TW298658B - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 167
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 126
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 116
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 40
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 28
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 10
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C37/0089—Sealing devices placed between articles and treatment installations during moulding or shaping, e.g. sealing off the entrance or exit of ovens or irradiation rooms, connections between rooms at different pressures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 C7 D7 五、創作説明(1 ) 〔產業上之利用領域〕 本創作係有關使用於半導體基板,多片模組(Multi-chip Module, MCM) , 印刷電路板等之蝕刻 ,灰化 (ashing) ,沈積,表面改品質,表面清洗等之電漿處理裝置 及其運轉方法,尤其,予以增進生產置之技術或對於被處 理基板不賦與電漿產生時之損傷之技術有關。 〔先前之技術〕 先前之LS I (大型積體電路)製造過程之在半導體 基板等之蝕刻,灰化,沈積,表面改質,表面清洗等中, 廣範地採用著在減壓下予以產生電漿來處理基板之各種電 漿處理裝置。 在如此之電漿處理裝置,係配設裝載用眞空室(Load Lock Chamber)成鄰接.於實施電漿處理之處理室,並從該 裝載用眞空室進行基板之搬運。該場合,將設置搬運基板 於處理室和裝載用眞空室間用之開閉口,以在處理時,將 該開閉口以稱爲滑門閥(Gate Va丨ve )之門扉體予以關閉 (封閉)成氣密狀態,而在搬運時,則從該開閉口實施基 板之搬出搬進。 〔創作擬解決之課體〕 然而,上述之先前電漿處理裝置,門扉體因配設於裝 載用眞空室一側,以從裝載用眞空室側實施開閉口之開閉 ,以致有必要在裝載用眞空室內配設驅動門扉體用之驅動 本紙張尺度適用中國國家橾率{ CNS〉A4规格(210X297公釐> -4 - ---------1------tr--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C7 D7 i999S§ 五、創作説明(2 ) 機構及門扉體之驅動用空間。爲此,將使裝載用眞空室之 容稹變大,而使抽眞空之時間變長,致使形成會降低基板 每—片之處理效率,亦即降低生產量之主要原因。 另一方面,電漿處理雖在搬運被處理基板直至所定之 處理位置之後,予以產生電漿來進行,惟該時具有所謂在 電漿產生時,將會施加較穗定狀態(定態)之電漿維持電 壓更爲大之放電開始(啓動)電壓,而暫時性地生成多量 之電子及離子,以致半導體基板等之被處理基板乃具有由 該等初期性所生成之電子及離子而受到損傷之虞·之問題。 本創作係鑑於上述之情事所創作者,其目的係擬提供 一種可增進m漿處理之生產置之裝置,及不賦與電漿產生 時之損傷於被處理基板之運轉方法者。 〔解決課題所用之機構〕 申請專利範園第1項(以下簡稱爲請求項1 )所記載 之電漿處理裝置,其特徵爲:具備有:由實施電漿放電來 進行基板表面·處理用之處理室:經由形成於形成該處理室 之壁部的開閉口而成爲與該處理室連通自如之裝載用眞空 室;具有從前述壁部之處埋室內面側使之開閉之門扉體的 開閉機構:及將進行基板之搬運於前述處理室和裝載用眞 空室間之搬運機構,所構成。 請求項2所記載之電漿處理裝置,係在請求項1所記 載之電漿處理裝置中,前述開閉口配設有複數於前述壁部 之同時,對於每各開閉口配設有複數之前述裝載用眞空室 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS>A4規格(210X297公釐)-5 - l·--------S-------irI------ϊ (請先閲讀背面之注意·Ϋ項再填寫本頁) 經濟部申央標率局負工消費合作社印製 經濟部中央標準局貝工消资合作杜印製 C7 D7 五、創作説明(3 ) ,而前述搬運機構,以前述處理室和一間裝載用眞空室當 作1個單位,在每一單位加以配設爲其特徵。 請求項3所記載之電漿處理裝置係構成,其特徵爲具 備有:由實施電漿放電芣進行基板表面處理用之處理室; 經由形成於形成該處理室之壁部的第1開閉口而成爲與該 處理室連通自如之第1裝載甩眞空室;經由形成於前述壁 部之第2開閉口而成爲與該/處理室連通自如之第2裝載用 眞空室:被支承於前述處理室內,並以移動於該處理室內 來交替地從該處理室內面側關閉前述第1開閉口,第2開 閉口的門扉體:被固定於朝向該門扉髏之前述第1裝載用 眞空室一側來保持基板,並在該門扉體關閉前述第1開閉 口之時,使該基板位於前述第1裝載用眞空室之位置,而 在該門扉體關閉前述第2開閉口之時,使該基板位於前述 處理室內之位置的第1搬運舟皿:及被固定於朝向該門扉 體之前述第2裝載用眞空室一側來保持基板,並在該門扉 體關閉前述第2開閉口之時,使該基板位於前述第2裝載 用眞空室之位置,而在該門扉體關閉前述第1開閉口之時 ,使該基板位於前述處理室內之位置的第2搬運舟皿,所 構成。 請求項4所記載之電漿處理裝置,係在請求項3所記 載之電漿處理裝S中,前述門扉體係構成,在於前述處理 室內以形成垂直方向之軸線來配置之同時,被固定於由驅 動源所轉動之軸體,而由該軸體之轉動使之攏動,以令前 述第1開閉口,第2開閉口形成交替地開閉爲其特徵。 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS)A4規格(210X297公釐)_ 6 _ ---------^------ir—:----線,·{ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C7 D7 298Β$9 五、創作説明(4 ) 請求項5所記載之®漿處理裝置,係在請求項3所記 載之電漿處理裝置中,前述第1,第2之搬運舟皿係個別 具備載置基板下面周緣部用之保持部,而在前述第1 ,第 2之裝載用眞空室,形成基板之裝入•取出孔於個別之上 壁,並配設有由於朝上下方向移動而開閉該基板裝入•取 出孔之蓋體,而且配置有在其內部形成上下方向移動自如 之同時,當從下限位®朝上.方移動時,能在該內部撮取載 置於前述保持部上之基板而使該基板從前述基板裝入•取 出孔朝外部移動,或從上限位置朝下方移動時,可使在前 述基板裝入•取出孔上方所接收之基板予以載置於前述保 持部上之基板交接台,而更附設有可令前述蓋體和基板交 接台使之同步地朝上下方向移動之驅動機構爲其特徵。 請求項6所記載之電漿處理裝置,係在請求項4所記 載之電漿處理裝置中,前述第1,第2之搬運舟皿係個別 具備載置基板下面周緣部用之保持部,而在前述第1 ,第 2之裝載用眞空室,形成基板之裝入•取出孔於個別之上 壁,並配設有由於朝上下方向移動而開閉該基板裝入•取 出孔之蓋體,而且配置有在其內部形成上下方向移動自如 之同時,當從下限位置朝上方移動時,能在該內部撮取載 置於前述保持部上之基板而使該基板從前述基板裝入•取 出孔朝外部移動,或從上限位置朝下方移動時,可使在前 述基板裝入•取出孔上方所接收之基板予以載置於前述保 持部上之基板交接台,而更附設有可令前述蓋體和基板交 接台使之同步地朝上下方向移動之驅動機構爲其特徴。 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-7 - l·--------裝(-----4T--^----I (請先閲讀背面之注意-f項再填夷本頁) 經濟部中央揉準局員工消费合作社印製 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 C7 _D7_ 五、創作説明(5 ) 請求項7所記載之電漿處理裝置之運轉方法,係做爲 運轉記載於請求項1至6之任一項所記載之電漿處理裝® 所用之方法,其特徵爲:遍及複數之基板搬運之期間,可 形成連續性地維持用以進行電漿處理所用之電漿放電。 〔作用〕 在請求項1·記載之電氣處理裝置,因配置門扉於ψ經 常維持成減壓狀而使容積即使加大亦對於生產童不產生影 響之處理室內,因此,在裝載用眞空室側並不必要顧及配 設門扉體之開閉所需要之空間。爲此,重複地實施開放於 大氣中和抽眞空且其容稹會賦與生產量產生影響之裝載用 眞空室,可儘置地使其容積構成爲小,而可縮短抽成眞空 所需之時間,由而可增進生產量。 在請求項2記載之電漿處理裝置,因裝載用眞空室爲 複數室,由而從某一裝載用眞空室進行基板搬運之時,對 於其他之裝載用眞空室,可實施基板搬運之準備。亦即, 基板之搬運和搬運準備作業可並行地來進行,故可增進生 產量。 請求項3記載之電漿處理裝置,係由一個門扉體就可 令第1及第2之開閉口之開閉操作以一個動作來完成,由 而可縮知門扉體之開閉時間而可增進生產量。而且在門扉 體,第1及第2之搬運舟皿成一體地被固定著,因此,與 開閉操作之同時,可予以進行基板搬運而使裝e結構極顯 著地成爲單純化。 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS)A4规格( 210X297公釐)-8 - N--------S-----钉—^----線-{丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局負工消费合作社印裂
Cl D7_ 五、創作説明(6 ) 請求項4記載之電漿處理裝置,乃以配設於處理室內 之軸體爲中心來擺動門扉體而交替地予以開閉第1及第2 之開閉口,因此,能以容易的結構來實現由門扉所實施之 第1及第2開閉口之交替的開閉。 請求項5或6記載之電漿處理裝置,係基板之裝入. 取出乃由驅動機構使蓋體和基板交接台朝上下方向移動而 達成。 , 亦即,當蓋體和基板交接台一齊朝上方向移動時,因 蓋體之上升而開放(打開)基板裝入·取出孔,並同時由 於基板交接台之上升而撮取載置於保持部上之基板,並從 基板裝入•取出孔使基板朝外部移動來收回基板。 相反地,使蓋體和基板交接台一齊朝下面方向移動時 ,因由基板交接台之下降而使在基板裝入•取出孔上方所 接收之基板,將會被載置於前述保持部上,並同時由於蓋 體之降下而使基板裝入·取出孔被封閉,而完成基板之裝 入。 請求項7記載之電漿處理裝e之運轉方法,係在複數 之基板搬運期間,因可連續地維持電漿放電,由而能在電 漿放電成穩定常態性之進行狀態下,使被處理基板搬入處 理室內且從處理室內予以搬出,因此,對於被處理基板並 不產生電漿產生時之損傷。 〔實施例〕 以下,將參照圖1及圖2來說明有關本創作之電獎處 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS )八4规格(210Χ297公釐)-9 - L--------裝(-----,·1Τ--.----線乂 — (請先閲讀背面之注意辜項再填寫本頁) 經濟部中夬標準局貝工消費合作社印製 C7 D7 五、創作説明(7 ) 理裝置之一實施例。 圖1及圖2係顯示有關本創作之電漿處理裝S之一H 施例者,圖中,符號1爲底座,1 〇爲處理室,2 OR, 2 〇 L均爲裝載用眞空室(第1及第2之裝載用眞空室) ,3 〇爲門扉髋,4 0 R,4 0 L均爲搬運舟皿(第1及 第2之搬運舟皿),W係表示著基板。 處理室1 0乃由壁部a所形成,並予以固定於底 座1上。 在壁部1 0 a形成有,開閉口 1 1 R,1 1 L (第1 及第2之開閉口),排氣口12及開口13。在排氣口 1 2則連接著例如由渦輪分子泵1 4 a及預抽眞空泵(<3-ry vaccum pump) 14 b之組合所構成之高眞空排氣機構 1 4 ,構成藉由排氣口可使處理室1 0內排氣成高眞空。 在處理室1 0連接有連通開口 1 3來引起電漿放電之電漿 產生室1 3 a。又在處理室1 P ,配置有予以構成可上下 動自如之基板位置調整機構1 5,而可使基板W使之上下 動0 * 裝載用眞空室2 0 R,2 0 L係用以搬運基板至處理 室1 0及從外部進行基板W之裝入•取出所用者,而配置 成同心園狀個別鄰接於處理室1〇之兩側方。裝載用眞空 室20R,20L形成有與開閉口1 1R,1 1L相連通 之開口部2 1 ,而藉由該等開口部2 1及開閉口1 1 R, 11L與處理室形成連通自如之同時,在圍繞該開口部 2 1之裝載用眞空室2 0 R,2 0 L之側壁部2 0 a,配 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐>-1〇 - L. 裝{·ΐτ--;----.^.α.— (請先聞讀背面之注意寧項再填寫本頁) 經濟部中央標率局負工消费合作社印袋 C7 D7 五、創作説明(8 ) 設有〇環等之封閉(密封)材料(劑)2 1 a,以使側壁 部2 0 a和處理室1 〇之側壁部1 0 b以形成挾持封閉劑 2 1 a之狀態下固定成氣密狀態。裝載用眞空室2 0 R, 2 0 L,在其上壁部2 0 b形成有基板裝入·取出孔2 2 〇 而在裝載用眞空室2 OR,2 0L外部側方,配設著 氣缸2 3 (驅動機構),而.在附設於氣缸2 3之活塞桿 2 3 a之露出狀態時的上端,將配設成由朝上下方向移動 時可打開•封閉基板裝入·取出孔2 2之盖體2 4 ,以連 接體2 3 b安裝成爲一體,並在活塞桿2 3 a之露出狀態 時之下端,將配設成以貫穿下(面)壁部2 0 c成氣密狀 態下可上下動之基板交接台2 5 ,以連接體2 3 b安裝成 爲一體。如此之狀態下,活塞桿2 3 a之上下端,因能成 一體來移動,由而盖體2 4和基板交接台2 5 ,將可同時 地(形成同步地)賦予上下動。又在裝載用眞空室2 0 R ,2 0 L,將未圖示之高眞空排氣機構以閥等連接成可連 接•分開狀之伺時,配設有導入氬,氮,空氣等之惰性氣 體用之漏口閥(Leak valve)。 門扉體3 0乃在處理室1 〇內以形成垂直方向之軸線 來配置之同時,被固定於以未圖示之驅動源所轉動之軸體 3 0 a,並由該軸體3 0 a之轉動而在處理室1 〇內予以 擺動,以令開閉口 1 1 R,1 1 L從壁部1 〇 a之處理室 1 0內面側形成交替地予以開閉者。該場合之由門扉體 3 0來進行開閉口 1 1 R之封閉(關閉),係以朝向配設 本紙張尺度適用中國國家榣準(CNS> A4规格(2丨0X297公釐^ . l·--------#------奵--:----線乂| (請先閱讀背面之注意卒項再填寫本頁) 39ββ9β C7 D7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 五、創作説明(9 ) 於圍繞開閉口 1 1 R之處理室1 0側壁部χ 內面側周緣部1 〇 c之0環等之封閉材料3 體3 0之裝載用眞空室2 0 R側壁面3 〇 e 態下,由配設於軸體3 0 a之止動(鎖緊) )來加以固定來形成。由門扉體3 〇來進行 之封閉亦同樣地來實施,該場合乃形成裝載 2 0 L之側壁面3 0 d朝向.封閉材料3 〇 b 如此地,由門扉體3 0 ,軸體3 0 a,驅動 而構成用以開閉開閉口 1 1 R,1 1 L用之 搬運舟皿4 0 R,4 0 L,係在朝向門 個裝載用眞空室2 0 R,2 0 L之兩側方向 一體固定者,構成即使門扉體3 0之擺動亦 眞空室20R,20L及開閉口 11R,;l 之外形,而且形成有較基板W形成若干大之 同時,將朝向該凹處4 0 a裡面側突出所形 (保持部)上用以載置基板W之下端周緣部 4 0 R,4 0 1和基板交接台2 5,係設計 在所定位置進行上下動之時,互相可避免干 如將基板交接台2 5外徑予以設定成較凹處 之同時,在基板交接台2 5外周(邊)緣, 爪4 0 b產生干擾用之凹處2 5 a,並在此 以進行基板交接台2 5使之上升而撮取載置 之基板W,相反地,下降載置有基板W之基 以載置基板W於爪4 0 b上之動作。 0 b之處理室 〇 b來使門扉 推壓成氣密狀 機構(未圖示 開閉口 1 1 L 用眞空室 推壓之狀態。 源及止動機構 開閉機構。 扉體3 0之2 ,個別予以成 不會與裝載用 1 L產生干擾 凹處4 0 a之 成之爪4 0 b 。又搬運舟皿 成交接台2 5 擾之形狀,例 4 0 a更小徑 形成有避免與 結構之下,予 於爪4 0 b上 板交接台2 5 請 先 聞 讀 背 之 注 | 項 再 % · 寫i 本本 頁 , 訂 •線 本紙法尺度通用中國國家橾準(CNS)A4規格( 210X297公釐)-12 -
經濟部中央標準局貝工消費合作社印$L 五、創作説明(10 ) 而搬運舟皿4 0 R乃在門扉體3 0在關閉了開閉口 1 1 R之時,使基板W位於裝載用眞空室2 0 R之位置, 並在門扉體3 0在關閉了開閉口1 1 L之時,就使基板W 位於處理室1〇內之位置者,至於搬運舟皿11L則與此 相反,當門扉體3 0關閉了開閉口 1 1R之時,就使基板 W位於處理室1 〇內之位置,而在門扉體3 0關閉了開閉 口 1 1 L之時,則使基板W位於裝載用眞空室2 0 L之位 置者。此時,倘若將處理室1 0和裝載用眞空室2 0R當 作一個單位時,門扉體3 0之開閉機構的驅動源,將兼爲 搬運機構之驅動源,而由搬運舟皿4 0 R及門扉體3 0之 開閉機構來構成搬運機構。再者,處理室1〇和裝載用眞 空室2 0 L當作一個單來看之時,亦爲相同。 將參照圇3對於使用具有如上述結構之電漿處理裝縻 時之電漿處理,說明如下。 ① 處理之準備: 首先,門.扉體3 0以例如圖1及圖2所示,封閉裝載 用眞空室2 0 R之開閉口 1 1 R之狀態下,由個別之眞空 排氣機構予以排氣處理室1 0及裝載用眞空室2 0 R成高 成空,並在獲得所定之眞空度之後,在電漿產生室1 3 a 予以產生對應於處理目的之電漿。 ② 第1次之處理: ②一 1 ,從外部導入基板至裝載用眞空室2 0 R之狀 況。 本紙張尺度遴用中國國家標率(〇<5)八4規格(210\297公釐)-;13 - l·--------iii (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線人! C7 D7 39ββ8β 五、創作説明(11 ) (請先閲讀背面之注意卞項再填寫本頁) 對於由門扉體3 0而封閉著開閉口 1 1 r之裝載用眞 空室,解用眞空排氣機構,且由漏口閥來導入惰性氣體, 以使該裝載用眞空室2 0 R內成爲常壓(或較常壓有若千 高之壓力)。 以驅動氣缸來上升活塞桿2 3 a,使之蓋體2 4上升 而開放(打開)裝載用眞空室2 0 R之基板裝入·取出孔 2 2 ,並同時基板交接台2. 5將會從下限位置移動至上方 且從基板裝入•取出孔2 2移動至外部,而成爲可接受基 板W之狀態。在載置被處理基板W於該狀態之基板交接台 2 5上之後,予以驅動氣缸2 3令活塞桿2 3 a下降,而 由盖體2 4來封閉基板裝入·取出孔2 2之同時,將使基 板交接台2 5從上限位置移動至下方,而使在基板裝入· 取出孔2 2上方所接受之被處理基板W予以導入於裝載用 眞空室2 0 R內,並戴置於搬運舟皿4 0 R之爪4 0 b上 Ο 而後,以眞空排氣機構來進行裝載用眞空室2 0 R之 抽眞空直至與'處理室1 0爲同一程度之眞空度。 經濟部t央梂準局舅工消费合作社印裝 ②一 2 ,從裝載用眞空室2 OR搬運至處理室1 0之 狀況。 將門扉髏3 0以軸體3 0 a爲中心,朝如圖示之反時 鐘轉動以使之擺動,以令門扉體3 0形成封閉著裝載用眞 空室2 0 L之開閉口 1 1 L之狀態。由此一動作,可達成 由門扉體3 0而進行之開閉口 1 1 R之打開操作和開閉口 1 1 L之關閉操作,及由搬運舟皿4 0 R來進行之被處理 本紙張尺度適用中國國家橾準(〇吣)八4規格(210父297公釐)-14- 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印褽 C7 D7 五、創作説明(l2 ) 基板W之搬入。 ② 一 3,電漿處理之狀況。 在處理室1 0內,予以適當地進行由基板位置調整機 構1 5之高度調節等之處理條件之最適當化,並予以實施 由來自電漿產生室1 3 a之根基等之表面處理。 ③ 第2次之處理: ③一1 ,從外部導入蘂板至裝載用眞空室2 0 L之狀 況。 如上述,從封閉裝載用眞空室2 0 L之時刻、開始進 行對於裝載用眞空室2 0 L之基板導入。亦即,與上述^ ②一 3之電漿處理」並行,開始進行對裝載用眞空室 2 0 L之基板導入作業。 ③一 2 ,從裝載用眞空室2 0L搬運至處理室1 0之 狀況。 將門扉髋3 0以軸體3 0 a爲中心,朝如圚示之反時 鐘(時針)轉動來使之擺動,以令門扉體3 0形成封閉著 裝載用眞空室·2 0 R之開閉口 1 1 R之狀態。由此一動作 ,而達成從裝載用眞空室2 0 L至處理室之被處理基板W 之搬入之同時,可達成從處理室1 0至裝載用眞空室 2 0 R之已完成處理之基板W之搬出。 ③一 3 ,電漿處理之狀況。 對於從裝載用眞空室2 0 L搬入至處理室1 0之被處 理基板W,將以與上述「②_ 3之電漿處理」同樣之程序 來實施電漿處理。 裝 |-----訂.--_----線Λ. (請先S讀背面之注意事,項再填寫本頁) 本紙張尺度遑用中國國家揉準(CNS)A4規格( 210X297公釐)_ - 經濟部中央梯準局員工消費合作.杜印製 C7 D7 五、創作説明(13 ) ④第3次以後之處理: ④一 1 ,在裝載用眞空室2 0 R之基板更換(調換) 之狀況。 從開始上述「③-3之電漿處理」之時刻,予以並行 進行在裝載用眞空室2 0 R之基板更換。 其程序(方法)係與上述「②一 1之從外部導入基板 至裝載用眞空室2 0 R」箴同樣,有相異之處乃在上升基 板交接台2 5之時,附加有,基板交接台2 5在裝載用眞 空室2 0 R內予以攝取爪4 0 b上之已處理完成之基板W 並朝外部移動,以進行收回已處理完成之基板W之操作。 以下則在記載④-2之搬運後,依次重複地予以並行 進行④一 3和⑤_ 1等之操作。該時,直至處理終了,電 漿將不會切斷而連續地使之運轉。 〔實施例〕 製造了具備上述結構之電漿處理裝置,而實施爲電漿 處理之一例子之灰化(ash i ng )處理之試車,其結果係如 圖3所示,基板W之更換爲4 5秒(基板回收•設定5秒 ,裝載用眞空室2 0之抽眞空爲4 0秒),由門扉體3 0 之擺動所實施之基板搬運爲5秒,灰化時間(電漿處理時 間)爲4 0秒,總共以9 0秒鐘來完成1個過程。然而以 如圖3所示,予以並行使用2個裝載用眞空室2 OR, 2 0 L,亦即予以並行地進行電漿處理和基板之更換之時 ,就對於每一片之處理所需之週期能以5 0秒鐘來達成, 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS > A4規格(210X297公釐)-16 - ----------及------,*tTI-7---- (請先閱讀背面之注意事項再篇寫本筲) 經濟部中央捸率局貞工消費合作社印製 C7 _* K__D7__ 五、創作説明(14 ) 而達到所爲7 2片/小時之極高之產量。 在上述竄漿處理裝置,因門扉體3 〇乃配設於處理室 1 0內,而使門扉體及其驅動機構•驅動空間,並不必要 配置於裝載用眞空室2 0 R,2 0 L。因此,可令裝載用 眞空室2 0 R,2 0 L之容稹構成儘可能之小,以致抽眞 空所需之時間可顯著地縮短至例如在上述實驗例中爲4 0 秒鐘之可增進生產量。 . 又裝載用眞空室2 OR,2 0 L爲兩(2 )個,由而 在從一邊之裝載用眞空室之基板搬運之後,可同時並行地 進行電漿處理和對於另一邊之裝載用眞空室之基板搬運之 準備(更換基板),例如在上述實驗例,實際所费之時間 爲9 0秒之過程,由於並行進行處理而可使之變爲5 0秒 ,因此可增進生產量。 再者,以1個門扉體3 0而使2個裝載用眞空室 2 OR,2 0L之開閉口 1 1R,1 1L之開閉操作,能 以一個動作來進行,由而可縮短門扉體3 0之開閉時間而 可增進生產量〜而且更加上於此,門扉體3 0因使搬運舟 皿4 0 R,4 0 L形成一體固定著,由而實施開閉動作之 同時,可進行基板之搬運,例如在上述實驗例中,能以5 秒鐘就可實現該開閉操作和基板之搬運,致使可增進生產 量之同時,可使裝置之結構使之單純化而可減低裝置之成 本。 又因構成以軸髓3 0 a爲中心來擺動門扉體,使開閉 口 1 1R,1 1 L交替地來開閉,由而該動作能以容易地 本紙張尺度適用中國國家梂準(匚邓)八4规格(210父297公*)- 17 - I.--------裝 r-----訂·—.----線-< , (請先閲讀背面之注意#項再填寫本頁) D7 d«S68e 五、創作説明(15 ) 結構來實現,而可減低裝置之成本。 而且僅予以驅動氣缸2 3,就可實施裝載用眞空室 2 〇 R,2 0 L之基板W之交接,故能使基板之交接成爲 容易且迅速。加上裝載用眞空室2 0 R,2 0 L,只要具 備可收容基板W ·搬運舟皿4 0 R或搬運舟皿4 0 L ·基 板交接台2 5之容積就已足夠,故可設計容積成爲儘置地 小,而使實施裝載用眞空室.2 OR,2 0L之抽眞空所需 之時間,極顯著地縮短例如在上述實驗例中爲4 0秒鐘, 致使對於增進生產量有所貢獻。 再者,在遍及複數之基板搬運之期間,因不予以切斷 電漿放電之下,連績地予以維持,而形成穩定常態性地實 施電漿放電之狀態下來進行被處理基板W之裝入取出,因 此,對於被處理基板不使之開始產生電漿時之損傷。此運 轉方法乃以下列做爲主要原因,而使不切斷電漿之連續運 轉,在現實上成爲無不合適而有利之運轉方法。 (1 )由於裝載用眞空室2 OR,2 0L之小容稹化 而達成抽眞空時間之縮短, (2)由於裝載用眞空室20R,20L之並行利用 而增進效率, (3 )由於1個門扉體3 0能以一個動作就開閉2個 之裝載用眞空室20R,20L之開閉口1 1R,1 1L 間而達成開閉操作之快速化, (4 )由於搬運舟皿4 0 R,4 0 L在門扉體3 0成 爲一體.化,致使裝載用眞空室2 0 R,2 0 L之開閉和基 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS>A4規格(210X297公釐)_ 18 - 請 先 閲 讀 背 面 之 注
I 經濟部中央梯準局負工消費合作杜印製 經濟部中央棣率局貝工消費合作杜印装 C7 D7 五、創作説明(16 ) 板搬運能以一個動作來完成而達成基板搬運操作之快速化 9 (5 )由於裝載用眞空室2 0 R,2 0 L之基板更換 機構(氣缸2 3,蓋體2 4,基板交接台2 5 )而可快速 地進行基板之更換。 再者,本創作之電漿處理裝置,並非限定於上述實施 例而已,亦可構成如下之氟施狀態。 a)替代設置2個之裝載用眞空室20R,20L, 而配設一個裝載用眞空室,或3個以上之裝載用眞空室。 b )替代對於2個之裝載用眞空室2 0 R,2 0 L配 設一個門扉體3 0 ,而對於2個之裝載用眞空室個別地予 以配設門扉體。 c )替代由擺動運動來進行以門扉體3 0實施2個裝 載用眞空室2 OR,2 0L之開閉口 1 1R,1 1L之封 閉,而由直線性之往回運動來進行° d)替代對於處理室1〇形成同心圓狀相鄰接配置2 個之裝載用眞空室,而予以形成直線狀相鄰接配置,或形 成任意之位置關係來配置。 e )替代使搬運舟皿4 0 R,4 0 L對於門扉體3 0 成一體配設,而予以配設成另一體。 F )#代配設基板交接台2 5於裝載用眞空室2 0 R ,20L內,而在裝載用眞空室20R,20L之下面壁 部2 〇,c予以配設與蓋體2 4同樣之蓋體’並將該蓋體做 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格( 210x297公簸)-19 - L---------^ ! (請先W讀背面之注意-Ϋ項再^寫本頁) -Ja 線人 經濟部中夬標率局属工消费合作社印製 C7 D7 五、創作説明(17 ) 爲基板交接台來使用。 g )替代連接電漿產生室1 3 a於處理室1 〇,而配 設霉漿產生機構於處理室10內。 h )替代在裝載用眞空室2 0 R,2 0 L配設與處理 室10之高眞空排氣機構14爲另外之眞空排氣機構,而 使高眞空排氣機構1 4予以兼用爲裝載用眞空室2 0 R, 2 0 L之抽眞空用。 . i )替代進行灰化處理做爲電漿處理,而予以進行蝕 刻處理,沈積,表面改性質等之其他電漿處理。 i)以處理室和裝載用眞空室爲每一各單位來個別地 配設搬運機構。 〔創作之效果〕 依據請求項1記載.之電漿處理裝置,門扉體因配置於 處理室內,因此,在裝載用眞空室側並不必要配設門扉體 及其驅動機構•驅動空間之需要。爲此,可儘量地予以構 成裝載用眞空室之容積成爲小,而可縮短抽成眞空所需之 時間,由而可增進生產量。 依據請求項2記載之電漿處理裝置,因裝載用眞空室 爲複數室,由而利用從某一裝載用眞空室進行基板搬運之 時,對於其他之裝載用眞空室,可實施基板搬運之準備。 亦即,基板之搬運和搬運準備作業可並行地來進行,故可 增進生產量。 依據請求項3記載之電漿處理裝置,因由一個門扉體 本&張尺度逋用中國國家棣準(CNS> A4規格(210X297公釐)-20 - .---------Λ------'1T1-^-----線·〈 (請先《讀背面之注意事項再其寫本頁) C7 D7 間而可 皿成一 增進生產 體地被固 板搬運而 成本。 置,乃以 替地予以 構來實現 ,而減低 進行基 裝置之 處理裝 體而交 易的結 的開閉 五、創作説明(18 ) 就可令第1及第2之開閉口之 ,由而可縮知門扉體之開閉時 門扉體,第1及第2之搬運舟 ,與開閉操作之同時,可予以 極顯著地成爲單純化,且減低 依據請求項4記載之電漿 室內之軸镫爲中心來擺動門.扉 第2之開閉口,因此,能以容 施之第1及第2開閉口之交替 開閉操作以一個動作來完成 量。而且在 定著,因此 使裝置結構 配設於處理 開閉第1及 由門扉所實 裝ffi之成本 請 先 閲 讀 背 I& 之 注 意 項 再 寫 本 頁 請求項5或6記載之電漿處理裝置,因基板之裝入 •取出乃由驅動機構使蓋體和基板交接台朝上下方向移動 而達成,故能容易且迅速地來進行基板之更換。又加上, 可儘可能地設計裝載用眞空室之容積成爲小。 依據請求項7記載之電漿處理裝置之運轉方法,係在 複數之基板搬運期間,因可連績地維持電漿放電,由而能 在電漿放電成穩定常態性之進行狀態下,使被處理基板進 行交接之搬出入,故不招致在被處理基板引起剛電漿產生 時之損傷。 〔圖式之簡單說明〕 圖1係顯示有關本創作之電漿處理裝置之一資施例平 剖面圖。 圖2係在圚1中之X — X線箭頭方向之展開圖。 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS)A4规格(210X297公釐〉-21 - -訂 線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 €f D7 五、創作説明(I9 )圖3係顯示有關本創作運轉方法之一實施例之時間圖 請 先 閲 讀 背 之 注•I 再 -訂
線·t I 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印装 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)-22 -
Claims (1)
- 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 298660 C8 D8 τ、申萝子迥獎處理裝置,其特徵爲;具備有:由實施 電漿放電來進行基板表面處理用之處理室:經由形成於形 成該處理室之壁部的第1開閉口而成爲與該處理室連通自 如之第1裝載用眞空室;經由形成於前述壁部之第2開閉 口而成爲與該處理室連通自如之第2裝載用眞空室;被支 承於前述處理室內,並以移動於該處理室內來交替地從該 處理室內面側關閉前述第1開閉口,第2開閉口的門扉體 :被固定於朝向該門扉體之前述第1裝載用眞空室一側來 保持|ΐτ述基板,並在該門扉體關閉前述第1開閉口之時, 使該基板位於前述第1裝載用眞空室之位置,而在該門扉 體關閉前述第2開閉口之時,使該基板位於前述處理室內 之位置的第1搬運舟皿:及被固定於朝向該門扉體之前述 第2裝載用眞空室一側來保持前述基板,並在該門扉體關 閉前述第2開閉口之時,使該基板位於前述第2裝載用眞 空室之位置,而在該門扉體關閉前述第1開閉口之時,使 該基板位於前述處理室內之位置的第2搬運舟皿,所構成 ,而在前述門扉體,使前述第1之搬運舟皿及前述第2之 搬運舟皿,個別被固定於前述門扉體之兩側並使之成爲一 體。 2 .如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置,其 中,前述門扉體係構成,在於前述處理室內以形成垂直方 向之軸線來配置之同時,被固定於由驅動源所轉動之軸體 ,而由該軸體之轉動使之擺動,以令前述第1開閉口,第 2開閉口形成交替地開閉之結構者。 本紙张尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(210X297公嫠)-Μ --------{ 袈-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局爲工消費合作社印装 A8 m C8 D8 ^' mm% 專利範圍第1項所述之電漿處理裝置,其 中,前述第1 ,第2之搬運舟皿係個別具備載置基板下面 周緣部用之保持部,而在前述第1 ,第2之裝載用眞空室 ,形成基板之裝入•取出孔於個別之上壁,並配設有由於 朝上下方向移動而開閉該基板裝入•取出孔之蓋體,而且 配置有在其內部形成上下方向移動自如之同時,當從下限 位置朝上方移動時,能在該內部撮取載置於前述保持部上 之基板而使該基板從前述基板裝入•取出孔朝外..部移動, 或從上限位置朝下方移動時,可使在前述基板裝入•取出 孔上方所接收之基板予以載置於前述保持部上之基板交接 台,而更附設有可令前述蓋體和基板交接台使之同步地朝 上下方向移動之驅動機構爲其特徵。 4 .如申·請專利範圍第2項所述之電漿處理裝置,其 中,前述第1 ,第2之搬運舟皿係個別具備載置基板下面 周緣部用之保持部,而在前述第1,第2之裝載用眞空室 ,形成基板之裝入•取出孔於個別之上壁,並配設有由於 朝上下方向移動而開閉該基板裝入•取出孔之蓋體,而且 配置有在其內部形成上下方向移動自如之同時,當從下限 位置朝上方移動時,能在該內部撮取載置於前述保持部上 之基板而使該基板從前述基板裝入•取出孔朝外部移動, 或從上限位置朝下方移動時,可使在前述基板裝入•取出 孔上方所接收之基板予以載置於前述保持部上之基板交接 台,而更附設有可令前述蓋體和基板交接台使之同步地朝 上下方向移動之驅動機構爲其特徵。 I紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X 297公釐)-24 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂<
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12011495A JP3165348B2 (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | プラズマ処理装置およびその運転方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW298658B true TW298658B (zh) | 1997-02-21 |
Family
ID=14778298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW084108155A TW298658B (zh) | 1995-05-18 | 1995-08-04 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5759334A (zh) |
JP (1) | JP3165348B2 (zh) |
KR (1) | KR100196036B1 (zh) |
TW (1) | TW298658B (zh) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100218269B1 (ko) * | 1996-05-30 | 1999-09-01 | 윤종용 | 건식 에칭기의 잔류 가스 제거 장치 및 방법 |
JP3215643B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2001-10-09 | ワイエイシイ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6178660B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Pass-through semiconductor wafer processing tool and process for gas treating a moving semiconductor wafer |
US6881269B2 (en) * | 2000-08-17 | 2005-04-19 | Novartis Ag | Lens plasma coating system |
US6858085B1 (en) * | 2002-08-06 | 2005-02-22 | Tegal Corporation | Two-compartment chamber for sequential processing |
US7553684B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques |
US20060065622A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Floyd Philip D | Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency |
US7534080B2 (en) * | 2005-08-26 | 2009-05-19 | Ascentool, Inc. | Vacuum processing and transfer system |
KR101153118B1 (ko) | 2005-10-12 | 2012-06-07 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 |
JP5330721B2 (ja) | 2007-10-23 | 2013-10-30 | オルボテック エルティ ソラー,エルエルシー | 処理装置および処理方法 |
CN102046840B (zh) * | 2008-03-25 | 2012-08-01 | 奥宝科技Lt太阳能有限公司 | 处理装置及处理方法 |
US7719754B2 (en) * | 2008-09-30 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Multi-thickness layers for MEMS and mask-saving sequence for same |
TWI485799B (zh) | 2009-12-10 | 2015-05-21 | Orbotech Lt Solar Llc | 自動排序之直線型處理裝置 |
US8459276B2 (en) | 2011-05-24 | 2013-06-11 | Orbotech LT Solar, LLC. | Broken wafer recovery system |
JP2014056987A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8332394D0 (en) * | 1983-12-05 | 1984-01-11 | Pilkington Brothers Plc | Coating apparatus |
US5021138A (en) * | 1985-01-17 | 1991-06-04 | Babu Suryadevara V | Side source center sink plasma reactor |
-
1995
- 1995-05-18 JP JP12011495A patent/JP3165348B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-04 TW TW084108155A patent/TW298658B/zh active
- 1995-08-07 US US08/512,092 patent/US5759334A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-11 KR KR1019950024852A patent/KR100196036B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08316286A (ja) | 1996-11-29 |
JP3165348B2 (ja) | 2001-05-14 |
US5759334A (en) | 1998-06-02 |
KR100196036B1 (ko) | 1999-06-15 |
KR960043446A (ko) | 1996-12-23 |
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