TW522749B - Active matrix type display apparatus - Google Patents

Active matrix type display apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW522749B
TW522749B TW90128849A TW90128849A TW522749B TW 522749 B TW522749 B TW 522749B TW 90128849 A TW90128849 A TW 90128849A TW 90128849 A TW90128849 A TW 90128849A TW 522749 B TW522749 B TW 522749B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sub
pixel
pixels
light
circuit
Prior art date
Application number
TW90128849A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuru Asano
Jiro Yamada
Takao Mori
Mitsunobu Sekiya
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW522749B publication Critical patent/TW522749B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0804—Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0814—Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Description

522749 A7
發明背景 本發明關係一種主動矩陣型顯示裝置藉由一子像素單元 利用各子像素的主動裝置以控制顯示，及較具體，關係一 種主動矩陣型有機場致發光顯示裝置使用一有機材料的場 致發光裝置（以下稱為有機EL裝置）作為各子像素的發光裝 置（場致發光裝置）。 最近’引起注意的一種作為平面顯示器的有機EL顯示裝 置使用一有機EL裝置作為各子像素的發光裝置。有機el裝 置具有一結構，其中一有機材料夾在兩電極之間，即是， 一陽極電極及一陰極電極。藉由施加一電壓於電極之間， 一電子由陰極電極射入有機層及一電洞由陽極電極射入有 機層，其中電子及電洞互相再結合，並因而發光。有機El 裝置在驅動電壓為10 V或更低的情況下可提供數百至數萬 cd/m2的亮度。有機EL顯示裝置使用有機EL裝置作為各子 像素的發光裝置已視為是下一代平面顯示器的主流。 有機EL顯示裝置的驅動方法包括一簡單（被動）矩陣方法 及一主動矩陣方法。為了實現較大尺寸及較高清晰度的顯 示器’此簡單的矩陣方法需要各子像素的有機EL裝置以高 亮度瞬間發光，因為掃描線數目的增加（即是垂直方向的子 像素數目）表不各子像素的發光週期減少d 另一方面，使用主動矩陣方法便可容易達成較大尺寸及 較高清晰度的顯示器，因為各子像素繼續發光達一訊框的 週期。一般使用一薄膜電晶體（TFT)作為主動裝置用來驅動 此種主動矩陣型有機EL顯示裝置的有機EL裝置。 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 522749 A7 B7 五、發明説明（2 一子像素驅動電路（以下簡稱為子像素電路）包括在各子像 素内形成的TFT及有機EL裝置作為一對一相互對應的分離 層。特別是，在基板上製造包括TFT的子像素電路以形成一 電路層。然後在電路層上形成一平面膜，及建立一接觸部 份用於電連接含有機EL裝置的子像素電路。藉由將一包括 一發光層的有機層夾在兩電極之間以形成的有機El裝置尚 可製造於平面膜及接觸部份上，因而形成一裝置層。 一般用在有機EL顯示裝置的低分子量有機El裝置的有機 層通常由真空沉積形成。如果具有作為子像素的低分子量 有機EL裝置的有機EL顯示裝置適用於多色或全彩顯示，各 子像素的有機EL裝置即可藉由使用一金屬遮罩等作選擇性 沉積。所以’需要高精確度的沉積技術。因為沉積的精確 度#響子像素卽距、解析度、發光裝置的孔徑比、及沉積 不準所引起的瑕戚，所以沉積的精確度對製造一高亮度、 咼清晰度、及高可靠性有機EL顯示裝置非常重要。 以R(紅色）、G(綠色）及B(藍色）色彩發光的子像素的最簡 單子像素配置，例如，在由具有三種不同發光色彩的子像 素形成的一像素的全彩顯示器中為一條形配置，其中發光 部份配置成條形子像素單元，如圖1所示。因為在條形配置 中，每一掃描線及每一訊號線都相互垂直，條形配置具有 簡單配線配置等優點。雖然有機EL裝置的沉積需要高沉積 精確度’不過因為條形配置的一子像素具一寬高比為 1: 1 / 3，因而具有一細長的形狀。 在本說明書中，一發光子像素定義為一子像素，及三個 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇X 297公釐) 522749 五、發明説明（ 相鄰R、G及B子像素組成的一單元定義為一像素。同時， 在一由子像素配置成矩陣方式所形成的子像素段中，各列 子像素的配置方向，即是，沿掃描線選擇一列的方向定義 為列方向，而各行子像素的配置方向，即是，垂直掃描線 的方向定義為行方向。 如另外的子像素的配置為△形配置，其中發光部份配置 成二角（△)形的子像素單元，如圖2所示。△形配置具有提 供鬲透明顯示解析度的優點，因而通常用於影像顯示的顯 示器。另外，一子像素在△形配置中具有寬高比為ι/2: 2/3，因而具有一近似正方的形狀。所以，△形配置中沉積 精確度的限度比條形配置的限度大。 如果發光部份如此配置成△形的子像素單元，同樣的八 配置傳統上用於包括TFT的子像素電路。不過，如果△形配 置用於子像素電路，垂直方向相鄰子像素配置的位置彼此 偏移半個子像素節距。因此，掃描線及訊號線的設計變成 /口子像素配置彎曲，造成複雜的配線圖案。配線太多彎曲 增加瑕疵的靈敏度，及造成良率降低。另外，在一些配線 配置中，配線交叉子像素會造成孔徑比降低。 發明概要 本發明係為因應上述問題而產生，所以本發明的一目標 為提供-高亮度、高清晰度、，及高可靠性的主動矩陣型顯 不裝置，其係藉由利用將作為子像素單元的發光部份配置 成△形配置的優點而改善子像素電路的可靠性。 為了達到上述目標，根據本發明的一項觀點，提供一主 6- 本^^度適用中S S家標準(CNS) Α视格(2歡297公釐「 訂 線 522749
動矩陣型顯示裝置’其形成藉由在_基板上堆疊由配置一 發光邵份在-子像素單元内所形成的_裝置層，及由配置 二子像素電路用於驅動子像素單元内發光部份的—發光裝 且所形成的-電路層，此主動矩陣型顯示裝置包括：一條 开7子‘素配置（以下稱為條形配置），其中子像素電路存在於 Μ方向及行方向的直線上；及一 △形子像素配置（以下稱△ 形配置）’其中發光部份在子像素電路列方向的子像素配置 具有兩倍子像素節距及在子像素電路行方向的子像素配置 具有半子像素節距，在發光部份列方向相鄰兩列間子像 素配置的相位差為一半節距。 訂
主動矩陣型顯示裝置的△形配置所具有的優點是，提供 同透明顯示解析度，能使發光裝置作高精確度的沉積， 並因而能改善發光裝置的可靠性。所以，△形配置作為發 光部份的子像素配置能達成較高清晰度及較高亮度的顯 不。另一方面，條形配置作為子像素電路的子像素配置可 減少配線彎曲，造成配線圖案較簡單，並因而加強子像素 電路的可靠性。 圖式簡單說明 圖1為一條形子像素配置的構造圖； 圖2為一△形子像素配置的構造圖； 圖3為一電路圖顯示根據本發明一具體實施例的一主動矩 陣型有機EL裝置的構造； 圖4為一有機EL裝置的結構的斷面圖； 圖5為根據本具體實施例的主動矩陣型有機EL顯示裝置的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 522749 A7 B7 五、發明説明（5 ) 斷面結構的斷面圖； 圖6A、6B及6C為圖案規劃圖顯示有機EL裝置的子像素 配置及子像素電路的子像素配置的結合； 圖7A及7B顯示有機EL裝置條形配置（A)及有機el裝置△ 形配置（B)之間的子像素間距離之差異； 圖8 A及8B顯示金屬遮罩的孔徑的形狀； 圖9A、9B及9C顯示發光裝置的不同形狀的發光區； 圖10顯示有機EL裝置的△形配置； 圖11顯示有機EL裝置的A形配置的修改； 圖1 2用來協助說明形成接觸部份引起的問題； 圖I3顯示形成接觸部份的第一構造； 圖14顯示第一構造的修改； 圖15A及15B顯示形成接觸部份的第二構造； 圖16A及16B顯示形成接觸部份的第三構造； 圖17為一配置圖案圖顯示形成接觸部份的第四構造； 圖18為一電路圖顯示一電流寫入型子像素電路的構造； 及 圖1 9為具有裂缝在接觸部份附近的電晶體結構的立 體圖。 較佳具體實施例詳細說明 以下參考附圖評細說明本發明的較佳具體實施例。圖3為 一電路圖顯示根據本發明-具體實施例的-主動矩陣型顯 示裝置的構造’例如一主動矩陣型有機EL顯示裝置。 圖中大里子像素電路（以下亦簡稱為子像素）η配置成 -8- 522749 A7 B7 五、發明説明（6 矩陣方式以形成一顯示區。如此，顯不一從i列至i + 2列白勺 二列及從i行至i + 2行的三行所構成的一子像素配置作為一 簡化的例子。本顯示區具有掃描線12]1至i2i + 2並連續接收 子像素電路11的掃描訊號x(i)至x(i + 2)，因而以一列單元 選擇各子像素，及資料線（訊號線）13i至13i + 2以供應影像 資料塊’例如，亮度資料Y (i)至γ (i + 2 )至子像素。 以下說明以i列及i行的子像素（i，i)作為一子像素電路 11 °不過，其他子像素的子像素電路具有相同的電路構 造。一有機EL裝置ELii用來作為一顯示裝置，及一 TFT(薄 膜電晶體）用來作為子像素電晶體。請注意子像素電路丨丨並 不限於本電路例子。 子像素電路11的形成具有一選擇電晶體TRiia用於選擇子 像素、一保留電容Cii用於保持一資料電壓、及一驅動電晶 體TRiib用於驅動有機EL裝置ELii。亮度資料以電壓形式 由資料線1 3 i供應，及一相當於資料電壓的電流通過有機e l 裝置ELii^ ， 就特定的連接關係而言，有機EL裝置ELii的一陽極連接 一共同電源供應線（供應電壓Vo)14。有機EL裝置Elii的一 陰極及一共同接地線15之間連接驅動電晶體TRiib。驅動電 晶體T r i i b的一閘極及共同接地線1 5之間連接保留電容 Cii。資料線13i及驅動電晶體~TRiib的閘極之間連接選擇電 晶體TRiia，及選擇電晶體TRiia的一閘極連接掃描線 12i 〇 以下參考圖4說明有機EL裝置的結構。有機EL裝置的形 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
裝 訂
k 522749 A7 B7
成係藉由在一透明玻璃等製成的基板21上建立一透明導# 膜製成的第一電極（例如陽極電極）22，及進一步藉由依序 沉積一電洞載層23、一發光層24、一電子載層25、及一電 子注入層26而建立一有機層27。然後，一低功函數金屬製 成的第二電極（例如陰極電極）28在有機層27上形成。 藉由在有機EL裝置的第一電極22及第二電極28之間施加 一直流笔壓£ ’ 一電洞從弟一電極（陽極電極）22經電洞載声 23注入發光層24，及一電子從第二電極（陰極電極）28經電 子載層25注入發光層24。此注入的正及負載體促成發光層 24的螢光分子進入激發狀態，然後在激發分子鬆弛過程中 發光。 因此形成的主動矩陣型有機EL顯示裝置的斷面結構顯示 如圖5。圖5顯示一形成一特定子像素及其子像素電路的有 機EL裝置》 在圖5中’包括如上所述的選擇電晶體TRiia及驅動電晶 體TRiib的子像素電路（TFT電路）在一玻璃基板3丨上製造， 因而形成一電路層32。同時，配線33由形成圖案而形成， 及在配線33上形成一平面膜34。另外，一有機EL裝置的形 成係藉由一有機層37夾在兩電極35及36之間而製備於該平 面膜3 4之上，因而形成一裝置層38。 在與圖4所示的有機EL裝置的斷面結構的關係中，下電極 35相當於第一電極（例如陽極電極）22 ;上電極36相當於第 二電極（例如陰極電極）28 ;及有機層37相當於包括發光層 24的有機層27。電路層32中的子像素電路由平面膜34上形 -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 522749 A7 B7 五、發明説明（8
成的一接觸部份（連接部份）39電連接裝置層38中的有機EL 裝置。 以下參考圖6A、6B及6C的圖案規劃圖說明有機EL裝置 的子像素配置及子像素電路的子像素配置的一個結合。 根據本具體實施例的主動矩陣型有機EL顯示裝置，發 RGB光的子像素的裝置層38(有機el裝置)中的子像素配置 為圖6A所示的△形配置，而電路層32中的子像素電路的子 k素配置為圖6 B所tf的條形配置。一子像素配置的子像素 的配置與其他子像素配置的子像素配置成一對一相對如圖 6C所示。圖6A及6C中以虛線包圍的區域為各子像素的發光 區。 如此，如果子像素的子像素配置（有機EL裝置）為△形配 置’及具有△形配置的像素以交錯的方式配置，便可獲得 顯示用的△形配置影像。如上所述，△形配置具有提供高 顯示解析度的優點，因而最適合影像顯示。 在低分子量有機EL裝置的情況下，特別是，其有機層一 般由沉積形成。如果一具有這種有機EL裝置作為一子像素 的有機EL顯示裝置係用於多色或全彩顯示，有機el裝置藉 由使用一金屬遮罩等而作選擇性沉積，便需要高精確度沉 積技術。沉積失準產生問題諸如有機層37無法沉積，因而 造成下電極35及上電極36短]i，及有機層37沉積在鄰近子 像素内，造成混色或不發光。 另外，如果沉積精確度不足，便無法製造一具有理想子 像素節距的有機EL裝置，因而不能獲得高清晰度的有機E]l -11- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
裝 訂
線 A7 B7
522749 五、發明説明（9 顯示器。另外，比較電極、絕緣膜等的製造精確度，有機 層的沉積精確度一般較差。所以，即使可以製造具有一定 的解析度的顯示器，子像素的精確度係由有機層決定。結 果’有機層沉積精確度的降低造成發光層的孔徑比減少。 作為處理此問題的一種措施，根據本具體實施例的有機 EL顯tf裝置使用△形配置作為子像素（有機EL裝置）的子像 素配置。如果相鄰R、G及B三子像素構成一單元的一像素 佔有的面積為固定’如圖7 A及7 B所示，比較條形配置（圖 7A)中一子像素的子像素形狀，△形配置中（圖7B)的一子像 素的子像素形狀接近方形。· 因此’如果有機EL裝置的有機層由沉積形成，同色子像 素之間的距離會增加，特別在行方向。所以，△形配置（圖 7B)比條形配置（圖7A)提供較大的沉積金屬遮罩的精確度限 度。如果沉積的精確度相等，△形配置（圖7B)比條形配置 (圖7 A)能達到較高的孔徑比。 如圖8A所示，條形配置（圖7A)的金屬遮罩的孔徑形狀為 細長的矩形（裂缝形）與一矩形的子像素相對應。另一方面， 如圖8B所示，△形配置（圖7B)的金屬遮罩的孔徑形狀接近 正方形與一子像素的形狀相對應。 如果考慮到從沉積源飛來粒子的斜成分，對具有細長孔 也开;^狀的矩形遮罩（圖8 A)的遮蔽較大，因而遮罩對沉積的 斜成分抵抗弱。遮罩的遮蔽大便降低薄膜厚度在子像素内 的分佈，造成有機EL裝置的可靠性較低。另一方面，對具 有幾乎正方形孔徑形狀的遮罩（圖8B)的遮蔽較小，因而遮 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇Χ297公釐）
裝 訂
522749 A7 B7 五 發明説明（ 罩對沉積的斜成分抵抗強。如此，子像素内薄膜厚度的分 佈可以均勻一致。 最近的顯示器解析度增加，沉積的遮罩變得較大及沉積 遮罩的厚度趨向增加以增加強度。增加沉積遮罩的厚度進 一步放大遮罩的遮蔽。如此，也從子像素内薄膜厚度分佈 得到均勻的觀點，△形配置作為子像素的子像素配置比條 形配置更具優點。 從上述說明可以明白，作為子像素的子像素配置，使用 △开J配置（圖7B)比使用條形配置（圖7A)，能使有機EL裝置 具有較南精確度的沉積。另外，因為有機EL裝置可以改善 其可靠性及減少尺寸，便能獲得一種高可靠性、高清晰 度、及高亮度的有機EL顯示器。 另一方面，使用條形配置作為子像素電路的子像素配置 可免除△形配置沿子像素配置彎曲配線的需要，如此，可 簡化配線的構造。結果，可以加強子像素電路的可靠性。 一發光裝置的發光區並不需要為四邊形；發光裝置的發光 區可以為六角形，例如，如圖9 A所示。 如圖1 0所示，根據前述具體實施例的△形配置中以粗線 包圍的像素的子像素（RGB)，即是，同一發光色彩的子像 素並不相鄰。同時，△形配置為一以交錯方式配置像素的 像素配置，各像素具有三個中~心位置相互靠近的不同色子 像素’形成一三角形。為了在子像素電路的子像素配置為 按上述△形配置的條形配置時獲得一來自資料訊號的適當 影像，掃描線及資料線的路徑需要沿△形子像素配置的複 -13-
裝 訂
k 522749 A7 __B7^__ 五、發明説明（11 ) 雜方式，或資料訊號需要由一驅動系統轉換成△形配置的 資料訊號。· 對△形配置的問題而言，在一列方向相鄰子像素之間的 1/2子像素的行方向有一相位差。所以，具有△形配置，很 難在垂直方向進行準確的直線影像顯示。因此，作為需要 顯示字元的個人電腦終端機使用的顯示器一般使用條形配 置。 圖1 1顯示一種△形配置的修改。根據修改，在△形配置 中以粗線包圍的像素（RGB)配置成條形方式。具體而言， △形配置為一其中一正及一反的△形的像素配置，或頂端 及底部彼此相反的三角形，在二子像素列内交錯配置。在 顯示器中，相鄰的像素在△形配置的列方向配置成條形配 置的相同位置》 如此，因為有機EL裝置的配置為△形配置，同色金屬遮 罩之間的距離會增加。所以，高精確度的沉積成為可能， 因而造成有機EL裝置的可靠性獲得改善及減少有機EL裝置 的尺寸。另外，因為△形配置中的像素（R G B)配置成條形 方式，有機EL裝置可以如同條形配置一樣的方式驅動。結 果，這種修改使字元顯示比圖1 0所示的△形配置更準確。 如此，掃描線及資料線的路徑並不需要以複雜的方式， 或如在△形配置中驅動有機EL裝置一樣由一驅動系統轉換 資料訊號成為△形配置的資料訊號。所以，便能製造一高 可靠性及高清晰度的有機EL顯示器，具有簡單的配線及簡 單的驅動系統，比使用△形配置更適合字元顯示。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（丨2 ) 如果子像素電路的子像素配置為條形配置及發光部份的 子像素配置為△形配置，如在根據本具體實施例的主動矩 陣型有機EL顯示裝置之内，便獲得下列結構。總之，如圖 12所示，接觸部份39在各列間形成一直線，及電路層”中 的一子像素電路經接觸部份39電連接裝置層38中的一對應 有機EL裝置。 在圖12中，以實線表示的一區域代表一發光部份（子像 素），及一以虛線表示的一區域代表一發光區。為了配置接 觸邵份39於列間的直線上，需要確保一寬度w的一區域以 形成列間的接觸部份3 9。如此防止行方向（垂直方向）的子 像素節距設定為小。另一方面，為了確保一特定的子像素 節距，發光區的面積（以下稱為發光面積）需要減少。 為了解決有關形成接觸部份3 9的上述問題，本發明使用 下列構造。以下藉由幾個例子以說明形成接觸部份3 9以便 電連接電路層32的子像素電路至裝置層38的有機eL裝置的 構造。 [第一構造] 一第一構造以列方向相鄰的子像素電路的兩個子像素的 接觸部份39作為一單元。在二子像素之間垂直方向的不同 位置以交錯方式配置的接觸部份3 9，在接觸部份3 9之間的 中間具有一列間界線’例如’如圖1 3所示。這種構造與圖 6C所示的一樣。如圖6C所示，接觸部份39在掃描線方向 (列方向）相鄰·一子像素之間的位置不同，即是，在一 r子像 素及一G子像素之間' G子像素及一B子像素之間、及B子像 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 522749
素及一R子像素之間；如此，接觸部份39在垂直方向以交錯 方式配置，接觸部份39間的中間具有一列間界線。 主動矩陣型有機EL顯示裝置具有第一構造以列方向相鄭 的子像素電路的兩個子像素的接觸部份39作為一單元，及 在兩個子像素之間的不同位置配置接觸部份3 9，因而免除 在列間確保一區以配置接觸部份39的需要。如此，可以相 對增加發光面積及設定垂直方向較小的子像素節距。 [第一構造的修改] 第一構造的修改具有一構造，其中發光部份及發光區為 五角形，及相鄰兩列中發光部份的投射部份相互配合，如 圖14所示。如此，接觸部份39位於發光區的投射部份内， 如圖14所示。同時，子像素電路的二子像素的接觸部份39 作為一個單元，及接觸部份39配置於二子像素之間的不同 位置。 如此，藉由將發光部份及發光區的形狀作成五角形及將 接觸部份3 9配置在發光區的投射部内，便可獲得投射部以 外五角發光區的一幾乎矩形區作為實際用於發光的區域（以 下稱為實際發光區）。所以，發光面積可以增加。特別是， 用於形成接觸部份39的部份具有一層差及作為一不發光 區，所以，如果發光部份及發光區的形狀為如圖丨3所示的 矩形’矩形區並不以其形狀形成實際的發光區，及已減少 的實際發光區形成接觸部份39的一部份。 在本修改的情況下，發光部份及發光區的形狀為五角 形’及接觸部份39配置於發光區的投射部。換言之，由配
^^/49
區Γ休觸部伤39於發光部份的確定發光區（圖13所示為一矩形 :圖〗、不發光區只有投射部。所以，可以獲得實際發光區 θ 4斤丁矩形區尺寸相等，因而能增加發光面積。 、成冓k及其修改只限於接觸部份3 9的位置，*不限制 早你裝置的配置’例如形成子像素電路的TFT。不過，如果 合之門私路裝置的配置不同，子像素電路之特性-般 曰在子像素之間變化。 [第一構造] 如圖15A所示，一裳-括·屯 π w 弗一構以以列方向相鄰的兩個子像素 間垂部份39作為一單元，及在二子像素(F，F,)之 执。、不同位置以叉錯方式配置接觸部份39。同 • ’弟二構造具有相同（固定）電路裝置配置，例如在子像素 3形成子像素電路的TFT。另外，圖Μ只顯示電路層 内I像素㈣狀及接_物用於連接發光部份4及 ^表不接觸部份39在⑻，之間的位置不同及電路裝 置在F及F之間的配置相同。 伽w此/'有列万向相鄰二子像素中的接觸部份39當作一 π早疋&八有在一子像素之間接觸部份3 9的配置位置不 1主另方面私路裝置，例如形成子像素電路的TFT在子 素之間的配置相同。如此，藉由設定接觸部份39的位置 =發光區便能增加發光面積。同時，能減少子像素之 2包路裝置配Ϊ造成的子像素電路特性的變化，因而達 成一具有均勻特性的子像素電路單元。 [第二構造的修改] % 裝 訂
k
522749 A7 B7
五、發明説明（15 如圖15B所示，一種具有相同（固定）配置的電路裝置，例 如在子像素之間形成子像素電路的TFT，一接觸部份3 9的 位置取代子像素電路的中心，及列方向相鄰二子像素之一 的子像素電路相反。如此，子像素間的電路裝置的配置相 同，只有列方向相鄰二子像素中的接觸部份39作為一單 疋，及只有在垂直方向二子像素之間以交錯方式配置的接 觸部份39。 同時，在本修改的情況中，藉由設定接觸部份39的位置 及改善發光區便能增加發光面積。另外，能減少子像素之 間由私路裝置配置造成的子像素電路特性的變化，因而達 成一具有均勻特性的子像素電路單元。特別是，如果子像 素弘路的私路構造只使用—掃描線，該·掃描線的路徑可以 在列方向的子像素電路的中央。 [第三構造] 、第三構造具有相同（固定）的電路裝置配置，例如在子像 《間开/成子像素電路的TFT，具有相同的子像素之間子像 電路中的㈣㈣39的位置，及以行方向取代列方向的 、子像素之的子像素電路，如圖1 6 A所示。如此，只 j万向相鄰_子像素中的接觸部份^ 9作為—單元，及在 直万向二子像素之間以交錯方式配置接觸部份。 ^時纟本構造中，藉由設定接觸部份39的位置及改- 玫择田 光面積。另外，能減少子像素之間由’ 路裝置配置造成的子像舍泰 古认a μ 像素私路特性的變化，因而達成一: ::陡的子像素電路單元。同樣的效果可由一構造$ ^紙張尺巾關家標準 裝 訂
i〇x297公着） ^22749 A7
得j其中列方向相鄰二子像素之一的子像素電路相反並以 行方向取代，，如圖i6B所示。 [第四構造] =”為一根據第四構造的圖案配置圖。圖17顯示一配置 的貫例，其中一子像素電路由一電流寫入型子像素電路形 成，如圖18所示。 乂 以下首先說明電流寫入型子像素電路的電路構造。為了 間化，圖18只顯示在第i行相鄰第！列及第（i+1)列的兩個子 像素（1，i)及（i，i+Ι)的子像素電路P1及P2。 圖中子像素（i，i)的子像素電路pi包括：一有機el裝 置4 1 -1具有一陰極連接一第一電源供應（本例為接地）；一 TFT 42-1具有一汲極連接有機el裝置41-1的一陽極及一 源極連接第一電源供應（本例為正電源供應v d d ); —電容器 4 3 -1在T F T 4 2 - 1的閘極及正電源供應v d d之間連接；及一 TFT 44-1具有一汲極連接TFT 42-1的閘極及一閘極連接 一掃描線4 8 B - 1。 同樣地，子像素（i，i+Ι)的子像素電路P2包括：一有機 EL裝置41-2具有一陰極連接接地；一 tfT 42-2具有汲極 連接有機EL裝置4 1 -2的一陽極及一源極連接正電源供應 Vdd ; —電容器43-2在TFT 42_2的閘極及正電源供應Vdd 之間連接；及一 TFT 44-2具者一汲極連接TFT 42-2的閘 極及一閘極連接一掃描線48B-2。 二子像素的子像素電路P1及P2共同具有：一所謂二極體 連接TFT 45具有一汲極及一閘極電短路；及一TFt 4 6在 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱)
裝 訂
522749 A7 ---------_B7 五、發明説明（Π ) TFT 45及一資料線47之間連接。特別是，TFT 45的汲極 及閘極連接子像素電路PU々TFT 44-1的一源極及子像素電 路P2的TFT 44-2的一源極，而TFT 45的一源極連接正電 源供應Vdd。TFT 46具有一汲極連接TFT 45的汲極及閘 極，一源極連接資料線4 7，及一閘極連接一掃描線4 8 A。 在本電路例子中，使用一P通道MOS電晶體作為丁？丁42- 1、TFT 42-2、及TFT 45，及使用通道MOS電晶體作 為 TFT 44_1、TFT 44-2、及 TFT 46。不過，TFT 並不限 於上述傳導型式。 在如此形成的子像素電路ρ·1及P2中的TFT 46具有一功能 作為一第一掃描開關，以用於選擇性供應TFT 45 —來自資 料線47的電流IW ^ TFT 45具有一功能作為轉換器單元用來 轉換來自貝料線4 7的電流I w經T F T 4 6成為一電壓，及也形 成一電流反射鏡電路結合TFT 42-1及42_2。TFT 45為子 像素電路P1及P2共有，因為TFT 45只在寫入電流iw瞬間 使用。 TFT 44-1及44-2具有一功能作為一第二掃描開關，以用 於選擇性供應電容器43-1及43-2由TFT 45轉換電流1〜而 成的電壓_。電容器43-1及43-2具有一功能作為一保留單元 用於保持由TFT 45轉換電流Iw而成及經丁 FT 44-1及44-2 供應的電壓。TFT 42-1及42-2具有一功能作為驅動單元， 藉由轉換電容器43-1及43-2保持的電壓成為電流及供應該 電〉ϋί至有機EL裝置41-1及41·2，以用於驅動有機el裝置 41-1及41-2以供發光。 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
裝 訂
線 A7 B7 522749 五、發明説明（18 以下說明如此形成的電流寫入型的子像素電路中的窝入 亮度資料的操作。 首先考慮党度資料寫入子像素（i，丨）。對應亮度資料的電 流I w在掃描線4 8 A及4 8 B · 1兩者都已選擇的狀態不施加在 資料線47。電流1〜經TFT 46在傳導狀態下施加在τρτ 45。為了響應通到TFT 45的電流lw，在TFT 45的閘極產 生一對應電流Iw的電壓。電壓經tft 44-1在傳導狀態下施 加在電容器43-1，然後由電容器43-1保留。 然後’對應由電容器4 3 - 1保持的電壓的電流流經τ ρ T 42-1至有機丑1^裝置41-1。有機£!^裝置4 1-1因而開始發 光《如果掃描線4 8 A及4 8 B -1回到未受選擇的狀態，亮度資 料寫入子像素（i，i)的操作便完成。在搡作步騾系列中，掃 描線48B-2係在未受選擇的狀態，所以子像素（i，丨+1)的有 機EL裝置41-2發光的亮度相當於由電容器43j保持的電 壓。如此，亮度資料寫入子像素（i，i}的操作對有機EL裝置 4 1 -2的發光狀態不發生影響。 其次考慮亮度資料寫入子像素（i，i+1)。對應亮度資料的 電流Iw在掃描線48A&48B_2兩者都已選擇的狀態下施加 在資料線47。回應電流1〜經7^丁 46流到TFT 45，在tft 45的閘極產生一電壓對應電流Iw。電壓經丁？丁 4心2在傳導 狀怨下施加在電容器43-2，及击電容器43-2保留。 然後，對應由電容器43-2保留的電壓的電流流經TFT 42-2至有機EL裝置41-2。有機EL裝置4ι_2因而開始發 光。在操作步驟系、列中，掃描線48^係在未受選擇的狀 裝 訂
-21 - 五、發明説明（19 悲’所以子像素（i，0的有機EL裝置41-1發光的亮度相當 於由電容器.43-1保持的電壓。如此，亮度資料寫入子像素 1+1)的操作對有機EL裝置41“的發光狀態不發生影 響。 其/入參考圖17的圖案配置，說明一個使用如此形成的電 流窝入型子像素電路的實例。 在本配置例中，列方向（掃描線方向）兩相鄰子像素（i，0 及（1+1，0的子像素電路作為一組，及形成兩個子像素的子 像素私路、TFT及特別是其配線圖案的電路裝置對行之間的 界線對稱。因為接觸部份39電連接裝置層的有機EL裝置及 子像素私路，形成一組的二子像素的接觸部份39作為一單 位及在一子像素垂直方向以交錯方式配置在子像素電路 中的不同位置，如上述的第一至第三構造。 比對圖17的包路裝置配置圖及圖18子像素電路圖中子像 素（i，i)的子像素電路P1的電路裝置，T1對應TFT 45 ; τ2 對應TFT 42q ; Τ3對應TFT 46 ;及丁4對應tft 44」； 及C s (斜線區）對應電容器4 3 -1。 如圖17所不，列方向（圖的左右方向）兩相鄰子像素（丨，〇 及U+l’ i)的子像素電路中電路裝置所形成的配置對稱行之 間的界線Ly，但在二子像素的單元中以交錯方式配置的接 觸部份39除外。另外，行方向-(圖的上下方向)兩相鄰子像 素0及d，⑴）的子像素電路中電路裝置的配置，即 是，兩相鄰列中形成的子像素電路對稱列之間的界線&，. 接觸部份39除外。 -22- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公着) 522749 A7 B7 20 ) 五、發明説明 在子像素配置圖案中，列方向兩相鄰子像素作為—單 元，及一電源供應（Vdd)線5 1的路徑係沿二子像素之間的 界線Ly，即是，在子像素（i，i)及子像素（i+1，”之間及子 像素（i，i+Ι)及子像素（i+1，i+Ι)之間，如圖17的例子。電 源供應線5 1為列方向兩相鄰子像素之間共用。本構造容士午 一單包源供應線路徑作為兩行共用的電源供應線，因而使 電源供應線5 1的配線寬度變大，如圖17所示。 在行方向兩相鄰子像素作為一單元，Xl(i，i+1)的掃描 線5 2的路徑係沿二子像素之間的界線Lx，即是，在子像素 (i，i)及子像素（i，i+Ι)之間，子像素（i+1，i)及子像素（i+1 i+1)之間，及子像素（i + 2, i)及子像素（i + 2,丨+丨）之間，如 圖1 7的例子。掃描線5 2為行方向兩相鄰子像素之間业用， 藉此圖18的子像素電路中的TFT 46，即是，圖17的電晶體 T3在二子像素之間共用。 在配線圖案方向延伸的裂缝53及54具有較大面積，例如 笔源供應線5 1的配線圖案在電晶體T 1 (圖1 8的T F T 4 5)的源 極的接觸部份A及電晶體T2(圖18的TFT42-1)的源極的接 觸部份Β的附近形成，以在配線圖案中顯示。圖19顯示電晶 體Τ1的一種構造具有裂缝53，例如，在接觸部份a附近。 以下說明裂缝5 3或54的影響。 如果一配線圖案具有一大區城（面積），或為本例的電源供 應線5 1的配線圖案’在電晶體T 1的旁邊，如果在製造步驟 中加熱，則配線材料（例如鋁）會擴散到電晶體的旁邊，因而 k成電晶體相壞。藉由在電晶體T1的接觸部份a附近形成 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂
522749
裂缝5”可減少擴散到電晶體旁邊的配線材料供應源。結 果，便能控制配線材料擴散到電晶體的旁逢，因而防止電 晶體在製造步驟中損壞。料，因為裂缝53或54在電源供 應’泉5 1的配線圖案的線方向形成，所以能降低形成裂缝 引起的增加配線電阻。 一如上述，前述構造將二子像素的接觸部份39作為一個單 兀，及在一子像素的垂直方向以交錯方式配置接觸部份” f子像素電路的不同位置。如此便能增加發光面積，即 是丄孔徑比，因而達到-較高亮度的主動矩陣型有機以顯 不裝置。另外，因為子像素電路間的特性可變成均勻一 致，所以能達到較高品質的主動矩陣型有機E]L顯示裝置。 凊)王意，雖然已經使用一有機£1^裝置作為子像素電路的 發光裝置，舉例說明應用上述具體實施例的主動矩陣型有 機EL顯示裝置，本發明並不限於這些應用，及主動矩陣型 顯示裝置一般適合由堆疊一包括一發光層在一電路層的裝 置層上形成。 如上述，如果在一基板上堆疊由配置一發光部份在一子 像素單元内所形成的裝置層及由配置一子像素電路用於驅 動一子像素單元内發光部份的發光裝置所形成的電路層， 根據本發明的主動矩陣型顯示裝置具有條形配置作為子像V 素電路的子像素配置及一△形配置作為發光裝置的子像素 配置。所以，利用發光裝置的△形配置的優點，便能改善 子像素電路的可靠性，因而達成高可靠性、高清晰度、及 高亮度的顯示裝置。 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝 訂
k

Claims (1)

  1. 522749
    ι· -種主動矩陣型顯示裝置，其形成為藉由在—基板上堆 疊由配置-發S部份在-子像素單元内所形成的一裝置 層’及由配置-子像素電路用於驅動—子像素單元内該 發光部份的-發光裝置所形成的—電路層該主動矩陣 型顯示裝置包括： -條形子像素配置，其中該子像素電路存在於列方向 及行方向的直線上；及 -△形子像素配置’其中該發光部份具有兩倍該子像 素電路的該子像素配置在列方向的子像素節距與1/2該 子像素電路的該子像素配置在行方向的子像素節距’以及 相鄰兩列之間子像素配置的一相位差等於1/2該發光部份在 列方向的節距。 2 ·如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置， 其中该發光裝置之三者，三種不同色的發光體，形成 一像素並作為一單元； 該發光裝置的配置為△形關係，其中同一發光色彩的 子像素互不相鄰，且一像素内三種不同色的三子像素的 中心位置相互鄰接而形成一三角形；及 行方向的相鄰子像素在二子像素列之内的配置為正及 反△形交錯’或三角形的頂端及底部彼此相反。 3 ·如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置， 其中用於連接該發光部份及列方向相鄰的該子像素電 路的二子像素中的該子像素電路的連接部份形成一單 元，及配置於二子像素之間不同的位置。 -25- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 申請專利範圍 4· · 4 口由、主 Π甲請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示装置， 其中孩連接部份配置於該發光部份中確定形狀的發光 區之外。 ’如申請專利範圍第3項之主動矩陣型顯示裝置， 其中該連接部份配置於該發光部份中確定形狀的發光 區之外。 6·如申請專利範園第3項之主動矩陣型顯示裝置， 其中遠子像素電路中電路裝置的配置在該二子像素之 間相同。 7 •如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置， 其中該子像素電路的該二子像素中電路裝置的配置係 對稱於該子像素電路的行之間的一界線。 8 .如申請專利範圍第6項之主動矩陣型顯示裝置， 其中該子像素電路的諱二子像素中電路裝置的配置係 對稱於該子像素電路的行之間的一界線。 9 ·如申請專利範圍第7項之主動矩陣型顯示裝置， 其中該子像素電路具有一電源供應線，其路徑沿該二 子像素的行方向的一界限，及在該二子像素之間共用電 源供應線。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置， 其中相鄰兩列中的該子彳象素電路形成一單元，及兩列 子像素中的電路裝置的配置係對稱於該等列之間的一界 線。 1 1.如申請專利範圍第6項之主動矩陣型顯示裝置， -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) .之其中相鄰兩列中的該子像素電路形成_單元，及兩列 J像素中的電路裝置的配置係對稱於該等列之間的一界 線。 2 .如申請專利範圍第1 0項之主動矩陣型顯示裝置， ，其中該子像素電路具有一掃描線，其路徑沿該兩列的 列方向的子像素的一界限，及在該兩列的子像素之間共 用掃描線。 0.如申請專利範圍第i項之主動矩陣型顯示裝置， 其中孩子像素電路具有一裂缝沿著配線方向形成於一 配、、泉圖案中存在的一電路裝置的連接部份附近。 1 4 ·如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置， 其中該發光裝置為一有機場致發光裝置具有一第一電 極、一第二電極、及一有機層包括該等電極之間的一發 光層。 15.如申請專利範圍第i項之主動矩陣型顯示裝置， 其中泫子像素電路為一薄膜電晶體電路。 種主動矩陣型顯TF裝置，由配置子像素電路用於驅動 一矩陣万式中子像素單元中發光部份的發光裝置而形 成， 其中該等子像素電路具有一裂缝，其沿著配線方向形 成於一配線圖案中存在的一電路裝置的連接部份附近。 17·如申請專利範圍第16項之主動矩陣型顯示裝置， 其中該發光裝置為一有機場致發光裝置具有一第一電 極、一第二電極、及一有機層包括該等電極之間的一發
    本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ297公釐) 522749 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 ，光層。. 1S.如申請專利範圍第1 6項之主動矩陣型顯示裝置， 其中該子像素電路為一薄膜電晶體電路。 -28- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
TW90128849A 2000-11-22 2001-11-21 Active matrix type display apparatus TW522749B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000355195 2000-11-22
JP2001299647A JP3620490B2 (ja) 2000-11-22 2001-09-28 アクティブマトリクス型表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW522749B true TW522749B (en) 2003-03-01

Family

ID=26604413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW90128849A TW522749B (en) 2000-11-22 2001-11-21 Active matrix type display apparatus

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6768482B2 (zh)
JP (1) JP3620490B2 (zh)
KR (1) KR100857399B1 (zh)
CN (1) CN1191737C (zh)
TW (1) TW522749B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI567968B (zh) * 2011-06-30 2017-01-21 三星顯示器有限公司 有機發光顯示裝置
US9589492B2 (en) 2013-07-12 2017-03-07 Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited Pixel array, display and method for presenting image on the display

Families Citing this family (183)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100637433B1 (ko) 2004-05-24 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
US7569849B2 (en) 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
JP3983037B2 (ja) 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
US7301517B2 (en) * 2002-05-10 2007-11-27 Alps Electric Co., Ltd. Liquid-crystal display apparatus capable of reducing line crawling
KR100446631B1 (ko) * 2002-08-24 2004-09-04 삼성전자주식회사 델타 구조 디스플레이에서의 칼라영상의 표현 방법 및 장치
US20050030268A1 (en) * 2002-08-27 2005-02-10 Weixiao Zhang Full-color electronic device with separate power supply lines
TW588468B (en) * 2002-09-19 2004-05-21 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active matrix organic light-emitting diode
JP4409821B2 (ja) * 2002-11-21 2010-02-03 奇美電子股▲ふん▼有限公司 Ｅｌ表示装置
EP1594347B1 (en) * 2003-02-13 2010-12-08 FUJIFILM Corporation Display apparatus and manufacturing method thereof
JP4023335B2 (ja) * 2003-02-19 2007-12-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
CN1296763C (zh) * 2003-04-29 2007-01-24 友达光电股份有限公司 液晶面板像素结构
KR100528913B1 (ko) 2003-04-29 2005-11-16 삼성에스디아이 주식회사 평판표시소자
US6771028B1 (en) 2003-04-30 2004-08-03 Eastman Kodak Company Drive circuitry for four-color organic light-emitting device
JP4366988B2 (ja) * 2003-05-01 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置および電子機器
TW587236B (en) * 2003-05-12 2004-05-11 Au Optronics Corp Active organic electroluminescent device structure
JP2005005573A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Fujitsu Ltd 撮像装置
JP4003714B2 (ja) * 2003-08-11 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100560468B1 (ko) * 2003-09-16 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 화상 표시 장치와 그 표시 패널
JP4462883B2 (ja) * 2003-09-22 2010-05-12 日本電気株式会社 半導体装置および表示装置
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
KR100752365B1 (ko) 2003-11-14 2007-08-28 삼성에스디아이 주식회사 표시장치의 픽셀구동회로 및 그 방법
TWI402539B (zh) 2003-12-17 2013-07-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和其製造方法
JP2005222928A (ja) 2004-01-07 2005-08-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置
JP2005283702A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sony Corp 表示パネル、表示装置、半導体集積回路及び電子機器
US7825921B2 (en) * 2004-04-09 2010-11-02 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for improving sub-pixel rendering of image data in non-striped display systems
US20050231447A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Shuo-Hsiu Hu Pixel arrangement in a display system
JP2005352470A (ja) * 2004-05-12 2005-12-22 Seiko Epson Corp 表示体回路基板、検査方法、及び電子機器
KR100637164B1 (ko) * 2004-06-26 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
KR100649253B1 (ko) * 2004-06-30 2006-11-24 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치와, 그 표시 패널 및 구동 방법
US20060017671A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-26 Seiko Epson Corporation Display device and electronic apparatus
KR100570774B1 (ko) * 2004-08-20 2006-04-12 삼성에스디아이 주식회사 발광표시 장치의 표시 데이터용 메모리 관리 방법
KR100570781B1 (ko) * 2004-08-26 2006-04-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시 장치와 그 표시 패널 및 구동 방법
KR100624311B1 (ko) 2004-08-30 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 프레임 메모리 제어 방법 및 그것을 이용한 표시 장치
KR100612392B1 (ko) 2004-10-13 2006-08-16 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 발광 표시 패널
JP3921480B2 (ja) 2004-10-22 2007-05-30 シャープ株式会社 表示素子
KR100741967B1 (ko) 2004-11-08 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
KR100688802B1 (ko) 2004-11-22 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 발광 표시장치
KR100688801B1 (ko) 2004-11-22 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 델타 화소회로 및 발광 표시장치
KR101239162B1 (ko) * 2004-11-30 2013-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치와 그 구동방법, 반도체장치, 및 전자기기
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US7646367B2 (en) 2005-01-21 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic apparatus
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
KR100685818B1 (ko) * 2005-02-18 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 시분할제어 유기전계발광장치
US8711063B2 (en) * 2005-03-11 2014-04-29 The Invention Science Fund I, Llc Self assembly of elements for displays
US9153163B2 (en) * 2005-03-11 2015-10-06 The Invention Science Fund I, Llc Self assembly of elements for displays
US8334819B2 (en) * 2005-03-11 2012-12-18 The Invention Science Fund I, Llc Superimposed displays
US20060202944A1 (en) * 2005-03-11 2006-09-14 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Elements for self assembling displays
US8860635B2 (en) * 2005-04-04 2014-10-14 The Invention Science Fund I, Llc Self assembling display with substrate
US8390537B2 (en) * 2005-03-11 2013-03-05 The Invention Science Fund I, Llc Method of assembling displays on substrates
US7977130B2 (en) 2006-08-03 2011-07-12 The Invention Science Fund I, Llc Method of assembling displays on substrates
US8300007B2 (en) * 2005-03-11 2012-10-30 The Invention Science Fund I, Llc Self assembling display with substrate
KR100713048B1 (ko) * 2005-03-24 2007-05-02 후지필름 가부시키가이샤 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4684046B2 (ja) * 2005-03-30 2011-05-18 三洋電機株式会社 表示装置
US8866707B2 (en) 2005-03-31 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, and apparatus using the display device having a polygonal pixel electrode
JP5177957B2 (ja) * 2005-03-31 2013-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、およびそれを用いた電子機器
KR100683403B1 (ko) * 2005-05-31 2007-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조 방법
US9318053B2 (en) * 2005-07-04 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US7898623B2 (en) * 2005-07-04 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device and method of driving display device
TWI268737B (en) * 2005-07-29 2006-12-11 Au Optronics Corp Full-color organic electroluminescence panel with high resolution
US7576724B2 (en) * 2005-08-08 2009-08-18 Tpo Displays Corp. Liquid crystal display device and electronic device
US20070030237A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Toppoly Optoelectronics Corp. Source driving method and source driver for liquid crystal display device
JP4662306B2 (ja) * 2005-08-09 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
KR100668140B1 (ko) * 2005-11-11 2007-01-16 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 수직 배향 모드 액정표시장치
JP5039055B2 (ja) * 2005-12-20 2012-10-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 切り替え可能な自動立体表示装置
ATE518373T1 (de) * 2005-12-20 2011-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Autostereoskopische anzeigeeinrichtung
KR101221184B1 (ko) 2005-12-29 2013-02-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN100399414C (zh) * 2006-02-15 2008-07-02 友达光电股份有限公司 将条状影像数据转换成三角影像数据的驱动芯片及显示器
FR2898724B1 (fr) * 2006-03-14 2008-10-24 Nordine Lamrani Ensemble de sources lumineuses et dispositif d'affichage pourvu d'au moins un tel ensemble
JP2007293329A (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Canon Inc 表示装置
US8026669B2 (en) * 2006-03-31 2011-09-27 Canon Kabushiki Kaisha Display device
CN101501748B (zh) 2006-04-19 2012-12-05 伊格尼斯创新有限公司 有源矩阵显示器的稳定驱动设计
US20080001525A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Au Optronics Corporation Arrangements of color pixels for full color OLED
TWI360804B (en) * 2006-06-30 2012-03-21 Au Optronics Corp Pixel structure of electroluminescent panel and me
JP5092304B2 (ja) * 2006-07-31 2012-12-05 ソニー株式会社 表示装置および画素回路のレイアウト方法
JP5189276B2 (ja) * 2006-11-29 2013-04-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 画像表示装置
TWI336805B (en) * 2006-12-07 2011-02-01 Chimei Innolux Corp Liquid crystal display device and driving method thereof
JP4284558B2 (ja) * 2007-01-31 2009-06-24 カシオ計算機株式会社 表示駆動装置及び表示装置並びにその駆動制御方法
CN102809826B (zh) * 2007-02-13 2016-05-25 三星显示有限公司 用于定向显示器及***的子像素布局及子像素着色方法
TWI361421B (en) * 2007-03-12 2012-04-01 Orise Technology Co Ltd Method for driving a display panel
KR100855020B1 (ko) * 2007-06-18 2008-08-28 성균관대학교산학협력단 체인 코드 생성 장치 및 방법
JP4389978B2 (ja) 2007-07-06 2009-12-24 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
CN101393924B (zh) * 2007-09-21 2015-08-12 北京京东方光电科技有限公司 电致发光显示面板
JP2009122652A (ja) 2007-10-23 2009-06-04 Sony Corp 表示装置及び電子機器
KR101465220B1 (ko) * 2007-11-29 2014-11-26 엘지디스플레이 주식회사 이중시역 표시장치 및 이의 화상구현 방법
WO2009072452A1 (en) 2007-12-03 2009-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Tft arrangement for display device
JP5138428B2 (ja) * 2008-03-07 2013-02-06 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 表示装置
JP4623138B2 (ja) * 2008-05-21 2011-02-02 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP4582195B2 (ja) * 2008-05-29 2010-11-17 ソニー株式会社 表示装置
JP5141418B2 (ja) * 2008-07-24 2013-02-13 セイコーエプソン株式会社 画像表示制御装置およびプログラム並びに画像表示制御方法
KR20100043011A (ko) 2008-10-17 2010-04-27 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법, 전자 기기
JP5201097B2 (ja) * 2009-07-22 2013-06-05 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
JP5217889B2 (ja) * 2008-10-17 2013-06-19 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
KR101065314B1 (ko) * 2009-04-28 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US8283967B2 (en) 2009-11-12 2012-10-09 Ignis Innovation Inc. Stable current source for system integration to display substrate
KR101097343B1 (ko) 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101064430B1 (ko) * 2010-04-13 2011-09-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
US8334859B2 (en) * 2011-03-28 2012-12-18 Au Optronics Corporation Electroluminescent display and method of driving same
CN103688302B (zh) 2011-05-17 2016-06-29 伊格尼斯创新公司 用于显示***的使用动态功率控制的***和方法
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
KR101787450B1 (ko) * 2011-08-09 2017-10-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
KR101306843B1 (ko) * 2012-02-24 2013-09-10 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
US10832616B2 (en) 2012-03-06 2020-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display
KR101615332B1 (ko) * 2012-03-06 2016-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소 배열 구조
JP5990743B2 (ja) * 2012-03-09 2016-09-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置およびその駆動方法
EP3780113A1 (en) * 2012-09-13 2021-02-17 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display
US9170665B2 (en) * 2012-09-14 2015-10-27 Universal Display Corporation Lifetime OLED display
US9257665B2 (en) 2012-09-14 2016-02-09 Universal Display Corporation Lifetime OLED display
CN103123927B (zh) 2013-01-24 2015-05-06 昆山维信诺显示技术有限公司 用于oled显示屏的像素结构及其金属掩膜板
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
WO2014140992A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Ignis Innovation Inc. Dynamic adjustment of touch resolutions on an amoled display
KR101427593B1 (ko) 2013-04-26 2014-08-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI612656B (zh) * 2013-08-19 2018-01-21 友達光電股份有限公司 雙面發光式顯示面板
CN104425547B (zh) * 2013-09-11 2019-01-04 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示器及其制作方法
CN107886888B (zh) 2013-09-12 2021-10-29 昆山云英谷电子科技有限公司 用于子像素渲染的方法和装置
KR102150080B1 (ko) * 2013-09-12 2020-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102052317B1 (ko) * 2013-11-26 2019-12-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 구동 방법
US9231032B2 (en) * 2013-12-24 2016-01-05 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of fabricating the same
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
CN103824520B (zh) * 2014-01-26 2016-08-31 北京京东方光电科技有限公司 像素阵列及其驱动方法、显示面板和显示装置
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
KR102215092B1 (ko) * 2014-06-05 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104269431B (zh) 2014-09-29 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其驱动方法及显示装置
JP6566289B2 (ja) * 2014-11-26 2019-08-28 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示デバイス及び電気光学装置並びに電気機器並びにメタルマスク並びに画素アレイ
CN104362170B (zh) * 2014-11-28 2017-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其驱动方法及相关装置
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CN104505015B (zh) * 2015-01-13 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的显示方法、显示面板及显示装置
CN104503116B (zh) * 2015-01-19 2017-10-10 京东方科技集团股份有限公司 一种基板、光栅、显示面板及显示设备
CN104614909B (zh) * 2015-02-06 2017-07-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示装置
CN107742501B (zh) * 2015-03-17 2019-09-13 深圳云英谷科技有限公司 显示器子像素排布及其驱动电路
US10134330B2 (en) 2015-03-17 2018-11-20 Kunshan Yunyinggu Electronic Technology Co., Ltd. Subpixel arrangement for displays and driving circuit thereof
CN104933980B (zh) * 2015-06-30 2017-10-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示驱动方法、装置及显示装置
CN105158915B (zh) * 2015-07-07 2018-09-21 中央民族大学 一种基于三合一led裸眼3d显示装置及制备方法
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CN104978941A (zh) * 2015-07-30 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 一种多视角显示装置及显示装置的驱动方法
TWI544621B (zh) * 2015-08-19 2016-08-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列及其遮罩結構
CN113192459A (zh) * 2015-09-02 2021-07-30 天马微电子股份有限公司 显示装置
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
CN108369787B (zh) * 2015-12-11 2021-02-09 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN105607271B (zh) * 2016-01-04 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示模组、显示装置及其驱动方法
JP6701781B2 (ja) * 2016-02-15 2020-05-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
CN110133899A (zh) 2018-02-09 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 像素排列结构、显示基板、显示装置
US11448807B2 (en) 2016-02-18 2022-09-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, fine metal mask set and manufacturing method thereof
US11747531B2 (en) 2016-02-18 2023-09-05 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, fine metal mask set and manufacturing method thereof
US11233096B2 (en) 2016-02-18 2022-01-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel arrangement structure and driving method thereof, display substrate and display device
US11264430B2 (en) 2016-02-18 2022-03-01 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel arrangement structure with misaligned repeating units, display substrate, display apparatus and method of fabrication thereof
CN110134353B (zh) 2018-02-09 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 颜色补偿方法、补偿装置以及显示装置
CN107644888A (zh) * 2016-07-22 2018-01-30 京东方科技集团股份有限公司 像素排列结构、显示基板、显示装置、制作方法及掩膜版
CN110137213A (zh) 2018-02-09 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 像素排列结构及其显示方法、显示基板
CN107275361B (zh) 2016-04-08 2020-10-02 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN106023818B (zh) 2016-05-18 2019-09-17 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、显示面板及像素结构的驱动方法
CN108091667B (zh) * 2016-11-21 2024-06-14 昆山国显光电有限公司 像素结构及包含所述像素结构的oled显示面板
CN107004392B (zh) 2016-11-28 2019-11-05 上海云英谷科技有限公司 显示面板的分布式驱动
US10586491B2 (en) 2016-12-06 2020-03-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for mitigation of hysteresis
CN108417177A (zh) * 2017-02-10 2018-08-17 深圳云英谷科技有限公司 显示器子像素排布及其驱动电路
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
CN107153274B (zh) * 2017-07-21 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
JP6978739B2 (ja) * 2017-10-27 2021-12-08 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 Ｏｌｅｄ表示装置、マスク及びｏｌｅｄ表示装置の製造方法
CN113851513A (zh) * 2018-01-02 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、高精度金属掩模板组及显示装置
CN110097862B (zh) * 2018-01-31 2022-09-13 天马日本株式会社 显示装置及相对亮度数据的转换方法
CN115542617A (zh) 2018-02-09 2022-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
US11574960B2 (en) 2018-02-09 2023-02-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel arrangement structure, display substrate, display device and mask plate group
CN110137209A (zh) * 2018-02-09 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
CN108803928B (zh) * 2018-06-05 2020-06-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
WO2020072035A1 (en) * 2018-10-01 2020-04-09 Leia Inc. Multiview display and method with offset rows of multibeam emitters and multiview pixels
CN109638035B (zh) * 2018-11-13 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素排列结构及有机发光二极管显示装置
CN109728044B (zh) * 2018-12-29 2021-07-30 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
US11552163B2 (en) * 2019-02-22 2023-01-10 Vuereal Inc. Staggered and tile stacked microdevice integration and driving
RU2728834C1 (ru) 2019-07-31 2020-07-31 Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд. Подложка отображения и способ ее подготовки, панель отображения и устройство отображения
CN111028788B (zh) * 2019-12-19 2021-08-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素结构及显示装置
WO2021200650A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示システム
DE112021003691T5 (de) 2020-07-10 2023-04-20 Sony Group Corporation Ansteuerungsschaltkreisarraysubstrat, anzeigevorrichtung und elektronische einrichtung
KR20220048506A (ko) * 2020-10-12 2022-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5495352A (en) * 1992-07-30 1996-02-27 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with stripe-shaped unevennesses on the electrodes
JPH1068931A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
US6025894A (en) * 1996-09-04 2000-02-15 Casio Computer Co., Ltd. Scatter control member for organic electroluminescent light source for passing light with or without scattering depending upon an incident angle
US6104446A (en) * 1996-12-18 2000-08-15 Blankenbecler; Richard Color separation optical plate for use with LCD panels
EP1051752A2 (en) * 1998-02-02 2000-11-15 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors
US6498592B1 (en) * 1999-02-16 2002-12-24 Sarnoff Corp. Display tile structure using organic light emitting materials
JP3863325B2 (ja) * 1999-09-10 2006-12-27 株式会社日立製作所 画像表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI567968B (zh) * 2011-06-30 2017-01-21 三星顯示器有限公司 有機發光顯示裝置
US9589492B2 (en) 2013-07-12 2017-03-07 Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited Pixel array, display and method for presenting image on the display

Also Published As

Publication number Publication date
CN1376014A (zh) 2002-10-23
KR20020040613A (ko) 2002-05-30
US20020070909A1 (en) 2002-06-13
JP2002221917A (ja) 2002-08-09
CN1191737C (zh) 2005-03-02
KR100857399B1 (ko) 2008-09-08
US6768482B2 (en) 2004-07-27
JP3620490B2 (ja) 2005-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW522749B (en) Active matrix type display apparatus
US9627464B2 (en) Display module
US9191663B2 (en) Organic light emitting display panel
US20090140632A1 (en) Mother glass and method of fabricating organic electro luminescence display device using the same
WO2020237470A1 (zh) 阵列基板以及显示装置
JP2005085737A (ja) 自発光型表示装置および電子機器
WO2021170031A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
JP4205631B2 (ja) 有機電界発光表示装置
JP4549827B2 (ja) 有機電界発光表示装置
TW200532606A (en) Passive matrix light emitting device
KR100863963B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP2001202032A (ja) アクティブマトリクス型表示装置
WO2022110015A1 (zh) 显示基板、显示面板、显示装置
JP4715197B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
US11974463B2 (en) Array substrate and display apparatus
US11985862B2 (en) Array substrate and display apparatus
KR100606413B1 (ko) 모기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시소자의 제조방법
KR100588018B1 (ko) 모기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시소자의 제조방법
KR100637065B1 (ko) 유기전계발광표시소자용 모기판 및 이를 이용한유기전계발광표시소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees