TW590907B - Thermoreversible recording medium, thermoreversible recording label, thermoreversible recording member, image processing unit and method of image processing - Google Patents

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590907 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於，適用於可重錄之點數 快速形成及消除目辨性優之畫像的熱可逆記 使用該熱可逆記錄媒體之熱可逆記錄標籤、 件、畫像處理置及畫像處理方法。 【先前技術】 熱可逆記錄媒體具有透明度隨溫度起可 層，因可於任意時序簡便形成、消除畫像， 及於可重錄之點數卡等。而近來該熱可逆記 其記錄裝置之小型化、低價化，不需特別的 僅以感熱頭即可形成、消除畫像，可予重錄 期待。 向來習知熱可逆記錄媒體有例如，分散 有機低分子化合物於氯乙烯-乙酸乙烯酯共 而成者（參照日本專利特開昭5 5 - 1 5 4 1 98號 知熱可逆記錄媒體因其呈透明性（透光性） 度（下稱「透明化溫度寬度」）僅2至41 透光性）、白濁性（遮光性）形成畫像時， 制之問題。爲此，有使用高級脂肪酸與脂族 物作爲上述有機低分子化合物，以擴大透明 2 0 °C左右消除畫像（透明化）之提議（參照 2 - 1 3 6 3號公報、特開平3 - 2 0 8 9號公報）。 卡等用途，可 錄媒體，以及 熱可逆記錄構 逆變化之感熱 近年來快速普 錄媒體，爲求 畫像消除機構 者之開發受到 高級脂肪酸等 聚物等樹脂中 公報）。但習 之溫度軺圍寬 ，以透明性（ 有溫度不易控 二羧酸之混合 化溫度寬度至 特開平 然而其雖若以 -5- (2) (2)590907 熱輥、熱板等作較長時間加熱即可消除白濁畫像（透明化 )，但用感熱頭以毫秒單位之極短時間加熱時，感熱層厚 度方向之溫度分布寬，該感熱層中距上述感熱頭遠之底部 加熱不足，有畫像無法充分消除之問題。 因而有使用上述感熱頭作重錄時，亦能充分消除畫像 的熱可逆記錄媒體之提議。例如，有含硫醚及脂族二元酸 作爲上述有機低分子化合物的熱可逆記錄媒體之提議（參 照特開平1 1 - 1 1 5 3 1 9號公報）。但該熱可逆媒體於長久加 熱時透明化溫度寬度雖變大，用感熱頭以毫秒單位之極短 時間加熱仍無法充分消除畫像，而且畫像形成後長久保存 在高於室溫之溫度下消除能起變化，畫像難以消除，有不 得充分的消除性、對比之問題。 也有含脂族硫醚作爲有機低分子化合物之方法（參照 特開2000-7 1 623號公報），含高級脂肪酸酯及脂族二元 酸作爲有機低分子化合物之方法（參照特開 2000-7 1 624 號公報）的提議。但這些因有玻璃轉移溫度遠高於有機低 分子化合物之結晶溫度的樹脂之使用，以感熱頭於毫秒單 位之極短時間加熱時，樹脂無法充分軟化畫像無法充分消 除’並且畫像形成後若在高於室溫之溫度下長久保存則消 除能起變化難以消除，有不得充分消除性、對比之問題。 另一方面，有含高級脂肪酸，及脂族飽和羧酸作爲有 機低分子化合物之方法（參照特開平7 -1 0 1 1 5 7號公報） ’含脂肪酸酯及具膽固醇骨架的脂肪酸作爲有機低分子化 合物之方法（參照特開平8 - 2 8 2 1 3 1號公報）的提議。但 -6 - (3) 該等因透明化溫度範圍在高溫領域，不具充分溫度寬度’ 用感熱頭以毫秒單位之極短時間加熱時，畫像無法充分消 除，而畫像形成後在高於室溫之溫度下長久保存則消除能 起變化，畫像難以消除，有不得充分的消除性、對比之問 題。 此外，有於感熱層表面設溫度梯度緩和層之提議（參 照特開200卜3 063 3號公報）。但因其感熱層厚，以感熱 頭於毫秒單位之極短時間加熱，則熱可逆記錄媒體底部， 即不與感熱頭接觸之一側加熱不足，無法充分形成、消除 畫像，並且畫像形成後在高於室溫之溫度下長久保存，則 消除能起變化畫像難以消除，有不得充分的消除性、對比 之問題。 更有混合特定交聯型樹脂的方法（參照特開平 8 - 7 2 4 1 6號公報、特開平8 - 1 2 7 1 8 3號公報），含感熱性聚 合物之方法（參照特開平1 0 - 1 〇 〇 5 4 7號公報）的提議。但 該等雖於畫像之消除性有所提升，然畫像之形成速度快， 以感熱頭於毫秒單位之極短時間加熱則不得充分之消除性 、對比，並且畫像形成後在高於室溫之溫度長久保存時消 除能變化，有不得充分消除性、對比之問題。 爲得免除上述問題之熱可逆記錄媒體，有使用玻璃轉 移溫度低於樹脂母料玻璃轉移溫度之樹脂的提案（參考專 利第3 003 745號公報）。但其畫像保持性不足，有畫像形 成後在高於室溫之溫度下保存時畫像消失，不得充分對比 之問題。 (4) 另有以鏈狀異氰酸酯化合物與環狀異氰酸酯化合物之 混合物用作交聯劑，減少畫像形成歷時後畫像消除性的劣 化之提案（參照特開2 0 0 0 - 1 9 8 2 7 4號公報）。但其畫像形 成歷時後畫像消除性雖經熱壓等靜態消除法之改善，而用 感熱頭以毫秒單位之極短時間加熱時，有畫像消除性無法 提升，不能充分消除畫像之問題。 又有於樹脂母材中配合凝固點3 0 °C以下之低分子量 聚酯樹脂，降低玻璃轉移溫度之提議（參照特開2 0 0 0 -52662號公報、特開2002_113956號公報）。但該等在畫 像形成後因該低分子量聚酯樹脂的遷移而畫像消失，有對 比不足且該低分子量聚酯樹脂析出之問題。 因此，用感熱頭以毫秒單位之極短時間加熱亦能充分 消除畫像，畫像形成歷時後消除能不起變化保持充分之消 除性、對比，且保存性、目辨性等優之畫像得以形成的熱 可逆記錄媒體，以及使用該熱可逆記錄媒體之相關技術， 目前尙未見提供。 本發明係以解決習知問題，達成以下目的爲課題。而 本發明之目的即在提供，處理速度快，以感熱頭於毫秒單 位之極短時間加熱亦能充分消除畫像，畫像形成歷時後消 除能不起變化而保有充分之消除性，高溫長久放置後保存 性、對比、目辨性優之畫像得以形成的熱可逆記錄媒體， 以及使用該熱可逆記錄媒體，適於各種標籤、卡片等熱可 逆記錄標籤，適作碟片、碟片卡匣、磁帶卡匣等之熱可逆 記錄構件，可形成處理速度快，對比、目辨性等優之畫像 -8- (5) (5)590907 的畫像處理裝置及畫像處理方法。 【發明內容】 本發明之熱可逆記錄媒體至少具有含樹脂及有機低分 子化合物，透明度隨溫度起可逆變化之感熱層，其第一形 態係，該感熱層的玻璃轉移溫度變化在-1 〇至5 °C，且透 明化溫度寬度在3 (TC以上，第二形態係，上述樹脂含壓 克力多元醇樹脂，且上述感熱層的玻璃轉移溫度變化在-1 〇至5 °C，第三形態係，上述樹脂含壓克力樹脂，且上述 感熱層之透明化溫度寬度在4〇°C以上，第四形態係，上 述樹脂含壓克力多元醇樹脂，且上述感熱層的透明化溫度 寬度在3 0 °C以上。 上述熱可逆記錄媒體中，上述樹脂加熱至其軟化溫度 (Ts )以上時該樹脂即軟化，形成於該樹脂與上述有機低 分子化合物界面之空隙消除。結果以存在於上述樹脂與上 述有機低分子化合物界面之空隙形成的畫像消除。此狀態 下，該感熱層冷卻至不及上述樹脂的軟化溫度（Ts )時， 保持上述樹脂與上述有機低分子化合物之界面無空隙存在 之狀態，即保持該感熱層於透明狀態，保持畫像消除之狀 態。另一方面，不冷卻該感熱層，再加熱至上述低分子化 合物之熔點（Tm )以上時，於該部份其有機低分子化合 物熔化。然後，該感熱層冷卻至不及上述有機低分子化合 物熔點（Tm )，更至不及上述樹脂的軟化溫度（Ts )時 ，該部份的上述樹脂與上述有機低分子化合物之界面形成 -9- (6) (6)590907 空隙，產生白濁狀態，形成畫像。 上述第一形態至第四形態有關之熱可逆記錄媒體，其 玻璃轉移溫度變化，透明化溫度寬度及至少二種樹脂選擇 各如上，即可於短時間形成或消除畫像，以感熱頭於毫秒 單位之極短時間加熱亦能充分消除畫像，畫像形成歷時後 消除能不起變化，故可保充分之消除性，形成高溫長久放 置保存性、對比、目辨性等仍優之畫像。 本發明之熱可逆記錄標籤，係於本發明的上述熱可逆 記錄媒體而形成畫像之面的反面，有粘合劑層或粘膠層。 該熱可逆記錄標籤於上述熱可逆記錄媒體部份，以感熱頭 於毫秒單位之極短時間加熱亦能充分消除畫像，畫像形成 歷時後消除能不起變化，可保充分之消除性，形成高溫長 久放置保存性、對比、目辨性等優的畫像。又因有上述粘 合劑層或粘膠層，廣泛適用於難以直接塗布上述感熱層的 附有磁條之氯乙烯製之卡等厚壁基板等。 本發明之熱可逆記錄構件有資訊記憶部及可逆顯示部 ，該可逆顯示部即本發明之上述熱可逆記錄媒體。該熱可 逆記錄構件係於上述可逆顯示部，依所欲時序形成、消除 所欲畫像。此時以感熱頭於毫秒單位之極短時間加熱亦能 充分去除畫像，畫像形成歷時後消除能不起變化，故可保 充分之消除性，形成高溫長久放置保存性、對比、目辨性 等優之畫像。另一方面，上述資訊記錄部以依據卡、碟片 、碟片卡匣、磁帶卡匣等種類之記錄方式，記錄、消除文 字資訊、畫像資訊、音樂資訊、影像資訊等所欲諸資訊。 -10- (7) (7)590907 本發明之畫像處理裝置係加熱上述本發明之熱可逆記 錄媒體，至少具有形成畫像之畫像形成機構或消除畫像之 畫像消除機構。該畫像處理裝置的上述畫像消除機構，作 本發明的上述熱可逆記錄媒體之加熱。該熱可逆記錄媒體 之上述感熱層加熱至上述樹脂的軟化溫度（T s )以上時， 該感熱層之上述樹脂軟化，形成於該樹脂與上述有機低分 子化合物之界面的空隙消失。結果存在於上述樹脂與上述 有機低分子化合物之界面的空隙所形成的畫像消除。於是 ，該感熱層就此冷卻至不及上述樹脂的軟化溫度（T s )， 保持上述樹脂與上述有機低分子化合物之界面無空隙存在 的狀態，該感熱層即成爲透明狀態，消除畫像。另一方面 ，上述畫像形成機構加熱本發明的上述熱可逆記錄媒體。 該熱可逆記錄媒體之上述感熱層經加熱至上述樹脂的軟化 溫度（Ts )以上，再加熱至上述有機低分子化合物的熔點 (Tm )以上時，該部份之該有機低分子化合物熔化。然 後冷卻該感熱層至不及上述有機低分子化合物之熔點（ Tm )，更至不及上述樹脂的軟化溫度（T s )時，於該部 份之上述樹脂與上述有機低分子化合物的界面形成空隙， 產生白濁狀態形成畫像。 本發明之畫像處理方法中至少作上述本發明熱可逆記 錄媒體之加熱形成畫像，或畫像之消除。該畫像處理方法 中，加熱本發明之上述熱可逆記錄媒體，該熱可逆記錄媒 體之上述感熱層經加熱至上述樹脂的軟化溫度（Ts )以上 時，該感熱層的上述樹脂軟化，形成於該樹脂與上述有機 -11 - (8) (8)590907 低分子化合物界面之空隙消失。結果，由存在於上述樹脂 與上述有機低分子化合物界面之空隙形成之畫像消除。於 是，該感熱層就此冷卻至不及上述樹脂的軟化溫度（T s ) ，保持上述樹脂與上述有機低分子化合物之界面無空隙存 在之狀態，該感熱層成爲透明狀態，畫像消除。另一方面 ，加熱本發明之上述熱可逆記錄媒體，該熱可逆記錄媒體 之上述感熱層經加熱至上述樹脂的軟化溫度（T s )以上， 更至上述有機低分子化合物之熔點（T m )以上時，該部 份之該有機低分子化合物熔化。然後，該感熱層經冷卻至 不及上述有機低分子化合物之熔點（Tm)，更至不及上 述樹脂的軟化溫度（Ts )時，該部份於上述樹脂與上述有 機低分子化合物之界面形成空隙，產生白濁狀態形成畫像 【實施方式】 (熱可逆記錄媒體） 本發明之熱可逆記錄媒體至少含樹脂及有機低分子化 合物，更於必要時含適當選擇之其它成分，至少有透明度 隨溫度起可逆變化的感熱層，較佳者爲以下第一形態至第 四形態之任一。 上述第一形態係，上述感熱層之玻璃轉移溫度變化 在-1 〇至5 °C，而透明化溫度寬度在3 0 °C以上。上述第二 形態係，上述樹脂含壓克力多元醇，而上述感熱層的玻璃 轉移溫度變化在-1 〇至5 °C。上述第三形態係上述樹脂含 -12- 590907 Ο) 壓克力樹脂’而上述感熱層之透明化溫度寬度在4 〇 以 上。上述第四形態係上述樹脂含壓克力多元醇樹脂，而上 述感熱層的透明化溫度寬度在3 〇。<3以上。 ±述感熱層之透明度隨溫度於透明狀態或白濁狀態（ 下稱「不透明狀態」）可逆變化。本發明之熱可逆記錄媒 體係利用該感熱層之透明度變化形成、消除畫像。該感熱 層的透明度變化機制推測如下。亦即，於上述感熱層中， 上述有機低分子化合物係以粒狀分散在上述樹脂（亦係「 樹脂母料」、「基質樹脂」）中。上述感熱層係「透明狀 態」時’粒狀分散於上述樹脂中的上述有機低分子化合物 與上述樹脂之界面無空隙存在，入射於該感熱層之光不散 射而芽透。結果該感熱層即爲「透明」。另一方面，上述 感熱層係「白濁狀態」時，粒狀分散在上述樹脂中的上述 有機低分子化合物與上述樹脂的界面有空隙存在，入射於 該感熱層的光，由該空隙與上述有機低分子化合物之界面 ，該空隙與上述樹脂的界面大幅折射而散射。結果該感熱 層即爲「白濁」。也就是說，藉該白濁與該透明之對比形 成所欲畫像。而所形成之「畫像」含文字、符號、圖形、 繪圖、畫像，其任意組合等。 茲參照圖式說明上述熱可逆記錄媒體的畫像之形成及 消除。第1圖示熱可逆記錄媒體的感熱層透明度隨加熱溫 度變化之一例。該圖係上述樹脂爲聚酯等，上述有機低分 子量化合物爲高級醇、高級脂肪酸等之例，亦可變更上述 樹脂、上述有機低分子化合物等材料，多少加以變化。 •13- (10) (10)590907 第1圖中，含上述樹脂及分散於該樹脂中之有機低分 子化合物的感熱層係製成例如，在溫度’’ To ’’以下之常溫呈 「白濁」狀態（不透明）。該感熱層於加熱當中，由溫度 ’’Ti ”慢慢開始變成透明，加熱到”τ2"至’’τ3”時，該感熱層 成爲「透明」狀態。由該「透明」狀態再返回’’ To ”以下之 常溫時，該感熱層依然保持「透明」狀態。亦即，自溫度 ” T ! ”附近起上述樹脂開始軟化，隨溫度之上升，該樹脂雖 連同上述有機低分子化合物膨脹，但因該有機低分子化合 物之膨脹度大於上述樹脂，該有機低分子化合物於與該樹 脂的界面之空隙緩緩減少，結果透明度慢慢上升。於溫度 ”T2”至”τ3”上述有機低分子化合物成爲半熔化狀態，使殘 餘空隙投入半溶化狀態之該有機低分子化合物而成爲「透 明」狀態。於該狀態下冷卻該感熱層時，上述有機低分子 化合物於相對較高溫度結晶產生體積變化。此時因上述樹 脂係在軟化狀態，可追隨上述有機低分子化合物結晶所致 體積變化，不於該有機低分子化合物於該樹脂的界面產生 空隙，維持「透明」狀態。 又，加熱上述感熱層至溫度πτ4’’以上時，該感熱層係 處於最大透明度與最大不透明度中間之「半透明」狀態。 其次，該溫度之下降中，不成爲「透明」狀態而成爲「白 濁」狀態（不透明）。亦即，上述有機低分子化合物於溫 度”τ4”以上完全熔化後，在略高於過冷狀態之溫度"To”的 溫度結晶。此時上述樹脂無法追隨上述有機低分子化合物 的結晶所致之體積變化，於該有機低分子化合物與該樹脂 -14- (11)590907 之界面產生空隙，故成爲「白濁」狀態。 如上，上述熱可逆記錄媒體之畫像形成及消 用上述感熱層之「透明」狀態以至「白濁」狀態 變化爲之。上述感熱層之「透明」狀態以至「白 的透明度變化，重要者係該感熱層之玻璃轉移溫 、玻璃轉移溫度之歷時變化度（△ Tg )、透明化 (△ Tw )、起始消除能寬、消除能寬之歷時變 該感熱層中上述樹脂、上述有機低分子化合物之 度，軟化點溫度以上之變形特性等。 一玻璃轉移溫度（Tg )— 上述感熱層之玻璃轉移溫度（Tg )無特殊限 目的適當選擇，以例如3 0至7 0 °c爲佳，3 0至 〇 上述玻璃轉移溫度（Tg )不及3 0 °C時即室 指2 3±3°C )，超過70°C則上述感熱層之重複耐$ 上述感熱層之玻璃轉移溫度係依JIS K7 12 1 制定，1 999年版）測定，由升溫時所見轉移部 (DSC)求出，以該D S C曲線各底線與玻璃轉移 階狀變化部份的曲線交溫度爲之。此係以延長低 線至高溫側的直線，與玻璃轉移溫度的台階狀變 線斜率最大之點的連線之交點溫度爲「校正玻璃 溫度（Tig )」，以延長高溫側之底線於低溫側 與尖峰之尚溫側曲線斜率最大之點的連線之交點 除，係利 之透明度 濁」狀態 度（Tg ) 溫度寬度 化率，或 軟化點溫 制，可隨 50°C更佳 溫（以下 、性差。 (1987 年 份之曲線 溫度之台 溫側之底 化部份曲 轉移開始 的直線， 溫度爲「 -15- (12) 校正玻璃轉移終止溫度（Teg )」時，即等於縱向的’’Tig’’ 與” Teg”之中間點。而於台階狀變化之高溫側出現尖峰時 ，用以求出玻璃轉移溫度之「校正玻璃轉移終止溫度（ Teg )即爲，延長高溫側之底線至低溫側的直線，與尖峰 之高溫側曲線斜率最大的點之連線的曲線斜率最大之點的 連線之交點溫度。 上述感熱層之玻璃轉移溫度，具體可用例如D S C測 定裝置等測定。亦即，首先剝離熱可逆記錄媒體之感熱層 。此時該感熱層之玻璃轉移溫度在可測定之範圍，則亦可 附著少量之保護層、粘合層於該感熱層。而剝離上述感熱 層之方法有例如，該感熱層係塗布於鋁蒸鍍層上時，利用 砂紙等部份去除保護層等塗布於感熱層上部之層，以鹽酸 、氫氟酸等溶解鋁蒸鍍部份，即可得膜狀之感熱層。其次 置剝離之感熱層於鋁製等之D S C測定用容器供測定。 上述D S C測定裝置無特殊限制，可隨目的適當選用 習知者，合適者有例如，SII公司製示差掃瞄熱量計6200 等。該D S C測定裝置之試料量一般約5毫克，標準物質 係氧化鋁等，升溫速度約1 5 °C /分鐘。而上述試料量若 過少則數據中雜訊多，過多則試料整體之傳熱困難，均難 以獲取正確數據。 一玻璃轉移溫度之歷時變化度（△ Tg) - 上述感熱層的玻璃轉移溫度之歷時變化度（△ T g )， 於上述第一形態及上述第二形態須在-1 0至5 °C，以-7至 - 16- (13) 5 °C爲佳’於上述第三形態及上述第四形態係以_丨〇至$它 爲佳，_ 7至5 °C更佳。 上述玻璃轉移溫度之歷時變化（ATg)若在上述範圍 內’則畫像形成歷時後上述感熱層往玻璃轉移溫度之高溫 側偏移少’畫像形成歷時後消除性仍良好。 上述玻璃轉移溫度之歷時變化度（△ Tg )，指畫像形 成歷時後之玻璃轉移溫度（Tga ) -畫像剛形成後（起始 )之玻璃轉移溫度（T g i )。在此，上述「畫像形成歷時 後之玻璃轉移溫度（T g a )」指上述感熱層在低於上述玻 璃轉移溫度（Tg) 5。(：之溫度（例如，上述Tgi係4(TC時 爲3 5 °C )保存1週後測得之玻璃轉移溫度。 上述玻璃轉移溫度之歷時變化度（△ T g )可如下測定 。亦即’首先在上述感熱層試料置入D S C測定用容器之 狀態下’於恒溫槽中以充分高於上述感熱層的軟化溫度之 1 3 0 °C加熱5分鐘，使該感熱層試料軟化。其次自恒溫槽 取出置入軟化的該感熱層試料之D S C測定用容器，於室 溫放置2小時冷卻，該感熱層中之樹脂成爲玻璃狀態，以 經上述方法測得之玻璃轉移溫度爲「畫像剛形成（起始） 之玻璃轉移溫度（Tgi )」。 於上述感熱層試料剛軟化後，該感熱層之樹脂未充分 冷卻，無法正確測出玻璃轉移溫度，故於室溫放置3 0分 鐘後作測定，以得「畫像剛形成後（起始）之玻璃轉移溫 度（Tgi)」的正確DSC測定數據。而於室溫放置30分 鐘後仍不得「畫像剛形成後（起始）之玻璃轉移溫度（ • 17 - (14) (14)590907

Tgi )」時，更延長放置時間至約3小時，使上述感熱層 之上述樹脂達安定的玻璃狀態，可測得「圖像剛形成後（ 起始）之玻璃轉移溫度（T g i )」。 上述放置時間若過短則難以正確測得「畫像剛形成後 (起始）之玻璃轉移溫度（Tgi )」，過長則產生上述「 焓緩和」現象，「畫像剛形成後（起始）之玻璃轉移溫度 (Tgi )」會往高溫偏移，故該放置時間以3 0分鐘至3小 時左右爲佳。 另一方面，加熱後於室溫（2 3 °C )充分冷卻上述感熱 層試料，之後在低於該感熱層玻璃轉移溫度（Tg ) 5 °C之 溫度（例如上述「畫像剛形成後（起始）之玻璃轉移溫度 (Tgi )」係40°C時爲35°C )保存1週後測得之玻璃轉移 溫度爲「畫像形成歷時後之玻璃轉移溫度（T g a )」。 一透明化溫度寬度（△ Tw ) — 上述透明化溫度寬度（△ Tw )無特殊限制，可隨目 的適當選擇，例如使用壓克力多元醇作爲上述樹脂的上述 第一形態及上述第二形態須在3 0 °C以上，4 0。(：以上更佳 ，上限値若予規定則以30至9(TC爲佳，40至90 °C更佳 ，40至8 0°C特性，上述第二形態以30°C以上爲佳，40°C 以上更佳’上限値以30至90 °C爲佳，40至90 °C更佳， 40至80°C特佳，用上述壓克力樹脂作爲上述樹脂的上述 第四形態須在40 °C以上，上限値以40至90。(：爲佳，40 至8 0 °C更佳。 -18- (15) (15)590907 上述透明化溫度寬度（△ Tw )愈大，消除性、高速 消除性愈優，以感熱頭短暫加熱時亦能將該感熱層升溫至 上述樹脂或上述有機低分子化合物之軟化溫度以上，消除 速度快，可均勻消除，另一方面，若不及3 0 °C則消除性 差，可能無法以感熱頭充分消除，若超過90 °C則白濁化 溫度過高，形成白濁畫像之際需加大量能量，感熱頭壽命 縮短，會有熱可逆記錄媒體耐久性之下降。 上述透明化溫度寬度（△ Tw )係如下定義。首先如 第2圖，加熱上述熱可逆記錄媒體到溫度T i至T3後，冷 卻至Τ〇以下之溫度，該熱可逆記錄媒體之透明度即於「 白濁」狀態及「透明」狀態之間變動。第2圖中，最大「 白濁」狀態之透明度値（密度）t! i，加上相當於最大「透 明」狀態之透明度値（密度）t12與最大「白濁」狀態的 透明度値之差的80%之透明度値（密度）即爲t13。透 明度在該透明度値（密度）t13以上之溫度爲「透明化溫 度」，其範圍爲「透明化溫度範圍（T4至Τ5 )」，其寬 度爲「透明化溫度寬度（△ Tw = T5-T4)」。此時上述最大 「透明」狀態之上述透明度値（密度）係非畫像形成部份 ，即以未加熱之透明部份的透明度値（密度）爲「背景密 度」時，若上述背景密度高於最大「透明」狀態的透明度 値（密度）’則以該「背景密度」爲上述透明度値（密 度）t12 。 上述透明化溫度寬度（△ Tw )可以如下測定。首先 ，將未達十足白濁狀態或透明狀態之上述熱可逆記錄媒體 -19- (16) (16)590907 ，按壓於充分加熱之熱板，或於恒溫槽中加熱’至白濁狀 態。此時之加熱時間可係例如，用上述熱板時1 0至3 0秒 左右，用上述恒溫槽時約1至5分鐘。而上述加熱溫度， 爲確保上述熱可逆記錄媒體之充分白濁化’以略高於該溫 度之溫度（例如高出1 0 °C之溫度）再度加熱，若該再度 加熱前後白濁密度不變，則該再度加熱前之加熱溫度即係 足以充分達成上述白濁化之溫度。另一方面，再度加熱前 後白濁密度有別，若該再度加熱後白濁密度高於加熱前， 則該再加熱前之溫度仍低，非足致上述白濁化之溫度。如 此即宜提高上述加熱溫度再次加熱。 其次，對白濁狀態下之上述熱可逆記錄媒體，改變溫 度作加熱，調溫至該熱可逆記錄媒體可成透明。適用於上 述熱可逆記錄媒體之加熱者可係例如，有五加熱塊，各可 設定加熱時間、壓力、溫度等作控制之熱傾斜試驗機（東 洋精機公司製HG-100 )。此時，以1.0秒之上述加熱時 間，1 · 〇公斤/平方公分之上述壓力，使上述溫度自加熱 亦不改變「白濁」狀態之低溫，以1至51之等溫間隔加 熱至足以充分達成上述白濁化之溫度。爲防止上述熱可逆 記錄媒體粘合於各加熱塊，亦可配置該熱可逆記錄媒體於 聚酰亞胺、聚酰胺之薄（1 〇微米以下）膜上。 如上加熱後冷卻至常溫，用McBeth RD-914反射密 度計（McBeth公司製），測定各加熱塊加熱之上述熱可 逆記錄媒體的密度。於是如第2圖，以橫軸爲加熱溫度（ 上述熱傾斜試驗機之設定溫度），縱軸爲反射密度（該熱 -20- (17) (17)590907 可逆記錄媒體之反射密度），描出各溫度的上述密度値， 以直線連接相鄰點製圖。而此時若以透明支承體作爲上述 熱可逆記錄媒體，係以吸光片或反光片貼於上述熱可逆記 錄媒體背面測定密度。 如第2圖，該圖通常呈梯形。第2圖中，” T〇 ”表白濁 畫像於該溫度加熱後冷卻，該白濁密度亦不變之溫度。 "T i ”表冷卻至該溫度時，該白濁密度起變化之最低溫度。 ’’ T2 ”表加熱至該溫度後冷卻時呈最大「透明」狀態之透明 度値的溫度。’’ Τ3 ”表加熱至該溫度後冷卻時呈最大「白濁 」狀態之透明度値的溫度。 -起始消除能寬- 上述起始消除能寬無特殊限制，可隨目的適當選擇， 一般較寬者消除性優，以例如2 0至8 0 %爲佳，3 0至7 5 % 更佳，40至60%特佳。 上述起始消除能寬不及20%時，以感熱頭等短暫加熱 有時無法充分消除，若超過80%則該起始消除能寬之下限 値降低，高溫保存時畫像耐熱性差，該起始消除能之上限 値升高，須多加能量以達白濁狀態，重複形成、消除畫像 時易致畫像劣化，會有感熱頭壽命之短縮。 上述起始消除能寬指，於上述感熱記錄材料形成白濁 畫像後，隨即以感熱頭可消除該白濁畫像的能量之寬度， 其定義如下。亦即，第3圖中，最大「白濁」狀態之透明 度値（密度）^ ，加上相當於最大「透明」狀態之透明度 -21 - (18) (18)590907 値（密度）t i 2與最大「白濁」狀態之透明度値（密度） t i i之差的8 0 %之透明度値（密度）即爲t i 3。以呈該透明 度値（密度）t ! 3以上之透明度的能量爲「起始消除能」 ，其範圍即「消除範圍（E1至E2 )」。並以上述起始消 除能範圍（E i至E2 )中，消除能之下限値E !與上限値E2 之中心値爲起始消除能中心値Ec。又於該起始消除能範 圍（Ει至E2 )中，對上述起始消除能中心値（Ec )，算 出上述起始消除能範圍中消除能下限値E !與上限値E2之 差（E2-E!)的百分率·（ ％ )，以之爲「起始消除能寬」。 故上述起始消除能寬如下式。

起始消除能寬（％ ) =[ ( E2-E! ) / Ec] xlOO 上式中E 1表起始消除能範圍之消除能下限値（毫焦 耳/點）。E2表起始消除能範圍中消除能之上限値（毫 焦耳/點），Ec表起始消除能中心値（E!+E2 ) / 2 (毫 焦耳/點）。 在此，上述起始消除能寬（％ )係以對起始消除能中 心、値之比率規定，其理由如下。上述起始能寬在低能量範 81 0寺，當以感熱頭加熱消除畫像時，上述熱可逆記錄媒體 $易受環境溫度變化之影響，並因正反面溫度差小難以貯 #來自該感熱頭之熱能（往該熱可逆記錄媒體水平方向之 _，不致於影響到該熱可逆記錄媒體的相鄰點域）。另 ~方面，上述起始消除能寬在高能量範圍時，上述熱可逆 錄媒體易受環境溫度變化之影響，且因正反面溫差大， 胃於貯存來自該感熱頭之效能。如上，上述起始消除能因 -22- (19) (19)590907 易受其所在能量範圍之影響，爲減降該影響作顯示，以上 述起始消除能寬爲其能量中心値之比率乃屬有效。 上述起始消除能寬可如下測定。首先，對冷卻至室溫 之上述熱可逆記錄媒體’用印字試驗機（Vcom公司製） ，經感熱頭（京瓷製KBE-40頭）以任意能量値加熱消除 畫像。 對消除畫像之上述熱可逆記錄媒體，加熱後冷卻至常 溫，用McBeth RD-914反射密度計（McBeth公司製）測 定該熱可逆記錄媒體上之密度。於是如第3圖，以橫軸爲 消除能（毫焦耳/點），縱軸爲反射密度（於該熱可逆記 錄媒體之反射密度），對各消除能描出上述密度値，以直 線連結相鄰點繪圖。 上述起始消除能寬之測定條件係設定印字試驗裝置的 感熱頭印字條件爲例如，脈寬2.94毫秒，線週期4.2毫 秒，印字速度30毫米/秒，墊輥壓力2公斤/平方公分 。其次，對已成「透明」狀態之上述熱可逆記錄媒體，以 任意能量値加熱後，冷卻至室溫，求出達白濁飽和密度時 之能量値。 於上述熱可逆記錄媒體形成及消除畫像，上述脈寬、 線週期及印字速度係重要條件，藉上述感熱頭消除及形成 畫像之條件係以例如19至60毫米/秒爲佳，25至35毫 米/秒更佳，上述線週期以例如2.0至6.6毫秒爲佳，3 · 5 至4.5毫秒更佳，上述脈寬以例如2.0至5.0毫秒爲佳， 3 · 5至4.5毫秒更佳。 -23- (20) (20)590907 上述感熱頭無特殊限制’可隨目的適當選擇，可用例 如端面頭以外者，而感熱頭的主掃描線密度係以8點/毫 米爲佳。上述熱可逆記錄媒體藉上述感熱頭之消除能範圍 的上限能量値，係以〇. 8毫焦耳/點以下爲佳。此時，對 該熱可逆記錄媒體因無高能量之施加，可抑制因重複形成 、消除所致畫像之劣化，並可抑制印字裝置的感熱頭之壽 命短縮。上述消除能範圍寬者，上述感熱頭的畫像消除性 佳。 爲擴大上述起始消除能寬，上述感熱層係以於軟化點 溫度附近急遽軟化，用感熱頭等短暫加熱時熱回應性亦優 ，並於室溫粘彈性高之樹脂爲佳。此時有利於上述熱可逆 記錄媒體達到高對比。 獲致如此樹脂之方法，有以下二例。 其一係於上述樹脂側鏈導入立體障礙構造之方法。該 立體障礙構造有例如，直鏈烷基、分枝烷基等。上述直鏈 烷基之碳原子數以例如2至20爲佳，2至1 0更佳，5至 1 〇特佳。該直鏈烷基之具體例有丁基、乙基己基等。 另一係於上述樹脂使用可賦予柔軟性的材料之方法。 上述可賦予柔軟性之材料可係經使用有柔軟構造之交聯劑 ，使用可塑劑者等。上述交聯劑有例如具鏈狀異氰酸酯基 之交聯劑等。上述可塑劑有例如酞酸系可塑劑等。 使用如上而得之上述樹脂，即可減降軟化上述感熱層 所需能量，可加大上述起始消除能寬。又因長久保存時高 分子鏈間也不易凝集，不易發生上述「焓緩和」現象，畫 -24- (21)590907 像形成歷時後玻璃轉移溫度變化率低。另一方面，上 熱層使用容易發生該「焓緩和」現象之樹脂，則長久 後消除能偏往高能量側，歷時消除能寬變窄，有時無 分消除。 一歷時消除能寬一 上述歷時消除能寬無特殊限制，可隨目的適當選 一般較寬者消除性優，以例如20至80%爲佳，30至 更佳，4 0至6 0 %特佳。 若上述歷時消除能寬不及20%，用感熱頭等短暫 有時無法充分消除，超過80%則該歷時消除能寬之下 低，高溫保存時畫像耐熱性變差，該歷時消除能之上 高，爲達白濁狀態須施加高能量，容易發生畫像因重 成、消除而起之劣化，感熱頭壽命也會短縮。 上述歷時消除能寬指，於上述感熱記錄材料形成 畫像後，高溫長久保存後，利用感熱頭可消除該白濁 的能寬，係如同上述起始消除能定義，可同樣測定。 一消除能寬之歷時變化率一 上述消除能寬之歷時變化率無特殊限制，可隨目 當選擇，以例如12%以下爲佳，10%以下更佳，7%以 佳。 上述消除能寬之歷時變化率在1 2%以下時，歷時 能寬安定，歷時後亦可得相當於以起始消除能値消除 述感 保存 法充 擇， 75% 加熱 限値 限値 複形 白濁 畫像 的適 下特 消除 畫像 -25- (22) (22)590907 時之反射密度，歷時保存後以同一印字裝置形成及消除畫 像時對比安定。另一方面若超過1 2 %，則用同一感熱頭以 同一消除能消除畫像，有時亦無法充分消除畫像。 其原因如下。如第4圖，樹脂（高分子化合物）一般 於D S C測定之升溫時於玻璃轉移溫度附近可觀測到基線 變化及尖峰。而該尖峰在加熱該樹脂（高分子化合物）後 即驟冷之後小。但該樹脂（高分子化合物）於加熱後於玻 璃轉移溫度以下保存後，在玻璃轉移溫度的低溫側產生大 吸熱尖峰（參照第4圖中「歷時變化大之樹脂」）。該吸 熱尖峰隨保存時間之延長，尖峰面積增大。上述樹脂（高 分子化合物）之玻璃轉移溫度隨保存時間之延長往高溫側 偏移。若於上述熱可逆記錄媒體具有該現象，則於畫像（ 白濁畫像）形成後高溫下長久放置（保存），之後以感熱 頭作數毫秒程度之短暫加熱，消除形成於該熱可逆記錄媒 體之畫像，則因歷時消除能寬變動，一般會使透明反射密 度、對比下降。該歷時消除能寬之變動，較之畫像剛形成 後以感熱頭消除畫像之際的起始消除能寬，畫像形成歷時 後（畫像形成後於高溫環境下長久放置熱可逆記錄媒體時 )因上述歷時消除能寬變窄，一般於該歷時消除能寬，高 能量側無上述歷時消除能範圍上限値偏移之觀察，而低能 量側則有上述歷時消除能範圍下限値之大幅往高能量側偏 移。 另一方面，樹脂之中，加熱後保存在玻璃轉移溫度以 下後，有時亦幾無不生上述尖峰面積增大、玻璃轉移溫度 -26- (23) (23)590907 往高溫側偏移之現象的觀察（參照第4圖中「幾無歷時變 化之觀察的樹脂」）。使用該樹脂的上述感熱層因不生該 樹脂的上述「焓緩和」現象，消除能寬之歷時變化率超過 1 2%時不變，上述熱可逆記錄媒體的畫像消除性不因長久 保存而起變化，畫像消除性優故有利。 上述消除能寬之歷時變化率指，以感熱頭加熱可消除 畫像之能寬的歷時變化率，該値愈小表對畫像剛形成後可 消除之起始消除能寬，畫像形成歷時後上述感熱層於軟化 點溫度以下保存歷時後可消除之歷時消除能寬的變化小。 上述消除能寬之歷時變化率，可如下求出。首先，用 上述感熱頭形成畫像（白濁畫像）於上述感熱層，如同上 述起始能寬算出3 5 °C、放置1週後的消除能寬，以其値 爲「歷時消除能寬ED」。其次，求出上述畫像剛形成後 之「起始消除能寬Εί」，由下式可算出「消除能寬之歷 時變化率（％ )」。

消除能寬之歷時變化率（％ ) =[ ( Εϊ-Ed ) / Ε!] X 100 上式中Ε!表起始能寬（毫焦耳/點），ED表歷時能 寬（毫焦耳/點）。 上述消除能寬之歷時變化率若在1 2%以下，則畫像形 成歷時後之上述感熱層，與上述畫像剛形成後的上述感熱 層之間，物性不變而爲佳，構成如此之上述感熱層的上述 樹脂，以用上述不產生上述樹脂的「焓緩和」現象之樹脂 爲佳。 -27- (24) (24)590907 一樹脂一 上述樹脂無特殊限制，可隨目的適當選擇，例如，上 述第一形態係以該樹脂含壓克力樹脂等爲佳，以該壓克力 樹脂中含壓克力多元醇樹脂爲特佳，上述第二形態係，該 樹脂須含壓克力樹脂，含壓克力多元醇樹脂爲特佳，上述 第二形態及上述第四形態則該樹脂須含壓克力多元醇樹脂 〇 上述第一形態及第三形態中，該壓克力樹脂因成膜時 有快乾性容易形成感熱層，以自由基聚合而合成，爲控制 折射率、玻璃轉移溫度、熱可逆記錄媒體之粘彈性、透明 性等的分子設計容易，可提升消除能寬、耐熱性等，消除 能之歷時變化可予抑制等而有利，上述第二形態及第四形 態者該壓克力多元醇樹脂的這些優點更顯著而有利。 上述壓克力樹脂或上述壓克力多元醇樹脂，具體而言 ，用於上述感熱層中之樹脂係上述壓克力樹脂或上述壓克 力多元醇樹脂的鑑定方法無特殊限制，有種種方法，例如 ，用紅外線吸收分光法與標準壓克力樹脂的吸收圖型比較 。因上述壓克力樹脂（上述壓克力多元醇樹脂）具特有的 紅外線吸收尖峰，對某樹脂可檢出與上述壓克力樹脂（上 述壓克力多元醇）同之該紅外線吸收尖峰時，即可確認該 樹脂係上述壓克力樹脂（上述壓克力多元醇樹脂）。又， 僅剝離或刮除上述感熱層，以氣相層析熱分解，可檢出（ 甲基）丙烯酸酯單體及其它單體（例如有羥基之不飽和單 -28- (25) (25)590907 體）之共聚物。此可藉質量分析，鑑定構成該感熱層的樹 脂之單體組成，結果即可確認係上述壓克力樹脂（上述壓 克力多元醇樹脂）。 在此，上述壓克力樹脂係（甲基）丙烯酸酯單體，及 可與其共聚之單體共聚成之樹脂，其聚合形成之際，上述 (甲基）丙烯酸酯單體含量係占所有單體50質量％以上 〇 上述可共聚之單體有例如，具羧酸之不飽和單體，有 羥基之不飽和單體，及其它乙烯式不飽和單體等。 上述（甲基）丙烯酸酯單體無特殊限制，可隨目的適 當選擇，一般合適者有紫外線硬化用樹脂或電子束硬化用 樹脂所用之單體或低聚物等。其中又以具柔軟構造者爲佳 ，脂族化合物爲佳，芳族化合物以具鏈狀構造者爲佳，並 以三官能以上多官能單體較單官能單體或雙官能單體爲佳 〇 上述（甲基）丙烯酸酯單體之具體例有，具烷基之（ 甲基）丙烯酸烷基酯、有烷基之胺基（甲基）丙烯酸酯、 乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、烯丙基（甲基）丙烯酸酯、 三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、環氧丙基（甲基）丙 烯酸醋、（甲基）丙燃腈（曱基）丙烯酸酯、丙嫌酰胺、 二丙酮丙烯酰胺、（甲基）丙烯腈、苯甲基（甲基）丙烯 酸醋、一甲胺基乙基（甲基）丙嫌酸醋氯甲基鹽、丨希丙基 (甲基）丙丨布酸醋、二經甲基丙院二（甲基）丙嫌酸酯、 環氧丙基（甲基）丙烯酸酯等。這些可單獨使用或倂用二 -29- (26) (26)590907 種以上。 上述有院基之（甲基）丙;)¾酸院基醋無特殊限制，可 隨目的適當選擇，以例如碳原子數1至i 8者爲佳，碳原 子數3至15者更佳，具體有甲基（甲基）丙烯酸醋、乙 基（甲基）丙烯酸酯、正丁基（甲基）丙烯酸酯、異丁基 (甲基）丙烯酸酯、環己基（甲基）丙烯酸酯、2_乙基己 基（甲基）丙烯酸酯、月桂基（甲基）丙烯酸醋、硬脂基 (甲基）丙烯酸酯等。 上述烷基之碳原子數太少則該壓克力樹脂欠缺柔軟性 ，太多則側鏈之亞甲鏈間規則排列該壓克力樹脂欠缺柔軟 性。 上述有烷基之胺基（甲基）丙烯酸酯無特殊限制，可 隨目的適當選擇，以例如碳原子數丨至5者爲佳，具體有 二甲胺基乙基（甲基）丙烯酸酯、二甲胺基乙基（甲基） 丙烯酸酯等。 上述之一醇二（甲基）丙烯酸酯無特殊限制，可隨目 的適當選擇，有例如乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、丁二醇 二（甲基）丙烯酸酯等。 上述（甲基）丙烯酸酯單體中，因於合成之壓克力樹 月曰無上述「焓緩和」現象、上述玻璃轉移溫度之往高溫側 的偏移等之發生，該壓克力樹脂具柔軟性，以具上述烷基 之上述（甲基）丙烯酸烷基酯爲佳，其中又以碳原子數1 至18者爲佳，3至15者更佳，具體而言，以正丁基（甲 基）丙烯酸酯、異丁基（甲基）丙烯酸酯、環己基（甲基 -30- (27) (27)590907 )丙烯酸酯、2-乙基己基（甲基）丙烯酸酯、月桂基（甲 ® )丙烯酸酯、硬脂基（甲基）丙烯酸酯等爲特性。 而上述（甲基）丙烯酸酯單體中，因於調整折射率時 可呈現高折射率，係以苯甲基（甲基）丙烯酸酯爲佳。 上述具羧基之不飽和單體無特殊限制，可隨目的適當 選擇’有例如（甲基）丙烯酸、衣康酸、衣康酸單丁酯、 _康酸、馬來酸、馬來酸單甲酯、馬來酸單丁酯、琥珀酸 (甲基）丙烯酰氧基乙酯、琥珀酸2-(甲基）丙烯酰氧 基丙酯、琥珀酸2-(甲基）丙烯酰氧基丁酯、馬來酸2-(甲基）丙烯酰氧基乙酯、馬來酸2-(甲基）丙烯酰氧 基丙酯、馬來酸4-(甲基）丙烯酰氧基丁酯、六氫酞酸 2-甲基丙烯酰氧基乙酯等。 這些可單獨使用或倂用二種以上。其中因能提升熱可 逆記錄媒體之透明度，以六氫酞酸2 -甲基丙烯酰氧基乙 酯、琥珀酸2-(甲基）丙烯酰氧基乙酯等長鏈含羧酸之 不飽和單體等爲佳。 上述有羥基之不飽和單體無特殊限制，可隨目的適當 選擇，有例如羥基烷基（甲基）丙烯酸酯、羥基烷基（甲 基）丙烯酸酯之ε -己內酯加成物，二醇二（甲基）丙烯 酸酯等。這些可單獨使用或倂用二種以上。 上述羥基烷基（甲基）丙烯酸酯有例如’ 2-羥基乙基 (甲基）丙烯酸酯、2-羥基丙基（甲基）丙烯酸酯、4·羥 基丁基（甲基）丙烯酸酯、烷基（甲基）丙烯酸酯等。上 述二醇二（甲基）丙烯酸酯有例如乙二醇二（甲基）丙烯 -31 - (28) (28)590907 酸酯、丁二醇二（甲基）丙烯酸酯等。 上述有羥基之不飽和單體可用於後敍的與異氰酸酯化 合物之交聯，適當選擇該異氰酸酯化合物之構造，可賦予 感熱層以柔軟性而有利。該具羥基之不飽和單體中，因與 聚異氰酸酯化合物之交聯反應性及長期耐久性優，以4-羥基丁基（甲基）丙烯酸酯爲特佳。 上述有羥基之不飽和單體的羥基値（毫克KOH/克 ，固體計算値）無特殊限制，可隨目的適當選擇，以例如 20至130毫克KOH /克爲佳。 上述其它乙烯式不飽和單體無特殊限制，可隨目的適 當選擇，有例如苯乙烯、α -甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯 等芳族乙烯化合物，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等。這些可 單獨使用或二種以上倂用。其中因調整折射率時可呈現高 折射率，以苯乙烯爲佳。 本發明中，上述壓克力樹脂中，以用占所有單體50 質量％以上之上述（甲基）丙烯酸酯單體合成，有多數羥 基，可藉異氰酸酯化合物等交聯劑交聯之壓克力多元醇樹 脂爲特佳。 上述壓克力多元醇樹脂的玻璃轉移溫度，係以由下式 (Fox式）算出之玻璃轉移溫度（下稱「計算Tg」）在 3 0。(：至6(TC爲佳，40艺至5CTC更佳。 上述計算Tg不及3 0°C時，感熱層之畫像耐熱性差， 保存在室溫以上之局溫時畫像會無法充分消除，超過60 。(：則會難以重複記錄。 -32- (29) (29)590907 上述式（Fox)表，1/Tg=2 (Wi/Tgi)。 上述式中’’Tg”表上述計算Tg，”Wi”表單體i之質量 分率，"Tgi”表單體i之單聚物的玻璃轉移溫度Tg ( K)。 上述壓克力多元醇樹脂的羥基値（毫克κ Ο Η /克’ 固體計算値）無特殊限制，可隨目的適當選擇，以例如 2〇至130毫克ΚΟΗ /克爲佳，30至80毫克ΚΟΗ /克更 佳。上述羥基値若不及20毫克ΚΟΗ/克則感熱層的長期 耐久性會變差，超過130毫克ΚΟΗ/克則不得感熱層之 充分消除能寬。 上述壓克力多元醇樹脂的羥基値（毫克ΚΟΗ /克， 固體計算値）可係例如，測定用乙酰化劑於規定溫度反應 1小時所產生之乙酸，其中和所需氫氧化鉀之毫克數，由 樹脂的單體組成，利用計算式{(羥基X組成比率）X 1000x56.1 (ΚΟΗ) }/ (羥基單體分子量χΙΟΟ)計算而 得。 上述壓克力多元醇樹脂的酸値（AV )無特殊限制， 可隨目的適當選擇，以例如1至10毫克KOH/克爲佳， 3至8毫克KOH/克更佳。上述酸値（AV )不及1毫克 KOH/克，感熱層透明度上升，而若超過10毫克KOH/ 克則長期耐久性惡化。 上述壓克力多元醇樹脂的酸値（AV )，可係例如， 溶解試樣於醇與甲苯之混合溶液，以酚酞爲指示劑，以特 定之鹼醇溶液滴定，算出中和試樣1克中所含酸所需的氫 氧化鉀之毫克値，利用計算式{酸値=A X f X ( 1 / 2 ) X ( -33- (30)590907

5 6.1 / 1 000 ) x ( 1 000 / 試樣（克））（A 化鉀醇溶液之消耗量（毫升），f示N/ 2 液之強度）}算出酸値。 上述壓克力多元醇樹脂的重均分子量 限制，可隨目的適當選擇，以例如2 0,000 佳，40,000至60,000更佳。上述重均分子 久性差，長久保存時消除特性有所變動，太 能消除白濁畫像之消除能寬會變窄。 上述壓克力多元醇樹脂的重均分子量 如光散射法、GPC裝置（HLC-8220GPC，東 測定。 上述壓克力多元醇樹脂的折射率無特殊 與用於上述熱可逆記錄媒體的上述感熱層之 子化合物的折射率比等適當選擇，以例如1 佳，1 · 4 8至1 · 5 5更佳。 上述壓克力多元醇樹脂之折射率，可用 檢測方式之數位折射計（RX_ 2000，AT AGO 定，亦可由單體組成式計算，用Synthia法 値以計算式計算而得。 該壓克力多元醇樹脂的折射率，與用在 錄媒體之上述感熱層的上述有機低分子化合 愈大，白濁度趨於愈高，愈小則可防因光散 降，在1附近時（二者折射率差小），可提 上述壓克力多元醇樹脂可用上述（甲基 示N/ 2氫氧 氫氧化鉀醇溶 (Mw)無特殊 至 100,000 爲 量若太低則耐 高則短暫以熱 (Mw)可用例 曹（股）製） 限制，可隨其 上述有機低分 .4 5 至 1.60 爲 光折射臨界角 公司製）等測 的聚合物特性 上述熱可逆記 物之折射率比 射而透明度下 升消除性。 )丙烯酸酯單 -34- (31) (31)590907 體、上述具羧基之不飽和單體，上述有羥基之不飽和單體 ，以及上述以外之乙烯式不飽和單體，依已知的溶液聚合 法、懸浮聚合法、乳化聚合法等合成。這些單體之供給於 聚合系中之方法無特殊限制，可隨目的適當選用習知方法 〇 上述壓克力樹脂爲提升畫像之印字、消除的重複耐久 性’係以使用交聯劑交聯爲佳。該交聯可藉例如熱、紫外 線、電子束等爲之。其中因可低成本簡便施行，不需長久 保存即可硬化，係以熱、紫外線交聯爲佳。 上述交聯劑無特殊限制，可隨目的適當選擇，合適者 有例如（甲基）丙烯酸系單體、異氰酸酯化合物等。這些 可單獨使用亦可倂用二種以.上。可用適當合成品，亦可用 市售品。其中以異氰酸酯化合物爲佳。 上述壓克力樹脂與該交聯劑之組合的合適具體例有， (1 )具丙烯酰基或甲基丙烯酰基之熱塑性樹脂，與（甲 基）丙烯酰系單體之組合，（2 )具羥基之壓克力樹脂（ 壓克力多元醇樹脂），與異氰酸酯化合物之組合等。 上述（1 )具丙烯酰基或甲基丙烯酰基之熱塑性樹脂 與（甲基）丙烯酰系單體之組合者，交聯方法有二，一係 混合有機過氧化物並加熱產生自由基，使樹脂的丙烯酰基 或甲基丙烯酰基與單體反應使樹脂交聯之方法，另一係， 混合光聚合啓始劑，以紫外線照射產生自由基，使樹脂的 丙烯酰基或甲基丙稀酰基與單體反應使樹脂交聯之方法。 其中使用有機過氧化物之方法可藉熱交聯，交聯時不需昂 -35- (32) (32)590907 貴設備故較佳。 上述（2 )有羥基之壓克力樹脂（壓克力多元醇樹脂 )與異氰酸酯化合物之組合者，該異氰酸酯化合物以有多 數異氰酸酯基之異氰酸酯化合物爲佳。該異氰酸酯化合物 有例如，選自甲苯二異氰酸酯（TDI )、六亞甲基二異氰 酸酯（HDI )、二甲苯二異氰酸酯（XDI )及異佛爾酮二 異氰酸酯（IPDI )的二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物、 二醇加成物、內酯加成物、醚加成物，縮二脲型、三聚氰 酸酯結合型，這些之阻絕型聚異氰酸酯等。 上述異氰酸酯化合物以至少用鏈狀異氰酸酯化合物爲 佳，亦可倂用鏈狀異氰酸酯化合物及環狀異氰酸酯化合物 使用二者之混合物，此時以施行熱交聯爲佳。 使用上述鏈狀異氰酸酯化合物時，交聯樹脂一般雖柔 軟而消除性提升，但重複耐久性、畫像保存性趨於下降， 另一方面，僅用上述環狀異氰酸酯化合物時，交聯樹脂一 般雖變剛直，重複耐久性、畫像保存性提升，但有消除性 下降之傾向。因此，使用上述鏈狀異氰酸酯化合物與上述 環狀異氰酸酯化合物之混合物，即可兼顧消除性及耐久性 與耐熱性。 上述鏈狀異氰酸酯化合物無特殊限制，有隨目的適當 選擇，有例如，二醇、三醇等具羥基之鏈狀化合物，與六 亞甲基二異氰酸酯等脂族異氰酸酯的直接反應產物’或以 此等透過單一或多數的環氧乙烷、環氧丙烷、己內酯或脂 族聚酯鏈之反應產物等。 -36- (33) (33)590907 上述鏈狀異氰酸酯化合物之重均分子量無特殊限制， 可隨目的適當選擇，以例如下限値7 〇 〇以上爲佳，上限値 5，000以下爲佳，4, 〇〇〇以下更佳，3，〇〇〇以下特佳。上述 重均分子量過小則經交聯之上述感熱層柔軟性變差，消除 性會下降’若過大則分子不易流動，會有強度、耐久性之 下降。 每一異氰酸酯基之重均分子量，下限値丨5〇以上爲佳 ，2 0 0以上更佳，2 5 0以上特佳，上限値2，〇 〇 〇以下爲佳 ’ 1，500以下更佳’ 1，000以下特佳。上述每一異氰酸酯 基之重均分子量若過小則經交聯後上述感熱層柔軟性變差 ，會有消除性之下降，若過大則分子難以流動，會有強度 、耐久性之下降。 上述環狀異氰酸酯化合物無特殊限制，可隨目的適當 選擇，有例如具苯環或三聚氰酸酯環等之異氰酸酯化合物 等。這些可單獨使用，或二種以上倂用。其中具三聚氰酸 酯環之環狀異氰酸酯化合物因不易變黃故較佳，而環狀構 造以外具亞烷鏈等之鏈狀結構者因？而較佳。 上述環狀異氰酸酯化合物之重均分子量無特殊限制， 可隨目的適當選擇’以例如下限値1 〇 〇以上爲佳，2 0 0以 上更佳，3 00以上特佳，上限値150 0 0以下爲佳，700以 下更佳。上述重均分子量過小則形成塗膜時無法以加熱蒸 發使塗膜交聯，會有耐久性之下降’若過大則無法形成剛 直結構，耐久性會下降。 上述異氰酸酯化合物之添加量無特殊限制，可隨目的 -37- (34) (34)590907 適當選擇，以例如對上述壓克力樹脂（上述壓克力多元醇 樹脂）10 0質量份在1至50質量份爲佳，3至50質量份 更佳，5至40質量份特佳。上述異氰酸酯化合物之添加 量不及1質量份時，高溫下彈性率變差，以感熱頭等加熱 時因塗膜破壞而耐久性差，超過5 0質量份時折射率下降 ，透明度變差。 爲促進上述壓克力樹脂（上述壓克力多元醇樹脂）與 上述異氰酸酯化合物之硬化反應，可使用觸媒。該觸媒無 特殊限制，可隨目的適當選擇，有例如三乙二胺、萘酸鈷 、氯化亞錫、四正丁基錫、氯化錫、三甲基氯化錫、二甲 基氯化亞錫、二月桂酸二正丁基錫等。該等可單獨使用， 亦可倂用二種以上。 上述觸媒之用量無特殊限制，可隨目的適當選擇，以 例如對樹脂固體成分，0 · 1至2質量％爲佳。 一有機低分子化合物一 上述有機低分子量化合物，係分子量低於上述樹脂的 低分子，以例如重均分子量100至2,000爲佳，150至 1，0 0 0更佳。 上述重均分子量不及1 0 0時因熔點過低，該有機低分 子化合物會無法結晶，若超過2，0 0 0則因熔點過高，該有 機低分子化合物以感熱頭加熱無法熔化，不起白濁化。 上述重均分子量可例如依液體層析測定。 上述有機低分子化合物若於上述感熱層中成粒狀即無 -38- (35) (35)590907 特殊限制，可隨目的適當選擇，以例如分子中含選自氧、 氮、硫及鹵素原子之至少一種爲佳，具體而言以含-OH、-COOH、-CONH、-COOR、-NH、-NH2、-S-、-S-S-、-0- 、鹵素原子等爲佳。 上述有機低分子化合物之熔點無特殊限制，可隨目的 適當選擇，通常以30至200 °C爲佳，50至150 °C更佳。 上述熔點不及3 0 °C時熔點低，加熱後冷卻當中該有機低 分子化合物不能充分結晶，畫像無法形成、消除，若超過 2 〇 0 °C則熱感度高以感熱頭加熱時該有機低分子化合物無 法熔化，不能形成畫像。 上述有機低分子化合物合適者有例如，含羧基之化合 物，末端不具羧基之不含羧基的化合物（以下簡稱「不含 羧基之化合物」。）這些可單獨使用，或二種以上倂用。 其中，因保存於存在有微量氨、胺等鹼性物質之環境下熔 點亦不上升，白濁飽和能、白濁飽和溫度不偏移往高能、 高溫側，無熱感度低以致畫像無法形成等，以不含羧基之 化合物爲特佳。 上述含羧基之化合物無特殊限制，可隨目的適當選擇 ，有例如飽和單羧酸、飽和二羧酸、不飽和單羧酸、不飽 和二羧酸、飽和鹵素脂肪酸、不飽和鹵素脂肪酸、烯丙基 竣酸、鹵素稀丙基竣酸、硫代竣酸等。其碳原子數無特殊 限制，可隨目的適當選擇，以例如1 0至60爲佳，1 〇至 3 8更佳，1 0至3 0特佳。這些可單獨使用亦可二種以上倂 用。其中以飽和或不飽和單羧酸、飽和或不飽和二殘酸、 -39- (36) (36)590907 烯丙基羧酸、鹵素烯丙基羧酸、硫代羧酸爲佳。 上述飽和或不飽和單羧酸有例如月桂酸、十二酸、肉 豆蔻酸、十五酸、棕櫚酸、硬脂酸、山芋酸、十九酸、花 生酸、油酸等高級脂肪酸等。 上述飽和或不飽和二羧酸以熔點100至135°C左右之 脂族二羧酸爲佳，有例如琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二 酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一烷二酸、十二烷二酸 、十四烷二酸、十五烷二酸、十六烷二酸、十七烷二酸、 十八烷二酸、十九烷二酸、二十烷二酸、二十一烷二酸、 二十烷二酸等。 上述不含羧基之化合物無特殊限制，可隨目的適當選 擇，以例如分子中含選自硫、氮、氧及鹵素原子之至少一 種（例如-OH、鹵素原子等）之化合物爲佳。具體有烷醇 、烷二醇、含鹵烷醇、含鹵烷二醇、烷基胺、烷、烯、炔 、含鹵烷、含鹵烯、含鹵炔、環烷、環烯、環炔、飽和單 羧酸酯、飽和二羧酸酯、不飽和單羧酸酯、不飽和二羧酸 酯、飽和單羧酸酰胺、飽和二羧酸酰胺、不飽和單羧酸酰 胺、不飽和二羧酸酰胺、飽和單羧酸銨鹽、飽和二羧酸銨 鹽、不飽和單羧酸銨鹽、不飽和二羧酸銨鹽、飽和含鹵脂 肪酸酯、飽和含鹵脂肪酸酰胺、飽和含鹵脂肪酸銨鹽、不 飽和含鹵脂肪酸酯、不飽和含鹵脂肪酸酰胺、不飽和含鹵 脂肪酸銨鹽、烯丙基羧酸酯、烯丙基羧酸酰胺、烯丙基羧 酸銨鹽、含鹵烯丙基羧酸酯、含鹵烯丙基羧酸酰胺、含鹵 烯丙基羧酸銨鹽、硫醇、硫代羧酸酯、硫代羧酸酰胺、硫 -40- (37) (37)590907 代羧酸銨鹽、羧酸硫醇酯等。這些可單獨使用亦可倂用二 種以上。 上述不含羧基之化合物的碳原子數無特殊限制，可隨 目的適當選擇，以例如1 0至6 0爲佳，1 0至3 8更佳。上 述不含羧基之化合物，酯類中之醇基部份可係飽和或不飽 和，亦可係經鹵素原子取代。 上述不含羧基之化合物以熔點4 0至7 (TC之低熔點物 爲佳，以例如脂肪酸酯、二元酸酯、多元醇二脂肪酸酯等 爲佳。 上述脂肪酸酯熔點低於相同碳原子數之脂肪酸（二分 子締合狀態），反之碳原子數多於同熔點之脂肪酸，故相 較於使用相同熔點之脂肪酸時，畫像的印字-消除之劣化 得以抑制，可增加白濁度，得高對比，能提升重複耐久性 而有利。上述畫像之印字-消除劣化應係由於，上述樹脂 與上述有機低分子化合物於加熱時互溶，粒狀有機低分子 化合物之分散狀態起變化。 本發明中’以該脂肪酸酯與高熔點有機低分子化合物 倂作混合物使用，即可擴大透明化溫度寬度，提升利用感 熱頭之消除性，故雖因保存而多少有消除性之變動亦能充 分消除’可提升材料本身特性上的重複耐久性。 上述脂肪酸酯無特殊限制，可隨目的適當選擇，以例 如下述結構式（1 )者爲合適。 r1-co〇-r2 結構式（1 ) 上述結構式（1 )中R1及R2可係相同或不同，表碳 -41 - (38) (38)590907 原子數1 0以上之烷基。該脂肪酸酯可單獨使用亦可倂用 二種以上。 上述脂肪酸酯之碳原子數無特殊限制，可隨目的適當 選擇，以例如20以上爲佳，25以上更佳，30以上特佳。 上述碳原子數愈多，白濁度愈高，重複耐久性提升。 上述脂肪酸酯之熔點無特殊限制，可隨目的適當選擇 ’以例如40°C以上爲佳。 上述結構式（1 )的脂肪酸酯之具體例有硬脂酸甲酯 、硬脂酸十四酯、硬脂酸十八酯、月桂酸十八酯、棕櫚酸 十四酯、山芋酸十二酯等高級脂肪酸酯：C16H33-0-C16H33 、Ci6H33，S-Ci6H33、Ci8H37，S-Ci8H37、C12H25-S-Ci2H25、 C19H39-S-C19H39、C12H25-S-C12H25 等之醚或硫醚等。 上述二元酸酯無特殊限制，可隨目的適當選擇，可係 例如單酯及二酯之任一，以例如下述結構式（2 )者爲合 適。 R3OOC-(CH)n-COOR4 結構式（2) 上述結構式（2)中R3及R4可係相同或不同，表氫 原子或碳原子數10以上之烷基（但R3、R4同爲氫原子者 除外）。院基R3及R4之碳原子總數以2 0以上爲佳，2 5 以上更佳，3 0以上特佳。η以0至4 0爲佳，1至3 〇更佳 ，2至2 0特佳。而該二元酸酯之院點以4 0 °C以上爲更佳 〇 上述多兀醇一脂肪酸醋無特殊限制，可隨目的適當選 擇，以例如下述結構式（3 )者爲合適。 -42 - (39) (39)590907 CH3(CH2)m-2COO(CH2)p〇〇C(CH2)m-2CH3 結構式（3) 上述式（3)中p以2至40爲佳，3至30更佳，4至 22特佳。m以2至40爲佳，3至30更佳，4至22特佳 〇 上述多元醇二脂肪酸酯，熔點低於相同碳原子數之脂 肪酸，反之碳原子數多於同熔點之脂肪酸，故相較於使用 同熔點之脂肪酸時，畫像之印字-消除劣化得以抑制，白 濁度增加’可得局封比’能提升重複耐久性而有利。 上述有機低分子化合物若係倂用低熔點有機低分子化 合物，及熔點高於該低熔點有機低分子化合物之高熔點有 機低分子化合物之組合，則可更加擴大透明化溫度寬度而 較佳。上述低熔點有機低分子化合物之熔點，與高熔點有 機低分子化合物的熔點差無特殊限制，可隨目的適當選擇 ’以例如3 0 °C以上爲佳，4 0 °C以上更佳，5 0。(：以上特佳 〇 上述低熔點有機低分子化合物之熔點無特殊限制，可 隨目的適當選擇，以例如4 0 °C至1 0 0。(：爲佳，5 0 °C至8 〇 °C更佳。又，上述高熔點有機低分子化合物之熔點亦無特 殊限制，可隨目的適當選擇，以例如1〇〇它至2 〇〇它爲佳 ，1 1 (TC 至 1 8 0 °c 更佳。 上述局熔點有機低分子化合物，以熔點在1 〇 〇它以上 者爲佳，有例如脂族飽和二羧酸、有高級烷基之酮、衍生 自該酮之縮氨基脲、α -膦酸基脂肪酸等。這些可單獨便 用或二種以上倂用。 -43- (40) 590907 上述脂族飽和二羧酸有例如琥珀酸、戊二酸、己二酸 、庚二酸、辛二酸、壬二酸、十一烷二酸、十二烷二酸、 十四烷二酸、十五烷二酸、十六烷二酸、十七烷二酸、十 八烷二酸、十九烷酸、二十烷二酸、二十-一烷二酸、二 十二烷二酸等。 上述酮含酮基及高級烷基作爲必要構成基，並有含無 或有取代基之芳環或雜環者。上述酮之碳原子總數以16 以上爲佳，21以上更佳。而上述縮氨基脲，係衍生自該 画司。 上述α -膦酸基脂肪酸係依例如E. V. Kaurer等人，J. AK. Oil Chekist's Soc, 41, 205 (1964)之方法，使月旨肪酸 經H e 1 ] - V ο 1 h a r d - Z e 1 i n s k i η反應溴化成α -溴化酸溴化物。 其次，添加乙醇於該α -溴化酸溴化物，得α -溴代脂肪酸 酯。然後溴代脂肪酸酯與亞磷酸三乙酯加熱反應成α -膦 酸基脂肪酸酯，以濃鹽酸水解，產物α -膦酸基脂肪酸由 甲苯再結晶。如上即可合成α -膦酸基脂肪酸。 本發明中爲擴大上述透明化溫度寬度，可適當組合上 述有機低分子化合物，亦可組合上述有機低分子化合物及 熔點不同之其它材料。 上述感熱層的上述有機低分子化合物與上述壓克力樹 脂（具交聯構造之樹脂）之混合質量比（有機低分子化合 物：壓克力樹脂）無特殊限制，可隨目的適當選擇，以例 如2 : 1至1 : 1 6爲佳，1 : 2至1 : 8更佳。 上述質量比若非在上述範圍內，則上述有機低分子化 -44- (41) (41)590907 合物之分散於上述樹脂中會有困難，不透明化會有困難。 本發明中上述低熔點有機低分子化合物係上述脂肪酸 酯時，爲擴大上述透明化溫度之範圍，以混合倂用含直鏈 烴之化合物作爲熔點高於該低熔點脂肪酸酯的高熔點有機 低分子化合物爲佳。此時，以感熱頭等短暫加熱之畫像消 除（透明化）可提升，並因畫像消除之邊限增加，歷時而 畫像消能起變動時，實用上亦無問題，可藉感熱頭消除故 而有利。 上述含直鏈烴之化合物係以碳原子總數6至60者爲 佳，8至5 0者更佳，其中以環狀烴（例如環己烷、環戊 烷等）、芳環（例如苯、萘等）、雜環（例如環醚、呋喃 、吡喃、嗎啉、吡咯烷、哌啶、Dfc咯、吡啶、吡嗪、哌嗪 、嘧啶等）、縮合雜環（例如苯并吡咯烷、吲哚、苯并噁 嗪、哇啉等）等含環狀構造者爲佳，具亞苯基構造（例如 苯基等）、環己亞基構造（例如環己基等）、有雜環者更 佳，分子末端之至少其一有甲基者特佳。 上述含直鏈烴之化合物的合適具體例有，（1 )有氨 酯結合的含直鏈烴之化合物，（2 )有磺酰基之含直鏈烴 之化合物，（3 )有草酸二酰胺結合之含直鏈烴之化合物 ，（4 )有二酰肼結合之含直鏈烴之化合物，（5 )含具尿 素結合及酰胺結合之直鏈烴之脂族化合物’ （7 )含具多 數尿素結合的直鏈型之脂族化合物，（8 )有尿素結合之 環狀化合物，（9 )含具酰胺結合之環狀化合物等。 上述（1 )至（9 )之任一含直鏈烴之化合物’以不具 -45- (42)590907 羧基者爲佳，有分子中具如氨酯結合（-NHC 00-)、磺酰 基（_S02_)、酰胺結合（-CONH-)、草酸二酰胺結合（-NHCOCONH-)、二酰肼結合（-CONHNHCO-)或尿素結 合（-HNCONH-)之極性基者等。 上述含直鏈烴之化合物，熔點之下限値以1 〇 〇 °c以上 爲佳，1 1 0 °C以上更佳，1 2 0 °c以上又更佳，1 3 0 °C以上特 佳。上限値以180°C以下爲佳，160°c以下更佳，150°C以 下特佳。上述熔點若過低則透明化溫度寬度無法擴大，消 除性變差，若過高則形成白濁畫像之際敏感度會下降。 上述含直鏈烴之化合物有例如下述結構式（4 )至（9 )者。 R5-X-R6-Y-R7 結構式（4 ) 上述結構式（4 )中X及Y至少有一表氨酯結合、擴 酰基結合或尿素結合，餘表選自氨酯結合、磺酰基結合、 尿素結合及酰胺結合之一。R5及 R7表 CH3(CH2)m-或 CH3(CH2)m_0-(CH2)n-，R6 表-(CH2)m-、下述結構式（4-1 )、（4-2)之任一。 CH. 結構式（4-1) .(a CH. 結構式（4-2) 上述結構式（4-1)及（4-2)中，m及n係以〇至30 爲佳。 R8-X-R9 結構式（5 ) -46 - (43)590907 上述結構式（5 )中X表草酸二酰胺結合或二酰胼結 合。R8 及 R9 表 CH3(CH2)m-或 CH3(CH2)m-0-(CH2)n-。m 及η表0至30之整數。 i a R10 —X—R11—Y—R12 結構式（6) \ j 上述結構式（6 )中X及Y表選自氨酯結合、磺酰基 結合、尿素結合、酰胺結合、草酸二酰胺結合及二酰肼結 合之至少任一。R1G 及 R12 表-(CH2)m-或-(CH2)m-0-(CH2)n-。R11 表 CH3(CH2)m-或 CH3(CH2)m-0-(CH2)n_。m 及 η 表 0 至30之整數。Α表苯基、環己基或下述結構式（6-1)、 (6-2)之基。

A R10 —X— R12 結構式（7) 上述結構式（7 )中X表示氨酯結合、磺酰基結合、 尿素結合、酰胺結合、草酸二酰胺結合或二酰肼結合。 R10 及 R12 表-(CH2) m-或（CH2) m_0-(CH2) n-。m 及 η 表〇至30之整數。A表苯基、環己基或下述結構式（6-1 )、（6-2)任一之表。

結構式（6-1) -47- (44)590907 結構式（6-2) 上述結構式（6-2 )中 < 表 1至 3之整數。Z表 R13OCO-、R130-或 R13。R13 表 CH3(CH2)m-或 CH3(CH2)m-0-(CH2)n-。m及η表0至30之整數。 —X —

結構式（8) 結構式（9) 上述結構式（8 )及（9 )中X表選自氨酯結合、磺 酰基結合、尿素結合、酰胺結合、草酸二酰胺結合及二酰 阱結合之任一。R14 表 _(CH2)m·或-(CH2)m-0-(CH2)n-。R15 表 CH3(CH2)m-或 CH3(CH2)m-0-(CH2)n-。m 及 η 表 0 至 30 之整數。 上述含直鏈烴之化合物，較佳具體例有下述結構式（ -48- (45)590907 10)至（26)之任一者。 結構式（1 0 ) 結構式（1 1 ) 結構式（1 2 ) 結構式（1 3 ) 結構式（1 4 ) 結構式（1 5 ) 結構式（1 6 ) 結構式（1 7 ) 結構式（1 8 ) 結構式（1 9 ) R16-OOCNH-R17-NHCOO-R18 r16-nhcoo-r17-oocnh-r18 R16-S〇2-R17-S〇2-R18 r16-nhcoconh-r18 r16-conhnhco-r18 r16-nhco-r17-nhconh-r18 r16-conh-r17-nhconh-r18 r16-nhcoo-r17-nhconh-r18 r16-nhconh-r17-nhconh-r18 r16-nhcoo-r17-oocnhh-r18 上述結構式（10)至（19)中R16及R18表烷基。R1 表亞甲基、下述結構式（10-1 )或（10-2 )之基。

結構式（10-1) 結構式（10-2) 上述結構式（10-1)、 （1〇·2)中m及η表0至20 之整數。 -49- 590907

結構式（20) > R17— NHCONH ——Rl6 結構式（21) R17— NHCONH — Rl6 結構式（22) o NHGO ——R17——NHCONH ——R16 結構式（23) 0 0

結構式（24) 結構式（25) r15-nhconh-r15 結構式（26) -50 (47) (47)590907

上述結構式（1 0 )之化合物，較佳具體例如下。 CH3(CH2)17OOCNH(CH2)6NHCOO(CH2)iiCH3 溶點：1130C CH3(CH2)17OOCNH(CH2)6NHCOO(CH2)17CH3 溶點：Ii9t： CH3(CH2)21OOCNH(CH2)6NHCOO(CH2)21CH3 溶點：121°C ch3(ch2)17oocnh-Q^-ch2—^~nhcdo(ch丄ch3 溶點：133。。 上述結構式（1 1 )之化合物的較佳具體例如下。 CH3(CH2)17NHCOO(CH2)2OOCNH(CH2)17CH3 溶點：115°C CH3(CH2)17NHCOO(CH2)4OOCNH(CH2)17CH3 熔點：U9°C CH3(CH2)17NHCOO(CH2)6〇OCNH(CH2)17CH3 熔點：lilt： CH3(CH2)17NHC00—CH2~^CH2—0 0CNH(chJ17CH3 溶點：12Γ。 上述結構式（1 2 )的化合物之較佳具體例如下*。 CH3(CH2)iiS〇2(CH2)4S02(CH2)i1CH3 熔點：149t： ch3(ch2)17so2(ch2)2so2(ch2)17ch3 熔點：150°c CH3(CH2)17S02(CH2)4S02(CH2)17CH3 熔點：148°c 上述結構式（1 3 )之化合物的較佳具體例如τ。 CH3(CH2)iiNHCOCONH(CH2)11CH3 熔點：124°c

CH3(CH2)i7NHCOCONH(CH2)iiCH3 熔點：121°C

上述結構式（1 4 )之化合物的較佳具體例如下。 CH3(CH2)i〇CONHNHCO(CH2)i〇CH3 溶點：151°C

CH3(CH2)i6CONHNHCO(CH2)i〇CH3 熔點：134〇C

CH3(CH2)i6CONHNHCO(CH2)i6CH3 熔點：147°C -51 - 590907 熔點：1 3 6 °c 熔點：1 4 3 °c CH3(CH2)20CONHNHCO(CH2)16CH3 CH3(CH2)20CONHNHCO(CH2)20CH3 上述結構式（1 5 )之化合物的較佳具體例如下。 CH3(CH2)17NHCO(CH2)4NHCONH(CH2)17CH3 熔點：144°c CH^CUCHahNHCCKCHOHNHCONHCCHOuCHb 熔點：140°C CH3CH2〇(CH2)3NHCO(CH2)iiNHCONH(CH2)17CH3 ： 135°c 上述結構式（1 6 )之化合物的較佳具體例如下。 CH3(CH2)16CONH(CH2)6NHCONH(CH2)17CH3 熔點：149t 上述結構式（1 7 )之化合物的較佳具體例如下。 CH3(CH2)17NHCOO(CH2)2NHCONH(CH2)17CH3 熔點：127°c 上述結構式（1 8 )之化合物的較佳具體例如下。 CH3(CH2)17NHCONH(CH2)6NHCONH(CH2)17CH3 熔點：177〇C 上述結構式（1 9 )之化合物的較佳具體例如下。

gh3(ch2)17nhgoo-gh2—ch2—oocnh(ch2)17ch3 熔點：121°C 上述結構式（2 0 )之化合物的較佳具體例如下。

熔點：115°C

熔點：120°C -52 (49)590907 上述結構式（22 )之化合物的較佳具體例如下。 ch3(chJ17ncnch2>h^- och3

熔點：124°C 上述結構式（2 3 )之化合物的較佳具體例如下

熔點：146°C 上述結構式（2 4 )之化合物的較佳具體例如下。 Ο 0II / 、 ncn(ch2)17ch3 Η Η

熔點：136°C

上述結構式（2 6 )之化合物的較佳具體例如下。 0

CH3CH -〇-(CH2)3- N c N ~(cH2)|7CH3 熔點：98°C 上述含直鏈烴之化合物與上述低熔點有機低分子化合 -53- (50) 物之混合質量比（低熔點有機低分子化合物：含直鏈烴之 化合物）無特殊限制，可隨目的適當選擇，以例如9 5 : 5 至5: 95爲佳，90: 1〇至1〇: 90爲更佳，80: 20至20 :8 0特佳。上述混合質量比若不在上述範圍內，則上述 低熔點有機低分子化合物過多時，透明化溫度寬度變窄， 不具充分之消除性，上述含直鏈烴之化合物過多時，會無 法形成畫像。 上述低熔點有機低分子化合物或上述高熔點有機低分 子化合物以外，倂用其它有機低分子化合物時，該其它有 機低分子化合物無特殊限制，可隨目的適當選擇，有例如 高級脂肪酸、高級脂肪酸酯、高級脂肪酸之醚等。 上述高級脂肪酸有例如月桂酸、十二烷酸、肉豆蔻酸 、十五烷酸、棕櫚酸、硬脂酸、山芋酸、十九烷酸、花生 油、油酸等。上述高級脂肪酸酯有例如硬脂酸甲酯、硬脂 酸十四烷酯、硬脂酸十八烷酯、月桂酸十八烷酯、棕櫚酸 十四烷酯、山芋酸十二烷酯等。上述高級脂肪酸之醚有例 如c 16 Η3 3 - Ο - C 1 6 Η 3 3等。上述筒級脂肪酸之硫醚有例如 c 1 6 Η 3 3 - S - C 1 6 Η 3 3 χ C ι 8 Η 3 7 - S - C i g Η 3 7 , C j 2 H 2 5 - S - C j 2 H 2 5 C19H39-S-C19H39、C12H25-S-C12H25 等。這些可單用 一* 種或 倂用二種以上。其中以高級脂肪酸，尤以棕櫚酸、十五烷 酸、十九烷酸、花生酸、硬脂酸、山芋酸、二十四烷酸等 碳原子數1 6以上的高級脂肪酸爲佳，碳原子數1 6至2 4 之局級脂肪酸更佳。 上述感熱層之其它成分無特殊限制，可隨目的適當選 -54- (51) 擇’例如，基於畫像之容易形成，有界面活性劑、可塑劑 等。 上述界面活性劑無特殊限制，可隨目的適當選擇，有 例如陰離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、非離子界面 活性劑、兩性界面活性劑等。 上述可塑劑無特殊限制，可隨目的適當選擇，有例如 鱗酸酯、脂肪酸酯、酞酸酯、二元酸酯、二醇、聚酯系可 塑劑、環氧系可塑劑等。 上述感熱層之厚度無特殊限制，可隨目的適當選擇， 以例如i至3 〇微米爲佳，2至2〇微米更佳。 上述感熱層若太薄，則白濁度低對比會下降，太厚則 層內產生熱分布會難以均勻地透明化。而士述感熱層中上 述有機低分子化合物含量若增加，即可增加白濁度。 本發明之熱可逆記錄媒體除上述感熱層外，必要時可 有適當選擇之支承體、著色層、反光層、粘合層、中間層 、保護層、粘合劑層、粘膠層等之其它層。這些之各層可 係單層或層合構造。 上述熱可逆記錄媒體之層構造無特殊限制，可隨目的 適當選擇，有例如日本專利實開平2 - 3 8 76號公報所述， 於支承體上有感熱層及以磁性材料爲主要成分之磁感熱層 ，並於感熱層本身底下或支承體之感熱層對應部份經著色 之層構造；如特開平3 - 1 3 0 1 8 8號公報之於支承體上設磁 感熱層，該磁感熱層上設有反光層，於該反光層上設感熱 層之層構造等；而上述磁感熱層係以設於支承體背面或支 -55- (52) (52)590907 承體與感熱層之間爲佳。 上述支承體之形狀、構造、尺寸等無特殊限制，可隨 目的適當選擇。上述形狀有例如平板狀，上述構造可係單 層亦可係層合構造，而上述尺寸可隨上述熱可逆記錄媒體 之尺寸等適當選擇。 上述支承體之材料有例如無機材料、有機材料等。上 述無機材料有例如玻璃、石英、矽、氧化矽、氧化鋁、 S i Ο 2、金屬等。上述有機材料有例如紙、聚對酞酸乙二醇 脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等。這些可 單用一種或倂用二種以上。 上述支承體之厚度無特殊限制，可隨目的適當選擇， 以100至2，000微米爲佳，100至1,000微米更佳。 爲保護上述感熱層，可於上述熱可逆記錄媒體設保護 層。上述保護層之材料有聚矽氧橡膠、聚矽氧樹脂（例如 特開昭63 -22 1 0 8 7號公報）、聚矽氧烷接枝聚合物（例如 特開昭63 -3 1 7 3 8 5號公報）、紫外線硬化樹脂或電子束硬 化樹脂（例如特開平2-5 66號公報）等。 塗布這些材料時通常使用溶劑。上述溶劑較佳者爲上 述感熱層之上述樹脂及上述有機低分子化合物難以溶解者 。有例如正己烷、甲醇、乙醇、異丙醇等醇系溶劑等。這 些可單用一種或倂用二種以上，經濟面以醇系溶劑爲佳。 上述保護層可與上述感熱層之壓克力樹脂的硬化同時 硬化。此時係於上述支承體上形成上述感熱層後，塗布上 述保護層’予以乾燥。然後以熱、紫外線、電子束照射等 -56- (53) (53)590907 ，使各層硬化。 上述保護層之厚度無特殊限制，可隨目的適當選擇， 以例如〇 · 1至1 0.0微米爲佳。上述保護層之厚度若不及 〇 · 1微米，則不得上述感熱層之充分保護效果，超過10.0 微米則熱敏感度低。 爲保護感熱層之免於保護層形成液之溶劑、單體成分 等，可於上述熱可逆記錄媒體的上述保護層與上述感熱層 間設中間層（參照例如特開平1 - 1 3 3 7 8 1號公報）。上述 中間層之材料，除感熱層中樹脂材料之例以外，可用熱塑 性樹脂、熱固性樹脂等樹脂成分。該樹脂成分有例如聚乙 烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚 氨酯、飽和聚酯、不飽和聚酯、環氧樹脂、酚樹脂、聚碳 酸酯、聚酰胺等。 上述中間層之厚度無特殊限制，可隨目的適當選擇， 以〇·5至1〇微米爲佳。 上述熱可逆記錄媒體，爲提升上述支承體與上述感熱 層間之目辨性，以設著色層爲佳。上述著色層可將含著色 劑及樹脂粘結劑之溶液或分散液塗布於對象面加以乾燥， 或僅以著色膜貼合而形成。 上述著色劑若能使上層，即上述感熱層之透明、白濁 變化以反射畫像辨識即無特殊限制，可用例如紅、黃、藍 、深藍、紫、黑、茶、灰、橙、綠等色之染料、顏料等。 而上述樹脂粘結劑可用各種熱塑性樹脂、熱固化樹脂、紫 外線硬化樹脂等。 -57- (54) (54)590907 上述熱可逆記錄媒體可設彩色印刷層，上述彩色印刷 層之著色劑有，用於習知全彩印刷的彩色印墨中所含之各 種染料、顏料等。上述樹脂粘結劑有各種熱塑性、熱固性 、紫外線硬化性或電子束硬化性樹脂等。該彩色印刷層之 厚度因係對印刷色度適當變更，可隨所欲印刷色度作選擇 〇 上述熱可逆記錄媒體於上述支承體與上述感熱層之間 ，亦可有空氣層之非密合部。用於上述感熱層之上述有機 高分子化合物的折射率在1 · 4至1 · 6左右，因與空氣折射 1·〇大有差別，若有該空氣層則上述感熱層與上述非密合 部之界面反光，該感熱層在白濁狀態時會增強白濁度，提 升目辨性，可利用該空氣層之非密合部作爲顯示部。 上述空氣層因具絕熱層之功能，可提升感熱度，並具 緩衝層之功能，可分散來自感熱頭之壓力，防止上述感熱 層之變形、粒狀的上述有機低分子化合物之擴散等，可提 升重複耐久性。 亦可於上述熱可逆記錄媒體設感熱頭匹配層。上述感 熱頭匹配層之材料有耐熱樹脂、無機顏料等。上述耐熱樹 脂可用如同用在上述保護層中之耐熱樹脂。上述無機顏料 有例如碳酸鈣、高嶺土、氧化矽、氫氧化鋁、氧化鋁、矽 酸銘、氫氧化鎂、碳酸鎂、氧化鎂、氧化鈦、氧化鋅、硫 酸鋇、滑石等。這些可單用一種或倂用二種以上。上述無 機顏料之粒徑以例如〇 · 〇 i至1 0 · 〇微米爲佳，〇 · 〇 5至8 . 〇 微米更佳。該無機顏料之添加量，以對上述耐熱樹脂1質 -58- (55) (55)590907 量份0.001至2質量份爲佳，〇.〇〇5至1質量份更佳。 _h述保:護層、上述彩色印刷層及上述感熱匹配層中所 含之樹脂以熱、紫外線、電子束等硬化時，以添加用以使 上述感熱層之樹脂紫外線交聯之交聯劑，光聚合啓劑、光 聚合促進劑爲佳。 _h述熱可逆記錄媒體之製造方法無特殊限制，可隨目 的適當選擇’合適者有例如，（1 )溶解或分散上述樹脂 及上述有機低分子化合物於溶劑中成熱可逆記錄媒體用組 成物’塗布於支承體上，蒸發該溶劑成膜狀等，同時或然 後交聯之方法，（2 )僅溶解上述樹脂於溶劑並分散上述 有機低分子化合物成熱可逆記錄媒體用組成物，塗布於支 承體上’蒸發該溶劑成膜狀等，同時或之後交聯的方法， 以及（3 )不用溶劑，將上述樹脂及上述有機低分子化合 物加熱熔化互相混合，以該熔融混合物形成膜狀等，冷卻 後交聯之方法等。而這些當中亦可不用上述支承體，形成 膜片狀之熱可逆記錄媒體。 用在上述（1)或（2)之溶劑，隨上述樹脂及上述有 機低分子化合物之種類等而異，無法一槪而論，有例如四 氫呋喃、丁酮、甲基異丁基酮、氯仿、四氯化碳、乙醇、 甲、苯等。 而上述有機低分子化合物係以粒狀分散存在於上述感 熱層中。 上述熱可逆記錄媒體用組成物，爲呈現用作被覆材料 之高度性能，亦可添加各種顏料、消泡劑、顏料、分散劑 -59- (56) 590907 、滑劑、防腐劑、交聯劑、可塑劑等。 上述熱可逆記錄媒體用組成物之塗布方法無特殊限制 ’可適當選用已知方法，有例如噴塗法、輥塗法、棒塗法 、氣刀塗布法、刷塗法、浸沾法等。 上述熱可逆記錄媒體用組成物之乾燥條件並無特殊限 制，可隨目的適當選擇，有例如室溫至140 °C之溫度，1〇 分鐘至1小時左右等。 上述感熱層中上述樹脂的硬化，可經加熱、紫外線照 射、電子束照射等爲之。以該等手段硬化之方法，具體而 言，係藉壓克力共聚物（壓克力樹脂）與聚異氰酸酯化合 物之反應而硬化。 上述紫外線照射，可用已知紫外線照射裝置爲之，該 裝置有例如具備光源、燈具、電源、冷卻裝置、輸送裝置 等者。 上述光源有例如水銀燈、金屬鹵化物燈、鉀燈、水銀 氙氣燈、閃光燈等。該光源之波長可隨添加於上述熱可逆 記錄媒體用組成物之光聚合啓始劑及光聚合促進劑的紫外 線吸收波長適當選擇。 上述紫外線照射之條件無特殊限制，可隨目的適當選 擇，可例如隨上述樹脂的交聯所需之照射能量決定燈之功 率、輸送速度等。 上述電子束照射可用已知電子束照射裝置爲之，該電 子束照射裝置可大別爲掃描型（SCAN BEAM )及非掃描 型（AREA BEAM )二種，其條件可隨照射面積、照射線 -60- (57) 量等作選擇。又，電子束照射條件可隨交聯樹脂所需線量 ，考量電子流、照射寬、輸送速率依下式決定。 D= ( Δ Ε/ Δ R ) · η -1/ ( W · V ) 上式中D表必要線量（百萬拉德）。△ E / △ R表平 均能損。7?表效率。I表電子流（毫安培）。W表照射寬 (公分）。V表輸送速度（公分/秒）。 工業上係以簡化上式，使用下式爲佳。

D · V = K · 1/ W 裝置規格係以百萬拉德•米/分鐘表之，電子流規格 係選在20至500毫安培左右。 硬化上述感熱層中之上述樹脂，可提升上述感熱層之 硬度。因而感熱頭等加壓同時加熱重複畫像形成一消除當 中，粒狀的上述有機低分子化合物周圍之上述樹脂變形， 細粒分散之上述有機低分子化合物逐步擴大成粗粒，減少 光散射效果（白濁度下降），最終畫像之對比下降。因此 ，上述感熱層之硬度於該感熱層之耐久性具重要性，該感 熱層硬度愈高，耐久性愈佳。加熱時（100至140 °C )上 述感熱層宜硬，該感熱層之硬度可用例如NEC製之薄膜 硬度計MHA-400測定。 上述感熱層中，上述樹脂與上述有機低分子化合物粒 子之界面及/或粒狀的該有機低分子化合物內部，若有折 射率不同之空隙存在，則可提升白濁狀態下之畫像密度， 提升對比。此時該空隙之大小，係以用於檢測不透明狀態 的光之波長的1 / 1 0以上爲佳。 -61 - (58) (58)590907 形成於上述熱可逆記錄媒體之畫像，可係能目辨之穿 透畫像亦可係能目辨之反射畫像。 使用上述反射畫像時，以於上述感熱層之背面設反射 光之反射層爲佳。此時上述感熱層可係較薄，該感熱層薄 並可提升對比係其優點。該反射層無特殊限制，可隨目的 適當選擇，有例如蒸鍍Al、Ni、Sn等之層等（參照例如 特開昭64- 1 4079號公報）。 上述熱可逆記錄媒體可選擇性供熱作上述感熱層之選 擇性加熱，於透明背景形成白濁畫像，於白濁背景形成透 明畫像，其變化可無限次重複。並可於上述感熱層之背面 配置著色片，於白色背景形成著色片之色彩的畫像，或於 著色片之色彩的背景形成畫像。又，以OHP (頭上投影機 )等投影時白濁部成爲暗部，透明部有光穿透，或螢幕上 之亮部。 上述熱可逆記錄媒體的畫像形成及消除，可用已知畫 像處理裝置爲之，以用後敍的本發明之畫像處理裝置爲佳 。例如，上述感熱層含上述樹脂，及分散在該樹脂中之有 機低分子化合物，在溫度"TG”以下之常溫呈「白濁」狀態 (不透明）。將該感熱層加熱，則自溫度’’ T i ”起開始緩緩 變成透明，加熱到溫度’’τ2’’至"τ3”時，該感熱層即成「透 明」狀態。由該「透明」狀態再返回’’ To ”以下之常溫時， 該感熱層依然保持「透明」狀態。易言之，在温度’’ T 1 ’’附 近上述樹脂開始軟化，隨溫度之上升，該樹脂及上述有機 低分子化合物，雖一倂膨脹，但因該有機低分子化合物的 -62- (59) (59)590907 膨脹度大於上述樹脂，該有機低分子化合物緩緩減少位在 與該樹脂之界面的空隙，結果透明度緩緩上升。於溫度 ” T 2 ’’至” T 3 ”上述有機低分子化合物呈半熔化狀態，埋没殘 餘之空隙而成爲「透明」狀態。於該狀態下冷卻該感熱層 ，則上述有機低分子化合物於較高溫結晶，產生體積變化 。此時因上述樹脂係處於軟化狀態，該有機低分子化合物 與該樹脂的界面不生空隙，保持「透明」狀態。加熱上述 感熱層至溫度”T4”以上，則該感熱層成爲最大透明度與最 大不透明度間的「半透明」狀態。然後該溫度下降時不成 爲「透明」狀態，呈「白濁」狀態（不透明）。易言之， 上述有機低分子化合物，於溫度’’Τ4”以上完全熔化後，在 略高於過冷卻狀態之溫度’’To”的溫度結晶。此時，上述樹 脂因上述有機低分子化合物結晶，追不上體積變化，於該 有機低分子化合物與該樹脂的界面產生空隙，而呈「白濁 」狀態。 上述畫像處理裝置合適者有例如具備，用以對上述熱 可逆記錄媒體形成畫像之畫像形成機構’及用於消除畫像 之畫像消除機構者。其中’因處理時間短’以具備兼用作 上述畫像形成機構及上述畫像消除機構t畫像形成兼消除 |幾構者爲佳，具體而言，有使用感熱頭可變化施加於該感 熱頭之能量作畫像處理之畫像處理裝置’或畫像形成機構 係感熱頭，畫像消除機構係選自感熱頭、陶瓷加熱器（氧 化鋁基板上網印以發熱電阻體之發熱體）、熱印器、加熱 輥、粘合有加熱塊等發熱體之接觸模壓機以及使用溫 -63- (60) (60)590907 風、紅外線寺之非接觸型機構之一的畫像處理裝置等。 本發明之熱可逆記錄媒體，可設上述能作可逆顯示之 感熱層及資訊記億部於同一卡（一體化），以感熱層顯示 該資訊記憶部的記憶資訊之一部份，卡的所有人不需特別 裝置僅以目視即可確認卡上資訊，方便性佳。 上述資訊記憶部無特殊限制，以例如磁記錄、1C、非 接觸1C、光記憶體爲佳。上述記憶部係用通常所用之氧 化鐵、鋇鐵氧體等及氯乙烯系、氨酯系樹脂、尼龍系樹脂 等’塗布形成於支承體上，或以蒸鍍、濺鍍等方法不用樹 脂而形成。上述記憶部亦可設於該感熱層之反面、支承體 與該感熱層之間、該感熱層上之一部份。又，亦可將顯示 用之可逆感熱材料用於條碼、二維碼等之記憶部。其中以 磁記錄、1C爲更佳。 利用本發明之熱可逆記錄媒體，用感熱頭於毫秒單位 極短暫加熱時亦能充分消除畫像，畫像形成歷時後消除能 不變，故可形成保持良好消除性，高溫長久放置保存性、 對比、目辨性等仍優之畫像。 上述熱可逆記錄媒體適用於可重寫之各種點數卡等， 尤適用於以下的本發明之熱可逆記錄標籤、熱可逆構件、 畫像處理裝置及畫像處理方法等。 (熱可逆記錄標籤及熱可逆記錄構件） 本發明之熱可逆記錄標籤係於本發明的上述熱可逆記 錄媒體之形成畫像之面的反面（支承體上有上述感熱層時 -64- 590907 齊其 合之 粘擇 設選 ， 當 }適 面有 反另 的可 面時 之要 層 必 熱 ’ 感成 述而 上一 成其 形少 的至 體之 承層 支膠 該粘。 係及層 ， 層 它 無 、 等狀 小 片 大有 、狀 造形 構述 、上 狀， 形如 之例 層 ’ 膠擇 粘選 述當 上適 或的 層 目 劑隨 合 可 粘， 述制 上限 殊 特 膜狀等，上述構造可係單層、層合構造，而上述大小可係 大於或小於上述感熱層。 上述粘合劑層或上述粘膠層之材料無特殊限制，可隨 目的適當選擇，有例如尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、酚樹脂 、環氧樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、乙酸乙烯酯-壓克力系 共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、壓克力系樹脂、聚乙 烯醚系樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯系共聚物、聚苯乙烯系 樹脂、聚酯系樹脂、聚氨酯系樹脂、聚酰胺系樹脂、氯化 聚烯烴系樹脂、聚乙烯醇縮丁醛系樹脂、丙烯酸酯系共聚 物、甲基丙烯酸酯系共聚物、天然橡膠、氰基丙烯酸酯系 樹脂、聚矽氧樹脂等。這些可單用一種或倂用二種以上。 亦可係熱熔型，並可用剝離紙，亦可係無剝離紙型。 上述熱可逆記錄標籤有上述粘合劑層及粘膠層之至少 任一時，即可貼合於上述感熱層難以塗布的附有磁條之氯 乙烯製卡等厚壁基板的全面或一部分，可顯示磁記憶之資 訊的一部份。 上述熱可逆記錄標籤可取代內建軟碟（FD )、MD、 DVD-RAM等可重寫記錄資訊之碟片的碟片匣上之顯示標 籤。 -65- (62) (62)590907 第5圖示貼附本發明之熱可逆記錄標籤1 〇於M D的 碟片卡匣7 0上之例。此時，可作隨M D的記憶內容之變 更’顯示內容自動變更等之應力。而當係CD-RW等不用 碟片卡匣之碟片時，可將本發明之上述熱可逆記錄標籤直 接貼附於碟片。 第6圖示貼附本發明之熱可逆記錄標籤1 〇於c D -RW71上之例。此時，取代CD-RW改貼附上述熱可逆記 錄標鐵於CD-R等之補寫型碟片上，可替換顯示補寫於該 C D - R之記憶資訊的一部份。 第7圖係貼附本發明之上述熱可逆記錄標籤於使用 Agin SbTe系的相變化型記憶材料之光資訊記錄媒體（cd-RW)上之例。該CD-RW之基本構造係，於具導溝之基體 111上依序設第一介電質層110、光資訊記憶層109、第 二介電質層108、反射放熱層1〇7及中間層106，於基體 111之背面有硬塗層112。該CD-RW之中間層106上貼附 有本發明之熱可逆記錄標籤1 〇。熱可逆記錄標籤1 〇係依 序設粘合劑或粘膠層105、支承體104、反光層1〇3、可 逆感熱層102及保護層1〇1而成。而上述介電質層未必須 設於上述感熱層之二側，當上述基體係如聚碳酸酯樹脂之 低耐熱性材料時，宜設第一介電質層1 1 0。 第8圖示貼附本發明之熱可逆記錄標籤1 〇於影帶卡 匣72上之例。此時，可用於隨影帶卡匣之記憶內容的變 更而自動變更顯示內容等之用途。 設上述熱可逆記錄功能於卡、碟片、碟片卡匣及磁帶 -66- (63) (63)590907 卡匣上之方法，除貼附上述熱可逆記錄標籤之方法以外， 有直接塗布上述感熱層於該等上之方法，預先於另外的支 承體上形成上述感熱層，於上述卡、上述碟片、上述碟片 卡匣及上述磁帶卡匣上轉印該感熱層之方法等。轉印上述 感熱層之方法者，亦可於上述感熱層上先設有熱熔型等之 上述粘合劑層、上述粘膠層。如上述卡、上述碟片、上述 碟片卡匣及磁帶卡匣等之剛直物上貼附上述熱可逆記錄標 籤，設置上述感熱層時，會有能提升與感熱頭之接觸性， 形成均勻畫像之彈力成爲緩衝層，或者將片設於剛直基體 與標籤或上述感熱層之間，係爲較佳。 本發明之熱可逆記錄媒體可係如第9A圖，於支承體 1 1上設可逆感熱層13及保護層14之膜，如第9B圖，於 支承體1 1上設鋁反射層1 2、可逆感熱層1 3及保護層1 4 之膜，如第9 C圖，於支承體1 1上設鋁反射層12、可逆 感熱層1 3及保護層1 4，於支承體1 1之背面設磁感熱層 1 6之膜等樣態。 這些各樣態之膜（熱可逆記錄媒體）可加工成例如第 1 0 A圖之印刷顯不邰2 3的熱可逆記錄卡2 1使用。而第 1 0 B圖示，於卡之背面形成有磁記錄部2 4。 又，第11A圖之熱可逆錄構件（卡）係於支承體 上設鋁反射層、可逆感熱層及保護層成膜，加工成卡狀， 形成容納1C晶片之凹部25並加工成卡狀。第丨i A圖係於 卡狀熱可逆記錄媒體加工可改寫記錄部2 6成標籟，並於 卡背面之特定處所形成用以嵌入1c晶片的凹部2 5。如第 -67- (64) (64)590907 1 1 β圖，於該凹部2 5嵌入晶片2 3 1加以固定。晶片2 3 1 係於晶片基板2 3 2上設積體電路2 3 3，並於晶片基板2 3 2 設多數之接觸端子2 3 4，以電連接積體電路2 3 3。該接觸 端子2 3 4外露於晶片基板2 3 2，構成可藉專用印寫機（讀 寫機）與接觸端子2 3 4作電接觸，讀取、改寫特定資訊。 其次參照第1 2圖說明上述熱可逆記錄卡之功能。第 12Α圖係積體電路233之槪略構造方塊圖。積體電路233 可係以LSI構成，含可依特定順序作控制動作之CPU2 3 5 、儲存CPU23 5之動作程式資料的r〇M23 6及可讀寫必要 資料之R A Μ 2 3 7。積體電路2 3 3並含，接收輸入信號供給 輸入資料於CPU235，並接收來自CPU235之輸出信號輸 出於外部的輸出入介面2 3 8，及圖未示之電力開啓重設電 路、時鐘產生電路、脈衝分頻電路（分割脈衝產生電路） 及位址解碼電路。 C P U 2 3 5隨定期供給自脈衝分頻電路之分割脈衝，可 執行分割控制常式之動作。位址解碼電路解碼來自 CPU235之位址資料，各於R〇M236、RAM237及輸出入介 面2 3 8供給信號。輸出入介面2 3 8連接有多數（第1 2圖 中爲8)之接觸端子234，來自上述專用印寫機（讀寫機 )之彳寸疋資料由該接觸端子234透過輸出入介面238輸入 CPU23 5。CPU23 5回應輸入信號，並依儲存於ROM23 6之 程式資料執行各動作，並透過輸出入介面2 3 8輸出特定資 料、信號至表單讀寫機。 如第12Β圖，RAM23 7含多數之記憶區域2 3 9a至 -68- (65) (65)590907 2 3 9 g。例如，於區域2 3 9 a記錄有表單號碼。例如於區域 23 9b記錄有表單管理人姓名、工作單位、電話號碼等之 ID資料。例如於區域23 9c記錄使用者可使用之餘留空白 或有關取用之資訊。例如於區域 2 3 9 d、2 3 9 e、2 3 9 f及 23 9g記錄前負責人、前使用者之相關資訊等。 本發明之上述熱可逆記錄標籤及上述熱可逆記錄構件 至少任一，無特殊限制，可用各種畫像處理方法及畫像處 理裝置處理畫像，可利用後敘本發明之畫像處理裝置順利 形成、消除畫像。 (畫像處理方法及畫像處理裝置） 本發明之畫像處理裝置具有畫像形成機構及畫像消除 機構之任一，以及必要時適當選擇之其它機構，例如輸送 機構、控制機構等。 本發明之畫像處理方法係加熱上述熱可逆記錄媒體作 畫像的形成、消除之至少其一，必要時可更包括適當選擇 的其它例如輸送、控制等過程。 本發明之畫像處理方法可用本發明之畫像處理裝置順 利施行，加熱上述本發明之熱可逆記錄媒體作畫像的形成 、消除之至少其一可用上述畫像形成機構及畫像消除機構 之至少其一爲之，上述其它過程可用上述其它機構爲之。 —畫像形成機構及畫像消除機構一 上述畫像形成機構係，加熱本發明之上述熱可逆記錄 -69- (66) (66)590907 媒體形成畫像之機構。而上述晝像消除機構係，加熱本發 明之上述熱可逆記錄媒體消除晝像之機構。 上述畫像形成機構無特殊限制，可隨目的適當選擇， 有例如感熱頭、雷射等。這些可單用一種或倂用二種以上 〇 上述畫像消除機構係加熱本發明之上述熱可逆記錄媒 體、消除畫像之機構，有例如熱印器、陶瓷加熱器、熱輥 、熱風、感熱頭、雷射等。其中合適者爲陶瓷加熱器。使 用上述陶瓷加熱器者裝置可予小型化，並可得安定之消除 狀態，畫像之對比佳。上述陶瓷加熱器之設定溫度無特殊 限制，可隨目的適當選擇，以例如1 1 0 °C以上爲佳，1 1 2 °C以上更佳，1 1 5 t：以上特佳。 使用上述感熱頭則可更加小型化，並能減少耗電，可 製成電池驅動之手持型裝置，亦可製成兼作上述畫像之記 錄及消除的單一感熱頭，則可又更小型化。以單一感熱頭 作記錄及消除者，可將前畫像全部消除後記錄其它畫像， 亦可對每一畫像改變能量消除前畫像，記錄新畫像而爲重 寫方式。該重寫方式者上述畫像之記錄以及消除所需時間 變短，記錄速率隨之提升。 具有上述感熱層及資訊記憶部之熱可逆記錄構件（卡 )的使用時，上述裝置包含，作資訊記憶部之記憶的讀取 機構，以及改寫機構。 上述輸送機構若具依序輸送上述熱可逆記錄媒體之功 能即無特殊限制，可隨目的適當選擇，有例如輸送帶、輸 -70- (67) (67)590907 送輥、輸送帶與輸送輥之組合等。 上述控制機構若具控制上述各過程之功能即無特殊限 制’可作各過程之控制，有例如定序器、電腦等。 以本發明之畫像處理裝置實施本發明的畫像處理方法 之一樣態，可參照第1 3圖作說明。第1 3圖之畫像處理裝 置具備上述加熱處理機構感熱頭5 3、陶瓷加熱器3 8、磁 頭3 4、輸送輥3 1、4 0及4 7。 如第1 3 A圖，該畫像處理裝置首先，以磁頭讀取記錄 媒體之磁感熱層所記憶之資訊。其次，以陶瓷加熱器加熱 消除記錄在可逆感熱層之畫像。並將磁頭所讀取之資訊處 理成新資訊，由感熱頭記錄於可逆感熱層。然後，磁感熱 層之資訊亦以新資訊改寫取代。 第13A圖之畫像處理裝置係將感熱層反面設有磁感熱 層之熱可逆記錄媒體1，沿雙箭頭之輸送路徑輸送，或沿 輸送路徑以反向往裝置內輸送。熱可逆記錄媒體1係，於 磁頭3 4與輸送輥3 1間之磁感熱層作磁記錄或消除，爲作 陶瓷加熱器3 8與輸送輥4 0間之畫像消除作加熱處理，於 感熱頭5 3區域輸送輥4 7間形成畫像。然後送出裝置外。 如上說明，陶瓷加熱器3 8之設定溫度以1 1 (TC以上爲佳 ，1 1 2 °C以上更佳，1 1 5 °C以上特佳。惟磁記錄之改寫，可 在陶瓷加熱器之畫像消除以前或以後。且必要時可於通過 陶瓷加熱器3 8與輸送輥4 0間之後，或通過感熱頭5 3及 輸送輥4 7間之後，沿輸送路徑反向輸送。以陶瓷加熱器 3 8再作熱處理，即可藉感熱頭5 3再作印字處理。 -71 - (68) (68)590907 第13B圖之畫像處理裝置係，由出入口 30***之熱 可逆記錄媒體1，沿單點虛線之輸送路徑5 0行進，或沿 輸送路徑50於裝置內反向行進。由出入口 3〇***之熱可 逆記錄媒體1，係於記錄裝置內以輸送輥3 1及導輥3 2輸 送。抵達輸送路徑5 0之特定位置時，由感測器3 3經控制 機構3 4c確認其存在，於磁頭3 4與熱輥3 5間於磁感熱層 作磁記錄或消除記錄，通過導輥3 6及輸送輥3 7間，通過 導輥3 9及輸送輥40間，由感測器43透過陶瓷加熱控制 機構3 8c確認其存在，於陶瓷加熱器3 8與墊輥44間爲消 除畫像作加熱處理，由輸送輥45、46及47沿輸送路徑 5 〇輸送，於特定位置由感測器5 1透過感熱頭控制機構 53c確認其存在而作動，於感熱頭53及墊輥52間形成畫 像，由輸送路徑56a經輸送輥59及導輥60，由出口 61送 出裝置外。在此，陶瓷加熱器3 8之設定溫度無特殊限制 ，可隨目的適當選擇，如上，以11 0 °C以上爲佳，1 1 2 °C 以上更佳，11 5 °C以上特佳。 必要時切換輸送路徑切換機構55a導入輸送路徑56b ，以按壓熱可逆記錄媒體1所輸入的極限開關5 7a之作動 而反向移動之輸送帶58，將熱可逆記錄媒體1再度於感 熱頭53及墊輥52間作熱處理後，切換輸送切換機構55b 經連通之輸送路徑49b、極限開關57b、輸送帶48順向輸 送，可自輸送路徑5 6 a經輸送輥5 9及導輥6 0由出口 6 1 送出裝置外。如此之分叉的輸送路徑及輸送切換機構，亦 可設在陶瓷加熱器3 8之二側。此時宜將感測器43 a設於 -72- (69) (69)590907 墊輥44與輸送輥45之間。 利用本發明之畫像處理裝置及畫像處理方法，可於短 時間快速處理，即以感熱頭等短暫加熱亦可充分進行畫像 之形成及消除，可形成長久保存後畫像消除性優，對比高 之畫像。 以下說明本發明之實施例，但本發明不限於此。 (合成例1 ) —壓克力樹脂（A1)之合成一 混合苯乙烯132質量份、甲基丙烯酸甲酯297質量份 、丙烯酸2-乙基己酯54質量份、丙烯酸4-羥基丁酯108 質量份及甲基丙烯酸9質量份成單體混合物。 於2公升之四口燒瓶中饋入溶劑乙酸丁酯3 60質量份 ，及上述單體混合物540質量份。其餘的上述單體混合物 添加啓始劑KAYAESTER Ο (化藥AKZO公司製）6.6質 量份，成滴入用單體混合物。燒瓶內溫度保持於120 °C後 以4小時滴入上述滴入用單體混合物，滴完後加乙酸丁酯 30質量份。保持燒瓶內溫於120°C不變，1小時後以追加 啓始劑1.2質量份之KAYAESTER Ο與30質量份之乙酸 丁酯所成之啓始劑混合物分三次每隔1小時添加。再保持 燒瓶內溫於1 2 0 °C不變，1小時後冷卻燒瓶內溫至8 0 °C以 下時加入丁酮（MEK ) 3 60質量份，冷卻得合成例1之壓 克力樹脂（A 1 )，密封保存。 所得壓克力樹脂（A 1 )之特性爲，粘度（氣泡粘度 -73- (70)590907 計）-J，加熱殘線42.1質量％ ’酸値4·1毫克 羥基値70，重均分子量39,000。壓克力樹脂 溫度（Tg )計算値爲4 5 °C ’折射率計算値爲1 (實施例1 ) 一熱可逆記錄媒體之製作一 首先於大日本油墨工業公司製之 MEMORITIC，DS- 1 7 1 1 - 1 040 : 1 8 8 微米厚之透 塗以磁感熱層及自潔層而成）之PET膜側， 真空蒸鍍至厚約400埃設反光層。反光層上 烯-乙酸乙酯-磷酸酯共聚物（電氣化學工· DENKAVINYL # 1 000P) 10 質量份、丁酮 45 苯45質量份所成之粘合層用塗布液，加熱乾傷 微米之粘合層。其次，粘合層上塗布以硬脂酸 本油脂公司製，M9676) 5質量份、二十烷二 油公司製，SL-20-90 ) 5質量份、合成例1之 (A1 ) 27質量份、異氰酸酯化合 POLYURETHANE 製，CRONATE 2298-90T) 3 甲苯40質量份及四氫呋喃160質量份所成之 布液，於1 3 0 °C加熱3分鐘乾燥得厚約1 0微 ’於60 °C加熱48小時硬化。其次，感熱層上 布以氨酯丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂（大曰 公司製：UNITIC C7-157)之75質量％乙酸= 質量份，及異丙醇i 0質量份所成之保護層用 KOH/ 克， 之玻璃轉移 .5115。 磁原膜（ 明PET膜上 以鋁（A1 ) 塗布以氯乙 I公司製， 質量份及甲 I設厚約〇 . 5 硬脂酯（曰 酸（岡村製 壓克力樹脂 物（日本 質量份、二 感熱層用塗 米之感熱層 以繞線棒塗 本油墨化學 ~酯溶液1 〇 塗布液，加 -74- (71)590907 熱乾燥後以8 0瓦/公分之紫外線燈硬化，成厚約 之保護層。 如上製作實施例1之熱可逆記錄媒體。 (合成例2 ) 一壓克力樹脂（A2 )之合成一 合成例1中上述單體混合物改爲，苯乙烯1 3 2 、甲基丙烯酸甲酯3 09質量份、丙烯酸2-乙基己酉丨 量份、丙烯酸4-羥基丁酯108質量份及甲基丙烯酸 份之單體混合物600質量份以外，如同合成例1得 2之壓克力樹脂（A2 )。 所得壓克力樹脂（A2 )之溶液特性爲，粘度 粘度計）-G，加熱殘餘42.1質量％，酸値4.1毫克 克，羥基値70，重均分子量40,000。壓克力樹脂 之玻璃轉移溫度（Tg )計算値 5 (TC ，折射率 1.5115。 (實施例2 ) 一熱可逆記錄媒體之製作一 實施例1中上述合成例1之壓克力樹脂（A 1 ) 述合成例2之壓克力共聚物（A2 )以外，如同實施 作實施例2之熱可逆記錄媒體。 (合成例3 ) 2微米 質量份 丨42質 9質量 合成例 (氣泡 KOH/ (A2 ) 汁算値 改爲上 例1製 -75- (72) (72)590907 一壓克力樹脂（A3 )之合成一 合成例1中上述單體混合物改爲，苯乙烯1 5 0質量份 、甲基丙烯酸甲酯1 2 3質量份、甲基丙烯酸苯甲酯1 3 2質 量份、丙烯酸2-乙基己酯78質量份、丙烯酸4-羥基丁酯 108質量份、甲基丙烯酸9質量份之單體混合物600質量 份以外，如同合成例1得合成例3之壓克力樹脂（A 3 )。 所得壓克力樹脂（A3 )溶液特性爲，粘度（氣泡粘 度計）-D，加熱殘餘4 1 · 5質量％，酸値4.5毫克Κ Ο Η /克 ，羥基値70，重均分子量38,000。壓克力樹脂之玻璃轉 移溫度（Tg )計算値爲3 0 °C，折射率計算値爲1 . 5 3 0 8。 (實施例3 ) 一熱可逆記錄媒體之製作一 實施例1中上述壓克力樹脂（A1)改爲壓克力樹脂（ A3 )，上述異氰酸酯化合物改爲 CRONATE HL (曰本 POLYURETHANE製）以外，如同實施例1製作實施例3 之熱可逆記錄媒體。 (合成例4 ) 一壓克力樹脂（A4)之合成一 合成例1中上述單體混合物改爲苯乙烯1 20質量份、 甲基丙烯酸甲酯153質量份、甲基丙烯酸苯甲酯180質量 份、丙烯酸2-乙基己酯30質量份、丙烯酸4-羥基丁酯 108質量份及甲基丙烯酸9質量份之單體混合物600質量 -76- (73) (73)590907 份以外’如同合成例1得合成例4之壓克力樹脂（A4 )。 所得壓克力樹脂（A4 )之溶液特性爲，粘度（氣泡 粘度計）-R，加熱殘餘5 0 · 9質量％，酸値5 . 1毫克Κ Ο Η / 克，丁§40°(：，羥基値70，重均分子量41，000。又，壓克 力樹脂的折射率計算値爲1 . 5 3 2。 (實施例4 ) 一熱可逆記錄媒體之製作一 實施例1中上述壓克力樹脂（A 1 )改爲壓克力樹脂（ A4 )以外，如同實施例1製作實施例4之熱可逆記錄媒體 (合成例5 ) 一壓克力樹脂（A5)之合成例一 合成例1中上述單體混合物改爲苯乙烯丨2 5質量份、 甲基丙烯酸甲酯291質量份、丙烯酸2 -乙基己酯67質量 份、丙嫌酸4 -經基丁酯1 0 8質量份及甲基丙烯酸9質量份 之單體混合物6 0 0質量份以外，如同合成例1得合成例5 之壓克力樹脂（A5 )。 所得壓克力樹脂（A5 )之溶液特性爲，粘度（氣泡 粘度計）-C，加熱殘餘40.4質量％，酸値4·2克KOH/克 ，Tg 40°C，羥基値7〇，重均分子量37,8〇〇。壓克力樹脂 折射率計算値爲1 . 5 1 1 3。 -77- (74) (74)590907 (實施例5 ) 一熱可逆記錄媒體之製作一 實施例1中上述壓克力樹脂（A 1 )改爲上述壓克力樹 脂（A5 )以外，如同實施例1製作實施例5之熱可逆記錄 媒體。 (合成例6 ) —壓克力樹脂（A6 )之合成一 合成例1中上述單體混合物改爲，苯乙烯1 〇 〇質量份 、甲基丙燒酸甲酯290質量份、丙烯酸丁酯93質量份、 丙烯酸4 -羥基丁酯108質量份及甲基丙烯酸9質量份之單 體混合物6 0 0質量份以外，如同合成例1得合成例6之壓 克力樹脂（A6 )。 所得壓克力樹脂（A6 )之溶液特性爲，粘度（氣泡 粘度計）-D，加熱殘餘40.2質量％，酸値4·!毫克KOH/ 克，Tg 40 °C，重均分子量42,0〇〇。壓克力樹脂折射率計 算値爲1 . 5 1 1 6。 (實施例6 ) 一熱可逆記錄媒體之製作一 實施例1中上述壓克力樹脂（A 1 )改爲上述壓克力樹 脂（A6)，上述異氰酸酯化合物改爲CRONATE HL (日 本POLYURETHANE製）以外’如同實施例1製作實施例 6之熱可逆記錄媒體。 -78 - (75) (75)590907 (合成例7 ) 一壓克力樹脂（A7 )之合成一 合成例1中上述單體混合物改爲苯乙烯2 1 0質量份、 甲基丙烯酸甲酯229.2質量份、丙烯酸2 -乙基己酯90質 量份、丙烯酸4 -羥基丁酯5 8.8質量份及甲基丙烯酸1 2質 量份之單體混合物以外，如同合成例1得合成例7之壓克 力樹脂（A 7 )。 所得丙烯酸樹脂（A7 )之溶液特性爲，粘度（氣泡 粘度計）-D，加熱殘餘4 0質量％，酸値4.3毫克Κ Ο Η / 克，玻璃轉移溫度（Tg) 50 °C，重均分子量40,000。壓 克力樹脂折射率之計算値爲1 . 5 2 5 7。 (實施例7 ) 一熱可逆記錄媒體之製作一 首先於大日本油墨工業公司製之磁原膜（ MEMORITIC，DS- 1 7 1 1 - 1 040 :厚 188 微米之透明 PET 膜 上塗布磁感熱層及自潔層而成）之PET膜側，以鋁（A1 )真空蒸鍍成厚400埃之反光層。其次於反光層上塗布氯 乙烯-乙酸乙烯酯-磷酸酯共聚物（電氣化學公司製， DENKA VINYL #1000P) 10質量份、丁酮45質量份及甲 苯4 5質量份所成之粘合層用塗布液，加熱乾燥成厚約〇 . 5 微米之粘合層。其次對合成例7之壓克力樹脂（A7 ) 502 質量份，添加硬脂酸硬脂酯（MIYOSI油脂公司製，SS96 )63質量份，下述結構式（a )之異氰酸酯化合物8質量 -79- (76) (76)590907 份、下述結構式（B )之異氰酸酯化合物9質量份及丁酮 2 2 0質量份於玻璃瓶中，加入直徑約2毫米之陶瓷珠粒’ 用振漆機（淺田鐵工製）分散3 5小時成分散液A ° 0

II C H3C H2— 〇 - (c H2)3—N C H2)17C H3 結構式(a) Η Η ch3(ch2)17oocnh--^)-chHQ^nhcoo(CH2)^CH3 結構式(Β) 其次，以上述分散A 400質量份、丁酮209質量份、 異氰酸酯化合物（E-402-90T ;旭化學製）35質量份、鄰 二甲苯1 15質量份及流平劑（ST102PA MEK 1質量％溶液 )4質量份所成之分散液塗布於上述粘合層上，於1 2 5 °C 加熱乾燥1分鐘成厚約1 1微米之感熱層後，於50°C加熱 4 8小時硬化。其次於感熱層上如同實施例1形成保護層 〇 如上製作實施例7之熱可逆記錄媒體。 (實施例8 ) 一熱可逆記錄媒體之製作一 實施例7中的上述感熱層用塗布液除不添加上述結構 式（A )及（B )之異氰酸酯化合物以外，如同實施例7 製作實施例8之熱可逆記錄媒體。 (比較例1 ) -80- (77) (77)590907 一熱可逆記錄媒體之製作一 首先於大日本油墨工業社製磁原板（MEM0RITIC， DS-1711-1040:厚188微米之透明PET膜上塗布磁感熱 層及自潔層而成）之P E T膜側，以鋁（A1 )蒸鍍設厚約 400埃之反光層。其次，於反光層上塗布氯乙烯-乙酸乙 烯酯-磷酸酯共聚物（電氣化學工業公司製’ DENKAVINYL # 1 0 0 0 P ) 1 〇質量份、丁酮4 5質量份及甲 苯4 5質量份所成之粘合層用塗布液，加熱乾燥成厚約〇 · 5 微米之粘合層。其次，於粘合層上塗布氯乙烯-乙酸乙烯 酯共聚物（日信化學工業製，SOLBINE C，氯乙烯/乙酸 乙烯酯=87 / 13 (莫耳比））120質量份、硬脂酸十六烷 酯40質量份、十二烷二酸1〇質量份、STEARON ( 18-三 十五碳酮）10質量份及THF 945質量份所成之感熱層用 塗布液，於1 2 0 °C加熱乾燥2分鐘成厚約1 〇微米之感熱 層後，於6 0 °C加熱4 8小時硬化。其次，於感熱層上以繞 線棒塗布氨酯丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂（大日本油墨 化學公司製：UNITEC C7-157)之75質量％乙酸丁酯溶液 1 0質量份及異丙醇1 0質量份所成之保護層用塗布液，加 熱乾燥後以80瓦/公分之紫外線燈硬化，成厚約2微米 之保護層。 如上製作比較例1之熱可逆記錄媒體。 (比較例2) ―熱可逆記錄媒體之製作一 -81 - (78) (78)590907 比較例1中，感熱層用塗布液改爲，氯乙烯-乙酸乙 烯酯共聚物（日信化學工業製’ SOLBINE C ’氯乙嫌/乙 酸乙烯酯=8 7 / 1 3 (莫耳比））8 0質量份、二（十六烷 基）硫醚28質量份、十二烷二酸1 2質量份及THF 03 0質 量份所成之感熱層用塗布液以外’如同比較例1製作比較 例2之熱可逆記錄媒體。 (比較例3 ) 一熱可逆記錄媒體之製作一 比較例1中，於上述粘合層上塗布，VMCH ( UCC公 司製，氯乙烯85至87質量％、MA(馬來酸）〇·7至1質 量％、餘爲乙酸乙烯酯之共聚物）5 0質量份、十二烷二酸 2 5質量份、山芋酸硬脂酯6 0質量份、1,9 -壬二醇丙烯酸 酯20質量份、低Tg壓克力系樹脂（東亞合成化學製， S2040，固體成分30質量％) 120質量份、Irgacure 184( 汽巴嘉基公司製之硬化劑）10質量份、二甲基聚矽氧烷-聚環氧乙烷共聚物流平劑 （TORAY DOW-CORNING SILICONE製，ST102PA) 10質量份及THF 962質量份所 成之感熱層用塗布液，於1 3 〇。(：加熱乾燥1分鐘後以8 0 瓦/公分X 2燈管之UV照射，成厚約1 〇微米之感熱層後 ，於6 0 °C加熱4 8小時硬化以外，如同比較例1製作比較 例3之熱可逆記錄媒體。 (比較例4 ) -82- (79) (79)590907 一熱可逆記錄媒體之製作一 比較例1中，感熱層用塗布液改爲，VYHH ( UCC公 司製，氯乙烯8 5至8 7質量％、餘爲乙酸乙烯酯之共聚物 )1 20質量份、山芋酸山芋酯5 0質量份、十二烷二酸1 〇 質量份、低Tg壓克力系樹脂（東亞合成化學製，S2040， 固體成分30質量％) 24〇質量份、異氰酸酯化合物（日本 POLYURETHANE 製，CRONATEL) 10 質量份、二甲基聚 矽氧烷-聚環氧乙烷共聚物流平劑（TORAY DOW-CORNING SILICONE 製，ST102PA) 10 質量份及 THF 1 1 8 3質量份所成之感熱層用塗布液以外，如同比較例1 製作比較例4之熱可逆記錄媒體。 (比較例5 ) 一熱可逆記錄媒體之製作一 首先，於氯乙烯系共聚物（日本 ΖΕΟΝ公司製， MR1 10 )溶解於THF之固體成分15質量％的溶液5 00質 量份，添加 HOOC(CH2)5NHCO(CH2)CONH(CH2)5COOH】5 ，在玻璃瓶中置入直徑約2毫米之陶瓷珠粒，用振漆器（ 淺田鐵工製）分散4 8小時調製分散液A。 依一般方法混合山芋酸（MIY0SI油脂公司製，山芋 酸95) 110質量份、二十烷二酸（岡村製油公司製，SL-20-90 ) 25質量份、氯乙烯共聚物（日本ΖΕΟΝ公司製， MR110) 300質量份、THF 170質量份及鄰二甲苯60質量 份，調製分散液Β。 -83- (80) (80)590907 其次混合上述分散液A 80質量份、上述分散液B 270質量份及異氰酸酯化合物（日本POLYURETHANE工 業公司製，22 9 8 -9 0T ) 60質量份，調製感熱層用塗布液 〇 其次，比較例1中除使用上述感熱層用塗布液以外， 如同比較例1製作比較例5之熱可逆記錄媒體。 (比較例6 ) 比較例 1中，於上述粘合層上塗布，1，1 8 -十八碳二 酸十二烷酯（MIYOSI油脂公司製）4.75質量份、二十烷 二酸（岡村製油公司製，SL-20-99) 5.25質量份、氯乙 烯-乙酸乙烯酯共聚物（鐘淵化學工業公司製；M201 8， 氯乙烯8 0質量％、乙酸乙烯酯2 0質量％，平均聚合度 = 1 8 00 ) 2 8質量份、反應性聚合物（新中村化學工業公司 製，NK POLYMER B-3015H) 4.7 質量份、THF 215.5 質 量份、戊醇2 4質量份及月桂酸二丁基錫系安定劑（三共 有機合成公司製，Stann SCAT-1) 0.8質量份所成之感熱 層用塗布液，加熱乾燥成厚約8微米之感熱層（可逆感熱 層）。其次用日新HIGH VOLTAGE公司製之面束型電子 束照射裝置EBC-200-AA2，調整照射量可爲1〇百萬拉德 ，作感熱層之電子束照射，製作比較例6之熱可逆記錄媒 體0 (比較例7 ) -84- (81) (81)590907 一熱可逆記錄媒體之製作一 比較例1中，上述粘合劑層上塗布’壓克力樹脂（ LR-269，三菱縲縈製）1〇〇質量份、四乙二醇二丙烯酸酯 50質量份、光聚合啓始劑（汽巴嘉基公司製’ Irgacure 184) 2質量份、聚酯系可塑劑（DIC公司製，P-29) 25 質量份、硬脂酸硬脂酯4 0質量份、二十烷二酸8質量份 及四氫咲喃1 8 0質量份所成之感熱層用塗布液，於1 1 0 °C 加熱乾燥5分鐘後，以1 2 0瓦/公分、1 0米/分鐘之條 件用U V照射，成厚約1 〇微米之感熱層以外，如同比較 例1製作比較例7之熱可逆記錄媒體。 (實施例9) 一熱可逆記錄標籤之製作一 實施例4中製作之熱可逆記錄媒體，於其支承體之無 感熱層之面（背面），設厚約5微米之壓克力系粘膠層。 如上製作實施例9之熱可逆記錄標籤。 (實施例1 〇 ) 一熱可逆記錄構件之製作及評估一 實施例9中製作之熱可逆記錄媒體表面上以U V印墨 (HAKURI OP NIS UP2，T&KToka 公司製）印刷’切成 卡狀使用具有記錄及消機構（感熱頭）之記錄裝置’依熱 可逆記錄媒體之記錄能量的變化調整感熱頭之記錄能量’ 作感熱層之顯示記錄可視化，進行記錄及消除。更於該顯 -85- (82) (82)590907 示記錄重複改寫5 0次，記錄及消除仍良好。 (實施例1 1 ) 一熱可逆記錄構件之製作及評估一 將實施例9中製作之熱可逆記錄標籤貼附於迷你碟片 (MD )卡匣上。將記憶於MD之資訊的一部份（年月日 、曲名等）用備有記錄及消除機構（感熱頭）之記錄裝置 ’依媒體之記錄能量的變化調整感熱頭的記錄能量，作感 熱層之顯示記錄而可視化，進行記錄及消除。重複該顯示 記錄之改寫5 0次後，記錄及消除仍良好。 (實施例1 2 ) 一熱可逆記錄構造之製作及評估一 以實施例9中製作之熱可逆記錄標籤貼合於CD-RW 上，製作附有熱可逆顯示機能之光資訊記錄媒體。用該光 資訊記錄媒體，將利用CD-RW驅動器（理光（股）製， MP6200S )記錄之資訊的一部份（年月日、時間等），用 備有記錄及消除機構（感熱頭）之記錄裝置，依記錄媒體 的記錄溫度之變化調整感熱頭之記錄能量作感熱層之顯示 記錄而可視化。使用該CD-RW驅動器改寫光資訊記錄媒 體之記憶層的資訊，以記錄裝置之消除機構消除先前之記 錄，以另一感熱頭改寫新資訊於感熱層’作顯示記錄。重 複改寫該顯示記錄5 0次後’記錄及消除仍良好。 -86- (83) (83)590907 (實施例1 3 ) 一熱可逆記錄構件及其評估一 以實施例9中製作之熱可逆記錄標籤貼附於磁帶卡匣 上。將記憶於磁帶卡匣之資訊的一部份（年月日、曲名等 )用備有記錄及消除機構（感熱頭）之記錄裝置，依各媒 體之記錄能量的變化調整感熱頭之記錄能量作感熱層之顯 示記錄而可視化，進行記錄及消除。重複改寫該顯示記錄 5 〇次後，記錄及消除仍良好。 其次如下測定所得實施例1至9及比較例1至7之各 熱可逆記錄媒體的消除性、透明化溫度寬度、玻璃轉移溫 度變化、耐氨性及重複耐久性。結果列於表1及表2。 <消除性> 感熱記錄裝置用八城電氣公司製印字試驗裝置，感熱 頭用京瓷（股）製KBE-40-8MGK1，以脈寬2.0毫秒、施 加電壓11 · 〇伏特之條件形成白濁畫像。隨後立即設定感 熱頭之印字條件爲線週期4.2毫秒、脈寬2.94毫秒、印 字速度29.76毫米/秒，適當變更施加能量到〇 〇85毫焦 耳/點至0.3 0毫焦耳/點進行透明化。各能量之消除濃 度以McBeth RD-914密度計（McBeth公司製）測定求出 消除性。繪製如同第4圖之消除密度與消除能之關係，求 出可消除能寬。以最大透明化之部位的密度爲最大透明密 度，以該最大透明密度與背景之差爲起始消除性。並以與 起始消除性同一部位之密度與背景之差爲歷時消除性。實 -87- (84) (84)590907 施例1至6之結果示於第14至1 9圖。實施例7之結果示 於第2 0圖。比較例1至6之結果示於第21至2 6圖。結 果列於表1。 <透明化溫度寬度> 上述透明化溫度寬度（△ Tw )係如下測定。 首先將各熱可逆記錄媒體充分白濁。其次改變溫度加 熱各白濁之熱可逆記錄媒體，測定透明化溫度。各熱可逆 記錄媒體之加熱係用熱傾斜試驗機（東洋精機公司製HG — 1 00 )。該熱傾斜試驗機有5個加熱塊。各塊可個別設定 溫度，並可控制加熱時間、壓力。設定條件下，可同時以 5種不同溫度加熱熱可逆記錄媒體。具體而言，加熱時間 爲1.0秒，加熱時之壓力約1.0公斤/平方公分。加熱溫 度可係白度不起變化之低溫，以1至5 °C之等溫間隔，到 能充分白濁化之溫度。加熱後冷卻至常溫，用 McBeth RD-914反射密度計（McBeth公司製），測定經各溫度加 熱部份之濃度，繪成如第3圖，橫軸爲熱傾斜試驗機之設 定溫度，縱軸爲反射濃度。如同第3圖求出透明化溫度寬 度。實施例7之結果示於第27圖。比較例1至6之結果 示於第2 8至3 3圖。結果列於表1。 <玻璃轉移溫度變化> 用差示掃描量熱計6200 (SII公司製）作DSC測定。 各熱可逆記錄媒體之感熱層試樣，係用稀釋氫氟酸剝離塗 - 88- (85)590907 布在鋁蒸鍍層上之物，取其3毫克至6毫克置於 定用鋁製容器作測定。標準物質係用氧化鋁。升溫 1 5 °C分鐘。 起始玻璃轉移溫度（T g i )係置入D S C測定用 器之試樣’於恒溫槽以1 3 (TC加熱5分鐘後於室溫 )放置3 0分鐘後測定，得自D s c曲線之玻璃轉移 歷時玻璃轉移溫度係於1 3 0 °C加熱5分鐘後於室溫 卻後，保持於3 5 °C 1週後測定，以此時得自D S C 玻璃轉移溫度爲歷時玻璃轉移溫度（T g a )。 <耐氨性> 一透明化溫度範圍試驗一 對實施例5、8及比較例2、5，依上述透明化 圍之測定方法，測定試驗前各熱可逆記錄媒體的透 度範圍，及以8質量％碳酸錢水溶液浸泡4 8小時 可逆記錄媒體之透明化溫度範圍，依下述標準評估 〔評估標準〕 〇：無變化 X :大有變化 一畫像密度變化試驗一 對實施例5、7，以未經鹼浸泡之各熱可逆記 白濁化時之畫像密度爲起始畫像密度，測定熱可逆 體浸泡於8質量％之碳酸銨水溶液中1 0分鐘、3 0 5 DSC測 速度爲 鋁製容 (23〇C 溫度。 充分冷 曲線之 溫度範 明化溫 後各熱 錄媒體 記錄媒 >鐘、1 -89- (86) (86)590907 小時、6小時後以相同能量白濁化之畫像密度。 <重複耐久性> 對實施例7、8之各熱可逆記錄媒體，用感熱頭時的 重複耐久性，以重複印字、消除時畫像密度評估有〇 . 5以 上之變化的次數作比較。並作最高5 00次之重複印字、消 除的評估。 -90- (87)590907 表1 消除能寬(％) 透明化 溫度寬 度rc) 背景 密度 白濁 密度 起始玻 璃轉移 溫度(°C) 歷時玻 璃轉移 溫度(°c) 玻璃轉 移溫度 變化(°C) 重複耐久 性(次） 起始 歷時 實施例1 37.5 37.3 53.0 0.95 0.4 48.9 42.6 -6.3 一 實施例2 27.1 27.1 53.0 1.0 0.38 42.5 36.8 -5.7 一 實施例3 47.2 53.2 53.0 0.96 0.5 41.9 39.3 -2.6 — 實施例4 50.4 46 53.0 0.9 0.35 45.2 43.1 -2.1 一 實施例5 43.13 44.27 53.0 0.92 0.35 39.2 39.4 0.3 一 實施例6 38.5 30.85 53.0 0.85 0.37 41.9 40.0 -1.9 一 實施例7 14.47 12.32 43.7 0.98 0.31 34.9 37.9 3.0 500 實施例8 17.35 0 44.1 1.12 0.45 37.5 41.6 4.1 27 比較例1 3.02 0 7.1 0.77 0.23 38.7 38.9 0.2 一 比較例2 19.4 0 8.1 0.7 0.22 32.2 32.2 0 — 比較例3 0 0 16.3 0.95 0.23 42.1 43.7 1.6 一 比較例4 5.68 0 20.6 0.84 0.32 39.3 38.5 -0.8 — 比較例5 0 0 44.5 1.14 0.28 45.56 53.8 8.24 — 比較例6 0 0 41.1 1.1 0.3 — 一 9.5 — 比較例7 14.29 0 0 1.01 0.45 39.3 35.3 -4 一

-91 - (88)590907 表2 耐氨性 透明化溫度 範圍 畫像密度變 起始 10分鐘後 30分鐘後 1小時後 6小時後 實施例5 X 0.35 0.84 0.93 0.98 0.98 實施例7 〇 0.31 0.31 0.32 0.32 0.32 比較例2 X 一 一 _ 一 一 比較例5 X — 一 一 — — 產業上之利用可能性 根據本發明可提供，能解決習知問題，處理速度快， 使用感熱頭以毫秒單位之極短時間加熱時亦能充分消除畫 像，畫像形成歷時後無消除能之變化而可充分保持消除性 ，高溫長久放置下保存性、對比、目辨性等亦優之畫像得 以形成的熱可逆記錄媒體，以及，使用該熱可逆記錄媒體 的各種標籤、卡等優良熱可逆記錄標籤、碟片、碟片卡匣 、磁帶卡匣等優良熱可逆記錄構件，處理速度快，可形成 對比、目辨性等優之畫像的畫像處理裝置及畫像處理方法 【圖式簡單說明】 第1圖示本發明之熱可逆記錄媒體的溫度與透明度變 化之一例。 第2圖示本發明之熱可逆記錄媒體的溫度與透明度變 -92- (89) (89)590907 化之一例。 第3圖示本發明之熱可逆記錄媒體的能量施加、消除 能寬與反射密度之關係的一例。 第4圖示以D S C所作之焓緩和測定。 第5圖係將本發明之熱可逆記錄標籤貼附於MD碟片 卡匣上之狀態的一例之槪略圖。 第6圖係將本發明之熱可逆記錄標籤貼附於C D - R W 上之狀態的一例之槪略圖。 第7圖係將本發明之熱可逆記錄標籤貼附於光資訊記 錄媒體（CD-RW )上的狀態之一例的槪略剖視圖。 第8圖係以本發明之熱可逆記錄標籤貼附於影帶卡匣 之狀態的一例之槪略圖。 第9 A圖係支承體上設感熱層及保護層而成之膜的槪 略圖。第9 B圖係支承體上設反射層、感熱層及保護層而 成的膜之槪略圖。第9 C圖係支承體上設反射層、感熱層 及保護層，支承體背面設磁感熱層而成的膜之槪略圖。 第1 0 A圖係將本發明之熱可逆記錄媒體的一例加工 成卡狀後正面之槪略圖。第10B圖係第10A圖背面之槪 略圖。 第1 1 A圖係將本發明之熱可逆記錄媒體的一例加工 成另一卡狀之例的槪略圖。第11B圖係嵌入第11A圖之 1C晶片用凹部之1C晶片的槪略圖。 第12A圖係積體電路的槪略構造方塊圖。第12B圖 係RAM含多數記憶區域之槪略圖。 -93- (90) (90)590907 第1 3 A圖係各以陶瓷加熱器消除畫像，以感熱頭形 成畫像時畫像處理裝置之槪略圖。第1 3 B圖係本發明之畫 像處理裝置的一例之槪略圖。 第1 4圖係實施例1中溫度與透明度變化之關係圖。 第1 5圖係實施例2中溫度與透明度變化之關係圖。 第1 6圖係實施例3中溫度與透明度變化之關係圖。 第1 7圖係實施例4中溫度與透明度變化之關係圖。 第1 8圖係實施例5中溫度與透明度變化之關係圖。 第1 9圖係實施例6中溫度與透明度變化之關係圖。 第20圖係實施例7中溫度與透明度變化之關係圖。 第2 1圖係比較例1中溫度與透明度變化之關係圖。 第22圖係比較例2中溫度與透明度變化之關係圖。 第23圖係比較例3中溫度與透明度變化之關係圖。 第24圖係比較例4中溫度與透明度變化之關係圖。 第2 5圖係比較例5中溫度與透明度變化之關係圖。 第26圖係比較例6中溫度與透明度變化之關係圖。 第2 7圖係實施例7中反射密度與溫度之關係圖。 第2 8圖係比較例1中反射密度與溫度之關係圖。 第29圖係比較例2中反射密度與溫度之關係圖。 第3 〇圖係比較例3中反射密度與溫度之關係圖。 第3 1圖係比較例4中反射密度與溫度之關係圖。 第3 2圖係比較例5中反射密度與溫度之關係圖。 第3 3圖係比較例6中反射密度與溫度之關係圖。 -94-

Claims (1)

1. 590907 (1) 拾、申請專利範圍 1 · 一種熱可逆記錄媒體，其特徵爲：含樹脂及有機低 分子化合物，至少有隨溫度透明度起可逆變化之感熱層， 該感熱層之玻璃轉移溫度變化在-1 0至5 °c，且透明化溫度 寬度在3 (Tc以上。 2.—種熱可逆記錄媒體，其特徵爲：含樹脂及有.機低 分子化合物，至少有隨溫度透明度起可逆變化之感熱層， 上述樹脂含壓克力多元醇樹脂，且上述感熱層之玻璃轉移 溫度變化在-1 0至5 °C。 3 · —種熱可逆記錄媒體，其特徵爲：含樹脂及有機低 分子化合物，至少有隨溫度透明度起可逆變化之感熱層， 上述樹脂含壓克力樹脂，旦上述感熱層之透明化溫度變化 在40°C以上。 4. 一種熱可逆記錄媒體，其特徵爲：含樹脂及有機低 分子化合物，至少有隨溫度透明度起可逆變化之感熱層， 上述樹脂含壓克力多元醇樹脂，且上述感熱層之透明化溫 度寬度在3〇°C以上。 5 .如申請專利範圍第1項之熱可逆記錄媒體，其中感 熱層之玻璃轉移溫度在3 〇至7 0 °C。 6. 如申請專利範圍第1項之熱可逆記錄媒體，其中樹 脂含壓克力樹脂。 7. 如申請專利範圍第1項之熱可逆記錄媒體，其中樹 月旨含壓克力多元醇樹脂。 8 ·如申請專利範圍第1項之熱可逆記錄媒體，其中樹 •95- (2) (2)590907 脂含壓克力多元醇樹脂，該壓克力多元醇樹脂以異氰酸酯 化合物交聯。 9. 如申請專利範圍第8項之熱可逆記錄媒體，其中異 氰酸酯化合物之添加量係，對壓克力多元醇樹脂1 0 0質量 份而言爲1至5 0質量份。 10. 如申請專利範圍第2或4項之熱可逆記錄媒體， 其中壓克力多元醇樹脂由下式求出之玻璃轉移溫度（Tg ) 在 30 至 60°C : 1/ Tg=Z ( Wi/ Tgi ) 上式中Wi表單體i之質量分率；Tgi表單體i之單聚 物的玻璃轉移溫度（K )。 1 1.如申請專利範圍第2或4項之熱可逆記錄媒體， 其中壓克力多元醇樹脂的羥基値在20至130毫克KOH/ 克。 1 2 ·如申請專利範圍第2或4項之熱可逆記錄媒體， 其中壓克力多元醇樹脂的折射率在1.45至1.60。 1 3 .如申請專利範圍第2或4項之熱可逆記錄媒體， 其中壓克力多元醇樹脂的重均分子量在20,000至1〇〇, 〇〇〇 〇 14.如申請專利範圍第1項之熱可逆記錄媒體，其中 有機低分子化合物係不含羧基之化合物。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之熱可逆記錄媒體，其中 不含羧基之化合物係選自脂肪酸酯、二元酸酯及多元醇二 脂肪酸酯之任一。 -96- (3) (3)590907 1 6 .如申請專利範圍第1項之熱可逆eS錄媒體’其方々 畫像形成後立即消除畫像之際，下式之消除能寬在20至 8 0% · 消除能寬（％ ) =[ ( E2_El ) / EC] χίοο 上式中E i表消除能之下限値（毫焦耳/點）° E2表 消除能之上限値（毫焦耳/點），Ec表消除能中心値（ Ei+E2) / 2(毫焦耳/點）。 1 7 ·如申請專利範圍第1項之熱可逆記錄媒體，其畫 像形成歷時後消除畫像之際，下式之消除能寬在2G至 8 0%，且該消除能寬之歷時變化率在12%以下： 消除能寬（％)=[( E2-El) /Ec] xlOO 上式中E1表消除能之下限値（毫焦耳/點）。E2表 消除能之上限値（毫焦耳/點），Ec表消除能中心値（ ΕβΕ〕）/ 2 (毫焦耳/點）〇 1 8 ·如申請專利範圍第1項之熱可逆記錄媒體，其中 有支承體。 1 9· 一種熱可逆記錄標籤，其特徵爲：含樹脂及有機 低分子化合物，至少有隨溫度透明度起可逆變化之感熱層 ，該感熱層之玻璃轉移溫度變化在-1 0至5 °C，且透明化 溫度寬度在3 0 °C以上之熱可逆記錄媒體，於其形成畫像 之面的反面，有粘合劑層及粘膠層之任一。 2 0 · —種熱可逆記錄構件，其特徵爲：具有資訊記憶 部及可逆顯示部，該可逆顯示部包含熱可逆記錄媒體，其 含樹脂及有機低分子化合物，至少有隨溫度透明度起可逆 -97- (4) (4)590907 變化之感熱層，該感熱層之玻璃轉移溫度變化在-1 0至5 °C，且透明化溫度寬度在3 0 °C以上。 2 1 · —種熱可逆記錄構件，其特徵爲：資訊記憶部及可 逆顯示部一體化，含如申請專利範圍第20項之熱可逆記錄 媒體。 22. 如申請專利範圍第20項之熱可逆記錄構件，其係 選自卡、碟片、碟片卡匣及磁帶卡匣。 23. —種畫像處理裝置，其特徵爲：具有將熱可逆記錄 媒體加熱，於該熱可逆記錄媒體形成畫像之畫像形成機構 ，及將熱可逆記錄媒體加熱，消除形成於該熱可逆記錄媒 體之畫像消除機構之至少其一，該熱可逆記錄媒體含樹脂 及有機低分子化合物，至少有隨溫度透明度起可逆變化之 感熱層，該感熱層之玻璃轉移溫度變化在-10至5 °C，且透 明化溫度寬度在30°C以上。 24. 如申請專利範圍第23項之畫像處理裝置，其中畫 像形成機構係感熱頭。 2 5.如申請專利範圍第23項之畫像處理裝置，其中畫 像消除機構係感熱頭及陶瓷加熱器之任一。 26.—種畫像處理方法，其特徵爲：包含將熱可逆記錄 媒體加熱，於該熱可逆記錄媒體形成畫像，及將熱可逆記 錄媒體加熱，消除形成於該熱可逆記錄媒體之畫像的至少 其一，該熱可逆記錄媒體含樹脂及有機低分子化合物，至 少有隨溫度透明度起可逆變化之感熱層，該感熱層之玻璃 轉移溫度變化在-10至5t，且透明化溫度寬度在30°C以上 -98- (5) (5)590907 27.如申請專利範圍第26項之畫像處理方法，其中畫 像係用感熱頭形成。 2 8 .如申§靑專利範圍第2 6項之畫像處理方法，其中畫 像係用感熱頭及陶瓷加熱器之任一消除。 29.如申請專利範圍第26項之畫像處理方法，其中用 感熱頭消除畫像，同時形成新畫像。