TW525099B

TW525099B - Reading apparatus

Info

Publication number: TW525099B
Application number: TW088103742A
Authority: TW
Inventors: Kazuhiro Sasaki; Makoto Sasaki; Hisashi Aoki
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1998-03-12
Filing date: 1999-03-11
Publication date: 2003-03-21
Also published as: US6414297B1; ATE276548T1; JP3898330B2; EP0988615B1; NO995511L; NO995511D0; HK1027653A1; CN1256773A; JPH11259638A; KR100376110B1; EP0988615A1; CA2288807A1; WO1999046724A1; KR20010012430A; CN1237477C; DE69920126T2; DE69920126D1; CA2288807C

Description

525099 A7 B7 五、發明説明（1 ) [發明之技術領域] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是關於為了讀取有指紋等微细凹狀或凸狀圖案之被讀取物之讀取裝置。 [先前之技術] 先前，有關於為了謓取有指紋等微细凹狀或凸圖案之被讀取物之讀取裝置，如USP5,635,723公報中，在面光源上設有二維光感知器，有在二維光感知器上設置光學零件的構造者。此公報所記載之發明，係在光學零件上接觸手指時檢測其容量變化，將此檢測結果對應於從光學構件之射入光量，K二維狀配置的各個光感知器所產生的電荷依次檢測者。這種構造僅在二維光感知器上載置多數之纖維狀之導光構件，並不使用光學透鏡之故，有使全體裝置小型化之優點。然而，在最近使用多數之纖維狀之導光構件所成之光學構件，更加予薄型化作為光散射薄膜，在光感知器之上面，被覆表面凹凸之透明樹脂曆Μ刪除光學構件的構造者正被檢討中。例如，由本申請人之美國專利申請09/128,237(1998.8.3)具有這經濟部智慧財產局員工消費合作社印製面二問，，腦上使之時話電之電損上的人器靜破紙樣個知此生於一為感由產印案作光，易複圖，維時容被是致二電很案要一在靜時圖只對係帶端之，核，指極紋段紋 ~ 置手至指手指 1 裝 Κ 甚，的此取所，段體將讀，作手人 Κ 的指動一與所樣手誤某紙，。這觸作由清致者在接器若看一造，接知，有對構而直感又具核的然成光。未成樣形維題因就本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 525099 A7 B7 五、發明説明（2 ) 、或網路主機之存入條件時，所謂對於第三者之存取可靠性不能確保，產生重大的問題。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此之故，本發明之第1目的，在於提供一種讀取裝置，係光感知器不會由於靜電氣作誤動作或破損，又，本發明之第2目的，例如，在提供一種讀取裝置，在於檢測是否為人體之後，由開始圖案之讀取可確保可靠性。依照本發明，係為讀取具有陰影圖案被讀取體之讀取裝置，提供具有光源；具有設在該光源的多數光之感知器的光感知器裝置；設在該光感知器裝置上為了檢測手指電胆之至少一對透明導電層；被上逑一對透明導電層所接觸的被讀取體之電阻值，檢測是否在預定值內的檢測手段；Μ及由上逑檢測手段，檢測被讀取體之電阻值為預定值內時，開始上述被讀取體之讀取動作的手段之讀取裝置。 Κ下，隨圖面說明本發明之讀取裝置。 (第一實施形態）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第1画表示於本發明第一實施形態的讃取裝置之要部斷面圖。又，此謓取裝置雖可謓取具有微细凹凸狀圖案之被讀取體，可是在Μ下之實施形態係為了作讀取指紋之指紋讀取裝置來說明。此指紋讀取裝置，於面光源1 上設有二維光感知器（光感知器裝置）2 ,在二維光感知器2上設有由ΙΤΟ所成之透明導電曆3的構造。其中面光源1 ,是由電致發光面板（electro-luninescence panel)或液晶顯示裝置所用邊緣照明（edge-light)方式一 4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 525099 A7 B7 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的背照光（back light)。邊緣照光方式之背照光時，圖中未顯示，典型的方法是，在導光板下面設反射板，導光板的側方配置由發光二極體等所成點光源1〜數個，並與此點光源之導光板不對應之面側作覆蓋反射片的構造。透明導電曆3係為使靜電電消失者，在未圖示之區域予Μ接地。透明導電層3是由蒸鍍等，形成在二維光感知器2之後述外敷層（over coat)膜23之上面。此時，透明導電層3 ,在二維光感知器2之第2圖設成比一點鏈線所示方形感知器區域4稍微大。尚，第2圖中兩點鏈線表示且符號5所示為手指。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，說明二維光感知器2 。二維光感知器2是由多數之光感知器11 Μ矩陣狀排列所成，具備由壓克力樹脂或玻璃等形成的透明基板12。在透明基板12之上面，每個光感知器11,設有由鉻或鋁等遮光性電極所成之底閘電極13(bottom gate),其全體上面設有由氮化砂所成透光性之底閘絕緣膜1 4。於底閘絕緣膜1 4之上面對應於底閘電極13之部份設有由半晶形砂（amorphous silicone) 所成半導體層15。於半導體層15兩側底閘絕緣膜14之上面設有n +矽層16、17。半導體層15之上面設有由氮化矽所成之透光性阻塞層（blocking layer)18。阻塞層18 之上面兩側，n +矽層16、17之上面及底閘絕緣膜14之上面，設有由鉻或鋁等遮光性電極所成之源極（source) 19及汲極（drain) 20,而其全體上面設有由氮化矽所成之透光性頂閘（top gate)絕緣膜21。並於頂閘絕緣膜21 一5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 525099 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之上面對應於半導體層15的部份設有由ΙΤ0等透明電極所成之頂閘電極2 2 ,其上面全體則設有由氮化矽所成的透光性外敷層膜23。因此，在此二維光感知器2 ,從其下方光線以無規的入射時，此光線被底閘電極13所遮光，又，雖可透過具有對應源極1 9及汲極2 0部份K外之各假透光性的層，可是形成並不直接射入於半導體層15。其次，關於此指紋讃取裝置之動作簡單說明之。自面光源1上面所射出之光線透過二維光感知器2之透過部及透明導電層3 ,此透過光從接觸於透明導電層3上的手指（參照第2圖）從下方無規的照射，手指5之表面所反射的光線，透過透明導電層3及其近旁之透明電極所成之頂閘電極22，自其下之半導體層15之源極19及汲極20間之入射面射入。此時，接觸於透明導電曆.3表面 3的手指5 ,對應於指紋之凸部（隆線）部份成亮狀態，對應於手指5之指紋凹部（降線）之部份成暗狀態。因而，可獲得因應於手指5之指紋凹凸的光學明暗所強調的_像，故手指5之指紋可予讀取。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製可是，在此指紋讀取裝置於二維光感知器2上設透明導電層3 ，將此透明導電曆3加K接地，與二維光感知器2上之透明導電曆3接觸的手指5所放出的靜電，可經由透明導電層3而逃放，從而因靜電之故而造成的二維光感知器2誤動作或破損可被防止。其次，第3圖是這種指紋讀取裝置之要部方塊圖。這種指紋謓取裝置之中含有，光感知部31,光感知器驅動一6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525099 A7 _B7 __- -----__________ ' 一五、發明説明（《）器32 CTR (控制器“111^0!!”）33，計時發生部34， A/D (類比/數位）變換部35，S/P (串列/並列）變換部 3 6 ,標準圔案記億_ 3 7，對照（c 0 1 1 a t· 1 0 n )部3 8，判斷部3 9等。第4圖顯示之光感知器部31，是如第1圖光威知器11 呈方陣式排列之。但是如弟1圖所不’ 一個光感知益11 上，底闊電極13、半導^層15、源極（S) 19及汲極（D) 2 〇等形成一個底閘型電晶體、頂閛電極（T G ) 2 2、半導_ 層1 5、源極（S ) 1 9及汲極（D ) 2 Q等構成一値頂閜型電晶體。即，光感知器11;其半導體15之下側及上側各有由底閛電極（BG) 13及頂閘電極（TG) 22配Ϊ之光電變換薄膜電晶體之構成，其等價回路如第5圖所示。回到第4圖繼續説明之，各光感知器1 1之底閘電極 (BG)，與行（row)方向延伸配置之多數底電極線41之一値接續。各光感知器11之汲極（D)，與列方向延伸配置之多數信號線4 2之一條接續著。各光賊知器1 1之頂閘電極（T G )，與行方向延伸配置之多數頂電極線4 3之一條接· 續箸。第3圖顯示之光感知器驅動器32，如圖所示，包含有底電極線4 1所接續做為垂直走查回路之底位址解碼器 (bottom address decoder)44,信號線42所接續做為水平走查回路之列開關（column switch) 45、頂電極線43所接續之頂位址解碼（top address decoder) 46。底位址解碼器44對每一行配置之光感知器11之底閑電極（BG)，經由底電極線4 1施加底闊電壓V BG。頂位址解碼器4 6則對每一行配本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><豹?公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

525099 A7 B7 五、發明説明（6 ) 置之光感知器11之頂閘電極（TG),經由頂電極線43而施加頂閘電壓V % 。列開關45經由預充電晶體（precharge transistor)47 而使汲電壓V ^輸人（i n p u t)。又此列開關45經緩衝器 (buffer) 48而使輸出信號被輸出（output)。即，列開關45在預充電晶體47因預充電壓V PC輸人而0N (開啟）時，各信號線42所接續各光感知器11之輸出經緩衝器48 將輸出信號V (jut輸出。第3圓所示計時發生部34包含有振盪回路或分周 (frequency separation)回路等，CTR 33所定頻率之計時信號及復歸信號可被輸出。CTR 33基於計時發生部34 所輸入計時信號及復歸信號，K及對光感知器驅動器32 輸入之感知信號及復歸信號，而輸出底閘電壓Vbg及頂閘電壓VTG ，而且第4圖所示對預充電晶體47輸出預充電壓v pe及汲電壓vDD 。第3圆所示A/D變換部是把，從光感知器部31經由光感知器驅動器32 (即第4圖所示之列開關45)輸出之信號V QUT做A/D變換。S/P變換部36是把，從A/D變換部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -- 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製個預號一信之多號信做照應把信出號對相是案輸信個OUT 37圖的案各 V 體準來圖之號憶標部準38信記 Μ 換標部出案號變之照輸圖信 Ρ 出對的準像S/讀 Μ 來標圖從次，31 。紋將依是部換指是37用器變之38體作知 Ρ 應部憶之感 S/對照記39光做所對案部斷號紋。画斷判信指來準判，之之起標。準出者憶從照基輸定記與對做 35特先，個號本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 525099 A7 B7 五、發明説明（7 ) 指紋圖像信號是否為標準圖案記憶體37中預先記憶之特定者指紋，而後將判斷信號輸出。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，參照第5鬮及第〗圖，關於光感知器〗1的動作將予說明。光感知器11之源極（S)與汲極（D)之間施加一正電壓（例如+ 5 V )的狀態時，對底閘電極（B G )施加正電壓（例如+ 1 0 V ),半導體層1 5形成一涸通道，汲電流開始流動。這種狀態下，由底閘電極（BG)之電場對頂閘電極（TG)作用而施加一消滅該通道之負電壓（例如 -20V)時，底閘電極（BG)之電場對頂閘電極（TG)之電場，往妨害該通道形成之方向移動，因而通道被夾死。此時，從頂閘電極（TG)側來的光射向半導體層15時，在半導體層15之頂閘電極（TG)側會感應出電子-正孔對（pair) 。這種電子-正孔對在半導體曆15之通道區域中蓄積，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製頂閘電極（TG )之電場被打消。因此之故，半導體曆15中形成通道，汲電流在其中流動。此汲電流會相應於半導體層15之入射光量而起變化。這樣，此二維光感知器2 ,在由底閜電極（BG)之電場對頂閘電極（TG)作用對妨害通道形成之方向移動，通道因而被夾死之故，光未入射時汲電流可K非常的小，例如1 (Τί4 A。此結果，使光入射時與光未人射時，其汲電流之差可為很大。又，此時底閘型電晶體之放大率會依入射光量而變化，S/N可K 變大。然而，此二維光感知器2中，一個光感知器11可兼用感知器機能及選擇電晶體機能。其次，將簡單說明這些 -9 一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 525099 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 機能。在對底閘電極（B G )施加正電壓（+ 1 Ο V )時，而頂閘電極施加例如Ο V時，半導體層1 5及頂閘絕緣膜1 9之間的陷阱準位（TV a p 1 e v e 1 )到吐出正孔後恢復，即，可K復歸。亦即，連續使用時，半導體層15與頂閘絕緣膜19之間的陷阱準位是由光照射發生之正孔及汲極（D )注入之正孔所補充，光未入射狀態之通道抵抗變小，光未入射之汲電流增加。在此，頂閘電極（TG)為0V,此正孔被吐出而後復歸。又，對底閘電極（BG)不施加正電壓時，底閘型電晶體上不形成通道，即使光入射時汲電流亦不流動，可成為非選擇狀態。即，對施加在底閘電極（BG)的電壓予从控制時，可控制選擇狀態及非選擇狀態。又，在非選擇狀態下，對頂閘電極皰加0V時，與上述相同，半導體曆15 與頂閘絕緣膜1 9之間的陷阱準位到正孔吐出可復歸。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ上之結果如第6圖所示，頂閘電壓VTCJ控制在0V -20V之間時，可控制感知狀態及復歸狀態。又，底閘電饜Vbq被控制在0V與+10V之間時，可控制選擇狀態及非選擇狀態。即，對頂閘電壓VTC5及底閘電壓V ^施以控制時，一個光感知器11可兼有光感知機能，及選擇電晶體之機能。其次，參照第3及4圖，將說明二維光感知器2之動作。計時發生部34可輸出所定頻率之計時信號及復歸信號到CTR 33。控制器CTR 33以計時發生部34之計時信號及復歸信號為準，對光感知器驅動器32施加之感知信號 -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525099 A7 B7 五、發明説明（9 ) 及復歸信號，使底閘電壓V BG及頂閘電壓V TQ輸出，又，可對預充電晶體47輸出預充電壓VPe及汲電壓VDD 。因而首先對各光慼知器11,使底閘電壓VB(3及頂閘電 ®VT(5為0V,即，復歸之。又，在此復歸中，使預充電晶體47只在所定時間内施加預充電壓V pe ，對所有信號線4 2施加汲電壓V dd ( + 5 V )而得到預先充電。其次，使頂閘電壓VT(3為_20V，各光感知器11均在感知狀態，其次，使底閘電壓V Be為+1 0 V ,各光感知器在選擇狀態。如此，對應於光入射量（光量），各光感知器11之輸出信號VQUT變化為0V,有時為+ 5V 。這些各個感知器11之輸出信號V ^^從列開關4 5經由緩衝器4 8而輸出。從此Μ 後，第二行目起一直到最後行目之各光感知器11,依上述同樣的動作被執行，故Κ後之動作省略不言。 (第2實施形態）第7鬭是本發明第二實施形態之指紋讀取裝置要部之平面_。在此指紋讓取裝置中，二維光感知器2之外敷曆膜23之上面感知區域4及其周圍設有一對髮梳狀透明導電膜3Α、3Β。包括該一對透明導電膜3Α、3Β的二維光感知器2上面，手指5與之接觸時，如後逑般，此一對透明導電膜可檢測手指5之電阻（resistance),由此檢測信號而指紋讀取動作可被開始執行，但亦兼有靜電保護機能。此時，一對透明導電膜3A、3B設成髮梳狀的原因，是為了使感度良好而能檢測手指5較小之電阻。其次，第8躕顯示此指紋讀取裝置之回路要部。在此 -11 一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

525099 Α7 Β7 五、發明説明（10 ) 鬭中，與第4圖之相同部份均有相同符合之功能動作， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此省略其說明。透明導電膜3A經電阻5 1與使汲電壓VDD 輸出之控制器CTR 33接續（參関第3圖），另一方的透明導電膜3 B則接地。透明導電膜3 A與電阻5 1之間介入有一變頻回路52,而與CTR 33連接。控制器CTR 33在從變頻回路5 2輸人Η級位信號之時向開關制御部5 3輸出開關切換信號。開關制御部53在從CTR 3 3輸人開關切換信號之時，對開關回路54輸出開關制御信號。開關回路54是設在列開關45與預充電晶體47之間，是屬常開之開關。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此指紋讀取裝置之中，手指5與包括一對透明導電膜3Α、3Β之二維光感知器2上面接觸時，該對透明導電膜3 A、3 Β間手指5接觸部相應之電阻***之故，與電阻 51之間的電位，與電阻51和手指之電阻值分割之電位要低。因此，變頻回路52之輸入從Η级位變為L级位，變頻回路52之輸出變為Η级位，此Η级位之信號向CTR 33 輸出。控制器CTR 33從變頻回路52輸入Η級位信號時，向開關制御部53輸出開關切換信號。開關制御部53在從控制器33輸入開關切換信號時，向開關回路54輸出開鼷制御信號，開關回路54成為開關狀態。如此，列開關45 和預充電晶體47經開關回路54而相接續，與第4圖所示倩形相同，開始了指紋之讀取動作。如此，此指紋謓取裝置之中，手指5與包含有一對透明導電膜3Α、3Β之二維光感知器2上面接觸時，此接觸之手指的電阻被檢測，依此檢測信號而開始手指讀取動本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 525099 A7 B7 五、發明説明（11) 作，因指紋讀取動作可自動開始，故很方便。又如第7 圖所示，覆蓋在二維光感知器2之感知區域4上面大部份的他方之透明導電膜3B因為接地之故，可發揮靜電保護機能。而且，例如，手指5之指紋像先複印到一張紙上，而後放置到含有一對導電膜3A、3B之二維光感知器 2上而時，因為複印紙是絕緣物，該對透明導電膜3A、 3 B無法檢測其電阻，故可防範Μ複印紙閬關之不法事情於未然。 (第3實施形態）第9圓是本發明第3實施形態之指紋謓取裝置要部的平面圖。此指紋讀取裝置之中，二維光感知器2之外敷脣膜23上面之正方形狀感知器區域4内之四個角落，及各外側各設有一對髮梳狀之透明導電膜3Α、3Β。手指5 與含有該四組透明導電膜3Α、3Β之二維光感知器2上面接觸時，如後述般，該四組透明導電膜3Α、3Β能檢測手指5之電阻，此檢測信號能使指紋謓取動作開始，亦兼有靜電保護之機能。其次，此指紋讀取裝置之回路之要部顯示如第10圖。在此圖中，與第8圖一名稱具有同一符合之功能，在此省略其說明。四組透明導電膜3Α、3Β對應之四個變頻回路52各輸出側接練到控制器CTR 33之同時，有一個AND 回路5 5之輸入側亦接續著。A N D回路5 5之輸出側接到控制器C T R 3 3。其次，在此指紋讀取裝置之中，手指5與包含有四組 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .1訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525099 Α7 Β7 五、發明説明（I2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 透明導電膜3A、3B之二維光感知器2上面接觸時，各組透明導電層3A、3B之間手指5相應之電阻會產生，四個變頻回路5 2之各輸出側會從L級位信號變化到Η級位信號。這些Η級位信號向A N D回路5 5輸出。A N D回路5 5在從四個變頻回路5 2輸入Η级位信號時，A N D信號會向 CTR 33輸出。此時，雖然從變頻回路52之Η级位信號向 CTR 3 3直接輸出，CTR 33對此Η级位信號卻是不理。故 Κ下請參照第8圖說明之，CTR 33在從AND回路55輸入 AND信號時，對開關制御部53輸出開關切換信號。開關制御部53從CTR 33輸入開關切換信號時，向開關回路54 輸出開關制御信號 >開關回路54成為開關狀態。如此，列開關45及預充電晶體47經由開關回路54而接績，成為第 4圖所示之情形同樣的狀態，開始指紋讀取動作。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然而，此指紋讀取裝置在當手指5對於二維光感知器 2之感知器區域4的接觸位置及接觸情形（接觸情形十分良好否？）為異常時，亦即，四組透明導電層3A、3B 不完全與手指5接觸時，從AND回路55不會輸出AND信號。這種情形下，四組透明導電層3 A、3 B之中至少一組乃至三組透明導電曆3 A、3 B與手指5接觸之故，這個手指5所接觸之透明導電層3A、3B所對應之變頻回路52會對控制器CTR 33輸出Η級位信號。這樣，CTR 33，在 A N D回路5 5沒有A N D信號輸入，Κ及任一變頻回路5 2向 CTR 3 3輸出Η級位信號之時，手指接觸不良信號向圖中未示的制御部輸出。如此，制御部對於手指5與二維光一 1 4 一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 525099 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明 L3 ) 1 1 I 感知器 2 之感知器 1¾ 域 4 之接觸位置或接觸倩形為異常 1 1 I 時 9 例如會 Μ 厂手指請修正置放 J 之表示或聲音等報知 1 1 手段通知來訪者〇請 1 I 先 1 (第3 實施形態之改變實例）閱讀 1 i 1 又 > 如第 1 0 圖中所示 » 此指紋讀取裝置中，因為各組面之之他方透明導電膜 3Β 接地之故，可發揮靜電保護機能 0 注意 1 事 I 但是如第 9 圖中所示 9 這種實施形態之情形中 y 二維光項 1 感知器 2 之正方形感知器區域 4 之四個角落及其各個外丹填寫本 4 I 側各設有一對透明導電膜 3A 3B 之故 $ 感知器區域 4 之頁 '—， 1 I 中央部對於靜電保護就稍顯薄弱〇在此 $ 如第 11 圖中所 1 I 示 > 感知器區域 4 之中央部大致上可設有十字狀消除靜 1 1 電用之透明導電膜 3C 〇 Ί， it 1 第 1 圓之指紋讀取裝置之中 9 面光源 1 上配置有透明基板 > 此透明基板 12上具有光電變換薄膜電晶體之光感 1 1 知器部 31 形成之構造 9 這種情形下 9 去除掉透明基板 12 1 I ί 構成面光源 1 之導光板上可直接形成具有光電變換薄 1 1 辞 m 電晶體之光感知器部 31 〇而且 9 各光感知器並不限於本實施形態所記載之雙閘型光電變換電晶體 9 亦可使用 1 I 單閘型之薄膜電晶體 > 或是二極體型〇 1 1 如 Μ 上所說明依昭本發明 9 光感知裝置上所設的透 1 1 明導電層因具有使靜電消除之機能 9 與光感知裝置之透 1 I 明導電層上接觸的手指即使帶有靜電的話 9 此靜電氣亦 1 經由透明導電層而逃放 9 因而光感知裝置不會產生因發 1 生靜電而致之誤動作或破損 0 又因為一對透明導電曆是 1 I -15- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 525099 A7 B7 五、發明説明（14 ) 彼此分離而形成，該導層間接觸的被測定物之電阻值可被测定，而後判斷是否為預設的範圍内，只有在一致之時才開始對照之故，利用複印方式的話不會產生對照作用，故可提高其可靠性。圖式之簡單說明第〗圖是本發明第〗實施形態中指紋讀取裝置之要部的放大斷面園。第2圓是第1圖所示指紋讀取裝置之要部之平面圖。第3 _是第1 _所示指紋讀取裝置之方塊回路圖。第4圖是第3圖所示光感知器部及光感知器驅動器之部份之回路園。第5阛是第1圖所示光感知器單體之等價回路圖。第6(A)〜6(D)圖各為第5圖所示光感知器各電極上施加電壓及其狀態變化說明用之圖。第7圓是本發明第2實施形態中指紋讀取裝置之要部之平面圓。第8圓是第7圖所示指紋讀取裝置之要部之回路圖。第9 _是本發明第3實施形態中指紋讀取裝置之要部之平面圖。第10鬪是第9圖所示指紋讀取裝置之要部之回路圖。第11圓是顯示第9圓所示指紋讀取裝置之改變例之平面_ 。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 114! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525099 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（工5 ) 符號之說明

1 面光源 2 二維光感知器 3 透明導電層 3 A 透明導電層 3B 透明導電層 4 感知器域 5 手指 11 光感知器 12 透明基板 13 底閘電極 14 底閘絕緣膜 15 半導體層 16 η Η -矽層 17 η — 矽層 18 阻擋層 19 源極 20 汲極 21 頂閘絕緣膜 22 頂閘電極 23 外敷層膜 31 光感知器部 32 光感知器驅動 33 控制器 CTR (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 525099 A7 B7 五、發明説明（16 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 34 計時發生部 35 A/D (類比 /數位）鍾換部 36 S/P (串列 /平行） m 換部 37 標準圖案記憶體 38 對昭〆、、、部 39 判斷部 41 底電極線 42 信號線 43 頂電極線 44 底位址解碼器 45 列開關 46 頂位址解碼器 47 預充電晶體 48 緩衝器 51 電 m. 52 變頻回路 53 開關制御部 54 開關回路 5 5 AND 回路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims

525099 六、申請專利範圍第8 8 1 03 742號「讀取裝置」專利案 (91年12月02日修正）六、申請專利範圍： 1· 一種用來讀取有陰影圖案之被讀取體之讀取裝置，其特徵爲包含有：光源，光感知裝置，配置於該光源上，具有板狀的透明基板及該透明基板與該光源之相對面相反側所形成之各具有半導體層之複數個光感知器；以及透明導電層，用於防止靜電，形成在該光感知裝置中之光感知器上之與該光源相反側之被讀取體的裝載側，該透明電極層係一在與被讀取體接觸時，可檢測該被讀取體之電阻値的構成。 2.如申請專利範圍第1項之讀取裝置，其中該光感知裝置是光感知器以二維狀排列成二維光感知器。 • 3.如申請專利範圍第1項之讀取裝置，其中該透明導電層可使靜電逃放。 4. 如申請專利範圍第1項之讀取裝置，其中具有該被晴取體之電阻値是否在所定値內被檢測之檢測方法，以及合於預定値之內時才開始讀取被讀取體之方法。 5. 如申請專利範圍第1項之讀取裝置’其中該透明導電層是在該光感知裝置之感知器區域內之外周部之 525099 ^、申請專利範圍多數個地方各設有一對。 6. 如申請專利範圍第 5項之讀取裝置，其中該各一對之透明導電體爲該被讀取體同時接觸時，檢測此接觸被讀取體之多數個地方之電阻値各自是否在預定値內，檢測結果全部在所定値之內時該被讀取體之讀取才開始。 7. 如申請專利範圍第 5項之讀取裝置，其中該透明導電層包括該光感知裝置之感知器區域內之外周部之多數地方所設之該一對透明導電層，以及該光感知裝置之感知器區域內之中央部所設用來消除靜電用的透明#導電層。 8. —種用來讀取有陰影圖案之被讀取體之讀取裝置，其徵爲包括有光源；該光源上所設有多數個光感知器形成之光感知裝置，及在此光感知裝置之上所設爲了檢測手指之電阻之至少一對透明導電層；與該一對透明導電層接觸之被讀取體之電阻値被檢測是否在預定値之內的檢測方法；以及用該檢測方法，被讀取體之電阻被檢測在預定値之內時開始被讀取體之讀取動作。 9. 如申請專利範圍第 8項之讀取裝置，其中該一對透明導電層之中，其中有一方接地。 525099 六、申請專利範圍 10.如申請專利範圍第 8項之讀取裝置，其中該光感知裝置之各光感知器係由在該光源側配置有遮光性材料形成之第1閘電極，和在該透明導電層側配置有具透光性材料形成之第2閘電極的光電變換薄膜電晶體所構成。