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A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印袈 五、發明説明（1 ) 〔產業上之利用領域〕 本發明係關於一種半導體記憶裝置及其測試方法，特 別是，關於具有自行更新，自動更新等之更新模態的動態 型半導體記憶體（DRAM)，用以實行內設於發生更新 ，列位址的更新用內部計數器（更新計數器）之功能測試 與自行更新時之計數器週期（更新週期）之測定所用的控 制電路及D R AM之測試方法。 〔以往之技術〕 以往在製造DRAM時之檢査時，爲了實行更新計數 器之動作測試（iLim)，設有專用測試電路，而該 電路係藉增加更新計數器之輸出信號（行位址）來測試更 新時之位址切換是否正常地實行。 一方面，DRAM之自行更新模態之動作測試，首先 係在標準動作模態將*1#資料（格位準=）寫入 在DRAM之記憶格之後，進入自行更新模態。由於比成 爲測定對象之記憶格的中止時間等待充分長時間，以讀出 記憶格之資料，俾檢査是否與事先寫入之資料相同（是否 資料被破壞）。 但是，如上所述，實行自行更新模態之動作測試時， 成爲需要比記憶格之中止時間更長時間，而因該時間一般 係在DRAM之更新時間以上之秒單位，因此有導致增加 測試所需時間，測試成本，甚至於有增大製品成本之問題 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ______B7五、發明説明（2 ) 一方面，自行更新時之更新計數器之週期（更新週期 )係以內部時鐘自動地決定，惟在以往之疑似DRAM之 一部分，爲了實行自行更新時之更新週期之測定，設有隨 計數器週期特待定之輸入/輸出梢實行脈衝輸出的專用測 試電路。 但是，如上所述，爲了實行更新週期之測定而設定專 用測試電路時，則由於因增加DRAM之晶片尺寸而導致 增加晶片成本甚至於製品成本，或導致過分之負載施加於 特定之输入/輸出梢，因此，尤其是在最近之同步型 D R AM之高速裝置對輸出波形有不良影響之問題。 〔發明欲解決之課題〕 如上所述，以往之DRAM係在實行自行更新模態之 動作測試時，有導致增加測試所需時間與增大製品成本之 問題，而在以往之疑似DRAM係爲了實行自行更新時之 計數器週期之測定需要惠用泪(ί試霤路，而有導致增大製品 成本之問題。 本發明係爲了解決上述之問題點而創作者，其目的係 在於提供一種以相同之測試電路在短時間內可確實地實施 更新計數器之功能測試與自行更新時的計數器週期之測定 的動態型半導體記憶體及其測試方法。 〔解決課題所用之手段〕 第1項發明之動態型半導體記憶體，係饜於具有自行 本紙浪尺度適用中國國家橾率（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 Λ 3 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 Α7 ___Β7五、發明説明（3 ) 更新模態，自動更新模態，內設用於發生更新，列位址所 用之更新計數器的動態型半導體記億體，其特徵爲：具備 行列狀地排列的記憶格，及連接於同一行之記憶格的字線 ，及連接於同一列之記憶格的位元線，及連接於相輔性之 成對位元線的預充電等化電路，及連接於上述成對位元線 ，具有位元線間電位差檢測用之N通道感測放大器與位元 線電位還原用之P通道感測放大器的位元線感測放大器， 及供應上述N通道感測放大器之驅動信號與P通道感測放 大器之驅動信號的感測放大驅動電路，及爲了實行上述更 新計數器之功能測試與自行更新時之計數器週期的測定而 附加用於控制上述P通道感測放大器（或N通道感測放大 器）之驅動信號，而在測試模態時將上述感測放大驅動電 路之P通道感測放大驅動信號輸出節點（或N通道感測放 大驅動信號輸出節點）降低成接地電位（或上昇成電源電 位）的測試控制電路。 第2項發明之動態型半導體記億體，係屬於具有自行 更新模態，自動更新模態，內設用於發生更新，列位址所 用之更新計數器的動態型半導體記憶體，其特徵爲：具備 行列狀地排列的記憶格，及連接於同一行之記憶格的字線 ，及連接於同一列之記憶格的位元線，及連接於相輔性之 成對位元線的預充電等化電路，及連接於上述成對位元線 ，具有位元線間電位差檢測用之N通道感測放大器與位元 線電位還原用之P通道感測放大器的位元線感測放大器， 及供應上述N通道感測放大器之驅動信號與P通道感測放 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公釐） 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 _____B7_五、發明説明（4 ) 大器之驅動信號的感測放大驅動電路，及爲了實行上述更 新計數器之功能測試與自行更新時之計數器週期的測定而 附加用於控制上述N通道感測放大器之驅動信號，而在測 試模態時將上述感測放大驅動電路之一通道感測放大驅動 信號輸出節點上昇成電源電位的測試控制電路。 又，本發明係在動態型半導體記憶體之測試方法，其 特徵爲：具備在所有列之記憶格寫入所定位準之資料的第 1步驟，及將第2導電型感測放大器控制成非活性狀態， 並僅將第1導電型感測放大器控制成活性狀態，而依次選 擇所有字線的第2步驟，及依次讀出所有列之記憶格之資 料的第3步驟；藉此較依第1步驟之寫入資料與依第3步 驟之讀出資料來檢測有無位址計數器之誤動作者。 〔作用〕 在第1項發明，測試控制電路係在測試模態時可將感 測放大器驅動電路之P通道感測放大驅動信號輸出節點降 低至接地電位。（A)使用測試模態而實行更新計數器之 功能測試時，藉以下之順序可實行。 (1 )在一般動作模態，在所有列，一行之記憶格實 行、電平資料）之寫入。 (2 )進入測試模態，僅所有之列分量實行自動更新 動作。此時，因P通道感測放大驅動信號從位元線予充電 電壓VB L變化成'"L#電平，因此，在實行更新動作之 記憶格寫入"電平（、〇#資料）。 本紙浪尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） ~~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝. ，vs 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印裝 A7 _____B7 五、發明説明（5 ) (3 )回到一般動作模態，從所有列，一行之記憶格 實行讀出。該讀出之結果，若爲♦電平則爲合格，、 Η #電平則爲故障。 亦即，在更新計數器正常地動作時，由於藉由（2 ) 之寫入動作在所有列之記憶格寫入電平，故藉由（ 3 )之讀出動作從所有列之記憶格讀出tL#電平。 而在更新計數器誤動作時，由於在（2 )之寫入動作 時產生未存取之列，而成爲藉由（3 )之讀出動作讀出^ •電平，故成爲可檢測誤動作。又，此時，故障被檢測 時，則成爲由檢測之故障位元數可求出更新計數器之動作 次數。 (B)在使用上述測試模態而實行自行模態時之計數 器週期（更近週期t r e f )之測定時，藉由以下之順序 可實行。 (1 )在一般動作模態，在所有列，一行之記憶格實 行* Η "電平之寫入。 (2 )進入測試模態及自行更新模態，等待一定時間 (tpause)，此時，由於感測放大驅動信號SAP從 VBL變化至電平，因此在實行更新動作之記億格 寫入〃電平（資料）。 (3 )回到一般動作模態，從所有列，一行之記憶格 實行讀出。該讀出之結果，若爲電平則爲合格， L ^電平則爲故障。

此時，在故障被檢測時，則成爲可能故障位元數F B ^紙張尺度逋用中國國家標準（<^5)八4規格（210\ 297公釐） ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央棣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 求出自行更新之實行次數。因此，更新週期t r e f係 t r e f二t pau s e/FB，亦即，故障位兀係可由 一位元變化之時間求出。 又，在（2 )之動作的一定等待時間（tpause)係最 低實行一次自行更新爲止之時間。該等待時間（tpause ) 係依存於DRAM製品者，在16M DRAM爲數十 "s之有序，而依上述等待時間（tpause)之測試時間之 增加係幾乎沒有問題。 在第2項發明，也藉由依據上述第1項發明之動作及 測試方法，可得到與第1項發明同樣之作用效果。 y施例〕 ' 以下參照圖式詳述本發明之實施例。 在第1圖，M C .........係分別行列狀地排列的記憶格 ，表7F —行分量之一部分。W L i ( i = 1 ，2，…… )係分別連接於同一行之記憶格的字線，B Li/B L係 分別連接於同一列之記憶格的位元線（僅表示一對）。 預充電等化電路10係連接於相輔性之一對位元線 BLi/BL，藉由等化信號EQL被控制，將一對位元 線BLi/BL設成在預充電電壓VBL ( —般爲電源電 位 V c c 之 1 / 2 )。 位元線感測放大器1 1係連接於上述一對位元線 BLi/BL，具有第1導電型感測放大器及第2導電型 本紙悵尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --------.—裝卜— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,-ιτ 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 B7____五、發明説明（7 ) 感測放大器（在本例爲位元線間電位差檢測用之N通道感 測放大器111與位元線電位還原用之P通道感測放大器 112)° 更新計數器12係在上述DRAM之更新模態時爲了 發生更近列位址所內設，其输出信號及一般之位址信號藉 多工器2 1被切換而供應至列解碼器2 2，藉由該列解碼 器2 2之輸出信號選擇性地控制上述字線WL i之電壓。 感測放大驅動電路13係依據上述位元線預充電電壓 VBL，等化信號EQL及感測放大促成信號SEN供應 上述N通道感測放大器111之驅動信號/SAN及P通 道感測放大器112之驅動信號SAP。 上述感測放大驅動電路1 3係具備：位元線預充電電 ® V B L琿管於各一端，而在各閘極給與上述等化信號 EQL的第1，第2NM0S電晶體N1，N2，及*** 連接於上述兩個NMO S電晶體之各另一端間，而在閘極 給與上述等化信號EQL的第3NM0S電晶體N3，及 連接於上述第1，第2NM0S電晶體之串聯連接點（感 測放大驅動信號/SAN之輸出節點）與Vs s節點之間 ，而在一般動作模態之主動時及測試模態之主動時分別控 制成導通狀態的第4NM0S電晶體N4 ，及連接於 Vcc節點與上述第2，第3NM0S電晶體之串聯連接 點（感測放大驅動信號SAP之输出節點）之間，而在一 般動作模態之主動時控制成導通狀態，在測試模態時控制 ---------—.裝----- ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210 X 297公釐） A7 經濟部中央標準局貝工濟費合作杜印装 B7五、發明説明（8 ) 成切斷狀態的PMOS電晶體P 1。 在本例子中，上述感測放大驅動電路1 3係又具備有 輸入由感測放大促成信號SEN藉反相器電路15所反轉 之反轉信號/S EN及測試模態進入信號TE S T的二輸 入之或電路1 6 ，上述或電路1 6之輸出信號供應於上述 PMOS電晶體P1之閘極，而上述感測放大促成信號 S EN供應於上述第4 NMOS電晶體N 4之閘極。 測...試控制重里.14係用於實行上述更新計數器之功能 獲試...m.自行更mit數器週期之亂定，而附加於用於控 制上述感測放大驅動信號SAP，而在測試模態時將上述 感測放大驅動電路之P通道感測放大驅動信號输出節點降 低至接地電位者。 亦即，上述測試控制電路14係具備連接於上述第2 ，第3 NMOS電晶體之串聯連接點（感測放大驅動信號 SAP之輸出節點）與V s s節點之間，在一般動作模態 之主動時控制成切斷狀態，而在測試模態之主動時控制成 導通狀態的第5 NMOS電晶體N 5。 在本例子中，上述測試控制電路1 4又具備输入有上 述感測放大促成信號SEN或與此同相之信號（在本例子 爲上述反轉信號/SEN藉由反相器電路17再反轉之信 號）及上述測試模態進入信號TEST的二輸入之及電路 1 8，上述及電路1 8之輸出信號供應於上述第5 NMOS電晶體N 5之閘極。亦即，共通地連接上述 NMOS電晶體N5之汲極與上述感測放大驅動電路13 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 本紙垠尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 11 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 之P通道感測放大驅動信號S AP輸出節點。 以下說明第1圖中之感測放大驅動電路13及測試控 制電路14之動作。 V/& —般動作模態，TEST信號爲AL"•電平（=接 地電位Vs s)，及電路18之輸出爲^1^電平， NM〇s電晶體N 5爲切斷狀態。此時，若感測放大促成 信號SEN爲、L"電平時，則NMOS電晶體N4爲切 斷狀態，反相器電路1 5之輸出/SEN爲〃電平（ =電源電位Vc c )，反或電路1 6之輸出爲’Η"電平 ’而PMOS電晶體Ρ1爲切斷狀態。此時，在等化信號 EQL爲、Η#電平之狀態下，第1 ，第2，第3 NMO S電晶體Ν 1〜Ν 3係分別導通狀態，而感測放大 驅動信號/SAN，SAP之電平係分別VBL。 在該狀態，感測放大促成信號SEN成爲'Η#電平 時，則NMOS電晶體Ν 4成爲導通而感測放大驅動信號 /SAN输出節點降低成Vs s電位。又，反相器電路 1 5之輸出/SEN係成爲·•電平，反或電路1 6之 輸出係成爲•電路，而PMOS電晶體Ρ 1係成爲導 通狀態，感測放大驅動信號SAP输出節點上昇至V c c 電位。 ^/在測試模態時，TEST信號爲電平，反或電 路1 6之输出爲電平，PMOS電晶體Ρ 1爲切斷 狀態。此時，若感測放大促成信號SEN爲'"L"電平時 ，則NMOS電晶體N4爲切斷狀態，反相器電路15之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I: 1裝 l· — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經 部 t 標 準 局 貝

X 消 費 合 作 社 印 製 Α7 Β7 五、 發明説明 (10 ) 1 I 輸 出 / S Ε N 爲 Η 0 電 平 ， 下 — 段 之 反 相 器 電 路 1 7 之 1 1 1 輸 出 爲 % L 0 電 平 9 及 電 路 1 8 之 輸 出 爲 L 電 平 9 1 1 N Μ 0 S 電 晶 體 N 5 爲 切 斷 狀 態 〇 此 時 在 等 化 信 號 /"«ν 1 I 請 1 E Q L 爲 Η 0 電 平 之 狀 態 9 第 1 9 第 2 9 第 3 N Μ 0 S k. 閲 1 I 電 晶 讀 1 1 體 Ν 1 N 3 係 分 別 導 通 狀 態 9 而 感 測 放 大 驅 動 信 號 背 1 1 S 之 1 / A Ν 9 S A P 之 電 平 係 分 別 V Β L 〇 注 意 1 在 ψ 1 該 狀 態 9 感 測 放 大 促 成 信 號 S E Ν 成 爲 Η 電 平 項 再 時 填 9 則 Ν Μ 0 S 電 晶 體 N 4 成 爲 導 通 而 感 測 放 大 驅 動 信 號 寫 本 裝 L / S A Ν 輸 出 節 點 降 低 成 V S S 電 位 〇 又 9 反 相 器 電 路 頁 Γ 1 1 1 5 之 輸 出 / S E Ν 係 成 爲 L 费 電 平 ♦ 下 一 段 反 相 器 電 1 1 路 1 7 之 輸 出 係 成 爲 Η 0 電 平 > 及 電 路 1 8 之 輸 出 係 成 1 1 爲 % L 雖 電 路 9 而 Ν Μ 〇 S 電 晶 體 Ν 5 係 成 爲 導 通 狀 態 9 訂 1 感 測 放 大 驅 動 信 號 S A Ρ 輸 出 節 點 上 昇 至 V C C 電 位 〇 1 | 第 2 圖 係 表 示 在 第 1 圖 之 D R A Μ 之 — 般 動 作 模 態 及 1 I 測 試 模 態 9 從 備 用 狀 態 移 至 主 動 狀 態 ( 寫 入 狀 態 或 讀 出 狀 1 1 態 ) 時 的 各 信 號 狀 態 0 1 1 在 一 般 動 作 模 態 時 ( Τ Ε S Τ 信 號 爲 L 電 平 ) 9 1 1 從 備 用 狀 態 成 爲 主 動 狀 態 時 9 字 線 電 平 從 L 上 昇 至 線 1 1 昇 壓 電 位 V W L ( V C C ) 9 記 億 格 之 資 料 讀 出 位 元 線 1 B L 或 / B L 之 後 ， 感 測 放 大 驅 動 信 號 / S A N 變 化 成 1 L 電 平 9 而 感 測 放 大 驅 動 信 號 S A Ρ 從 V B L 變 化 成 1 I Η 電 平 ( = V C C ) 9 感 測 放 大 器 1 1 開 始 動 作 9 隨 著 1 1 | 記 憶 格 資 料 上 述 位 元 線 Β L 或 / Β L 之 電 平 確 定 在 % L 雔 1 1 或 % Η Ο 1 1 本紙張尺度適闲中國國家樣隼（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印«. A7 B7五、發明説明（11 ) 在測試模態時（TEST信號爲電平），當從 備用狀態成爲主動狀態時，感測放大驅動信號s APS VB L變化成如〃電平，而位元線B Li/B L之電 平係分別成爲""L '。 以下，說明使用上述測試模態實行更新計數器1 2之 功能測試與自行更新模態時之計數器週期之測定的 DRAM之測試方法的一例子。 ^J/A)更新計數器1 2之功能測試之順序係如下。 (1 )在一般動作模態，在所有列，一行之記憶格實 行電平之寫入。此時，在一般之DRAM，由於因 記億格之配置使输入/输出梢的輸入/输出電平與記憶格 之資料電平未一致時，爲了補正此使具備測試器的 AR I RAM功能成爲導通，而在測試器側對應输入/输 出電平俾在記憶格寫入/讀出L/H。 (2 )進入測試模態，僅所有列分量實行自動更新動 作。此時，因如上所述，感測放大驅動信號S A P從 VBL變化成電平，因此實行更新動作之記憶格寫 入〃電平（tO#資料）。 (3 )回到一般動作模態，從所有列，一行之記憶格 實行讀出。此時，將上述AR I RAM功能成爲導通狀態 。該讀出之結果，與測試器之期待値資料相比較，若爲^ L 〃電平則爲合格，* Η ^•電平則爲故障。 亦即，在更新計數器1 2正常地動作時，由於藉由上 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS )^4规格（210X2^公釐)~~~ ~~~ -14 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 五、發明説明（12 ) 述（2 )之寫入動作在所有列之記憶格寫入電平， 故藉由（3 )之讀出動作從所有列之記億格讀出''L#電 平 〇 而在更新計數器1 2誤動作時，由於在上述（2 )之 寫入動作時產生未存取之列，而成爲藉由（3 )之讀出動 作讀出''Η"電平，故成爲可檢測誤動作。又，此時，故 障被檢測時，則成爲由檢測之故障位元數可求出更新計數 器之動作次數。 \/Β )自行模態時之計數器週期（更新週期t r e f )之測定之順序係如下。 (1 )在一般動作模態，在所有列，一行之記憶格實 行電平之寫入。此時，將上述AR I RAM功能^ 爲導通狀態。 (2 )進入測試模態及自行更新模態，等待一定時間 (tpause)，此時，由於感測放大驅動信號SAP從 VBL變化至電平，因此在實行更近動作之記憶格 寫入、電平（資料）。 (3 )回到一般動作模態，從所有列，一行之記憶格 實行讀出。該讀出之結果，若爲電平則爲合格，> L ^電平則爲故障。 此時，在故障被檢測時，則成爲可能故障位元數F B 求出自行更新之實行次數。因此，更新週期t r e f係 t r e f = t p au s e/FB，亦即，故障位元係可由 一位元變化之時間求出。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） --------,1 _ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .線 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 A7 ___ B7__五、發明説明（13 ) 又，在上述（2 )之動作的一定等待時間（tpause) 係最低實行一次自行更新爲止之時間。該等待時間（ tpause)係依存於DRAM製品者，在1 6M DRAM 爲數十；u s之有序，而依上述等待時間（tpause)之測試 時間之增加係幾乎沒有問題。 亦即，依照上述第1實施例之DRAM，成爲可在短 時間內（不需如以往之較良等待時間）確實地實施更新計 數器之功能測試。又，由於以相同之測試控制電路可實施 更新計數器之功能測試與自行更新時之計數器週期之測定 ，故不需要過量之測試電路即可以，縮短測試所需時間， 甚至於可減低測試成本，製品成本。 又，本發明之DRAM之測試方法，係並不被限定於 上述實施例者，實行內設行列狀地排列的記億格，及連接 於同一行之記憶格的字線，及連接於同一列之記億格的位 元線，及連接於相輔性之成對位元線的預充電等化電路， 及連接於上述成對位元線的第1導電型感測放大器與第2 導電型感測放大器，及供應上述第1導電型感測放大器之 驅動信號與第2導電型感測放大器的感測放大驅動電路， 及發生上述記憶格之列位址所用的位址計數器，及解碼來 自上述位址計數器之列位址而選擇性地驅動上述字線的列 解碼器的DRAM時，具備在所有列之記憶格寫入所定位 準之資料的第1步驟，及將第2導電型感測放大器控制成 非活性狀態，並僅將第1導電型感測放大器控制成活性狀 態，而依次選擇所有字線的第2步驟，及依次讀出所有列 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 泉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X 297公釐） 16 - 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印裝 A7 B7_五、發明説明（U ) 之記憶格之資料的第3步驟；藉此較依第1步驟之寫入資 料與依第3步驟之讀出資料來檢測有無位址計數器之誤 作，視需要，從檢測上述誤動作時所檢測的位元線求出上 述位址計數器之計數器動作週期者。 第3圖係表示具有本發明之第2實施例的自行更新模 態，自動更新模態的DRAM之一部分。 表示於第3圓之第2實施例的DRAM，係與上述第 1實施例之DRAM相比較，感測放大驅動電路1 3 a及 測試控制電路1 4 a之構成不相同，因其他係相同，故附 與與第1圖中相同記號。 上述感測放大驅動電路1 3 a係具備：連接於上述第 1，第3 NMOS電晶體之串聯連接點（N通道感測放大 驅動信號輸出節點）與接地電位節點之間，在一般動作模 態之主動時控制成導通狀態，而在測試模態之主動時控制 成切斷狀態的第4 NMOS電晶體N 4，及連接於上述第 2，第3 NMOS電晶體之串聯連接點（P通道感測放大 驅動信號输出節點）之間，在一般動作模態之主動時及測 試模態之主動時分別控制成導通狀態的第1PMOS電晶 體P 1。 在本例子，上述感測放大驅動電路1 3 a係感測放大 促成信號S EN及測試模態進入信號TE S T藉反相器電 路17所反轉之反轉信號/TEST输入於二输入之及電 路1 8，上述及電路1 8之输出信號供應於上述第4 NMO S電晶體N 4之閘極。而上述感測放大促成信號 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. -诔 本紙浪尺度遴用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 A7 B7五、發明説明（15 ) SEN藉反相器電路15所反轉之反轉信號/SEN供應 於上述第1PMOS電晶體P1之閘極。測試控制電路係 爲了實行上述更新計數器之功能測試與自行更新時的計數 器週期之測定而附加於用以控制上述N通道感測放大之驅 動信號，在測試模態時，將上述感測放大驅動電路之N通 道感測放大驅動信號输出節點上昇至電源電位者。 亦即，上述測試控制電路1 4 a係具備連接於V c c 節點與上述第1 ，第3NM0S電晶體之串聯連接點（N 通道感測放大驅動信號輸出節點）之間，在一般動作模態 之主動時控制成切斷狀態，而在測試模態之主動時控成成 導通狀態的第2PM0S電晶體P2。 j本例子中，上述測試控制電路1 4 a係具備輸入有 上述感測放大促成信號S EN與上述測試模態進入信號 TEST的二输入之反及電路2 0，而上述反及電路2 0 之輸出信號給與上述第2 PMOS電晶體P 2之閘極。 在上述第2實施例之DRAM，依據上述第1實施例 之D RAM之動作及測試方法也可實行如第4圖所示之動 作，可得到與第1實施例之DRAM同樣之作用效果。 又，併記在本案申請專利範圍之各構成要件的圖式參 照記號，係爲了容易瞭解本案發明者，並不是將本案發明 之技術上範圍限定在圖示於圖式之實施例而加以併記者。 〔發明之效果〕 如上所述，依照本發明，可提供一種以相同之測試電 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一~ ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 A7 ____B7五、發明説明（16 ) 路在短時間內可確實地實施更新計數器之功能測試與自行 更新時的計數器週期之測定的動態型半導體記憶體及其測 試方法。 〔圖式之簡單說明〕 第1圖係表示具有本發明之第1實施例之自行更新模 態與自動更新模態的DRAM之一部分的電路圖。 2圖係表示在第1圖之DRAM之一般動作模態及 測試模態中，從備用狀態移至主動狀態之各信號狀態的圖 式0 係表示具有本發明之第2實施例之自行更新模 態與自動更新模態的D RAM之一部分的電路圖。 W 4圖係表示在第3圖之DRAM之一般動作模態及 測試模態中，從備用狀態移至主動狀態之各信號狀態的圖 式0 〔記號之說明〕 MC:記憶格，.WLi :字線， BLi/BL: 一對位元線， 10:預充電等化電路， 11:位元線 感測放大器， 111:N通道感測放大器， 112: P通道感測放大器， 12:更新計數器， 13， 1 3a :感測放大驅動電路， 1 4，1 4a :測試控制 電路， 15，17:反相器電路， 16:或電路， 18:及電路， 19:反及電路， N1〜N5: 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 A7 _B7_ 五、發明説明（17 ) NMOS電晶體， PI ，P2 : PMOS電晶體， EQL:等化信號， VBL:預充電電壓， SEN: 信 ΠΠΧΠ 驅 大 放 測 感。 道號 通信 動 : 驅 N 大 A 放 S 測 \ 感 道 ， 通 號 P 信 ： 成 P 促 A 大 S 放 測， 感號 --------Ί·裝 ------訂 • ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央棣準局員工消費合作社印製 3ϋ£5£〇___ 々、申請專利範圍 y. —種動態型半導體記憶體，係靥於具有自行更新 模態，自動更新模態，內設用於發生更新，列位址所用之 更新計數器的動態型半導體記憶體，其特徵爲：具備行列 狀地排列的記憶格MC，及連接於同一行之記憶格的字線 WLi ，及連接於同一列之記憶格的位元線BLi/BL 及連接於相輔性之成對位元線的預充電等化電路1 0，及 連接於上述成對位元線，具有位元線間電位差檢測用之N 通道感測放大器111與位元線電位還原用之P通道感測 放大器1 1 2的位元線感測放大器1 1 ，及供應上述N通 道感測放大器之驅動信號與P通道感測放大器之驅動信號 的感測放大驅動電路1 3，及爲了實行上述更新計數器之 功能測試與自行更新時之計數器週期的測定而附加用於控 制上述P通道感測放大器之驅動信號，而在測試模態時將 上述感測放大驅動電路之P通道感測放大驅動信號输出節 點降低成接地電位控制電路14者。 如申請專利範圍第1項所述之動態型半導體記憶 體，其中，上述感測放大驅動電路1 3係具備：位元線予 充電電壓連接於各一端，在各閘極給與等化信號的第1 ， 第2NM0S電晶體N1 ，Ν2，及***連接於上述兩個 NMO S電晶體之各另一端間，在閘極給與上述等化信號 的第3NM0S電晶體Ν3 ，及連接於上述第1 ，第3Ν MOS電晶體之串聯連接點與接地電位節點之間，在一般 動作模態之主動時與測試模態之主動時分別控制成導通狀 態的第4 NMOS電晶體Ν 4，及連接於電源電位節點與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· -^-9 21 經濟部中央標率局貝工消費合作杜印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 上述第2，第3 NMOS電晶體之串聯連接點之間，在一 般動作模態之主動時控制成導通狀態，而在測試模態之主 動時控制成切斷狀態的PMOS電晶體P1:上述測試控 制電路1 4係具備連接於上述第2，第3 NMOS電晶體 之串聯連接點與接地電位節點之間，在一般動作模態之主 動時控制成切斷狀態，而在測試模態之主動時控制成導通 狀態的第5 NMOS電晶體N 5者。 如申請專利範圍第2項所述之動態型半導體記憶 體，其中，上述感測放大驅動電路1 3係又具備輸入有感 測放大促成信號之反轉信號及測試模態進入信號的二輸入 之或電路1 6，上述或電路之输出信號給與上述PMOS 電晶體之閘極，上述感測放大促成信號給與上述第4 NMO S電晶體之閘極，上述測試控制電路係又具備输入 有上述感測放大促成信號或與此同相之信號及上述測試模 態進入信號的二输入之及電路1 8，上述及電路之输出信 號給與上述第5 NMO S電晶體之閘極者。 會.一種動態型半導體記憶體，係靥於具有自行更新 模態，自動更新模態，內設用於發生更新，列位址所用之 更新計數器的動態型半導體記億體，其特徵爲：具備行列 狀地排列的記憶格MC，及連接於同一行之記憶格的字線 WLi ，及連接於同一列之記億格的位元線BLi/BL ，及連接於相輔性之成對位元線的預充電等化電路1 〇 ， 及連接於上述成對位元線，具有位元線間電位差檢測用之 N通道感測放大器111與位元線電位還原用之P通道感 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 測放大器112的位元線感測放大器11 ，及供應上述N 通道感測放大器之驅動信號與P通道感測放大器之驅動信 號的感測放大驅動電路1 3 a，及爲了實行上述更新計數 器之功能測試與自行更新時之計數器週期的測定而附加用 於控制上述N通道感測放大器之驅動信號，而在測試模態 '時將上述感測放大驅動電路之N通道感測放大驅動信號輸 出節點上昇成電源電位的測試控制電路1 4 a者。 V.如申請專利範圍第4項所述之動態型半導體記憶 體，其中，上述感測放大驅動電路1 3 a係具備：位元線 予充電電壓連接於各一端，在各閘極給與等化信號的第1 ，第2NM0S電晶體N1，N2，及***連接於上述兩 個NMO S電晶體之各另一端端間，在閘極給與上述等化 信號的第3NM0S電晶體N3，及連接於上述第1 ，第 3 NMOS電晶體之串聯連接點與接地電位節點之間，在 一般動作模態之主動時，控制成導通狀態，而在測試模態 之主動時控制成切斷狀態的第4NM0S電晶體N4 ，及 連接於電源電位節點與上述第2，第3 NMOS電晶體之 串聯連接點之間，在一般動作模態之主動時與測試模態之 主動時分別控制成導通狀態的第1PM0S電晶體P1; 上述測試控制電路1 4 a係具備連接於上述電源電位節點 與上述第1 ，第3NM0S電晶體之串聯連接點之間，在 一般動作模態之主動時控制成切斷狀態，而在測試模態之 主動時控制成導通狀態的第2 NMOS電晶體P 2者。 /如申請專利範圍第5項所述之動態型半導體記憶體 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) S衣. 訂 23 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ，其中，上述感測放大驅動電路1 3 a係又具備輸入有感 測放大促成信號之反轉信號及測試模態進入信號的二輸入 之及電路1 8，上述及電路之輸出信號給與上述PMOS 電晶體之閘極，上述感測放大促成信號給與上述第4 NMO S電晶體之閘極，上述測試控制電路係又具備输入 有上述感測放大促成信號或與此同相之信號及上述測試模 態進入信號的二输入之反及電路2 0，上述反及電路之输 出信號給與上述第2 NMO S電晶體之閘極者。 V.—種動態型半導體記憶體之測試方法，係內設行 列吠地排列的記憶格，及連接於同一行之記億格的字線， 及連接於同一列之記億格的位元線，及連接於相輔性之成 對位元線的預充電等化電路，及連接於上述成對位元線的 第1導電型感測放大器與第2導電型感測放大器，及供應 上述第1導電型感測放大器之驅動信號與第2導電型感測 放大器之驅動信號的感測放大驅動電路，及發生上述記億 格之列位址所用的位址計數器，及解碼來自上述位址計數 器之列位址並選擇性地驅動上述字線的列解碼器的動態型 半導體記憶體之測試方法，其特徵爲：具備在所有列之記 憶格寫入所定位準之資料的第1步驟，及將第2導電型感 測放大器控制成非活性狀態，並僅將第1導電型感測放大 器控制成活性狀態，而依次選擇所有字線的第2步驟，及 依次讀出所有列之記億格之資料的第3步驟：藉此較依第 1步驟之寫入資料與依第3步驟之讀出資料來檢測有無位 址計數器之誤動作者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ规格（210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -24 - ^02520 ττ、申請,利範圍 8^.如申請專利範圍第7項所述之動態型半導體記億 體之測試方法，其中，從檢測上述誤動作時所檢測之位元 數求出上述位址計數器之計數動作週期者。 ^^^1 ml ^ m^— i ^mk ^^^^1 ^^1 一eJ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本萸) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -25