TW522577B - Light emitting device - Google Patents

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522577 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 1，發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明關於藉由加上電場來發光（電致發光）的螢光 體和使用這種螢光體的發光裝置。更具體地說，本發明關 於其中使用有機化合物作爲螢光體的發光裝置。電致發光 包括螢光和磷光。本發明關於應用由螢光和磷光中的一種 或兩種導致光發射的發光裝置。 2，相關技術說明 背光或正面光爲使用液晶顯示器的典型形式，且其結 構爲藉由光來顯示影像。液晶顯示器被用作各種電子設備 中的影像顯不裝置，但是從其結構來看，它具有視角窄的 缺點。相反的，使用電致發光的螢光體的顯示器具有寬的 視角，並且可見度很好。因此，作爲下一代顯示器、採用 螢光體的顯示器已引起關注。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用有機化合物作爲螢光體的發光元件（下文稱爲有 機發光元件）乃是藉由在陰極與陽極之間適當地組合電洞 注入層、電洞傳送層、發光層、電子傳送層以及電子注入 層而構成，各層是由有機化合物形成。於此，電洞注入層 和電洞傳送層是分開表示的，但是在電洞傳送性質（電洞 遷移率）是特別重要的特徵的意義上，它們是相同的。爲 了便於分辨這些層，電洞注入層指的是接觸陽極的層，而 接觸發光層的層稱爲電洞傳送層。而且，接觸陰極的層稱 爲電子注入層，而接觸發光層的層稱爲電子傳送層。發光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 522577 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 層還可當成電子傳送層，因此也稱爲發光電子傳送層。藉 由組合這些層而形成的發光元件表現出整流特性，並且具 有與二極體相同的結構。 發光機制爲，從陰極注入的電子和從陽極注入的電洞 在含有螢光體的層中再結合而形成激子，而激子在返回基 態時發光。有來自單激發態的光發射（螢光）和來自三重 激發態的光發射（磷光）。亮度達到幾千至幾萬燭光/釐 平方米（cd/cm2)。因此，在原理上，認爲這種發光 機制可以用於顯示裝置等。但是，於此存在各種類型的退 化現象，且這仍然是阻礙顯示裝置等投入實際使用的問題 〇 包含有機化合物的螢光體或者有機發光元件的退化被 ，認爲是從以下五個因素産生的。這些因素是（1 )有機化 合物的化學退化（藉由激發態），（2 )由驅動時熱量産 生引起的有機化合物熔化，（3 )由巨觀缺陷導致的介質 撃穿，（4 )電極或者電極與有機層的介面變壞以及（5 )由有機化合物的非晶體結構不穩定而引起的退化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述因素（1 )至（3 )是由驅動有機發光元件而引 起的。熱顯然是由元件中電流轉化成焦耳熱而産生的。經 硏究，當有機化合物的熔點或者玻璃化轉變溫度低時會發 生熔化。另外，電場集中在缺陷小孔或劃痕所在的部分， 因而發生介質撃穿。至於因素（4)和（5)，即使把含 有有機化合物的螢光體或有機發光元件保持在室溫下，這 種退化也會發生。因素（4 )稱爲暗點，是由陰極的氧化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -5- 522577 A7 _ B7 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 或與濕氣反應而産生的。關於因素（5 )，有機發光元件 中所用的有機化合物是非晶體材料，經硏究，由於長時間 保存、由時間流逝和熱量産生的變化使非晶材料晶化，因 此，幾乎不存在有非晶結構保持穩定的非晶材料。 由於密封技術的改進，已經極大地抑制了暗點。但是 ，在上述因素的共同作用下會發生實際的退化，因此難以 一般地理解實際退化。典型的密封技術是藉由密封件使形 成於基底上的有機發光元件氣密密封，並且在空間中設置 乾燥劑。但是，經硏究，其中當持續加上恒定電壓時、不 僅流過有機發光元件的電流，且發出的亮度都降低的現象 皆是由有機化合物的性質引起的。 低分子量的有機化合物和有機聚合物都是已知的用於 形成有機發光元件的有機化合物。作爲低分子量有機化合 物的一個實例，可使用酞菁銅（C u P c )，或者έ 一 N P D (4，4’ 一雙〔Ν —(萘基）一 Ν -苯基一氨基）聯苯 基）或者MTDATA(4，4’ ，4” —三（N— 3 — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 甲基苯基- N -苯基-氨基）三苯胺），後者是已知的作 爲電洞注入層的芳香胺基材料，以及已知的作爲發光層的 三一 8 -喹啉醇化鋁複合物（A 1 Q 3 )等。作爲有機聚合 物發光材料，可使用聚苯胺、聚噻吩衍生物（P E D〇T )等。 已硏究，藉由蒸發方法而形成的小分子量有機化合物 從材料的種類來看、與聚合物有機材料相比、種類明顯更 多。但是，在任何情況下，僅由一種基本結構單元組成的 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -6 - 522577 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 有機化合物是很少的。可能有這樣的情況，合成不同種類 的有機化合物時，在製造過程中，在有機化合物中混入雜 質，並且各種添加劑如顔料被加入有機化合物。另外，在 這些材料之中，包括由於潮濕而變壞的材料、易被氧化的 材料等。從大氣中能容易地混入濕氣和氧氣。因此，在處 理這些材料時要小心。 衆所周知，當有機化合物輕微退化時，化學鍵變成雙 鍵，並且結構中含有氧（一〇H， 一 〇〇H， >C = 〇， 一COOH等）。因此，在含有氧的氣氛中設置有機化合 物的情況下，或者在有機化合物中含有氧或Η 2 ◦這類雜質 的情況下，一般認爲鍵態會改變，且會造成退化。 在半導體技術領域，在具有半導體接面的半導體元件 、如二極體中，由氧而産生的雜質形成禁止帶中的局部能 級，這是接面漏電和載子的壽命減小的原因。因此，衆所 周知，雜質明顯降低了半導體元件的性能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 氧分子是處於基態也處於三重態的特殊分子，因爲最 高能態已滿分子軌道（Η ◦ Μ 0 )處在縮聚作用中。一般 而言，從三重態到單態的激發過程是禁止遷移（自旋禁止 )，因此難以發生。因而，不産生單態的氧分子。但是， 當在氧分子的周圍存在其能量高於單態能量的三重激發態 (3 Μ * )分子時，則發生如下的能量轉移。因此，可以發 現其中産生單態氧分子的反應。 ^* + 3〇2-^^+〇2 公式 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 522577 A7 B7 五、發明説明（5 ) 一般認爲，有機發光元件的發光層中分子的7 5 %的 激發態對應於三重態。因此，在氧分子混入有機發光元件 的情況下，單態的氧分子可以藉由分式1中的能量轉移而 産生。單激發態的氧分子具有離子屬性（存在電荷極化） 。因此，一般認爲可能有氧分子與有機化合物中産生的極 化電荷反應。 例如，由於甲基是basocuproin (下文稱爲BCP)中 的電子施體，直接結合在共軛環上的碳是帶正電的。如下 列化學式1中所表示的，如果帶正電的氧分子存在，則具 有離子屬性的單態氧與帶正電的氧分子反應。因此，可會g 如下列化學式2中所示、産生羧酸和氫。結果，預期電子 傳送性能會降低。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 522577 Α7 Β7 五、發明説明（6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 基於上述硏究，本發明人發現，有機化合物中含有的 諸如氧或Η 2 0的雜質導致各種類型的惡化，諸如有機發光 元件以及使用這種元件的有機發光裝置的亮度降低。 在陰極與陽極之間具有包含有機化合物的層的有機發 光元件、以及使用這種有機發光元件構成的發光裝置中， 必須要降低導致亮度下降和電極材料惡化、如暗點的氧的 濃度。 使用有機發光元件的最佳應用的實例是主動矩陣驅動 的發光裝置，其中在有機發光元件中形成圖素部分。薄膜 電晶體（以下稱爲T F Τ )作爲主動元件設置在每個圖素 中。但是，關於用半導體薄膜形成的T F Τ，衆所周知， 由於鹼金屬的污染，其特徵値，如臨界電壓會波動。在本 發明中，需要用於藉由把有機發光元件和T F Τ結合起來 形成圖素部分的適當結構，其中在該有機發光元件中，陰 極中使用小工作函數的鹼金屬。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由適當地組合含矽作爲其主要成分的半導體材料與 含矽作爲其成分的無機或有機絕緣材料來構成主動矩陣驅 動的發光裝置，其中圖素部分是藉由組合有機發光元件與 T F Τ而形成的。有機發光元件的外部量子效率還不到 5 0 %。因此，大部分注入載子轉變成熱，從而加熱發光 元件。結果，熱應力加在發光元件上，並且作用在形成圖 素的各層上。這會産生這樣的缺點，即如果熱應力大，則 出現裂紋。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -9- 522577 Μ ____ Β7 五、發明説明（7 ) 發明槪要 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 鑒於上述問題而提出本發明，因此本發明的一個目的 是防止發光裝置中由化學和物理因素引起的惡化並且提高 可靠性。 爲了防止發光裝置的惡化，本發明的特徵在於，減少 了在形成有機發光元件的有機化合物中含有包含氧、如氧 氣或者水的雜質。當然，作爲有機化合物的構成元素包括 氧、氫氣等。但是，在本發明中，有機化合物的雜質指的 是不包含在原始分子結構中的外在雜質。這種雜質以原子 雜質、分子雜質、自由基或低聚物出現在有機化合物中。 另外，依照本發明，在主動矩陣驅動的發光裝置中， 設置有用於防止由T F Τ被鹼金屬、如鈉或鉀污染而引起 的臨界電壓波動的結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 按照本發明，去除這類雜質，並且由用於形成有機發 光元件、如電洞注入層、電洞傳送層、發光層、電子傳送 層和電子注入層的有機化合物構成的各層的雜質濃度依照 平均濃度被降低至5 X 1 0 1 9原子/釐米3或者更小，最好 是1 X 1 0 1 9原子/釐米3或者更小。特別是，要求降低發 光層及其附近的氧濃度。 當有機發光元件發出亮度爲1 〇 〇 〇 C d/cm2的光 時，如果將其轉換成光子，結果相當於1 〇 1 6光子/秒· 釐米2的發射量。假定有機發光元件的量子效率是1 %，需 要1 〇 ◦ m A / c m 2的電流密度。按照基於半導體元件如 採用非晶半導體的太陽能電池或光電二極體的經驗規則 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' 〜— -10- 522577 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 缺陷位準密度需要設置爲1 〇 1 6原子/釐米2或者更小， 以便在上述電流流經的元件中獲得令人滿意的特性。爲了 實現該値，要求把構成缺陷位準的惡性雜質元素的濃度降 低到5 X 1 0 1 9原子/釐米3或者更低，如上所述，最好是 lx 1 0 19原子/釐米3或更低。 爲了減少構成有機發光元件的有機化合物的雜質，用 於形成有機發光元件的製造設備包括下列結構。 。 在用於形成包含低分子量有機化合物的層的蒸發裝置 中，反應室內部的壁面藉由電抛光做成鏡面，以便降低氣 體排出量。用不銹鋼或者鋁作爲用於反應室的材料。爲了 防止氣體從內壁放出，在反應室外部設置加熱器，並且進 行烘烤處理。藉由烘烤處理可以顯著降低氣體排出量。而 且，在蒸發的時候，最好藉由冷卻劑來進行冷卻。渦輪分 子泵和乾燥泵用於排氣系統，因而避免了由蒸氣從排氣系 統反向擴散。而且，可以設置低溫泵以便除掉殘留的Η 2〇 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 蒸發源基本上是電阻加熱式的，但是可以使用努森（ Knudsen )胞。從反應室上附帶的載入鎖型交換室送入要蒸 發的材料。因此，在載入要蒸發的材料時，盡可能地避免 反應室暴露於大氣中。蒸發源主要包括有機材料，並且在 蒸發之前、在反應室內進行昇華精煉。另外，可以採用區 域精製法。 關於要引入反應室的基底的預處理，進行藉由加熱的 排氣處理和使用氬的等離子處理，由此盡可能地減少從基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -11 - 522577 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 底放出的雜質。在主動矩陣驅動發光裝置中，事先在要形 成有機發光元件的基底上形成T F T。在適當地把使用有 機樹脂材料的絕緣層等作爲基底的構成部分的情況下，必 須要減少從構件排氣。另外，把引入反應室的氮氣或氬氣 在供給埠上精煉。 另一方面，在形成包含有機聚合物的層時，不能完全 地進行對聚合度的控制，因而分子量的範圍擴大了。因此 ，熔點不可能僅以一種意義來界定。滲析或者高性能液相 色譜法適用於這樣的情況。尤其是，在滲析中，電滲析適 合於有效地去除離子雜質。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在藉由如上所述形成的有機發光元件形成圖素部分， 並且每個圖素由主動元件控制的主動矩陣驅動方法中，其 結構的一個實施例爲，在基底上形成具有半導體薄膜的 T F T、閘絕緣膜和閘電極，並且在T F T上形成有機發 光元件。使用的基底典型爲玻璃基底，且在硼矽酸鋇玻璃 或硼矽酸鋁玻璃中含有少量鹼金屬。半導體薄膜被氮化矽 或者氧氮化矽覆蓋，以便防止由來自下層側的玻璃基底和 上層側的有機發光元件的鹼金屬造成的污染。 另一方面，最好在均化的表面上形成有機發光元件， 因此在包括有機樹脂材料、如聚醯亞胺或者丙醛烯的已均 化的薄膜上形成該有機發光元件。但是，這樣的有機樹脂 材料具有吸濕性。被氧或Η 2 0惡化的有機發光元件塗有具 有氣谭屏蔽特性的氮化H二氧_氮化矽或者類金錮石碳（ D L C )。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格(210X297公釐）~ " -12- 522577 A7 B7 五、發明説明（10 ) 圖1 2是說明依照本發明的主動矩陣驅動的發光裝置 的原理的示意圖。作爲發光裝置1 2 〇 〇的構成部分，在 同一基底上形成TFT 1 2 0 1和有機發光元件1 2 0 2 。T F T 1 2 0 1的構成部分是半導體薄膜、閘絕緣膜、 閘電極等，而這些部分中含有的元素是矽、氫、氧、氮、 形成_電極的金屬等。另一方面，有機發光元件1 2 0 2 的元素，除了作爲有機化合物材料的主要構成成分的碳之 外，包含驗金屬、如鋰。 在T F T 1 2 0 1的下層側（玻璃基底1 2 0 3側） 上形成作爲阻擋層的氮化矽或氧氮化矽1 2 0 5。在與之 相對的上層側上形成作爲保護膜的氧氮化矽1 2 0 6。另 一方面，在有機發光元件的下層側上形成作爲保護膜的氮 化矽或者氧氮化矽1 2 0 7。作爲保護膜，還可以用氧化 鋁、氮化鋁、氧氮化鋁。在上層側形成作爲保護膜的 DLC薄膜1208。 在T F T與有機發光元件之間形成有機樹脂中間層絕 緣膜1 2 0 4並且與之整合在一起。極易影響 T F T 1 2 0 1之鹼金屬如鈉被氮化矽或者氧氮化矽 1205或者氧氮化矽1206所阻擋。另一方面，由於 有機發光元件1 2 0 2最忌氧或Η 2 0，所以形成氮化矽或 氧氮化矽1 2 0 7和D L C薄膜1 2 0 8以便阻擋氧或 Η 2 〇 °另外，氮化矽或氧氮化矽1 2 0 7和D L C薄膜 1 2 0 8具有不使有機發光元件1 2 〇 2的鹼金屬元素釋 放的作用。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4^f( 210χ297公釐）- -13- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522577 A7 B7 五、發明説明（11 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上所述，由組合τ F T與有機發光元件而構成的發 光裝置是藉由較佳地組合具有阻擋氧或Η 2 ◦的性質的絕緣 膜，以便滿足對抗雜質污染的性能要求而形成的。 以上述構成部分爲基礎，在含有絕緣材料的分隔層之 間，形成具有陽極、有機化合物層和含鹼金屬的陰極的發 光元件。分隔層之形狀爲，上部分在與基底平行的方向上 突出（所謂懸伸形狀），且其結構爲，有機發光元件的有 機化合物層和陰極層不相互接觸。 對形成發光元件的有機化合物材料進行精煉，在薄膜 形成過程中防止雜質混入，且有機化合物層是高度精煉的 ，由此可以防止亮度降低和陰極層退化。另外，在發光元 件與T F Τ之間設置包含氮化矽或者氧氮化矽等的無機絕 緣層，由此，可以防止構成陰極層的鹼金屬元素擴散到構 成T F Τ的半導體薄膜中。在發光元件中，分隔層具有懸 伸形狀，且其結構爲，有機發光元件的有機化合物層與陰 極層不互相接觸。因此，可以防止熱應力作用於構成帶有 熱應力的發光裝置的各層上，且可以防止物理破壞如裂紋 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的産生。藉由採用上述措施，可以提高發光裝置的可靠性 〇 應當指出，在本說明書中，發光裝置係指使用螢光體 的裝置。另外，其中以TAB (帶自動鍵合）帶或TCP (帶載體封裝）連接陽極與陰極之間具有含螢光體層的元 件（下文稱爲發光元件）的模組、其中把印刷電路板連接 到T A B帶或T C P帶末端的模組、或者其中把I c藉由 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "~ -14 - 522577 A7 B7 五、發明説明（12 ) C〇G (玻板上晶片）方法安裝在其上形成發光元件的基 底上的模組都包括在發光裝置中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，在本說明書中、作爲雜質元素的氧的濃度係指 藉由一次離子質譜測疋法（S I M S )測得的最小濃度。 圖式簡單說明 在附圖中： 圖1是說明本發明的薄膜形成設備的結構的示意圖； 圖2是說明本發明的薄膜形成設備的結構的示意圖； Η 3疋δ兌明有機化合物材料中包含的雜質與其蒸氣壓 力間的關係圖； 圖4 Α至4 C是說明在薄膜形成裝置中進行昇華精煉 的方法的示意圖； 圖5 A至5 C是說明有機發光元件的結構的示意圖； 圖6是說明設置有圖素部分和驅動電路部分的有機發 光裝置的分段剖視圖； 圖7是說明有機發光裝置的圖素部分的結構的橫剖視 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖； 圖8是說明有機發光裝置的圖素部分的結構的橫剖視 圖； 圖9是說明有機發光裝置的圖素部分的結構的俯視圖 ， 圖1 0是說明有機發光裝置的結構的橫剖視圖； 圖1 1是說明有機發光裝置的外觀的透視圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 522577 A7 B7 五、發明説明（13 ) 圖1 2是說明按照本發明的發光裝置的原理的示意圖 ;以及 圖1 3A至1 3 G是說明應用本發明的發光裝置的電 t设備的實例的示意圖。 主要元件對照表 1200 複光裝置
12 0 1 TFT 1202 有機發光裝置 1203 玻璃基底 1 2 0 4 有機樹脂中間層絕緣膜 1205 氮化矽 1 2 0 6 氮氧化石夕 1 2 0 7 氮氧化石夕 1 2 0 8 D L C 膜 101 傳送室 10 2 傳送機構（A ) 1 0 3 基底 104 載入室 105 預處理室 1〇6 中間室 107-109 膜形成室 1 0 0 h - 1 0 0 j 閘 112-114 材料交換室 i裴—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
522577 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（14 旋塗器 密封室 1 1 6 紫 外線 照 射 機 構 1 1 7 運 送室 1 1 8 傳 送機 構 ( B ) 2 〇 7 a 複合分子 泵 2 0 8 a 乾燥 泵 1 1 〇 應 用室 1 〇 〇 b -1 0 0 d 閘 2 〇 1 高 頻電 極 2 1 6 尚 頻電 源 1 〇 4 a ，1 0 4 b 基 底 加 熱 2 1 6 a 汽缸 2 1 6 b 流量 控 制 器 2 0 3 精 製品 2 1 〇 2 1 1 蒸 發 源 2 1 2 吸 收板 2 1 7 遮 罩 2 1 8 快 門 2 〇 9 低 溫泵 2 1 5 a ，2 15 b 加 熱 機 構 2 1 3 a ，2 13 b 加 熱 機 構 2 0 7 d 渦輪 分 子 泵 2 0 8 d 乾燥 泵 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17 522577 五、發明説明（15 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 3 10 陽極 311 電洞注入層 312 電洞傳送層 313 發光層 314 電洞阻擋層 315 電洞注入層 321 電洞注入層 322 電洞傳送層 323 發光層 3 2 4 電洞阻擋層 325 電子注入層 650 驅動電路部份 6 5 1 圖素部份
652 η通道丁FT
653 p通道TFT
6 5 4 電流控制T F T 6 5 5 第一絕緣層 603-606 半導體膜 607 閘絕緣膜 608-611 閘電極 6 18 第二絕緣層 6 19 第一中間層絕緣膜 612,613 接線 614,615 電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
18- 522577 A7 B7 五、發明説明（16 ) 6 16 電極 617 電源線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 2 7 第二中間層絕緣膜 620 第三絕緣膜 656 有機發光元件 6 2 1 陽極 623 有機化合物層 6 2 4 陰極 622 分隔層 656 有機發光元件 6 2 5 第四絕緣膜 6〇1 基底 7 0 1 基底 702 閘電極 703 閘電極 7 0 4 接線 705 第一絕緣膜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 5 1 圖素部份
7 5 4 開關T F T
7 5 5 電流控制T F T 706 半導體膜 707 半導體膜 708 絕緣膜 709 絕緣膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 522577 A7 B7 五、發明説明（17 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 1 〇 第 一 絕 緣 膜 7 1 1 第 一 中 間 層 絕 緣 膜 7 1 2 第 二 絕 緣 膜 7 1 3 一 7 1 6 接 線 7 1 9 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 7 1 7 陽 極 7 5 6 有 機 發 光 元 件 7 1 8 分 隔 層 7 2 0 有 機 化合 物 層 7 2 1 陰 極 7 5 7 第 四 絕 緣 膜 4 〇 1 元 件 基 底 4 0 2 密 封 基 底 4 〇 3 有 機 發 光 元 件 4 〇 4 外 部 輸 入 丄山 乂而 4 〇 5 密 封 構 件 4 〇 8 驅 動 電 路 4 0 9 圖 素 部 份 4 1 2 分 隔 層 4 1 〇 接 線 3 〇 0 1 殼 3 〇 〇 2 支持 座 3 〇 〇 3 顯 示 部 份 3 〇 1 1 主 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J· 項再填、 裝. 訂 it 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2IOX297公釐） -20- 522577 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明説明（18 3 0 12 3 0 13 3 0 14 3 0 15 3 0 16 3 0 2 1 3 0 2 2 3 0 2 3 3 0 2 4 3 0 3 1 3 0 3 2 3 0 3 3 3 0 3 4 3 0 3 5 3 0 4 1 3 0 4 2 3 0 4 3 3 0 4 4 3 0 5 1 3 0 5 2 3 0 5 3 3 0 5 4 3 0 5 5 3 0 5 6 顯示部份 聲音輸入部份 操作開關 電池 影像接收部份 主體 殼 顯示部份 鍵盤 主體 尖筆 顯示部份 操作鈕 外部介面 主體 操作開關 操作開關 操作開關 主體 顯示部份（A ) 接目鏡部份 操作開關 顯示部份（B ) 電池 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 522577 A7 B7 五、發明説明（19 ) 3061 主體 3062 聲音輸出部份 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3063 聲音輸入部份 3 0 6 4 顯示部份 3 0 6 5 操作開關 3066 天線 較佳實施例之詳細說明 實施例1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參照圖1說明有機發光元件製造裝置的一個實例，其 中，可以降低有機化合物中含有的雜質、如氧或Η 2〇的濃 度。圖1顯示用於完成包含有機化合物的層與陰極的形成 ，並且進行密封的裝置。傳送室1 〇 1藉由閘1 〇 〇 a至 1 0 0 f分別連接至載入室1 〇 4、預處理室1 〇 5、中 間室1 0 6、膜形成室1 0 7至1 〇 9。預處理室1 0 5 是爲處理放出的氣體而設置的，而且在預處理室1 〇 5中 可對要加工的基底進行的表面改良、以及真空中的加熱處 理和使用惰性氣體的電漿處理。 膜形成室1 0 7和1 0 8是用於藉由蒸發方法、形成 主要包含低分子量有機化合物的薄膜的處理室，而膜形成 室1 0 9是用於藉由蒸發方法形成含鹼金屬的陰極的處理 室。膜形成室1 0 7至1 0 9連接至材料交換室1 1 2至 1 1 4，後者用於把要蒸發的材料藉由閘1 〇 〇 h至 1 0 0 j裝入蒸發源。材料交換室1 1 2至]_ 1 4用於在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐)~ -22- 522577 A7 B7 五、發明説明（20 ) 膜形成室1 〇 7至1 0 9未曝露於大氣的情況下裝入蒸發 材料。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，其上沉積薄膜的基底1 〇 3安裝在載入室 1 0 4上，並且藉由傳送室1 〇 1中的傳送機構（a) 1 02移到預處理室或各個反應室。載入室1 04、傳送 室1 0 1、預處理室1 0 5、中間室1 〇 6、膜形成室 1 0 7至1 0 9以及材料交換室1 1 2至1 1 4藉由排氣 裝置保持在減壓狀態。關於排氣裝置，藉由無油乾燥栗、 從大氣壓真空排氣到大約1 P a的真空度，而超過上述値 的壓力是藉由磁懸浮渦輪式分子泵或者複合分子泵進行真 空排氣而達到的。反應室可設置低溫泵以去除Η 2〇。因此 ，可防止排氣裝置中的油蒸氣的反向擴散。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於此進行真空排氣的室的內壁面藉由電抛光而受到鏡 面處理，因而減小了表面面積以防止發出氣體。用不銹鋼 或銘作爲用於內壁表面的材料。最好在反應室的外面設置 加熱器，並且進行烘焙處理以便減少從內壁發出氣體。藉 由烘焙處理可以顯著地減少發出氣體。另外，在蒸發時可 以用冷卻劑進行冷卻，以便防止由發出氣體引起的雜質污 染。由此，可實現lx 1 0— 6P a的真空度。 中間室1 0 6藉由閘1 1 0 g連接到設置有旋塗器 1 1 1的應用室1 1 0。應用室1 1 〇是用於形成薄膜的 處理室，該薄膜是由主要包含聚合物材料的有機化合物， 藉由旋塗方法而形成的。這種處理是在大氣壓下進行的。 因此，藉由中間室1 0 6執行取出和放入基底，並且藉由 本紙張尺度適用中國國家檩準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 522577 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（21 ) 把中間室1 0 6的壓力調整到基底所移動到的室的壓力而 執行。藉由滲析、電滲析或高性能的液相色譜法來精煉要 供給應用室的聚合物有機材料，由此提供這些材料。在供 給埠執行精煉。 關於待引入反應室的基底的預處理，在預處理室 1 0 5中藉由加熱進行放氣處理和藉由氬電漿進行表面處 理，以便盡可能地減少從基底放出的雜質。尤其是在基底 上形成包括有機樹脂材料的中間層絕緣膜或圖樣的情況下 ，在減壓條件下，有機樹脂材料所吸收的Η 2〇等會放出， 由此污染反應室的內部。因此，藉由加熱基底來進行放氣 處理，或者藉由在預處理室1 〇 5中執行電漿處理使表面 封閉，藉此降低放氣量。這裏，藉由採用吸氣材料的精煉 裝置把引入反應室的氮氣和氬氣精煉。 黑發方法是電阻加熱型。但是，亦可以便用努森（ Knudsen)胞來高精度地控制溫度和控制蒸發量。用於蒸發 的材料從附在反應室上的專用材料交換室引入。由此，盡 可能地避免了反應室暴露在大氣中。膜形成室暴露在大氣 中，因此把各種氣體如Η 2 0吸入內壁。然後，藉由進行真 空排氣來再次放出氣體。在結束吸收的氣體的放出而真空 度穩定在平衡値之前，需要幾十至幾百小時的時間。因此 ，藉由對膜形成室壁進行烘焙處理來減少所需時間。但是 ，重複暴露在大氣中是低效率的。因此，最好設置如圖1 中所示的專用材料交換室。蒸發源主要包括有機材料，但 是在蒸發之前，在反應室內進行昇華精煉。另外，可以使 (請先閱讀背面之注意事 m-^i —ϋϋ ϋ4— tmmmMSW HBBai m>i · eMimmtmf · I# >項再填· 裝-- :寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） - 24- 522577 A7 ______ B7_____ 五、發明説明（22 ) 用區域精製法。 另一方面，在被載入室104分開的密封室115中 ，執行用於藉由密封件來密封藉由形成陰極而製成的基底 、而不將其暴露於大氣中的處理。在用紫外線固化樹脂來 固定的情況下，紫外線照射機構1 1 6用於密封件。運送 室1 1 7配備有傳送機構（B ) 1 1 8，以把藉由密封而 製成的基底貯存在密封室1 1 5中。 圖2是說明傳送室1 0 1、預處理室1 0 5和膜形成 室1 〇 7的詳細結構的示意圖。傳送室1 0 1配備有傳送 裝置1 0 2、作爲排氣裝置的複合分子泵2 0 7 a和乾燥 泵2 0 8 a。預處理室1 〇 5和膜形成室1 0 7分別藉由 閘1 0 0 b和1 0 〇 d連接到傳送室1 〇 1。預處理室 .1 0 5配備有與高頻電源2 1 6連接的高頻電極2 0 1， 且基底1 0 3被配備有基底加熱裝置1 0 4 a和1 0 4 b 的相對電極固定。藉由用基底加熱裝置、在大約5 0至 1 20 °C下、在真空中加熱基底，可以釋放出基底103 上吸附的雜質如濕氣。連接至預處理室1 0 5的氣體引入 裝置是由汽缸2 1 6 a、流量控制器2 1 6 b和由吸氣材 料等構成的精煉器組成的。 按照這樣來進行電漿表面處理：把惰性氣體如氨、氬 、氪或氖、或者惰性氣體與氫氣混合的氣體藉由精煉器 2 0 3精煉，並且把基底暴露在藉由施加高頻功率而形成 電漿的大氣中。就C Η 4、C〇、C〇2、Η 2 ◦和〇2中每 一種的濃度而言，所使用的氣體的純度是2 P P m或者更 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ I----^---：--—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522577 A7 B7 五、發明説明（23 ) 小，最好是1 p p m或者更小。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 排氣裝置是由磁懸浮型複合分子泵2 0 7 b和乾燥泵 2 0 8 b組成的。在表面處理時，藉由設於排氣裝置中的 控制閥控制排氣速度來進行預處理室1 0 5中的壓力控制 2 12 打開。 ，並且 統對應 系統和 應室中 理，可 中，由 排氣， 把反應 度，由 蒸發源 交換室 提供的 膜形成室1 0 7配備有蒸發源2 1 1、吸收板 、快門2 1 8和遮罩2 1 7。基底1 0 3設置在遮罩 2 1 7上。快門2 1 8以打開和閉合方式在蒸發時 蒸發源2 1 1和吸收板2 1 2是根據溫度來控制的 分別連接到加熱裝置2 1 3 d和2 1 3 c。排氣系 於渦輪分子泵2 0 7 c和乾燥泵2 0 8 c，且排氣 低溫泵2 0 9能去除膜形成室中殘留的濕氣。在反 ，藉由用加熱裝置2 1 5 a和2 1 5 b進行焙燒處 減少從膜形成室的內壁放出的氣體量。在焙燒處理 連接到渦輪分子泵或低溫泵的排氣系統來進行真空 同時把反應室加熱到大約5 0至1 2 0 °C。此後， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 室冷卻到室溫或者藉由冷卻劑冷卻到接近液氮的溫 此，可達到大約1 X 1 〇 - 6 P a的真空排氣。 由閘1 0 0 h隔開的材料交換室1 1 2配備有 210和211，且其溫度是由加熱裝置213a和 2 1 3 b控制的。用渦輪分子泵2 〇 7 d和乾燥泵 2 0 8 d作爲排氣系統。蒸發源2 i i可以在材料 1 1 2和膜形成室1 〇 7之間移動，並且用作對所 黑發材料精煉的裝置。
-26- 522577 A7 ___B7 五、發明説明（24 ) 對用於蒸發的材料精煉的方法沒有限制，但是最好ί采 用昇華精煉法，以便在膜形成設備中進行精煉。當然，也 可以執行區域精製法。圖3和圖4 Α至4 C是說明在圖2 中說明的薄膜形成設備中進行昇華精煉的方法的示意圖。 許多用於形成有機發光元件的有機化合物會因爲氧氣 或Η 2 〇而變壞。尤其對於低分子量有機化合物這種趨向更 是明顯。因此，即使在開始時，有機化合物被充分地精煉 且高度淨化，也有這樣的可能性，即隨著後續處理，容易 把氧或Η 2 0帶入有機化合物。如上所述，引入有機化合物 白勺氧是改變分子鍵態的有害雜質。這種雜質是有機發光元 件的特性隨時間流逝而改變和惡化的原因。 圖3是說明有機化合物材料的昇華精煉的原理的示意 圖。假定當成初始物件的有機化合物由Μ 2來表示，且在 一定的恒定壓力下，在溫度Τ1與Τ 2之間存在一定的蒸 氣壓°具有低於Τ 1的溫度下的蒸氣壓的有機化合物由 Ml表示，而雜質如Η2〇對應於Ml。另外，具有高於 τ 2的溫度下的蒸氣壓的有機化合物μ 3對應於諸如過渡 金屬或有機金屬的雜質。 如上所述，含有分別具有不同蒸氣壓的ΜΙ、M2和 Μ 3的材料被放入第一蒸發源2 i 〇，並且在低於T 2的 溫度下加熱，如圖4 A所示。從第一蒸發源昇華的材料是 Μ 1和M 2。此時，如果把第二蒸發源2 ί ί設置在第— 蒸發源2 1 〇上方，並且將其保持在低於Τ 1的溫度，則 才才料可以被吸入第二蒸發源2 1 1。接著，如圖4 B中所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
• -·*:， - I1-J I---^---Γ--0^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 27- 522577 A7 B7 五、發明説明（25 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 不，當在T 1溫度下加熱第二蒸發源2 1 1，則Μ 1昇華 並且被吸收板2 1 2吸收。去掉Μ 1和Μ 3而Μ 2保留在 第二蒸發源211中。此後，如圖4C中所示，把第二蒸 發源2 1 1加熱到接近Τ 2的溫度，以便在基底上形成有 機化合物層。 可以在圖2中說明的薄膜形成設備中的较j斗交換室 1 1 2和膜形成室1 0 7中執行圖4 Α至4 C中所示的昇 華精煉處理。藉由內壁的鏡面抛光或者用渦輪分子栗或低 溫栗排氣，可以提局膜形成室中的淨化度。由此，蒸發在 基底上的有機化合物中的氧濃度可以減小到5 x 1 〇 1 9原 子/ c m 3或更小，最好是1 X 1 0 1 9原子/ c m 3或更小 〇 實施例2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用實施例1中的薄膜形成設備製造的有機發光元件在 結構方面不受限制。有機發光元件由具有發光性的導電膜 形成的陽極、含有鹼金屬的陰極和其間包含有機化合物的 層組成。包含有機化合物的層由一層或多層構成。依照目 的和功能，各個層分別稱爲電洞注入層、電洞傳送層、發 光層、電子傳送層、電子注入層等。這些層可由或者低分 子量有機化合物材料或者有機聚合物材料構成，或者藉由 適當地組合這兩種材料而構成。 選擇電洞傳送性質好的有機化合物材料作爲電洞注人 層或者電洞傳送層，一般採用酞菁基或者芳香胺基材料。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) " ~ -28- 522577 A7 B7 五、發明説明（26 ) 另外，在電子注入層中使用電子傳送性質好的金屬複合物 等。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5 A至5 C表示有機發光元件的結構的實例。圖 5 A表示包含低分子量有機化合物的有機發光元件的實例 ，並且由氧化銦錫（I T〇）形成的陽極3 〇 〇、由酞菁 銅（C u P c )形成的電洞注入層3 0 1、由芳香胺基材 料Μ T D A T A和ά — N P D形成的電洞傳送層3 〇 2和 3 0 3、由三一 8 -喹啉醇化鋁複合物（A 1 d 3 )形成的 電子注入和發光層.3 0 4以及由鏡（Y b )形成的陰極 3 0 5層疊而成。A 1 Q 3能夠從單激發態發光（螢光）。 最好利用來自三重激發態的發射（磷光）以便提高亮 度。圖5 B表示這種元件結構的實例。在這種元件結構中 ，在由IT〇形成的陽極3 1 0、由酞菁基材料CuP c 形成的電洞注入層3 1 1以及由芳香胺基材料έ 一 N P D形 成的電洞傳送層3 1 2上，使用嗦唑基C B P + I r ( P P y ) 3形成發光層3 1 3。另外，使用B C P形成電洞 阻擋層3 1 4，使用A 1 Q3形成電子注入層3 1 5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述兩種結構是使用低分子量有機化合物的實例。但 是，可以實現由有機聚合物與低分子量有機化合物組合而 形成的有機發光元件。圖5 C表示其實例，電洞注入層 3 2 1是由作爲有機聚合物的聚噻吩衍生物（P E D〇T )形成的，電洞傳送層3 2 2是由έ 一 N P D形成的，發光 層3 2 3是由C B P + I r ( p p y ) 3形成的，電洞阻擋 層324是由BCP形成的，而電子注入層325是由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公釐） -29 - 522577 A7 _B7 _ 五、發明説明（27 ) A 1 Q 3形成的。採用由P E D〇T形成的電洞注入層能夠 提高電洞注入性能，這促使發射效率提高。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用於發光層的嗦唑基CBP+I r (ppy) 3是有機 化合物，其中可以得到來自三重激發態的發射（磷光）。 以下之文獻中說明的有機化合物可當成典型的三態化合物 。（1 )由 T.Tsutsui，C.Adachi，S.Saito 所著、由 K.Honda 編輯的 Photochemical Processes in Organized Molecular Systems ( 199 年由東京 Elsevier Sci. Pub.出版）P.437。（ 2 )M.A.Baldo, D.F.O， Brien, Y.You, A. Shoustikov, S.Sibley, M.E.Thompson，S.R.Forrest, Nature 第 395 期（ 1998)第 151 頁 。在此論文中公開了下列化學式所示的有機化合物。（3 ) M. A. Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrows, M.E.Thompson, S. R.Forrest，Appl. Phys. Lett·第 75 期（ 1 999)第 4 頁。（4 ) T. Tsutsui, M.J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.Tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn. Appl.Phys. 第 38 期（12B)(1999)L1502。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，除了以上描述的發光材料之外，可以使用由下 列分子式（具體來講是金屬複合物或有機化合物）表示的 發光材料。 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30- 522577 Α7 Β7 五、發明説明（28 )
Et Et
化學式3 化學式4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在上述分子式中，Μ表示屬於周期表 元素，Et表示乙基。在上述這些結構中 另外，本發明人考慮到，在降低顯示裝置 鎳、鈷和鈀更佳，因爲它們比鉑和銥更便 爲鎳最佳，因爲鎳容易形成複合物並且有 如何，來自三重激發態的發射（磷光）具 態的發射（螢光）更高的發射效率，因而 亮度的條件下，可以降低工作電壓（有機 需的電壓）。 基於酞菁的CuPc、芳香胺基的έ一 MTDATA、嗦唑基的CBP等是其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇><297公釐） 中8到1 0族的 ，使用鉑和銥。 的製造成本上， 宜。尤其是，認 高的産量。無論 有比來自單激發 在獲得相同發射 發光元件發射所 N P D和 分子中不包括氧 -31 - 522577 A7 B7 五、發明説明（29 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的有機化合物。當氧或Η 2 0混入這種有機化合物時，發生 利用化學式1和2所描述的鍵態改變，這導致電洞傳送性 質和發光性質的惡化。在這種有機化合物的層的形成過程 中，採用實施例1中由圖1至3描述的薄膜形成設備和薄 膜形成方法。因此，發光元件的氧濃度可以設置爲 lx 1 019原子/cm3或更小。作爲選擇，在具有酞菁基 或芳香胺基的電洞注入層或電洞傳送層、或者p弄唑基的發 光層的有機發光元件中，電洞注入層或電洞傳送層及其附 近的氧濃度可以設置爲lx 1 〇 19原子/cm3或更小。 實施例3 圖6表示主動矩陣驅動發光裝置的結構的實例。 T F T設置在圖素部分及其附近的各種功能電路中。關於 T F T，可以選擇或者非晶矽或者多晶矽作爲形成通道形 成區的半導體薄膜的材料。在本發明中，可以採用非晶矽 和多晶矽中任何一種。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可以用玻璃基底或有機樹脂基底作爲基底6 0 1。有 機樹脂材料比玻璃材料輕，因而對於降低發光裝置本身的 重量有良好的效果。有機樹脂材料如聚醯亞胺、聚對苯二 甲酸乙二醇酯（P E T )、聚萘二甲酸乙二醇酯（p E N )、聚醚颯（P E S )以及芳族聚醯胺可用於製造發光裝 置。最好用稱爲無鹼玻璃的硼矽酸鋇玻璃或硼矽酸鋁玻璃 作爲玻璃基底。採用具有0 · 5至1 . 1 m m厚度的玻璃 基底，但是在爲得到重量減輕而設置的情況下，需要使厚 本矣氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522577 A7 B7 五、發明説明（30 ) 度變薄。另外，最好採用具有2 . 3 7 g / cc的小比重的 玻璃基底以便進一步減輕重量。 在圖6中，在驅動電路部分650中形成η通道 TFT652和Ρ通道TFT653。在圖素部分651 中形成開關T F Τ 6 5 4和電流控制T F Τ 6 5 5。使用 半導體薄膜6 0 3至6 ◦ 6、閘絕緣膜6 0 7、閘電極 6 0 8至6 1 1等，在包括氮化矽或氧氮化矽（用
5 i〇xNy表不）的弟一*絕緣層6 0 2上形成這些TF*T 〇 包括氮化矽或氧氮化矽的第二絕緣層6 1 8是在閘電 極上形成的，並且被用作保護膜。另外，形成包含諸如聚 醯亞胺或丙烯酸之類的有機樹脂材料的第一中間層絕緣膜 6 1 9，作爲位準膜。 驅動電路部分6 5 0的電路結構在閘極訊號側驅動電 路和資料訊號側驅動電路之間有區別，但此處省略。η通 道T F Τ 6 5 2和ρ通道T. F Τ 6 5 3分別連接到接線 6 1 2和6 1 3，用這些TFT形成移位暫存器電路、閂 鎖電路、緩衝電路等。 在圖素部分6 5 1中，資料線6 1 4連接到開關 T F T 6 5 4的源極側，汲極側的接線6 1 5連接到電流 控制T F T 6 5 5的閘極6 1 1。另外，電流控制 T F T 6 5 5的源極側連接到電源線6 1 7，而汲極側上 的電極6 1 6連接到發光元件的陽極。 在這些接線上形成包括有機絕緣材料、如氮_化砍的_第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I ϋϋ ml ϋϋ 士m ϋ-ϋ n 1— an· \ V ......... 1----3 3 ϋϋ > 、T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -—II I I -I 1 I II 1-1 I -8- I —ft -33- 522577 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（31) 一中間層絕緣膜6 2 7。有機樹脂材料是吸濕的，具有吸 收Η 2〇的性質。當H 2〇再次放出時，把氧提供給有機化 合物，這成爲有機發光元件變壞的原因。因此，爲了防止 吸附作用和再放出Η 2 〇，在第二中間層絕緣膜6 2 7上形 成包含氮化政或氧氮化砂的第三絕緣膜6 2 〇。作爲選擇 ，有可能省略第二中間層絕緣膜6 2 7而僅形成第三絕緣 膜 6 2 0。 另外，可把氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁等用於第三絕 緣膜6 2 0。可以藉由使用氧化鋁或氮化鋁作爲靶的濺射 法來形成由上述物質中的每一種構成的薄膜。 在第三絕緣膜6 2 0上形成有機發光元件6 5 6，後 者包括：由透明導電材料如I Τ〇（氧化銦錫）製成的陽 極6 2 1 ;具有電洞注入層、電洞傳送層、發光層等的有 機化合物層6 2 3 ;以及使用鹼金屬或鹼土金屬如 M g A g和L i F製成的陰極6 2 4。有機化合物層 6 2 3的詳細結構是任意採用的，而其實例在實施例2中 的圖5 A至5 C中顯示。 不能對有機化合物層6 2 3和陰極6 2 4進行濕處理 (諸如用藥水鈾刻或用水淸洗）。因此，在有機絕緣膜 6 1 9上，依照陽極6 2 1設置由光敏樹脂材料製成的分 隔層6 2 2。形成分隔層6 2 2以便蓋住陽極6 2 1的端 部。具體來講，分隔層6 2 2加有負抗鈾劑，並且在烘焙 後形成具有大約1至2 μιη的厚度。此後，使用備有預定圖 樣的光掩模，並且對其照射紫外線以由此進行曝光。如果 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I ml IJI 1— ϋ4 -m —ϋϋ. In 裝· 訂 -34- 522577 A7 B7 五、發明説明（32 ) ^~~' — 使用具有低透射率的負抗蝕劑材料，在厚度方向上曝光的 薄膜的比率要改變。當分隔層顯影後，使得圖樣的端部具 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有圖6中所示的倒錐形。當然，可用光敏聚醯亞胺形成分 隔層。 圖8是形成有機發光元件的部分的詳細示意圖。在形 成具有倒錐形的分隔層6 2 2的端部後，藉由蒸發方法形 成有機化口物層623和陰極層624，由此可以形成有 機化合物層6 2 3和陰極層6 2 4，而不用轉到接觸陽極 6 2 1的分隔層6 2 2底部之下。由於在蒸發方法中從蒸 發源蒸發的材料具有方向性地附著在基底上，可以在圖8 中所示的狀態下（歸因於分隔層6 2 2的頂部和底部具有 倒錐形的步驟），在陰極6 2 1上形成有機化合物層和陰 極層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，圖9是說明圖素部分的結構的俯視圖，且G -G ’線的橫剖結構對應於圖8。按照設置在每個圖素中的 T F T來分別形成陽極6 2 1。這樣形成分隔層6 2 2以 便蓋住陽極6 2 1的端部，並且具有蓋住多個圖素的帶狀 。在由虛線圍成的區域6 9 0內，藉由蒸發形成有機化合 物層。按照具有圖8中所示的倒錐形的分隔層6 2 2形成 有機化合物層。類似地形成陰極6 2 4，而此陰極形成以 耦合在形成分膈層6 2 2的區域之外的區域、即圖素部分 外之區域。 包含具有小工作函數的鎂（M g )、鋰（L i )或鈣 (C a )的材料用於陰極6 2 4。最好使用由M g A g ( 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公~' -35 - 522577 A7 B7 五、發明説明（33 ) 其中M g與A g以M g : A g = 1 〇 : 1的比例混合的材 料）製成的電極。還可以使用MgAgA 1 、L i A 1 、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) L i FA 1、鎂、鎂合金以及鎂化合物。另外，在陰極 6 2 4上，使用氮化矽或DLC薄膜，形成厚度爲2至 30nm、最好是3至10nm的第四絕緣膜625。可 以藉由電漿C V D (化學蒸氣沉積）方法形成D l C薄膜 ，並且即使在1 0 0 °C或更低的溫度下形成，也可以形成 以令人滿意的覆蓋性覆蓋分隔層6 2 2的端部的D L C薄 膜。在D L C薄膜中混入少量氧或氮可以緩解d L C薄膜 的內應力，並省可以把D L C薄膜用作保護膜。而且，衆 所周知，D L C薄膜具有對氧、C〇、C〇2和◦的高 隔氣性。最好是接著形成第四絕緣膜6 2 5而不要讓陰極 6 2 4形成後曝露在大氣中。這是因爲陰極6 2 4和有機 化合物層6 2 3的介面狀況對有機發光元件的發射效率有 極大的影響。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上所述，不接觸分隔層6 2 2而形成有機化合物層 6 2 3和陰極層6 2 4以形成有機發光元件，由此可以防 止由熱應力導致的裂紋産生。另外，由於有機發光元件最 忌氧和Η 2 0，所以形成氮化矽或氧氮化矽和d L C薄膜 6 2 5以便阻隔氧和Η 2 0。另外，氮化矽或氧氮化矽和 D L C薄膜6 2 5還具有不讓有機發光元件的鹼金屬元素 釋出的作用。 在圖6中，開關T F Τ 6 5 4採用多閘極結構，而疊 層在閘電極上的低密度汲區（L D D )設置在電流控制 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X297公釐） — -36 - 522577 Α7 Β7 五、發明説明（34 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) T F T 6 5 5中。由於高工作速度，使用多晶矽的T F T 容易帶來由熱載子注入等引起的退化。因此，如® 6 +戶斤 示，按照圖素中各功能而具有不同結構的各T F T ( Μ關 T F Τ具有足夠低的截止電流，而電流控制T F T W熱載 子注入）的形成在製造具有高可靠性且能顯示令人胃白勺 影像（具有高工作性能）的顯示裝置上是極爲有效Μ ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖6中所示，在形成TFT6 5 4和6 5 5的半導 體薄膜的下層側（基底6 0 1側）形成第一絕緣膜6 0 2 。在與之相對的上層側，形成第二絕緣膜6丨8。另一方 面，在有機發光元件6 5 6的下層側上形成第三絕緣膜 6 2 0。在上層側上形成第四絕緣膜6 2 5。另外，在 T F T 6 5 4與6 5 5側與有機發光元件6 5 6側形成有 機絕緣膜6 1 9以便把這兩側整合在一起。基底6 0 1和 有機發光元件6 5 6是諸如鈉的鹼金屬污染源，它變成對 TFT654和655有害的雜質。TFT654和 6 5 5被第一絕緣膜6 0 2和第二絕緣膜6 1 8包圍，由 此阻擋該有害雑質。另一方面，由於有機發光元件6 5 6 最忌氧和Η 2 ◦，所以形成第三絕緣膜6 2 0和第四絕緣膜 6 2 5，以便阻擋氧和Η 2〇。第三絕緣膜6 2 0和第四絕 緣膜6 2 5還具有使得有機發光元件6 5 6的鹼金屬元素 不會逃逸之功能。 在具有圖6中所示結構的有機發光裝置中，可採用藉 由濺射方法、連續形成第三絕緣膜6 2 0和由以I Τ〇爲 代表的透明導電薄膜製成的陽極6 2 1的步驟，當成高效 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -37- 522577 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（35 ) 製造方法的一個實例。濺射方法適合於形成精細氮化矽薄 膜或氧氮化矽薄膜，而在有機絕緣膜6 1 9的表面上沒有 明顯破壞。 如上所述，藉由組合T F T和有機發光裝置來形成圖 素部分以完成發光裝置。在這種發光裝置中，可以在同一 基底上形成採用T F T的驅動電路。如圖6或7所示，作 爲T F T的主要構成部分的半導體薄膜、閘絕緣膜和閘電 極在上層側和下層側上被由氮化矽或氧氮化矽製成的阻擋 層和保護膜包圍。因此，T F T具有防止由鹼金屬或有機 材料造成的污染的結構。另一方面，有機發光元件局部地 含有鹼金屬並且被由氮化矽或氧氮化矽製成的保護膜和由 含氮化矽或碳作爲其主要成分的絕緣膜形成的氣體阻擋層 所包圍。因此，有機發光元件具有防止氧和Η 2 0從外部滲 入的結構。 如上所述，依照本發明，可以藉由在各元件不相互干 擾的情況下組合具有不同雜質特性的元件來製成發光裝置 。此外，可消除由應力造成的影響以提高可靠性。 實施例4 在實施例3中說明頂部閘極型T F Τ結構。但是，當 然也可以應用底部閘極或倒置參差型TFT。在圖7中， 藉由使用倒置參差型T F T在圖素部分7 5 1中形成開關 TFT754和電流控制TFT755。在基底701上 設置由鉬或鉅製成的閘極7 0 2和7 0 3以及接線7 0 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事 1· •項再填· 裝-- :寫本頁) i# -38- 522577 A7 ___ B7 _ 五、發明説明（36 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，並且在其上形成當成閘絕緣膜作用的第一絕緣膜7 0 5 。用氧化矽或氮化矽形成厚度爲1 〇 〇至2 0 0 nm的第 一絕緣膜7 0 5。 除了通道形成區外，在半導體薄膜7 06和7 0 7中 形成源或汲區和L D D區。設置絕緣膜7 0 8和7 0 9以 便形成上述各區，且保護通道形成區。第二絕緣膜7 1 0 是由氮化矽或氧氮化矽製成的，並且設置成使得半導體薄 膜不被鹼金屬、有機材料等污染。另外，形成由有機樹脂 材料如聚醯亞胺製成的第一中間層絕緣膜7 1 1。然後， 在形成接觸孔後，形成接線7 1 3至7 1 6，以及形成第 二中間層絕緣膜7 1 9。第二中間層絕緣膜7 1 9也是由 有機樹脂材料如聚醯亞胺製成的。在其上形成包括氮化矽 或氧化矽的第三絕緣膜7 1 2。在第三絕緣膜7 1 2上形 成接線7 1 3至7 1 6。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第三絕緣膜7 1 2上形成有機發光元件7 5 6的陽 極7 1 7，然後，由聚醯亞胺製成分隔層7 1 8。可以對 分隔層7 1 8的表面進行氬的電漿預處理以便使表面更精 細。但是，如圖7中所示，形成包括氮化矽薄膜的絕緣膜 7 1 9，並且可進行放氣防範處理。有機化合物層7 2 0 、陰極7 2 1和第四絕緣膜的結構與實施例2中的相同。 因此，可以用倒置參差型TFT製成發光裝置。 另外，可以在同一基底上利用倒置參差型T F T來形 成驅動電路。如圖7中所示，作爲T F T的主要構成部分 的半導體薄膜在上層側和下層側上被由氮化矽或氧氮化砂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） 一 一 -39- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522577 A7 __ B7 五、發明説明（37 ) 製成的第一絕緣膜和第二絕緣膜包圍。因此，T F T具有 防止鹼金屬或有機材料污染的結構。另一方面，有機發光 元件局部含有鹼金屬，並且具有藉由第三絕緣膜7 1 2和 第四絕緣膜7 5 7防止氧和Η 2 ◦從外部侵入的結構。如上 所述，提供了 一種即使在使用倒置參差型T F Τ的情況下 、藉由在各元件不互相干擾的情況下組合具有不同雜質特 性的元件來製成發光裝置的技術。 實施例5 於圖中顯示用於密封實施例3或4中形成的有機發光 元件的結構。圖1 0表示其上用T F Τ形成驅動電路 4 0 8及圖素部分4 0 9的元件基底4 0 1和密封基底 4 0 2藉由密封件4 0 5固定的情況。在元件基底4 0 1 與密封基底4 0 2之間的密封區中形成有機發光元件 403，並且在驅動電路408上或者在密封件405附 近設置乾燥劑4 0 7。有機發光元件4 0 3由分隔層 4 1 2所夾住形成。 有機樹脂材料如聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯（ PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚醚颯（ P E S )或者芳族聚醯胺可用於密封基底。有可能採用厚 度爲3 0至1 2 0 μ m的基底，以便基底具有彈性。在密封 基底的端部形成作爲氣體分隔層的D L C薄膜（第四絕緣 膜）4 0 8。但是，在外部輸入端4 0 4上沒有形成 D L C薄膜。用環氧樹脂基的粘合劑當成密封構件。沿密 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I- mi an 1^1 m —-ϋ ϋϋ ·ϋ_ϋ —ι_ϋ !— -13· ! - -I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -40- 522577 A7 B7 五、發明説明（38 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 封構件4 0 5、並且也沿著元件基底4 0 1和密封基底 4 0 2的端部形成D L C薄膜4 0 8，由此有可能防止 Η 2 0從上述部分滲入。 圖1 1是表示這種顯示裝置的外觀的示意圖。其中顯 示影像的方向隨有機發光元件的結構而不同。於此，藉由 向上發光來顯示。在圖1 1中所示的結構中，其上用 T F Τ形成驅動電路部分4 0 8和圖素部分4 0 9的元件 基底4 0 1與密封基底4 0 2藉由密封構件4 0 5結合在 一起。在圖素部分4 0 9中形成分隔層4 1 2。輸入端 4 0 4設置在元件基底4 0 1的端部，並且連接到軟性印 刷電路（F P C )。用於輸入影像資料訊號、各種時間訊 號的來自外部電路的電源的端子以5 Ο Ο μιπ的間隔設置在 輸入端4 0 4中。輸入端4 0 4藉由接線4 1 0連接到驅 動電路部分。另外，如有必要，其中形成C P U、記憶體 等的積體電路（I C)晶片4 1 1可藉由COG (玻板上 晶片）方法安裝在元件基底上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在基底的端部形成D L C薄膜，後者防止有機發光元 件由於水蒸氣、氧等從密封部分侵入而引起的退化。在有 機樹脂材料用作元件基底4 0 1或密封基底4 0 2的情況 下，可以在除輸入端部分之外的整個基底上形成D L C薄 膜。當形成D L C薄膜時，可以事先用遮罩蓋住輸入端部 分。 如上所述，可以藉由密封實施例3或4中形成的有機 發光元件來形成有機發光裝置。有機發光裝置的結構爲， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -41 - 522577 A7 B7 五、發明説明（39 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) T F T和有機發光元件都被絕緣膜包圍，雜質不會從外部 侵入。另外，藉由用密封件來把元件基底和密封基底互相 結合，並且端部覆蓋D L C薄膜以便由此提高氣密性。因 此，可以防止發光裝置退化。 實施例6 本發明可以應用於各種電子設備中所用的顯不媒體。 關於這種電子設備，可以提出的如攜帶型資訊終端（電子 書、移動式電腦、行動電話等）、視頻相機、數位相機、 個人電腦、電視機、行動電話等。圖1 3 A至1 3 G中顯 示這些實例。 圖1 3 A表示應用本發明的發光裝置而完成的電視機 ，它由殻30 0 1 、支持座3 0〇2、顯示部分3003 等構成。本發明的發光裝置用於顯示部分3 0 0 3。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 3 B表示應用本發明的發光裝置而完成的視頻相 機，它由主體3 0 1 1、顯示部分30 1 2、聲音輸入部 分3 0 1 3 '操作開關3〇1 4、電池3 0 1 5、影像接 收部分3 0 1 6等構成。本發明的發光裝置用於顯示部分 3 0 12° 圖1 3 C表示應用本發明的發光裝置而完成的筆記型 個人電腦，它由主體3021、殼3022、顯示部分 3023、鍵盤3024等構成。本發明的發光裝置用於 顯示部分3 0 2 3。
圖1 3D表示應用本發明的發光裝置而完成的PDA 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -42- 522577 A7 _B7____ 五、發明説明（4〇 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (個人數位助理），它由主體303 1、尖筆3032、 顯示部分3 0 3 3、操作鈕3 0 3 4、外部介面3〇3 5 等構成。本發明的發光裝置可用於顯示部分3 0 3 3。 圖1 3 E表示應用本發明的發光裝置而完成的聲音播 放裝置，具體而言，即用於汽車的音頻裝置，它由主體 3 0 4 1、顯示部分3 0 4 2、操作開關3 0 4 3、 3 0 4 4等構成。本發明的發光裝置用於顯示部分 3 0 4 2。 圖1 3 F表示應用本發明的發光裝置而完成的數位相 機，它由主體3051、顯示部分（A) 3052、接目 鏡部分3 0 5 3、操作開關3 0 5 4、顯示部分（B ) 3 0 5 5、電池3 0 5 6等構成。本發明的發光裝置用於 顯示部分（A ) 3 0 5 2和顯示部分（B ) 3 0 5 5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 3 G表示應用本發明的發光裝置而完成的行動電 話，它由主體3061、聲音輸出部分3062、聲音輸 入部分3 0 6 3、顯示部分3 0 6 4、操作開關3〇6 5 、天線3 0 6 6等構成。本發明的發光裝置用於顯示部分 3 0 6 4。 應當指出，這裏所示的電子設備是一些實例，本發明 不限於這些應用。 如上所述，藉由應用本發明，可以防止由有機發光元 件的應力造成的退化。另外，在本發明中，作爲T F T的 主要構成部分的半導體薄膜、閘絕緣膜和閘電極在下層側 和上層側上被由氣化砂或萄1熱化砂製成的第一*絕緣層和第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格Ί： 210X297公釐） ' •43- 522577 A7 ________ B7 五、發明説明（41) 一絕緣層包圍。因此，T F T具有防止由鹼金屬或有機材 料造成污染的結構。另一方面，發光元件局部地含有鹼金 屬，並且被由氮化矽或氧氮化矽製成的第三絕緣層和由含 作爲其主要成分的絕緣膜形成的第四絕緣層所包圍。因 此，在有機發光元件中可防止氧和Η 2 ◦從外部滲入的結構 °因此，可以藉由在各元件不互相干擾的情況下組合具有 不同雜質特性的元件來製成發光裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中周國家榡準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -44-

Claims (1)

  1. 522577 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍彳 1 · 一種發光裝置，包含： 包含氮化矽或氧氮化矽的第一絕緣層； 在該第一絕緣層上的包含氧氮化矽的第二絕緣層； 在該第一絕緣層和該第二絕緣層之間形成的薄膜電晶 體，該薄膜電晶體具有包含矽的半導體層、閘絕緣膜和閘 電極； 在該第二絕緣層上的包含氮化矽或氧氮化矽的第三絕 緣層； 在該第三絕緣層上的包含碳的第四絕緣層； 在該第三絕緣層和該第四絕緣層之間形成的發光元件 ，該發光元件包括陽極、有機化合物層和包含鹼金屬的陰 極；以及 在該第三絕_緣層上包含絕緣材料的t隔！， 其中在分隔層之間形成該發光元件。 2 .如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第四 絕緣層包含類金鋼石碳。 3 .如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中在該第 二絕緣層與該第三絕緣層之間設置有機樹脂層。 4 · 一種發光裝置，包含： 包含氮化砂或氧氮化砂的第一絕緣層； 在該第一絕緣層上的包含氧氮化矽的第二絕緣層； 在該第一絕緣層和該第二絕緣層之間形成的薄膜電晶 體，該薄膜電晶體具有包含矽的半導體層、閘絕緣膜和閘 電極； 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -45- 522577 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍2 在該第二絕緣層上的包含氮化矽或氧氮化矽的第三絕 緣層； 在該第三絕緣層上的包含碳的第四絕緣層； 在該第三絕緣層和該第四絕緣層之間形成的發光元件 ，該發光元件包括陽極、有機化合物層和包含鹼金屬的陰 極；以及 在該第三絕緣層上、包含絕緣材料的分隔層， 其中在分隔層之間形成該發光元件，和 其中該分隔層具有上部在平行於基底方向上突出的形 狀。 5 .如申請專利範圍第4項之發光裝置，其中該第四 絕緣層包含類金鋼石碳。 6 ·如申請專利範圍第4項之發光裝置，其中在該第 二絕緣層與該第三絕緣層之間設置有機樹脂層。 7.—種發光裝置，包含： 包含氮化矽或氧氮化矽的第一絕緣層； 在該第一絕緣層上的包含氧氮化矽的第二絕緣層； 在該第一絕緣層和該第二絕緣層之間形成的薄膜電晶 體，該薄膜電晶體具有包含矽的半導體層、閘絕緣膜和閘 電極； 在該第二絕緣層上的包含氮化矽或氧氮化矽的第三絕 緣層； 在該第三絕緣層上的包含碳的第四絕緣層； 在該第三絕緣層和該第四絕緣層之間形成的發光元件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) — tsmmsa fauKse 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ------ 46- 522577 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍3 ，該發光元件包括陽極、有機化合物層和包含鹼金屬的陰 極；以及 在該第二絕緣層上的包含絕緣材料的分隔層， 其中在分隔層之間形成該發光元件，和 其中該有機化合物層和該陰極設置成不接觸該分隔層 〇 8 ·如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中該第四 絕緣層包含類金鋼石碳。 9 .如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中在該第 二絕緣層與該第三絕緣層之間設置有機樹脂層。 10.—種發光裝置，包含： 包含氮化矽或氧氮化矽的第一絕緣層； 在該第一絕緣層上的包含氧氮化矽的第二絕緣層； 在該第一絕緣層和該第二絕緣層之間形成的薄膜電晶 體，該薄膜電晶體具有包含矽的半導體層、閘絕緣膜和閘 電極； 在該第二絕緣層上的包含氮化砂或氧氮化砂的第三絕 緣層； 在該第三絕緣層上的包含碳的第四絕緣層； 在該第三絕緣層和該第四絕緣層之間形成的發光元件 ，該發光元件包括陽極、有機化合物層和包含鹼金屬的陰 極；以及 在該第三絕緣層上的包含絕緣材料的分隔層， 其中在具有上部在平行於基底的方向上突出的形狀的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T —φ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -47- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522577 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍4 該分隔置之潤形成該良光元件，且 其中該有機化合物層和該陰極設置成不接觸該分隔層 Ο 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之發光裝置，其中該 第四絕緣層包含類金鋼石碳。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之發光裝置，其中在 該第二絕緣層與該第三絕緣層之間設置有機樹脂層。 13.—種發光裝置，包含： 基底； — 在該基底上的閘電極； 在該閘電極上的包含氮化矽或氧氮化矽的第一絕緣層 在該第一絕緣膜上的半導體薄膜； 在該半導體薄膜上的包含氧氮化矽的第二絕緣層； 在該第二絕緣膜上的包含氮化矽或氧氮化矽的第三絕 緣層；以及 在該第三絕緣層上的發光元件，該發光元件包括陽極 、有機化合物層和包含鹼金屬的陰極； 在該發光元件上的包含碳的第四絕緣層；以及 在該第三絕緣層上的包含絕緣林料的分隔層， 其中在分隔層之間形成該發光元件。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之發光裝置，其中該 第四絕緣層包含類金鋼石碳。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項之發光裝置，其中在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ 【—m (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ ----- -48- 522577 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍5 該第二絕緣層與該第三絕緣層之間設置有機樹脂層。 16· —種發光裝置，包含·· 基底， 在該基底上、包含從由氮化矽和氧氮化矽組成的組中 選擇的材料的第一絕緣層； 在該第一絕緣層上形成的多個薄膜電晶體； 在該多個薄膜電晶體上的包含氧氮化矽的第二絕緣層 在該第二絕緣層上、包含從由氮化矽和氧氮化矽組成 的組中選擇的材料的第三絕緣層； 在該基底上排列成矩陣的多個發光元件，其中，該多 個薄膜電晶體操作的連接到該多個發光元件，該發光元件 中的每一發光元件包含陽極、包含鹼金屬的陰極以及在該 陽極與該陰極之間的有機化合物層； 在該第三絕緣層上形成並且平行延伸的多個分隔層； 以及 在該多個發光元件上形成的含碳的第四絕緣層，其中 每一發光元件***該第三和第四絕緣層之間， 其中，排列在該矩陣的同一行或同一列中的該發光元 件設置在該多個分隔層中的相鄰層之間或沿著該相鄰層排 列。 ]_ 7 .如申請專利範圍第1 6項之發光裝置，其中該 第四絕緣層包含類金鋼石碳。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之發光裝置，其中在 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -49- 522577 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍6 該第二絕緣層與該第三絕緣層之間設置有機樹脂層。 1 9 .如申請專利範圍第1 6項之發光裝置， 多個分隔層與該發光元件的陰極和該有機化合物層隔 其中該 開。 2 0. 基底； 種發光裝置，包含 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在該基底上、包含從由氮化矽和氧氮化矽組成的組中 選擇的材料的第一絕緣層； 在該第一絕緣層上形成的至少一個薄膜電晶體； 在於薄膜電晶體上的包含氧氮化砂的第二絕緣層； 在該第二絕緣層上、包含從由氮化矽和氧氮化矽組成 的組中選擇的材料的第三絕緣層； 至少一個發光元件，其中該薄膜電晶體操作的連接到 該發光元件，該發光元件包括陽極、包含鹼金屬的陰極以 及在該陽極與該陰極之間的有機化合物層；以及 在該第三絕緣層上的至少第一和第二分隔層，其中該 發光元件設置在該第一和第二分隔層之間， 在該發光元件上形成的包含碳的第四絕緣層，其中該 發光元件***該第三和第四絕緣層之間， 其中在第一和第二分隔層的頂部、該第一和第一分隔 層相對邊緣之間的距離小於在第一和第二分隔層的底部' 該第一和第二分隔層相對邊緣之間的距離。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之發光裝置，其中該 第四絕緣層包含類金鋼石碳。 22 ·如申請專利範圍第2 0項之發光裝置，其中在 | 裝 I~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) τI-·. d意事項再填古 訂 :秦， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -50- 522577 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利乾圍7 該第二絕緣層與該第三絕緣層之間設置有機樹脂層。 2 3 .如申請專利範圍第2 0項之發光裝置，其中該 多個分隔層與該發光元件的陰極和該有機化合物層隔開。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -51 -
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