594362 Π) 玖、發明說明 [發明所屬之技術領域】 本發明是屬於薄膜半導體裝置及其製造方法的技術領 域’尤其是屬於具有形成預定圖案的薄膜之薄膜半導體裝 置及其製造方法的技術領域。又，本發明是屬於具備此類 的薄膜半導體裝置之光電裝置及其製造方法的技術領域。 又’本發明亦屬適合使用於薄膜半導體裝置及光電裝置的 製造方法之微影光罩（retlcle)的技術領域。 【先前技術】 以往在形成薄膜半導體裝置時會廣泛使用光蝕刻微影 技術。所謂光蝕刻微影技術是在基板上形成具有所期望的 圖案之配線或電路元件等技術。更具體而言，首先會針對 基板全面依次形成由矽等所構成的薄膜及光阻劑膜（成膜 過程），然後再對該光阻劑膜實施具有預定圖案的曝光 (曝光過程）。在此，所謂具有預定圖案的曝光，是例如 可經由形成有該預定圖案的微影光罩來將自光源所發出的 光予以投影至光阻劑膜上之方法。藉此，在光阻劑膜上會 產生對應於該預定圖案的感光領域及非感光領域。 其次，針對該光阻劑膜進行顯像，去除感光領域的光 阻劑膜（顯像過程）。然後，對殘留的光阻劑膜進行烘烤 處理等之後，以被去除光阻劑膜的部份來對暴露於外部的 上述薄膜實施蝕刻（触刻過程），而使能夠對該薄膜賦予 預定的圖案，亦即能夠使該薄膜形成具有預定圖案的配線 -6 - (2)594362 或電路元件（以下，將此形成的薄膜稱爲「圖案形成 膜」）。 並且，在具有上述預定圖案的圖案形成膜上再層疊絕 緣膜等的薄膜時，爲了使半導體膜的表面淸靜化，亦可使 用稀氟酸來進行輕蝕刻處理等的淸靜過程。
若利用如此的光蝕刻微影技術，則可容易且確實地形 成具有種種的微細圖案之配線或電路元件，因此在現在的 半導體產業中已成爲必要的製造技術之一。就應用如此的 光蝕刻微影技術來形成液晶顯示裝置的技術而言，例如有 揭示於專利文獻1者。 [專利文獻1 ] 曰本特開平6 — 2 5 8 6 6 7號公報。 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 但，在以往的光蝕刻微影技術中會有以下所述的問題 存在。亦即，在上述預定圖案中有具備交叉部（某線段與 其他線段交叉而成者）的圖案存在時，若實施上述那樣的 光蝕刻微影技術，則有可能會在該光蝕刻微影技術的〜過 程，亦即上述蝕刻過程或上述輕蝕刻處理等中，在上述交 叉部產生下切。這會在交叉部爲直角時更爲明顯。 在此所謂的下切，是意指在具有上述圖案形成膜的交 叉部中，蝕刻會進行至該圖案形成膜下的下層爲止。換言 -7- (3) (3)594362 之，在蝕刻過程完成時，該交叉部的圖案形成膜下’該圖 案形成膜的表面會形成露出狀態，而形成暴露於外部的狀 態 。 由薄膜半導體裝置的安定性的觀點來看，光是這點就 會造成問題，此情況，若該圖案形成膜是由導電性材料所 構成，且於該圖案形成膜上隔著絕緣膜來形成由某種的導 電性材料所構成的膜時，在上述下切產生的領域中，上述 絕緣膜將會無法完全覆蓋段差，而導致形成上述圖案形成 膜露出的部份。因此，會有可能在圖案形成膜與由該導電 性材料所構成的膜之間發生短路。亦即，在上述交叉部的 圖案形成膜下，由上述導電性材料所構成的膜會進入，而 造成該圖案形成膜露出的部份與由該導電性材料所構成的 膜會接觸。在此狀態下，譬如原本只想對圖案形成膜進行 通電的同時，連帶著由該導電性材料所構成的膜也會被通 電，因此已無法期待薄膜半導體裝置進行正確的動作。 此情況，若具備光電裝置（例如液晶裝置等）的主要 零件，亦即薄膜電晶體（以下，稱爲「TFT ; Thin Film Transistor」）的丁 F T陣列基板爲上述薄膜半導體裝 置，則可更爲具體化正視上述問題。例如，若假設包含構 成T F Τ的通道領域等的半導體膜爲上述圖案形成膜，則 由於在該半導體膜上依次形成有閘極絕緣膜及閘極電極， 因此一旦產生上述「下切」，半導體膜及閘極電極間有可 能會發生短路。 又，若將構成連接於T F Τ的儲存電容的一方電極假 -8- (4) (4)594362 設爲上述圖案形成膜，則由於會在該電極上依次形成介電 質膜及另一方的電極，因此會有可能在一方的電極及另一 方的電極間發生短路。 尤其是在此例中，爲了謀求儲存電容的增大化，一般 會儘可能地縮小上述介電質膜的厚度，因此發生短路的危 險性會更大。 在上述專利文獻1中，雖然記載有能夠藉由使圖案角 度形成「2 4 0度以下」來防止構成液晶顯示裝置的薄膜 電晶體的電極間發生短路，但有關「下切」方面並未有任 何的記載。 本發明是有鑑於上述問題點而硏發者，其課題是在於 提供一種在薄膜的圖案形成中，即使該圖案上有交叉部， 還是不會在該薄膜的下部產生下切之薄膜半導體裝置及其 製造方法。又，本發明的課題是在於提供一種含如此的薄 膜半導體裝置之光電裝置及其製造方法。本發明是課題是 在於提供一種適合使用於上述薄膜半導體裝置的製造方法 之微影光罩。 [用以解決課題之手段] 爲了解決上述課題，本發明之第1薄膜半導體裝置是 屬於一種具備具有至少2個以上的角部的圖案，且由導電 性材料所構成的薄膜之薄膜半導體裝置，其特徵爲： 上述角部包含： 其內角大於1 8 0 °，小於2 7 0 °的第1角部；及 -9 - (5) (5)594362 鄰接於該第1角部，且其內角大於9 Ο ^，小於 1 8〇°的第2角部。 若利用本發明之第1薄膜半導體裝置，則在具有至少 2個以上的角部的圖案中，存在鄰接的第1角部及第2角 部。其中前者的內角大於1 8 0 °，小於2 7 0 °。後者 的內角大於9 0 。，小於1 8 0 °。因此，供以構成第1 角部的兩條線段可謂平滑地連接，且供以構成第2角部的 兩條線段亦可謂平滑地連接。並且，當第1及第2角部相 鄰接時，構成第1角部的兩條線段的其中之一與構成第2 角部的兩條線段的其中之一會爲共通。 藉此，由於在上述各線段間不存在【先前技術】中所 述之交叉成直角的部份，因此可顯著地減少在圖案形成膜 下產生下切之虞。如此一來，由於可形成不會產生下切的 導電性材料所構成的圖案形成膜，因此若利用本發明，則 即使是在上面隔著絕緣膜來形成由導電性材料所構成的別 的膜時，還是能夠降低圖案形成膜及其上面由導電性材料 所構成的薄膜之間發生短路等的可能性。藉此，可提高薄 膜半導體裝置的可靠度。 又，爲了解決上述課題，本發明之第2薄膜半導體裝 置是屬於一種具備具有至少2個以上的角部的圖案，且由 導電性材料所構成的薄膜之薄膜半導體裝置，其特徵爲： 上述角部包含： 彼此鄰接，且其各內角大於1 8 0 °，小於2 7 0 ° 的第3角部及第4角部。 -10- (6) (6)594362 若利用本發明之第2薄膜半導體裝置，則在具有至少 2個以上的角部的圖案中，存在鄰接的第3角部及第4角 部。該等第3角部及第4角部的內角皆大於1 8 0 ^ ’小 於2 7 0 ^。因此，供以構成第3角部的兩條線段可謂平 滑地連接，且供以構成第4角部的兩條線段亦可謂平滑地 連接。並且，當第3及第4角部相鄰接時，構成第3角部 的兩條線段的其中之一與構成第4角部的兩條線段的其中 之一會爲共通。 藉此，由於在上述各線段間不存在【先前技術】中所 述之交叉成直角的部份，因此可顯著地減少在圖案形成膜 下產生下切之虞。如此一來，由於可形成不會產生下切的 導電性材料所構成的圖案形成膜，因此若利用本發明，則 即使是在上面隔著絕緣膜來形成由導電性材料所構成的別 的膜時，還是能夠降低圖案形成膜及其上面由導電性材料 所構成的薄膜之間發生短路等的可能性。藉此，可提高薄 膜半導體裝置的可靠度。 又，爲了解決上述課題，本發明之第3薄膜半導體裝 置是屬於一種具備具有至少2個以上的角部的圖案，且由 導電性材料所構成的薄膜之薄膜半導體裝置，其特徵爲： 上述角部包含： 其內角大於1 8 0 °，小於2 7 0 °的第5角部；及 鄰接於該第1角部，且其內角爲9 〇 。以上的第6角 部。 若利用本發明之第3薄膜半導體裝置，則在具有至少 -11 - (7) (7)594362 2個以上的角部的圖案中，存在鄰接的第5角部及第6角 部。其中前者的內角大於1 8 0 °，小於2 7 0。。後者 的內角爲9 0 °以上。因此，供以構成第5角部的兩條線 段可謂平滑地連接，且供以構成第6角部的兩條線段亦可 謂平滑地連接。並且’當第5及第6角部相鄰接時，構成 第5角部的兩條線段的其中之一與構成第6角部的兩條線 段的其中之一會爲共通。 藉此，由於在上述各線段間不存在【先前技術】中所 述之交叉成直角的部份，因此可顯著地減少在圖案形成膜 下產生下切之虞。如此一來，由於可形成不會產生下切的 導電性材料所構成的圖案形成膜，因此若利用本發明，則 即使是在上面隔著絕緣膜來形成由導電性材料所構成的別 的膜時，還是能夠降低圖案形成膜及其上面由導電性材料 所構成的薄膜之間發生短路等的可能性。藉此，可提高薄 膜半導體裝置的可靠度。 又，爲了解決上述課題，本發明之第4薄膜半導體裝 置是屬於一種具備具有含曲折形狀或突出形狀的圖案，且 由導電性材料所構成的薄膜之薄膜半導體裝置，其特徵 爲： 有關規定上述曲折形狀或上述突出形狀的交叉部，且 彼此鄰接的一線段或其他線段的至少一組是形成：在該一 線段的端部與該其他線段的端部間存在別的線段，該別的 線段與上述一線段所成的角度，及該別的線段與上述其他 線段所成的角度爲大於9 0 °，小於1 8 0 °之滑動交叉 -12- (8) (8)594362 部。 若利用本發明之第4薄膜半導體裝置，則首先薄膜會 具有含曲折形狀或突出形狀的圖案。在此，所謂的「曲折 形狀」是意指：例如某一長方形狀的圖案由平面來看爲延 伸於上下方向時，由該長方形狀的圖案的上端連接具有與 該上下方向不同的方向一致的長度方向之其他長方形狀的 圖案者。在此，爲了使說明簡略化，而單純地將上述「與 上下方向不同的方向」想像爲右方向（或左方向），且上 述一長方形狀的圖案的長度方向與其他長方形狀的圖案的 長度方向爲垂直。 如此一來，若使一長方形狀的圖案與其他的長方形狀 的圖案合倂’則其形狀會形成具有所謂「夠型」的形狀。 此爲典型的「曲折形狀」之一例。 又’所謂的「突出形狀」是意指：例如某一長方形狀 的圖案由平面來看爲延伸於左右方向時，由該長方形狀的 圖案的長度方向的中央部連接具有與該左右方向不同的方 向一致的長度方向之其他長方形狀的圖案者。同樣的爲了 使δ兌明簡略化，而單純地將上述「與左右方向不同的方 向」想像爲上方向（或下方向），且各個長方形狀的圖案 爲垂直。 如此一來，若使一長方形狀的圖案與其他的長方形狀 的圖案合倂，則其形狀會形成具有所謂「凸型」的形狀。 此爲典型的「突出形狀」之一例。 在此，特別是在本發明中假設一規定上述曲折形狀或 •13- (9) (9)594362 上述突出形狀的交叉部，且彼此鄰接的一線段或其他線段 的至少一組。 例如，以上述曲折形狀的典型例來敘述「鉤型」的形 狀時，「一線段」可想像爲相當延伸於上下方向的一長方 形狀的圖案的右邊的一部份，「其他線段」可想像爲相當 延伸於右方向（或左方向）的其他長方形狀的圖案的下邊 的一部份。 又，本發明有關上述一線段及其他線段的至少一組是 形成：在該一線段的端部與該其他線段的端部間存在別的 線段’該別的線段與上述一線段所成的角度及該別的線段 與上述其他線段所成的角度爲大於9 0 °，小於1 8 0 ° 之滑動交叉部。 若利用本發明，則一線段，亦即上述右邊的一部份端 部，及其他線段，亦即上述下邊的一部份端部間存在「別 的線段」，該別的線段及上述右邊所成的角度爲大於 9 0 °，小於1 8 (K，而形成「滑動交叉部」。 亦即，在上述的例子中，若不存在「別的線段」，則 可藉由使「別的線段」存在於應交叉成直角的上述右邊與 上述下邊之間來使兩者平滑連接。 這將可產生以下所述的作用效果。亦即，藉由「應交 叉成直角的上述右邊與上述下邊」而形成的直角部份，如 【先前技術】所述，在該直角部份中會有可能在圖案形成 膜下產生下切之虞，但若利用本發明，則由於在一線段與 其他線段之間***有別的線段，且如上述可使該一線段及 -14- (10) (10)594362 該其他線段「平滑」連接，因此下切會不易產生。 又’若利用本發明，則即使是在上面隔著絕緣膜來形 成由導電性材料所構成的別的膜時，還是能夠降低圖案形 成膜及其上面由導電性材料所構成的薄膜之間發生短路等 的可能性。藉此，可提高薄膜半導體裝置的可靠度。 又’以上所述雖是針對具有鉤型形狀的圖案之有關上 述右邊及上述下邊的「滑動交叉部」來進行說明，但本發 明並非只限於此，亦包含其他各種的「滑動交叉部」。例 如’在「凸型」形狀的圖案中，雖延伸於左右方向的一長 方形狀圖案中的上邊及左邊也與目前爲止所假設的交叉部 正好呈顛倒的關係，但即使爲交叉成直角的關係也不會有 所改變。本發明亦可依情況，在上邊及左邊間***「別的 線段」，而形成「滑動交叉部」之形態。 以下，針對本發明中所言及的「角度」來作若干說明 (與目前所述的「反轉的關係」或者「滑動交叉部」相 關）。 一般，一線段及其他線段爲交叉時，兩線段間所被定 義的角度有：彼此爲補角關係的兩種類的角度^ 〔。〕及 (360 - α)〔。〕。 首先，本發明中所謂的「角度」，基本上只要是該兩 種類的角度的其中一方即可，且該一方爲符合「大於 9 〇 °，小於1 8 0 °」的條件即可。此情況，另一方的 角度（補角）一定會形成「大於1 8 0。，小於 270。」。 •15- (11) (11)594362 其次，有鑑於目前所述的情事，必須注意到以鉤型开多 狀的圖案中的「上邊及下邊」的一組爲例之「滑動交叉 部」與以凸型形狀的圖案中的「上邊及左邊」的一組爲例 之「滑動交叉部」中所注視的「角度」有所不同。亦即， 前者所注視的「角度」，由該滑動交叉部來看，是有關形 成於圖案的外方側的「角部」之角度，相反的，後者所注 視的「角度」，由該滑動交叉部來看，是有關形成於_案 的內方側的「角落部」之角度。無論如何，一線段及其他 線段實質上皆爲「平滑」連接的這點是不變的，本發明雖 是包含所有如此的形態，但本發明中所言及的「角度」必 須按照上述的「角部」及「角落部」來解釋上述兩種類的 角度其中一方° 在本說明書中’ 「角部」及「角落部」的用語是具有 上述含意者。並且，本發明中，「『角落部』的角度」的 用語，有時會使用「內角」。 另一方面，上述典型的「鉤型」形狀及「凸型」形狀 的圖案，只不過是個例子。亦即，除此以外，例如本發明 中所言及的「突出形狀」，對延伸於左右方向的一長方形 狀的圖案而言，亦可非成直角，而是連接譬如具有4 5 。 的角度而延伸的其他長方形狀的圖案者。此情況，亦可適 用於本發明。當然，亦可考慮其他各種的形狀。 此外，在各種的電子機器中所具備的實際薄膜半導體 裝置中，具有上述典型的「曲折形狀」及「突出形狀」的 圖案會維持原狀而存在者雖可說不多，但話雖如此，本發 -16- (12) (12)594362 明還是能夠因應於各種的情況。例如’即使是在具有複雜 形狀的某種圖案的配線中，還是可以上述「曲折形狀」及 「突出形狀」作爲基本要素來「包含」於該配線中，有關 如此的「曲折形狀」及「突出形狀」方面，只要構成該形 狀的一線段及其他線段的至少一組爲構成本發明中所言及 的「滑動交叉部」，當然就隸屬本發明的範圍內。 又，本發明之第1 ，第2 ，第3或第4薄膜半導體裝 置的一形態，在上述薄膜上形成有厚度爲1 0〜1 5〇 n m (奈米）的絕緣膜，且在該絕緣膜上形成有由導電性 材料所構成的其他薄膜。 若利用此形態，則更能夠有效地發揮本發明的作用效 果。亦即，本形態在薄膜上會隔著具有1 0〜1 5 0 n m 之較厚的絕緣膜來形成由導線性材料所構成的其他薄膜， 藉此雖於上述薄膜及上述其他薄膜之間會因上述下切而容 易引起短路，但由於本形態可藉由「滑動交叉部」的形成 來降低產生該下切的可能性，因此發生上述短路的可能性 也會降低。 因此，若利用本形態，則可實現薄膜半導體裝置的正 確動作。 又，本發明之第4薄膜半導體裝置的其他形態，是上 述別的線段與上述一線段所成的角度，及上述別的線段與 上述其他線段所成的角度爲1 3 5 °及其接近者。 若利用此形態，則譬如「別的線段」不存在時，可假 設應交叉成直角的一線段及其他線段之間存在剛好架設於 -17- (13) (13)594362 該等端部之間的別的線段。如此的形態，不會使一線段及 其他線段的「平滑」連接徒勞無功地形成複雜的圖案’可 謂實現最佳平衡狀態的形態之一。 又，本發明之第4薄膜半導體裝置的其他形態’是在 上述薄膜上形成有厚度爲5 0 nm以下的絕緣膜，且在該 絕緣膜上形成有由導電性材料所構成的其他薄膜； 上述別的線段與上述一線段所成的角度，及上述別的 線段與上述其他線段所成的角度爲大於1 3 5 °。 若利用此形態，則於薄膜上會隔著具有厚度極薄（ 5〇n m以下）的絕緣膜來形成由導電性材料所構成的其 他薄膜，藉此雖於上述薄膜及上述其他薄膜之間會因上述 下切而容易引起短路，但由於本形態可藉由使「角度」形 成大於1 3 5 °來使一線段及其他線段形成更「平滑」連 接，而不易產生上述下切，因此若利用本發明，則即使是 在具備極薄的絕緣膜時，還是能夠使「薄膜」及「其他薄 膜」之間發生短路的可能性降到非常的低。 又’本發明之第4薄膜半導體裝置的其他形態，有關 上述一組是形成：上述別的線段爲複數存在，且在該等複 數個別的線段中鄰接之別的線段間所成的角度爲大於 9 0 °，小於1 8 0 °之滑動交叉部。 若利用此形態，則由於形成··別的線段爲複數存在， 且形成於別的線段間的角度爲大於9 〇。，小於1 8〇。 之滑動交叉部’因此可使上述一線段及上述其他線段之間 更爲平滑連接。 •18- (14) (14)594362 例如，若爲交叉成直角的兩條直線，且該兩條直線的 各一部份爲「一線段」及「其他線段」，則可假設成一線 段及第1條別的線段間，以及該第1條別的線段及第2條 別的線段間，及該第2條別的線段及其他線段間所分別形 成的角度爲1 5 0°時。 又，本發明之第4薄膜半導體裝置的其他形態，是在 上述一線段的端部與上述其他線段的端部間，取代或追加 上述別的線段，而存在具有預定的曲率之曲線的一部份。 若利用此形態，則一線段及其他線段間會形成平滑連 接。尤其是取代別的線段的曲線，更具體而言，若採用四 分之一或以下的圓弧來作爲圓周的一部份，則與由直線所 構成的別的線段時相較下，可使典型形成直角的一線段及 其他線段間更爲平滑連接。 此外，在上述別的線段爲複數存在的形態中，該別的 線段的數量爲極多時，假設形成於別的線段間的「角度」 會變得無意義，一線段及其他線段，如形態所示，亦可視 爲連接於「具有預定曲率的曲線的一部份」者。本發明亦 包含如此的形態者。 又，本發明之第4薄膜半導體裝置的其他形態，是上 述角度，由上述滑動交叉部來看，爲有關形成於上述圖案 的外方側的角部之角度。 此形態是將本發明所謂的「角度」當作在此所述或有 關已經敘述過的「角部」的角度。此情況，由於有關該角 部的角度爲形成「大於9 0 °，小於1 8 0 °」者，因此 -19- (15)594362 不存在別的線段時之一線段及其他線段間所應形成「角落 部」的角度爲大於1 8 0 %小於3 6 0 °時會形成默許 的前提。又，如此的「角落部」，特別是該角落部的角度 爲2 7 0 °以上，小於3 6 0 。時，上述的下切會更容易 產生。
然而，若利用本形態，則會因爲上述角度，由上述滑 動交叉部來看，爲有關形成於上述圖案的外方側的角部之 角度，所以幾乎不會產生那樣的下切，因此更能有效地降 低「薄膜」及「其他的薄膜」間發生短路的可能性。 又，爲了解決上述課題，本發明之光電裝置的特徵是 具備： 畫素電極；及 連接於該畫素電極的薄膜電晶體；及 連接於該薄膜電晶體的配線；及 連接於該薄膜電晶體的儲存電容；
又’構成上述儲存電容的至少一方的電極包含具有含 曲折形狀或突出形狀的圖案，且由導電性材料所構成之薄 膜； 有關規定上述曲折形狀或上述突出形狀的交叉部，且 彼此鄰接的一線段或其他線段的至少一組是形成··在該一 線段的端部與該其他線段的端部間存在別的線段，該別的 線段與上述一線段所成的角度，及該別的線段與上述其他 線段所成的角度爲大於9 0 °，小於1 8 0 °之滑動交叉 部。 -20- (16) (16)594362 若利用本發明之光電裝置，則構成儲存電容的至少一 方的電極會以包含上述「曲折形狀」或「突出形狀」的圖 案來形成’且在規定該曲折形狀或該突出形狀且彼此鄰接 的一線段或其他線段間至少存在一條符合上述各條件之別 的線段。 亦即’若利用本發明，則在供以形成構成儲存電容的 至少一方的電極之光蝕刻微影過程中，不會使在該電極下 產生下切，因此可降低與薄膜（形成於該電極的上層，由 其他導電性材料所構成）發生短路的可能性。藉此，本發 明的光電裝置可實現正確的動作。 又’本發明之光電裝置的其他形態，是在上述薄膜上 形成有厚度爲1 〇〜1 5 0 nm的絕緣膜，且在該絕緣膜 上形成有由導電性材料所構成的其他薄膜。又，本發明之 光電裝置的其他形態，是上述別的線段與上述一線段所成 的角度’及上述別的線段與上述其他線段所成的角度爲 1 3 5 °及其接近者。 若利用此形態，則光電裝置可享受上述本發明之薄膜 半導體裝置的一形態及其他形態所述者大致相同的作用效 果。 又’本發明之光電裝置的其他形態，爲構成上述儲存 電容的至少一方電極是形成與構成上述薄膜電晶體的半導 體膜同一膜。 若利用此形態，則由於構成儲存電容的至少一方電極 與薄膜電晶體的半導體膜爲同一膜，亦即同時形成，因此 -21 - (17) (17)594362 這與分別予以製造時相較下，可降低相應部份的製造成 。 又，爲了解決上述課題，本發明之薄膜半導體裝置的 製造方法是屬於一種製造具備具有含曲折形狀或突出形狀 的圖案，且由導電性材料所構成的薄膜之薄膜半導體裝置 的製造方法，其特徵爲包含： 在基板上形成上述薄膜的原膜之過程；及 在上述原膜上形成光阻劑膜之過程；及 利用形成有上述圖案或上述圖案的底片形狀的微影光 罩來對上述光阻劑膜進行曝光之過程；及 對上述光阻劑膜進行顯像之過程；及 對上述被顯像的光阻劑膜及上述原膜進行蝕刻之過 程； 又，上述圖案具有：包含規定上述曲折形狀及上述突 出形狀的交叉部，且彼此鄰接的一線段及其他線段的至少 一組，在該一線段的端部與該其他線段的端部間存在別的 線段，該別的線段與上述一線段所成的角度，及該別的線 段與上述其他線段所成的角度爲大於9 0 °，小於 1 8 0 °之滑動交叉部； 上述原膜是在上述蝕刻過程中以能夠具有上述圖案之 方式來成形。 若利用本發明之薄膜半導體裝置的製造方法，則可良 好地形成上述本發明之薄膜半導體裝置。 又，本發明之薄膜半導體裝置的製造方法的其他形 •22- (18) (18)594362 態，是更包含：對實施蝕刻上述原膜的過程的結果所取得 的圖案形成膜及上述基板進行溼蝕刻之過程。 若利用此形態，則由於更包含對圖案形成膜及上述基 板進行溼蝕刻的過程，因此使產生上述下切的可能性會變 得更高。那是因爲濕飽刻一般具有使等方性的侵蝕進行的 性質。然而，在本發明中，由於上述原膜是以能夠具有包 含「滑動交叉部」的圖案之方式來形成，因此產生下切的 可能性還是會維持較低。 並且，本形態所謂的「濕蝕刻」，是以能夠使上述輕 蝕刻，亦即圖案形成膜的表面淸淨化爲目的，例如包含使 用稀氟酸液來進行的蝕刻等。 又，本發明之光電裝置的製造方法是屬於一種製造具 備畫素電極，連接於該畫素電極的薄膜電晶體，連接於該 薄膜電晶體的配線’及連接於上述薄膜電晶體的儲存電容 之光電裝置的製造方法，其特徵爲包含： 根據上述本發明之薄膜半導體裝置的製造方法或該其 他形態來形成構成上述儲存電容的至少一方的電極之過 程。 若利用本發明之光電裝置的製造方法，則可良好地形 成上述本發明之光電裝置。 又，爲了解決上述課題，本發明之微影光罩是屬於一 種形成有圖案或該圖案的底片形狀之微影光罩，其特徵 爲： 上述圖案具有：包含規定曲折形狀及突出形狀的交叉 -23- (19) (19)594362 部，且彼此鄰接的一線段及其他線段的至少一組，在該一 線段的端部與該其他線段的端部間存在別的線段，該別的 線段與上述一線段所成的角度，及該別的線段與上述其他 線段所成的角度爲大於9 0 。，小於1 8 〇 。之滑動交叉 部。 若利用本發明的微影光罩，則可良好地實施上述薄膜 半導體裝置的製造方法或光電裝置的製造方法。 本發明的作用及其他功效可由以下所述的實施形態來 明確得知。 【實施方式】 以下，參照圖面來說明本發明的實施形態。 (第1實施形態） 首先，爲了更能夠理解本發明，以下利用第1實施形 態來進行說明’亦即在構成液晶顯示裝置等的光電裝置之 T F T基板的原玻璃基板上，形成τ F T及儲存電容的過 程中所被實施的圖案形成過程。並且，有關光電裝置及其 構成要件的T F T陣列基板等，或者T F T及儲存電容以 及構成該等的各要件之光電裝置內部的位置關係等會在往 後詳細說明。 首先’在第1實施型態中，在玻璃基板1 〇，上，如 第1圖所示，TFT30及儲存電容60會最後構成。在 第1圖中，TFT3 0及儲存電容6 0會分別在玻璃基板 -24- (20) (20)594362 1〇’上形成矩陣狀複數配列。 各TFT3〇是由：半導體膜1 (在第1圖中塗成黑 色的預定圖案），及形成於該半導體膜1上的閘極絕緣膜 (在第1圖中未圖示），以及形成於該閘極絕緣膜上的閘 極電極所構成。其中，閘極電極是構成延伸於第1圖中橫 方向的掃描線3 a的一部份，對位於某行的掃描線3 a進 行通電•非通電，藉此而能夠同時針對與該行同一行中所 存在的TFT3 0進行ON · OFF動作。 又’上述半導體膜1中形成有：隔著閘極絕緣膜而位 於閘極電極下的通道領域1 a ’ ，及相鄰於該通道領域 la’的源極領域1 d及汲極領域1 e。在第1實施型態 中’如圖所示，通道領域1 a ’會存在兩個，亦即具有雙 鬧構造。 又’源極領域1 d及汲極領域1 e (分別相當於後述 的「高濃度源極領域1 d ’」及「高濃度汲極領域 1 e’」）上形成有源極電極及汲極電極（在第1圖中省 略）。其中，在後述的液晶顯示裝置中，資料線6 a的一 部份會當作源極電極。並且，透明電極8及反射電極9會 電性連接於汲極電極，且該透明電極及該反射電極會更對 向於液晶5 0。 另一方面，如第1圖所示，儲存電容6 0是由上部電 極6 1及下部電極6 2以及夾持於該等兩電極的介電質膜 (在第1圖中未圖示）所構成。其中，上部電極6 1是構 成電容線3 b的一部份，且與上述掃描線3 a同一膜，亦 -25- (21) (21)594362 即在製造過程時，會與該掃描線3 a同時形成。又，下部 電極6 2是與構成上述TFT3 0的半導體膜1同一膜， 且兼帶由該半導體Θ吴1延設的延設部份1 f 。又，介電質 膜是與構成上述T F τ 3 0的閘極絕緣膜同一膜。 如此的儲存電容6 0是用以一定時間保持施加於該畫 素的液晶的電場。 在此，就第1實施形態而言，半導體膜1的圖案，特 別是構成儲存電容6 0的一部份，亦即元件符號1 κ所示 的滑動交叉部具有特徵。第2圖是表示只取出該半導體膜 1的圖案來予以顯示者。在第1實施形態中，如第1及2 圖所示，半導體膜1中的滑動交叉部1 K是構成「鉤型的 形狀」的一部份。 在此’所謂第1實施形態的「鉤型的形狀」，更詳而 言之，是形成連接有：由構成T F T 3 0的通道領域 la’等所存在的部份延伸於第1圖及第2圖中上下方向 的一長方形狀的圖案（以下稱爲「第1圖案」）1A，及 由該第1圖案A的上端使其長度方向與第1圖及第2圖中 上下方向垂直的右方向一致之其他的長方形狀的圖案（以 下稱爲「第2圖案」）1B。並且，在此所謂的「第2圖 案1 B」是位於幾乎與上述下部電極6 2乃至延設部份 1 f 一致的部位。 又，第1圖案1A的右邊1AR及第2圖案1 B的下 邊1 B U之間存在別的線段1 X，且上述右邊1 a R及上 述別的線段1 X所成的角度，以及上述下邊1 B R及上述 -26- (22) (22)594362 別的線段1 X所成的角度是分別形成1 3 5 ^。在此，所 謂具有該1 3 5 ^的具體値之角度’是如第1圖及第2圖 所示，由滑動交叉部1 K來看，有關形成於延設部份1 f 的外方側的「角部」之角度。 亦即，在第丨實施形態中，右邊1 A R及下邊1 B u 是藉由滑動交叉部1 K來形成「平滑」連接。此點，與以 往在半導體膜1 〇 0 0的圖案中，如第3圖所示，藉由上 述右邊1 AR及下邊1 B U來形成交叉部1 〇 〇 〇Κ有所 不同。 此外，在上述第2圖所示的圖案中’顯示於兩處的角 度13 5°的補角（亦即’ 「角落部」的角度或「內 角」）分別爲2 2 5 °，皆大於1 8 0 °，小於 2 7 0 °。亦即，該等角部是分別相當於本發明中所謂的 「第3角部」及「第4角部」。又，由於該補角2 2 5 。 的一方，亦可視爲大於1 8 0 °，且小於2 7 0 。，該補 角2 2 5 °的另一方可視爲9 0 °以上，因此該等角部可 將上述一方視爲「第5角部」，以及將上述另一方視爲 「第6角部」。 若利用形成如此形態的半導體膜1乃至其延射部份 1 f ，以及形成於該延設部份1 f上的介電質膜及上部電 極6 1的話’則可取得本發明所特有的效果，亦即可降低 在半導體膜1與上部電極6 1間發生短路的可能性。 以下’針對此點，一邊進行上述要件的形成過程的說 明，一邊參照第4〜6圖來進行說明。第4圖及第5圖是 -27- (23) (23)594362 依次顯示以第2圖的X - X ’線來剖面時之上述半導體膜 1 ，介電質膜2及上部電極6 1的形成過程。第6圖是顯 示以第3圖的Y — Y ’線來剖面時的情況。但，第6圖只 顯示出對應於第5圖的過程（D )〜（G )之過程 (D ’ ）〜（G ’ ）。 在第4圖中，首先就過程（A)而言，是在經適當的 洗淨過程後的玻璃基板1 0 ’上，形成由矽等所構成的半 導體膜1的原薄膜P 1 ，且於該原薄膜P 1上形成光阻劑 膜5 5 1 。並且，在此雖省略其詳細說明，但實際上由於 原薄膜P 1在成膜當初爲非晶質，因此一般會藉由雷射退 火等來進行予以形成多結晶構造的過程（參照第1 7圖的 步驟S 1 2及其說明）。 其次，就過程（B )而言，是經由微影光罩9 0 1來 對光阻劑膜5 5 1照射自光源所發出的光（曝光過程）。 在此，於微影光罩9 0 1中形成有透過部9 0 1 a (以和 對應於玻璃基板1 0 ’的全面之第1圖所示的圖案正好相 反的圖案來形成者），剩餘的部份則形成非透過部 9〇1 b。並且，形成該等透過部90 1 a及非透過部 9 0 1 b的圖案，當然也會反映上述「平滑」的滑動交叉 部1 K的形狀。藉此，在光阻劑膜5 5 1中形成有對應於 第1圖所示的圖案之感光領域及非感光領域。 其次，在過程（C )中，會針對一部份曝光的光阻劑 膜5 5 1來進行顯像，而去除感光領域的光阻劑膜5 5 1 (顯像過程）。然後，對殘留的光阻劑膜5 5 1進行烘烤 -28- (24) (24)594362 處理等之後，以被去除光阻劑膜5 5 1的部份來對暴露於 外部的上述原薄膜P i實施蝕刻（蝕刻過程），藉此來對 原薄膜P 1賦予預定的圖案，亦即可使該原薄膜p 1形成 半導體膜1。 並且’以下會追加一儲存電容6 0的形成過程，而將 目前爲止所稱的「半導體膜i」之處稱爲「延設部份 1 f」° 接著’在第5圖的過程（D )中，剝離光阻劑膜 551 。其次’在過程（E)中，爲了使半導體膜1的_ 面淸靜化，而於形成絕緣膜之前，使用稀氟酸來進行輕蝕 刻處理。藉此處理，未層疊有半導體膜1的領域之玻璃基 板10’的表面會些微被蝕刻。 在此’若比較第5圖的過程（E )與第6圖的過程 (E ’ )，則可知在後者中，鈾刻會進行至對應於第3圖 所示的直角部份之半導體膜1下爲止，而產生下切U。換 言之，在第6圖的過程（E，）中，延設部份If的下面 之表面會形成露出狀態，而導致形成暴露於外部的狀態。 此點，在第5圖的過程（E )中不會產生下切U。這是因 爲如第2圖所示，構成延設部份1 f的滑動交叉部1 K與 第3圖所示的交叉部1 〇 〇 〇Κ有所不同’亦即爲「平 滑」所致。 其次，在第5圖的過程（F)中，在延設部份1 形成介電質膜2。然後，在第5圖的過程（G)中’若在 此介電質膜2上形成上部電極6 1 ，則可完成儲存電容 -29- (25) (25)594362 6 0。並且，在實際的儲存電容6 0的形成過程中，爲了 使上述下部電極6 2具有適當的導電性，而對該下部電極 6 2實施雜質離子的植入過程（參照第1 7圖的步驟 5 1 5 )。而且，在去除延設部份1 ί的半導體膜1中， 在將來應成爲TFT3 0的部份形成有與上述介電質膜2 同時形成的閘極絕緣膜。亦即，在這些介電質膜2與閘極 絕緣膜之間並非本質上有所不同。但，會針對應形成該 T F Τ 3 0的部份之半導體膜1 ，如後述一般進行預定的 雜質植入。 在此，若比較第5圖的過程（F) ， （G)與第6圖 的過程（F ’ ) ， （ G ’ )，則其不同點可明確得知。亦 即，在第6圖的過程（F’ ）中，因存在第6圖的過程 (Ε’ ）所示的下切U，所以介電質膜2的成膜並未完 成。更詳而言之，介電質膜2會以能夠避開下切U之方式 來只成膜於除去該部位的延設部份1 f及玻璃基板1 0 ’ 上。這是因爲成膜過程在藉由濺鍍等來進行時，無法供應 充分的粒子給形成陰影的部份所致。例如，把他想像成下 雪後積雪的情景較容易理解。因此，如第6圖的過程 (G ’ ）所示，若之後形成上部電極6 1 ，則上部電極 6 1會進入介電質膜2未充分成膜的部份，亦即下切U的 部份。其結果，如第6圖的過程（G ’ ）中箭頭所示，延 設部份1 ί與上部電極6 1會出現接觸狀態，而導致兩者 間發生短路。 這點在第1實施形態中，如第5圖的過程（G )所 -30- (26) (26)594362 示’不會產生上述缺點。亦即，可降低延設部份1 f及上 部電極6 1間發生短路的可能性。此乃延設部份1 ί中因 其滑動交叉部1 Κ平滑連接所產生的效果。 又，上述介電質膜2 ，例如形成1 〇〜1 5 0 n m程 度之較薄的厚度時，上述的作用效果會更能有效地發揮。 這是因爲介電質膜2越薄，則會如第6圖的過程（G ’ ) 所示，延設部份1 f與上述電極6 1之間越容易發生短 路。這點若利用第1實施形態，則即使介電質膜2較薄， 只要不產生第6圖的過程（E ’ ）所示的下切U，照樣幾 乎不會有發生短路之虞。並且，在第1實施形態中，由於 是最後會形成儲存電容6 0，因此介電質膜2的厚度越薄 越好。亦即，若利用第1實施形態，則亦可構成較大容量 的儲存電容6 0 又，若要將介電質膜2的厚度規定成上述那樣，則第 1實施形態之半導體膜1的圖案的更具體大小爲第2圖所 示之L1〜L5的長度，例如Ll = 4〇//m，L2 = L 3 = 1 5 // m，L 4 = L 5 = 3 // m。其中，特別是對 上述介電質膜2的厚度而言，若將L 4及L 5的長度，換 言之，若將滑動交叉部1 K的具體大小設定成上述那樣， 則可使產生下切U的可能性降到非常的小。 又，上述第1實施形態中，雖是假設在半導體膜1上 藉由形成介電質膜2之前的輕蝕刻來形成下切時的情況進 行說明，但亦可適用或應用於使半導體膜1形成圖案時的 鈾刻過程（第4圖的過程（C ))等，其他可能形成第6 -31 - (27) (27)594362 圖的過程（E ’ ）所示之下切U，亦即在所有的過程中進 行具有與上述同樣的「滑動交叉部」之圖案形成的形態， 如此一來，上述的作用效果可約同樣地被發揮。 又’上述中，雖只在第1圖及第2圖所示的滑動交叉 部1 K中，針對予以平滑連接的形態來進行說明，但本發 明並非只限定於此形態。若爲形成近似於第1圖及第2圖 所示半導體膜1及延設部份1 ί的圖案之圖案，則例如有 第7〜9圖所示的各種變形形態。 首先’在第7圖中，除了滑動交叉部1 Κ以外，有關 在第2圖所示的圖案上形成直角的交叉部也會作爲滑動交 叉部1 L ’ 1 Μ來予以平滑連接。藉此，在該滑動交叉部 1 L，1 Μ中亦可迴避上述不良的情況發生。此情況，有 關「角落部」的角度爲1 3 5 °。又，一般有關第7圖的 其他直角部份，例如將來應形成T F Τ 3 0之半導體1的 部份的直角部份，當然亦可實施同樣的措施。 又’第8圖中，構成滑動交叉部1 Κ的線段，並非如 第2圖所示只有上述右邊1 AR，上述下邊1 BU，及別 的線段1 X等三條，亦即除了上述右邊1 A R及上述下邊 1 B U以外，另外還追加別的線段1 X ’及別的線段 IX 等四條。如此一來，如圖所不’更可形成平滑的連 接。 此外，在第8圖中可知下邊1 B u及別的線段1 x ” 所成的角度，右邊1 A R及別的線段1 x ’所成的角度， 以及別的線段1 X，及1 X ”所成的角度皆大約形成 -32- (28) (28)594362 1 50 °。如此一來，當「角度」形成比135 ^還要大 時，即使上述介電質膜2的厚度爲5 0 n m以下，照樣可 在構成儲存電容6 0的兩電極間，降低發生短路的可能 性。 另外，在第9圖中可知滑動交叉部1 K包含一曲線， 亦即圓周的一部份1 Y。這可謂連接成「平滑」時的最後 形態。 無論如何，這些變形形態皆可發揮與本發明同樣或以 上的特有作用效果，亦即可降低產生下切U的可能性，因 而能夠降低在延設部份1 f與上部電極6 1之間發生短路 的可能性。 又，本發明並非是侷限於第1圖及第2圖所示之半導 體膜1的圖案，亦可適用於其他種種的形態。在第1 〇圖 中顯示其一例子，此爲具有「凸型的形狀」之圖案的典型 例，亦即在延伸於左右方向的一長方形狀的圖案1 C的上 邊1 C A與在上述一長方形狀的圖案1 C中形成直角之延 伸於上下方向的其他長方形狀的圖案1 D的左邊1 D L及 右邊1 D R之間會有別的線段1 Z及1 Z ’存在。藉此， 形成滑動交叉部1 N及1 Ν’ ，且該等滑動交叉部1 Ν及 1 Ν ’會平滑地連接。 附帶說明，如此的形狀在第1圖中可針對掃描線3 a 來看。亦即，若著眼於第1圖中延伸於橫方向的掃描線 3 a與應由該掃描線3 a所形成的鬧極電極的突出部份白勺 話，則這可視爲包含以第1 0圖那樣的圖案來作爲其基本 -33- (29) (29)594362 要件。 又，本發明亦包含下述的形態。亦即，至少包含2個 以上的角部之圖案，上述角部包含：其內角大於 1 8 Ο ε，小於2 7〇ε的第1角部；及 鄰接於該第1角部，且其內角大於9 0 ^，小於 1 8〇°的第2角部。 就其具體例而言，例如第1 1圖所示者。在此第i 1 圖中，元件符號A 1所示的角部之角落部的角度（或內 角）是大於1 8 0 °，小於2 7 0 °。又，元件符號A 2 所示的角部之角落部的角度（或內角）是大於大於 9 〇 °，小於1 8 0 °。又，該等角部A 1及A 2會彼此 鄰接。 同樣的，此情況亦可降低產生上述下切U的可能性， 因而能夠降低在延設部份與上部電極之間發生短路的可能 性。 (第2實施形態） 其次，以更具體的實施形態（亦即以第1實施形態所 述的T F T 3 0及儲存電容6 0作爲光電裝置的構成要件 而女裝的具體實施形態）作爲第2實施形態來進行說明。 以下是以光電裝置爲適用於液晶顯示裝置的形態來進行說 明0 (光電裝置的基本構成） -34- (30) (30)594362 首先’參照第1 2〜1 4圖來說明第2實施形態的液 晶顯示裝置的基板構成。第1 2圖是表示由對向基板側所 見之T F T陣列基板及形成於上面的各構成要件之平面 圖。第13圖是表示第12圖之Η — 剖面圖。第14 圖是表示在構成光電裝置的畫像顯示領域之矩陣狀的複數 個畫素的各種元件及配線等之等效電路圖。 在第1 2及1 3圖中，在第2實施型態的光電裝置 中，T F Τ陣列基板1 0與對向基板2 0會被對向配置。 在T F Τ陣列基板1 〇與對向基板2 0之間封入有液 晶層5 0 ，且T F Τ陣列基板1 〇與對向基板2 0會藉由 位於畫像顯示領域1 0 a周圍的密封領域的密封材5 2來 予以互相接合。 爲了貼合兩基板，密封材5 2是例如由熱硬化性樹 脂，熱及光硬化樹脂，光硬化樹脂，紫外線硬化樹脂等所 構成，在製程中，塗佈於T F T陣列基板1 〇上之後，藉 由加熱，加熱及光照射，光照射，紫外線照射等來予以硬 化。 在如此的密封材5 2中混在供以使兩基板間的間隔形 成預定値的間隔材（例如，玻璃纖維或玻璃串珠等）。亦 即，第2實施形態的光電裝置是適合進行作爲投影機的光 閥之小型擴大顯示。但，若該光電裝置爲液晶顯示器或液 晶電視之類進行大型等倍顯示的液晶裝置，則如此的密封 材亦可含於液晶層5 0中。 在密封材5 2的外側領域中，以預定的時序來供應畫 -35- (31) (31)594362 像訊號給資料線6 a ，而藉此來驅動該資料線6 a的資料 線驅動電路2 0 1及外部電路連接端子2 0 2會沿著 T F T陣列基板1 0的一邊來設置，又，以預定的時序來 供應掃描訊號給掃描線3 a ’ ，而藉此來驅動掃描線 3a’的掃描線驅動電路2 0 4會沿著鄰接於該一邊的兩 邊來設置。 又，若沒有掃描訊號延遲的問題，亦即若沒有供應至 掃描線3 a ’的掃描訊號延遲的問題，則掃描線驅動電路 2 0 4亦可只設置於一側。又，亦可沿著畫像顯示領域 1 0 a的邊來將資料線驅動電路2 0 1配列於兩側。 在T F T陣列基板1 〇的剩餘一邊，設有供以連接設 置於畫像顯示領域1 0 a兩側的掃描線驅動電路2 0 4間 之複數條的配線2 0 5。 此外，在對向基板2 0的角落部的至少一處，設有供 以電性導通T F T陣列基板1 0與對向基板2 0之間的導 通材206。又，如第13圖所示，具有與第12圖所示 的密封材5 2幾乎相同輪廓的對向基板2 0會藉由該密封 材5 2來固接於T F T陣列基板1 〇。 另外，在第1 3圖中，在TFT陣列基板1 0上，在 形成有畫素開關用的T F T 3 0 ’或掃描線，資料線等的 配線之後的畫素電極上形成有配向膜。另一方面，在對向 基板2 0上，除了對向電極2 1以外，在最上層部分還形 成有配向膜。又，液晶層5 0是例如由混合一種或數種類 的向列液晶的液晶來構成，在該等一對的配向膜間取預定 -36· (32) (32)594362 的配向狀態。 在具有如此構造的光電裝置1 〇 〇的畫像顯示領域 1 〇 a中，如第1 4圖所示，複數的畫素1 00 a會構成 矩陣狀。 在第1 4圖中，在複數個畫素1 〇 〇 a中分別形成 有：透明電極8及反射電極9 (以下在倂稱時，簡單稱爲 「畫素電極8及9」）’及供以開關控制該畫素電極8及 9的T F T 3 0 ’ 。並且，供給畫像訊號的資料線6 a會 電性連接於該T F T 3 0 ’的源極。寫入資料線6 a的畫 像訊號S 1 ，S 2，、、、，S η可依此順序來供給，或 者針對相鄰接的複數條資料線6 a ，以每個群組方式來供 給。 又，掃描線3 a ’會電性連接於T F T 3 0，的閘 極，以預定的時序來依次地將掃描訊號G 1 ， G 2 ，、、、，G m施加於掃描線3 a ’ 。又，畫素電極 8 ，9會電性連接於T F T 3 0 ’的汲極，只在一定期間 關閉開關元件的T F T 3 0 ’ ，藉此來以預定的時序寫入 由資料線6 a所供給的畫像訊號S 1 ，S 2，、、、， S η 。 又’經由畫素電極8 ’ 9來寫入光電物質（液晶）之 預定位準的畫像訊號SI ，S2，、、、，§11會在形成 於對向基板的對向電極之間保持一定期間。並且，液晶是 根據所被施加的電位位準來變化分子集合的配向或秩序， 藉此來調變光，而使能夠進行灰階顯示。若爲正常白色模 -37- (33) (33)594362 式，則會按照以各畫素的單位所被施加的電壓來減少對入 射光的透過率，若爲正常黑色模式，則會按照以各畫素的 單位所被施加的電壓來增加對入射光的透過率，由全體光 電裝置來射出具有對應於畫像訊號的對比度之光。 在此，爲了防止所被保持的畫像訊號洩漏，而附加一 與液晶電容（形成於畫素電極8 ，9與對向電極之間）並 列的儲存電容6 0 ’ 。此儲存電容6 0 ’是與掃描線 3a’並列設置，包含固定電位電容電極，且設有固定於 一定電位的電容線3 b ’ 。當然，此儲存電容6 0 ’是相 當於上述第1實施形態的儲存電容6 0 ，且電容線3 b ’ 也是同樣的。 (T F T陣列基板的構成） 第1 5圖是表示使用於第2實施形態中的T F T陣列 基板之相鄰接的複數個畫素群的平面圖。第1 6圖是表示 第1 5圖之A — A ’線的畫素剖面圖。並且，在第1 5圖 中只顯示出一畫素。 在第1 5圖中，在T F T陣列基板上，由鋁，銀，或 該等的合金，或者鈦，氮化鈦，鉬，鉅等的層疊膜所構成 的反射電極9會被形成矩陣狀，且畫素開關用的 T F T 3 0 ’會分別經由透明電極8來對各反射電極9進 行電性連接。並且，沿著形成反射電極9的領域的縱橫境 界來形成資料線6 a ，掃描線3 a ’及電容線3 b ’ ，而 且T F T 3 0 ’會被連接於資料線6 a及電容線3 b ’ 。 -38- (34) (34)594362 亦即，資料線6 a會經由接觸孔來電性連接於 T F T 3 0 ’的高濃度源極領域1 d ’ ’透明電極8會經 由接觸孔1 5及源極線6 b來電性連接於T F T 3 0 ’的 高濃度汲極領域1 e ’ 。並且，掃描線3 a ’會以能夠對 向於T F T 3 0 ’的通道領域1 a ”之方式來延伸。 又，儲存電容6 0 ’是以使半導體膜1 (供以形成畫 素開關用的T F T 3 0 ’ ）的延設部份1 ί ’導電化的部 份作爲下部電極，在此下部電極與掃描線3 a ’同層的電 容線3b’會作爲上部電極而形成重疊的構造。又，該等 上部電極及下部電極是相當於上述第1實施形態的上部電 極6 1及下部電極6 2。亦即，下部電極是與構成上述 TFT30’的半導體膜1同時形成，上部電極是在該下 部電極上隔著介電質膜來形成（該介電質膜是與後述的 「閘極絕緣膜」）同一膜。因此，在後述中，對「介電質 膜」及「閘極絕緣膜」使用相同的元件符號「2 ’」）。 特別是如第1 5圖所示，延設部份1 f ’乃至構成下 部電極圖案的滑動交叉部1 KK會如前述第2圖所示一 般，形成平滑的連接。並且，在第1 5中，更如第7圖所 示一般，滑動交叉部1 L L及1MM也會形成實現平滑連 接的圖案，且有關新的滑動交叉部1 〇也會採用實現平滑 連接的圖案。 在如此構成的各畫素1 〇 〇 a中，如第1 5圖所示， 會形成具有透過窗1 4的反射電極9 ，且於其表面上，第 1 5圖中未顯示的凹凸層7會被形成於全面。並且，對應 -39- (35) (35)594362 於透過窗1 4的領域是以透過模式來進行畫像顯示的透過 領域（藉由透明電極8來覆蓋），其他的領域則是具備後 述的凹凸形成層，凹凸層及反射電極9的反射領域，在此 是以反射模式來進行畫像顯示。 如第1 6圖所示，在以此反射領域A - A ’線切斷時 的剖面，是在作爲T F T陣列基板1 〇的基體之透明的 T F T陣列基板用的玻璃基板1 〇 ’的表面上形成有由厚 度1 0 0〜5 0 0 nm的氧化矽膜（絕緣膜）所構成的下 層保護膜1 1 ，且在此下層保護膜1 1的表面上形成有厚 度30〜100nm的島狀半導體膜1’ 。又，在半導體 膜1 ’的表面上形成有由厚度約5 0〜1 5 0 n m的氧化 矽膜所構成的閘極絕緣膜2 ’ ，且在此閘極絕緣膜2 ’的 表面上，厚度300〜800nm的掃描線3a’會作爲 閘極電極而延伸。 在半導體膜1’中，隔著半導體膜1’而呈對向的領 域會形成通道領域1 a ” 。在此通道領域1 a ”的一方側 形成有具備低濃度領域1 b及高濃度源極領域1 d ’的源 極領域，在另一方側形成有具備低濃度領域1 b及高濃度 汲極領域1 e ’的汲極領域，其中間形成有皆不屬於源極 及汲極的任何領域之高濃度領域1 c。 在畫素開關用的T F T 3 0 ’的表面側形成有由厚度 3 0 0〜8 0 0 n m的氧化矽膜所構成的第1層間絕緣膜 4，及由厚度1 0 〇〜8 0 0 nm的氮化ϊ夕膜所構成的第 2層間絕緣膜5 (表面保護膜）。但，依情況，該第2層 -40- (36) (36)594362 間絕緣膜5亦可不形成。並且，在第1層間絕緣膜4的表 面上形成有厚度爲3 0 0〜8 0 0 n m的資料線6 a ，此 資料線6 a是經由形成於第1層間絕緣膜4的接觸孔來電 性連接於高濃度源極領域1 d ’ 。 在第2層間絕緣膜5的上層依次形成有由有機樹脂等 的感光性樹脂所構成的凹凸形成層1 3及凹凸層7 ，且於 凹凸層7的表面形成有由I T ◦膜等所構成的透明電極 8 ，在此透明電極8的上層依次形成由鋁，銀，或該等的 合金，或者鈦，氮化鈦，鉬，鉅等的層疊膜所構成的反射 電極9。在此反射電極9的表面形成有對應於凹凸層7的 表面凹凸形狀之凹凸圖案9 g。 反射電極9及透明電極8會經由接觸孔1 5來與源極 電極6 b電性連接。在反射電極9的表面形成有供以使來 自背光光源的光透過之透過窗1 4。 在反射電極9的表面側及藉由透過窗1 4的形成而形 成最上層的透明電極8的表面側形成有由聚醯亞胺膜所構 成的配向膜1 2。並且，在此配向膜1 2的表面側施以面 磨處理。 又，對來自高濃度汲極領域1 e ’的延設部份1 ί ’ 乃至下部電極而言，會隔著與閘極絕緣膜2 ’同時形成的 絕緣膜（亦即，含介電質膜2 ’ 。參照第4圖）來藉由與 上部電極（以和掃描線3 a ’同層的電容線3 b ’作爲上 部電極）呈對向之方式而構成一儲存電容60’ 。
又，TFT30’如上述雖最好是具有LDD -41 - (37) (37)594362 (Lightly Doped Drain)構造，但亦可具有在相當於低濃 度領域1 b的領域中不進行雜質離子的植入之偏置構造。 並且’TFT 3 0’是以閘極電極（掃描線3 a’的一部 份）作爲光罩，在高濃度下植入雜質離子，自我整合地形 成高濃度的源極及汲極領域之自調整型的T F 丁。 又，就第2實施形態而言，爲雙閘構造，亦即在源極 一汲極領域之間配置兩個T F T 3 0 ’的閘極電極，但亦 可爲配置1個的單閘構造，或者在其間配置三個以上的閘 極電極之三閘以上的構造。在配置複數個時，會在各個閘 極電極中會施加同一訊號。若如此以雙閘或三閘以上來構 成T F T 3 0 ’ ，則可防止在通道與源極-汲極領域的接 合部發生洩漏電流，可降低〇 F F時的電流。又，若使該 等閘極的至少1個形成L D D構造或偏置構造，則更能降 低〇F F電流，取得安定的開關元件。 在第1 5圖及第1 6圖中，就TFT陣列基板1 0而 言，會在各畫素1 〇 〇 a的反射領域中，亦即反射電極9 的表面中離開T F T 3 0 ’的形成領域及接觸孔1 5的領 域（凹凸層形成領域）中，如上述形成有凹凸圖案9 g。 在構成如此的凹凸圖案9 g時’就第2實施形態的 T F T陣列基板1 〇而言’在上述凹凸形成領域中’由鹼 性樹脂等的有機系透光性感光樹脂所構成的凹凸形成層 1 3會在第2層間絕緣膜5的表面上，例如藉由旋轉塗佈 法等來形成1〜3 的厚度，且在此凹凸形成層1 3的 上層，例如藉由旋轉塗佈法來層疊厚度1〜2 // m的凹凸 -42- (38) (38)594362 層7 ，該凹凸層7是由鹼性樹脂等的有機系透光性感光樹 脂等之類的流動性材料所形成的絕緣膜來構成。 在凹凸形成層1 3中形成有多數個凹凸。因此，如第 1 6圖所示，在反射電極9的表面上形成有對應於凹凸層 7的表面凹凸形狀的凹凸圖案9 a ，且在此凹凸圖案9 a 中會藉由凹凸層7來使能夠不會出現凹凸形成層13的邊 緣。或者亦可不形成凹凸層7，而於形成凹凸形成層1 3 之後，藉由烘烤過程來使凹凸形成層1 3的凹凸邊緣形成 平滑。 (光學裝置的作用） 在如此構成的第2實施形態的光電裝置1 0 0中，因 爲形成有反射電極9 ，所以可將自對向電極2 0側射入的 光反射於T F T陣列基板1 0側，且自對向基板2 0側射 出，因此在其間，只要利用液晶5 0在每個畫素1 0 0 a 進行光調變，便可利用外光來顯示所期望的畫像（反射模 式）。 又，第1 5圖及第1 6圖中，由於光電裝置1 00中 形成有透明電極8 (以能夠覆蓋設置於反射電極9的透過 窗1 4之方式來形成），因此亦具有作爲透過型的液晶顯 示裝置的機能。亦即，自配置於T F T陣列基板1 〇側的 背光裝置（未圖示）射出的光會在射入T F T陣列基板 1〇側之後，在各畫素1 0 0 a中形成有反射電極9的領 域中’經由未形成有反射電極9的透過領域，亦即經由藉 -43- (39) (39)594362 透明電極8而覆蓋的透過窗i 4來透過至對向基板2 Ο 側°因此’只要利用液晶5 0在每個畫素1 〇 〇 a進行光 調變’便可利用自背光裝置（未圖示）射出的光來顯示所 期望的畫像（透過模式）。 又’第2實施形態的光電裝置1 〇 〇中，特別是構成 _存電容6 〇 ’的下部電極會如第1實施形態那樣形成具 有平滑的滑動交叉部1 K K的圖案，因此在藉由光蝕刻微 景乂法來形成該下部電極時，在其下方不會產生如第1實施 形態1所述的下切U。因此，該下部電極的表面不會露出 於外部，即使對上述電部進行成膜，使兩者間產生短路的 可能性還是會被降低。 藉此’在第2實施形態中，儲存電容6 0 ’可充分發 揮原本所預定的機能，進而能夠實現光電裝置的正確動 作。 (製造方法） 參照第1 7圖的流程圖來說明T F T陣列基板1 0。 首先，在準備一藉由超音波洗淨等而淸淨化後的 T F T陣列基板用的玻璃基板1 〇 ’之後，在基板溫度爲 1 5 〇 °C〜4 5 0 °C的溫度條件下，在玻璃基板1 0 ’的 全面，藉由電漿CVD法來形成厚度1 0 0 nm〜5 0 0 n m的底層保護膜1 1 (由氧化矽膜所構成）。就此刻的 原料氣體而言，例如可使用甲矽烷與笑氣氣體（一氧化二 氮）的混合器體或TE〇S (S i (OC2H5) 4)及氧 • 44 - (40) (40)594362 氣’或乙氣院及氨氣（步驟SI 1)。 其次，在基板溫度爲1 5 0 t〜4 5 0 t的溫度條件 下，在T F 丁陣列基板用的玻璃基板1 0 ’的全面，藉由 電漿C V D法來將由非晶質矽膜所構成的半導體膜1 ’形 成3 0 n m〜1 〇 〇 n m的厚度。就此刻的原料氣體而 言，例如可使用乙氣烷或甲矽烷。其次，對此原薄膜照射 雷射光，而來施以雷射退火。其結果，非晶質的原薄膜會 一度溶融，經冷卻固化過程而結晶化，形成包含多結晶聚 矽膜者（步驟S 1 2 )。此刻，往各領域的雷射光的照射 時間會非常短，且照射領域對基板全體而言爲局部，因此 基板全體不會同時被加熱成高溫。如此一來，即使使用玻 璃基板等來作爲T F T陣列基板用的基板，也不會因熱而 產生變形或破裂等。 其次，利用光蝕刻微影技術，隔著光阻劑膜來對該原 薄膜進行蝕刻，而形成具有分離成島狀的圖案之半導體膜 1’ （主動層）（步驟S13)。此過程只要與第4圖中 所述的過程（A )〜（C )同樣地實施即可。亦即，使用 微影光罩的透過部及非透過部爲包含具有第2實施形態的 滑動交叉部IKK，ILL ，1MM及1〇之類的圖案者 所形成的微影光罩來對上述光阻劑膜實施曝光過程，藉此 來使原薄膜形成具有上述滑動交叉部1 KK等的圖案，而 形成半導體膜1 ’ 。 其次，在剝離上述光阻劑膜之後，爲了使上述半導體 膜1 ’的表面淸靜化，而進行使用稀氟酸液的輕蝕刻處理 -45- (41) (41)594362 (步驟S 1 4 )。藉此處理，未被層疊半導體膜1 ’的領 域之玻璃基板1 〇 ’的表面會些微地被飽刻。又，此刻， 在第2實施形態中，會進行第1實施形態的第5圖所示過 程（E )的輕蝕刻，而使於半導體膜1 ·下不會產生第6 圖的過程（E )所示的下切U。這將如上述一般，半導體 膜1 ’會形成含滑動交叉部1 K K的圖案。 接著，在3 5 0 °C以下的溫度條件下，在玻璃基板 10’的全面，且藉由CVD法等，在半導體膜1，的_ 面形成厚度1 0〜1 5 0 n m的閘極絕緣膜2 ’ （由氧化 矽膜等所構成）。此刻的原料氣體，例如可使用T E S〇 與氧氣的混合氣體。在此形成的閘極絕緣膜2 ’亦可取代 氧化矽膜，而使用氮化矽膜（步驟S 1 5 )。並且，在形 成此閘極絕緣膜2 ’的同時，亦可形成介電質膜2。 其次，隔著預定的光阻劑光罩來將雜質離子植入半導 體膜1 ’的延設部份1 ί ’ ，而在與電容線3 b ，之間形 成供以構成儲存電容6 0 ’的下層電極（步驟S 1 6 )。 其次，藉由濺鍍法等，在T F T陣列基板用的玻璃基 板1 0 ’的全面，形成厚度3 0 0〜8 0 0 n m之供以形 成掃描線3 a ’等的金屬膜（由鋁，鉅，鉬等所構成）， 或介電膜（由以鋁’鉅，鉬等的其中之一爲主成份的合金 膜所構成）之後’利用光蝕刻微影技術來形成光阻劑光 罩。然後，隔著光阻劑光罩來對上述介電膜進行乾鈾刻， 形成掃描線3 a ’ （閘極電極），電容線3 b ’等（步驟 S 1 7 )。此刻，儲存電容6 0 ’的上部電極，當然可作 -46- (42) (42)594362 爲電容線3 b ’的一部份來同時形成。並且，在第2實施 形態中，在形成含此上部電極的電容線3 b *之後，可防 範該電容線3b’與上述半導體膜1’發生短路。這是因 爲在第2實施形態中，在半導體膜1 ·下不會產生下切所 致。 其次，形成T F T 3 0 ’ （步驟S 1 8 )。其詳細說 明如下。 首先，在畫素TFT部及驅動電路的N通道TF 丁部 (未圖示）側，以掃描線3 a ’及閘極電極作爲光罩，在 約 0 · 1 X 1 〇 1 3 / c m 2 〜1 〇 X 1 0 1 3 / c m 2 的摻 雜量下，植入低濃度的雜質離子（磷離子），而來對掃描 線3 a ’自我整合地形成低濃度源極領域1 b。在此，由 於是位於掃描線3 a ’的正下方，因此不會被導入雜質離 子的部份會原封不動形成半導體膜1 ’的通道領域 la” 。 其次’在畫素T F T部，形成比掃描線3 a ’ （聞極 電極）還要寬的光阻劑光罩，然後以約〇 · 1 x 1 5 /(：1112〜1〇><1〇15//(：1112的摻雜量來植入高濃度 的雜質離子（磷離子），而形成高濃度源極領域1 d，， 高濃度領域1 c及高濃度汲極領域1 e ’ 。 又，亦可取代該等雜質導入過程，亦即不進行低濃度 的雜質植入，而於形成比閘極電極還要寬的光阻劑光罩之 狀態下，植入高濃度的雜質離子（磷離子），形成偏置構 造的源極領域及汲極領域。又，亦可以掃描線3 a，作爲 -47- (43) (43)594362 光罩來植入局濃度的雜質，而形成自對準結構的源極領域 及汲極領域。 藉由以上來完成TFT30’ 。 然後’如第1 5圖及第1 6圖所示，只要依次按照習 知的技術來形成第1層間絕緣膜4 ，各種的接觸孔，資料 線6 a及源極線6 b ，第2層間絕緣膜5，凹凸形成層 1 3 ，凹凸層7，透明電極8，反射電極9 ，透過窗14 及配向膜12等（步驟S 19)，便可完成TFT陣列基 板1 0。 雖然上述各形態皆是以使用T F T來作爲畫素開關元 件的主動矩陣驅動方式的液晶顯示裝置爲例來進行說明， 但本發明亦可適用於使用T F D來作爲畫素開關元件的主 動矩陣驅動方式的液晶顯示裝置，或被動矩陣驅動方式的 液晶顯示裝置，或者使用液晶顯示裝置以外的光電物質 (例如，E L電激發光元件或發光二極體元件等）之光電 裝置，或電漿顯示裝置等。 (電子機器） 如此構成的反射半透過型的光電裝置1 〇 〇可作爲各 種電子機器的顯示部用，以下參照第i 8〜2 0圖來具體 說明其一例。 第1 8圖是表示使用本發明的光電裝置來作爲顯示裝 置之電子機器的電路構成方塊圖。 在第1 8圖中，電子機器具有：顯示資訊輸出源 -48- (44) (44)594362 7 Ο ’顯示資訊處理電路7 1 ，電源電路7 2 ，時序產生 器7 3 ，及液晶裝置7 4。在此，液晶裝置7 4具有液晶 顯示面板7 5及驅動電路7 6。就液晶裝置7 4而言，可 使用前述液晶裝置1 〇 〇。 並且，顯示資訊輸出源7 0具備：R〇M(Read Only Memory)，RAM(Random Access Memory)等記憶體，各種光 碟等的儲存單元，及同步輸出數位畫像訊號的同步電路 等。根據時序產生器7 3所產生的各種時脈訊號來將預定 格式的畫像訊號等的顯示資訊供應給顯示資訊處理電路 7 1° 顯示資訊處理電路7 1具備：序列-並列轉換電路， 放大·反相電路，低壓電路，7校正電路，及箝位電路等 習知的各種處理電路。執行輸入後的顯示資訊的處理，然 後將該畫像訊號與時脈訊號C L K 一起供應給驅動電路 7 6。並且，電源電路7 2會將預定的電壓供應給各構成 要件。 第1 9圖是表示本發明的電子機器之一實施形態，亦 即攜帶型個人電腦。在此所示的個人電腦8 0具有：具備 鍵盤8 1的本體部8 2 ，及液晶顯示單元8 3。液晶顯示 單元8 3包含上述液晶裝置1 〇 〇。 又，第2 0圖是表示本發明的電子機器之一實施形 態’亦即行動電話。在此所示的行動電話9 0具有：複數 個操作按鈕9 1 ，及由上述液晶裝置1 0 0所構成的顯示 部。 -49 - (45) (45)594362 本發明並非只限於上述實施形態，只要不脫離申請專 利範圍及說明中所記載的發明要旨及技術思想範圍，亦可 適宜地予以變更，隨該變更後的薄膜半導體裝置及光電裝 置，以及該等的製造方法及微影光罩皆屬本發明的技術範 圍。 【圖面之簡單說明】 第1圖是表示本發明之第1實施形態，具有平滑連接 的滑動交叉部之半導體膜的圖案之平面圖。 第2圖是表示僅顯示出第1圖之半導體膜的圖案之平 面圖。 第3圖是表示僅顯示出比較例之半導體膜的圖案之平 面圖。 第4圖是表示依次顯示第1圖及第2圖之半導體膜的 圖案及儲存電容的形成過程之剖面過程圖（其一）。 第5圖是表示依次顯示第1圖及第2圖之半導體膜的 圖案及儲存電容的形成過程之接續於第4圖的剖面過程圖 (其二）。 第6圖是表示依次顯示第3圖之半導體膜的圖案及儲 存電容的形成過程之剖面過程圖，將對應於第5圖之過程 (D)〜（G)的過程顯示爲過程（D’ ）〜（G’ ) ° 第7圖是表示半導體膜的圖案之其他形態的平面圖’ 追加第2圖的滑動交叉部，其他的交叉部可實現平滑的連 接之圖案的平面圖。 -50- (46) (46)594362 第8圖是表示半導體膜的圖案之其他形態的平面圖’ 第2圖的滑動交叉部可藉由複數條線段來實現平滑的連接 之圖案的平面圖。 第9圖是表示半導體膜的圖案之其他形態的平面圖， 第2圖的滑動交叉部可藉由圓周的一部份來實現平滑的連 接之圖案的平面圖。 第10圖是表示與第2 ，7及9圖不同之凸型形狀的 圖案，其交叉部可實現平滑的連接之圖案的平面圖。 第1 1圖是表示與第2 ，7及1 0圖不同之凸型形狀 的圖案，其交叉部可實現平滑的連接之圖案的平面圖。 第1 2圖是表示由對向基板側所見本發明之第2實施 形態的光電裝置之T F T陣列基板及形成於上面的各構成 要件之平面圖。 第13圖是表不第12圖之Η—H’剖面圖。 第1 4圖是表示在構成本發明之第2實施形態的光電 裝置之畫像顯示領域的矩陣狀的複數個畫素中所設置的各 種元件及配線等之等效電路圖。 第1 5圖是表示本發明之第2實施形態的光電裝置之 形成有資料線，掃描線，畫素電極等的T F Τ陣列基板之 相鄰接的複數個畫素群的平面圖。 第16圖是表示第15圖之a-Α’剖面圖。 第1 7圖是表示第2實施形態之光電裝置的製造方法 流程圖。 第18圖是表示以本發明的光電裝置來作爲顯示裝置 -51 - (47) (47)594362 之電子機器的電路構成方塊圖。 第1 9圖是表示使用本發明之光電裝置的電子機器之 一例的攜帶型個人電腦的說明圖。 第2 0圖是表示使用本發明之光電裝置的電子機器之 其他例的行動電話的說明圖。 [符號之說明] 1 :半導體膜 P 1 :原薄膜 la’ ，la” ：通道領域 1 ί ，1 f ’ ：延設部份 1 A :第1圖案 1 A R :右邊 1 B :第2圖案 1 B U :下邊 1 X，1 X ’ ，1 X ” ，1 Z，1 Z ’ ··其他線段 1 Y :曲線的一部份 1K，1KK，1L，1LL，1M，1MM， 1 N，1 N ’ ，1 0 :滑動交叉部 U :下切 2，2 ’ ：介電質膜（絕緣膜），閘極絕緣膜 3 a ，3 a ’ ：掃描線 6 a :資料線 8 :反射電極 -52- (48) (48)594362 9 :透明電極 1〇：T F T陣列基板 10’ ：玻璃基板 3 〇，3 0 ’ -TFT 5〇：液晶 6〇，60’ ：儲存電容 6 1 :上部電極 6 2 :下部電極 5 5 1 :光阻劑膜 9 0 1 :微影光罩 9〇1 a :透過部 9 0 1 b :非透過部 -53-