成爲陶瓷生胚片2和電極層6及間隔層7，係隔著接著層而接著，有別於形成有陶瓷生胚片2的第一支持片1以及形成有電極層6和間隔層7的第二支持片4，更另外準備了第三支持片，並在第三支持片上，形成接著層’製作接著層片。第4圖係第三支持片9表面上，形成有接著層1〇之接著層片1 1的槪略部份剖面圖。實際上，第三支持片9係形成爲長尺狀，接著層 10，係在長尺狀的第三支持片9表面上被連續地形成。第三支持片9，例如’使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等，且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹脂等。第三支持片9的厚度，雖無特別限定，但理想約爲5//m乃至100//m。接著層1 〇形成時，首先，調製接著劑溶液。本實施形態中，接著劑溶液，係含有黏結劑、可塑劑及帶電防止劑，和做爲任意成份的剝離劑。接著劑溶液’亦可含有相同於陶瓷生胚片所含之介電 -29- (26) 1237834 體粒子之組成的介電體粒子。接著劑溶液含有介電體粒子的情形中，黏結劑相對於介電體粒子的比例，理想爲小於陶瓷生胚片所含之介電體粒子的相對於黏結劑之比例者爲理想。接著劑所含的黏結劑，雖然理想爲和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的黏結劑爲同系，但亦可和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的黏結劑爲非同系。接著劑溶液所含的可塑劑，雖然理想爲和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲同系，但亦可和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲非同系。可塑劑的含有量，理想爲相對於黏結劑1 00重量部，含有約0重量部〜約200重量部的可塑劑，理想爲約20 重量部〜約2 0 0重量部，更理想爲約5 0重量部〜約1 〇〇重量部。本實施形態中，接著劑溶液含有黏結劑之〇. 〇 1重量％〜1 5重量％的帶電防止劑。本實施形態中，帶電防止劑是使用咪唑啉 (i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑。如此調製成的接著劑溶液，例如，藉由膠條塗佈機 (bar coater)、射出成形塗佈機（extrusion coater)、逆轉塗佈機（reverse coater )、浸沾式塗佈機（dip coater)、吻合式塗佈機（kiss coater)等，塗佈在第三支持片9上，形成厚度爲約0 · 0 2 // m〜約0.1 // m的接著層.10。若接著層1〇的厚度未滿約〇·〇2 // m，則接著力降 -30- Ϊ237834 (27) 低；反之，若接著層厚度1 〇超過約〇. 3 " m，則會導致缺陷（間隙）產生，並非理想。接著層1 〇，係例如，以室溫（2 5 °C )至約8 0 °C的溫度，乾燥約1分至5分。接著層的乾燥條件，並無特別限定。第5圖係將形成在第三支持片9上的接著層1 0，接著至形成在第二支持片4上之電極層6及間隔層7表面，從接著層1 〇將第三支持片9剝離之接著·剝離裝置的理想實施形態之槪略剖面。如第5圖所示，本實施形態所論之接著·剝離裝置，具備溫度保持在約4 0 °C〜1 0 0 °C的一對加壓滾輪1 5、1 6。如第5圖所示，形成有接著層丨〇的第三支持片9，係藉由施加在第三支持片9的拉張力，第三支持片9彷彿是被上方之加壓滾輪1 5捲繞般，從斜斜的上方起，供給至一對之加壓滾輪1 5、1 6之間；形成有電極層6及間隔層7的第二支持片4，則和下方之加壓滾輪1 6接觸；電極層6及間隔層7，接觸至形成在第三支持片9上的接著層1 〇表面，以略水平方向，供給至一對之加壓滾輪1 5、 1 6之間。 •第二支持片4及第三支持片9的供給速度，係例如，設定成2m/秒，一對之加壓滾輪1 5、1 6之輾壓力，理想爲，以約0.2 Μ P a〜約1 5 Μ P a的壓力，較理想爲，約〇.2MPa 〜約 6MPa。其結果爲，形成在第三支持片9上的接著層1 0，接 -31 - 1237834 (28) 著至形成在第二支持片4上的電極層6及間隔層7表面。如第5圖所示，形成有接著層1 〇的第三支持片9，從一對之加壓滾輪1 5、1 6往斜上方般送，因此，第三支持片9，會從接著在電極層6及間隔層7表面的接著層1 〇剝離下來。將第三支持片9從接著層1 0剝離下來之際，會產生靜電，導致塵埃附著，或是接著層被第三支持片吸附，而較難如所望般地將第三支持片從接著層剝離下來，但因爲在本實施形態中，接著層1 0是含有相對於黏結劑，有 0.01重量％〜15重量％的咪唑啉（imidazoline)系界面活性劑，所以可有效地防止靜電的產生。如此，被形成在第二支持片4上的電極層6及間隔層 7的表面，便接著了接著層1 0，並將第三支持片9從接著層1 0上剝離下來，則電極層6及間隔層7便隔著接著層 10，接著至被形成在第一支持片1上之陶瓷生胚片2的表面。第6圖係在陶瓷生胚片2的表面，隔著接著層1 〇，接著電極層6及間隔層7之接著裝置的理想實施形態之槪略剖面圖。如第6圖所示，本實施形態所論之接著裝置，具備溫度保持在約4 0 °C〜1 〇〇 °C的一對加壓滾輪1 7、1 8，且形成有電極層6、間隔層7及接著層1 0的第二支持片4，係讓第二支持片4的上方接觸加壓滾輪1 7，而被供給至一對之加壓滾輪1 7、1 8之間；形成有陶瓷生胚片2的第一支 -32- 1237834 (29) 持片1 ’則讓下方接觸加壓滾輪1 8，而被供給至一對之加壓滾輪1 7、1 8之間。本實施形態中，加壓滾輪1 7是以金屬滾輪所構成，加壓滾輪1 8是以橡膠滾輪來構成。 •第一支持片1及第二支持片4的供給速度，係例如’設定成2m/秒，一對之加壓滾輪17、18之輾壓力，理想爲，以約0 · 2 Μ P a〜約1 5 Μ P a的壓力，較理想爲，約 0.2MPa 〜約 6MPa。本實施形態中，陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層 7，是隔著接著層1 0而接著，如先前般，是利用陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7所含之黏結劑的黏著力，或是利用陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7之變形，而陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7並未接著，因此例如以約 0.2MPa〜約15MPa的低壓力，可將陶瓷生胚片2、電極層 6及間隔層7接著。因此，由於可防止陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層 7的變形，因此將如此獲得之陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7的層積體予以層積，製作層積陶瓷電容之際的層積精確度可以提升。又，本實施形態中，電極層 6，及密度比電極層 6 小、壓縮率局的間隔層7，是被形成爲ts/te=l.l，因此將電極層6及間隔層7，隔著接著層1 〇，轉印至陶瓷生胚片 2上之際，可藉由加壓，使得間隔層7被壓縮，且隔著接著層1 〇，確實地將電極層6及間隔層7、陶瓷生胚片2予 -33- (30) 1237834 以接著，因此，將第二支持片4剝離時，可確實地防止電極層6會連同第二支持片4 一倂剝離。甚至’本實施形態中，由於是第二支持片4上所形成之電極層6乾燥後，隔著接著層1 〇而接著至陶瓷生胚片 2的表面之構成’因此當在陶瓷生胚片2表面印刷電極糊形成電極層6時，電極糊不會使陶瓷生胚片2所含之黏結劑溶解或是膨潤，且電極糊不會滲入陶瓷生胚片2中，因此可如所望地，在陶瓷生胚片2的表面形成電極層6。如以上，一旦被形成在第二支持片4之電極層6及間隔層7的表面，隔著接著層10，接著了被形成在第一支持片1上之陶瓷生胚片2，則第一支持片1便從陶瓷生胚片2剝離下來。如此，在第二支持片4的表面上，便形成了剝離層 5、電極層6、間隔層7、接著層1〇及陶瓷生胚片2所層積而成的層積體。如上所獲得之層積體，被裁斷成所定尺寸，製作成在第二支持片4表面上，層積有剝離層5、電極層6、間隔層7、接著層10及陶瓷生胚片2之具有所定尺寸的層積體單元。第7圖係如此而裁斷成所定尺寸的層積體單元之槪略剖面圖。如第7圖所示，層積體單元20，係含有被形成在第二支持片4之表面上的剝離層5、電極層6、間隔層7、接著層1 〇.及陶瓷.生胚片2。 (31) 1237834 同樣地，在第二支持片4表面上層積剝離層5、電極層6、間隔層7、接著層1 0及陶瓷生胚片2，而分別製作多數之含有剝離層5、電極層6、間隔層7、接著層1 〇及陶瓷生胚片2的層積體單元2 0。藉由將如此製作之多數層積體單元2 0，隔著被轉印至陶瓷生胚片2表面的接著層而層積，便製作成層積陶瓷電容。第8圖係層積體單元20之層積製程之第一步驟的槪略部份剖面圖。如第8圖所示，在層積體單元20層積時，首先，在形成有多數孔的基板25上，放置一表面形成有黏著層27 的支持體2 8。支持體2 8的材料，例如可使用聚對苯二甲酸乙烯酯 (polyethylene terephthalate ) 〇本實施形態中，黏著層2 7，係被形成在支持體2 8 上，使得黏著層27和支持體28之間的接著強度，強於層積體單元20之第二支持片4和剝離層5之間的接著強度，且弱於黏著層27和層積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度。本實施形態中，是令黏著層2 7及支持體2 8之間的接著強度爲20〜3 5 0mN/cm，且黏著層27和層積體單元20 之剝離層5之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以上，而在支持體28表面形成黏著層27。黏著層27係在支持體28上塗佈黏著劑溶液而形成。 -35- 1237834 (32) 本實施形態中，黏著劑溶液係含有黏結劑 (binder )、可塑劑及帶電防止劑、及做爲任意成份的剝離齊!J。黏著劑溶液中，含有和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含之黏結劑爲同系之黏結劑，且含有和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含之可塑劑爲同系之可塑劑。黏著劑含有黏結劑之0.0 1重量％〜1 5重量％的咪唑啉 (i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑。本實施形態中，黏著層27，具有0.01//m至0.3/im 的厚度。若黏著層2 7的厚度未滿0.0 1 // m，則支持體2 8 和層積體單元2 0之陶瓷生胚片2之間的接著強度太小，要將層積體單元20層積會有困難。另一方面，若黏著層 2 7的厚度超過0 · 3 // m，則將層積體單元2 0層積、生成陶瓷生胚小片，而在陶瓷生胚小片燒成時，黏著層27部份會產生間隙，導致層積陶瓷電子零件的靜電容量下降，因此並非理想。支持體28，係隔著被形成在基板25的多數之孔26，藉由空氣吸引，而固定在基板25上的所定位置。第9圖係層積體單元20之層積製程之第二步驟的槪略部份剖面圖。接著，如第9圖所示，令陶瓷生胚片2的表面，是接觸至被形成在支持體28上之黏著層27的表面般地，而決定層積體單元20的位置於層積體單元20的第二支持片4 上.，藉由加壓機，加壓之。_ -36- 1237834 (33) 其結果爲，層積體單元20隔著黏著層27而接著至被固定在基板25上的支持體28上，且被層積。第10圖係層積體單兀20之層積製程之第二步驟的槪略部份剖面圖。一旦層積體單元20隔著黏著層27而接著至被固定在基板25上的支持體28上而層積，則如第10圖所示，便將第二支持片4從層積體單元20之剝離層5剝離下來。本實施形態中，由於是令層積體單元2 0之第二支持片4和剝離層5之間的接著強度爲5〜20mN/cm，而在第二支持片4表面形成剝離層5 ;令黏著層27和支持體28 之間的接著強度爲20〜3 5 0mN/cm，且黏著層27和層積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以上，而在支持體28的表面上形成黏著層27;因而黏著層 27是被形成在支持體28上，使得：黏著層27和支持體 28之間的接著強度，是強於層積體單元20之第二支持片 4和剝離層5之間的接著強度，且弱於黏著層2 7和層積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度，因此可輕易地僅將第二支持片4，從被接著在黏著層27上的層積體單元2 0上，剝離下來。又，本實施形態中，由於電極層6及間隔層7，是被形成爲滿足ts/te=l.l，因此，藉由一對之加壓滾輪17、 1 8，壓縮間隔層7，而不只間隔層7，就連電極層6也是，隔著接著層10而接著至陶瓷生胚片2表面，因此，將第二支持片4剝離時，就可有效地防止電極層6會連同 -37- (34) 1237834 第二支持片4 一倂從陶瓷生胚片2剝離下來。如此一來，一旦第二支持片4，被從層積體單元20 的剝離層5上剝離下來，則在被固定在基板2 5上之被層積在支持體2 8上之層積體單元2 0的剝離層5上’隔著黏著層27，再度層積一新的層積體單元20。在層積之先，首先，在欲層積之新的層積體單元20 之陶瓷生胚片2的表面，轉印一被形成在第三支持片9上的接著層1 〇。亦即，和將接著層片1 1之接著層1 0，轉印至被形成在第二支持片4上的電極層6及間隔層7之表面上時完全相同地，將接著層片1 1之接著層1 0，轉印至新的欲層積之層積體單元20的陶瓷生胚片2表面。第1 1圖係層積體單元20之層積製程之第四步驟的槪略部份剖面圖。接著，如第1 1圖所示，令被轉印至陶瓷生胚片2上的接著層10的表面，接觸至被接著在黏著層27之層積體單兀20之剝離層5的表面，而決定新的層積體單元20之位置，藉由加壓機，加壓之。其結果爲’新的層積體單元20，是隔著被轉印在陶瓷生胚片2上的接著層10，層積至被接著在黏著層27上之層積體單元20上。第12圖係層積體單元20之層積製程之第五步驟的槪略部份剖面圖。一旦新的層積體單元20，是隔著被轉印在陶瓷生胚 -38- 1237834 (35) 片2上的接著層10，層積至被接著在黏著層27上之層積體單元2 0上，則如第1 2圖所示，新層積在層積體單元 20之第二支持片4，便從層積體單元20之剝離層5剝離下來。本實施形態中，由於是令層積體單元20之第二支持 .片4和剝離層5之間的接著強度爲5〜20mN/cm，而在第二支持片4表面形成剝離層5 ;令黏著層2 7和支持體2 8 之間的接著強度爲20〜3 5 0mN/cm，且黏著層27和層積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以上，而在支持體28的表面上形成黏著層27;因而黏著層 27是被形成在支持體28上，使得：黏著層27和支持體 2 8之間的接著強度，是強於層積體單元20之第二支持片 4和剝離層5之間的接著強度，且弱於黏著層2 7和層積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度；新層積之層積體單元20，係藉由接著層10而接著至被黏著層27所接著之層積體單元20上，因此可輕易地僅將第二支持片 4，從被黏著層27所接著之層積體單元20上剝離下來。同樣地，層積體單元2 0被一次次地層積，直到所定數量的層積體單元20，被層積在固定於基板25上的支持體28上，便製作成層積體塊。一旦所定數量的層積體單元20，被層積在固定於基板25上的支持體28上，製作成層積體塊，則被基板25 固定之支持體28上層積有所定數量之層積體單元20所製作成的層積體塊，會被層積在層積陶瓷電容的外層上。 -39- (36) 1237834 第1 3圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積之層積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層33上的層積製程之第一步驟的槪略部份剖面圖。如第1 3圖所示，首先，在形成有多數孔3 1的基台 3〇上，放置形一成有接著層32的外層33。外層33，係透過被形成在基台30的多數孔31，藉由空氣吸引，而固定在基台30上之所定位置。接著，如第1 3圖所示，透過多數之孔2 6的空氣吸引，被固定在基板25上之所定位置之支持體28上所層積的層積體塊40，是以最後被層積之層積體單元20之剝離層5的表面，接觸至被形成在外層33上之接著層32的表面的方式，來決定位置。接著，令空氣停止吸引支持體2 8，基板2 5便從支持著層積體塊40的支持體28上被取除。一旦基板2 5被從支持體2 8取除’則藉由加壓機，加壓支持體2 8。其結果爲，層積體塊40是隔著接著層32，被接著在固定於基台30上的外層33上’而被層積。第1 4圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積之層積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層33上的層積製程之第二步驟的槪略部份剖面圖。一旦層積體塊40隔著接著層32’被接著在固定於基台30上的外層33上而層積’則如第14圖所示，支持體 28便從層積體塊40的黏著層27上被剝離下來。 -40- 1237834 (37) 本實施形態中，由於是令層積體單元20之第二支持片4和剝離層5之間的接著強度爲5〜20mN/cm，而在第二支持片4表面形成剝離層5 ;令黏著層2 7和支持體2 8 之間的接著強度爲20〜350mN/cm，且黏著層27和層積體單元20之2之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以上，而在支持體28的表面上形成黏著層27;因而黏著層27是被形成在支持體28上，使得：黏著層27和支持體28之間的接著強度，是強於層積體單元20之第二支持片4和剝離層5之間的接著強度，且弱於黏著層2 7和層積體單元2 0 之剝離層5之間的接著強度，因此，可輕易地僅將支持體 28，從被層積在外層33上的層積體塊40，剝離下來。如此一來，所定數量之層積體單元20被層積而成的層積體塊40便隔著接著層32，被層積在被固定在基台30 上之外層33上。再者，按照第8圖〜第1 2圖所示的步驟，被基板2 5 固定之支持體28上，層積所定數量之層積體單元20，製作層積體塊40，並隔著接著層32，層積至被固定在基台 30上之外層33上所層積之層積體塊40上。第15圖係將固定於基板25上之支持體28上所層積之層積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層33上的層積製程之第三步驟的槪略部份剖面圖。如第15圖所示，首先，透過多數孔26，藉由空氣吸引，被固定在基板25上之所定位置的支持體28上所新層積之層積體塊40，是以最後被層積之層積體單元20之剝 -41 - (38) 1237834 離層5的表面，接觸至被層積在外層33上之層積體塊40 之黏著層2 7的表面之方式，而決定位置。接著，令空氣停止吸引支持體2 8，基板2 5便從支持著層積體塊40的支持體28上被取除。一旦基板2 5被從支持體2 8取除，則藉由加壓機，加壓支持體2 8。本實施形態中，由於被層積在外層33上的層積體塊 40之最上層，係從支持體28剝離而殘留在層積體塊40 側之黏著層2 7所構成，因此當層積在外層3 3上的層積體塊40上，新層積一層積體塊40時，不須形成接著層，因此，可有效率地層積層積體塊4 0。其結果爲，新層積之層積體塊40，是隔著黏著層 27，而接著至被固定在基台30上之外層33上所層積之層積體塊40上’而被層積。第1 6圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積之層積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層33上的層積製程之第四步驟的槪略部份剖面圖。一旦新層積之層積體塊40隔著黏著層27，而接著至被固定在基台30上之外層33上所層積之層積體塊40上而被層積，則如第1 6圖所示，支持體2 8便從新層積之層積體塊40的黏著層27上被剝離下來。如此一來，新層積之層積體塊40便隔著黏著層27’ 而被層積至被固定在基台30上之外層33上所層積之層積體塊40上。 -42- 1237834 (39) 同樣地，被基板2 5固定之支持體2 8上所層積的層積體塊40被--層積，直到所定數量的層積體塊40，因此，所定數量的層積體單元20，便被層積在層積陶瓷電容的外層3 3上。如此一來，一旦層積陶瓷電容的外層33上’被層積了所定數量的層積體單元20，則另一方之外層（未圖示），便隔著接著層而接著之’作成含有所定數量之層積體單元20的層積體。 φ 接著，將含有所定數量之層積體單元20的層積體，裁斷成所定尺寸，製作多數之陶瓷生胚小片（chiP )。將如此製作成的陶瓷生.胚小片，置於還原氣體氣氛下，去除黏結劑，再進行燒成。接著，在已燒成的陶瓷生胚小片上，裝設必要的外部電極等，製作成層積陶瓷電容。若根據本實施形態，則支持體2 8的表面上形成有黏著層27，且在第二支持片4上層積有剝離層5、電極層 φ 6、間隔層7及接著層1 0的層積體單元2 0，係以在被基板25固定之支持體28之表面上所形成黏著層27上，層積體單元20的陶瓷生胚片2之表面是和黏著層27呈面接觸的方式，而被層積在支持體上，且黏著層27和支持體 28之間的接著強度，是強於層積體單元20之第二支持片 . 4及剝離層5之間的接著強度，且弱於黏著層2 7及層積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度，而在支持體 ‘ 28表面上形成黏著層27，因此將所望數量之層積體單元 -43· 1237834 (40) 20層積，製造層積陶瓷電子零件時，可有效地防止層積體單元20受到損傷。此外，若根據本實施形態，則由於是令層積體單元 20之第二支持片4和剝離層5之間的接著強度爲5〜 2 OmN/cm，而在第二支持片4表面形成剝離層5;令黏著層27和支持體28之間的接著強度爲20〜3 5 0mN/cm，且黏著層27和層積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以上，而在支持體28的表面上形成黏著層27;因而黏著層27是被形成在支持體28上，使得：黏著層27和支持體28之間的接著強度，是強於層積體單元20之第二支持片4和剝離層5之間的接著強度，且弱於黏著層27和層積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度，因此，將支持體28上之黏著層27表面上，層積所定片數的層積體單元20，製作而成層積體塊40，令其接著至層積陶瓷電容之外層33上所形成的接著層32上，並層積後，在其上再度層積一層積體塊40，因此，將支持體28從被層積在外層33上的層積體塊40剝離下來之際，僅支持體2 8被剝離，且黏著層2 7是殘留在層積體塊 40側，因此層積在外層33上之層積體塊40上，新層積一層積體塊4 0之時，不必形成接著層，因此，可有效率地，層積層積體塊40。以下，爲了更進一步明瞭本發明之效果，而揭露有實施例和比較例。 -44- 1237834 (41) 實施例1 陶瓷生胚片用之介電體糊的調製調製具有以下組成之介電體粉末〇 BaTi03粉末（堺化學工業株式會社製：商品名「BT-02」） 100 重量部 MgC03 0.72 重量部 MnO 0.13 重量部 (Ba〇.6Ca〇.4 ) Si03 1.5 重量部 Y2O3 1 .0 重量部相對於如此調製成的介電體粉末1 00 重量部，加入具下之組成的有機賦形劑，使用球磨機 (ball mill)， 20小時，調製程陶瓷生胚片用之介電體糊。聚乙烯丁醛樹脂（黏結劑） 6 重量部鄰苯二甲酸二（2-乙基己基）酯 (D 0 P :可塑劑） 3 重量部乙醇 78 重量部正-丙醇 78 重量部二甲苯 14 重量部表單的頂端硫油精（mineral spirit) 7 重量部分散劑 0.7 重量部剝離層用之介電體糊的調製除了使用BaTi03粉末（堺化學工業株式會社製混合 -45- 1237834 (42) 名「BT-01」）以外’其他皆相同於調製陶瓷生胚片用介電體糊時之物，調製介電體糊，藉由乙醇、丙醇、二甲苯的混合溶液（混合比42.5:42.5: 1 5 )’將介電體糊稀釋，調製成剝離層用介電體糊。接著劑糊的調製調製具有以下組成之有機賦形劑，並將所得之有機賦形劑，藉由甲基乙基酮稀釋1 〇倍，調製成接著劑用糊。

聚乙烯丁醛樹脂 (黏結劑） 1 00 重量部鄰苯：二甲酸二 :(2- 乙基己基 )酯 ( DOP:可塑劑） 50 重量部甲基乙基酮 900 重量部電極用糊之調製相對於 100 重量部 t平均粒徑 0.2 μ m之Ni 丨粒子，入以下之組成的溶液， &球磨機（ ball mill) ，混合小時，得到漿料。 -46- (43) 1237834

BaTi03粉末（堺化學工業株式會社製：商品名「BT-02」）有機賦形劑鄰苯二甲酸二（2-乙； (D Ο P :可塑齊!J ) 品醇（t e r p i n e ο 1 ) 分散劑丙酮此處，有機賦形劑，係將8 解於92重量部的品醇而ΐ 2 0 重量部 58 重量部 ;己基）酯 50 重量部 5 重量部 1 重量部 4 5 重量部重量部的聚乙烯丁醛樹脂，溶丨製成。

間隔層用介電體糊之調製相對於調製陶瓷生胚片用介電體糊時所用的介電體粉末 1 〇〇重量部，加入具有以下組成之溶液，以球磨機 (ball mill )，混合2 0小時，得到漿料。 Φ 有機賦形劑 7 1 重量部鄰苯二甲酸二（ 2-乙基己基 )酯 ( DOP: :可塑劑） 50 重量部品醇 ( terpineol ) 5 重量部分散劑 1 重量部丙酮 64 重量部此處，有機賦形劑，係將 8重量部的聚乙烯丁醛樹脂 -47- 1237834 (44) 解於92重量部的品醇而調製成。陶瓷生胚片之製作使用製線條料塗佈機（w i r e b a r c 〇 a t e r )，在第一聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜表面，塗佈陶瓷生胚片用之介電體糊，乾燥之，形成厚度1 . 5 m的陶瓷生胚片。剝離層、電極層及間隔層之形成使用製線條料塗佈機（wire bar coater)，在第二聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜表面，塗佈剝離層用之介電體糊，乾燥之，形成厚度0.2 m的剝離層。在如此形成的剝離層表面，使用網版印刷法，以所定圖案’印刷電極層用糊，形成厚度1.0/ζηι的電極層。接著’在未形成電極層的剝離層表面，使用網版印刷法，以互補於電極層的圖案，印刷間隔層用介電體糊，形成厚度1 · 0 // m的間隔層。接著層之形成使用製線條料塗佈機（wire bar coater)，在第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜表面，塗佈接著劑糊，形成〇1微米厚的接著層。接著層之轉印使用第5圖所示之接著·剝離裝置，在電極層及間隔 -48- (45) 1237834 層表面，接著上一已形成在第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜表面的接著層，將第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜剝離，於是接著層便轉印至電極層及間隔層的表面。一對之加壓滾輪的輾壓壓力爲IMPa，溫度爲50t。對電極層及間隔層之表面轉印陶瓷生胚片使用第6圖所示之接著裝置，隔著已被轉印至電極層及間隔層表面的接著層，將電極層及間隔層，和陶瓷生胚片予以接著。一對之加壓滾輪的輾壓壓力爲 5MPa，溫度爲1〇〇 V。接著，將第一聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜，從陶瓷生胚片剝離，得到在第二聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜上層積有剝離層、電極層、間隔層、接著層及陶瓷生胚片的層積體單元。支持體之準備調製含有 1.5重量。/〇之聚乙燒丁醒（polyvinyl butyral)，和0.75重量％的磷苯二甲酸二異辛酯（dioctyl phthalate )之乙醇溶液，塗佈在聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜所形成之薄片的表面上，形成厚度〇.〇2//m的黏著層。接者’將形成有黏著層的薄片，裁斷成60mmx70mm 之尺寸，製作支持體，固定在基板上。層積體單兀之層積 -49- (46) 1237834 令層積體單兀之陶瓷生胚片的表面，接觸至已形成在支持體表面之黏著層的表面，以決定層積體單元的位置，在50C的溫度下’以2MPa的壓力，加壓5秒鐘，將層積體單元，接著在已形成於支持體表面的黏著層，而層積在支持體上。接著，將第二聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜，從層積體單元的剝離層剝離下來。準備新的欲層積之層積體單元。再度地’使用製線條料塗佈機（w i r e b a r c o a t e r )，在第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜表面，塗佈接著劑糊，形成厚度0. 1 // m的接著層，使用如第5圖所示之接著·剝離裝置，在新的欲層積之層積體單元之陶瓷生胚片表面，接著上一已形成於第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜表面的接著層，將第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜剝離，將接著層轉印至新的欲層積之層積體單元之陶瓷生胚片表面。層積體塊之製作接著，令被轉印至新的欲層積之層積體單元之陶瓷生胚片上的接著層之表面，接觸至已被層積在支持體上之層積體單元之剝離層的表面，而決定位置，在50 °C的溫度下，以2MPa的壓力，加壓5秒鐘，以將新的層積體單元，層積在已經層積於支持體上的層積體單元上。層積後，將第二聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜，從新層積之層積體單元的剝離層上剝離下來。 -50- 1237834 (47) 同樣地，將共計10個層積體單元，層積在支持_ 上，製作層積體塊。接著，同樣地，製作分別含有1 〇個層積體單元的ς 個層積體塊。陶瓷生胚小片（chip )的製作形成層積陶瓷電容之蓋部份的外層上，形成約5 0 ,, u ΓΠ 厚的接著層，並使層積體塊的陶瓷生胚片，接觸至接箸_ 表面般，來決定層積體塊的位置，並在50 °C的溫度T > 以2 MPa的壓力，加壓5秒鐘，以在外層上，層積層積簡塊。層積厚，將支持體從層積體塊剝離。然後，在已層積於外層上的層積體塊的表面，形成& 50// m厚的接著層，並使新的層積體塊之陶瓷生胚片接觸至已層積於外層上的層積體塊之接著層表面般，來決定新層積體塊的位置，並在50 °C的溫度下，以2MPa的壓力，加壓5秒鐘，以在已層積於外層上的層積體塊上，層積新的層積體塊。同樣地，在外層上，層積共計5個層積體塊，並在最上頭的層積體塊的表面，形成約50//m厚的接著層，在接著層上，接著一形成層積陶瓷電容之蓋部份的外層，而層積在層積體塊上。如此所得之含有50個層積體單元的層積體，在40 °C 的溫度下，以lOOMPa的壓力，加壓30秒而加壓成形’ -51 - (48) 1237834 藉由切割加工機，裁斷成所定尺寸，製作陶瓷生胚小片層積陶瓷電容之製作如此製作成的陶瓷生胚小片’在氮氣氣氛下’用以下的處理條件，去除黏結劑。

升溫溫度·· 5 0 °C /小時保持溫度：40(TC 保持時間：2小時 φ 黏結劑去除後，將陶瓷生胚小片’在露點（deW point )溫度控制爲20 t的氮氣和氫氣之混合氣體氣氛下，用以下的處理條件，進行燒成。升溫溫度：3 00°C /小時保持溫度：1 240°C 保持時間：3小時冷卻速度：3 00°C /小時然後，已燒成的陶瓷生胚小片’在露點（deW # point )溫度控制爲20 °C的氮氣氣氛下，用以下的處理條件，施以退火處理。保持時間：2小時冷卻速度：3 00°C /小時如此所得之燒結體，在施以端面硏磨後’在露點 . (dew point)溫度控制爲20 X：的氮氣和氫氣之混合氣體氣氛下，用以下的處理條件，燒鍍上端子電極用糊’形成端子電極。 -52- (49) 1237834 升溫溫度：5 00 °C /小時保持溫度：7〇〇°C 保持時間：1 〇分鐘冷卻速度：5 0 0 °C /小時接著，在端子電極上施以電鍍，製作成層積陶瓷電容。如上所得之層積陶瓷電容的樣品’係陶瓷生胚片的層積數爲50層’尺寸爲，長Umm，寬0.8mm。完全同樣地製作共計20個層積陶瓷電容樣品。特性試驗對於這些2 0個層積陶瓷電容的樣品’使用橫河•惠普株式會社製數位L C R計測儀「4 2 7 4 A」（商品名）’測定靜電容量。測定係在基準溫度25°C，頻率120Hz，輸入訊號準位（測定電壓）0.5 v r m s的條件下進行。接著，將如此製作成的層積陶瓷電容之樣品的靜電容量理論値（理論靜電容量）算出’並將20個之層積陶瓷電容之樣品所測得之靜電容量之平均値（測定靜電容量）和理論靜電容量値做比較’算出相對於理論靜電容量値之測定靜電容量値之減少率（％ ) ’發現雖然超過1 0 % ’但仍在20%以下。此處，理論靜電容量値’是假設陶瓷生胚片的縮率爲 0.6 7時所算出。 -53- 1237834 (50) 實施例2 除了將厚度的黏著層，形成在支持體表面以外，其他皆相同於實施例1 ’製作2 0個層積陶瓷電容樣品，分別測定靜電容量。如此所測定之層積陶瓷電谷各樣品的靜電容量的平均値（測定靜電容量）和理論靜電容量比較，算出相對於理論靜電容量値之測定靜電容量値之減少率（％ )，發現是在1 0%以下。實施例3 除了將厚度0.2//m的黏著層，形成在支持體表面以外，其他皆相同於實施例1 ’製作2 0個層積陶瓷電容樣品，分別測定靜電容量。如此所測定之層積陶瓷電容各樣品的靜電容量的平均値（測定靜電容量）和理論靜電容量比較，算出相對於理論靜電容量値之測定靜電容量値之減少率（％ )，發現是在10%以下。實施例4 除了將厚度〇.3//m的黏著層’形成在支持體表面以外，其他皆相同於實施例1 ’製作2 0個層積陶瓷電容樣品，分別測定靜電容量。如此所測定之層積陶瓷電容各樣品的靜電容量的平均値.（測定靜電容量）和理論靜電容量比較’算出相對於理 -54- 1237834 (51) 論靜電容量値之 '測定靜電容纛値之減少率（％ )，發現雖然超過10°/。’但仍在20%以下。實施例5 除了將厚度〇.01 " m的黏著層，形成在支持體表面以外，其他皆相同於實施例1，製作2 0個層積陶瓷電容樣品，分別測定靜電容量。如此所測定之層積陶瓷電容各樣品的靜電容量的平均値（測定靜電容量）和理論靜電容量比較，算出相對於理論靜電容量値之測定靜電容量値之減少率（％ )，發現雖然超過10%，但仍在20%以下。比較例1 除了將厚度0.5#m的黏著層，形成在支持體表面以外，其他皆相同於實施例1，製作2 0個層積陶瓷電容樣品，分別測定靜電容量。 · 如此所測定之層積陶瓷電容各樣品的靜電容量的平均値（測定靜電容量）和理論靜電容量比較’算出相對於理論靜電容量値之測定靜電容量値之減少率（％ )，發現超過 2 0%。比較例2 除了將厚度^/^⑺的黏著層，形成在支持體表面以外，其他皆相同於實施例1，製作20個層積陶瓷電容樣 -55- (52) 1237834 品，分別測定靜電容量。如此所測定之層積陶瓷電容各樣品的靜電容量的平均値（測定靜電容量）和理論靜電容量比較，算出相對於理論靜電容量値之測定靜電容量値之減少率（％ )，發現超過 2 0%。根據實施例1〜4以及比較例1和2，可明白黏著層的厚度在0.3//m以下時，靜電容量的下降較少，仍在容許範圍’而一旦黏者層厚度超過0.3//m，則靜電容量會有較大的下降。這是因爲，當黏著層的厚度在0.3//m以下時，因爲黏著層之存在導致在層積陶瓷電容中形成的間隙較小；而當黏著層的厚度在〇.3//m以上時，因爲黏著層之存在導致在層積陶瓷電容中形成的間隙較大。本發明並非侷限於以上實施形態，在申請專利範圍所記載之發明的範圍內可以有各種變更，當然這些變更仍都包含在本發明的範圍內。例如，前記實施形態中，雖然是令層積體單元20的第二支持片4和剝離層5之間的接著強度，是設定在5〜 2 0mN/cm，而在第二支持片4的表面形成剝離層5 ;令黏著層27和支持體28之間的接著強度爲20〜3 5 0mN/cm，且黏著層27和層積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以上，而在支持體28的表面形成黏著層27，但是，只要令黏著層27和支持體28之間的接著強度爲，強於層積體單元20之第二支持片4和剝離層5 -56- 1237834 (53) 之間的接著強度，且弱於黏著層2 7和層積體單元2 0之陶瓷生胚片2之間的接著強度，而在支持體2 8的表面形成黏著層27即可，並不一定要是令層積體單元20的第二支持片 4和剝離層 5之間的接著強度，是設定在 5〜 20mN/cm，而在第二支持片4的表面形成剝離層5;令黏 .著層27和支持體28之間的接著強度爲20〜3 5 0mN/cm，且黏著層27和層積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以上，而在支持體28的表面形成黏著層27。又，前記實施形態中，雖然是將形成有第三支持片9 之接著層10，接著至形成在第二支持片4上之電極層6 及間隔層7的表面，並將第三支持片9從接著層1 0剝離後，將陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7，隔著接著層 1〇而接著，以製作層積體單元20，但是，並不一定要將形成有第三支持片9之接著層10，接著至形成在第二支持片4上之電極層6及間隔層7的表面，並將第三支持片 9從接著層1 0剝離後，將陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7，隔著接著層1 〇而接著，以製作層積體單元2 0，而是亦可在電極層6及間隔層7乾燥後，將介電體糊，塗佈於電極層6及間隔層7的表面，或是，將介電體糊印刷至已形成於第一支持片1上的陶瓷生胚片2的表面，來形成電極層6，並印刷介電體糊以形成間隔層7。甚至，前記實施形態中，在剝離層5的表面上，形成電極層6及間隔層7滿足t s /1 e = 1 . 1 ( t s係間隔層7的厚 -57- 1237834 (54) 度’ t e係電極層ό的厚度）’但只要是理想爲滿足〇. 7 $ ts/te S 1 .3者，較理想爲滿足〇.8 ^ ts/te g 1 .2，更理想爲 0.9^ ts/te^ 1.2而形成者即可，並非一^定要形成爲 t s /1 e = 1 . 1。又’前記實施形態中’雖然剝離層5的表面上形成電極層6及間隔層7’但並不一定要在剝離層5的表面上形成電極層6及間隔層7，而是亦可不形成間隔層7，僅於剝離層5上形成電極層6。甚至’則記實施形態中，雖然接著層1 0含有帶電防止劑，但接著層1 〇並不一定要含有帶電防止劑。又，前記實施形態中，黏著層27雖然含有〇.〇1重量 °/〇〜1 5重量％的咪η坐啉（i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑，但黏著層27並非一定要含有0.01重量。/。〜i5重量％的咪π坐啉（imidazoline )系界面活性劑，而是黏著層27亦可含有聚烴基乙二醇（polyalkylene glycol)衍生物系界面活性劑、碳酸脒鹽（ami dine carbonate )系界面活性劑等之兩性界面活性劑等其他之兩性界面活性劑，或是兩性界面活性劑以外的帶電防止劑，或是黏著層2 7亦可不含帶電防止劑。甚至，前記實施形態中，雖然使用如第6圖所示的接著裝置，將陶瓷生胚片2，隔著接著層10，接著在電極層 6及間隔層7的表面上，而且在其後，將第一支持片1從陶瓷生胚片2剝離下來，但是，亦可使用如第5圖所示的接著•剝離裝置，.將陶瓷生胚片2，隔著接著層1 0接著 -58- (55) 1237834 在電極層6及間隔層7的表面上的同時，還一倂將第一支持片1從陶瓷生胚片2剝離下來。若根據本發明，則可提供可卻實地防止含有陶瓷生胚薄片（green sheet)和電極層之層積體單元的損傷，且可高效率地將所望數量的層積體單元予以層積，來製造層積陶瓷電子零件的層積陶瓷電子零件之製造方法。【圖式簡單說明】 φ [第1圖]第一支持片表面上，形成有陶瓷生胚片之狀態的槪略部份剖面圖。 [第2圖]該表面上，形成有剝離層及電極層之第二支持片的槪略部份剖面圖。 [第3圖]剝離層表面上，形成有電極層及間隔層之狀態的槪略部份剖面圖。 [第4圖]在第三支持片表面上，形成有接著層之接著層片的槪略部份剖面圖。 n [第5圖]將形成在第三支持片上的接著層，接著至形成在第二支持片上之電極層及間隔層表面，從接著層將第三支持片剝離之接著•剝離裝置的理想實施形態之槪略剖面圖。 [第6圖]在陶瓷生胚片表面，隔著接著層，接著電極 . 層及間隔層之接著裝置的理想實施形態之槪略剖面圖。 [第7圖]第二支持片上，層積有電極層、間隔層 '接著層、及陶瓷生胚片的層積體單元之槪略剖面圖。 -59- 1237834 (56) [第8圖]層積體單元之層積製程之第一步驟的槪略部份剖面圖。 [第9圖]層積體單元之層積製程之第二步驟的槪略部份剖面圖。 [第1 〇圖]層積體單元之層積製程之第三步驟的槪略部份剖面圖。 [第11圖]層積體單元之層積製程之第四步驟的槪略部份剖面圖。 [第12圖]層積體單元之層積製程之第五步驟的槪略部份剖面圖。 [第13圖]將固定於基板上之支持體上所層積之層積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第一步驟的槪略部份剖面圖。 [第14圖]將固定於基板上之支持體上所層積之層積體塊’層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第二步驟的槪略部份剖面圖。 [第15圖]將固定於基板上之支持體上所層積之層積體塊’層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第三步驟的槪略部份剖面圖。 [第16圖]將固定於基板上之支持體上所層積之層積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第四步驟的槪略部份剖面圖。主要元件對照表 -60· 第一支持片陶瓷生胚片第二支持片剝離層電極層間隔層第三支持片接著層 ® 接著層片加壓滾輪加壓滾輪加壓滾輪加壓滾輪層積體單元基板孔黏著層支持體基台孔接著層外層 _ 層積體塊 -61

Claims

(1) 1237834 拾、申請專利範圍 1 · 一種層積陶瓷電子零件之製造方法，係屬於在支持片上，將依序層積了剝離層、電極層及陶瓷生胚片之複數層積體單元予以層積，以製造層積陶瓷電子零件之方法’其特徵爲，形成黏著層於前記支持體表面，使得其和支持體之間的接著強度爲，強於前記支持片和前記剝離層之間的接著強度，且弱於其和前記陶瓷生胚片之間的接著強度；使得前記層積體單元之前記陶瓷生胚片表面，接觸至形成在前記支持體表面之黏著層表面，而決定前記層積體單元的位置，加壓之，並將前記層積體單元層積在前記支持體上。 2 .如申請專利範圍第1項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記黏著層，具有0.01//111至的厚度。 3 .如申請專利範圍第1項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記黏著層，含有和前記陶瓷生胚片所含之黏結劑（binder)爲同系的黏結劑。 4 ·如申請專利範圍第2項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記黏著層，含有和前記陶瓷生胚片所含之黏結劑爲同系的黏結劑。 5 ·如申請專利範圍第1項之層積陶瓷電子零件之製造方法’其中，前記黏著層，含有和前記陶瓷生胚片所含之可塑劑爲同系的可塑劑。 6·如申請專利範圍第2項之層積陶瓷電子零件之製 •62- 1237834 (2) 造方法，其中，前記黏著層，含有和前記陶瓷生胚片所含之可塑劑爲同系的可塑劑。 7. 如申請專利範圍第1項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記黏著層，含有和前記陶瓷生胚片所含之介電體爲同一組成的介電體。 8. 如申請專利範圍第2項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記黏著層，含有和前記陶瓷生胚片所含之介電體爲同一組成的介電體。 9 ·如申請專利範圍第1項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記黏著層，是以少於前記黏結劑的比例’含有兩性界面活性劑。 I 〇 ·如申請專利範圍第2項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記黏著層，是以少於前記黏結劑的比例’含有兩性界面活性劑。 II ·如申請專利範圍第1項之層積陶瓷電子零件之製造方法’其中，前記支持體，是由：聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸醋、聚苯醚（polyphenylene ether)、聚對苯二甲酸乙！(¾醋（polyethylene terephthalate)所成之群中選出之塑膠材料所形成。 1 2 ·如申請專利範圍第2項之層積陶瓷電子零件之製造方法’其中，前記支持體，是由：聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸醋、聚苯酸（polyphenylene ether)、聚對苯二甲酸乙燦醋（polyethylene terephthalate)所成之群中選出之塑膠材料所形成。 -63- 1237834 (3) 1 3 ·如申請專利範圍第1項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記陶瓷生胚片，具有以下的厚度。 14·如申請專利範圍第2項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記陶瓷生胚片，具有3//m以下的厚度。 1 5 ·如申請專利範圍第1項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，將前記支持片，從被層積在前記支持體上之層積體單元的前記剝離層剝離下來，接著，在前記陶瓷生胚片表面上，將形成有接著層的層積體單元，隔著前記接著層，層積在被層積在前記支持體上之層積體單元的前記剝離層上。 1 6 ·如申請專利範圍第2項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，將前記支持片，從被層積在前記支持體上之層積體單元的前記剝離層剝離下來，接著，在前記陶瓷生胚片表面上，將形成有接著層的層積體單元，隔著前記接著層，層積在被層積在前記支持體上之層積體單元的前記剝離層上。 1 7 .如申請專利範圍第1項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記層積體單元爲，在前記剝離層表面上，具備有以互補於前記電極層圖案之圖案而形成之間隔層(spacer) ° 1 8 ·如申請專利範圍第2項之層積陶瓷電子零件之製造方法，其中，前記層積體單元爲，在前記剝離層表面 -64 - 1237834 (4) 上，具備有以互補於前記電極層圖案而形成之圖案之間隔層(spacer) 。

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