TW448553B - Single point bonding method - Google Patents

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TW448553B
TW448553B TW085102143A TW85102143A TW448553B TW 448553 B TW448553 B TW 448553B TW 085102143 A TW085102143 A TW 085102143A TW 85102143 A TW85102143 A TW 85102143A TW 448553 B TW448553 B TW 448553B
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Kazumasa Kimura
Yasushi Suzuki
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Shinkawa Kk
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Description

448 55 3 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明 ( 1 ) 1 1 < 發 明 之 詳 细 說 明 > 1 1 < 產 業 上 之 利 用 範 皤 > 1 I 請 1 I 本 發 明 係 有 腿 —h 種 將 接 m 於 半 導 體 元 件 之 電 極 上 之 引 先 閲 1 I 媒 與 回 路 基 板 之 轚 極 或 者 將 帶 ( t a P e ) 之 引 線 與 晶 讀 背 ιέ I 片 之 電 極 予 各 別 接 缅 之 單 點 接 合 方' 法 〇 之 注 意 1 1 < 習 知 之 技 術 > 事 項 1 I 再 1 I 半 導 體 元 件 之 包 裝 如 第 五 圖 ( a ) 所 示 » 係 在 將 設 寫 本 I 於 帶 1 上 之 引 媒 2 接 讀 於 晶 片 3 之 電 槿 4 後 將 引 線 2 切 頁 1 | 斷 成 既 定 長 度 者 0 其 次 將 引 線 2 成 形 為 可 吸 收 應 力 之 形 狀 I ! 1 0 之 後 如 第 五 tgET _ ( b ) 所 示 f 將 附 有 晶 片 之 各 引 線 2 與 1 i 回 路 基 板 5 所 對 應 之 各 電 極 6 >λ 併 用 超 音 波 之 埶 懕 著 接 1 訂 合 器 予 Μ 個 刖 接 縝 0 在 此 引 線 2 之 成 形 係 被 製 成 可 1 I 吸 收 晶 Η 3 與 回 路 基 板 5 之 熱 膨 脹 差 所 引 起 之 應 力 同 時 1 ! I 亦 可 媛 和 通 電 测 試 及 實 際 安 裝 時 之 應 力 者 〇 又 此 種 包 装 1 1 之 形 態 有 例 如 厂 T A B ( 帶 動 接 合 ) 技 術 入 門 J 田 1 賢 造 著 Λ 工 業 調 査 會 發 行 第 2 1 5 頁 第 2 2 3 頁 所 示 者 1 I <3 又 有 Μ 將 各 引 線 2 及 各 電 極 7 予 以 各 別 接 •讀 之 軍 點 接 1 1 1 合 方 法 例 如 有 曰 本 特 開 平 2 — 2 9 9 2 4 7 SEE 公 報 所 揭 1 示 者 0 1 1 < 發 明 欲 解 決 之 課 題 > I I 上 述 習 知 技 術 t 須 使 用 成 形 模 將 引 線 2 予 Μ 成 形 * 其 I 1 I 將 增 加 設 備 費 及 工 程 而 有 成 本 增 高 之 問 題 Ο 又 上 述 之 1 1 習 知 之 單 點 接 合 方 法 9 僅 有 使 X 具 下 降 • 而 將 引 線 2 押 壓 1 1 - 3' 1 1 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 448 55 3 經濟部中央橾準局負工消費合作社印裝 A7 _ __B7_五、發明説明(1 ) 於電極6上,在增加荷重之狀態下,施K超音波而予接合 之技術。因此,依此方法,無法將引線2成形為可吸收懕 力之形狀。 本發明之目的在於提供一種可將引線成形為可吸收應 力之形狀而接合之簞點接合方法。 <解決課題之手段> 為達成上述目的,本發明之構成為:一種單點接合方 法,其可將接讀於晶片之電極上之引線與回路基板之電極 *或者將帶之引線與晶片之電極,Μ工具予以個別接續’ 其特激在於:在引線之自由端,以工具,施Κ壓痕*而在 此壓痕之凹凸部•搭上工具,在將工具朝向引線之固定端 方向移動後,將引線接合於回路基板或晶片之電極上而接 績。 <作用> Μ工具對引線胞以壓痕,而在該壓痕之凹凸部搭上工 具,並向引線之固定端方向移動後,則引線自拉直之狀態 *變肜為接近S形之形狀。之後,Μ此變彤狀態,接合於 轚極上。 <寅施例> Μ下*依第一圖至第四圖說明本發明之一實陁例。又 ,與第五圖相同或相當之元件,附Μ同一符號,並省略其 說明。第一圖中,1 0為公知之併用超音波热壓著接合器 之工具,工具1 0被安裝於發音器上,而發音器則被保持 I- 衣 I、1口 I i I I I IW (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 448553 A7 B7 經濟部中央榡準局員工消费合作杜印製 五、發明説明(}) 於接合頭上並為可上下動者*而接合頭則被搭載於X- Y 平板上。在本*施例中,工具1 0僳如第三圖或第四圖所 示,下面形成有十字狀之突起1 0 a或十字狀之溝1 Ob 。又,突起1 0 a或溝1 Ob不限於為十字狀,且亦可同 時設置突起與溝部兩者。 其次,Μ第一圈及第二圖說明有鼷接合之方法。首先 ,如第一圖(a)及第二圖(a)所示,將工具1〇自引 線2之上方下降。其後,當工具1 0接觸到引線2之自由 端時•如第一圃(b)及第二圖(b)所示,工具10從 前述之下降狀態,緩慢地壓下引線2之端部並下降,又, 引線2作XY移動,而僅移動自固定端甯曲成圓弧之份量 。藉由工具1 0之下降,引線2接鵑至電槿6,而以再度 賦加於工具10上之荷重*如第一圖(c)及第二圖(c )所示,使引線2上具有對麽於工具1 0之下面形狀之壓 痕2a。此壓痕2a之深度(引線2之壓潰量)约為10 wm。工具10在暫時停止後,如第一圖(d)及第二圖 (d)所示,上昇,但仍處在引線2之壓痕2 a之深度内 (例如約5 w m )。 其次,如第一圖(e)及第二匾(e)所示•工具1 0向引線2之固定端方向移動。亦即*工具1 0係搭於懕 痕2 a之凹凸部而將引線2向固定端方向移動,藉此,引 線2自第一圖(d)所示拉直狀態*變形成具有餘裕之接 近S形之形狀。其次如第一圖(f)及第二圖(f)所示 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Μ規格(210X297公釐) A7 448553 B7 五、發明説明(f) ,工具10稍下降(第—臛(d)及第二圖(d)之上昇 份量),如第一圖(S)及第二圖(g)所示,對工具1 0施加荷重及超音波,將引線2與電極6接合。接合終了 後,如第一圖(h)及第二圖(h)所示,上昇工具10 ,回到初期位置,而结束—次之接合工程。 依此·因引線2係以變形成具有裕度之S形之狀態接 合於工具1 〇上,卽使應力施加於引線2上亦可吸收其應 力。又,藉由僅移動工具1 0之接合工程,即可使引線2 成形為可吸收應力之形狀,故不須使用成形横,且不須實 疵其他工程*而可達到節省成本之目的。 又,上述實施例,係說明將接鑛有晶片3之引線2接 合於囲路基板5之電極6上之情形,但亦適用於引線2上 未接合晶片3 ,而在晶片3之電® 4上接合引線2之自由 端側之情形。此情彤,即第一圖所示之5變為晶片’而6 變為晶片之電極者。 <發明之效果> 依本發明,其係在引線之自由端,以工具,施以壓痕 ,而在此壓痕之凹凸部*搭上工具*在將工具朝向引線之 固定端方向移動後*將引線接合於電極6上完成接饋*故 可不使用成形模且不須實施其他工程而可達到降低成本之 目的者。 <圈示之簡單說明> 第一圖(a)至(h)為本發明之單點接合方法之一寘施 本紙張尺度適用中國國家樣隼(CNS ) A4規格(210X 297公釐) II - - ! -- - - I - i ^^1 ·- n -- I- — * I I- I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾丰局員工消費合作衽印製 448553 A7 B7 五、發明説明(t ) 例之動作說明圖。 第二圖為工具之上下動(Z) 、XY移動及超音波(US )振盪之時序圖。 第三圖所示者為工具之一例,(a)為正視圖,(b)為 底視圖。 第四圖所示者為工具之其他例· (a)為斷面圖· (b) 為底視圖。 第五圖為LSI包裝之一例· (a)為附有晶片之引線之 側視圖(b)為將引線接合於回路基板之狀態之側視圖。 <符號之說明> 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1 帶 2 引線 2 a 壓痕 3 晶片 4 電極 5 回路基板 6 電搔 1 0 工具 i nn ^^^1 ^nf I I In n ^^^1 I ^^^1· n^i l··—— Γ1 V 唰 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本页) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297公嫠)

Claims (1)

  1. 4 48 55 3 B8 Co D8 々、申請專利範圍 1 * 一種單點接合方法,其可將接繽於晶片之電極上之引 線與回路基板之電極,或者將帶之引線與晶片之電極,μ 工具予Μ個別接縝•其特徵在於: 在引線之自由端·以工具,施以壓痕*而在此壓痕之 凹凸部,搭上工具,在將工具朝向引線之固定端方向移動 後,將引線接合於回路基板或晶片之電極上而接鑛。 ^^^1 —.^n n·— n fa— »m n^— TJ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本纸張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10230611A (ja) * 1997-02-19 1998-09-02 Canon Inc 液体噴射記録ヘッドおよびその製造方法
KR100460260B1 (ko) * 1997-06-19 2005-04-08 삼성전자주식회사 마이크로BGA(microballgridarray)용빔리드본딩장치및그본딩방법
US6582053B1 (en) 1998-02-18 2003-06-24 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a liquid jet recording head and a liquid jet recording head manufactured by such method
JP4176292B2 (ja) 2000-07-27 2008-11-05 株式会社新川 シングルポイントボンディング装置
JP3943838B2 (ja) * 2001-01-29 2007-07-11 矢崎総業株式会社 金属同士の接合方法
JP2003215161A (ja) * 2002-01-22 2003-07-30 Tokyo Electron Ltd プローブ、プローブの製造方法、プローブの取付方法、プローブの取付装置及びプローブカード

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3934783A (en) * 1974-09-30 1976-01-27 Larrison John E Multiface wire bonding method and tool
US4422568A (en) * 1981-01-12 1983-12-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method of making constant bonding wire tail lengths
DE3343738C2 (de) * 1983-12-02 1985-09-26 Deubzer-Eltec GmbH, 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum Bonden eines dünnen, elektrisch leitenden Drahtes an elektrische Kontaktflächen von elektrischen oder elektronischen Bauteilen
DE3851901T2 (de) * 1987-01-26 1995-04-13 Hitachi Ltd Anschweissen eines Drahtes.
JP2534132B2 (ja) * 1989-05-15 1996-09-11 株式会社新川 ボンデイング方法

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JPH08153748A (ja) 1996-06-11
US5634586A (en) 1997-06-03
JP3120267B2 (ja) 2000-12-25

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