TW552399B - Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, and cross section evaluating method - Google Patents

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Canon Kk
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Description

552399 A7 B7 五、發明説明(1 ) 發明背景 發明範疇 本發明關於在樣本中獲取資訊的資訊獲取裝置,較具 體地關於橫截面評估裝置,和橫截面評估方法,以評估樣 本的橫截面,其狀態及形狀係依據溫度的變化而變化。 相關背景技藝 隨著最近機能性裝置的增加,包括有機生物材料及整 型外科的有機材料中,微結構之橫截面或組成的評估需求 正與時倶進。 已知用於獲取有機材料之結構資訊的橫截面,其準備 的主要方法包括例如刀片切割法、樹脂植入法、冷凍植入 裂解法、離子蝕刻法等,但若以光¥顯微鏡觀察 有機材料的內部結構,通常採用樹脂植入法及刀片切割法 〇 然而,以光學顯微鏡觀察限於橫截面的顯微分析,而 且由於無法指定截面的位置,所以爲了獲取指定位置之結 構的觀察與分析,必須重複橫截面準備處理的大量工作。 爲此原因,近來開發出一種FIB-SEM裝置,其中將 FIB (聚焦離子束)裝置的功能附加在SEM (掃瞄式電子 顯微鏡)上。FIB裝置自離子源以微細聚焦離子束輻照一 工作樣本,藉以獲取諸如鈾刻等工作處理。以FIB裝置進 行蝕刻的技術變得愈來愈普遍,目前廣泛地用於半導體材 料等結構及偵測分析,與準備透射式電子顯微鏡的樣本。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇><297公着) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 552399 A7 B7 五、發明説明(2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) FIB-SEM裝置可透由單一裝置中的SEM,執行鈾刻樣本的 步驟與觀察樣本橫截面的步驟,因而可指定截面的位置, 並以指定的位置觀察及分析結構。 該FIB-SEM裝置業已以不同的配置被提出。例如「 No. 1 - 1 8 1 5 29」日本專利提出一種裝置,當樣本固定時, 可在FIB過程中進行工作深度的SEM觀察,及在工作過 程中進行樣本表面的SIM (掃瞄式離子顯微鏡)觀察。裝 置的結構使得以固定樣本的不同角度及相同位置,分別自 FIB (聚焦離子束)產生單元及電子束產生單元,輻照 FIB及電子束,並透由偵測相對於電子束(或FIB)輻照 ’樣本的二次電子,而交替執行FIB及SEM (或SIM)觀 察工作,如此可在工作過程中監視樣本的工作狀態。 -此外,「No Q-?74883」闩木專利提出一種輻照具波 束之電極的組態,可避免樣本在FIB工作過程中充電,藉 以完成高度精密的工作。 發明槪述 經濟部智慧財產局W工消費合作社印製 然而,若上述傳統FIB-SEM裝置用於觀察及分析樣 本的橫截面結構,而該樣本的狀態及形狀隨溫度而改變, 例如有機材料,那麼在FIB工作過程中所產生的熱,將造 成樣本的溫度變化,因而改變狀態及形狀,進而無法精確 地分析樣本的橫截面結構。 考量上述情況,本發明的一個目標是提供一種資訊獲 取裝置’可解決上述缺點,並可在樣本溫度調節的狀況下 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ297公釐) -5- 552399 A7 B7 五、發明説明(3 ) ,獲取表面的所需資訊。 本發明的另一目標是提供一種橫截面評估裝置,及一 種橫截面評估方法,可解決上述缺點,並可在樣本溫度調 節的狀況下,分析橫截面。 本發明的又另一目標是提供一種工作裝置、工作部分 評估裝置及工作方法,可解決上述缺點,並處理樣本及在 樣本溫度調節的狀況下,精確地獲取工作部分的資訊。 依據本發明,透由資訊獲取裝置可達成上述目標,該 裝置包括置放樣本的鏡台,調節樣本溫度的溫度調節裝置 ,暴露所需資訊之樣本表面的暴露裝置,及獲取該暴露裝 置所暴露表面之相關資訊的資訊獲取裝置。 依據本發明,亦提供一種橫截面評估裝置,包括置放 樣木的鏡台;調節樣本溫度的溫度調節裝置;輻照具離子 束之樣本的離子束產生裝置,藉以切割橫截面或處理樣本 ;輻照具電子束之樣本的電子束產生裝置;及偵測裝置, 偵測對應於離子束或電子束輻照,而自樣本發射的發射信 號,以獲取來自偵測裝置的所需資訊。 亦提供一種具有上述橫截面評估裝置的橫截面評估裝 置,進一步包括資訊獲取裝置,藉離子束輻照樣本的既定 部分,以切割橫截面或處理樣本;藉離子束或電子束掃瞄 該既定部分,或切割橫截面;及依據與掃瞄同步,偵測裝 置所偵測之複數點的發射信號,獲取該既定部分或切割的 橫截面表面有關的影像資訊。 依據本發明,亦提供一種橫截面評估方法,包括下列 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X297公釐) I,---:------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552399 A7 _B7_ 五、發明説明(4 ) 步驟:調節樣本溫度;以離子束輻照樣本的既定部分,以 切割橫截面;以電子束掃瞄該切割的橫截面,並經由與掃 瞄同步之複數點的發射信號,而獲取橫截面有關影像。 如前述,依據本發明,樣本總是進行溫度調節,使得 樣本即使在FIB工作過程,總是保持所需溫度,因而避免 傳統技藝中所遭遇的狀態或形狀變化。 在本發明中,橫截面不僅表示由一點所見的樣本內部 平面,亦表示樣本進行處理(包括沈澱及蝕刻)後,自觀 察點可見的平面。 亦依據本發明,即使在經由溫度變化而顯現狀態或形 狀變化的樣本中,表面所揭露的資訊亦是需要的,並在樣 本溫度受調節的狀態中獲取資訊,因而可透由所需資訊的 表面,獲取精確的資訊。- 亦應用於本發明中的橫截面評估裝置,可進行橫截面 處理,並當狀態或形狀會隨溫度而變化的樣本保持所需溫 度時,進行(SEM或SIM )觀察及基本分析,如此便得以 進行樣本之微橫截面的精確型態分析。 圖不的簡單說明 圖1槪述進行橫截面觀察之掃瞄式電子顯微鏡的組態 ,形成本發明之橫截面評估裝置的第一實施例; 圖2爲一方塊圖,槪述具溫度調節器之樣本鏡台的組 態,形成圖1中所示溫度控制單元的範例; 圖3爲一流程圖,顯示橫截面評估的程序,其使用掃 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I---r----费! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 -4. 552399 A7 五、發明説明(5 ) 瞄式電子顯微鏡,進行圖1中所示橫截面觀察; 圖4槪述進行橫截面觀察之掃瞄式電子顯微鏡的組態 ,形成本發明之橫截面評估裝置的第二實施例; 圖5爲一方塊圖,槪述具溫度調節器之樣本鏡台的組 態,形成圖4中所示溫度控制單元的範例; 圖6槪述進行橫截面觀察之掃瞄式電子顯微鏡的組態 ,形成本發明之橫截面評估裝置的第三實施例; 圖7槪述進行橫截面觀察之掃瞄式電子顯微鏡的組態 ,形成本發明之橫截面評估裝置的第四實施例; 圖8A槪述透由FIB處理所準備之橫截面的範例,同 時圖8B槪述圖8A中所示橫截面的SEM觀察階段;及 圖9A槪述透由FIB處理所準備之橫截面的範例,同 一辟圖9B槪述圖9A中所示橫截面的基本分析階段。_ 主要元件對照表 1 、 30 、 31 樣本 2 溫度保持單元 3 樣本室 4 離子束產生單元 5 電子束產生單元 6 電子偵測器 7 控制單元 7a 溫度控制單元 8 樣本鏡台 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I.---;------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂_ .1# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552399 A7 _____B7 五、發明説明(6 ) 9a、9b 溫度計 10 溫度改變機制 11 X光偵測器 10a 、 ia 側面 8a 邊緣部分 13 反應式氣體導管 14 閥 15 氣體源容器 16 活板門裝置 20 離子束 21 電子束 較施例的說明- I.---„------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 現在本發明將參閱附圖,由其中實施例詳細地說明。 (第一實施例) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1槪述進行橫截面觀察之掃瞄式電子顯微鏡的組態 ,形成本發明之橫截面評估裝置的第一實施例。該電子顯 微鏡有溫度保持單元2,其維持固定於其上之樣本1的預 設溫度。溫度保持單元2可置於樣本室3中。 樣本室3具有離子束產生單元4,可以離子束輻照固 定於溫度保持單元2的樣本1 ;電子束產生單元5,以便 以電子束輻照樣本;並具有電子偵測器6,可偵測受電子 束或離子束輻照之樣本1的二次電子。樣本室3的內部可 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -9 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552399 A7 _B7__ 五、發明説明(7 ) 由圖中未顯示之唧筒排氣,保持預設低壓,遂行離子束或 電子束輻照。在本發明中樣本室內部較佳地維持在IX 10·1。至 1 X 10·2 帕(Pa )的壓力。 離子束產生單元4用於以離子束輻照樣本1,藉以切 割橫截面,其亦可用於SIM觀察。若進行SIM觀察,當 樣本1受離子束輻照時,電子偵測器6便偵測所產生的二 次電子,並依據電子偵測器6的偵測信號形成影像。 電子束產生單元5用於SEM觀察。若進行SEM觀察 ,當樣本1受電子束輻照時,電子偵測器6便偵測所產生 的二次電子,並依據電子偵測器6的偵測信號形成影像。 電子偵測器6的偵測信號提供予控制單元7,其執行 上述SIM與SEM觀察的影像形成。例如,控制單元7自 電;偵測器6所提供的偵測信號獲得影像資訊(映像資訊 ),並透由使一圖中未顯示之顯示裝置,顯示該影像資訊 ,而形成影像。此外,控制單元7控制離子束產生單元4 中的離子束產生,及電子束產生單元5中的電子束產生, 並控制離子束及電子束在樣本1上的輻照與掃瞄。波束掃 瞄作業可在波束端及/或固定樣本的鏡台端進行控制,但 基於掃瞄速度等考量,以在波束端的控制較佳。同時離子 束及電子束的輻照位置可分別加以控制,使得在樣本1上 彼此重疊。 電子束產生單元及離子束產生單元可依據「No. 11-2 603 07」及「No· 1 - 1 8 1 529」日本專利中所揭露者進行建 構0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) I.---:------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 L·. -10- 552399 A7 B7___ 五、發明説明(8 ) (溫度調節裝置的組態) 本實施例中溫度調節裝置具有溫度保持單元’可調節 樣本的溫度。溫度保持單元2包括例如具有溫度控制器的 鏡台。圖2槪述具溫度控制器之樣本鏡台的組態。 參閱圖2,具溫度控制器的樣本鏡台包括在樣本1固 定處部分,具有溫度改變機制10的樣本鏡台8 ;直接偵 測樣本1溫度的溫度計9a ;裝載於溫度改變機制1 〇部分 的溫度計9b,以偵測樣本1附近的溫度;及溫度控制單 元7a,依據溫度計9b所偵測之溫度,調節溫度改變機制 10的溫度,使樣本1保持在預設的溫度。 雖然圖2中未顯示,但其仍具有一顯示單元,顯示溫 度計9a所偵測的溫度,藉此操作員可依據顯示單元所顯 —示·的溫度而確認樣木1的溫度。溫度控制單元7a的結構 ,亦可依據溫度計9a及9b所偵測之溫度,調節溫度改變 機制1 0的溫度,藉此以更精確的方式控制樣本1的溫度 〇 溫度改變機制1 0與溫度計9b相結合的結構,藉此可 在樣本鏡台8中安裝一能控制在所需溫度範圍的單元。該 等單元可以是例如具有加熱裝置的高溫單元,諸如加熱器 ,或具有冷卻機制的低溫單元。同時若有需要,亦可使用 一具有溫度改變功能的單元,其可爲較室溫低的較低溫, 或較室溫高的較高溫。 樣本鏡台8可機械地以垂直或水平方向移動樣本1, 或使樣本1旋轉或傾斜,藉以將樣本1移至所需的評估位 I紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -11 - —.---:-----— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552399 A7 B7 五、發明説明(9 ) 置。樣本鏡台8對於樣本1的移動控制是由上述控制單元 7執行。 上述冷卻機制可包括一組例如「Pettier」元件或氦冷 凍裝置。除此之外,亦可採用具冷凝管的系統,使冷媒在 相對於樣本固定部分的溫度保持單元端流動,以維持諸如 液態氮及水等冷媒與溫度保持系統的熱接觸。 同時,爲提升處理過程中所產生熱的吸收效率,較佳 地採行措施,改善樣本及冷卻單元(溫度保持單元)間的 接觸效率。 該等措施可以是例如使用樣本支架,其結構爲纏繞樣 本,但不遮斷工作及觀察處理中所使用裝置的光學系統, 或使樣本成爲符合鏡台的形狀,並在鏡台上以最大的接觸 —^面-積支撐樣本〇-- 亦可提供一冷卻構件,其僅覆蓋樣本的非處理區,使 其不遮斷波束系統。 (樣本橫截面的評估方法) 下列將說明本發明的橫截面評估方法。 圖3爲一流程圖,顯示以掃瞄式電子顯微鏡進行圖1 中所示橫截面觀察,一連串樣本的橫截面評估。下列將參 閱圖3,列舉橫截面觀察程序的說明’並詳細說明控制單 元7對於SEM及SIM觀察的控制,以及溫度控制單元7a 在該程序中對於樣本的溫度控制。 首先,樣本1固定在樣本鏡台8的預設位置上(步驟 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公羡1 ~ 一 —.---:-----— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 J·. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552399 A7 _B7_ 五、發明説明(10) S10),***樣本室3中’並設定評估溫度(步驟S11) 。因應評估溫度的設定,溫度控制單元7 a控制溫度改變 機制10中的溫度,藉以將溫度保持在設定的評估溫度。 在此狀態,樣本1的溫度由溫度計9a偵測’操作員可依 據圖中未顯示之顯示單元所顯示的偵測溫度,確認樣本1 是否維持在評估溫度。 在本實施例中,較佳地影響樣本自室溫冷卻的處理。 同時冷卻至0 °c以下是較佳的,因爲若樣本保有水分,便 可加以固化。 在該等冷卻過程中,較佳地首先將樣本冷卻至低於室 溫的預設溫度,接著將樣本保持在降低的壓力下’透由聚 焦波束輻照執行處理,同時吸收樣本輻照部分附近所產生 -^1熱,以維持非輻照部分的形狀。- 樣本的冷卻亦可透由自室溫快速冷卻而完成。如此’ 40。C/分鐘或更高的冷卻率較佳。本方法使能在測量分佈 狀態隨溫度而變之混合物的橫截面時,以快速冷卻的狀態 觀察橫截面。 冷卻步驟較佳地於降壓步驟之前執行’藉以抑制降壓 所引起的樣本蒸發。然而,若樣本包含非蒸發物質’那麼 冷卻便可與降壓同時進行。 冷卻依據樣本而執行。若是諸如PET等一般有機物 質,那麼便冷卻至0至-20(rc,較佳的範圍爲-50至-150oC 。 若冷卻至低溫的處理或冷卻時間過長,便在低溫的樣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I:---.----•费 II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 552399 A7 B7 五、發明説明(11) 本中吸收樣本室的剩餘氣體,或處理中所產生的物質,最 後因而阻礙了所需的處理或觀察。因此較佳的提供活板門 (trap )裝置,以吸收剩餘氣體或處理中所產生的物質, 執行處理或獲取資訊,同時冷卻該活板門裝置。 本發明的方法有利地可適用於目標樣本爲有機物質的 狀況,特別是諸如蛋白質或其他生物物質等易受熱影響的 物質,或富含水分的合成物。特別適於含水合成物,因爲 可於執行處理時保持樣本的水分。 特別是在降壓下進行聚焦離子束輻照。因此,若處理 含水合成物或高揮發的有機分子,處理過程中產生的熱, 將導致水分或該等分子蒸發,而本發明所提供之溫度調節 裝置將是極有效的。 -較佳地,提.預先判斷保持適切處理溫度的步驟,以 達到更精確的處理及結構評估。該較佳的保持溫度之判斷 ,可透由使用等同於將處理之樣本的樣本做爲對照,以複 數種溫度執行處理,並硏究處理部分的損害與冷卻溫度間 的關係。 在一般的FIB處理裝置中,已習慣於在處理後將樣本 移至SEM或其他裝置進行處理,但在溫度控制的狀態下 ,移動至觀察裝置是困難的。本實施例提供一種處理裝置 ,例如透由冷卻中樣本上水滴的沈澱,便可在冷卻的狀態 中,進行樣本的處理及觀察,而不影響已處理的表面。 在確認樣本1保持在評估溫度之後,便在持續的溫度 確認下,執行樣本1表面的SEM觀察(步驟S12)。在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) --------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 552399 A7 B7 五、發明説明(12) SEM觀察中,控制單元7控制電子束產生單元5所輻照的 電子束,及樣本鏡台8的移動,藉此樣本1便由電子束產 生單元5的電子束進行掃瞄。與掃瞄處理同步的,電子偵 測器6偵測二次電子,而控制單元7便依據二次電子的偵 測信號,在圖中未顯示的顯示單元上顯示SEM影像。因 此,操作員便可執行樣本1表面的SEM觀察。 接著,依據樣本1表面的SEM觀察所獲得的影像( 顯示於顯示單元的SEM影像),可精確的判斷將評估之 橫截面的位置(步驟S 1 3 ),而所判斷將評估的橫截面位 置,將進一步進行SIM觀察(步驟S14)。在SIM觀察中 ,控制單元7控制離子束產生單元4所輻照的離子束,及 樣本鏡台8的移動,藉此樣本1便由離子束產生單元4的 慕子朿,在將評估的橫截面位置範圍內進行掃瞄。與掃瞄 處理同步的,電子偵測器6偵測二次電子,而控制單元7 便依據二次電子的偵測信號,在圖中未顯示的顯示單元上 顯示SIM影像。因此,操作員便可執行步驟S14中所判 斷,將評估之橫截面位置的樣本1表面的SIM觀察。 接著設定FIB處理狀況(步驟S15 )。在此FIB處理 狀況的設定中,透由步驟S14,表面的SIM觀察所獲取的 SIM影像,決定切割區及切割位置,並設定橫截面處理狀 況,包括加速電壓、波束電流及波束直徑。橫截面處理狀 況包括初始處理狀況及完工處理狀況,皆在此點設定。在 初始處理狀況中,波束直徑及處理能量均較完工處理狀況 中爲大。切割區及切割位置可透由上述步驟S 1 4所獲取的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I”---:------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .1#. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 552399 A7 B7 五、發明説明(13) SEM影像決定,但考量精密度,較佳地透由實際處理中 所用離子束,而獲得的SIM影像決定。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在設定FIB處理狀況之後,便實施FIB處理(初始處 理)(步驟S16)。在初始處理狀況中,控制單元7依據 前述初始處理狀況設定,控制離子束產生單元4,並控制 樣本鏡台8的移動,藉此,步驟S 15中所決定的切割區及 切割位置,便以切割所需量的離子束進行輻照。 ii. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在初始處理之後,樣本1的表面便進行SIM觀察, 以確認透由SIM觀察所獲得影像(SIM影像)上,所實施 之處理是否接近所需位置(步驟S 1 7 )。初始處理所準備 的橫截面實施SEM觀察,以確認橫截面的狀態(粗糙度 )(步驟S 1 8 )。若所實施之處理並非接近所需位置,便 重述上述麥驟S 1 6及S 1 7。若|處理的橫截面非常粞糙, 亦需重述上述步驟S 1 6及S 1 7,但附加一個例如逐漸減少 離子波束量的步驟。步驟S17中,表面的SIM觀察同樣 受到上述步驟S 1 2中的控制。步驟S 1 8中,除了移動樣本 鏡台8,使得所處理的橫截面受到電子束輻照外,橫截面 的SEM觀察基本上亦受到上述步驟S12中的控制。在此 處理中,只要可獲得SEM影像,電子束便可具有相對於 橫截面的任意入射角。 在確認所實施之初始處理接近所需位置後,便實施 FIB處理(完工處理)(步驟S19)。在完工處理中,控 制單元7依據前述完工處理狀況設定,控制離子束產生單 元4,並控制樣本鏡台8的移動,藉此,步驟S16中所獲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X2?7公釐) -16 - 552399 A7 ΒΊ_ 五、發明説明(14) 得初始的完工部分,便受到完工處理所需離子束量的輻照 。該完工處理獲得平順的橫截面’使能以掃瞄式電子顯微 鏡進行高放大倍率的觀察。 最後,所準備的樣本1橫截面便進行SEM觀察(步 驟S20 )。該橫截面的SEM觀察之控制,與步驟S18中相 同。 如上述,本實施例進行橫截面觀察所用的掃瞄式電子 顯微鏡,可始終將評估的樣本1維持在設定的溫度’使得 樣本1的狀態與形態在FIB處理中不變。因此可以精密的 方式進行好的結構分析。 同時,以離子束進行的處理作業中所選擇的樣本溫度 ,較佳的與觀察處理中所選擇的相同,但處理作業中所選 -擇的溫度i可低於在觀察處理中所選擇的溫度。如此一來 ,處理過程與觀察過程之間,可能存在10至50°C的溫差 (第二實施例) 圖4槪述進行橫截面觀察之掃瞄式電子顯微鏡的組態 ,形成本發明之橫截面評估裝置的第二實施例。該電子顯 微鏡的組態除了出現X光偵測器11外,大體上與第一實 施例中相同,X光偵測器11係用於偵測針對電子束輻照 ,而自樣本1發射之獨特的X光。在圖4中,與前述各 圖中出現的相同元件,均以相同的編號表示。 控制單元7接收X光偵測器1 1的偵測信號,透由以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1·---Γ----费 — I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 552399 A 7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(15) 電子束產生單元5的電子束掃瞄樣本1’可在所掃猫的範 圍執行基本分析。因此,本實施例除了 SEM觀察及SIM 觀察外,可爲一基本分析。 本實施例的電子顯微鏡除了可透由圖3中所顯示程序 進行樣本的橫截面評估外,亦可透由使用上述X光偵測 器11的基本分析,進行橫截面評估。更具體地’是執行 使用X光偵測器11的基本分析,而非圖3中所顯示評估 程序之步驟S20中的橫截面SEM觀察(或類似處理)。 在基本分析中,控制單元7控制樣本鏡台8的移動,所準 備的橫截面藉此而受到電子束產生單元5之電子束輻照, 並以電子束掃瞄橫截面。與掃瞄處理同時,X光偵測器 11偵測複數測量個點的特性X光,而控制單元7則依據 一^貞測信號,在圖上未顯示之顯示罕.元_上,顯示映像眘訊。 除此之外,在以電子束掃瞄橫截面之後,必須的位置便受 到電子束輻照,並透由偵測受輻照位置所產生的特性X 光,執行基本分析。 爲改進使用上述X光偵測器11進行之基本分析的精 密度,圖5中所示具溫度控制器之樣本鏡台,可作爲溫度 保持單元2。該具溫度控制器之樣本鏡台,除溫度改變機 制10的位置及樣本1的固定位置外,其組態與圖2中所 示相同。在圖5中所示組態中,亦提供溫度改變機制1〇 ,使得側面10a位於樣本鏡台8的邊緣部分8a,藉此, 橫截面的處理可直接在固定於溫度改變機制1 〇之樣本1 的側面la上執行。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ297公釐) ---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、v"
I ii. •18- 552399 A7 B7 五、發明説明(16) 因此,透由使用上述具溫度控制器的樣本鏡台,便可 以離子束輻照樣本1的右手邊部分(側面1 a ),藉以在 該部分形成橫截面。該等橫截面形成於樣本1的側面la 端,使得該橫截面位於X光偵測器11的近處,而藉由使 橫截面位於X光偵測器11的近處,可改進基本分析的精 密度。而且藉由將樣本鏡台傾向偵測器,可改進所產生之 特有X光的偵測效率,並進一步改進基本分析的精密度 〇 該橫截面的處理,使得橫截面更接近電子束產生單元 5,藉此亦可改進以電子偵測器6所獲得之SEM影像的精 密度。 在前述實施例中,以離子束所進行的樣本處理,並不 —產…生諸如切割或碾磨等械處理方法中所經歷的剪切懕 力、壓縮壓力或延展壓力,使得即使在下列樣本中,亦可 準備精準的橫截面,包括由硬度與脆性不同物質混合而成 之合成的樣本、具基底上所形成有機物質微細結構之縫隙 的樣本、易溶於溶劑的樣本等。 同時,由於樣本可維持在設定的溫度,所以即使在包 含隨溫度而改變狀態與形狀之物質的樣本中,不需破壞層 級結構,便可直接觀察指定的位置。 上述實施例中的橫截面評估方法,可在所需溫度下, 有效地分析在諸如玻璃等不同基底上的聚合物結構,包含 微例子或液晶的聚合物結構,纖維物質中的例子分佈結構 ,或包含隨溫度變化之物質的樣本。其通常對易受損於離 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -19- :-----— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552399 A7 B7 五、發明説明(1乃 子束或電子束的物質亦爲有效。 上述實施例業已執行SEM觀察、SIM觀察及基本分 析的裝置加以說明,但本發明並不侷限於該等實施例,並 亦適用於執行諸如質量分析等不同分析的裝置。 此外,圖5中顯示具溫度控制器的樣本鏡台,亦可作 爲圖1中所示用於橫截面觀察之掃瞄式電子顯微鏡的溫度 保持單元2。 (第三實施例) 除了上述實施例1及2的組態外,如圖6中所示,亦 提供一種反應式氣體導管1 3,位於樣本鏡台附近,藉以 於FIB處理過程中,將反應式氣體導引至樣本附近。圖中 —亦顯示閥 14及氣體源容器 15 °--- 在此例中,可依據所選擇的離子束、氣體及溫度狀況 ,實施離子束輔助氣體鈾刻或氣體沈澱,藉以將樣本表面 處理成所需的形狀。因此,所處理表面的觀察(SEM觀 察或SIM觀察),使得以獲取表面的確切資訊,而處理 成所需的形狀。 氣體導入孔是立體定位的,不會遮擋偵測器或波束系 統。 FIB輔助沈澱的一個有名的範例,是使用六羰基鎢( W(CO)6)及鎵-FIB的鎢沈澱。 其亦可環繞FIB輻照點吹送有機金屬類氣體,藉以引 發FIB與氣體間的反應,而將氣體的金屬沈澱於基底上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) —,--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 L·. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 552399 A7 _B7_ 五、發明説明(18) 不具冷卻機制的傳統FIB輔助沈澱裝置,具有一個缺 點,即在FIB輔助沈澱開始前,其中的金屬便已被FIB移 ---------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 除。因此,本發明有利的是一個形成所需無機物質的方法 〇 其亦可環繞FIB輻照點吹送蝕刻氣體,藉以在波束輻 照點引發反應蝕刻,並進行高速與高選擇性的微處理。 上述FIB輔助鈾刻及FIB輔助沈澱,可在「No. 7-312196」日本專利中所說明的狀況下進行。 (第四實施例) L·. 如圖7中所示,本實施例除了實施例1的組態外,尙 具有活板門裝置1 6,以避免樣本室中剩餘氣體或處理作 —~業巾所產在的物質再沈澱於樣木上1該活板門裝置是虫^ 如金屬等高熱導物質所組成,並保持在等於或低於被冷凍 樣本的溫度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在樣本保持低於室溫的狀態下,進行處理或觀察時, 本實施例可有效避免雜質沈澱在樣本上。例如,在上述 FIB輔助沈澱中,可在沈澱層及以處理的樣本間形成一雜 質層,因而阻礙了完成所需的功能。 在支撐樣本的鏡台、離子束產生裝置、電子束產生裝 置及偵測裝置皆定位的狀態下,所提供的該等活板門裝置 ,置於不遮擋偵測或處理作業之波束系統的位置。爲改進 抑制效率,只要不遮擋偵測或處理作業,該等活板門裝置 較佳地儘量靠近樣本。而且在保持低壓的樣本室中,可提 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐Ί ~ ' 552399 A7 B7 五、發明説明(19) 供一個以上的活板門裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (第五實施例) 本實施例顯示一個範例,其使用本發明的裝置,做爲 液晶顯示裝置或有機半導體裝置之製造過程中的橫截面評 估裝置。 在本實施例中,將說明在相當大區域的樣本上,實施 溫度調節的例子。 若確切評估大範圍樣本部分區域的橫截面狀態,例如 以液晶塗裝且將用於大型液晶顯示裝置的玻璃基底,儘管 可調節所處理位置周邊區域的溫度,仍須調節整個基底的 溫度。在此例中,可在溫度保持單元之樣本支撐表面的相 1提供冷凝管冷卻整個支架,使冷媒循環。_ 〔範例〕 下列將說明具有上述實施例之橫截面評估裝置的橫截 面評估範例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (範例1 ) 本範例使用圖1中所示掃瞄式電子顯微鏡,進行橫截 面觀察。包括圖2中所示具溫度調節器之樣本鏡台單元的 溫度保持單元2,與低溫變化機制相結合,執行樣本的橫 截面評估,該樣本以下列程序,在玻璃基底上形成聚合物 結構,其中包括液晶(Chisso公司所製造的DF01XX雙頻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -22- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552399 A7 B7 五、發明説明(2〇) 驅動液晶)(其結構是經由將HEMA、R167及HDDA混 成單體,與液晶混合與聚合而成)。 首先’樣本以碳玻璃固定在具低溫變化機制的單元上 ,該單元則置於樣本鏡台8上。在樣本鏡台8及其上的樣 本被導入樣本室3之後,內部便進行預設低溫的評估。 接著,溫度設定在-100°C,並確認樣本保持在該評估 溫度。在不斷地確認樣本的溫度下,執行包括橫截面觀察 區之樣本區域的表面SEM觀察。依據表面SEM觀察所獲 得的影像,便確定樣本大約中央的位置爲橫截面觀察位置 〇 接著以離子束輻照所確定的橫截面觀察位置,以獲得 SIM影像。處理中所使用的離子束,係極微弱的觀察模式 —更具體的,使用貝30kV加速電壓、20pF及約30nm波 束直徑之波束電流的鎵離子源。在所獲得的SIM影像上 指定橫截面處理部分。 接著所指定的橫截面處理部分便進行FIB處理(初級 處理)。更具體的,使用具30kV加速電壓、50nA及約 3OOnm波束直徑的波束電流,在橫截面處理位置處形成側 邊凹度40// m、深度30// m的調節器。最初的處理少量地 在波束微弱的狀況下逐步地進行,而樣本的橫截面通常在 處理過程中進行SEM觀察,以確認在所需的位置附近實 施處理。當處理幾乎完成時,波束切換爲電子束,調整處 理下的橫截面,以便以60°的角度進行電子束掃瞄,並執 行橫截面的SEM觀察。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-23- 552399 A7 B7 五、發明説明(21) 在確認於所需位置進行處理後,波束切換爲離子束, 而經最初處理所獲得的橫截面位置,進一步在類似於SIM 觀察的微弱狀況,但以較最初處理中爲細的波束進行完工 處理,以改善橫截面處理的精密度。圖8A槪述透由上述 FIB處理所準備之橫截面,其中藉離子束20在樣本30中 央的輻照,形成調節器凹度。 最後,所準備的樣本便進行SEM觀察。圖8B顯示該 SEM觀察的電子束輻照模式。圖8A中所示樣本30的橫 截面進行調整,以便以約60°的角度接受電子束21的掃 瞄,並透由以電子束21掃瞄樣本30的橫截面,進行SEM 觀察。在800V的加速電壓,及50,000倍放大倍率的狀況 下執行SEM觀察,並可觀察聚合物層中所含液晶的狀態 在此範例中,由於執行FIB處理時,樣本保持在-100°C,所以在橫截面處理過程中,可不破壞液晶層的形 狀。同時,由於SEM觀察可在相同的樣本室中進行,並 保持相同的溫度,所以可觀察到顯示聚合物中所出現液晶 的橫截面。 (範例2 ) 本範例使用圖5中所示具溫度控制器之樣本鏡台,做 爲溫度保持單元2,而在PET基底上所準備之聚合物粒子 (聚苯乙烯)的橫截面評估,則以下列程序進行。 溫度設定約10°C,處理樣本的一側,形成長度約20 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I,---:------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 J·. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 552399 A7 __B7_ 五、發明説明(22) #m、寬度約l〇//m及深度約60/zm的凹口。爲避免充電 現象,在FIB處理前,透由離子束在樣本表面噴濺,而沈 澱約30nm厚度的白金薄膜。接著導入六羰基鎢並實施 FIB輻照,以便覆罩聚合物粒子,藉以沈澱鎢薄膜做爲保 護薄膜。隨後,在類似於範例1中的狀況下進行完工處理 。圖9A顯示透由FIB處理所準備之橫截面,其中調節器 凹處是透由離子束20的輻照,而在樣本31的側面(相對 於圖5中所示的側面la )上形成。 接著處於傾斜狀態的樣本3 1的SEM,確保聚合物粒 子緊密地依附在基底。在15kV的加速電壓,及30,000倍 放大倍率的狀況下執行SEM觀察。 接著接收上述SEM觀察過程中,樣本31之橫截面所 一發射的特性X光,以獲取映射影像(基本分析),此確 保聚合物中的鋁被排除。圖9 B槪述電子束的輻照,與基 本分析中特性X光的發射。電子束21垂直地輻照圖9 A 中所示樣本的橫截面,而特性X光相對應地自樣本3丨的 橫截面發射。藉由偵測該特性X光,而執行基本分析。 上述已說明樣本橫截面的評估方法,但本發明並不侷 限於此。本發明亦包括例如消除沈澱於表面之物質的組態 ,暴露出將觀察的表面,及觀察該表面。 同時,爲暴露出表面,可使用可暴露出所需資訊之表 面的任何暴露裝置,而且除了離子束產生裝置外,亦可有 利地採用雷射束產生裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25-

Claims (1)

  1. 552399 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1. 一種資訊獲取裝置,包含: 置放樣本的鏡台; 調節該樣本溫度的溫度調節裝置; 暴露所需資訊之該樣本表面的暴露裝置;及 獲取該暴露裝置所暴露表面之相關資訊的資訊獲取裝 置。 2. 如申請專利範圍第1項之資訊獲取裝置,其中該暴 露裝置的暴露,及該資訊獲取裝置的資訊獲取,皆在該樣 本藉該溫度調節裝置,而調節在預設溫度的狀態下執行。 3 ·如申請專利範圍第1項之資訊獲取裝置,其中該溫 度調節裝置具有冷凝裝置,以便將該樣本冷卻至低於室溫 的溫度。 -‘如申請専利範圍第1項-之資訊獲取裝置,其中該鏡 台、該暴露裝置及該資訊獲取裝置,皆置於一可控制氣壓 的室中,而該資訊獲取裝置進一步包括一活板門(trap ) 裝置,以吸收該室中的剩餘氣體。 5.—種橫截面評估裝置,包含: 置放樣本的鏡台; 調節該樣本溫度的溫度調節裝置; 輻照具離子束之該樣本的離子束產生裝置,藉以切割 橫截面或處理該樣本; 輻照具電子束之該樣本的電子束產生裝置;及 偵測裝置,偵測對應於該離子束或電子束輻照,而自 該樣本發射的發射信號,以獲取來自該偵測裝置的所需資 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — —— " -26- I:____:_____P__ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552399 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 訊。 6. 如申請專利範圍第5項之橫截面評估裝置,其中該 溫度調節裝置具有冷凝裝置,以便將該樣本冷卻至低於室 溫的溫度。 7. 如申請專利範圍第5項之橫截面評估裝置,其中該 鏡台、該離子束產生裝置、該電子束產生裝置及該偵測裝 置,皆置於一可控制氣壓的室中,而該橫截面評估裝置進 一步包括一活板門(trap )裝置,以吸收該室中的剩餘氣 體。 8. 如申請專利範圍第5項之橫截面評估裝置,進一步 包含資訊獲取裝置,藉該離子束輻照該樣本的既定部分’ 以切割橫截面或處理樣本;藉該離子束或電子束掃瞄該既 的表面,或該贺剳橫截面;及依據與掃·瞄祠步,該 偵測裝置所偵測之複數點的發射信號,獲取該既定部分的· 表面或切割橫截面有關的影像資訊。 9. 如申請專利範圍第8項之橫截面評估裝置,其中該 溫度調節裝置包含: 在該樣本固定處部分,具有溫度改變機制的樣本鏡台 ,並提供該固定的樣本,以預定的方向移動及旋轉; 裝載於該溫度改變機制部分的第一溫度偵測裝置,以 偵測固定於該溫度改變機制之該樣本附近的溫度;及 溫度控制裝置,依據第一溫度偵測裝置所偵測之溫度 ,調節溫度改變機制的溫度,使該樣本保持在預設的溫度 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27- 552399 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 10·如申請專利範圍第9項之橫截面評估裝置,其中 固定於該溫度改變機制之該樣本的側面,受離子束輻照。 1 1 ·如申請專利範圍第9項之橫截面評估裝置,其中 該溫度調節裝置進一步包括第二溫度偵測裝置,直接偵測 樣本及顯示裝置的溫度,以顯示該第二溫度偵測裝置所偵 測的溫度。 12.如申請專利範圍第11項之橫截面評估裝置,其中 該溫度控制裝置,依據第一及第二溫度偵測裝置所偵測的 溫度,調節該溫度改變機制中的溫度。 1 3 .如申請專利範圍第5至1 0項之橫截面評估裝置, 其中該發射信號是二次電子,特性X光,或其組合。 14. 如申請專利範圍第5至10項之橫截面評估裝置, —萁中該偵測裝置包括偵測二次電子的第=偵測器,及偵I 特性X光的第二偵測器。 15. —種橫截面評估方法,包含下列步驟: 調節樣本溫度; 以離子束輻照該樣本的既定部分,以切割橫截面;及 以電子束掃瞄該切割的橫截面,並經由與掃瞄同步之 複數點的發射信號,而獲取橫截面有關影像。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之橫截面評估方法,其中 該發射信號是二次電子,特性X光,或其組合° 17.—種資訊獲取裝置,包含: 置放樣本的鏡台; 調節該樣本溫度的溫度調節裝置; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28- 552399 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 離子束產生裝置,以離子束輻照該樣本,藉以切割橫 截面或處理該樣本; 電子束產生裝置,以電子束輻照該樣本;及 偵測裝置,偵測對應於該離子束或電子束輻照,而自 該樣本發射的發射信號,以獲取該偵測裝置的資訊。 18.如申請專利範圍第17項之資訊獲取裝置,其中該 鏡台、該離子束產生裝置、該電子束產生裝置及該偵測裝 置,皆置於一可控制氣壓的室中,而該橫截面評估裝置進 一步包括一活板門(trap )裝置,以吸收該室中的剩餘氣 體0 1^____,_____9__ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29·
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI642082B (zh) * 2014-03-24 2018-11-21 日商日立高新技術科學股份有限公司 Focused ion beam device
TWI642079B (zh) * 2014-01-22 2018-11-21 日商日立高新技術科學股份有限公司 Charged particle beam device and sample observation method

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053370B2 (en) * 2001-10-05 2006-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, cross section evaluating method, and cross section working apparatus
US7164128B2 (en) * 2003-11-25 2007-01-16 Hitachi High-Technologies Corporation Method and apparatus for observing a specimen
JP2006079846A (ja) 2004-09-07 2006-03-23 Canon Inc 試料の断面評価装置及び試料の断面評価方法
CN101461026B (zh) * 2006-06-07 2012-01-18 Fei公司 与包含真空室的装置一起使用的滑动轴承
KR100937935B1 (ko) * 2008-05-20 2010-01-21 강원대학교산학협력단 본딩 와이어 표면의 고분자 수지 절연체 막의 두께 측정방법
DE102008040426B4 (de) * 2008-07-15 2015-12-24 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zur Untersuchung einer Oberfläche eines Objekts
JP5325681B2 (ja) 2009-07-08 2013-10-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5364049B2 (ja) 2010-07-07 2013-12-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム装置、および試料作成方法
CN102064077A (zh) * 2010-12-02 2011-05-18 北京航空航天大学 一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度的方法
JP5825797B2 (ja) 2011-02-08 2015-12-02 株式会社ブリヂストン 高分子材料の評価方法
CN103975232B (zh) * 2011-10-04 2017-09-15 株式会社尼康 装置、x射线照射方法及结构的制造方法
JP6214193B2 (ja) 2012-06-05 2017-10-18 キヤノン株式会社 振動波駆動装置、二次元駆動装置、画像振れ補正装置、交換レンズ、撮像装置、及び自動ステージ
CN103632912A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 B-纳诺有限公司 电子显微镜成像***及方法
US8872105B2 (en) * 2013-02-19 2014-10-28 Fei Company In situ reactivation of fluorescence marker
CN103808747B (zh) * 2014-02-19 2016-11-09 北京师范大学 一种测量全元素的x射线谱仪
CN105097580A (zh) * 2014-05-08 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 聚焦离子束分析方法
CN104345072A (zh) * 2014-11-06 2015-02-11 安徽瑞研新材料技术研究院有限公司 一种高分子材料的评价方法
JP6676336B2 (ja) * 2015-10-30 2020-04-08 キヤノン株式会社 試料加工装置、電子顕微鏡装置、試料加工方法、および、試料評価方法
JP6867015B2 (ja) * 2017-03-27 2021-04-28 株式会社日立ハイテクサイエンス 自動加工装置
CN110137065B (zh) * 2019-05-17 2024-07-23 中国科学院理化技术研究所 扫描电子显微镜温度调节***及方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2810370B2 (ja) * 1988-01-12 1998-10-15 株式会社 日立製作所 集束イオンビーム加工方法
US4916314A (en) * 1988-09-23 1990-04-10 Amoco Corporation Method and apparatus for analyzing components of selected fluid inclusions
US5866904A (en) 1990-10-12 1999-02-02 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope and method for dimension measuring by using the same
JPH0528946A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Nec Corp ビームテスタ用温度調節装置
JP3270165B2 (ja) * 1993-01-22 2002-04-02 セイコーインスツルメンツ株式会社 表面分析及び加工装置
US5504340A (en) * 1993-03-10 1996-04-02 Hitachi, Ltd. Process method and apparatus using focused ion beam generating means
JPH0982261A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Hitachi Ltd 電子顕微鏡
JPH09274883A (ja) * 1996-04-03 1997-10-21 Hitachi Ltd Fib/sem複合装置
JPH09306405A (ja) * 1996-05-07 1997-11-28 Hitachi Ltd 試料冷却装置
US6538254B1 (en) 1997-07-22 2003-03-25 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for sample fabrication
JP3190873B2 (ja) * 1998-03-02 2001-07-23 山形日本電気株式会社 収束イオンビーム装置とその制御方法
JPH11260307A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Jeol Ltd 集束イオンビーム装置
JP2000114207A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Ebara Corp 微細加工方法及び装置
JP2000149844A (ja) * 1998-11-10 2000-05-30 Hitachi Ltd 電子ビーム検査装置
JP3897271B2 (ja) * 1999-09-17 2007-03-22 株式会社日立製作所 加工観察装置及び試料加工方法
US6300630B1 (en) * 1999-12-09 2001-10-09 Etec Systems, Inc. Annular differential seal for electron beam apparatus using isolation valve and additional differential pumping
JP2002257998A (ja) * 2001-02-28 2002-09-11 Sony Corp 電子ビーム照射装置及び電子ビーム照射装置における真空シール方法
US7053370B2 (en) * 2001-10-05 2006-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, cross section evaluating method, and cross section working apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI642079B (zh) * 2014-01-22 2018-11-21 日商日立高新技術科學股份有限公司 Charged particle beam device and sample observation method
TWI642082B (zh) * 2014-03-24 2018-11-21 日商日立高新技術科學股份有限公司 Focused ion beam device

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