TW595029B - Electroluminescent arrangements - Google Patents
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Description
595029 A7 B7 五、發明說明(/ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關一種電致發光裝置,其包含導電性聚合物 (尤其是3,4-聚伸烷二氧噻吩)作為辅助層;亦有關一種 3,4-聚伸烷二氧噻吩分散液。 電致發光(EL)裝置之特徵在於其當被施予電壓而有電 5 流流動時就會發光。此種裝置有一段時間為一般熟知的“發 光二極管”(LEDs)。光之發射係經由正電荷(電洞)與負 電荷(電子)之再結合併同光之發射所致。 在工業上所有習用的LEDs主要由無機半導體材料所組 成。然而,幾年來眾所周知的是實質構成物為有機半導體 10 之EL裝置。 有機EL裝置通常含有一層或多層之有機性電荷-傳遞化 合物。 主要之層狀構造如下·· 1 支樓體’基板 15 2 基極 3 電洞注入層 4 電洞傳遞層 5 發光體層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 電子傳遞層 20 7 電子注入層 # 8 頂電極 9 接點 10 被覆,封裝 此構造代表最普通的例子,且可省略各層予以簡化,而 —3— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 595029 Α7 Β7 五、發明說明(>) 以單層來擔任多數功能。在最簡單的例子中,EL裝置包括 兩個電極,其間排列一可實行所有功能(包括光之發射) 之有機層。此種系統被描述於例如以聚[對-伸苯乙烯]為基 礎之 W0 90/13148 中。 5 在大面積電致發光顯示元件的製造中,電流-傳輸電極2 或8之至少一個必須由一透明及導電材料所組成。 適合作為基板1者為透明基板,如玻璃或塑膠膜(例如 聚酯,如聚乙烯對苯二曱酸或聚乙烯萘二曱酸酯、聚碳酸 酯、聚丙烯酸酯、聚砜或聚亞醯胺膜)。 10 適當之透明導電電極材料為: a) 金屬氧化物,如氧化銦錫(ITO)、氧化錫(NESA)等; b) 半透明金屬薄膜,例如Au、Pt、Ag、Cu等; 適合之發光體層5被描述於例如DE-A 196 27 071中。 然而,現已發現實際上為增加發光性,電子-或電洞-注 15 入層(3,4及/或6, 7)必須被組合於電致發光超結構中。 EP-A 686662描述使用導電性有機聚合物導體(如3,4-聚伸烷二氧噻吩)和聚羥基化合物或内醯胺之特定混合物 作為電致發光顯示元件之電極2。惟,現已發現實際上, 特別就大面積顯示器而言,這些電極沒有適當的導電性。 20 相反地,就小顯示器(圖素大小<1平方毫米)而言,此導 電性已足夠。 DE-A 196 27 071揭示使用聚合性有機導體(如3,4-聚伸 烷二氧噻吩)作為電洞-注入層。這些使電致發光顯示元件 之光度,相較於未使用聚合性有機中間層之超結構能有顯 ._本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1 η (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ I ϋ n 1 n n^OJI n n n n ϋ ϋ , A7
五、發明說明()) 著的增加。惟,此等顯示器的使用壽命於實際應用上仍不 適宜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) EP-A 991 303揭示具有顆粒大小<250奈米及乾燥聚合物 導電度<2S/公分(相當於〇.5Ω公分電阻)之3,4-聚伸烧 5 二氡噻吩。惟就用於被動式顯示器而言,這些3,4-聚伸烷 二氧噻吩仍然過於導電的。高導電性導致鄰近導體軌跡之 間所謂的串訊(參見如 D. Braun in Synth. Metals,92( 1998 ) 107-113)。 令人驚訝地,現已發現,藉進一步降低顆粒大小,可顯 10 著增加描述於EP-A 991 303中之3,4-聚伸烷二氧噻吩的電 P且’而不損失所需要之電洞注入作用。 因此本發明係有關3,4-聚伸烧二氧嗔吩分散液,其中至 少90%之顆粒為<5〇奈米,且由其所產生之塗覆物的電阻 較佳>5000Ω公分。較佳者為其中至少90%之顆粒<40奈米 15 之分散液。 再者,本發明係有關電致發光裝置,其包含由根據本發 明之分散液所製造之電洞注入層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 顆粒大小係在膨脹狀態中藉超離心來測定。一般的程序 被描述於 Colloid Polym. Sci· 267,1113 至 1116 ( 1989 )。 20這些分散液係根據EP_A 991 303由分散液開始’藉後續之 顆粒的粉碎予以製備。 適合之粉碎方法例如藉球磨機或攪拌研磨機之研磨、高 速攪拌、超音波處理及高壓均質。 較佳者為高壓均質,其中分散液於高壓下一或多次地被 一5一 以本紐尺度適用中國®家標準(CNS)A4規格⑽x 297公爱) d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(令) =通過金屬繼噴嘴。喷嘴的半徑介於i和01毫来 =或在狹縫喷嘴的情況下,半徑為01Μ毫米。均 盔至2000巴’較佳1〇〇至1〇〇〇巴的壓力下實施。 為達到所期望的結果,多錢過是必要的。 5 j據本發明之分散液較佳包含㈣離子和陽離子性、 冷或不溶之式1的3,4_聚伸烷二氧噻吩 可 10 15 20
^ (I), 一 -Jn 其中 n為由3至100的整數,較佳4至15,及 X 為-(ch^crV-cch^,其中R及R互相獨立地為Η、一具有u 2〇個碳原子之視情 况經取代之烷基、一具有6至14個碳原子之芳基或 -CH2-〇R,其中 R3=h、烷基或cj^cpjrCj^ soa, 及 x及y各自互相獨立地為〇至9之整數。 對應之化合物被描述於EP-A440 957及DE-A4211 459。 根據本發明之3,4-聚伸烷二氧噻吩分散液較佳在塗覆操 作前經由一過濾器過濾。 特別在使用陽離子型式之式I導電性聚合物併同聚陰離 子(較佳為聚苯乙稀績酸之聚陰離子,其可以類似EP-a 440 957之方法製備)時,已發現若基於一重量份之式工 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - ·1111111. 595029 A7 B7_ 五、發明說明(夕) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之3,4-聚伸烷二氧噻吩,使用6至30重量份之聚陰離子, 較佳8至25份之聚陰離子者,可獲得容易過濾的分散液。 因此聚陽離子對聚陰離子的重量比較佳介於1:8至1:25之 間。 5 3,4-聚伸烷二氧噻吩對聚陰離子的比例可在製備期間直 接設定。惟,已發現亦可由具有較高含量之3,4-聚伸烷二 氧噻吩之溶液或分散液開始,接著藉添加聚陰離子設定根 據本發明之3,4-聚伸烷二氧噻吩對聚陰離子的比例。 根據本發明之分散液之固體含量為介於0.01和20重量 10 %之間,較佳介於0.2和5重量%之間。 分散液在20°C下的黏度為介於純水或溶劑混合物之黏 度及200毫帕司卡之間,較佳<100毫帕司卡。 為設定所需要的固體含量及必要的黏度,可藉蒸餾(較 佳於減壓下)或藉其他方法(如超過濾)將所需要的水量 15 自含水分散液中去除。 根據本發明之電致發光裝置包含由根據本發明之分散 液所製得之電洞注入層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電洞注入層(3)係藉習知技術所製造。為此目的,將根據 本發明之分散液分佈在基極上成薄膜形式。所使用的溶劑 20 較佳為水或水/醇混合物。適合之醇的實例為曱醇、乙醇、 丙醇、異丙醇和丁醇。 使用此等溶劑的好處在於可塗覆其他層或有機溶劑,如 芳香族或脂族烴混合物,而不會使層(3)被攻擊。 此外,可添加有機聚合性黏著劑及/或有機低分子量交 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 595029 A7 ------ΒΖ_________ 五、發明說明(6 ) 聯劑至根據本發明之分散液中。對應之黏著劑被描述於例 如 ΕΡ-Α 564 911 中。 为散液較佳包含如ΕΡ-Α 991 303所述限制之小量離子性 不純物。 5 根據本發明之分散液可藉例如旋塗n舌|J刀塗覆、 印刷、簾幕塗覆等予以均勻地分佈在基板上。接著在室溫 或至多達300°c,較佳由100至200°c下將層乾燥。 電洞注入層(3)的導電度係藉測量層之表面電阻所決 疋。下列的實驗設定業經證實適合此目的:將層厚度d(例 1〇如2〇0奈米)之電洞注入層塗覆於電絕緣支樓體(例如玻 璃基板)上,然後在100至300°C下小心乾燥。然後將金 屬條蒸氣沉積在層上當作電極。非常適合者為在蒸氣沉積 裝置中在約10-6毫巴的壓力下,藉助遮罩被蒸氣沉積為平 打條之金電極。此條例如具有1至20毫米的長度!及3毫 15米的寬度及[ο毫米之分隔a。層之電阻R係利用雙極或 四極法於兩鄰近電極之間所測定。為排除大氣濕氣的作 用^電阻的測量係在乾燥環境或在真空中實施。表面電阻 R□係根據Rc^R.l/a,導電度σ係根據G==1/(RTd),及比電 阻Rspec.係根據Rspec := Rcil.d計算而得。 20冑量設定亦可#IT◦電極來達成,作為蒸氣沉積金屬電 極之替代物。為此目的,可將ΙΤ〇層結構在玻璃上,例如 作為平行條,隨後於其上塗覆電洞注入層。然後如上所述 測篁鄰近ΙΤΟ電極之間的電阻。 為設定電職人層之確定導電度,已令人驚_地發現到 紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
—8— 595029 A7 B7 五、發明說明(7) <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,其可藉以正確比例混合兩種電洞注入聚合物之溶液,以 簡單方法來達成。第一溶液必須(形成一層)較所需要者 有更高的導電度,另一溶液必須具有較低的導電度。溶液 混合物所增加的導電度係遵循兩個別溶液體積比之線性方 5 式。 根據本發明之分散液宜另外以結構方式藉諸如喷墨印 刷的技術來塗覆。此利用水可溶聚噻吩(如3,4-聚伸烷二 氧噻吩)之技術被描述於例如科學,第279卷,1135, 1998, 及 DE_A 198 41 804 中。 10 當使用此塗覆技術時,較佳係使用聚-對-伸苯基_乙烯衍 生物及/或聚薙衍生物作為發光體層5,而不使用另一電 洞傳遞層4。這是因為已發現當使用已藉氧化銦錫塗覆整 個表面且導電性聚合物已以一結構方式塗覆其上之支撐體 時,發光體層同樣塗覆在整個表面上,隨後僅在被塗覆導 15 電性聚合物的點上發射光。此方法使結構化之電致發光顯 示器得以一簡單方式來製造,而無須藉例如蝕刻方法來結 構化導電性基極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電洞注入層(3)之厚度為由約3至500奈米,較佳由1〇 至200奈米。 20 其他層隨後由溶液或藉蒸氣沉積被塗覆至電洞注入層 (3)。 電洞注入中間層的功能可在一特殊機構中來試驗(亦參 見Synth. Met· 111 (2000) 139)。為此目的,電洞注入中間 層係藉一旋塗機被塗覆至業藉濕式化學法清洗之ιτ〇基板 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 595029 A7 B7 五、發明說明(》) 上。隨後將此層在120°C下加熱5分鐘。層厚為60奈米。 然後藉旋塗法塗覆1.5重量%之電洞傳遞分子 叩、〇 〇^CH3
15 TDAPB (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝
ϋ mmm§ n I I ml ϋ i_i §Mmmm I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之四氫呋喃溶液。整個層厚為160奈米。藉蒸氣沉積塗覆 喳喏酸鋁(Alq)成厚度60奈米之層作為發光體層。之後藉 蒸氣沉積塗覆Mg和Ag的合金作為陰極。藉施加接點至 氧化銦錫(ITO)陽極和金屬陰極,藉特性線繪圖機及校 20 準發光二極體來記錄電流-電壓-發光度特性線。 根據本發明所製造之有機發光二極體之特徵為長的使 用壽命、低操作電壓及高整流比。 實施例 —10— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 595029 A7 B7 五、發明說明(?) 實施例1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據EP-A 991 303實施例2,藉蒸發3,4-聚伸烷二氧噻 吩/聚苯乙烯磺酸酯分散液製備1公升之1.4重量%之 3,4-聚伸烷二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸酯分散液(具有3,4-5 聚伸烷二氧噻吩對聚苯乙烯磺酸之重量比1:8),利用在 700巴下及具0.1毫米之喷嘴半徑高壓均質機均質兩次。 隨後藉旋塗將塗料塗覆至玻璃基板上並在120°C下乾 燥,層之導電度係在約1〇_6毫巴的減壓下測定。 此電洞注入中間層A於有機發光二極體上之使用隨後在 10 一由下列多展堆疊所組成之裝置中試驗: ITO/層 A(60 奈米)/TDAPB(100 奈米)//Alq(60 奈米)//MgAg 〇 實施例2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將根據EP-A 991 303實施例2,藉蒸發3,4-聚伸烷二氧 15 噻吩/聚苯乙烯磺酸酯分散液所製備之1700公克之1.4重 量%之3,4-聚伸烷二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸酯溶液(具有 334-聚伸烷二氧噻吩對聚苯乙烯磺酸之重量比1:8),於攪 拌中與659_4克4.8重量%之含水聚苯乙烯磺酸溶液混 合,使溶液中3,4-聚伸烷二氧噻吩對聚苯乙烯磺酸之重量 20 比為1:20。利用在400巴下及具0.2毫米喷嘴半徑之高壓 均質機將形成之溶液均質4次。 隨後藉旋塗將塗料塗覆至玻璃基板上並在120°C下乾 燥,層之導電度係在約1〇_6毫巴的減壓下測定。 此電洞注入中間層B於有機發光二極體上之使用隨後在 —11— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 595029 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7____ 五、發明說明(Λ7 ) 一由下列多層堆疊所組成之裝置中試驗: ITO/層 B(60 奈米)/TDAPB(100 奈米)//Alq(60 奈来)//MgAg 〇 實施例3 5 將根據EP-A 991 303實施例2,藉蒸發3,4-聚伸烷二氧 噻吩/聚苯乙烯磺酸酯分散液所製備之2000公克之L4重 量%之3,4-聚伸烷二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸酯溶液(具有 3,4-聚伸烷二氧噻吩對聚苯乙烯磺酸之重量比ι:8),於授 拌中與259克4.8重量%之含水聚苯乙烯磺酸溶液混合, 10 使溶液中3,4-聚伸烷二氧噻吩對聚苯乙烯磺酸之重量比為 1:12。利用在400巴下及具0.2毫米喷嘴半徑之高壓均質 機將形成之溶液均質4次。 隨後耩旋塗將塗料塗覆至玻璃基板上並在12〇下乾 燥,層之導電度係在約1〇-6毫巴的減壓下測定。 15 此電洞注入中間層C於有機發光二極體上之使用隨後在 一由下列多層堆疊所組成之裝置中試驗: ITO/層 C(60 奈米)/TDAPB(100 奈米)//Alq(60 奈米 y/MgAg 〇 所獲得之結果示於下表中: 20 —12— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
595029 A7 ___B7 五、發明說明(") 實施例 在膨脹狀態 之分散液中 之90%顆粒< X 奈米 導電度 效能 @5V [cd/A] 使用哥命-有 效期間 @8mA/cm2 ihl EP-A991 303 之實施例2 (比較例) 72 980 1.47 650 1 35 8300 1.47 650 2 34 101000 1.50 600 3 35 37000 1.45 700 效能=電致發光顯示器在5伏特施加電壓下所測定之光度 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
(燭光/安培)。 使用壽命=直到電致發光顯示器在8 mA/cm2穩定電流下之 5 光度下降至一半的時間(小時)。 很清楚地,供避免鄰近線之間串訊之中間層所增加的電 阻(實施例1-3)對發光二極體之效能及使用壽命不會有 不利的影響。 —13— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) ·«· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Claims (1)
- I專利範圍 專利申請案第91101199 ROC Patent Appln. No. 91101199 修正後無劃線之申請專利範圍中文本·附件G Amended Claims in Chinese - Enel. (ID (民國93年4月4日送呈) (Submitted on April ^ , 2004) 一種包含聚陰離子和陽離子性3,4-聚伸烷二氧噻吩之 10 2. 3. 15 4. 分散液’其特徵在於至少9〇%之分散液顆粒為<5〇奈 米。 根據申請專利範圍第1項之分散液,其中至少90% 之顆粒為<40奈米。 根據申請專利範圍第1項之分散液,其中其特徵在於 由其所製造之塗層的電阻為>5〇〇〇Ω公分。 根據申請專利範圍第1項之分散液,其特徵在於3,4_ 聚伸烷二氧噻吩為式⑴之化合物 其中 20 Λs (I), 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 25 η 為由3至100的整數,及 X 為-(CHA-CRiR^CCHA-,其中 R及R2互相獨立地為Η、一具有1至20個碳原子$ 視情況經取代之烷基、一具有6至14個碳原4 之芳基或-CHrOR3,其中R3=H、烷基或_CH: -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) 91003B 接 595029 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 5· 5 6· 10 8· 9· CH2-CH2-SO3H,及 X及y各自互相獨立地為0至9之整數。 根據申請專利範圍第4項之分散液,1士 15的整數。 刀政液其中η為由4至 根據申請專_圍第1項之分舰,其特徵在於彼等 為3,4-聚伸烧二氧喧吩/聚苯乙烯俩g旨分散液。 根據申請專利範圍第1項之分散液,其特徵在於陽離 子性3,4-聚伸炫一氧嘧吩對聚陰離子之比例為介於 1:8和1:25之間。 一種包含電洞注入層之電致發光裝置,其特徵在於電 洞注入層係由根據申請專利範圍第1項之分散液所製 造。 根據申請專利範圍第8項之電致發光裝置,其特徵在 於聚苐及/或聚-對-伸苯基乙烯被用作發光體層。 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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EP1546237B2 (en) | 2002-09-24 | 2019-04-24 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids |
US7390438B2 (en) | 2003-04-22 | 2008-06-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids |
US20050175861A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-11 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophene compositions for improving organic light-emitting diodes |
DE102004010811B4 (de) * | 2004-03-05 | 2006-06-29 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden |
DE102004006583A1 (de) * | 2004-02-10 | 2005-09-01 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden |
US7351358B2 (en) | 2004-03-17 | 2008-04-01 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications |
JP2005276514A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el素子 |
EP1899985A4 (en) * | 2005-06-27 | 2010-03-10 | Du Pont | ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITIONS |
KR101356296B1 (ko) | 2005-06-28 | 2014-02-06 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 높은 일 함수의 투명한 도체 |
DE102005060159A1 (de) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | H. C. Starck Gmbh & Co. Kg | Transparente polymere Elektrode für elektro-optische Aufbauten |
US8440324B2 (en) | 2005-12-27 | 2013-05-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Compositions comprising novel copolymers and electronic devices made with such compositions |
EP2412699A1 (en) * | 2005-12-28 | 2012-02-01 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions |
DE102006002798A1 (de) | 2006-01-20 | 2007-08-09 | H. C. Starck Gmbh & Co. Kg | Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden |
US8062553B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-11-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions of polyaniline made with perfuoropolymeric acid which are heat-enhanced and electronic devices made therewith |
US8153029B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-04-10 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof |
US20080191172A1 (en) | 2006-12-29 | 2008-08-14 | Che-Hsiung Hsu | High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers |
DE102009031677A1 (de) | 2009-07-02 | 2011-01-05 | H.C. Starck Clevios Gmbh | Neue Polyelektrolyt-Komplexe und deren Verwendung |
WO2011049953A2 (en) | 2009-10-19 | 2011-04-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Triarylamine compounds for electronic applications |
KR20120086319A (ko) | 2009-10-19 | 2012-08-02 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 전자적 응용을 위한 트라이아릴아민 화합물 |
US8617720B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-12-31 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electroactive composition and electronic device made with the composition |
DE102010012180A1 (de) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Heraeus Clevios Gmbh | Sulfonierte Polyketone als Gegenion leitfähiger Polymere |
DE102010048031A1 (de) | 2010-10-12 | 2012-04-12 | Heraeus Clevios Gmbh | Polythiophene beinhaltende Dispersionen mit definiertem Sulfat-Gehalt |
DE102010048032A1 (de) | 2010-10-12 | 2012-04-12 | Heraeus Clevios Gmbh | Polythiophene beinhaltende Dispersionen mit definiertem Gehalt an Thiophen-Monomer |
CN103189440B (zh) | 2010-11-03 | 2015-01-07 | 赫劳斯贵金属有限两和公司 | 处于有机溶剂中的pedot分散体 |
DE102010050507A1 (de) | 2010-11-08 | 2012-05-24 | H.C. Starck Clevios Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Schichtkörpern durch Behandlung mit organischen Ätzmitteln und daraus erhältliche Schichtkörper |
DE102011018480A1 (de) | 2011-04-21 | 2012-10-25 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Fluorierte Amine als SAM in OLEDs |
JP5441952B2 (ja) | 2011-05-17 | 2014-03-12 | Necトーキン株式会社 | 導電性高分子懸濁溶液およびその製造方法、導電性高分子材料、ならびに電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2014529162A (ja) | 2011-07-08 | 2014-10-30 | ヘレウス プレシャス メタルズ ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | 積層体の製造プロセスおよびそのプロセスで得られるマスキングのない積層体 |
KR102003530B1 (ko) | 2011-07-08 | 2019-10-17 | 헤레우스 프레셔스 메탈스 게엠베하 운트 코. 카게 | 적층체의 제조 공정 및 이로부터 얻어지는 적층체 |
DE102011107921B3 (de) * | 2011-07-19 | 2012-11-15 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | SAM-Schichten mit HTL-Funktion |
DE102013004526A1 (de) | 2013-03-18 | 2014-09-18 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | PEDOT/Tensid-Komplexe |
DE102013005152A1 (de) | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HOCHVlSKOSEN UND LAGERUNGSSTABlLEN DlSPERSlONEN ZUR HERSTELLUNG ELEKTRlSCH LElTENDER SCHlCHTEN |
EP3067948B1 (en) | 2015-03-09 | 2018-08-08 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Conductive polymer in organic solvent with fluorinated non-ionic compound |
WO2020033820A1 (en) | 2018-08-10 | 2020-02-13 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor formed from conductive polymer particles |
CN112889123A (zh) | 2018-08-10 | 2021-06-01 | 阿维科斯公司 | 包含本征导电聚合物的固体电解电容器 |
CN118280737A (zh) | 2018-08-10 | 2024-07-02 | 京瓷Avx元器件公司 | 包含聚苯胺的固体电解电容器 |
CN118213199A (zh) | 2018-12-11 | 2024-06-18 | 京瓷Avx元器件公司 | 含有本征导电聚合物的固体电解电容器 |
CN113853662B (zh) | 2019-05-17 | 2023-08-04 | 京瓷Avx元器件公司 | 固体电解电容器 |
DE112020004416T5 (de) | 2019-09-18 | 2022-06-15 | KYOCERA AVX Components Corporation | Festelektrolytkondensator zur Verwendung bei hohen Spannungen |
KR20220113704A (ko) | 2019-12-10 | 2022-08-16 | 교세라 에이브이엑스 컴포넌츠 코포레이션 | 안정성이 증가된 탄탈 커패시터 |
CN114787952A (zh) | 2019-12-10 | 2022-07-22 | 京瓷Avx元器件公司 | 包含预涂层和本征导电聚合物的固体电解电容器 |
US11631548B2 (en) | 2020-06-08 | 2023-04-18 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a moisture barrier |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3729566A1 (de) * | 1987-09-04 | 1989-03-16 | Zipperling Kessler & Co | Intrinsisch leitfaehiges polymer in form eines dispergierbaren feststoffes, dessen herstellung und dessen verwendung |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
DE3913857A1 (de) * | 1989-04-27 | 1990-10-31 | Agfa Gevaert Ag | Fotografisches material mit einer antistatikschicht |
DE59010247D1 (de) | 1990-02-08 | 1996-05-02 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung |
IL100110A0 (en) * | 1990-12-26 | 1992-08-18 | American Cyanamid Co | Insecticidal and synergistic miticidal compositions |
DE4211459A1 (de) | 1992-04-06 | 1993-10-07 | Agfa Gevaert Ag | Herstellung einer Antistatikschicht für fotografische Materialien |
DE4211461A1 (de) | 1992-04-06 | 1993-10-07 | Agfa Gevaert Ag | Antistatische Kunststoffteile |
DE19507413A1 (de) | 1994-05-06 | 1995-11-09 | Bayer Ag | Leitfähige Beschichtungen |
DE19627071A1 (de) | 1996-07-05 | 1998-01-08 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
GB9718393D0 (en) * | 1997-08-29 | 1997-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent Device |
DE19818732A1 (de) | 1998-04-27 | 1999-10-28 | Bayer Ag | Arylphenylsubstituierte cyclische Ketoenole |
DE19841804A1 (de) | 1998-09-12 | 2000-03-16 | Bayer Ag | Leiterbahnen aus Polyalkylendioxythiophen |
DE19841803A1 (de) * | 1998-09-12 | 2000-03-16 | Bayer Ag | Hilfsschichten für elektrolumineszierende Anordnungen |
EP1079397A1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-02-28 | Agfa-Gevaert N.V. | Method of making an electroconductive pattern on a support |
DE19953775A1 (de) | 1999-11-09 | 2001-05-10 | Bayer Ag | Wirkstoffkombinationen mit insektiziden und akariziden Eigenschaften |
US6632472B2 (en) * | 2000-06-26 | 2003-10-14 | Agfa-Gevaert | Redispersable latex comprising a polythiophene |
DE10058116A1 (de) * | 2000-11-22 | 2002-05-23 | Bayer Ag | Polythiophene |
DE10111790A1 (de) * | 2001-03-12 | 2002-09-26 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen |
JP4077675B2 (ja) * | 2002-07-26 | 2008-04-16 | ナガセケムテックス株式会社 | ポリ(3,4−ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体およびその製造方法 |
US7317048B2 (en) * | 2003-01-06 | 2008-01-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Variable resistance poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate) for use in electronic devices |
DE102005060159A1 (de) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | H. C. Starck Gmbh & Co. Kg | Transparente polymere Elektrode für elektro-optische Aufbauten |
-
2001
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