JP2012033958A - 真空プラズマ処理装置および方法 - Google Patents
真空プラズマ処理装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012033958A JP2012033958A JP2011227690A JP2011227690A JP2012033958A JP 2012033958 A JP2012033958 A JP 2012033958A JP 2011227690 A JP2011227690 A JP 2011227690A JP 2011227690 A JP2011227690 A JP 2011227690A JP 2012033958 A JP2012033958 A JP 2012033958A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- workpiece
- plasma
- winding
- windings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 134
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
【解決手段】異なる第1と第2の周縁長および幾何学的に類似した形状を有するワークピースを同じ真空プラズマ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数の真空プラズマ処理チェンバ内で処理するワークピース処理方法であって、第1と第2の異なる周縁寸法を有する高周波プラズマ励起コイルを前記チェンバもしくは複数のチェンバ内のイオン化可能なガスに結合させ、その間で前記ワークピースが前記チェンバもしくは複数のチェンバ内で処理され、その間では前記チェンバもしくは複数のチェンバが真空下におかれ、かつ前記ガスを処理プラズマへと励起するために前記コイルに高周波エネルギーが供給されるステップを含み、前記第1の周縁長が第2の周縁長を超え、前記第1の周縁寸法が第2の周縁寸法よりも大きい。
【選択図】図4
Description
Vpkpk (X)=V0 pkpkcos[β(x+xo)]および
Ipkpk (X)=I0 pkpksin[β(x+xo)]
ここで、
xはコイルの端子54から測定した直線距離、
βは高周波電源26の光速cで割り算をした角周波数、
xoはキャパシタ80の値によって決定されるゼロからのオフセット、
V0 pkpkおよびI0 pkpkはそれぞれコイルの最大高周波ピークピーク電圧および電流である。
(ここでθはコイルの中心点50°を通って延びる基準角度に関して、コイル周辺部についての角度を表す、例えば図2では、基準角度は中心点50の左側へ水平に延びる)。
Claims (20)
- 異なる第1と第2の周縁長および幾何学的に類似した形状を有するワークピースを同じ真空プラズマ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数の真空プラズマ処理チェンバ内で処理するワークピース処理方法であって、
第1と第2の異なる周縁寸法を有する高周波プラズマ励起コイルを前記チェンバもしくは複数のチェンバ内のイオン化可能なガスに結合させ、その間で前記第1と第2の周縁長を有するワークピースが前記チェンバもしくは複数のチェンバ内で処理され、その間では前記チェンバもしくは複数のチェンバが真空下におかれ、かつ前記ガスを処理プラズマへと励起するために前記コイルに高周波エネルギーが供給されるステップを含み、
前記第1の周縁長が第2の周縁長を超え、前記第1の周縁寸法が第2の周縁寸法よりも大きい
ことを特徴とするワークピース処理方法。 - 前記ワークピースが円形であり、
前記コイルの各々が、処理される円形ワークピースの中心点と位置合わせされた中心点を有する複数の円形で同軸の巻線を含む
ことを特徴とする請求項1に記載のワークピース処理方法。 - 前記各々のコイルの円形の巻線のうちの1つが、コイルの周縁寸法を規定するエッジを有する
ことを特徴とする請求項2に記載のワークピース処理方法。 - 前記コイルの各々が、処理中に高周波励起電源に接続される一対の内側励起端子を含む
ことを特徴とする請求項3に記載のワークピース処理方法。 - 前記コイルの各々が、コイルの中心点に関して非対称の少なくとも1回の巻線を含む
ことを特徴とする請求項4に記載のワークピース処理方法。 - 第1と第2のワークピースがそれぞれ300mmと200mmの直径を有し、300mmと200mmの直径用の複数のコイルが、300mmよりも大きい外径を有する円の円周上にある外側エッジを備えた外側巻線を有する
ことを特徴とする請求項5に記載のワークピース処理方法。 - 300mm直径のワークピース用のコイルの円が約400mmの直径を有し、200mm直径のワークピース用のコイルの円が約330mmの直径を有する
ことを特徴とする請求項6に記載のワークピース処理方法。 - 300mm直径と200mm直径のワークピースの両方のためのコイルの巻線数が4回である
ことを特徴とする請求項7に記載のワークピース処理方法。 - 200mm直径のワークピースのためのコイルが2番目に大きい直径の巻線を有し、それが非対称である
ことを特徴とする請求項8に記載のワークピース処理方法。 - 300mm直径のワークピースのためのコイルが、コイルの他のいかなる巻線よりも中心点に近い非対称巻線を含む
ことを特徴とする請求項8に記載のワークピース処理方法。 - 従来技術の真空プラズマプロセッサよりも優れたプラズマ密度均一性をワークピース上で達成するように円形のワークピースを処理する真空プラズマプロセッサであって、
前記従来技術のプロセッサが、4回の同心の直列接続された円形巻線、および高周波励起電源に接続される中央に配置された2つの励起端子を有する平板状の高周波励起コイルを含み、励起されるとワークピース上で直径方向に非対称のプラズマ密度分布を生じさせ、それによって、ワークピースの第1の側のワークピースの実質的な円弧長に沿ったプラズマ密度が、ワークピースの第2の側のワークピースの実質的な円弧長に沿ったプラズマ密度と異なり、第1と第2の側の円弧長が互いに直径方向で対向するようになし、
前記より優れた密度均一性を達成するためのプロセッサが、
ワークピースをプラズマで処理するための真空チェンバと、
前記ワークピースのためのチェンバ内のホルダと、
前記チェンバ内のガスをプラズマへと励起するための平板状のコイルと、
前記コイルを励起するために接続された高周波電源とを含み、
前記コイルが(a)共通の中心点を有する複数の円形で同軸で同心の巻線と、(b)高周波電源によって駆動されるように接続された中央の励起端子と、(c)(i)同じ条件下で動作する前記先行技術のプラズマプロセッサのプラズマよりも少ない直径方向に非対称に分布する密度、および(ii)同じ条件下で動作する前記先行技術のプラズマプロセッサよりも優れたワークピース上のプラズマ密度均一性を有するプラズマを供給するために、他の巻線と異なる形状を有する少なくとも1回のさらなる巻線とを含む
ことを特徴とする真空プラズマプロセッサ。 - 前記少なくとも1回のさらなる巻線が、中心点に近いアーチ形の部分が前記従来技術のプロセッサより高いプラズマ密度を有するワークピースの部分に位置合わせされ、中心点から遠いアーチ形の部分が前記従来技術のプロセッサより低いプラズマ密度を有するワークピースの部分に位置合わせされるように、中心点から異なる間隔を有する複数のアーチ形の部分を含む
ことを特徴とする請求項11に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記少なくとも1回のさらなる巻線が第1と第2の前記アーチ形の部分を含み、第1と第2の部分が異なる半径および複数の円形同軸巻線の中心点と同じ共通中心を有する円の扇形部である
ことを特徴とする請求項12に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 3回の複数の円形同軸巻線と1つの少なくとも1回のさらなる巻線があり、前記少なくとも1回のさらなる巻線が最大半径と2番目に小さい半径を有する複数巻線の間にあり、励起端子が最小半径を有する巻線上にあり、中心点から次第に離れて行く巻線が互いに直接的につながり、最大半径と最小半径を有する巻線が互いに直接的につながる
ことを特徴とする請求項13に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記少なくとも1回のさらなる巻線が、空間的には隣接して電気的には離れた前記少なくとも1回のさらなる巻線の第1と第2の端部間で連続であり、該第1と第2の端部のそれぞれが、前記少なくとも1回のさらなる巻線の内側と外側それぞれにおいて第1と第2の隣接巻線に接続される
ことを特徴とする請求項12に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記少なくとも1回のさらなる巻線が、前記先行技術のプロセッサによる処理中に実質的により低いプラズマ密度を有するワークピースの側に向かって共通中心から移動した中心を有する円の形状を有する
ことを特徴とする請求項15に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 複数の円形同軸巻線を有する前記コイルが、4回の巻線しか持たず、3回の巻線が複数の円形同軸巻線であり、複数の円形同軸巻線を含む前記コイルの1回の巻線だけが前記少なくとも1回のさらなる巻線であり、前記少なくとも1回のさらなる巻線が最大半径と2番目に小さい半径を有する複数の円形同軸巻線の間にあり、励起端子が最小半径を有する巻線上にあり、中心点から次第に離れて行く巻線が互いに直接的につながり、最大半径と最小半径を有する巻線が互いに直接的につながる
ことを特徴とする請求項15に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記少なくとも1回のさらなる巻線が、コイルの中心点と一致する中心を有する円の扇形部である第1の部分と、第1の部分の第1の端部から直線状に延びる第2の部分と、第1の部分の第2の端部から直線状に延びる第3の部分とを含む
ことを特徴とする請求項11に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記第1の部分が、第3と第4の端部をそれぞれ有する第1と第2の区画に分割され、第3と第4の端部が高周波電源に接続される
ことを特徴とする請求項18に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 複数の円形同軸コイルを含む前記コイルが、第1と第2の前記少なくとも1回のさらなる巻線を含み、第1の前記少なくとも1回のさらなる巻線が、第2の前記少なくとも1回のさらなる巻線よりもコイルの中心点の近くにあり、両方の前記少なくとも1回のさらなる巻線が請求項18に規定された形状を有し、両方の前記少なくとも1回のさらなる巻線の円の扇形部がアーチ形に整列され、両方の前記少なくとも1回のさらなる巻線の直線部分が互いに平行に延び、第1と第2の前記少なくとも1回のさらなる巻線がコイルの中心点に最も近いコイル巻線である
ことを特徴とする請求項19に記載の真空プラズマプロセッサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/607,326 | 2000-06-30 | ||
US09/607,326 US6531029B1 (en) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | Vacuum plasma processor apparatus and method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002507035A Division JP5116203B2 (ja) | 2000-06-30 | 2001-06-26 | 真空プラズマプロセッサ及びコイル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012033958A true JP2012033958A (ja) | 2012-02-16 |
JP5538340B2 JP5538340B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=24431792
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002507035A Expired - Fee Related JP5116203B2 (ja) | 2000-06-30 | 2001-06-26 | 真空プラズマプロセッサ及びコイル |
JP2011227690A Expired - Fee Related JP5538340B2 (ja) | 2000-06-30 | 2011-10-17 | ワークピース処理方法および真空プラズマプロセッサ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002507035A Expired - Fee Related JP5116203B2 (ja) | 2000-06-30 | 2001-06-26 | 真空プラズマプロセッサ及びコイル |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6531029B1 (ja) |
EP (1) | EP1300057B1 (ja) |
JP (2) | JP5116203B2 (ja) |
KR (2) | KR100881882B1 (ja) |
AU (1) | AU2001270163A1 (ja) |
DE (1) | DE60128229T2 (ja) |
TW (1) | TW515005B (ja) |
WO (1) | WO2002003763A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109036817A (zh) * | 2017-06-08 | 2018-12-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 电感耦合线圈和工艺腔室 |
JP2020188229A (ja) * | 2019-05-17 | 2020-11-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7571697B2 (en) * | 2001-09-14 | 2009-08-11 | Lam Research Corporation | Plasma processor coil |
US6876155B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-04-05 | Lam Research Corporation | Plasma processor apparatus and method, and antenna |
KR100964398B1 (ko) * | 2003-01-03 | 2010-06-17 | 삼성전자주식회사 | 유도결합형 안테나 및 이를 채용한 플라즈마 처리장치 |
US20040261718A1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-30 | Kim Nam Hun | Plasma source coil for generating plasma and plasma chamber using the same |
US7713432B2 (en) * | 2004-10-04 | 2010-05-11 | David Johnson | Method and apparatus to improve plasma etch uniformity |
US20080003377A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | The Board Of Regents Of The Nevada System Of Higher Ed. On Behalf Of The Unlv | Transparent vacuum system |
DE102008024014A1 (de) * | 2008-05-16 | 2010-04-15 | Ofa Bamberg Gmbh | Elektronischer Lebensdauerindikator |
US20120103524A1 (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus with reduced effects of process chamber asymmetry |
US20120152900A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for gas delivery into plasma processing chambers |
US10777387B2 (en) * | 2012-09-28 | 2020-09-15 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
KR20220107521A (ko) * | 2021-01-25 | 2022-08-02 | (주) 엔피홀딩스 | 반응기, 이를 포함하는 공정 처리 장치 및 반응기 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125497A (ja) * | 1996-06-10 | 1998-05-15 | Lam Res Corp | ほぼ均一なプラズマ束を誘導するための誘導結合源 |
WO1999054909A1 (en) * | 1998-04-22 | 1999-10-28 | Applied Materials, Inc. | Smaller diameter coil to enhance uniformity of metal film formed by inductively coupled plasma deposition |
JPH11312667A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-11-09 | Matsushita Electron Corp | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4948458A (en) | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
US6077384A (en) | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
US5401350A (en) | 1993-03-08 | 1995-03-28 | Lsi Logic Corporation | Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems |
US5919382A (en) * | 1994-10-31 | 1999-07-06 | Applied Materials, Inc. | Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor |
US5838111A (en) | 1996-02-27 | 1998-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma generator with antennas attached to top electrodes |
US5800619A (en) * | 1996-06-10 | 1998-09-01 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor having coil with minimum magnetic field in its center |
US5759280A (en) | 1996-06-10 | 1998-06-02 | Lam Research Corporation | Inductively coupled source for deriving substantially uniform plasma flux |
US6268700B1 (en) * | 1996-06-10 | 2001-07-31 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor having coil with intermediate portion coupling lower magnetic flux density to plasma than center and peripheral portions of the coil |
JP3658922B2 (ja) | 1997-05-22 | 2005-06-15 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
KR100538540B1 (ko) * | 1997-04-08 | 2006-06-16 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
US6028285A (en) | 1997-11-19 | 2000-02-22 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High density plasma source for semiconductor processing |
US6164241A (en) * | 1998-06-30 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems |
KR100291898B1 (ko) * | 1999-04-09 | 2001-06-01 | 윤종용 | 스파터 오염원을 감소시키고 플라즈마에 유도 결합을 향상시키기위한 차폐판의 제조방법 및 플라즈마 식각장치 |
US6319355B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Plasma processor with coil responsive to variable amplitude rf envelope |
US6143144A (en) * | 1999-07-30 | 2000-11-07 | Tokyo Electronlimited | Method for etch rate enhancement by background oxygen control in a soft etch system |
-
2000
- 2000-06-30 US US09/607,326 patent/US6531029B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-06-26 WO PCT/US2001/020263 patent/WO2002003763A2/en active IP Right Grant
- 2001-06-26 KR KR1020027017794A patent/KR100881882B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-06-26 JP JP2002507035A patent/JP5116203B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-26 EP EP01948718A patent/EP1300057B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-26 DE DE60128229T patent/DE60128229T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-26 AU AU2001270163A patent/AU2001270163A1/en not_active Abandoned
- 2001-06-26 KR KR1020077014974A patent/KR100807143B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-07-11 TW TW090116008A patent/TW515005B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-01-21 US US10/347,363 patent/US6897156B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-17 JP JP2011227690A patent/JP5538340B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125497A (ja) * | 1996-06-10 | 1998-05-15 | Lam Res Corp | ほぼ均一なプラズマ束を誘導するための誘導結合源 |
JPH11312667A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-11-09 | Matsushita Electron Corp | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
WO1999054909A1 (en) * | 1998-04-22 | 1999-10-28 | Applied Materials, Inc. | Smaller diameter coil to enhance uniformity of metal film formed by inductively coupled plasma deposition |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109036817A (zh) * | 2017-06-08 | 2018-12-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 电感耦合线圈和工艺腔室 |
JP2020188229A (ja) * | 2019-05-17 | 2020-11-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US11495435B2 (en) | 2019-05-17 | 2022-11-08 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, non-transitory computer-readable recording medium, method of manufacturing semiconductor device, and a substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004520704A (ja) | 2004-07-08 |
WO2002003763A8 (en) | 2002-04-04 |
WO2002003763A2 (en) | 2002-01-10 |
KR20030034108A (ko) | 2003-05-01 |
JP5538340B2 (ja) | 2014-07-02 |
WO2002003763A3 (en) | 2002-12-27 |
EP1300057A2 (en) | 2003-04-09 |
DE60128229D1 (de) | 2007-06-14 |
KR100807143B1 (ko) | 2008-02-27 |
AU2001270163A1 (en) | 2002-01-14 |
KR20070074672A (ko) | 2007-07-12 |
US20030106645A1 (en) | 2003-06-12 |
JP5116203B2 (ja) | 2013-01-09 |
TW515005B (en) | 2002-12-21 |
WO2002003763B1 (en) | 2003-03-13 |
DE60128229T2 (de) | 2007-08-30 |
US6897156B2 (en) | 2005-05-24 |
KR100881882B1 (ko) | 2009-02-06 |
EP1300057B1 (en) | 2007-05-02 |
US6531029B1 (en) | 2003-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5538340B2 (ja) | ワークピース処理方法および真空プラズマプロセッサ | |
US5759280A (en) | Inductively coupled source for deriving substantially uniform plasma flux | |
US5975013A (en) | Vacuum plasma processor having coil with small magnetic field in its center | |
EP1204134B1 (en) | RF plasma processor | |
JP4387471B2 (ja) | 非均一な磁界を有する磁気励起プラズマチャンバ | |
US6441555B1 (en) | Plasma excitation coil | |
US6893533B2 (en) | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna | |
KR100748050B1 (ko) | 가변 진폭의 rf 포락선에 응답하는 코일을 구비한플라즈마 처리기 | |
JPH0888190A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JPH11317299A (ja) | 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置 | |
JP2006518915A (ja) | 均一な処理レートを実現するアンテナ | |
US6667577B2 (en) | Plasma reactor with spoke antenna having a VHF mode with the spokes in phase | |
US8956500B2 (en) | Methods to eliminate “M-shape” etch rate profile in inductively coupled plasma reactor | |
KR100404723B1 (ko) | 낮은 종횡비를 갖는 유도결합형 플라즈마 발생장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130821 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131118 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5538340 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140428 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |