TW460971B - Plasma dry scrubber - Google Patents
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
- H01J37/32844—Treating effluent gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
- B01D2259/818—Employing electrical discharges or the generation of a plasma
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
460971 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(1) 電漿乾洗器 發明背景 1 .發明領域 本發明有關一種乾洗器,特別有關在半導體製程期間 利用電漿以物理及化學分解作用來淸洗所排放的氣體之一 種電漿乾洗器。 2 .相關技藝的描述 經由複數個程序來製造半導體元件。半導體製程中, 特別時常重覆一種擴散程序及一種蝕刻程序。完成該等程 序之後,經由一種排放系統將留在處理室中的氣體排放到 外界。但在譬如擴散程序、蝕刻程序或類似程序等半導體 製程所用的氣體中,仍存在譬如CF4、CHF3、C2F6 之類等有害氣體。因此,排放通過排放系統的氣體係需要 進行額外的淸潔程序,因此目前係採用乾洗器或濕洗器。 一種譬如根據熱分解或電漿分解等分解程序之氣體淸 洗器通常係用於乾洗目的,已知藉由根據電漿程序的氣體 淸洗係難以將有害氣體有效分解至容許濃度以下’原因如 下: 電漿程序係分成根據電漿產生構造之一種I CP (電 感耦合電漿)程序及一種C C P (電容耦合電漿)程序。 I C P程序具有由於構造特徵而無法保持磁場均勻性之缺 點,並且,若排放管徑增加則會降低氣體的分解能力。特 別在I C P程序中,位於處理室與真空泵之間由石英製成 -------— III —--裳---— — — — — 訂------線 (請先閱讀背面之注意事項rJW寫本頁) ί 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4 - A7 460971 ___B7 _ 五、發明說明(2) 的放電管若長期使用則會具有逐漸減小的厚度,因此部份 情形中,放電管可能因真空泵的壓力而受,。C C P程序 具有離子顆粒流入處理室導致生成顆粒之缺點。 (請先閱讀背面之注意事項Γ‘寫本頁) 發明槪論 因此,本發明之一目的係藉由提供能夠利用電漿在氣 體淸洗應用中均勻地產生電漿且能夠增加磁場強度以加強 氣體分解能力之一種電漿乾洗器來消除上述缺點。 本發明之另一目的係提供一種電漿乾洗器,其不會因 真空泵的壓力而受損。 爲了達成上述目的,根據本發明之一型態,在淸洗氣 體的電漿狀態中將所導入氣體進行分解之電漿乾洗器係包 含:一電漿產生器,其具有用於產生電漿之第一及第二天 線;一 R F產生器,其用於產生高頻的功率供應;及一阻 抗匹配單元,其連接於第一及第二電漿產生線圈與R F產 生器之間,以接收從R F產生器所產生的高頻功率供應且 隨後饋送至第一及第二天線以匹配阻抗。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電漿產生器包括:一殼體,此殼體具有一個氣體進入 埠以流入待淸洗氣體、一電漿產生室,其形成於氣體進入 埠與氣體排放埠之間、及第一及第二接收單元,其分別位 於上與下部上以接收第一及第二天線;以及第一及第二隔 離板,其安裝至第一及第二接收單元以隔離第一及第二天 線與電饌產生室。 一項較佳實施例中,第一及第二隔離板由陶瓷或石英 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5- 460971 A7 _ B7 五、發明說明(3) 所製成,第一及第二天線具有螺旋狀構造,第一及第二天 線以互相串聯或並聯狀作電性連接,而在相同或相反方向 產生磁場。 (請先閱讀背面之注意事項r>w寫本頁) 一項較佳實施例中,R F產生器係爲變頻式高頻產生 器,阻抗匹配單元包含複數個可變式電容器。 圖式簡單說明 現在參照圖式以範例描述本發明的較佳實施例,其中 圖1顯示根據本發明一項較佳實施例之電漿乾洗器的 外表之立體圖; 圖2顯示根據本發明一項較佳實施例之電漿乾洗器的 構造之電路圖; 圖3爲圖.1的電駿產生器之分解圖.; 圖4爲圖1的電漿產生器之剖視圖;及 圖5至圖8爲各以視覺顯示圖2的第一及第二天線所 產生之磁場的圖式。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 C 1 :可變式電容器 c 2 :可變式電容器 1 0 .處理室 1 5 :氣體進入管 2 0 :真空泵 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6 - 460971 A7 _B7 五、發明說明(4 ) 2 5 :氣體排出管 3 0 ·_電漿乾洗器 3 2 :電漿產生器 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 3 4 :阻抗匹配單元 3 6 : R F產生器 4 2 :第一天線 4 4 :第一框架 4 6 :第一隔離板 4 8 :第一 〇型環 5 2 :螺栓 6 0 :殼體 6 1 :第一接收單元 6 2 :第二接收單元 6 4 :氣體排出埠 6 5 :氣體進入埠 6 6 :槽 6 8 :電漿產生室 7 2 :螺栓 ^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 0 :第二蓋 8 2 :第二天線 8 4 :第二框架 8 6 :第二隔離板 8 8 :第二〇型環 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 460971 B7 _ 五、發明說明(5) 較佳實施例的詳細描述 . 根據本發明之一種新的電漿乾洗器,分別安裝在電漿 產生器上部與下部處的第一及第二天線所產生之磁場係更 均勻地分佈在一個電漿產生室中,以均勻地達成電漿排放 。並且,非傳導性隔離板很厚而能夠承受來自真空泵的壓 力’該非傳導性隔離板係用於隔離第—及第二天線與電漿 產生室且由陶瓷或石英所製成。 圖1顯示根據本發明一項較佳實施例之電漿乾洗器的 外表之立體圖。圖2顯示根據本發明一項較佳實施例之電 漿乾洗器的構造之電路圖。 參照圖式,電漿乾洗器3 0主要包含:一個電漿產生 器3 2,一個阻抗匹配單元3 4 ;及一個RF產生器3 6 。電漿產生器3 2連接至一氣體進入管1 5,此氣體進入 管1 5連接至一處理室1 〇。電漿產生器3 2亦連接至一 氣體排出管2 5,此氣體排出管2 5連接至一真空泵2 0 。如下文詳述,電漿產生器3 2在上與下部處分別設有第 —及第二天線(未圖示)。第一及第二天線係爲經過阻抗 匹配單元3 4的RF產生器3 6 ,阻抗匹配單元3 4包括 用於阻抗匹配之兩個可變式電容器C 1及C 2 ,RF產生 器36包含一個變頻式高頻產生器。 將RF產生器3 6所產生的一高頻訊號經由阻抗匹配 單元3 4饋送至第一及第二天線。藉由第一及第二天線所 產生的磁場,將從氣體進入管1 5經由處理室1 〇流入電 漿產生器3 2之氣體進行分解。所分解的氣體經由氣體排 ---.--- - - ----裝----I--I 訂·!-線 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) ,ί 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8 - 4 6 0971 Α7 Β7 五、發明說明(6) 出管2 5排放至真空泵2 0。 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 現在參照圖3及圖4更淸楚地描述電漿產生器的構造 ,圖3爲圖1的電槳產生器之分解立體圖,而圖4爲圖1 的電發產生之剖視圖。 參照圖式’電發產生器3 2在上與下部處分別設有第 一及第二天線4 2及8 2,第一及第二天線4 2及8 2具 有螺旋狀構造。電漿產生器3 2的一個殻體6 0係配置於 氣體進入管1 5與氣體排出管2 5之間。此殼體6 0包含 :一氣體進入埠6 5,其可供待淸洗氣體流入;一氣體排 出埠6 4,其可供已淸洗氣體排放通過;一電漿產生室 6 8,其形成於氣體進入埠6 5與氣體排出埠6 4之間; 及第一及第二接收單元6 1及6 2,其分別位於上與下部 處以接收第一及第二天線4 2及8 2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一天線4 2安裝在第一接收單元6 1內部,以譬如 陶瓷或石英等非傳導性材料製成之一個第一隔離板4 6將 第一天線4 2與電漿產生室6 8隔離開來。第一隔離板 46與一第—框架4 4相接合、並由複數個螺栓5 2安裝 至第一接收單元6 1而在之間具有一第一 〇型環4 8。~ 第一蓋4 0藉由複數個螺栓5 0與第一接收單元6 1相接 合,經由第一接收單元6 1的一個槽6 6將第一天線4 2 連接至阻抗匹配單元3 4。 第二天線8 2安裝在第二接收單元6 2內部,以譬如 陶瓷或石英等非傳導性材料製成之一個第二隔離板8 6將 第二天線8 2與電漿產生室6 8隔離開來。第二隔離板 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 460971 A7 _ B7___ 五、發明說明(7) 8 6與一第二框架8 4相接合、並由複數個螺栓7 2安裝 至第二接收單元6 2而在之間具有一第二〇型環8 8。一 第二蓋8 0藉由複數個螺栓7 0與第二接收單元6 2相接 合’經由第二接收單元6 2的一個槽6 7將第二天線8 2 連接至阻抗匹配單元3 4。 圖5至圖8各以視覺方式顯示圖2之第一及第二天線 所產生之磁場的圖式。 如圖5及圖6所示’第一及第二天線4 2及8 2的構 造可在相同方向產生磁場:使其呈現圖5的互相串聯狀電 性連接;及使其呈現圖6的互相並聯狀電性連接。利用此 方式,當第一及第二天線4 2及8 2在相同方向產生磁場 時,磁場強度比單一天線所產生的磁場增大兩倍。藉由增 加的磁場,而使通過電漿產生室6 8之氣體具有加強的分 解效果。 . . 如圖7及圖8所示,第一及第二天線4 2及8 2的構 造可在相反方向產生磁場:使其呈現圖7的互相串聯狀電 性連接;並使其呈現圖8的互相並聯狀電性連接。利用此 方式’當第一及第二天線4 2及8 2在相反方向產生磁場 時,電漿產生室6 8中形成的磁場幾乎以相同強度分佈。 因此使得通過電漿產生室6 8之氣體具有加強的分解效n 〇 利用此方式,可依需要改變第一及第二天線4 2及 8 2的連接方式,譬如,若第一天線4 2與第二天線8 2 之間具有大的間隙,則在相同方向產生磁場;而若第一天 ------) ΙΊ-----^ illl — 1— ^ 11111 — II ^ *'. . <請先閱讀背面之注意事項寫本頁) ,1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10- d 6 〇9 71 A7 B7 五、發明說明(8) 線4 2與第二天線8 2之間具有小的間隙,則在相反方向 產生磁場,以.更加強化氣體分解的能力。 雖然上文已參照圖式描述根據本發明一項較佳實施例 之電漿乾洗器的構造與操作,此種描述僅爲示範性質。因 此熟悉本技藝者所瞭解的任何及所有的修改與變化均應視 爲位於本發明範圍內。 根據上文描述之本發明,可在乾洗器中均勻地產生電 漿並增加磁場強度,以加強氣體分解的能力。並且,以陶 瓷或石英製成且用於隔離第一及第二天線與電漿產生室之 非傳導性隔板係可能依需要改變厚度,所以即使長期使用 仍可防止電漿乾洗器因爲真空泵的壓力而受到任何損害。 » ^1 ^1 I» ^1 ^1 I ·1 ^1 «1 I n I n I ί <請先閱讀背面之注意事項v/私寫本頁) 訂.- --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 11 ·
Claims (1)
- 46 097!! ! D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 . 一種電漿乾洗器’其中在電漿狀態中將所導入的 氣體進行分解以淸洗該氣體’該電漿乾洗器包含: 一個電漿產生器,其用於產生該電漿,該電漿產生器 包含: 一一第一及第二天線,其用於產生該電漿; _一一個殼體’其具有一個氣體進入埠以供待淸洗氣 體流入;一個氣體排出璋以排出已淸洗氣體;一個電黎產 生室,其形成於該氣體進入埠與該氣體排出埠之間;及第 一及第二接收單元’其分別設置於上與下部處以接收該等 第一及第二天線;及 一-第一及第二隔離板,其安裝至第一及第二接收單 元以將該等第一及第二天線與該電漿產生室隔.離開來; 一個R F產生器,其用於產生一高頻功率供應;及 一個阻抗匹配單元,其連接於該等第一及第二電漿產 生線圈與該R F產生器之間,以接收該R F產生器所產生 的高頻功率供應、並饋送至該等第一及第二天線以匹配阻 抗。 2 .如申請專利範圍第1項之電漿乾洗器,其中該等 第一及第二隔離板由陶瓷或石英製成。 3 .如申請專利範圍第1項之電漿乾洗器,其中該等 第一及第二天線以串聯狀或並聯狀互相電性連接,以在相 同或相反方向產生磁場。 4 .如申請專利範圍第1項之電漿乾洗器,其中該等 第一及第二天線具有螺旋狀構造。 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再)w本頁) -裝. -a 線 -12- A8 46 097 1 !8s D8 六、申請專利範圍 5 .如申請專利範圍第1項之電漿乾洗器,其中該 R F產生器係爲一種變頻式高頻產生器。 6 .如申請專利範圍第1項之電漿乾洗器,其中該阻 抗匹配單元包含複數個可變式電容器。 ^ 7 裝 訂 線 -:r * Γ- (請先聞讀背面之注意事項再一,本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X29?公釐) -13-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0035786A KR100373491B1 (ko) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | 플라즈마 건식 가스 세정기 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW460971B true TW460971B (en) | 2001-10-21 |
Family
ID=19674298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089123698A TW460971B (en) | 2000-06-27 | 2000-11-09 | Plasma dry scrubber |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6423278B2 (zh) |
JP (1) | JP3496879B2 (zh) |
KR (2) | KR200206254Y1 (zh) |
TW (1) | TW460971B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100470999B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2005-03-11 | 삼성전자주식회사 | 유도 결합 플라즈마 식각장치의 챔버구조 |
KR100471107B1 (ko) * | 2004-06-08 | 2005-03-14 | 한국기계연구원 | 저온 플라즈마 발생장치의 세라믹 전극봉의 제조방법 및이를 이용한 저 압력손실 및 저 에너지 밀도를 위한 저온플라즈마 발생장치 |
KR100901745B1 (ko) * | 2008-03-11 | 2009-06-10 | 키스코홀딩스주식회사 | 박막 태양전지 및 모듈 제조방법 |
KR20220105232A (ko) | 2021-01-19 | 2022-07-27 | 삼성전자주식회사 | 스크러버 시스템 및 이를 이용한 습식 세정 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL9200076A (nl) * | 1992-01-16 | 1993-08-16 | Leybold B V | Werkwijze, droge meertrapspomp en plasmascrubber voor het omvormen van reactieve gassen. |
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-
2000
- 2000-06-27 KR KR2020000018332U patent/KR200206254Y1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-06-27 KR KR10-2000-0035786A patent/KR100373491B1/ko active IP Right Grant
- 2000-11-09 TW TW089123698A patent/TW460971B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-11 JP JP2000375758A patent/JP3496879B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-09 US US09/756,103 patent/US6423278B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20010055552A1 (en) | 2001-12-27 |
JP3496879B2 (ja) | 2004-02-16 |
KR200206254Y1 (ko) | 2000-12-01 |
KR20020001297A (ko) | 2002-01-09 |
JP2002028477A (ja) | 2002-01-29 |
US6423278B2 (en) | 2002-07-23 |
KR100373491B1 (ko) | 2003-02-25 |
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