TW512310B - Magneto-optical head for magneto-optical reading and writing system and method for manufacturing the same - Google Patents

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TW512310B
TW512310B TW089112233A TW89112233A TW512310B TW 512310 B TW512310 B TW 512310B TW 089112233 A TW089112233 A TW 089112233A TW 89112233 A TW89112233 A TW 89112233A TW 512310 B TW512310 B TW 512310B
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coil
layer
lens
magnetic
pattern
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TW089112233A
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Woon-Bae Kim
Byoung-Chan Lee
Hyung-Gae Shin
Chelo-Sung Yeon
Sang-Hun Lee
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Samsung Electronics Co Ltd
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Description

512310 五、發明說明（1)
發明範圍 本發明有關〜插田 ，其具有改善之礤場相=r性光學讀寫系統之磁性光學頭 以製造此一光學碩之方=線圈及裝設小型化物鏡，以及用 2 ·相關技術說明 ' 記憶mu::;磁場規整將資料寫入磁性光學 .^ 予方式由媒體中讀取寫入咨柯 茶第1圖，其顯示_般磁性 K貝料。 括一與底座10活動樞接之搖4^了項寫系統，該系統包 以對搖臂2 1產生旋轉動力，J f上，一促動器2 3則用 滑動件2 5則接合搖臂2工Jt-bearing) 性光學記錄媒體1以掃猫其間之執跡液昼動力越過磁 3 0則裝設於滑動件2 5以光學方式由:;體T?性光學頭 該磁性光學頭3 〇包括一用以對媒體m:買取訊號。 物鏡1“：:广進行磁場規=圈 包括= 系統之傳統磁性光學頭 聚焦’-對磁性極片3 3及3 5則：:::光進行 ，並於物鏡3 1及媒體i表面間彼：互相；^ 5侧邊 二線圈3 7及3 9則各別繞設於極片丁;弟一及第 磁性極：3 3及3 5為彼此分離，供物鏡 隹 光通過其間隙。第一及第二線圈3 7及3 9構成 ，其方向性因電流通過線圈3 7及？ q夕尤π 十途％ ό y之不同而有各種變
8906103.ptd 第6頁 512310 五、發明說明（2) 化，藉此使磁性光學頭3 〇可將資料寫於媒體1上。 、如前所述，傳統磁性光學頭3 〇之結構中含有繞設於 磁性極片3 3及3 5之第一及第二線圈3 7及3 9 ，其並 位於物鏡3 1水平向下方。此一結構使磁性光學頭之小型 化受到限制，且其收錄密度（rec〇rding density)及近場 屺，（near-field recording)亦受到限制。此外，將第一 及第一線圈3 7及3 9各別繞設於磁性極片3 3及3 5， 在組裝時非常沒有效_，成本高，亦難以量產。 發明概沭 气決上述_，本發明即在提供-種用於磁性光學 靖寫糸統之磁性光學頭及其製造方法，其中，一作 =微線圈係以半導體製程予以製出，使磁性： Γ己錄之功能。& ’免除組裝小型線圈之困難，並提升近場 本發明另一目目丨丨Η 之磁性光學頭，盆以 2 用於磁性光學讀寫系統 入資料，1以光方ί於光學記錄媒體上寫 設於以液壓動力：控：、尚^极：取育料。該磁性光學頭裝 此磁性光學頭包含Γ一於二：1錄媒體之滑臂-端’ 少包括兩疊置線圈；ί 2束聚焦、；-線圈元件則至 兩疊置線圈層為具；蟬二=兩線圈層之絕緣層，該 成電氣導接；以及—設於^ =面線圈，並可於其間形 以將線圈元件接至e 、、兄1及線圈元件間之連接件，用 接至鏡頭-側邊’並朝向磁性光學媒體，】 512310 五、發明說明（3) 可將線圈層接至一外部電源。 起(二連接h件最好由線圈文件最高之線圈層形成為焊接突 起（solder bump)，且設有導電材料供電氣連拉^ ^接大 。此焊接突起以熱熔方式接合於鏡頭，且直：卜::電源 (Sn-Pb)合金，銀-鍚-鉛（Ag__Sn_pb)合金及金—為，-鉛 合金族群之至少其中一種所選擇製出。“、’、劳U-Sn) 本發明另一目的為，提供一種用於磁读 之磁性光學頭萝史方法，盆 ^ 、 予5買寫系統 據辦p 3 其可猎磁場規整於磁性光學$錄 媒體上寫入貧料，並以光學讀 屺錄 於以液壓動力驅控越過光學婵體光學頭裝設 匕3 •在一基體上形成一拋棄層，並於 法 線圈層及拋;;开圈：m兩線圈層及-絕緣層；於 -含有發光部突構成焊接突起；預設 鏡頭，$浐 又疋長度朝向磁性光學記錄媒體之 加以聚焦，以及在鏡頭底表面除光=光束 成之金屬薄膜塗層，以开彡点一ΐ仃投定圖形 通孔供將鏡頭定位於,丨曰=办專$反射層，將發光部置入 突起’並將鏡與線圈加熱以熔解焊接 合之鏡頭及線圈元件與基體^離^後移除抛棄層供將已結 …含：電鍍-根基層圖型(―laye 型，並加工該“著；度模型於根基層圖 增以形成一電鍍圖型；電鍍金屬進入該 8906103.ptd 第8頁 512310 五、發明說明（4) 電鍍圖型以 線圈層製出 次之根基層 緣層之過程 層。 本發明 說明而趨於 發明之詳細 形成具有設定厚唐之綠a 之線圈層，並於電鍍圖型及 一设疋厚度之絕緣層· — 以及依序重稷一次或多 之成型過程，雷同4ιΐ 、祕上+ > ^鑛圖型之過程線圈層及製出絕 ’以構成在母一繞願Μ Η + τ 固層具有平坦面之疊積線圈 之目的 明瞭， 說明 =將於配合所附圖式較佳實施例之 圖及5 之磁性 動件可 此磁性 加以聚 12 0 16 0 圈元件 寫入作 體1 0 居禮氏 0將產 訊能以 光點溫 之磁性 種功能 圖，依 光學頭 藉液壓 光學頭 焦之鏡 表面並 則設於 14 0 業時， 0上形 點（C u r 生垂直 科爾效 度低於 而改變 ，鏡頭 本發明較 裝設於一 動力移動 包括一用以對媒體1 頭1 2 〇 朝向磁性 線圈元件 與外部電 鏡頭1 2 成光點， i e point 磁場，資 應（k e r r ’ 居禮氏點 ，使媒體 1 2 0包 參第4 學讀寫系統 0上，該滑 0 0上方， 光點之光束 接合於鏡頭 以及連接件 間，供將線 在近場 光學記錄媒 體被加熱至 圈元件1 4 。該記錄資 換言之，在 體磁力範圍 即因此 佳實施例使 氣動式軸承 於磁性光學 ’一線圈元 光學記錄媒 1 4 0及鏡 源進行電氣 〇對光束聚 當光點範圍 ) 之溫度或 訊因磁化而 S effect) 時，光束之 上資訊因而 括一傳送部 用於磁性光 滑動件1 1 記錄媒體1 0 0上形成 件1 4 0則 體 1 0 〇， 頭1 2 〇之 連接。 焦以於磁性 内之記錄媒 更高時，線 被加以記錄 加以重生。 極化係依媒 可被讀取。 1 2 1 ，_
8906103.ptd 512310 五、發明說明（5) 第一反射部 7及一傳導 傳送光束L 2 1，供反 1 2 5。第 1 2 1，如 之光束。發 伸一段設定 供在讀寫作 1 2 7則位 處。如第6 射層1 2 9 反射層係炫 至線圈元件 一反射部之 線圈元 及一絕緣層 電氣絕緣。 ，並以接點 第4及 0之第一及 構造將配合 1具有圍繞 ，舉例而言 反射層 〇第一 射光束 二反射 此使其 光部1 長度， 業時記 於磁性 圖所示 至少分 合黏接14 0 所有反 件1 4 14 3 平面式 彼此電 5圖顯 第二線 弟7圖 鏡頭1 ’其在 ’ 一第12 9 反射部 L朝向 部1 2 可聚焦 2 7則 並傳送 錄媒體 光學記 ’形成 為1 2 於連接 。此外 射光束 0至少 嵌入線 線圈層 氣連接 二反射部1 2 5 。傳送部1 2 1 1 2 3 —平面設 鄰近傳送部1 2 5以一凹狀鏡片 反射由第一反射 由第一反射部1 第二反射部1 2 1 0 0上形成一光點 ’ ~發光部 設為凹狀供 為朝向傳送 1之第二反 結構圍繞傳 部1 2 3所 2 3中心向 5之聚焦光 錄媒體 於第一 9 a及 件1 6 ，傳導 朝向第 包括兩 圈層1 14 1 圈層1 加以說 2 〇發 一段設 種雙層線14 1、 明。參 光部1 定距離 1 0 0上 反射部112 9b 0 ，供電 反射層1 二反射部 線圈層1 4 1及1及1 5 1 圈結構， 1 5 1及 第7圖， 2 7之特 為順時針 該發 方一段設定 2 3上之傳 兩部份，該 流由外部電 2 9則能確 12 5。4 1 及 1 5 5 1之間以 則具有螺旋 其線圈元件 絕層1 4 3 第一線圈層 疋螺旋方向 方向。該第 12 分離 部1 射部 送部 折射 外延 線， 光部 距離 導反 傳導 源流 使第1， 形成 結構
8906103.ptd 第10頁 512310 五、發明說明（6) 圈層1 4 1包括一設於螺旋内 ，以及設於第一線圈層1 4 1 ，該等第一及第二接觸點1 4 143進行電氣連接，並導接 線圈1 5 1疊於第一線圈1 4 嵌置於其間，其並與第一線圈 。該第二線圈層1 5 1具有連 151a，以及藉連接件16 第四接觸點1 5 1 b。再者， 設有一連接圖型153，該連 1 5 1為電氣絕緣，但與第一 流由傳導反射層1 2 9流至第 傳導反射層1 2 9之部份1 2 第二接觸點1 4 1 b ，其他部 1 5 1 b ，如此，當電流作用 1 2 9 b時’該電流首先流經 接觸點1 4 1 a流至第二線圈 點1 5 1 a 。於電流通過第二 觸點1 5 1 b流至另一部份1 絕緣層1 4 3用以將第一 電氣絕緣，並作為第一及第二 氣連接介層。該絕緣層1 4 3 b以構成第一及第三接觸點1 接觸點1 4 1 b及連接圖型1 部之第一接觸點1 4 1 a ' 周之第二接觸點1 4 1 b ' a及1 4 1 b通過絕緣層 傳導反射層129。第二 上方，而絕緣層1 4 3則 1 4 1具有反向螺旋結構 第一接觸點之第三接觸點 接至傳導反射層1 2 9之 二線圈層1 5 1於其外周 圖型1 5 3與第二線圈層 圈層1 4 1連接以容許電 ® 線圈層1 4 1 。藉此，使 b以連接圖型1 5 3接至 1 2 9 a則接至第四接觸 傳導反射層1 2 9之部份 一線圈層1 4 1 ，經第一 1 5 1 ，再流至第三接觸 圈層1 5 1後，經第四接 9 a 〇 第二線圈141及151 φ 圈層141及151之電 有通孔143a及143 la及151a以及第二 3間之電氣連接。
8906103.ptd 第11頁
參第4及5圖 大於線圈元件1 4 件1 1 0越過媒體 0 〇 ’鏡頭1 2 0發光部 〇及連接件1 6 〇之 1 0 0日^•觸及該磁性 127之長度最好 總，度。以防此滑 光學記錄媒體1 〇 由線圈元件1 4 〇最上方所形 ’可如由第二線圈層丄5丄以傳；=連接件1 6 0 1 ，其在傳導反射尽τ i傳V材枓设為焊接突起1 6 式連接，並於傳導反射層 〇 :以熱熔方 1及1 5 1間形成電氣連接 ： = 圈層1 4 釔（Sn-Pb)合金，銀_鍚_錯（ 十取好為釦一 )合金。 g⑽Pb)合金或金~鍚以1^11 該焊接突起 1 5 1分別連接 1 2 9 b，第二 一圖型於其上方 焊接突起1 6 1 觸區域’以及兩 。總之，經由此 化膜而耗弱鏡頭 為考慮此一 係以非熔回流焊 以熱溶，其係在 言之，以南純度 起1 6 1上形成 1 6 1設 傳導反射 線圈層1 ，然後藉 ，其構成 分隔部1 一製程所 1 2 0之 負面因素 接（fluxl 非熔狀態 氮氣或真 氧化膜， 為使第一及第二線圈層工 層1 2 9之兩分隔部1 2 5 1則配合焊接突起1 6 電鍍加工製程如第5圖所 一與傳導反射層1 2 9之 29a及129b間之分 製成之焊接突起1 6 1將 以接黏合強度。 ’桿接突起1 6 1及鏡頭 ess rdflow soldering) 於南純氮或真空下予以加 空加熱可防止在高溫下於 而可強化鏡頭1 2 0之黏 4 1及 9 a及 1形成 示形成 設定接 開電極 存在氧1 2 〇 技術加 熱。換 烊接突 接強度
512310
五、發明說明（8) 第8 A至8 E 元件以製造磁性光 於第8 A圖所 之基晶體2 0 0， 一包括多數線圈（ 於其間之絕緣層形 4圖所示作為鏡頭 處之通孔2 2 0穿 發光部1 2 7之長 拋棄層1 2 0 resist)。若照相 好處為隨後之拋棄 層2 1 0使用鈦或 yer) 2 3 0 (詳後 在此之後，如 所示線圈元件1 4 型，焊料則可鍍入 突起最好為鍚一鉛 然後，請參8 媒體1 0 0 (參第 以對光束聚焦供在 塗佈於鏡頭1 2 〇 件1 4 0 ，且圍繞 圖為本發明較佳實施 學頭方法之剖視圖。 不之製造方法中，設 一拋棄層2 1 〇則形 如兩層）之線圈元件 成於拋棄層2 1 Q上 120發光部127 過線圈元件1 4 〇及 度大於線圈元件1 4 可為鈦（Ti)，鉻（cr) 塗料作為拋棄層2 1 層2 1 〇移除作業將 鉻，則可方便的製出 述）。 8 B圖所示，即可在 〇之第二線圈層15 該圖型以構成焊接突 合金’銀一錫〜錯合 C圖，具有設定長度 4圖）之鏡頭12〇 媒體1 0 0上形成光 第一反射部1 2 3外 發光部1 2 7，而構 例中運用雙層線圈 有一最好為矽晶片 成該基晶體上，在 1 4 0 ’及一介裝 之後，可製出如第 之通孔2 2 〇。此 拋棄層2 1 〇，使 〇之高度。 或攝相塗料（p h 〇 t 〇 〇之製成材料，其 非常容易；若拋棄 一根基層（Seed la 最上層，如第7圖 1 ，電鍍一模製圖 起1 6 1 ，該焊接 金或金一錫合金。 突出朝向光學記錄 發光部1 2 7則用 點。一金屬薄膜則 側’並朝向線圈元 成傳導反射層1 2 512310 五、發明說明（9) 繼之，可 ，供將鏡頭1 ’然後可對此 1 4 0。此處 最好在高純氮 真空加熱可防 改善鏡頭1 2 最後製程 0及線圈元件 成8 E圖所示 依8 A圖 K圖加以詳述 請參9 A 之拋層2 1 0 層1 4 1 (參 如將銅（CU ) 0以攝相塗料 ’將一鉻（C r 1 0上，以加 基層2 3 0最 )合金材料。 隨後，如 12 0 位於如 加熱， 合焊接 下採用 起1 6 強度。 棄層2 之組件 光學頭 線圈元 將鏡頭 2 0定 一組件 加熱溶 或真空 止焊接 0接合 時，拋 14 0 之磁性 所示之 10 6 1 元件 2 〇 氮或 而能 12 而形 至9 發光部1 2 7裝入通孔2 8 D圖所示之焊接突起1 供熔接鏡頭1 2 〇及線圈 突起1 6 1以黏接鏡頭1 非炼回流焊接方式，高純 1在高溫時形成氧化膜， 1 0如8 D圖所示由鏡頭 中與基晶體2 〇 〇分離， 結構。 件1 4 0製程，將由9 a 圖，第一根基層2 3 0形成於基晶體2 〇 根基層230作為電鍍第一線圈 9 C圖）之電極，並以真空 設於拋棄層2 1 〇上所制ι等柯枓 所製成，則最==成。若拋棄層21 )或鈦（τ心；；m基層2 3 0前 強第-根基層拋棄層2 好為鉻—銅（Cr—3cu〇之，接強度。該第-根 、Γ k )合金或鈦—銅（Ti—Cu 9B圖所示，第 模製出第-線圈層1 4 1。換十：：2 3 〇依所需形狀 佚口之，弟一根基層2 3 〇模
8906103.ptd 第14頁 512310 五、發明說明（ίο) 制出第一絕緣凹槽2 3 1 ， 2 4 0° 參9C圖，一電鍍圖型 2 3 0上，並設為與第一線 成第一電鍍圖型240 ，由 1 000埃（A)，其最好使 技術熔著電鍍模確使模層表 4 0以攝相塗料之類絕緣材 0能藉銘板照相法（photo 1 i 參9 D圖，一金屬則以 4 0 ，使第一線圈層1 4 1 第一線圈層1 4 1為一特定 狀況，因此其最好同時運用 金屬層。 然後可對第一電鍵圖型 由第一電鑛圖型2 4 0移除 所可能造成之第一電鍍圖型 一電鍍圖型之高度將如9 E ，第一電鍍圖型最好設為高 1 4 1 ’舉例而言，假設第 南度為原始向度之7 〇% ， 苐一線圈層141高度之1 型2 4 0之頂表面高度在加 圈層141之高度。 其並於稍後形成第一電鍍圖型 以設定厚度熔設於第一根基層 圈層1 4 1相對之形狀，以完 第一根基層圖形230’薄至 用轉甩式塗層（Spin coating) 面保持平坦。該第一電鍍模2 料製成時，第一電鍍圖型24 thography)予以製成。 設定厚度鑛入第一電鑛圖型2 具有設定線寬之螺旋結構，該 厚度金屬層，即適用於大電流 電鍍或非電鍍技法以形成此一 2 4 0加熱，此一加熬過程可 所有殘留溶液，以減少因溶液 變幵>。由於此一加熱過程，第 圖所示降低。若計入此一影響 於如9 D圖所示之第一線圈層 一電鑛圖型240在加熱後之 則第一電鍍圖型2 4 〇可設為 4〇% ，如此可使第一電鍵圖 熱後接近如9 E圖所示第一線
512310 五、發明說明（π) 該加熱程序可使用加熱爐、平板 ~ 結裝置、或電極光束加熱裝置。 …、展置、紫外線燒 如第9 F圖所示，絕緣層1 4 3妙你1 f圖型24〇’及第-線圈層14i:供；Κ於第-電 1 4 1及稍後成型之第二線圈層工5 /夂卞马苐一線圈層 氣絕緣層。設絕緣層i 4 3具有孔洞> J圖）間之電 :容許第-線圈層i 4 i與第 3 4 3 b ;層12 3經過第一及第二接觸m，導反
或：：Γ):成電氣連接。該絕緣層最好為如Si02、SiU 塗料及聚醯亞氨之類聚合物所製成之絕緣材： 於絕緣層1 4 3上，該第二根基= 則形成 f層1 5 !之電極，且：最Si!:!!作=鑛第二線 電柯料：ΐ =處，通孔1433及143b充滿導 間之^ 可谷許苐一及第二線圈層1 4 1及1 5 1經且 接觸點而形成電氣連接。 ^ 層丄^ Η圖所示根基層2 5 〇依所需之第二線圈 二絕2 = ”°換言之’第二根基層25〇圖模成第 q25 1 ，供於稍後形成一第二電鑛圖型26〇 鋼圖）。第二根基層25〇以鉻一銅合金或鈦— 。0主製成，其亦可作為如前述第一根基層2 3 〇之材料 根然後，該參9 I圖，一電鍍模以設定高度熔著於第二 土層圖案250上，並作為第二線圈層i 5 1之負極，
89〇61〇3, Ptd 第16頁 512310 五、發明說明（12) " ' —-- 藉此而完成第二電圖型2 6 〇。 =9二圖，一金屬則以設定厚度電鍍入第二電鍍圖 ϋ第：ξ線圈層151具有設定線寬之螺旋結構 ，二η ”1為一特定厚度金屬層供適用於 金屬層，包括電鍍或非電鑛塗層均可加=；；形成此一厚 然後可對第二電鍍圖型2 6 〇進行加埶， 程由第二電鍍圖型2 6 0移除所有殘餘溶劑 力:：過 對第二電鍍圖型所可能造成之潛在變形。由於此’：：劑 程第二電鑛圖型之高度降低如第9 過
，第二電鍍圖型最好設為高於9】圖所為^此點 51’使第二電鑛圖型2而、弟-線圈層1 圖所示接近於第二線圈層丄5〇二了巧面在加熱後如9K 份以形成鏡頭120發光部^^8=7移除八部 如此即成型出線圈元件i 4 〇。 （ > 8 D圖）之通訊， 女上述具有如上述結構之本發明磁料# μ :磁性光學頭’一薄膜狀微線圈 系統 可免去額外接合作業達：可=制”，亦 同時’運用薄膜狀微線圈亦能二學頭之製造程序。 之半導體製造程序生產出小：叙如二膑f型及電鑛 加產量。 尘尤予碩，亚因而減少製程增 保持::層性因光成線圈元件之技術，可 在底線圈層及一上線圈層 ptd 8906103. 五、發明說明（13) 之根基層已電鍍後， 深度可加以保持，以阶卜^ 1衣出根基層之曝光系統聚焦 之金屬分離問題亦 ，、降低f析度。此外，上線圈層 可加以維持，且苴„ :以防止。藉此，不同線圈層之距離 多教艟暄爲士 Β隔區域保持於所需範圍内，因此能使 夕默溥m層方便沾晶丄、 川， ^ ^ 〇宜成一微線圈結構。 發明係依較佳實施例以顯示或敘述，惟熟習此一技 玲人士在不離本發明精神及範疇内所可作之各種細部變飾 均仍應含括於以下申請專利範圍。
第18頁 圖式簡單說明 =^圖為一般磁性光學讀寫系統平面圖； 圖為傳統磁性光學讀寫系統前視圖； 第圖係沿第2圖Π — n[線方向之底視圖； 設於—、、M圖係本發明較佳實施例用於磁性光學讀寫系統裝 π動件上之磁性光學頭前視圖； 5圖係第4圖磁性光學頭之部份前視圖； 6圖係第5圖鏡頭底視簡圖； 7圖係第4圖磁性光學頭線圈元立體分解圖； έΕ Q Α 光學读 Α圖至8 Ε圖顯示本發明較佳實施例中用於磁性 ^寫系統之磁性光學頭製造方法剖視圖；以及 絲夕g 9 Α圖至9 Κ圖顯示本發明使用於磁性光學讀寫系 圖圈元件裝配放大剖視詳圖。 式走Ai虎說明· !^°.........磁性光學記錄媒體 10.........滑動臂 120 .........鏡頭 121 .........傳送部 125 …反射部 1?；..第二反射部 .........發光部 ；4； ·，.·..···傳導反射層 ..........線圈元件 141 .........第一線圈層
8906103.pw 第19頁 512310
8906103.ptd 第20頁

Claims (1)

  1. 512310 &1. T. I? 年 J— 日 案號 88112233 六、申請專利範圍 I一種用於磁性光學讀寫系統之磁性光學頭，其可於一磁 性光學記錄媒體上藉磁場規整寫入資料，及以光學方式 由該媒體讀取資料，該磁性光學頭裝設於一滑動臂一端 ’並能以液壓動力越過磁性光學媒體，此磁性光學頭包 含： —裝設於滑動臂端部之鏡頭，供對光束聚焦以於磁 性光學記錄媒體上形成光點； -線圈元件至少包括兩疊置線圈層，及於且 間用以隔絕該兩線圈層：一絕緣層，嗜 ^ 螺旋結構之平面線圈並可加以電氣連接；=有 供將線圈元件 及將線圈層電 其中，該連接 一連接件設於鏡頭及線圈元件之間 頭一侧，並朝向磁性光記錄煤i 乳連接至外部電源。 肢 2.如申請專利範圍第i項所述磁性 件為一焊接突起，供由 其中，該連 接突起以熱熔黏接鏡頭。 電乳連接外部電源，該焊 3·如申請專利範圍第2項 突起選自含有鍚-鉛（Sn〜pb^人光學頭，其中，該焊接 合金、金-鍚（Au-Sn)合金:、銀〜鍚〜錯（Ag~Sn-Pb) 4·如中請專利範圍第i項所 $ -種合金所製成。 件該等線圈層具有同狀螺糂=予頭，其中，線圈元 5·如申請專利範圍第i或2、= w構及方向。 其中，鏡頭包含·· s 3或4項所述磁性光學頭， Μ 890610301.ptc
    送光束·, 該傳送部 傳送部周 焦； 射部中央 焦光束； 外側邊之 反射層至 所述磁性 度’以防 媒體。 讀寫系統磁性光學頭之方法，其 ’及以光學方式該媒體讀取資料 一滑動臂一端，並能以液壓動力 方法包含： 一拋棄層； 線圈元件，此線圈元件至少包括 一1寻迗部供分離傳 一第一反射部朝向 一第二反射部設於 之反射光束以對光束聚 一發光部由第一反 以傳送第二反射部之聚 一設於第一反射部 連接外部電源，該傳導 熔接方式接合連接件。 6·如申請專利範圍第5項 設為長於線圈元件之高 過時觸及磁性光學記錄 7· —種製造用於磁性光學 可藉磁場規整寫入資料 ，該磁性光學頭裝設於 越過磁性光學媒體，該 於一基晶體上形成 該拋棄層上形成一 兩線圈層及一絕緣層； ’用以反射光束； 邊，供反射第一反射部 向外延伸設定高度，用 以及 傳導反射層，用以電氣 少分隔為兩部份，並以 光學頭，其中，發光部 止線圈元件在滑動臂越 圖型化線圈元件及拋棄層以形成一通孔； 形成一電錢圖型於線圈元件之最頂部線圈層，並電 鍍入該電鍍圖型以形成焊接突起； 預設一朝向磁性光學記錄媒體並含有設定突出長度 發光部之鏡頭，該鏡頭用以對光束聚焦供於記錄媒體形
    丄厶二> 丄u 丄厶二> 丄u
    _1號 88112233 申請專利範圍 =光點―，了發光部之外，於鏡頭底表面塗設一設定圖 之金屬薄膜以形成傳導反射層； ▲將發光部嵌入通孔使鏡頭位於焊接突起上，並對該 ^ 4加熱以熔合焊接突起並黏接鏡頭於線圈元件·，以及 移除拋棄層供由基層上分開鏡頭及線圈元件。 8· ^請專利範圍第7項所述方法，纟中，製成線 包含： 形j 一根基層圖型供電鍍於拋棄層； 熔著設定厚度樣模於根基層，並使該樣模層形成一 電鍍圖型； 鍍入一金屬於電鍍圖型以形成一含有設定厚度之線 圈層； 於電鍍圖型及線圈層設有絕緣層；以及 ，依序重複一次或多次之根基層成型，電鍍圖型成型 線圈層成型及絕緣層成型，以於堆疊層之每一線圈層 間形成平坦之多數疊置線圈層。 9.=申請專利範㈣8項所述方&，^成型線圈層後，進 步$含對電鍍圖型之加熱，以移除電鍍模型上之任何 殘留溶液，使電鍍圖型具抗熱性。 1 〇·如:，利範圍第9項所述方法，其中電鍍圖型以預定 fa又為回於線圈層厚度，使電鍍圖頂面在該電鍍圖型完 成加熱後接近線圈層頂面。 1 L如申％專利範圍第8或9或1 〇項所述方法，其中電鍍 用根基層以鉻-銅（Cr-Cu)或鈦-銅（Ti-Cu)製成。
    512310
    12-如申請 絕緣層 氨聚合 1 3·如申請 ’該抛 之至少 14如申請 焊接突 Sn-Pb) 料所製 15,如申請 ，焊接 非炼回 專利範圍第8或9或1〇項所述方 係以含有Si02及Si3N4及包括攝相 物等非導電材料之至少其中一種材 專利範圍第7或8或9或1〇項所 棄層係選自含有鈦（T i )、光阻、 其中一種材料所製成。 專利範圍第7或8或9或1 0項所 起係選自含有鍚-鉛（Sn-Pb)合金、 及金〜鍚（Au~Sn)合金族群之至少其 成。 ^利範圍第7或8或9或1 〇項所 大起黏接鏡頭係在氮氣或真空中以 流焊接法加以達成。 塗料和聚醯亞 料所製成。 述方法，其中 鉻（cr )族群 述方法，其中 銀一鍚-鉛（Ag、 中一種合金材 述方法，其中 無炼融加熱之
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