TW515005B - Vacuum plasma processor apparatus and method - Google Patents

Description

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明有關一般電漿處理器，包括無線電頻率（射頻) 響應線圈(coil)，用以激勵真空室中之氣體成為電漿，處理 該至内私序工件’及尤指此—處理器包括—實質扁平線 圈’具有實質對稱與不對稱繞圈（turn)，及有關此種線圈。 本毛月另、方面有關一種具有不同直徑之圓形工件電漿處 理方法，尤指一種方法，其中相同室或複數室具有相同幾 何空間，當處理具有不同周邊長度卫件時，_合於具有不 同周邊尺寸之射頻激勵線圈。 一種處理器，在真空室内以射頻電漿處理工件，包括 -響應射頻源之線圈。線圈響應射頻源產生磁與電場，用 以激勵室中可離子化氣體成電漿。通常線圈係置於或鄰接 於一介電窗，其延伸方向大致平行於所處理工件水平平面 延伸之表面。激勵之電漿與工件在室中互作姓刻或沉積材 料在上=。工件係一典型半導體晶圓具有-平面圓形表面 或-固態介電板’即-使用於爲平面板顯示器之矩形玻璃 基材，或一金屬板。

Ogle吴國專利4, 948, 458揭示-種多繞圈螺旋線圈， 用以達成上述結果。螺旋，通常係阿基米得型，徑向延伸 並圍繞於其内部與外部端子之間，其中端子係經由一阻抗 匹配網路連接至射頻源。此一般類型之線圈產生振盈射頻 場，具有磁與電谷性場成分，經由其介電窗傳播至室中靠 近該窗電聚部分以加熱氣體中之電子。電聚電流感應之振 盪射頻場使電漿電子加熱。接近窗之電聚部分之磁場空間 分布係每-線圈繞圈產生之個別磁場成分的加總函數。由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）

4 五、發明說明（2 ) 母繞圈產生之磁場成分係每一繞圈中射頻電流大小的函 數’由於線圈射頻源頻率的傳輸線效應，射頻電流大小會 因不同的繞圈而不同。 根據0gle，458專利所揭示的螺旋設計，在螺旋線圈中 之射頻電流係、經分布在靠近窗電装部分以產生—環形磁場 區，該處即為氣體吸收功率將氣體激勵成電漿之所在。在 低壓力，於L0至10毫陶爾（mT〇rr)範圍，環形電浆的擴散在 室周邊部分與玉件中心，上方處產生電㈣度峰值，使處 理工件之離子與電子的峰值密度就在工件中心線與工件周 邊附近。在中等壓力範圍，1〇L〇〇mT〇rr範圍，電子，離 子與中子在電漿中的氣相撞擊可防止環形區外㈣漿電荷 粒子的貫負擴散。結果，在工件環狀區有較高電漿通量， 但在工件中心與周邊部分則為較低電漿通量。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 這二不同的工作條件在環與環内與環外體積之間相當 大的電漿通量（即電漿密度）變化，造成工件入射電漿通量 一實質標準差。入射於工件上的電漿通量係以工件的蝕刻 率量測，單位為埃/分；〇§4型線圈蝕刻率均勻性的標準差 典型在3.0%以上。入射於工件上之電漿通量大量標準差可 能造成不均勻的工件處理，即工件不同部分有不同程度的 >貪虫刻及/或有不同分子量沉積在上面。 有許多線圈已設計用來改良電漿均勻性。19986月2曰 頒發於共同授權Holland et al·之美國專利，揭示一種在商 用實施例中有一直徑12”線圈與一真空室連接操作，具有一 14.0吋内側壁圓直徑。線圈通過一 147吋直徑與〇·8吋均勻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 五、發明說明（3 ) 厚度之石英窗，施加磁與電場至室内部。直徑2〇〇亳米圓形 半導體晶圓工件係置於窗底面下方約4 7，，之工件支架上， 使每一工件中心與線圈中心線重合。 280專利之線圈在工件上產生之電漿通量變化甚小於 ’458專利線圈。專利，28〇線圈在此室工作於5亳丁〇^之2⑼亳 米晶圓上，所產生電漿通量之蝕刻率均勻性標準差約為 2.0%，比專利’458線圈工作於相同條件之標準差3%改善甚 多。’280專利線圈產生之磁場，在工件中心之電漿密度大 於工件中間部分，中間部分又大於工件周邊之電紧密度。 ’280專利線圈在室内不同部分之電漿密度變化甚小於相同 工作條件之’458專利線圈，故能產生較低之標準差。 以300毫米直徑圓形半導體晶圓之經驗，可建議使用相 同真空室作為200亳米與3〇〇毫米直徑圓形半導體晶圓之電 漿處理。第1圖係一處理器之圖示，用以處理具有兩種直徑 之晶圓。第1圖說明之處理器類型係在不同時間可處理兩種 直徑的同一處理器或複數個處理器，具有相同幾何空間可 用來分離處理200毫米與3〇〇毫米直徑之晶圓。 第1圖之真空電漿工件處理器包括真空室1〇，其筒狀形 狀包括接地金屬壁12具有一 2〇”内部直徑，金屬底板14，及 圓形頂板構造18，包含一介電窗構造19，自其中心至其周 邊具有相同厚度及一直徑超過室1〇之内部直徑，可使窗承 罪於壁12之頂端邊緣。真空室1〇之密封係以傳統密合墊提 供（未圖示）。第1圖之處理器係典型用來蝕刻一圓形半導體 晶圓（即基材）或沉積分子於此晶圓上。 請 先 閱 讀 背 之 意 事 項

頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 五、發明說明（4 ) 可激勵成電t狀態之適於離子化氣體係自一氣體源 (未圖示）經由窗19埠22供應至室10内部。室1〇内部係維持 於真空條件，其壓力可利用一真空泵（未圖示），連接於底 板14之埠20，使其在1-1 〇〇毫τ〇ΓΓ範圍内變化 至内氣體係由一適當電源激勵，可提供一電漿密度較 〇gle’458專利所揭示線圈激勵之電漿更均勻。電源包括一 貫質平面金屬線圈24具有一正方形截面與一中空内部；線 圈24係典型由正方形銅管製成。線圈24係緊鄰裝設於窗19 上方亚由射頻電源26激勵，典型具有13·56ΜΗζ之固定頻率 及通常具有一固定波幅。線圈24内之電流於室内窗19附近 產生一夠大之磁通量，以激勵室内可離子化氣體成為電漿。 阻抗匹配網路28，連接於射頻源26與線圈24激勵端子 之間，耦合射頻源輸出至線圈阻抗匹配網路28包括可變電 抗（未圖示），由一控制為（未圖示）以公知方式變動，以達成 源26與負載間之阻抗匹配，其負载包括線圈及線圈驅動 之電漿負載。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圓形工件32，具有200毫米或3〇〇毫米直徑，係固定裝 設於室10内圓形工件支架（即夾頭或平台）3〇表面；承載工 件32之夾頭30表面係平行於窗19表面。夾頭3〇，典型為靜 電型’具有兩個不同直徑的一種，視室_在特定時間所 處理工件之直徑而定。工件32通常係靜電籍夹於炎頭3〇表 面，即以一直流電源（未圖示）之直流電位施加於夾頭之一 或多個電極（未圖示）。 射頻源31供應一具有定值波幅之射頻電壓至包括 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 7 515005 A7

五、發明說明（5 ) 電抗（未圖示）之阻抗匹配網路33。匹配網路33轉合源31輸 出至爽頭30電極。一控制器（未圖示）控制匹配網路％之可 變電抗，以匹配源3 1阻抗與耦合於夾頭3〇電極之負載阻 抗。搞合於電極之負載主要係室10之電漿。公知的，施加 於夾頭3 0電極之源3 1射頻電壓與電漿中之電荷粒子相互作 用，會在工件32上產生一直流偏壓。 包圍平面線圈24並延伸於頂端板18上方之金屬管或遮 蔽34具有一方形截面，線圈即裝設於其中。遮蔽34可使周 圍環i兄與發自線圈24之電磁場解耦合。遮蔽34與線圈周邊 區域之間的距離足以防止遮蔽34大量吸收線圈24周邊區域 產生之磁場。 筒形室10直徑較線圈24外部直徑大，足以防止室壁12 大量吸收線圈周邊區域所產生之磁場。介電窗構造19直徑 大於室10内部直徑，其範圍使室1〇整個上表面可容納介電 窗構造19。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 工件32處理表面與介電窗構造丨9底表面之間距離係經 選擇，可提供在工件露出之處理表面上有最均勻的電漿通 里。典型的，工件處理表面與介電窗底部之間的距離約為 室10之0.3至0.4倍；室12内部直徑係20”，具有先前技藝，28〇 專利形狀，用以處理2〇〇毫米直徑晶圓之線圈2之直徑係 ，遮蔽34長度每一側為23-1/2，，， 及工件處理表面與介電窗底部之間的距離係6〇 ”。 平面線圈24作用如同一傳輸線，可沿線圈長度產生一 駐波式樣。駐波式樣係由射頻電壓大小與電流沿線圈的變 本紙張尺^翻中國國家標準（CNS)A4規格（21G x 297公爱） -- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515005 A7 B7 五、發明說明（6 ) 化而產生。線圈產生之磁通量與這些射頻電流的相依性， 造成在線圈不同部分下方室10之不同部分亦產生不同的電 漿量。平面線圈24中射頻電流之傳輸線行為，使周邊線圈 段較中心線圈段產生更多的磁通量。此結果係以射頻激勵 線圈24達成，使周邊線圈段成為最大射頻電流之區域。 如第2圖之說明，具有’280專利形狀之平面線圈24包括 内部實質半圓形環40，42及周邊實質為圓形段46與48，及 一中間實質圓形段44。每一環40與42形成線圈24幾乎一半 的繞圈，而每一環44，46與48則幾乎形成整個繞圈；整個 與半個繞圈係彼此串接。所有段40，42，44，46與48係與 中心線圈軸50共軸，及當晶圓箝夾定位於夾頭30上時，與 室10中心軸及晶圓32中心重合。在線圈24中心部分，相反 激勵端子52與54係以接線5 8與56分別經由匹配網路28與電 容器80電極之一耦合至射頻源26之相反端子，電容器另一 電極係接地。在環40端與端子52相反之端子60係以大約位 於線圈24平面上方之金屬帶64連接至外環段48之末端端子 66。相鄰段40，42，44，46與48之間的間隔及帶64與線圈 24其餘部分之間的間隔係大到足以防止其間發生電弧。 4〇，42，44，46與48各段夕卜綠之半徑係分另為2，，，2，，，3.5，，， 5.5”與6.5” 。 段48有一第二端子68與端子66之間稍小於360° ;端子 68係經由帶子72連接於環段46端子70。具有一幾乎360°角 度範圍之環46有一第二末端端子74經由徑向及圓周延伸帶 78連接至環44端子76。具有一幾乎360°角度範圍之環44 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 515005 A7 B7 五、發明說明（ 有一第二末端端子80係徑向及圓周延伸帶82連接至段42與 端子54相反之末端端子62。 電容器80，具有一電容性阻抗Zcap=1/(j2;rfc)，其中 ，f係射頻源26頻率，及C係電容器8〇，移動相位及 電壓與電流在整個線圈24長度上的分布位置。分布在線圈 24中之電壓與電流的移位，使線圈產生之射頻電與磁場， 在工件32處理表面上所提供之電漿通量，比〇gk在專利 498揭示類型之線圈激能所產生之通量更為均勻。 線圈24之電壓與電流係經由選擇電容器8〇的值而分 布，故線圈端子54之峰對峰射頻電流係最小且等於線圈端 子52之峰對峰射頻電流。在此種條件，線圈在端子52與54 有極性相反之最大峰對峰射頻電壓，及線圈最大射頻電流 出於接近傳導帶72處。線圈中射頻電壓與電流分布可由下 式取得近似值：

VpicpkdvVpkMOc+x0)]及 Ipkpk(x)=I〇PkpkSin[/3 (χ+χ0)], 其中： χ 係自線圈端子54所量測之線性距離 /5係射頻源26角頻率（即2 7Γ f)，除以光束c， X係自令之偏置’由電容器8 0值測定，及 V pkpk* I pkpk係分別為線圈中最大之射頻峰對峰電壓 與電流。 電容器80之值的選擇，使XG約為流經線圈射頻電流波 長（λ =c/f)之0.15倍。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 之. 注 意 事 項- Si 寫 本 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 ^005 ^005

線圈24周邊區域比線圈中心區域產生較大的磁通量， 因為’線圈周邊段之峰對峰電流的大小大於中心段峰對译 電流的大小。最大峰對峰射頻電流幅度係發生於實質圓形 %段46。在相鄰環段料與料及環段扑及環段料，乜與μ彼 此間隔中之蜂對峰射頻電流幅度，使這三個環段之磁通量 在二門、、且σ長1供一總磁通量密度，在窗1 9正下方較廣的 核形面積上具有-最大值。環形面積自環段46與48之間延 伸至中間段44與内部段40與42之間。 流經線圈不同部分之射頻電流大小的變化係在空間上 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

平均化，有助於產生一比〇§卜，498專利線圈更均勻之晶圓 32入射電漿。先前認為在線圈不同部分空間平均化這些不 同電流值，可防止電漿密度實質的非徑向不對稱，特別是 在接近線圈周邊之線圈段的高射頻電流區域。總磁通量為 角座標Θ之函數’亦比〇gle’498專利線圈的情況更能保持 定值’（其中0代表線圈周邊相對於延伸通過線圈中心點咒 參考角的角度，參考角即係水平延伸於第2圖至中心點％ 左側）。 空間平均之磁通量係定值沿著一特別座標值0，提供 比Ogle’458專利所揭示線圈所產生電漿一沿著0更為徑向 對稱之電漿。在兩實質半圓形，相等半徑段4〇與42中之峰 對峰射頻電流幅度係顯著小於其他段之電流幅度。段4〇與 42取得充分磁通量，即與取自其他段料，牝與料磁通量之 空間平均量，使工件處理表面準位產生之電漿通量，在橫 跨室直徑上比Ogle專利線圈所達成者更為均勻。 ^--------1---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 515005 A7 五、發明說明（ 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 靜電（即電容性）耗合於平面、線圈24不同部分電壓之電 裝（例如，在相同角座標位置Θ環段46與48部分之間Θ)， 對所產生之電聚通量均勾性有影響。這些電墨對電浆之電 容性耗合與發生在線圈段之峰對峰電壓大小及分離線圈及 電漿之窗19介電材料厚度有關。射頻電壓產生之電容性電 流的影響，可由發生於端子52與54之最高射頻峰對峰電取 使其減至最小。線圈24幾何空間及正破選擇電容器8〇的值 可使最高射頻峰對峰電壓出現於端子52與54。平面線圈Μ 射頻激勵產生-實質平面電漿，其通量在整個m上比 Ogle’458專利線圈更為均均。 由於積體電路特性日趨小型化，我們發現由第2圖說明 線圈產生之200毫米晶圓之入射電漿的均勻性經常不足。 電衆係由所言兒明13忖直徑'線圈所激勵日寺，在第旧處理器V 成之200毫米晶圓上有一不對稱直經電聚通量分布。此不對 稱足以對毫料㈣晶圓上所形成之請微米特性半 V肢裝置產生不良影響。特別是，我們發現圓形細毫米聚 矽晶圓71上之蝕刻率，如第3圖所示區域72，74，％， 與80,當晶圓係以第！圖說明處理器在約2〇毫丁〇^真空， 時以第2圖線圈連接於13·56ΜΗζ射頻源％激勵處理器之 體時。晶圓周邊包括一定位凹槽，如第3圖所示點乃。 定位裝置（未圖示）將晶圓71置於室1〇中，使凹槽自垂直 75順日寸偏置1〇 ’第3圖，延伸通過晶圓中心點川。 晶圓71中心點70係由具有最大蝕刻率以”埃/分之② 域包圍。區域72係有些不對稱，纟中心點7()左側比右側具

田 形 訂 78 同氣 線 本紙張尺度適財關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐—

I 515005 A7 B7 五、發明說明（ 有較大的範圍’如第3圖所示。區域74包圍區域72,具有23 78 與2396埃/分之間的蝕刻率。區域74延伸於晶圓71左側邊緣 沿晶圓左側邊緣擴展成約1〇〇。之弧長。區或74亦稍延伸於 區域72右側及在晶圓内有一大約圓形之周邊輪廓。 在右側大約弦狀之區域76，78與8〇，及在中心點7〇與 區域74上下方’分別表示在範圍2398-2418埃/分， 2418-2438埃/分及2438埃/分以上之蝕刻率。區域76在晶圓 71周邊上有一弧長，約在晶圓周邊中心點7〇上方。及下 方15 ，區域78在晶圓71周邊上有一弧長，約在中心點7〇 上方15及中心點70下方2〇。，同時區域8〇有一弧長約在 晶圓右側邊緣170。。一般而言，蝕刻率有一單一變化，自 區域76左側邊緣延晶圓邊緣至區域8〇周邊。 晶圓71有一平均蝕刻率2412埃/分及一非均勻性 1.4% ’ -個£標準差。高度均句性通常足以處理大於〇18 微米特性之先前技藝2〇〇毫米晶圓，即姓刻此晶圓之材料及 在晶圓上沉積材料。但隨著積體電路的進步，其特性曰趨 小於0.18微米，第3圖以第2圖線圈達成之均勻性即無 常合用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 分析第3圖可看到與區域76,78與8〇相關之電漿密度不 對稱，全部主要在中心點70右側，區域72與74也是一樣。 我們已實現減少區域76, 78與80相關的電聚密度變化：極 可能致能其電㈣度均句性比第2圖說明線圈所能達成 增加一很大的程度。 、 因此，本發明目的即在提供-新且改良之真空電· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 515005 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 理器與射頻電漿激勵線圈，用以在圓形工件上達成一高均 勻性之電漿通量（即電漿密度）。 本發明另一目的在提供一新且改良之真空電漿處理 裔’由一新且改良幾何空間之線圈激勵其射頻電漿，在一 圓形工件上達成一較大均勻性的電漿密度。 本發明另一目的在提供一新且改良之電漿處理器及線 圈用以蝕刻晶圓，使其非均勻性能小於一 ε標準差的 1.4% 〇 σ本發明另一目的在提供一新且改良之真空電漿處il 器，具有一新且改良之射頻激勵線圈，特別適用於特性々 於〇·18微米之積體電路製造。 本發明另一目的的在提供一新且改良之方法，用以操 作工件幾何空間相同之電漿處理器，但能在相同處理器室 或具有相同幾何空間之各室中處理不同尺寸。 本發明另-目的在提供_新且改良之方法，用以操作 電漿處理器，使200與300亳米直徑之圓形半導體晶圓可在 相同處理器室或在具有相同幾何空間之各室中處理。 根據本發明—特點，—實質平面線圈用以供應射頻電 漿激勵場至一圓形工件真空電漿處理之可離子化氣體，其 圓形工件適於放置在卫件支架的特別位置，包括⑷多數= 軸繞圈相對於線圈中心點實質對稱配置，及（b)至少一另外 的繞圈相對於線圈中心點非對稱的配置。 本發明亦有關一種真空電装處理器，包括此_線圈。 本發明另-特點有關-種真空電漿處理器，用以^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21^7^7^^

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五、發明說明（ 12 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 員形工件’使其在工件上達成比另—真空電襞處理器更大 的電襞密度均勻性。另一處理器包括一實質平面射頻線 圈，具有四個同心串聯連接之圓形繞圈及兩個中心定位之 激勵端子連接於-射頻激勵源。另一處理器，當激勵時造 成工件上電漿密度分布成為直徑不對稱，即沿著工件第一 側工件邊緣_實質孤長度之電㈣度係與沿著工件第二側 工件邊緣一實質弧長度之電漿密度實質不同。第一與第二 側上之弧長度係彼此大約直徑相對。處理器包含⑷一真空 室供以電漿處理工件，(b)室中一工件支架，⑷一實質平面 線圈用以激勵室中氣體成電漿，及⑷一射頻源用以激能線 圈。線圈包括（a)多數個圓形共軸同心繞圈具有一共用中心 點，（b)中心激勵端子具有以射頻源驅動之連接，及（^至= 一另外的繞圈具有一幾何空間與另一繞圈不同，以實質^ 少電漿密度之直徑不對稱及在工件上提供比另—操作於才 同條件之電漿處理器更大的電漿密度均勻性。 、 至少一另一繞圈宜包括拱形部分，與中心點具有不 的間隔，使（a)靠近中心點之拱形部分對齊在另一處理器 具有較高電漿密度之卫件部分，及⑻離中心點較遠之棋 部分係對齊於在另一處理器中具有較低電漿密度之工件. 分。 在一貫施例巾至少一丨外的繞目包括第一與第二棋 ^刀。第—與第二部分係具有不同半徑圓圈的扇區及一 =中心點係與多數個繞圈中心點實f相同。在本發明所 實施例中，至少_另外的繞圈，除了與相鄰繞圈連接部 ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

15 A7 ----------B7___ 五、發明說明（13 ) 之外，宜為一閉合形狀。 在另貝％例中，至少一另外的繞圈有一圓圈形狀， 具有一中心自共同中心點移位至工件側面，在由另-處理 裔處理時具有實質較低之電装密度。 在一較佳實施例中，線圈僅有四繞圈，其中三個係多 數個繞圈’及僅有其中一個係至少一另外的繞圈。另外的 繞圈係在最大與第二最小半徑之多數個繞圈之間。激勵端 子係在具有最小半徑之繞圈上。自中心點開始漸行擴大分 離之繞圈係彼此直接連接，同時，具有最大與最小半徑之 繞圈係彼此直接連接。 在另一實施例中，至少一另外的繞圈包括（a)一第_圓 圈扇區部分，其中心與線圈中心點重合，（b)一第二部分自 第一部分第一末端實質直線延伸及（c) 一第三部分自第一 部分第二末端實質直線延伸。第一部分宜***成第一與第 二段，分別具有第三與第四末端連接於射頻源。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此種線圈宜包括第一與第二另外的繞圈。一另外的繞 圈係較弟一另外的繞圈靠近於線圈的中心點。至少一另外 的繞圈的兩個有先前討論的形狀。兩個另外的繞圈之圓圈 扇區係拱形對齊。兩個另外的繞圈直線部分彼此實質平行 延伸。另外的繞圈之第一與第二個係線圈最靠近線圈中心 點之繞圈。 本發明另一特點有關一種處理工件的方法，具有不同 之第一與第二周邊長度，在相同真空電漿處理室或在具有 相同幾何空間之各真空電漿處理室中，具有相似形狀之幾 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 515005 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 __ 五、發明說明（14 ) 何空間。此方法包括步驟，使具有第一與第二不同周邊大 小之射頻電漿激勵線圈搞合於室或各室中之可離子化氣 體，同時具有第一與第二周❹度之工件係分別在室或各 至内處理，同時該室或各室係真空及射頻能量係供應至線 圈用以激勵氣體成一處理電漿。第一周邊長度超過第二周 邊長度，及第一周邊大小係大於第二周邊之大小。 較佳的，工件係圓形及每一線圈包括多數個實質圓形 共軸繞圈，具有一中心點對齊於圓形工件中心點及每一線 圈包括至少一繞圈不對稱於線圈中心點。 本發明以上及其他另外的目的，特點與優點可由以下 數個特定實施例的詳細說明而瞭解，特別是與附圖一起參 考。 少 第1圖係說明一可應用本發明改良線圈之真空電漿處 理器之圖示。 第2圖係說明一線圈頂視圖，實質與先前提到之 Holland etal.專利所說明形狀相同； 第3圖係說明根據本發明一較佳實施例在處理一 2⑻毫 米直徑晶圓所使用之線圈蝕刻率頂視圖； 第4圖係根據本發明一較佳實施例在處理一 2〇〇毫米直 徑晶圓所使用之線圈蝕刻率頂視圖； 第5圖係第4圖所說明線圈之頂視圖； 第6圖係第一圖處理器以第4圖與第5圖線圈處理晶圓 之蝕刻率頂視圖； 第7圖係以第1圖處理器所使用線圈處理一 3⑼毫米直 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） t--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 A7

五、發明說明（15 ) 經晶圓的頂視圖；及 第8圖係根據本發明另一線圈實施例之頂視圖。 第4與第5圖線圈取代第2圖線圈使用於第1圖之處理器 中’其組態與第2圖線圈非常相似，其中第4與第5圖線圈有 一 13对外部直徑及包括中心點5〇，實質半圓形繞圈段4〇與 42 ’幾乎圓形繞圈44，及幾乎圓形繞圈48。每一段4〇，42， 44與48係位於中心點50半徑上，段4〇與42係最靠近中心 點；繞圈44係位於大於段40與42半徑的半徑上，及繞圈48 係比線圈任何其他部分離中心點5〇更遠。激勵端子52與54 係分別位於段40與42之第一末端，同時段4〇與42第二末端 60與62係以徑向及圓周延伸金屬帶64與82，宜以段糾與斗〕 及線圈繞圈相同材料製成，分別連接於末端點66與8〇或繞 圈48與44之端子；其材料典型為銅。 第2與第4圖線圈之間的主要差異係第4圖線圈包括不 對稱繞圈182含有拱形段184，185與186。段184與185位於 自中心點50沿著相同半徑上，同時段186位於較段184與ι85 更罪近中心點50之半徑上。換句話說，段184與185位於中 心點50沿著由第一半徑界定之弧長上，同時段186位於自中 心’沿著由第二半徑界定之弧長上’其中第二半徑係小 於第一半徑。在較佳實施例中，段184與185之外部邊緣係 位於自中心點50半徑5.5”（12·38公分）上，同時段186外部邊 緣係位於自中心點50半徑4.5，，（11.25公分）上。段4〇與仏及 繞圈44與48之半徑係與第2圖那些線圈相同。段外部 邊緣係位於自中心點5〇半徑2”(5〇8公分）上，同時繞圈二 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） " ---------- 18 515005 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 -----—--__ 五、發明說明（16 ) 與48係分別位於自中心點5〇之半徑3 5，，（8·75公分）與 6.5(16.25公分）上。段4〇,42，184，185與186，及繞圈44 與48係貫質共平面，故其底面係均勻間隔於或靠在第i圖處 理裔介電窗19之頂面。使自第4與第5圖線圈所有的段至窗 正下方處理器内區域之電容性耦合係實質相同。 段186相反兩端係以徑向與圓周延伸之金屬帶88與9〇 分別連接至段184與185之末端192與194。段184, 185與186 分別有約60。，160。與130。之拱形範圍。在第1圖室内處 理之晶圓係相對於第4與第5圖之線圈定位，使晶圓凹槽自 垂直線順時方向偏置約丨〇。，垂直線係與中心點5〇交叉並 與段40與42末端之激勵端子52與54成等距。金屬帶乃連接 段184末端74，相對於帶子88，至内部繞圈44並不連接於内 段42之一端，同時金屬帶72使繞圈48與段185兩端彼此連 接。 當第4與第5圖線圈係定位於第1圖處理器窗Η上方 丨蚪’裝在靜電夾頭3〇上與晶圓71相同位置之2〇〇毫米晶圓93 的钱刻率係如第6圖區域94，96，98，1 〇〇，1 〇2，1 〇4與1 〇6 所示。晶圓93係在與第3圖晶圓71相同條件下，在相同的室 中飯刻’除了第5圖晶圓93係響應第4與第5圖線圈之激勵不 同外，第3圖之蝕刻式樣同時係由第2圖說明線圈之射頻激 勵。採用相同的蝕刻材料，及晶圓係定位於相同位置，使 第5圖晶圓之定位凹槽95係自第6圖垂直延伸線順時偏置1〇 ’即自垂直對齊於線圈中心點50之晶圓中心點92偏置。 晶圓93之平均蝕刻率，如第6圖說明，係2486埃/分， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 515005 A7 17 建 五、發明說明（ 非均勻性為一 ε標準差〇·8%。包圍中心點92之區域94之蝕 刻率為2467埃/分或小於，同時，包圍區域94並延伸於中心 點92右側之區域96之蝕刻率係在2467·2477埃/分範圍内。 包圍區域96並沿晶圓93周邊相當部分延伸之區域1〇〇，約 180之弧長度，其·蝕刻率在2477與2487埃/分範圍之間。 區域9 8位於晶圓左上象限並沿晶圓周邊延伸約2 〇。之弧長 度，其蝕刻率範圍與區域％相同。區域102, 104與106具有 一蝕刻率超過2487埃/分，佔據沿著晶圓93某些周邊部分的 小扇區，使區域102約沿著晶圓邊緣右下象限7〇。，區域1〇4 約沿著晶圓邊緣右上象限6〇。，及區域亂約沿著晶圓邊緣 至中心點92左側約1〇。 第4與第5圖線圈在晶圓93上之電漿密度係以先前第2 圖線圈在晶圓7!建立電漿密度相關的，大約相同的機構所 建立。在晶圓93上相對於晶圓71触刻較大均勻性電毁密度 係根據第3圖非對稱區域72_8〇調㊄第4與第5圖線圈所 立0 線 濟 慧 財 消 費 印 比較第3與第6圖可顯示第3圖晶圓71區域％，乃與肋 所存在之㈣率非對稱性並不存在於第6圖晶圓％之餘刻 率中。第6圖晶圓餘刻係比第3圖晶圓#刻率有相當多的均 勻性’且*包括與區域76，78與8()相關之傾斜，即非對稱 特性。區域1GG代表第6圖主要㈣率並延伸於約5〇%的曰= 圓面積。 ％ 當第1圖之室係用來處理3〇〇毫米圓形晶圓時，第$圖之 線圈以第7圖之線圈⑽代替。第7圖線圈⑽如同第2與第 5 本紙張尺^適用帽國家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公爱 五、發明說明（18 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖之線圈，包括四個繞圈101-104，其全部與線圈中心點106 共圓心。内部***繞圈101包括兩個分離段112與114,分別 I括激勵鳊子108與110,分別連接至第i圖匹配網路28與電 容器80之輸出端子。徑向及圓周延伸帶子116，ιΐ8與12〇 使相鄰成對之繞圈101-104彼此連接，即帶116連接繞圈ι〇ι 之1又112至繞圈1〇2之第一端，帶118連接繞圈1〇2第二端至 繞圈103第一端及帶12〇連接繞圈1〇3第二端至繞圈1〇4第一 端。帶122連接繞圈1〇4第二端至繞圈1〇1並不連接於匹配網 路28輸出端之末端部分112。 第7圖線圈100與第2，4與5圖不同，因為，線圈1〇〇之 繞圈101-104幾何空間與第2，4與5圖說明之線圈繞圈幾何 空間不同。特別是，繞圈1〇3與1〇4二者皆係圓形且外部邊 緣半徑分別為8’’（20.32公分）與6.5，，（16.41公分）。線圈1〇〇之 繞圈101與102與第2，4與5圖線圈兩個内部繞圈不同，因 為，繞圈100與102係相對於中心點1〇6非對稱。繞圈1〇1與 繞圈102線圈部分112與Π4包括部分126，128與130，即圓 圈1又相對於中心點106分別具有外部半徑2”（5 〇8公分）， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 (5.08公分）及3.7 5’’（9.4公分）。每一部分丨26，128與130有 一弧長度180°，位於線圈1〇〇放置有帶丨16 ,丨18，12〇與122 相反側之處。 如第7圖之說明，線圈1 〇〇包括一水平直徑丨3丨與垂直直 徑133，彼此成直角。帶116-120與垂直直徑133交叉，同時 圓形部分126，128與130末端與水平直徑131交叉。***繞 圈101部分112與114分別包括相對直線段132與134，自水平 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 21 五、發明說明（19 ) 直徑131向上延伸並有些向内至垂直直徑133。直線段132 與134有一中心線自垂直直徑133偏置約10°段132自水平 軸131向上延伸，使段132末端點自水平直直131偏置約 2·25”（6公分），同時段134部分終止於直徑131上方 3.25’’（8.80公分）。 繞圈102包括直線140與142位於垂直直徑133之右與左 側。每一段14〇與142向内傾斜至垂直直徑133約10。角度。 因此’段140與142係分別實質平行於段126與128。段142 直線部分終止於水平直徑131上方約34”之點，同時段142 直線部分終止於水平直徑131上方約3.5"之點。 由以上說明，線圈100包括兩對稱外部繞圈1〇3與〇14 及兩非對稱内部繞圈101與102。非對稱關係致能線圈1〇〇 克服第2圖線圈所呈現之徑向非對稱通量分布的趨勢，同時 較大直徑之繞圈103與1〇4致能線圈1〇〇產生一電漿密度在 整個300毫米圓形晶圓上實質的均性性。 在將第1圖200毫米晶圓處理器轉變為3〇〇毫米晶圓處 理必須完成的其他顯著改變，在改變第5圖線圈成為第 線圈之外，係要改變形成2〇〇毫米與3〇〇毫工件基座之靜電 ^頭。200毫米夾頭並不適於则毫米晶圓，因為以毫米 晶圓失頭施加於晶圓周邊部分的靜電箝夾力不足以保持 3〇〇毫米晶圓於;^位。__毫米晶圓的靜電夾頭無法使用 於細亳米晶圓，因輕重要的日日日圓須完全覆蓋夾頭電極。 弟8圖係線圈另_實施例之頂視圖，包括對稱與非對稱 〜線’可使用於第1圖所顯示之處理器類型。第8圖之線圈 515005 A7 _________B7 ____ 五、發明說明（2〇 ) ， 與第4與5圖線圈之形狀相似，除第8圖線圈繞圈21 〇取代第4 與5圖線圈之繞圈182之外。第8圖繞圈210係一實質圓形繞 圈’具有一中心點212移位至中心點50之左上方。繞圈21〇 半徑係在繞圈44與48半徑之間，宜為約5-1/2”。因此，在 . 繞圈210右側之部分216很靠近繞圈44右側，但與繞圈48右 侧離得較遠並與繞圈44左上方部分有顯著的間隔。繞圈21〇 φ 左側部分218與繞圈48左側之間的間隔必須足以防止電弧。 本發明在以多數特定實施例說明與敘述的同時，實施 例中特別敘述與說明之細部變化，明顯的應屬本發明申請 專利範圍之精神與範疇。例如，第8圖圓形繞圈21〇可用橢 圓形繞圈代替，其放置類似於繞圈21〇的放置或配置其他呈 有閉合之繞圈（除了斷開用以連接相鄰繞圈外）非對稱組 悲’以減少第3圖之電漿密度非均勻性。 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

23 515005 A7 ___ B7_ 五、發明說明（21 ) 元件標號對照 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10…室 66，80…末端點 12…室壁 71，93…晶圓 18…頂端板 74…末端 19…介電窗 76，78，80，94,96,98, 100， 20，22…埠 102，104，106···區域 24…線圈 80…電容器 26…射頻源 95…定位凹槽 28，33···匹配網路 100，ΗΠ，102，103，104， 30…支架（夾頭)30 182，210…繞圈 31···匹配源 108，110…激勵端子 32…工件 112，114…分離段 34…遮蔽 116，118，120，122…延伸帶子 40，42…繞圈段 126，128，130…部分 44，46，48…圓形繞圈 131…水平直徑 50，70，92，106···中心點 132，134···直線段 52，54…激勵端子 133…垂直直徑 60，62…末端 140，142…段 64，78，82，88，90…金屬帶 184，185，186…拱形段 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 24

Claims (1)

1. 515005 双面影印 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 心年幻％修正第90116008號申請案申請^^*^$^ 91.8.23, 1 · 一種用以處理圓形工件之真空電漿處理器，包含： 一真空室可供以電漿處理工件， 一工件支架位於室内.， 該室之配置係使工件在處理時置於工件支架上一 特別位置， 一實質平面線圈用以激勵室内可離子化氣體成為 電漿， 一射頻源可供應電漿射頻激勵電壓至線圈， 線圈包括（a)多數共軸繞圈相對於線圈中心點實質 對稱配置，及（b)至少一另外的繞圈相對於線圈中心點 非對稱配置。 2·根據申請專利範圍第1項之處理器，其中多數繞圈係串 接之圓形繞圈具有不同直徑及中心定位之激勵端子。 3·根據申請專利範圍第2項之處理器，其中至少一另外的 繞圈包括拱形部分具有與線圈中心點不同的間隔。 的 圓 同 --------- i«I— l — (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂— 4·根據申請專利範圍第3項之處理器，其中至少一另外 繞圈包括第一與第二該拱形部分，第一與第二部分係 圈扇區具有不同半徑及一實質與多數繞圈中心點相 之共同中心點。 5·根據申請專利範圍第4項之處理器，其中三個係多數個 繞圈，至少一另外的繞圈係在最大與第二最小半徑之多 數個繞圈之間，激勵端子係在具有最小半徑之繞圈上， 自中心點開始漸行擴大分離之繞圈係彼此直接連接，具 本紙張尺度適用中國國家標準（qjS) A4規格（210X297公楚） 515005 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 有最大與最小半徑之繞圈係彼此直接連接。 6.根據申請專利範圍第3項之處理器，其中至少一另外的 繞圈有一閉合形狀，但與相鄰繞圈連接處除外。 7·根據申請專利範圍第6項之處理器，其中至少一外外的 繞圈形狀係圓圈具有一自線圈中心點移位至工件側面。 8·根據申請專利範圍第7項之處理器，其中線圈僅有四繞 圈，其中三個係多數個繞圈，及僅有其中一個係該至少 一另外的繞圈，至少一另外的繞圈係在最大與第二最小 半徑之多數個繞圈之間，激勵端子係在具有最小半徑之 繞圈上，自中心點開始漸行擴大分離之繞圈係彼此直接 連接，具有最大與最小半徑之繞圈係彼此直接連接。 9.根據申請專利範圍第丨項之處理器，其中至少一另外的 繞圈包括一第一圓圈扇區部分，其中心與線圈中心點重 合，一第二部分自第一部分第一末端實質直線延伸及一 第二部分自第一部分第二末端實質直線延伸。 10·根據申請專利範圍第9項之處理器，其中第一部分係分 裂成第一與第二段，分別具有第三與第四末端連接於射 頻源。 11.根據申請專利範圍第10項之處理器，其中線圈包括第一 與第二該至少一另外的繞圈，該至少一另外的繞圈係較 第二另外的繞圈靠近於線圈的中心點，該至少一另外的 繞圈的兩個具有.申請專利範圍第9項界定之形狀，該兩 個至少一另外的繞圈之圓圈扇區係拱形對齊，該兩個至 少另外的繞圈直線部分彼此實質平行延伸，該至少一另 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公釐） 26 .......................•裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可_ ··線· 515005 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 外的繞圈之第一與第二個係線圈最靠近線圈中心點之 繞圈。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 12· —種實質平面線圈，用以供應一射頻電漿激勵場至一圓 形工件真空電漿處理器之可離子化氣體，其圓形工件適 於放置在工件支架上一特別位置，線圈包含多數共軸繞 圈相對於線圈中心點實質對稱配置，及至少一另外的繞 圈相對於線圈中心點非對稱配置。 13·根據申請專利範圍第12項之線圈，其中多數繞圈係串接 之圓形繞圈具有不同直徑及中心定位之激勵端子。 14·根據申請專利範圍第13項之線圈，其中至少一另外的繞 圈包括拱形部分具有與線圈中心點不同的間隔。 15·根據申請專利範圍第14項之線圈，其中至少一另外的繞 圈包括苐一與第二該拱形部分，第一與第二部分係圓圈 扇區具有不同半徑及一實質與多數繞圈中心點相同之 共同中心點。 16·根據申請專利範圍第14項之線圈，其中三個係多數個繞 圈，至少一另外的繞圈係在最大與第二最小半徑之多數 個繞圈之間’激勵端子係在具有最小半徑之繞圈上，自 中心點開始漸行擴大分離之繞圈係彼此直接連接，具有 最大與最小半徑之繞圈係彼此直接連接。 17·根據申請專利範圍第14項之線圈，其中至少一另外的繞 圈有一閉合形狀·，但與相鄰繞圈連接處除外。 18.根據申請專利範圍第17項之線圈，其中至少一另外的繞 圈形狀係圓圈，該圓圈具有一自線圈中心點向線圈之一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） 27 515005 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 側偏移的中心。 19·根據申請專利範圍第18項之線圈，其中三個係多數個繞 圈，至少一另外的繞圈係在最大與第二最小半徑之多數 個繞圈之間’激勵端子係在具有最小半徑之繞圈上，自 中心點開始漸行擴大分離之繞圈係彼此直接連接，具有 最大與最小半徑之繞圈係彼此直接連接。 20.根據申請專利範圍第12項之線圈，其中至少一另外的繞 圈包括一第一圓圈扇區部分，其中心與線圈中心點重 合，一第二部分自第一部分第一末端實質直線延伸及一 第三部分自第一部分第二末端實質直線延伸。 21 ·根據申請專利範圍第20項之線圈，其中第一部分係*** 成第一與第二段，分別具有第三與第四末端連接於射頻 源。 22.根據申請專利範圍第21項之線圈，其中線圈包括第一與 第二該至少一另外的繞圈，該至少一另外的繞圈係較第 二另外的繞圈靠近於線圈的中心點，該至少一另外的繞 圈的兩個具有申請專利範圍第20項界定之形狀，該兩個 至少一另外的繞圈之圓圈扇區係拱形對齊，該兩個至少 另外的繞圈直線部分彼此實質平行延伸，該至少一另外 的繞圈之第一與第二個係線圈最靠近線圈中心點之繞 圈。 23 · —種真空電漿處理器，用以處理圓形工件，使其在工件 上達成比另一真空電漿處理器更大的電漿密度均勻 性，另一處理器包括一實質平面射頻線圈，具有四個同 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公釐） 28 ----------------------裝---------------............線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 515005 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 -------------- * (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 心串聯連接之圓形繞圈及兩個中心定位之激勵端子連 接於一射頻激勵源，該另一處理器，當激勵時造成工件 上電漿密度分布成為直徑不對稱，即沿著工件第一側工 件邊緣一實質弧長度之電·漿密度係與沿著工件第二側 工件邊緣一實質弧長度之電漿密度實質不同，第一與第 二側上之弧長度係彼此大約直徑相對，該真空電漿處理 器包含： 一真空室供以電漿處理工件， 室中一工件支架， 一實質平面線圈用以激勵室中氣體成電襞， 一射頻源用以激能線圈， ·、?!1 線圈包括（a)多數個圓形共軸同心繞圈具有一共用 中心點’（b)中心激勵端子具有以射頻源驅動之連接， 及（c)至少一另外的繞圈具有一幾何空間與另一繞圈不 同，以實質減少電漿密度之直徑不對稱及在工件上提供 比該另一操作於相同條件之電漿處理器更大的電漿密 度均勻性。 2 4.根據申清專利範圍第2 3項之處理器，其中至少一另一 *在 圈宜包括拱形部分，與中心點具有不同的間隔，使靠近 中心點之拱形部分對齊在該另一處理器中具有較高電 漿密度之工件部分，及離中心點較遠之拱形部分係對齊 於在該另一處理器中具有較低電漿密度之工件部分。 25.根據申請專利範圍第24項之處理器，其中至少_另外 的繞圈包括第一與第二該拱形部分，第一與第二部分係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -29 六、申請專利範圍 具有不同半杈圓圈的扇區及一共同中心點係與多數個 繞圈中心點實質相同。 26·根據申請專利範圍第25項之處理器，其中有三個多數個 繞圈及一個至少一另外的繞圈，至少一另外的繞圈係在 最大與第二最小半徑之多數個繞圈之間，激勵端子係在 具有最小半徑之繞圈上，自中心點開始漸行擴大分離之 繞圈係彼此直接連接，具有最大與最小半徑之繞圈係彼 此直接連接。 27·根據申請專利範圍第24項之處理器，其中至少一另外的 繞圈，除了與相鄰繞圈連接部分之外，為一閉合形狀。 28.根據申請專利範圍第27項之處理器，其中至少一另外的 繞圈有一圓圈形狀，具有一中心自共同中心點移位至工 件側面，在由該另一處理器處理時具有實質較低之電漿 密度。 29·根據申請專利範圍第27項之處理器，其中線圈有四個繞 圈，二個繞圈係多數個繞圈，及僅有一個繞圈係該至少 一另外的繞圈，該另外的繞圈係在最大與第二最小半徑 之多數個繞圈之間，激勵端子係在具有最小半徑之繞圈 上，自中心點開始漸行擴大分離之繞圈係彼此直接連 接，具有最大與最小半徑之繞圈係彼此直接連接。 3〇·根據申請專利範圍第23項之處理器，其中至少一另外的 繞圈包括一第一圓圈扇區部分，具有一中心與線圈中心 點重合，一第二部分自第一部分第一末端實質直線延伸 及一第三部分自第一部分第二末端實質直線延伸。

   515005 A8 B8 C8 ----D8 六、申請專利範圍· ^ ~ - 31.根據申請專利範圍第3〇項之處理器，其中第_部分係分 裂成第-與第二段分別具有第三與第四末端，第三與； 四末端係連接於射頻源。 32·根據申請專利範圍第31項之處理器，其中線圈包括第一 與第二該至少_另外的繞圈’該至少_另外的繞圈係較 該第二另外的繞圈靠近於線圈的中心點，該至少一另外 的繞圈的兩個具有申請專利範圍第3〇項界定之形狀，該 兩個至少一另外的繞圈之圓圈扇區係拱形對齊，該兩個 至少另外的繞圈直線部分彼此實質平行延伸，該至少一 另外的繞圈之第一與第二個係線圈最靠近線圈中心點 之繞圈。 33· —種處理圓形工件的方法，該圓形工件具有不同之第一 與第二周邊長度及相似形狀之幾何空間，工件係在相同 真空電聚處理室或在具有相同幾何空間之各真空電聚 處理室中處理，此方法包括下列步驟：使具有第一與第 二不同周邊大小之射頻電漿激勵線圈耦合於室或各室 中之可離子化氣體，同時具有第一與第二周邊長度之工 件係分別在室或各室内處理，同時該室或各室係真空及 射頻能量係供應至線圈用以激勵氣體成一處理電漿，第 一周邊長度超過第一周邊長度’及第一周邊大小係大於 第二周邊之大小。 34·根據申請專利範圍第33項之方法，其中工件係圓形及每 一線圈包括多數個實質圓形共軸繞圈，具有一中心點對 齊於所處理圓形工件中心點。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 31 ...... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— M5005 A8 B8 C8 D8 、申清專利範圍 35. 根據申請專利範圍第34項之方法，其中每一線圈圓形繞 圈之一係一周邊繞圈，具有一邊緣界定線圈周邊大小。 36. 根據申請專利範圍第35項之方法，其中每一線圈包括一 對内部激勵端子，在處理時連接於一射頻激勵源。 37. 根據申請專利範圍第36項之方法，其中每一線圈包括至 少一繞圈不對稱於線圈中心點。 3 8·根據申請專利範圍第37項之方法，其中第一與第二工件 分別有300毫米與2〇〇毫米直徑，及3〇〇毫米與2〇〇毫米直 徑線圈有一外部繞圈，其外部邊緣係放置在具有外部直 徑大於300毫米之圓圈周圍上。 39·根據申請專利範圍第38項之方法，其中3〇〇毫米直徑工 件之線圈圓圈有一直徑約4〇〇亳米及2〇〇毫米直徑工件 之線圈圓圈有一直徑約3 3 〇亳米。 40·根據申請專利範圍第39項之方法，其中3〇〇毫米與2〇〇 毫米兩者之線圈繞圈數係四。 41.根據申請專利範圍第40項之方法，其中2〇〇毫米工件線 圈有一繞圈為非對稱之第二最大直徑。 42·根據申請專利範圍第40項之方法，其中3〇〇毫米直徑工 件之線圈包括一非對稱繞圈，比任何其他線圈繞圈更靠 近線圈中心點。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） • --------------袭—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、^τ· :線丨 32 -