TW454228B - Method and apparatus for plasma treatment - Google Patents
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Description
454228 五、發明說明（1) [發明相關技藝] 本發明是一種藉由高頻放電所產生的電漿，對處理對象 進行指定處理的電漿處理方法及電漿處理裝置》 [先前的技術] 已知過去廣泛使用在半導體元件製造工程中之微細加工 上的一種乾式蝕刻方法是反應性離子蝕刻（R丨E)法。此種 反應性離子蝕刻法’是藉由在電漿中使用磁場，以達到高 密度電襞、快速蝕刻及高精度微細加工的磁控管反應性離 子银刻法（US005 444207號公報，特開平6-531 17號公報，
第13屆乾式處理研討會徵槁彙編p99~1〇3電氣學會）（1991 年，東京）等。 過去所使用的磁控管電漿處—理裝置，以圖5所示磁栌 管蝕刻裝置為例，說明如下： 如圖5所示，該裝置係由安裝在真空容器丨上端内壁之上 方電極2的正極，及兼作雙向配置之處理對象基"*加 下方電極3 (負極）所構成’以促使產生高頻電 5 力，經由匹配電路3 2，外加在上方電極2及 。 叫„ 1乃電極3之 在電極間形成電 偏壓電場，於電漿 象基板表面而進行蝕
藉由電極2及電極3所形成的電場E， 漿’藉由在下方電極3表面所誘發的自 中被加速的反應性離子因撞擊處理對 刻反應。 磁控管R I E進一步的在與自偏壓電場成正交 … 偶極9形成磁場B。圖中顯示磁力線b的形肤楹4方向’《 心狀杈式，因促使
^5422 8 五、發明說明（2) 1=磁電聚中的電子可以藉由低愣次(1- 中的電子Λ / 移。藉由此種偏移運動促使電聚 ,g.子作長距離移動，以提高電子與中子、原子撞擊的 頻率’増加電漿密度。A外，0本身原子撞： :在而延長電子的壽命(撞擊到真空：器將的電内h 處理對象基板上的時間)’還可以進-步的提 阳=i所述的高密度電焚’除了可提高姓刻速度外，因 =了:性（種）與被餘.刻膜的反應（各向同性的反應），縱 f降低氣體壓力，仍可以保持極低的離子能，離子能是造 成損傷及選擇比（與底層及遮光罩（niask)的選擇比）的 原因。 一 * *由於磁控管RIE具備優異的特性，因此目前使用在各種„ 薄獏加工上。但是，由於以磁控管R IE來外加磁場，因此 射入處理對象基板的離子方向混亂，會產生微加載效應， 導致斜向射入處理對象基板表面，各向異性高的蝕刻及加 工範圍（s i ze )小，亦即縱橫比高的蝕刻速度降低。 此外，如圖5所示的舊型磁控管R丨e裝置，只有一台連接 負極的高頻電源，使用一台高頻電源來控制電漿的形成及 射入處理對象基板的離子能。因此’無法控制在電極間所、( 形成之電漿密度（N e)及單獨射入處理對象基板的離子能， 處理的控制範圍狹小。 [本發明希望解決的問題] 如以上所述’舊型磁控管RIE裝置’只有一台連接負極
4542 2 8 五、發明說明（3) 的高頻電源，使用一台高頻電源來控制電漿的形成及射入 處理對象基板的離子能。因此，無法控制在電極間所形成 之電漿密度（N e)及單獨射入處理對象基板的離子能，處理 的控制範圍狹小。 本發明的目的，是提供一種可以分別控制電漿密度及離 子能的電漿處理方法及電漿處理裝置，以解決上述的問 題。 [解決問題的手段] 如本發明申請專利範圍第1項之發明，其特徵為，藉由 在處理室内採雙向配置的上方電極及下方電極之間，外加（ 高頻功率所形成的電漿，對放置在前述下方電極上的處理 對象，進行指定電漿處理的電1處理方法中，將具有電漿 密度與頻率成正比範圍内之頻率及電漿密度與頻率的二次· 方成正比範圍内之頻率的電力，外加在前述的下方電極 上，形成與前述處理對象表面實際成正交的電場E，來進 行電漿處理。 此外，如本發明申請專利範圍第4項之電漿處理裝置， 其特徵為，在處理室内採雙向配置的上方電極及下方電 極，具有將電漿密度之頻率特性為與頻率成正比範圍内的（ 頻率及電漿密度之頻率特性為與頻率之二次方成正比範圍（ 内之頻率的電力，及在前述上方電極與前述下方電極間形 成磁場的磁場產生手段。 [本發明較佳之具體實施例] - (1 )所謂電漿密度與頻率成正比範圍内的頻率，其中所
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五、發明說明（4) (將Ne)，係指可以單獨隨電聚中離子而改變的 锻密度與頻率二次方成正比範圍内的頻ΐ 糸才曰控制電極間所形成電漿密度（Ne)的頻率。 年 (^所謂電㈣度與頻率二次方成正比的範圍’ MHz以上的範圍，最好能在2 7. 12 MHz以上。、曰^ 毁密度與頻率成正比的範圍’係指頻率在14 乂下的Ιϋ圍，最好在5. 4 24 MHz以下。 正(弦^外加在下方電極的電力波形’為短形波、三角波或 的^謂控制電㈣度㈤的頻率，係指超短波（vhf)帶 (6) 在（1)中所謂可以隨離手-改變的 及短波（HF)帶的頻率。 係私長波（LF) (7) 電源具有在長波（LF)及短波（HF)帶震盪前的輸 =短波（VHF)帶端來看，視為高阻抗，超短波電力 不^至長波（LF)及短波（HF)端的構造。 (8 )所謂半導體裝置的製造裝置，係指R IE裝置。 (9) 具有與電場E成正交，在處理對象表形 場B的磁場產生手段。 ^成十订之磁 (10) 在包圍形成電漿範圍的範圍内設計磁場產生手段， 藉由將形成該電漿的範圍置於中間，該磁場產生手段的s 極及N極圍繞其外，形成在前述電場£中具有實際成正交之 基準面的磁場B ’進行電聚處理。 (1 1 )在形成Θ述電锻的範圍..内’自前述上方電極至前述
454228___ 五、發明說明（5) _____ 下方電極’在前述處理對象表面產生杂 (作用） 汽際成正交的磁場。 本發明在一個下方電極上，外加具 正比範圍内之頻率及電漿密度與頻^二$默密度與頻率成 之頻率的電力。如此，則因可以提供欠方成正比範圍内 頻率及可以隨與電漿密度分開之電^ $制電t密度（Ne)的 率，因此可以將控制電漿形成的高頻2 f離子改變的頻 對象之離子能的高頻功率兩者分離。、=率與控制射入處理 -定的狀態下，可以單獨控制離而”漿密度保持 理的控制範圍變大，即可控制蝕刻範圍2 f 1。如此’處 慢的微加載效應。 固义小及姓刻速度變 與過去外加單頻功率相比較- 的角度分散’於電焚處理 二:八處理對象之離子 (pattern si ze)而改變蝕 時’不會因型樣大小 範圍内也可以進行敍刻，消除^ 使在發生敍刻停止的 藉由單獨將外加高頻的電 題。 電極的處理對象附近马下方電極，在置於下方 理效率。 ^ 阿选度的電漿，提高電漿處 在高頻上重疊外加27】2 下的頻率時，藉由古’ 、以上的頻率及5· 424 Μ/ίζ以 同一個電極上外加=^低通濾波器的控制條件，可以在 的電力，可以控制離率。藉由該5.424 MHZw下頻率 藉由使電場E與礤 愣次（low lenz)i3穷\成D父，電跟中的電子可以藉由低 向x方向偏移’並使電漿中的電子
第8頁 e 45422
發明說明（6) 作長距離移動，4 進件μ、x.動错以提高電漿密度。 電漿形成r 聚處理時’藉由DRM ’換言之即是藉由包圍 於外^磁^圍’、使用可以圍繞的磁場產生手段來進行，月 積。 琢的磁石可以變小，因此可以縮小整個裝置的爱 [本發明具體實施例] (呈以丄參照圖式說明本發明的具體實施例： 、丹體實施例丨）
$ 1為顯^本發明之具體實施例1相關之整個電漿處理身 ’ °的模型圖。本具體實施例顯示進行蝕刻時的電漿雇 理。 ^圖1所不’在處理式的真一空容器1的上端内壁裝設上方 :°另在真空容器1内，與該上方電極2採雙向配置’ 、。又兼作處理對象基板支架的下方電極3。
_在^下方電極3的一端設置第1高頻電源4及第2高頻電源 5 A高頻電源4及5的一端接地，另一端分別連接匹配電 路6及7 °該匹配電路6及7共同經由濾波器8連接下方電極 3。高頻電源4為27. 12 MHz的超短波（VHF)帶電源；高頻電 為3. 1 MHz的短波（HF)帶電源。上方電極2接地，藉由 南頻電源4及5 ’在上方電極2及下方電極3之間形成電場 5亥電％ £與圖式上未顯示的處理對象基板表面成垂直方 向。 在真空容器1的外側設置偶極9 ’偶極9具有S極及N極。 該S極及N極可以由包圍夾在真-空容器1内之上方電極2及下
第9頁 45422 8 五、發明說明（7) 方電極3之間的電漿形成範圍’圍繞其外來構成。藉由該 偶極9，在圖式上未顯示之處理對象基板表面的水平方向 產生磁場B，與電場E成正交。 此外’在作為基板支架之下方電極3的内部結構，係設 置冷卻管1 0 ’藉由從圖式上未顯示的液體供應系統供應液 體’以有效控制基板溫度。之所以設置冷卻管丨〇，係因由 本具體實施例所構成之磁空管電漿的密度高，從電敷傳導 至置於下方電極3上之圖式上未顯示的處理對象基 熱度，比過去的裝置為高。 、 真空容器1的内壁，經由裝設在上方電極2附沂 與下部之間構成絕緣分離。此外，除了 邑緣物 上。卩的真空容器1之外，還設~置了用於引進反應翁蛋2之 體供應系統12。另在真空容器1的下方設置用二'广的氣 氣體的氣體排出系統丨3。 、出反應 .下方電極3上的處理對象基板周邊，設置保 (二⑻14。該保護環14由可以與反應性離子等5環 緣材料所構成，採用此種設計，則由電許％成電绝 方：二離子等會有效的射入内側的處理對象基產生的 、 -----八…土，一 + 有機物、金屬、合金等被I虫刻磨及及 種結 射：金鋼不二接曝光在電聚下。保護環14的枓科，’：下 Λ, ^ 厌（dlamond like carbon)及石墨耸々 項釺 的峡、S i 、士她v各 構 體 應氣 來選擇S 1· Γ Λ ! Λ 见π IV乂砂A β /人反應 . 、A 2〇3 (氧化鋁）、A 1 N、BN等的陶替 發明雖然使用鈥系（Nd — F e) 才科。 考應、嵫場％^ , 枣應义 金度、耐力及重量等.因素，來選擇如 13亥適切 系、
第10頁 45422 8 五、發明說明（8) 鐵素體（ferrite)、鋁鐵鎳鈷磁合金（ainic〇)等的永久磁 石材料。 在下方電極3及真空容器1内壁之間，有開多數孔的檔板 (baffle)15，形成下方電極3的邊緣部。該檔板^將自氣 體供應系統1 2引進的氣體排氣流進行整流，從真空容器j 均勻的排出處理氣體。 、二一 I =電極3可以向上及向下作升降移動，晶圓的進出真-空容器内，是下方電極3自偶極9下降’經由柵型閥丨6，使 用負載鎖片（load lock)機構及搬運機構來執行。 其次，使用圖2來說明，在下方電極3上外加頻率為 27. 12 MHz及3. 1 MHz之電力的理由。 、 圖2為顯示電漿密度與頻率，係的實驗結果圖，橫軸為— ，率^轴為電聚密度。在直徑為3〇⑽，高度為5〇⑶的 ?空谷斋内***直徑為15。爪的肿電極，在將真空容器作 為接地電極的平行平板型電極中，使頻率在丨〇 〇 kHz〜 3 0 0 MHz的範圍内改變，以產生電漿。放電氣體則使用 CA/CO/Ar/O2混合氣體，壓力為4〇m T〇rr，RF電源電壓
Vpp保持固定。使用35 GHz的微波干擾計來測定電漿密 度’圖上顯示電漿密度對放電頻率的變化。 仗圖2上可知，約1 4 MHz以上的頻率，電漿密度是與頻' 率的二次方成正比，而約丨4 MHz以下的頻率’電漿密度是… 與頻率成正比。亦知電漿密度與頻率的二次方成正比ί範. 圍内’離子的射入能較低，反之，電漿密度與頻率成正比 的純圍，肖電聚密度與頻率的-二次方成正比的範圍相比 15422 8
五、發明說明（9) 較，其離子的射入能較高，以約丨4 MHz這個臨界點作 限，藉由將大於該界限的頻率與小於該界限的頻率重^斧 =至下方電極，即可分別控制離子能及電漿密度。： 以上頻率及i4mhz以下頻率相重疊的丄 有關本具體實施例的電聚處理裝置，” _ :先’使下方電極3自偶極9的高度 不的負載鎖片機構及搬運機槿，p丄， 飞上禾顯 參发t 連执構，經由栅型閥1 6 ’將處理對 象基板搬運至真空容器丨内的下.方堂^〜i二涎埋對 I音- n 卜万電極3上’藉由圖式上去 顯不的靜電夾盤產生的庫倫力， 囘八上未 在τ + # &。 」早k刀吸引處理對象基板’固定 仕下方電極3上。此時，該下一夭番 u疋 声。& 卜万電極3即上昇至偶極9的高 又 邊下方電極3設定在盘上方 置μ ^ '、方電極2的間隔為27 mm的位 罝上。處理對象基板由矽基板所糂士 士 u來 m的位 1内+二 土攸尸7構成’在搬運至真空容哭 内之刖，已經形成了 〇. 2 M m的矽 ^ ^ m 膜的#層，此外，還在石夕氧化膜匕膜/1，的石夕氧化 (re,; , u /虱化胰表面形成全抗蝕形態 i S St whole pattern)。該處理對象基板藉由從冷 ~供應的液體，控制在6 〇它。 g 接著藉由氣體排出系統1 3進行直* ,, .· 進〇/ /η ，右的真空。再自氣體供應系統1 2引 T ^ I ,〇 A；；〇2 ^ 1 ^ ^ ^ 超短 Γ W^500 …7·12 MHZ 的 ^ ^ ΐ, 1/ Λ Μ ζ ^ ^(HF) - ^ ^ ϋ “員功率，在上方電極2及下方電極3之間，形成對處
第12頁 542 2 8 五、發明說明（10) 理對象基板表面成垂直的電場E。 另外以1 8 0 r p m圍繞儒托0 . , 〇 間外加磁場。此時，偶上方電極2及下方電極3之 電頻率時，因放電效率接L如，當使用高於67·8 MHZ的放 加該磁場，在上方電:，磁場強度可以較小。藉由外 象基板表面水平的磁。下方電極3之間’形成與處理對 上了防止氣體包圍” ’通過以設有裂縫的金屬板覆蓋 二。的檔板1 5、氣體排出系統j 3及圖式上未顯示的電導 :(可改變開口率來調節排氣速度的閥門），將氣體排放置 ，式上未顧不的真空泵。藉由調整電導閥，使反應室内壓 力在4〇m Torr 。 一- 產生27.12^/[}^的超短波（〇1〇帶電源及3.11〇2的短波-(HF )可電源的電力，分別經由匹配電路6及？與濾波器8， 卜力在上方電極2及下方電極3之間，如此所形成的電場 E ’及藉由與裝設在真空容器丨外側之偶極9所形成之處理 對象基板表面平行之磁場B，彼此正交的空間内，自氣體 供應系統1 2供應反應性氣體，利用放電，以27.丨2 mHz之 超短波（VHF)帶電源的電力形成電漿，藉由在處理對象基（ 板表面所誘發的自偏壓與3. 1 Μ Η z短波（HF )帶之電源電力 所產生的電場，從電漿中誘發之能量被控制的離子，撞擊 在處理對象基板上，進行蝕刻反應。 在上方電極2及下方電極3上外加與處理對象基板表面垂 直的電場Ε，磁場Β與該電場Ε成正交。如此，則電漿中的
第13頁
4 5422Q 五、發明說明（11) 電子即可藉由低轉$ + 即在上方電極2及下人，向E x B的方向偏移。因此，電子 中子或原子的撞搫艇電極3之間進行長距離移動，電子與 藉由形成磁場，將2率增加，因而電漿密度提高。此外， 壽命（撞擊到真空办_子封閉在電漿中’可以延長該電子的 上的時間），還可器1的内壁、電極2、3及處理對象基板 運用兩種頻率的古進步的提尚電漿的密度。 下方電極3附近，亦^頻功率外加在下方電極3上，可以在 成高密度電漿，‘ P處理對象基板表面附近更有效的形 所外加的兩個高^，一步的促進反應。 利用27. 12 MHz的艇漆功率’分別是27. 12 MHz及3· 1 MHz， 率來控制離子能，罕來控制電漿密度’利用3. i MHz的頻 射入的能旦。$ ’因此’可〇別控制電漿的形成與離子 的頻率，里，一夕’本具體實施例中雖然是外加3. 1 MHz 下的瓶φ不過南通及低通遽波器也可以控制5 · 4 2 4 MHz以 外，第广，因此可以分別控制電漿的形成與離子能。此 可^同頻電源4的頻率，也宜保持在2712 MHz以上。 範團。：：電漿密f及離子能’就表示擴大了處理控制的 住音的、。之，由；可以在保持電漿密度固定的狀能下， 種離；ί制離子能，與過去對於所需的電紫密度只i定 當：二，’可/报容易的達到希望的實驗條件二 致應:咖小時，可以抑制造成姓刻速度降低的微力4 可用f由外加：倍於過去使用之13.56，的頻率 *用較低的電力進行綠。亦即，電裝密度Λ放電 54 月q日修正/更，正/補充 案號 89104248 曰 修正
I 五、發明說明（12) 頻率的二次方成正比，當頻率為兩倍時，電漿的密度即是 四倍，欲獲得相同的電漿密度，以低頻來產生，要比高頻 產生來得'省電。 ’ 蝕刻處理後，關閉由高頻電源4及5所外加的電力，停止 供應氣體，排出真空容器1内剩餘的氣體之後，使用負載 鎖片機構，從真空容器1内取出。 此時矽氧化膜的蝕刻速度，使用0 . 1私m φ的孔（h ο 1 e ) 時，是0 . 6 1 /z m / m i η，到達該範圍（s i z e )之前，钮刻速度 不致降低（微加載效應）。此外，與底層矽氮化膜的選擇比 為2 5，與遮光罩之抗蝕的選擇比為7。 僅外加舊式的13. 56 MHz時，使用C4F8/C0/Ar/02氣體， 電極間為1700 W，反應室内摩力為40mm Torr，採用 0 . 3 # m p的孔，I虫刻速度雖可以達到0 . 5 8私m / m i η，然 而，此時若以0 . 1 # m φ的孔進行蝕刻時，就會產生蝕刻停 止的現象，與底層矽氮化膜的選擇比為17，與遮光罩之抗 蝕的選擇比則為5。本發明將與底層矽氮化膜的選擇比改 善了 4 7 %，與遮光罩之抗蝕的選擇比改善了 4 0 %，因此可以 減低微加載效應。 圖3顯示在本具體實施例所示的條件下，離子射入能量 (-Vdc)與電漿密度（Ne)的關係。橫軸為離子的射入能量， 縱軸為電漿密度。此外，為便於比較，也顯示各種過去進 行電漿處理時的關係圖。 如圖3所示，過去的電毁處理，亦即外加27.12 MHz、 3. 1 MHz、1 3. 5 6 MHz的單頻電力時，電漿密度隨離子能的
O:\63\63132.ptc 第15頁 2001.07.11.015 45422 8
，若根據本具 2 MHz以上的' 增加而隨之増 望的電漿密曰 五、發明說明（13) 增加而增加’幾乎是固定在右上方的直線上 體實施例，外加重疊高頻功率，且外加2 7. j 頻率時，電漿密度並不會因離子的射入能量 加。這表示可以使用任何的離子能來達到希 度，處理控制範圍因而得以擴大。 本發明並非僅限於上述的具體實施例，從高頻電源4及5 所外加的電力頻率，在高頻方面只要在約丨4 ΜΗζ以即 可，在低頻方面，只要在約1 4 MHz以下即可。而高頻以 27.12 MHz以上’低頻以5.424 MHz以下為宜。這是因為受 到高通及低通遽波器之控制條件的限制，高頻與低頻需要 差距5倍以上。此外’外加在單一之下方電極3上的電力頻 率，不限定為兩種’視實驗條1件等，也可以三種以上。 此外，也可以使用一般的磁石，而不用偶極9，來形成 磁控管電漿，本發明甚至可以適用於沒有設置磁石的緒 構。另如圖4所示，設計成將磁場產生手段2 1圍住上方電 極2與下方電極3之間的範圍’來取代偶極9，藉由構成/卜+ 加縱方向的磁場B’ ，也可以在處理對象基板附近形成问名 度的電將。B，以外的結構’與圖1相同，因此省略其說 明。 [發明效果] ， 由於在下方電極上外加至少兩種不同頻率的電力’形成 與處理對象表面實際成正交的電場E，來進行電漿處理’广 藉由在前述下方電極上外加具有電漿密度與頻率成正比把 圍内之頻率，及電漿密度與頻-率二次方成正比範圍内之頻
454221 五、發明說明（14) 率的電力，提供控制電漿密度（Ne)的頻率及與電漿密度無 關，可以追隨電漿中離子的頻率，因此，可以分離控制電 漿產生的高頻功率及控制射入處理對象之離子能的高頻功 率，可以在保持電漿密度一定的狀態下，單獨控制離子的 射入能量。 [圖式之簡要說明] 圖1為本發明第1具體實施例之電漿處理裝置的模式圖， 圖2顯示電漿密度與離子能的關係， 圖3顯示本具體實施例在電漿處理上，離子能與電漿密 度的關係， 圖4顯示有關本具體實施例的另一種電漿處理裝置圖 例，及 圖5為過去電漿處理裝置的模式圖。 [符號說明] 1.. .真空容器 2.. .上方電極 3.. .下方電極 4.. .第1高頻電源 5 ...弟2南頻電源 6，7...匹配電路 8.. .渡波器 9.. .偶極 1 0...冷卻管 1 1...絕緣物
第17頁 45422 8 五、發明說明（15) 12.. •氣 體 供 應 系 統 13.. .氣 體 排 出 系 統 14.. •保 護 環 15.. •檔 板 16.. •柵 型 閥 21.. .磁 場 產 生 手 段
第18頁
Claims (1)
- 45422 8 六、申請專利範圍 1. 一種電漿處理方法，其係藉由在處理室内採對向配置 的上方電極與下方電極之間外加高頻功率所產生的電漿， 對置於前述下方電極上之處理對象，實施指定的電漿處理 者，該電漿處理方法的特徵為： 將電漿密度與頻率成正比範圍内之頻率與電漿密度與 頻率二次方成正比範圍内之頻率的電力外加在前述的下方 電極上，形成與前述處理對象表面實際成正交的電場E， 來進行電漿處理。 2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其特徵為， 電漿密度與頻率二次方成正比範圍内之前述頻率在2 7. 1 2 ! MHz以上，電漿密度與頻率成正比範圍内之前述頻率在 5. 424 MHz 以下。 ―― 3. 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其特徵為， 在產生前述電漿的範圍内，自前述上方電極至前述下方電 極，產生與前述處理對象表面實際成正交的磁場，來進行 電漿處理。 4. 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其特徵為， 在圍住產生前述電漿範圍的範圍内設置磁場產生手段，藉 由將該磁場產生手段的S極與N極，將產生該電漿的範圍夾 住，圍繞其外，形成具有與前述電場E實際成正交之基準 面的磁場B，來進行電漿處理。 5. —種電漿處理裝置，其特徵為，具備在處理室内採雙 向配置之上方電極及下方電極， 將具有電漿密度之頻率特牲為與頻率成正比範圍内之第19頁 ¢5422 Q 六 申請專利範圍 __ __ 頻率及電聚密度之頻率特性為與頻次出 之頻率的電力外加在前述下方 成正比範圍内 .^ 々电極的電源，及 在别述上方電極及前述下士 生手段。 呔下方電極間形成磁場的磁場產 6將^請專利範圍第5項之電毁處理裝置， 電聚密度與頻率二次方成正比範圍内的前述頻、二為， MHz以上，電_與頻率成正比範圍 述在^广 5. 424 MHz以上。 < 肩半在 前7述ΐΠίϊ範圍第5項之電聚處理裝置，其特徵為， 上ίϊ: 係在產生前述電敷的範圍η，自前述 成正交述下方電極，乞生與前述處理對象表面實際 前8返：t請專利範圍第5項之電漿處理裝置’其特徵為， 装支=场產生手段有S極及N極，該S極及N極將產生前述電 黎少Ϊ圍夾住，並採雙向配置，該S極及N極將產生前沭雷 範圍夾住，圍繞其外。第20頁
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| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |