TW535211B

TW535211B - Transmission and phase balance for phase-shifting mask

Info

Publication number: TW535211B
Application number: TW090112532A
Authority: TW
Inventors: Wilman Tsai; Qi-De Qian
Original assignee: Intel Corp
Priority date: 2000-06-30
Filing date: 2001-05-24
Publication date: 2003-06-01
Also published as: US6458495B1; WO2002003138A3; WO2002003138A2; AU2001270100A1; EP1295176A2

Description

535211 五、發明說明（1) 發明背景 1·發明範鱗本發明係有關半導體積體電路製造範疇，特別係有關一種移相遮光罩及移相遮光罩之製法。 2 ·相關技藝討論光微影蝕刻術之改良可持續不斷縮小裝置而於半導體積體電路（ICs)達成更高密度及更快速度。根據雷萊 (Ray leigh)標準，可由晶圓步進器解析之最小臨界維度 (C D)係與照明光源波長成正比而與投射透鏡之數值孔徑 (N A )成反比。但當臨界維度變成小於光化輻射波長時繞射將造成幻影劣化。光化波長為當遮光罩用於晶圓步進器俾選擇性曝光光阻於基板時的光波長。 < 低於光化波長之光微影蝕刻術可經由使用解析度升高技術（RETs)如移相遮光罩（PSMs)對波前處理獲益，俾獲得足夠寬的處理幅度。不似習知二元遮光罩，習知二元遮光罩僅調節光振幅，移相遮光罩進一步控制光相位俾利用破壞性干涉來緩和繞射造成的不利影響。另一種移相遮光罩 (A1 tPSM)特另可用於圖樣化及小型臨界維度，例如裝置之電晶體閘長度。AltPSM經由導入透射通過毗鄰透明開口之光間之移相1 8 0度強迫二影像間的振幅為0而改良對比度。 1 8 0度的相移可經由於不透明層例如鉻層形成通過毗鄰開口之光徑長度差異實施。加成法可用於沈積透明層例如旋塗玻璃（S 0 G )通過鉻層開口至透明基板如融合矽石或石英上，接著去除與其它開口之透明層。但加成方法對光徑

535211 五、發明說明（2) 中各種材料的光學不匹配易感且伴隨有介面内部耗損。如此更常見係使用扣除法而蝕刻溝渠至其它開口的石英基板内部。但使用扣除法製造的A 11P S Μ將入射光散射遠離蝕刻後開口的側壁及底角。波導效應造成幻影不平衡，表現為臨界維度誤差以及位置錯誤。蝕刻後開口的臨界維度變成比未經蝕刻開口的臨界維度更小。二開口間的空間顯然由未經 #刻開口朝向#刻後開口異位。

AltPSM的幻影可以若干方式平衡。臨界維度偏位辦法將蝕刻後開口相對於未經蝕刻開口放大俾平衡幻影。如圖1 所示，移相開口 1 0 1有個溝渠於石英1 0 7，其具有深度1 1 7 及寬度1 1 1。非移相開口 1 0 3不具有溝渠以及具有寬度1 1 3 1 。移相開口 1 0 1及非移相開口 1 0 3藉不透明層1 0 5以寬度1 1 5 隔開。深度1 1 7係對應移相開口 1 0 1與非移相開口 1 0 3間的 1 8 0度相移。溝渠寬度1 1 1包括每邊偏位1 0 9俾提高移相開口 1 0 1相對於非移相開口 1 0 3的透射。反向蝕刻辦法例如使用各向同向濕蝕刻，讓側壁及角隅於各層下方橫向凹陷俾平衡幻影。反向蝕刻辦法可為單邊或雙邊。如圖2所示，反向蝕刻辦法的單邊版本凹割不透明層2 0 5邊緣下方基板僅環繞移相開口 2 0 1。如邊緣凹割 2 0 9提高移相開口 2 0 1相對於未經凹割的非移相開口 2 0 3的透射。移相開口 2 0 1的凹割於反向蝕刻前具有深度2 1 9而於反向蝕刻後有深度2 1 7。深度2 1 7係對應1 8 0度相移。反向蝕刻辦法可為雙邊。如圖3所示，反向蝕刻辦法雙

535211 五、發明說明（3) 邊版本凹割不透明層3 0 5邊緣下方基板環繞移相開口 3 0 1以及非移相開口 3 0 3二者。移相開口 3 0 1具有反向蝕刻前深度 1 1 9以及反向蝕刻後深度3 1 7。非移相開口 3 0 3僅具有蝕刻後深度3 3 9。介於二溝渠間維持深度差異341對應於180度相移。移相開口 3 0 1的每邊凹割3 0 9以及非移相開口 3 0 3的每邊凹割3 2 9決定鉻層下方介於移相開口 3 0 1與非移相開口 3 0 3間的石英寬度5 2 5。如圖4所示，雙溝渠辦法也經由於移相開口 4 0 1蝕刻深度 4 1 7的深溝渠以及於非移相開口 4 0 3蝕刻深度4 3 9的毗鄰淺溝渠而平衡幻影。二溝渠係由寬度4 1 5的鉻層隔開。介於二溝渠間維持深度差異4 4 1對應於1 8 0度相移。平衡幻影之多種辦法各有其缺點。臨界維度偏差辦法受限於設計光柵上可利用的離散值。反向蝕刻辦法造成毗鄰開口間的旁懸鉻切屑或離層等缺點。雙重溝渠辦法由於需要額外處理結果造成複雜度與成本的提高。如此需要有一種透射與相位間平衡的移相遮光罩以及此種移相遮光罩之製法。圖式之簡單說明圖1為先前技藝帶有臨界維度偏差之單一溝渠替代移相遮光罩之剖面圖。圖2顯示先前技藝具有單邊反向蝕刻之單一溝渠替代移相遮光罩之剖面圖。圖3顯示先前技藝具有雙邊反向蝕刻之單一溝渠替代移相遮光罩之剖面圖。

第6頁 535211 五、發明說明（4) '~— 圖4為先前技藝雙溝渠替代移相遮光罩之剖面圖。圖5為根據本發明之移相開口具有逆行垂直輪廓之移相遮光罩之說明圖。 f代圖6為根據本發明與移相開口及非移相開口二者具行垂直輪廓之替代移相遮光罩之說明圖。、圖7-13為形成根據本發明之逆行垂直輪廓方法之說明圖。發明之詳細說明後文说明陳述無數細節例如特定材料、維度、及方法供徹底了解本發明。但熟諳技藝人士了解可無此等特定細節實施本發明。其它例中，於其它情況下未特別說明1 = 周知之半導體裝備及方法以免混淆本發明。本發明說明一種具有平衡的透射及相位之移相遮光罩 PSM及此種PSM之製法。本發明之移相遮光罩於環繞链刻後開口邊界具有逆行垂直輪廓俾平衡移相開口與非移相開口間的透射及相位。平衡透射及相位可防止臨界維度誤差以及位置誤差。逆行輪廓可使用各向同性蝕刻例如各向同性電聚餘刻製成。形成逆行誤差可防止移相開口與赴鄰非移相開σ間旁懸鉻的切屑或離層。首先說明多個本發明之移相遮光罩之具體實施例。第一具體實施例顯示於圖5之AltPSM有一層5 〇5係設置於基板 507上方。基板507於光化波長對光為透明。融合矽石 (Si〇2)也稱做石英常用於照明波長436毫微米（汞燈g線）、 365毫微米（汞燈1線）、248毫微米（KrF準分子雷射）及193

535211 五、發明說明（5) 毫微米（ArF準分子雷射）。但融合矽石於比約175毫微米更短的波長時變不透明。結晶氟*化物例如氟化鈣（CaF2)、氟化鎂（MgF2)、氟化鋇 (BaF2):及敦化鐘（LiF2)於157毫微米（1?2準分子雷射）之照明波長為透明，但其熱膨脹係數過大以及化學飴刻耐性不良。結果改性融合矽石如低水（—〇 H)含量融合矽石以及氟 (1?2)_攙雜石夕石較為適合用作為157毫微米透射遮光罩的基材。、改性溶合矽石基材之一例為得自旭玻璃公司的AQF。替代之道係由透射遮光罩轉換成反射遮光罩，但遮光罩製造上的基礎架構的改變需要業界耗費相當大量時間及成本來實現。層5 0 5為於照明波長光之吸收劑。典型包含足夠變成不1 透明厚度之鉻。層505係由鉻（Cr)製成通常為分級或多層結構。朝向上表面涵括氧（〇)及氮（N)俾減少遮光罩用於晶圓步進器時的反射。朝向底面含有氧（〇)俾改良對基板5〇7 的黏著性。層5 0 5亦係由耐火金屬如鐫（W )、金屬石夕化物例如石夕化翻（MoSi )、金屬氮化物例如氮化鎢（WN)、非晶形矽 (Si)或非晶形碳（c)製成。移相開口501有個溝渠，溝渠具有上寬度521、深度5 17 及下寬度51 1。毗鄰非移相開口 5 0 3具有上寬度513。於非移相開口 5 0 3大致上未蝕刻溝渠。移相開口 5 0 1以及非移相開口 5 0 3由寬度5 1 5的鉻層隔開，寬度可小於約3 0 0毫微米。此乃典型遮光罩維度，其具有放大倍率4倍的結構。晶圓步進器要求遮光罩有其它放大倍率例如10倍、6倍、5倍

第8頁 535211 五、發明說明（6) 、2. 5倍或1倍。深度5 1 7係對應通過透明基板5 0 7介於移相開口 5 〇 1與非移相開口 5 0 3間的光徑長度差異。希望丨8 〇度相移。公差比 ±2度更小。於透明基板為石英而周圍氣氛為空氣時，深度5 1 7的幅度約略與照明波長相等。上寬度5 2 1小於下寬度5 1 1 ，故溝渠側壁的垂直輪廓為逆行。上寬度521與下寬度511間的差異每邊為約30至5〇毫微米。投射透鏡之數值孔徑（N A )以及曝光之部份相干性將決定於溝渠邊緣環繞鉻的繞射。晶圓步進器典型具有數值孔· 徑〇· 35至0· 85以及部份相干性〇· 30至〇· 80。結果最理想差異將隨深度517及上寬度521改變。 ‘ 溝渠側壁大部份為比直而有平順斜率。蝕刻後溝渠的底塌| 面須平坦光滑，但某些情況下底面可能凹凸且粗糙了蝕刻後溝渠的底角可圓化。溝渠之尺寸及形狀上的偏差及非均勻將於透射及相位導入誤差。右有所需，介於透明基板507與上方不透明層5〇5間可涵括、或多層。此種中間層用來修改晶圓通過晶圓步進器的遮光罩曝光期間的幻影。例如矽化鉬（M〇Si *M〇Si〇N)或含氟鉻（CrFO)用於衰變後嵌置PSM (AttEpSM)的移相材料。中間層也有助於製造遮光罩，例如用作為蝕刻檔止層而 ^ ^明基板厚度或任何移相材料厚度。若有所需，隨後 ^間層可由透明開口的光徑去除或僅保留於不透明層下根據本發明之AltPSM之第二具體實施例顯示於圖6。移.

第9頁 535211 五、發明說明（7) 相開口601有個深溝渠，深溝渠具有上寬度62]1，深度617 以及下寬度6 1 1，故側壁為逆行。第二具體實施例之 A 1 tPSM類似第一具體實施例之A 1 tPSM，但非移相開口 6〇3 有個淺溝渠具有上寬度623、深度639及下寬度613。上寬度6 2 3小於下寬度6 1 3，故淺溝渠之側壁為逆行。非移相開口 6 0 3之逆行側壁可與移相開口 6 〇 !的逆行側壁不同。非移，開口 6 0 3的溝渠可淺可深，只要比移相開口6〇1的溝渠淺相當於1 8 0度相移數量即可。本發明之逆行側壁可用於JL它類刑e ^ f , L 絡相位邊緣PSM、有個中溝準之缘ps S ^非限於無太路昍夕a —也丨战哀减嵌置PSM或外舷PSM。本發明之逆仃側壁可用於反射型《罩。本發明之逆行側壁也與直它RET =f以及透射型遮先 (OA!)、瞳孔濾波（PF)也以與及、^ETS相容，例如偏軸照明經由组人PSM盥ΠΡΓα 及先攻端校正（0PC)。 4由組合PSM與〇pC常可獲得協同 .^ ^ ^ f 上偏差來補償印刷偏差以及蝕刻偏果^ 界、准度於設計擬經由使用PSM與OPC所得之幻影。έ 。特別可用於迭代模増進某些類型結構及佈局。"、、且合PSM與ΟΑΙ也有助於其次說明根據本發明之A1 tpSM製料fe製成，戒氺置圾。 la ^ 遮光罩係由遮光罩司。常用之遮光罩；^種來源例如荷亞(H〇ya)公型）。只要平坦度光密具Λ透^x6对x 0.2 5 0时⑽25 $良好控制之下，則可使用致光连以及缺陷程度維可使™寸方形遮光罩料胚。；

第10頁叫211 五、發明說明（8) ^野大小、臨界維度公差、位置公差、步進器產出量以及擁有成本。圖7顯示由對光化波長為透明的基材7〇7如石英製成的遮二革料胚。光化波長為遮光罩用於晶圓步進器俾選擇性曝光光阻晶圓之光波長。遮光罩料胚的一面有呈上方覆蓋層如鉻，其於光化波長為不透明。鉻厚為1〇〇〇至2〇〇〇埃。路外部通常包括抗反射塗層（ARC)如AR8，該種抗反射塗層對光化波長為最理想化以防止晶圓步進器的炫光。表面反射率、邊緣粗度及鉻之針孔密度須經密切控制。 · 製程開始時處理二元遮光罩。若希望更高產出量且仍然可達成最低解析度，則雷射寫入器可用於光學第一階光阻。但更典型係施用電子束第一階光阻8 04 (如得自曰本吉鲁昂（-Zeon)公司的正調ZEP 7000)於遮光罩料胚的鉻8 〇5上方。光阻804具有高解析度及良好臨界維度直線性以及良好乾蝕刻抗性。光阻8 0 4厚約2 0 0 0至5 0 0 0埃。圖樣化係使用電子束寫入器達成，電子束寫入器係經由於加速電壓10至20千電子伏特標線片掃描南斯射束而暴露出第一階光阻8 0 4達成。設束掃描跨整個遮光罩料胚時係藉開關而調變。標線片掃描電子束寫入器例如得自伊泰克 (Et ec ),系統公司之MEBES 5 5 0 0。當設計法則縮小至約1 8 0毫微米以下時，要求的臨界維度準確度僅可使用向量掃描射束（VSB)帶有各種不同成形 || 束於5 0至7 5千電子伏特加速電壓達成。一系列縱橫比不等的矩形用於第一階光阻8 0 4圖樣化預定結構。首先選用較 535211 五、發明說明（9) 小的射束大小來曝光結構邊緣周圍的管套。然後選用較大的射束大小來填補結構内部。向量掃描電子束寫入器例如包括得自日立公司之HL-900M得自喬爾（JEOL)公司之 JBX - 9000MV以及得自東芝機器公司之EBM-3000。此種系統須滿足寫入遮光罩製造具有150至180毫微米底板規則之裝置的嚴格要求。例如電子束寫入器須獲得小於2〇毫微米之内野圖樣臨界維度準確度（3- σ)，小於30毫微米之圖樣位置準確度（3- 0〇，以及小於20毫微米之場缝綴準確度（平均 ± 3 - σ )。加速電壓愈高可減少正向散射以及改良側壁斜率特別改良較小型結構的側壁斜率。但加速電壓愈高也加熱第一階光阻8 0 4，故須化學放大抗#劑（C A R s )。5 0千電子伏特系籲統沈積的能量至遮光罩料胚比1 0千電子伏特系統高2 5倍。 50千電子伏特的電子穿過第一階光阻804，止於玻璃基板約1 0微米。沈積能量產熱，該熱擴散入第一階光阻8 〇 4之半徑約2 5微米範圍内。抗蝕劑加熱，改變第一階光阻8 〇 4 敏感度，且為臨界維度誤差的主要促成因子。

隨然於供乾前及後對安定性的要求更焉，但C A R s具有比非CARs更高敏感度及更高對比度。CAR可為正調性例如得自日立化學公司之RE5 15 3P。另外CAR可為負調性例如得自住友化學公司如NEB-22A或得自希普雷（Shipley)公司的 SAL - 601。經由選擇正調性光阻作為暗野遮光罩以及負調性光阻作為亮野遮光罩可顯著改良產出量。電子束近端效應造成小於約1微米的結構劣化。近端效

第12頁 535211 五、發明說明（10) 應係由於反向散射電子展開於約1〇X 10微米面積造成附近的結構額外曝光所引起。近端效應的數量係由加速電壓、基板、光阻、製程以及被寫入的結構大小及所在位置決定。可應用近端效應校正（PEC)俾改良臨界維度準確度。第二種選擇辦法係前處理設計資料而進行圖樣特異性重新決定大小及形狀校正。第二項選擇之道係即時修改設計資料 ^進行圖樣特異性曝光劑量調節。舉例言之，射出時間調綠可，於5 0千電子伏特加速電壓之可變形狀束之向量掃描巧一種選擇之道係結合信號處理例如鬼影（gh〇sting)。影使用低劑量大的點大小來曝光光阻負像或互補原先圖 ° >^影可用於10千電子伏特加速電壓來自高斯射束的標< 磁i ί描圓形點。總而言之，近端效應的校正需要密集電取運昇而造成產出量的減低。广^8 0 5之反應性離子姓刻（RIE)可於平行板反應器使用高 =f電漿源例如電感耦合電漿（lcp)源進行。其中一例為 = 電漿熱（PlaSma — Therm)公司的配備有ICP頭的VLR或刻/。也可使用多極ICP (MICP)源，具有6個帶感應盾办土、極於U· 56百萬赫操作而產生電漿。氧（〇2)用於 i ^ ,除光阻導致的缺點。乾蝕刻化學係基於氣（C12)。 G 高電襞密度，降低直流偏壓，以及提高鉻 ^ ^阻的選擇性。某些情況下較佳添加輔助氣體或氣化始於130毫微米，蝕刻均勻度可經由使用中性環圈放電

535211 五、發明說明（11) (NLD) #刻達成較高電漿密度及較低氣體壓力而改良。此種工具例如為得自屋維克（ULVAC)塗層公司的NLDE — g〇35。絡805的姓刻終點可藉監視反射光強度债測。熔合矽石 8 0 7的反射^率低且隨著波長的變化相當不變，而薄鉻8 〇 5的反射率隨著波長的變長而增高。結果可使用具有長波長例如6 7 0毫微米雷射作為終點偵測（E pD )。鉻負載影響第一階光阻8 〇 4選擇性、鉻8 0 5蝕刻速率以及-臨界維度均勻度。需要控制對光阻8 〇 4的蝕刻選擇性俾讓第一階光阻8 0 4的溶蝕減至最低。使用碳源做側壁鈍化俾 · 辅助控制鉻8 0 5的輪廓及蝕刻偏差。鉻8 〇 5的蝕刻實質上為各向異性。絡開口 80 1及8 0 3側壁垂直輪廓由於鉻8 0 5相當薄故通常不會顯著影響幻影。若於AttEpSM使用MoSiON作册為移相劑，則可使用四氟曱烷/氧氣進行蝕刻。若臨界維度公差不夠嚴謹，則鉻8 〇 5可使用濕钮刻及適當第一階光阻8 0 4蝕刻。濕蝕刻包括帶有氧化劑如硝酸 (hno3)、乙酸（ch3cooh)或過氣酸（HC104)之硝酸銨鈽 ((1^4)2〇6(_3)6)。濕蝕刻可於原位使用第一階光阻8 0 4顯像進行。超出二元遮光罩處理的額外處理須導入相移。可使用旋塗玻璃（S0G)之加成處理，但更希望於基板進行扣除處理。圖8顯示第一階電子束光阻8 0 4被去除。然後第二階光學光阻904例如得自東京歐卡（Tokyo Ohka)工業公司（T0K)之· THMR-iP3600或得自住友化學公司的PFI88A3如圖9所示施用。若可接受低對比度則可使用得自歐林（〇 1 i η )公司的

第14頁 535211 五、發明說明（12) OCG 895i。第二階光阻904之厚度約為3000至6000埃。第二階光阻9 04使用雷射寫入器圖樣化，雷射寫入器使用高斯束進行標線片掃描而被分成多束。例如得自伊泰克系統公司之ALTA 3 5 0 0系統其使用氬離子雷射而產生波長約364毫微米之紫外光。ALTA 3500系統之解析度極限約 0·4微米。另一例為得自微米雷射系統公司之〇mega 6000 系統，其使用氪離子雷射而產生413毫微米波長曝光。雷射寫入結構對角落的圓化以及臨界維度的非線性敏感 ’故通常結合雷射近端校正來改良圖樣的可信度。雷射寫· 入通常係使用多次通過進行，俾平均次系統誤差，否則次系統誤差可能造成印刷品質的低劣。採用4次通過模式通常可獲得產出量效能與印刷品質參數間的良好折衷，此等镰參數例如條紋邊界、位置直線度、邊緣粗度以及臨界維度一致性。如圖9所示，欲被移相的鉻9 〇 5開口 9 0 1經由曝光及顯像第二階光阻904的更大型開口 9〇〇而被解除遮蓋。欲非移相的鉻9 0 5開口 9 0 3仍維持藉光阻9 〇4遮蓋。第二階光阻9 04開口 900對準下方鉻開口9〇1且有更大偏位來配合上方鋪陳公差。總上層誤差係小於約土 7 〇至1 4 〇毫微米。

若需要更細微的解析度且可接受更緩慢的產出量，則可將電子束寫入器用於適當第二階光阻9〇4。由於曝光束之點大小較小，故電子束寫入器具有較高解析度且傳遞較高圖樣可信度。但雷射寫入器由於雷射束不會經由第二階光阻9 04表面的充電發生偏向，故雷射寫入器的寫入時間較

第15頁 535211 五、發明說明（13) 短，對準準確度較佳，以及安定性較高。於第二=光阻9 0 4曝光及顯像後，使用以氟為基礎的化學進行石英9 0 7的R I E。蝕刻可於磁力加強式反應性離子蝕刻（MERIE)系統例如得自屋維克塗層公司的MEps6〇25進行。希望使用抽樣調查技術來形成丨8 〇度相移。抽樣調查可顯著改良相位的控制’降低妨礙餘刻的外來材料的影響，以及輔助隨著時間的經過或跨反應器腔室可能發生任何蝕刻非一致的平順化。 . 例如於第二階光阻9 0 4石英基板90 7蝕刻貫穿開口 9 0 0可以三部份進行，各部份的相位移相約6 〇度。於各部份蝕刻後光阻被去除’故可使用得自雷射泰克（Lasertec)公司的⑩ Μ P Μ - 2 4 8或Μ P Μ _ 1 9 3等工具測量相移角及透射比◊姓刻時間可基於來自相位測量的回饋而視需要做調整。第二階光阻 904的開口900對準並無極為嚴格限制，原因在於溝渠的上寬度9 2 1係由鉻開口 9 0 1邊緣決定，鉻開口 9 〇 1邊緣對全部三部份钱刻維持固定。第二階光阻9 0 4遮蓋欲非移相的鉻開口903 。圖9顯示於對第一部份施用第二階光阻9 〇 4後已經被钱刻一段固定時間而產生對應約6 〇度相移的深度9 1 7的溝渠。鉻開口901決定溝渠上寬度921。石英蝕刻實質上為各向異性，故側壁角度為8 5度或以上。〜圖1 0顯示於對第二部份施用光阻1 〇〇 4後已經被敍刻一段固定時間而產生對應1 2 0度相移深度1 〇 1 7的溝渠。

第16頁 535211 五、發明說明（14) 圖1 1顯示於施用第三部份光阻丨丨〇 4後已經被蝕刻一段固定時間而產生對應約1 7 5度相移深度1 1 1 7之溝渠。目標相位經調整，故於形成逆行側壁輪廓後可達成丨8〇度相位。其次，形成逆行側壁輪廓俾平衡通過移相開口以及非移相開口的幻影。處理過程涉及各向同性乾蝕刻例如各向同性電毁ϋ刻。可使用含敦氣體如四氣曱烧與惰性氣體混合物。影響蝕刻的參數例如壓力、射頻功率、氣體混合物組成、板座組成、以及板座幾何可調整為最理想俾達成具有良好一致性的預定相位及逆行輪廓。一個具體實施例中，逆行輪廓可為單邊且僅於移相開口

進行。此種情況下，為了形成逆行輪廓的蝕刻可於石英蝕刻之後或同時施行。圖1 2顯示於第三部份已經蝕刻後產生逆行垂直側壁輪廓的溝渠。移相開口丨2 〇丨的溝渠具有上寬度1 2 2 1小於下寬度1 2 1 1。終深度1 2 1 7對應1 8 0度相移，公差比±2度更嚴格。圖12顯示的第二階光阻1204可為一層新光阻或可為圖1 1顯示的同一層第二階光阻1 1 〇 4。於另一具體實施例中，逆行輪廓可為雙邊。圖丨3顯示本發明之一具體實施例其中於非移相開口也蝕刻淺溝渠。依據雙邊蝕刻法的選擇性決定，可需要或不須光阻13 〇4。淺溝渠具有逆行垂直側壁輪廓。非移相開口 1 3 〇 3的較淺的溝渠具有上寬度1 3 2 3比下寬度1 3 1 3更小。較淺溝渠及較深溝渠藉寬度1 3 1 5的鉻分開。移相開口 1 3 〇丨的較深溝渠具有上擊寬度1321比下寬度1311更小。於去除光阻後，可使用電漿處理或濕處理來清除基板以

535211 五、發明說明（15) 及去除任何可能存在的非期望的薄膜或缺陷。習知各向同性濕#刻的較短或較不激烈的版本可用於去除缺陷。又一具體實施例包括嵌置多層作為石英钱刻的擔止層。但此等額外層可能增加複雜度，且除非於製造完成前被完全去除否則可能影響幻影。前文已經列舉多個具體實施例及無數細節俾供徹底了解本發明。業界人士了解一個具體實施例之多項結構也同等適用於其它具體實施例。熟諳技藝人士了解可對此處描述的特定材料、方法、維度、濃度等做出多種相當取代。須了解本發明之細節說明僅供說明而非限制性，本發明範圍係由隨後申請專利範圍界定。如此發明人說明一種移相遮光罩其於蝕刻後的溝渠具有逆行垂直側壁輪廓以及此種移相遮光罩之製法。

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Claims

535211 六、申請專利範圍 1. 一種製造用於波長光之移相遮光罩之方法，該方法包含：一由透明材料製成基板，該基板具有第一厚度，該基板包含第一區、第二區及第三區，於基板上形成不透明層，使用第一次蝕刻去除第一區及第二區的不透明層，使用第二次蝕刻於第一區形成溝渠，該溝渠具有上寬度及下寬度，以及使用第三次蝕刻來讓下寬度比上寬度更大，以及縮小第一區的基板至第二厚度，因此透射通過第一區的該波長光相對於透射通過第二區的該波長光之相位被移相1 8 0 度。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一蝕刻包含各向異性乾#刻。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第二蝕刻包含各向異性乾蝕刻。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第三蝕刻包含各向同性#刻。 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該第三蝕刻包含電漿蝕刻。 6 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該第三蝕刻包含四氟曱烷氣體。 7.如申請專利範圍第1項之方法，其中該第三蝕刻緊接於第二蝕刻之後而無任何介於其間的延遲。

第20頁 535211 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第三蝕刻及第二蝕刻係同時進行。 9. 一種製造用於波長光之移相遮光罩之方法，該方法包含：一基板，該基板係由透明材料製成，該基板具有第一厚度，該基板包含第一區、第二區及第三區，形成不透明層於基板上，使用第一蝕刻去除第一區及第二區之不透明層，使用第二蝕刻而於第一區形成第一溝渠，該第二蝕刻係經由減薄基板至第二厚度，故透射通過第一區之該波長光相對於第一厚度之相位移相1 8 0度，第一溝渠具有上寬度及下寬度，以及使用第三蝕刻讓第一溝渠的下寬度比上寬度更寬，第三蝕刻也於第二區形成第二溝渠。 1 0.如申請專利範圍第9項之方法，其中該第一蝕刻包含各向異性乾蝕刻。 1 1 .如申請專利範圍第9項之方法，其中該第二蝕刻包含各向異性乾蝕刻。 1 2.如申請專利範圍第9項之方法，其中該第三蝕刻包含各向同性钱刻。 1 3.如申請專利範圍第9項之方法，其中該第三蝕刻包含電漿蝕刻。 1 4.如申請專利範圍第9項之方法，其中該第三蝕刻包含四氟曱烷氣體。

第21頁 535211 六、申請專利範圍 15. —種用於波長光之移相遮光罩，包含：一基板，一位於基板的第一區，該第一區具有第一材料之第一厚度，該第一材料具有於該波長光之第一透射量，第一區具有第一逆行垂直側壁輪廓邊界，一位於該基板的第二區’該第二區具有第一材料之第二厚度，故第二厚度比第一厚度大第一差值，該第一差值係等於該波長之1 8 0度相移，以及一位於基板上的第三區，該第三區具有第一材料之第三厚度，故第三厚度係等於或大於第二厚度。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之移相遮光罩，其中該第二區具有第二逆行垂直輪廓邊界。 1 7.如申請專利範圍第1 6項之移相遮光罩，其中該第二逆行垂直輪靡係與第一逆行垂直輪廓不同。 1 8.如申請專利範圍第1 5項之移相遮光罩，其中該第二區係毗鄰第一區。 1 9.如申請專利範圍第1 5項之移相遮光罩，其中該第二區與第一區係交錯設置。 20.如申請專利範圍第15項之移相遮光罩，其中該第三區係位於第一區與第二區間。 2 1.如申請專利範圍第1 5項之移相遮光罩，其中該第二區係環繞第一區。 2 2.如申請專利範圍第1 5項之移相遮光罩，其中該第一區係環繞第二區。

第22頁 535211 六、申請專利範圍 23. 如申請專利範圍第15項之移相遮光罩，其進一步具有第二材料鋪設於第二區及第三區之第一材料上方，該第二材料具有於該波長光之第二透射量。 24. 如申請專利範圍第23項之移相遮光罩，其進一步具有第三材料鋪設於第三區之第二材料上方，該第三材料對該波長光為不透明。 2 5.如申請專利範圍第1 5項之移相遮光罩，其進一步具有第三材料鋪設於第三區之第一材料上方，該第三材料對該波長光為不透明。 26.如申請專利範圍第15項之移相遮光罩，其進一步包含光近端效應校正（OPC)。