KR100381048B1

KR100381048B1 - 박막 트랜지스터 형 지문 센서

Info

Publication number: KR100381048B1
Application number: KR10-2000-0034776A
Authority: KR
Inventors: 이재균; 윤태환
Original assignee: 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date: 2000-06-23
Filing date: 2000-06-23
Publication date: 2003-04-18
Also published as: KR20020000317A; US20020000915A1

Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 라인간의 절연파괴 현상을 최소화 할 수 있도록 한 박막 트랜지스터 형 지문센서에 관한 것이다.

본 발명의 박막 트랜지스터 형 지문센서는 지문이 접촉될 때 지문으로부터 반사되는 빛을 소정량의 전압으로 변환하기 위한 센서 어레이와, 센서 어레이를 구동시키기 위한 구동전압 공급부와, 지문과 센서 어레이의 접촉 여부를 감지하여 지문과 센서 어레이가 접촉되었을 때 감지신호를 생성하기 위한 감지부와, 감지부로부터 입력되는 감지신호에 응답하여 구동전압 공급부로부터 생성되는 구동전압신호의 전압레벨을 제어하기 위한 제어부를 구비한다.

본 발명에 의하면, 지문에 센서 어레이에 접촉되지 않을 때 게이트라인, 데이터라인 및 쉴드라인을 기저전압원 또는 소정레벨의 전압원에 접속시킨다. 따라서 게이트라인, 데이터라인 및 쉴드라인에 일정한 전압이 인가되기 때문에 정전기에 의한 절연파괴 현상을 최소화 할 수 있다.

Description

박막 트랜지스터 형 지문 센서{Thin Film Transistor Type Finger Print Sensor}

본 발명은 박막 트랜지스터 형 지문 센서에 관한 것으로, 특히 박막 트랜지스터 라인간의 절연파괴 현상을 최소화 할 수 있도록 한 박막 트랜지스터 형 지문센서에 관한 것이다.

박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)를 이용한 전자기기들의 개발이 여러 응용분야에서 진행되고 있다. 최근에는 액티브 매트릭스 방식의 액정표시장치는 물론 보안장치에도 TFT를 이용하고 있다.

도 1을 참조하면, 종래의 TFT를 이용한 지문센서 어레이는 센서 TFT(2)와 스위치 TFT(4)를 구성된다. 센서 TFT(2)는 지문으로부터 반사되는 빛의 양에 해당하는 전류를 커패시터에 공급한다. 스위치 TFT(4)는 센서 TFT(2)로부터 입력되어 커패시터에 저장된 전하를 도시되지 않은 판별부로 공급한다. 판별부는 센서 TFT(2)로부터 입력되는 전류의 양에 따라 지문의 동일 여부를 판별하게 된다. 센서 TFT(2) 및 스위치 TFT(4)의 제조공정은 다음과 같다. 먼저, 게이트전극(20)이 Al, Mo, Cr 등의 금속으로 기판(18) 상에 증착된 후, 사진식각법에 의해 패터닝된다. 게이트 전극(20)이 형성된 후 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : 이하 "ITO"라 함)으로 된 커패시터 전극(10)이 게이트 전극(20) 및 기판(18) 상에 형성된다. 커패시터 전극(10)은 스위치 TFT(4)의 게이트 전극(20) 상에는 형성되지 않는다. 게이트전극(20) 및 커패시터 전극(10)이 형성된 후 기판(18) 상에는 SiNx 등의 무기막으로 된 게이트절연막(22)이 형성된다. 게이트절연막(22) 위에는 비정질실리콘(amorphous-Si : 이하 "a-Si"이라 함)으로 된 반도체층(24)과 a-Si이 n+ 이온으로 도핑된 오믹접촉층(26)이 연속 증착된다. 오믹접촉층(26)과 게이트절연막(22)이 연속 증착되고 활성층을 패터닝한 후 센서 TFT(2)에는 ITO로 된 소오스전극(28)과 드레인전극(30)이 형성된다. 또한, 오믹접촉층(26)과 게이트절연막(22)이 연속 증착된 후 스위치 TFT(4)에는 금속으로 된 소오스전극(28)과 드레인전극(30)이 형성된다. 이때, 센서 TFT(2)의 드레인전극(30)과 스위치 TFT(4)의 소오스전극(28)은 전기적으로 접속된다. 센서 TFT(2)의 드레인전극(30)과 커패시터전극(10)은 커패시터 기능을 하게된다. 즉, 드레인전극(30)과 커패시터전극(10)은 센서 TFT(2)로부터 공급되는 전류를 저장함과 아울러 저장된 전류를 스위치 TFT(4)로 공급한다. 스위치 TFT(4)에 금속으로 형성된 소오스전극(28)과 드레인전극(30)은 백 라이트(8)로부터 입사되는 빛이 지문으로부터 반사되어 반도체층(24)에 입사되는 것을 차단한다. 소오스전극(28)과 드레인전극(30) 사이의 오믹접촉층(26)은 건식에칭 또는 습식에칭에 의해 제거된다. 그리고 기판(18) 상에 투명물질로 형성된 제 1 보호막(32)이 전면 증착된다. 제 1 보호막(32)이 전면 증착된 후 스위치 TFT(4)상의 제 1 보호막(32) 상에 라잇 쉴드(36)가 증착된다. 라잇 쉴드(36)는 지문으로부터 반사되는 빛 또는 외부로부터 빛이 입사되는 빛을 차단하여 스위치 TFT(4)에 형성된 반도체층(24)이 활성화되는 것을 방지한다. 라잇 쉴드(36)가 형성된 후 기판(18) 상에 투명물질로 형성된 제 2 보호막(34)이 전면 증착된다.

도 2는 종래의 TFT를 이용한 지문센서 어레이를 등가화 하여 나타내는 회로도이다.

도 2를 참조하면, 센서 TFT(2)의 소오스전극(28)에는 10V의 전압이 인가됨과 아울러 센서 TFT(2) 및 스위치 TFT(4)의 게이트전극(20)에는 -5V의 전압이 인가된다. 센서 TFT(2)의 드레인전극(30)과 스위치 TFT(4)의 소오스전극(28)은 전기적으로 접속된다. 또한, 센서 TFT(2)의 드레인전극(30)과 게이트전극(20) 사이에는 커패시터(C)가 위치된다.

지문이 인식되지 않았을 때의 동작과정을 상세히 설명하면, 센서 TFT(2)에 지문이 인식되지 않으면 소오스전극(28)에 인가되는 10V전압 및 게이트전극(20)에 인가되는 -5V의 전압에 의해 소오스전극(28)과 드레인전극(30)에는 도 3a와 같은 전류가 흐르게 된다. 소오스전극(28)과 드레인전극(30)에 흐르는 전류는 커패시터(C)에 의해 일시 저장된 후 스위치 TFT(4)로 전송된다. 스위치 TFT(4)는 커패시터(C)로부터 소오스전극(28)에 인가되는 소정전압과, 게이트전극(20)에 인가되는 턴-온 전압(약 15V~20V)에 의해 턴-온(Turn-on)된다. 스위치 TFT(4)가 턴-온되면 스위치 TFT(4)의 드레인전극(30)에 소정전압이 인가된다. 스위치 TFT(4)의 활성층을 통해 전류가 흘러 드레인전극(30)에 인가되는 소정전압은 판별부로 전송된다. 판별부는 스위치 TFT(4)로 전송 받은 전압의 레벨을 체크하여 지문이 인식되지 않았음을 판단한다.

도 4와 같이 지문센서 어레이 상에 지문(6)이 위치되면, 백 라이트(8)부터 입사되는 빛은 지문(6)에 의해 센서 TFT(2)로 반사되게 된다. 이때, 사람마다 지문패턴이 다르게 형성되므로 지문패턴에 의해 센서 TFT(2)로 반사되는 빛의 양도일정하지 않다. 스위치 TFT(4)로 반사되는 빛은 라잇 쉴드(36)에 의해 차단된다. 센서 TFT(2)로 입사되는 빛은 센서 TFT(2)의 a-Si으로 형성된 반도체층(24)을 활성화시킨다. 이때, 반도체층(24)의 활성화 정도는 입사되는 빛의 양에 의해 결정된다. 반도체층(24)이 활성화되면 소오스전극(28)과 드레인전극(30)에 도 3b와 같은 전류가 흐르게 된다. 즉, 소오스전극(28) 및 게이트전극(20)에는 일정한 전압이 인가되지만, 반도체층(24)이 활성화되었기 때문에 지문(6)이 인식되지 않았을 때 보다 많은 전류가 흐르게 된다. 소오스전극(28)과 드레인전극(30)에 흐르는 전류는 커패시터(C)에 의해 일시 저장된 후 스위치 TFT(4)로 전송된다. 커패시터(C)로부터 스위치 TFT(4)로 전송된 소정 전압은 스위치 TFT(4)의 소오스전극(28)에 인가된다. 즉, 스위치 TFT(4)는 게이트전극(20)에 인가되는 턴-온 전압(15V~20V)과, 소오스전극(28)에 인가되는 소정전압에 의해 턴-온(Turn-on)된다. 스위치 TFT(4)가 턴-온되면 스위치 TFT(4)의 드레인전극(30)에 소정전압이 인가된다. 드레인전극(30)에 인가되는 소정전압은 판별부로 전송된다. 판별부는 스위치 TFT(4)로부터 전송 받은 전압의 레벨을 체크하여 이미지를 읽어낸 후 지문이 동일 여부를 판별하게 된다. 이와 같이 지문센서 어레이는 도5와 같이 센서부(60) 내에 설치된다.

도 5를 참조하면, 종래의 지문센서는 센서부(60)와 제어부(50)로 구성된다. 센서부(60) 에는 센서 TFT(2) 및 스위치 TFT(4)를 포함하는 센서 어레이(40)가 설치된다. 제어부(50) 에는 센서 어레이(40)에 동작전압을 공급하기 위한 전원 공급부(42)와, 전원 공급부(42) 및 센서 어레이(40)의 동작을 제어하기 위한 제어 로직부(44)가 설치된다. 전원 공급부(42)와 센서 어레이(40) 사이에는 전원공급부(42)로부터 공급되는 소정전압을 센서 어레이(40)로 공급하기 위한 게이트라인(43), 데이터라인(45) 및 쉴드라인(47)이 설치된다. 게이트라인(43)은 전원공급부(42)로부터 공급받은 -5V의 전압을 센서 TFT(2) 및 스위치 TFT(4)의 게이트전극(20)으로 공급한다. 데이터라인(45)은 전원공급부(42)로부터 공급받은 10V의 전압을 센서 TFT(2)의 소오스전극(28)으로 공급한다. 쉴드라인(47)은 스위치 TFT(4)의 라잇 쉴드(36)를 기저전압원(GND)에 접속시킨다. 쉴드라인(47)은 외부 입사 빛으로부터 스위치 TFT(4)를 보호하여 스위치 TFT(4)에 누설전류가 흐르는 것을 방지한다.

하지만, 이와 같은 종래의 지문센서는 게이트라인(43), 데이터라인(45) 및 쉴드라인(47) 각각에 서로 다른 직류전압이 인가되기 때문에 지문(6)과 센서 어레이(44)의 접촉 시에 발생되는 정전기에 의해 라인들(43,45,47)간의 절연파괴 현상이 발생될 수 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 박막 트랜지스터 라인간의 절연파괴 현상을 최소화 할 수 있도록 한 박막 트랜지스터 형 지문센서에 관한 것이다.

도 1은 통상적인 센서 어레이를 나타내는 도면.

도 2는 도 1에 도시된 센서 어레이를 등가적으로 나타내는 도면.

도 3a는 도 1에 도시된 센서 어레이에 지문에 인식되지 않았을 때 흐르는 전류를 나타내는 도면.

도 3b는 도 1에 도시된 센서 어레이에 지문이 인식되었을 때 흐르는 전류를 나타내는 도면.

도 4는 도 1에 도시된 센서 어레이에 지문이 인식되어 과정을 나타내는 도면.

도 5는 도 1에 도시된 센서 어레이를 포함하는 종래의 박막 트랜지스터 형 지문 센서를 나타내는 도면.

도 6은 본 발명의 박막 트랜지스터 형 지문 센서를 나타내는 도면.

도 7a 및 도 7b는 도 6에 도시된 절환소자부의 동작과정을 나타내는 도면.

도 8a 및 도 8b는 도 6에 도시된 센서 어레이와 지문의 접촉여부를 감지하는 방법을 나타내는 도면.

도 9는 도 6에 도시된 절환소자를 나타내는 도면.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

2 : 센서 TFT 4 : 스위치 TFT

6 : 지문 8 : 백 라이트

10 : 커패시터 전극 18 : 기판

20 : 게이트전극 22 : 게이트절연막

24 : 반도체층 26 : 오믹접촉층

28 : 소오스전극 30 : 드레인전극

32,34 : 보호막 36 : 라잇 쉴드

40,44 : 센서 어레이 42,46 : 전원공급부

43,53 : 게이트라인 44,48 : 제어 로직부

45,55 : 데이터라인 47,57 : 쉴드라인

50,80 : 제어부 52 : 피드백 부

54 : 절환소자부 60,70 : 센서부

62 : 공통단자 63,65,67,88 : 절환소자

64 : 게이트단자 66 : 데이터단자

68 : 쉴드단자 82,84 : 감지전극

86 : 보호 덮개

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 박막 트랜지스터 형 지문센서는 지문이 접촉될 때 지문으로부터 반사되는 빛을 소정량의 전압으로 변환하기 위한 센서 어레이와, 센서 어레이를 구동시키기 위한 구동전압 공급부와, 지문과 센서 어레이의 접촉 여부를 감지하여 지문과 센서 어레이가 접촉되었을 때 감지신호를 생성하기 위한 감지부와, 감지부로부터 입력되는 감지신호에 응답하여 구동전압 공급부로부터 생성되는 구동전압신호의 전압레벨을 제어하기 위한 제어부를 구비한다.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.

이하, 도 6 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.

도 6은 본 발명의 지문센서를 나타내는 도면이다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 지문센서는 센서부(70)와 제어부(80)로 구성된다. 센서부(70) 내에는 센서 TFT(2) 및 스위치 TFT(4)를 포함하는 센서 어레이(44)가 설치된다. 제어부(80) 내에는 센서 어레이(44)에 동작전압을 공급하기 위한 전원 공급부(46)와, 전원 공급부(46) 및 센서 어레이(44)의 동작을 제어하기 위한 제어 로직부(48)와, 지문이 센서 어레이(44) 상에 접촉되는 것을 감시하기 위한 피드백 부(52)가 설치된다. 피드백 부(52)는 센서 어레이(44) 상에 지문이 접촉되면 제 1 제어신호를 생성하여 제어 로직부(48)로 전송한다. 제어 로직부(48)는 피드백 부(52)로부터 제 1 제어신호가 입력되면 제 2 제어신호를 생성하고, 제 1 제어신호가 입력되지 않으면 제 3 제어신호를 생성한다. 제어 로직부(48)로부터 공급되는 제 2 및 제 3 제어신호는 전원 공급부(46)내에 설치된 절환소자부(54)로 공급된다. 절환소자부(54)는 제어 로직부(48)로부터 제 2 제어신호가 입력되면 게이트라인(53), 데이터라인(55) 및 쉴드라인(57)인 각각을 게이트단자(64), 데이터단자(66) 및 쉴드단자(68)와 접속시킨다. 제어 로직부(48)로부터 제 3 제어신호가 절환소자부(54)로 입력되면 절환소자부(54)는 게이트라인(53), 데이터라인(55) 및 쉴드라인(57)을 공통단자(62)에 접속시킨다. 전원 공급부(46) 내에 설치된 공통단자(62) 및 쉴드단자(68)는 기전전압원(GND)과 접속된다. 공통단자(62)에는 소정레벨의 직류전압이 공급될 수 있다. 또한, 전원 공급부(46) 내에 설치된 게이트단자(64) 및 데이터단자(66) 각각은 -5V 및 10V의 직류전압원과 접속된다. 절환소자부(54)는 도 7a에 도시된 바와 같이 3개의 절환소자(63,65,67)로 구성된다. 절환소자들(63,65,67)은 제어 로직부(48)의 제어에 의해 동작한다. 본 발명의 지문센서를 종래의 지문센서와 대비해 보면, 본 발명에서는 지문이 센서 어레이(44) 상에 접촉되는 것을 감시하기 위한 피드백 부(52)와, 전원 공급부(46)내에 절환소자부(54)가 추가로 설치되었음을 알 수 있다.

지문이 인식되었을 동작과정을 상세히 설명하면, 지문이 센서 어레이(44) 상에 접촉되면 피드백 부(52)로부터 제 1 제어신호가 생성된다. 피드백 부(52)에서 생성된 제 1 제어신호는 제어 로직부(48)로 공급된다. 피드백 부(52)로부터 제어신호를 공급받은 제어 로직부(48)는 제 2 제어신호를 생성하여 절환소자들(63,65,67)로 공급한다. 제어 로직부(48)로부터 제 2 제어신호를 입력받는 절환소자들(63,65,67)은 도 7b와 같이 게이트단자(64), 데이터단자(66) 및 쉴드단자(68) 쪽으로 절환된다. 즉, 센서 어레이(44)에 구동전압이 공급된다.

지문이 인식되지 않았을 때의 동작과정을 상세히 설명하면, 지문이 센서 어레이(44) 상에 접촉되지 않으면 피드백 부(52)는 제 1 제어신호를 생성하지 않는다. 즉, 제어 로직부(48)는 피드백 부(52)로부터 제 1 제어신호를 입력받지 않는다. 피드백 부(52)로부터 제어신호가 입력되지 않으면 제어 로직부(48)는 제 3 제어신호를 생성하여 절환소자들(63,65,67)로 공급한다. 제어 로직부(48)로부터 제 3 제어신호를 입력받는 절환소자들(63,65,67)은 도 7a와 같이 공통단자(62) 쪽으로 절환된다. 즉, 센서 어레이(44)에 구동전압이 공급되지 않는다.

피드백 부(52)에서 지문을 감시하는 방법을 도 8a를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

도 8a를 참조하면, 센서 어레이(44)의 제 2 보호막(34) 상에 ITO로 된 제 1 및 제 2 감지전극(82,84)이 형성된다. 제 1 및 제 2 감지전극(82,84)에는 소정 전압이 공급된다. 피드백 부(52)는 제 1 및 제 2 감지전극(82,84)을 감시한다. 센서 어레이(44) 상에 지문(6)이 접촉되지 않으면 제 1 및 제 2 감지전극(82,84)은 단락 되지 않기 때문에 피드백 부(52)에 전류가 공급되지 않는다. 따라서, 피드백 부(52)는 제 1 제어신호를 생성하지 않는다. 센서 어레이(44) 상에 지문(6)이 접촉되면 지문(6)에 의해 제 1 및 제 2 감지전극(82,84)이 단락 된다. 제 1 및 제 2 감지전극(82,84)이 단락 되면 피드백 부(52)에 전류가 공급된다. 따라서, 피드백 부(52)는 제 1 제어신호를 생성하여 제어 로직부(48)로 공급한다.

도 8b는 피드백 부(52)에서 지문을 감지하는 다른 실시예를 나타내는 도면이다.

도 8b를 참조하면, 센서 어레이(44)와 보호 덮개(86) 사이에 절환소자(88)가형성된다. 보호 덮개(86)는 각종 이물질 및 충격으로부터 센서 어레이(44)를 보호하기 위하여 설치된다. 지문(6)이 센서 어레이(44) 상에 접촉될 때 보호 덮개(86)는 개방된다. 절환소자(88)는 보호 덮개(86)의 개폐여부를 감지한다. 즉, 절환소자(88)는 보호 덮개(86)가 개방될 때 단락 된다. 피드백 부(52)는 절환소자(88)가 단락 되면 제 1 제어신호를 생성하여 제어 로직부(48)에 공급한다.

도 9는 절환소자부 내에 설치된 절환소자를 상세히 나타내는 도면이다.

도 9를 참조하면, 제 1 절환소자(63)는 2개의 상보형 금속 산화막 반도체(Complementary metal-oxide semiconductor : 이하 "CMOS"라 함)로 형성된다. 제 1 CMOS(CMOS1)의 소오스전극은 공통단자(62)와 접속되고, 드레인전극은 제 2 CMOS(CMOS2)의 드레인전극과 접속된다. 제 2 CMOS(CMOS2)의 소오스전극은 게이트단자(64)와 접속된다. 제 1 및 제 2 CMOS(CMOS1,CMOS2)의 드레인전극들에는 게이트라인(53)이 접속된다.

동작과정을 상세히 설명하면, 지문(6)이 인식되지 않을 때 제어 로직부(48)로부터 발생되는 제 3 제어신호(CS3)는 제 1 CMOS(CMOS1)의 게이트전극에 공급된다. 제 3 제어신호(CS3)를 입력받은 제 1 CMOS(CMOS1)는 턴-온(Turn-on)되어 공통단자(62)로부터 공급되는 전압을 게이트라인(53)으로 공급한다. 이때, 제 2 MOS(CMOS2)는 턴-오프(Turn-off) 상태를 유지한다. 지문이 인식되었을 때 제어 로직부(48)로부터 발생되는 제 2 제어신호(CS2)는 제 2 CMOS(CMOS2)의 게이트전극에 공급된다. 제 2 제어신호(CS2)를 입력받은 제 2 CMOS(CMOS2)는 턴-온되어 게이트단자(64)로부터 공급되는 전압을 게이트라인(53)으로 공급한다. 이때, 제 1CMOS(CMOS1)는 턴-오프 상태를 유지한다. 본 발명의 절환소자들(63,65,67)은 CMOS외에 트랜지스터 및 금속 산화막 반도체(Metal-oxide semiconductor : MOS)등으로 구성될 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 형 지문 센서에 의하면 지문에 센서 어레이에 접촉되지 않을 때 게이트라인, 데이터라인 및 쉴드라인을 기저전압원 또는 소정레벨의 전압원에 접속시킨다. 따라서 게이트라인, 데이터라인 및 쉴드라인에 일정한 전압이 인가되기 때문에 정전기에 의한 절연파괴 현상을 최소화 할 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims

지문이 접촉될 때 상기 지문으로부터 반사되는 빛을 소정량의 전압으로 변환하기 위한 센서 어레이와,

상기 센서 어레이를 구동시키기 위한 구동전압 공급부와,

상기 지문과 상기 센서 어레이의 접촉 여부를 감지하여 상기 지문과 상기 센서 어레이가 접촉되었을 때 감지신호를 생성하기 위한 감지부와,

상기 감지부로부터 입력되는 감지신호에 응답하여 상기 구동전압 공급부로부터 생성되는 구동전압신호의 전압레벨을 제어하기 위한 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형 지문 센서.
제 1 항에 있어서,

상기 구동전압 공급부는 서로 다른 전압레벨을 가지는 제 1 및 제 2 구동전압이 입력되어 상기 제어부로부터 입력되는 제어신호에 따라 상기 제 1 및 제 2 구동전압 중 어느 하나를 상기 센서 어레이에 공급하기 위한 적어도 하나 이상의 절환소자를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형 지문 센서.
제 2 항에 있어서,

상기 절환소자는 상기 지문의 접촉 기간동안 상기 제 1 및 제 2 구동전압 중 상기 센서 어레이를 구동시키기 위한 제1 구동전압을 공급하며,

상기 지문의 비접촉 기간동안 상기 센서 어레이가 구동되지 않도록 제 2 구동전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형 지문 센서.
제 3 항에 있어서,

상기 제 2 구동전압은 기저전압원 및 소정레벨을 가지는 직류전압원 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형 지문 센서.
제 1 항에 있어서,

상기 센서 어레이 상에 인듐 틴 옥사이드로 형성된 제 1 및 제 2 감지전극이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형 지문 센서.
제 5 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 감지전극은 상기 지문에 상기 센서 어레이 상에 접촉되었을 때 도통되며,

상기 감지부는 상기 제 1 및 제 2 전극이 도통되었을 때 상기 감지신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형 지문 센서.
제 1 항에 있어서,

상기 센서 어레이 상에 설치되어 상기 센서 어레이를 이물질 및 충격으로부터 보호하기 위한 보호덮개와,

상기 센서 어레이와 상기 보호덮개 사이에 설치되어 상기 보호덮개가 개방될 때 단락 되는 제 2 절환소자를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형 지문 센서.
제 7 항에 있어서,

상기 감지부는 상기 제 2 절환소자가 단락 되었을 때 상기 감지신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형 지문 센서.
제 1 항에 있어서,

상기 센서어레이는,

상기 지문이 접촉될 때 상기 지문으로부터 반사되는 빛의 양에 해당하는 전류를 생성하기 위한 제 1 스위칭소자와,

상기 스위칭소자에서 생성된 전류를 임시저장하기 위한 커패시터와,

상기 커패시터에 저장된 전류의 양에 따라 상기 지문의 동일 여부를 판별하는 판별부로 상기 커패시터에 저장된 전류를 공급하는 제 2 스위칭소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형 지문 센서.