TW202420558A - 電子裝置的製造方法 - Google Patents

Abstract

本揭露公開了一種電子裝置的製造方法，其包括提供一基板，所述基板包括複數個工作區域，所述複數個工作區域的每一個分別包括複數個第一凹槽與複數個第二凹槽；將複數個第一電子單元以流體轉移方式設置在所述複數個工作區域的所述複數個第一凹槽中；從所述複數個工作區域中辨識出一缺陷工作區域，其中所述缺陷工作區域中的所述複數個第一凹槽的至少一個沒有設置任何電子單元或設置有一缺陷第一電子單元；以及將至少一修補電子單元以雷射轉移方式設置在所述缺陷工作區域的所述複數個第二凹槽的至少一個中。

Description

電子裝置的製造方法

本揭露涉及一種電子裝置的製造方法，特別是涉及一種包括流體轉移製程的電子裝置的製造方法。

電子元件可透過巨量轉移技術轉移到目標基板上。然而，在現有的巨量轉移(mass transfer)技術中，使用壓印(stamp)轉移方式轉移電子元件時可能會導致電子元件在目標基板上的分布隨機性不足，使得目標基板上的電子元件的電性表現產生區域性差異，亦即整體上有不均勻的電性表現，進而導致產品的性能下降。另一方面，壓印轉移方式也可能發生無法完全轉移電子元件的問題，進而增加生產成本。因此，如何改善透過巨量轉移技術形成的電子裝置的性能或降低透過巨量轉移技術形成的電子裝置的生產成本是本領域重要的議題之一。

在一些實施例中，本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，其包括提供一基板，基板包括複數個工作區域，複數個工作區域的每一個分別包括複數個第一凹槽與複數個第二凹槽；將複數個第一電子單元以流體轉移方式設置在複數個工作區域的複數個第一凹槽中；從複數個工作區域中辨識出一缺陷工作區域，其中缺陷工作區域中的複數個第一凹槽的至少一個沒有設置任何電子單元或設置有一缺陷第一電子單元；以及將至少一修補電子單元以雷射轉移方式設置在缺陷工作區域的複數個第二凹槽的至少一個中。

在一些實施例中，本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，其包括提供一第一基板，第一基板包括複數個電子單元；提供一第二基板，第二基板包括複數個凹槽，複數個凹槽之間具有一第一間距；將複數個電子單元以流體轉移的方式從第一基板轉移到第二基板的複數個凹槽中；提供一第三基板，第三基板包括複數個工作區域，複數個工作區域之間具有一第二間距，其中第二間距大於第一間距；以及將複數個電子單元的一部分從第二基板的複數個凹槽的一部分中轉移到複數個工作區域。

透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出裝置的一部分，且附圖中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

本揭露通篇說明書與所附的發明申請專利中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。

在下文說明書與發明申請專利中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。

應了解到，當元件或膜層被稱為「設置在」另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有***的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有***的元件或膜層。當元件或膜層被稱為「電連接」到另一個元件或膜層時，其可解讀為直接電連接或非直接電連接。本揭露中所敘述之電連接或耦接皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上組件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上組件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、電阻、其他適合的組件、或上述組件的組合，但不限於此。

雖然術語「第一」、「第二」、「第三」…可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。發明申請專利中可不使用相同術語，而依照發明申請專利中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在發明申請專利中可能為第二組成元件。

在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度或寬度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此爲限。

另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值的正負20%範圍以內，或解釋為在所給定的值的正負10%、正負5%、正負3%、正負2%、正負1%或正負0.5%的範圍以內。

此外，用語“給定範圍爲第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。

若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。

除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。

須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的技術特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。

本揭露中提到的電子裝置可包括顯示裝置、感測裝置、背光裝置、天線裝置、拼接裝置或其他適合的電子裝置，但不以此為限。本揭露的電子裝置可包括應用於上述裝置的任何適合的裝置。電子裝置可為可彎折、可撓曲或可拉伸的電子裝置。顯示裝置可例如應用於筆記型電腦、公共顯示器、拼接顯示器、車用顯示器、觸控顯示器、電視、監視器、智慧型手機、平板電腦、光源模組、照明設備或例如為應用於上述產品的電子裝置，但不以此為限。感測裝置可包括生物感測器、觸控感測器、指紋感測器、其他適合的感測器或上述類型的感測器的組合。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置例如包括液晶天線裝置，但不以此為限。拼接裝置可例如包括顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可包括電子單元，其中電子單元可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體、感測器等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)或無機發光二極體(in-organic light emitting diode)，無機發光二極體可例如包括次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。需注意的是，本揭露的電子裝置可為上述裝置的各種組合，但不以此為限。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統等周邊系統以支援顯示裝置、天線裝置、穿戴式裝置(例如包括增強現實或虛擬實境)、車載裝置(例如包括汽車擋風玻璃)或拼接裝置。

請參考圖1到圖6，圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖，而圖2到圖6示出了本實施例的電子裝置的製造方法的示意圖。根據本實施例，電子裝置ED(示於圖6)的製造方法M100可包括以下步驟：

S102：提供一基板，基板包括複數個工作區域，且每一個工作區域分別包括複數個第一凹槽與複數個第二凹槽；

S104：將複數個第一電子單元以流體轉移方式設置在複數個工作區域的複數個第一凹槽中；

S106：從複數個工作區域中辨識出缺陷工作區域；以及

S108：將至少一修補電子單元以雷射轉移方式設置在缺陷工作區域的複數個第二凹槽的至少一個中。

以下將詳述電子裝置ED的製造方法M100的各步驟內容。

請參考圖2和圖3，圖2為本揭露第一實施例的流體轉移製程的示意圖，圖3為本揭露第一實施例的基板和電子單元的俯視示意圖。在本實施例中，電子裝置ED的製造方法M100包括先進行步驟S102，提供一基板SB。基板SB可包括複數個工作區域WR，而每一個工作區域WR可分別包括複數個第一凹槽R1和複數個第二凹槽R2。如圖2和圖3所示，基板SB可包括基底BS和設置在基底BS上的電路層CL。基底BS可包括硬質基底或可撓曲基底。硬質基底例如包括玻璃、石英、藍寶石、陶瓷、其他適合的材料或上述材料的組合，而可撓曲基底例如包括聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他適合的材料或上述材料的組合，但不以此為限。電路層CL可包括各種可應用於電子裝置ED的導線、電路、電子單元(例如主動元件和/或被動元件)，但不限於此。例如，電路層CL可包括驅動單元，其中驅動單元可電連接到後續設置的電子單元，藉此驅動電子單元，但不以此為限。電路層CL可包括薄膜電晶體元件(thin film transistor，TFT)，即可包括半導體層、閘極電極、源極電極和汲極電極等元件和/或膜層，但不以此為限。半導體層可包括矽或金屬氧化物，例如低溫多晶矽(low temperature polysilicon，LTPS)半導體或非晶矽(amorphous silicon，a-Si)半導體、金屬氧化物(metal oxide)半導體，金屬氧化物半導體可例如為氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)半導體，但不以此為限。需注意的是，電路層CL可根據電子裝置ED的用途或種類包括任何適合的元件，並不以上述為限。在本實施例中，基板SB可為互補式金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)基板或薄膜電晶體基板，但不以此為限。

在本實施例中，基板SB上的工作區域WR可以矩陣方式排列，但本揭露並不以此為限。工作區域WR可包括複數個第一凹槽R1和複數個第二凹槽R2。例如，如圖3所示，每一個工作區域WR可包括三個第一凹槽R1和三個第二凹槽R2，其中第一凹槽R1可沿一方向(例如方向X)並排，第二凹槽R2可同樣沿該方向並排，而一個第二凹槽R2可鄰近於一個第一凹槽R1，例如一個第二凹槽R2與一個第一凹槽R1互相對應，但不以此為限。需注意的是，在其他實施例中，工作區域WR中的第一凹槽R1和第二凹槽R2的數量和排列方式可根據電子裝置ED的設計而被調整，並不以圖3所示為限。具體來說，基板SB還可包括擋牆結構BK，設置在電路層CL上。擋牆結構BK可設置在電路層CL相反於基底BS的一側。擋牆結構BK可定義出第一凹槽R1和第二凹槽R2。詳言之，擋牆結構BK可包括複數個開口，而該些開口可形成第一凹槽R1和第二凹槽R2。即，第一凹槽R1和第二凹槽R2可被擋牆結構BK包圍。擋牆結構BK可包括任何適合的絕緣材料。根據本實施例，在後續製程中，電子單元會設置在基板SB的工作區域WR中，例如可設置在工作區域WR的第一凹槽R1中。

在提供基板SB之後，可接著進行步驟S104，將複數個第一電子單元EU1以流體轉移方式設置在複數個工作區域WR的複數個第一凹槽R1中。具體來說，可先提供一載板(圖未示)，其中載板上可設置有複數個第一電子單元EU1。此處的載板可包括晶圓或其他可承載第一電子單元EU1的任何適合的基材。接著，可透過流體轉移製程將位於載板上的第一電子單元EU1轉移到基板SB，並使得第一電子單元EU1設置在工作區域WR的第一凹槽R1中。詳言之，如圖2的上半部所示，第一電子單元EU1可透過流體FL而從載板轉移到基板SB，並進入第一凹槽R1中，其中第一電子單元EU1可電連接到電路層CL。具體來說，電路層CL可包括複數個被第一凹槽R1暴露的接合墊BP1，而當第一電子單元EU1進入第一凹槽R1時，第一電子單元EU1的接合墊BP2可接觸於電路層CL的接合墊BP1，進而使第一電子單元EU1電連接到電路層CL。在本實施例中，接合墊BP1和接合墊BP2可透過任何適合的製程而彼此接合，例如金屬共晶接合(eutectic bonding)、導電膜接合(conductive film bonding)、金屬接合(metal bonding)、導電膏(conductive paste)接合或其他適合的製程。如此，可透過電路層CL控制第一電子單元EU1的操作。第一電子單元EU1可包括輔助元件AE，其中輔助元件AE可為設置在第一電子單元EU1相反於接合墊BP2的一側的柱狀結構，但不以此為限。在第一電子單元EU1的轉移製程中，輔助元件AE可協助使第一電子單元EU1的接合墊BP2朝下，或是說朝向基板SB，藉此使接合墊BP2與接合墊BP1接觸。在完成第一電子單元EU1的轉移製程後，如圖2的下半部和圖3所示，第一電子單元EU1會設置在第一凹槽R1中並電連接到電路層CL，而第二凹槽R2可為空缺的或是說未設置有第一電子單元EU1。之後，可移除輔助元件AE。

在本實施例中，第一電子單元EU1可透過流體轉移製程設置在第一凹槽R1中但不設置在第二凹槽R2中。具體來說，可透過使第一凹槽R1與第二凹槽R2的形狀或尺寸具有不同設計，而第一電子單元EU1的形狀或尺寸與第一凹槽R1匹配的方式來達到使第一電子單元EU1設置在第一凹槽R1中但不設置在第二凹槽R2中的效果。在一些實施例中，雖然圖未示出，第二凹槽R2與第一凹槽R1可具有相同形狀，而第一凹槽R1的尺寸可大於第二凹槽R2的尺寸。此處的“第一凹槽R1和第二凹槽R2的尺寸”可為第一凹槽R1和第二凹槽R2在基板SB的俯視方向(例如，平行於方向Z)上的面積或第一凹槽R1和第二凹槽R2的體積，但不以此為限。下述關於“尺寸”的定義可參考上文，故不再贅述。此外，第一電子單元EU1的尺寸可小於或等於第一凹槽R1的尺寸但大於第二凹槽R2的尺寸。因此，第一電子單元EU1可不設置在第二凹槽R2中。在一些實施例中，雖然圖未示出，第一凹槽R1和第二凹槽R2可具有不同形狀，其中第一電子單元EU1的形狀可與第一凹槽R1匹配但與第二凹槽R2不匹配，藉此使第一電子單元EU1設置在第一凹槽R1中但不設置在第二凹槽R2中。例如，在基板SB的俯視方向上，第一凹槽R1和第一電子單元EU1可具有圓形輪廓，而第二凹槽R2可具有矩形輪廓，但不以此為限。

在一些實施例中，電子裝置ED可包括感測裝置。在此情形下，第一電子單元EU1可包括任何適合的感測單元，例如光電二極體，但不以此為限。在一些實施例中，電子裝置ED可包括顯示裝置。在此情形下，第一電子單元EU1可為發光單元，例如包括發光二極體，但不以此為限。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、量子點二極體(quantum light-emitting diode，QLED)、無機發光二極體(light emitting diode，LED)、其他任何適合的發光元件或上述的組合。無機發光二極體可例如包括次毫米發光二極體(mini LED)或微型發光二極體(micro LED)，但不以此為限。在一些實施例中，發光二極體的晶片尺寸約為300微米(μm)到10毫米(mm)，次毫米發光二極體(mini LED)的晶片尺寸約為100微米到300微米，微型發光二極體(micro LED)的晶片尺寸約為1微米到100微米，但不以此為限。在一些實施例中，電子裝置ED可包括自發光顯示裝置。在此情形下，電子裝置ED可包括顯示介質層，其中顯示介質層可包括發光二極體，但不以此為限。在一些實施例中，電子裝置ED可包括非自發光顯示裝置。在此情形下，電子裝置ED可包括顯示介質層，其中顯示介質層可包括液晶，但不以此為限。以下將以電子裝置ED為顯示裝置為例說明本實施例的第一電子單元EU1的轉移製程的一些例子。

在一些實施例中，第一電子單元EU1可包括發射相同顏色或波長的光線的發光單元，例如藍色發光單元，但不以此為限。在此情形下，可透過流體轉移製程將該些第一電子單元EU1轉移到基板SB上並設置在第一凹槽R1中，以形成圖3所示結構。接著，可在基板SB上設置光轉換層，藉此轉換第一電子單元EU1所發射的光線的顏色或波長。例如，第一電子單元EU1可為能發出藍光的光學單元，而透過設置光轉換層可以將部分的第一電子單元EU1所發射的光線轉換為綠光或紅光，但不以此為限。光轉換層可對應於第一電子單元EU1設置，或是說可對應於第一凹槽R1和/或第二凹槽R2設置。在一些實施例中，在設置光轉換層之後，每一個工作區域WR可包括三個第一凹槽R1，該三個第一凹槽R1的其中一個對應到將光線轉換為紅光波長的光轉換層，另一個對應到將光線轉換為綠光波長的光轉換層，而再另一個可不對應到光轉換層，使得該三個第一凹槽R1中的第一電子單元EU1可分別發射紅光、綠光和藍光，並可混合出白光。在此情形下，一個工作區域WR可視為一像素(pixel)，而該工作區域WR中的三個第一凹槽R1可分別視為一子像素，但不以此為限。需注意的是，上述光轉換層的設置方式以及種類僅為示例性的，本揭露並不以此為限。

在一些實施例中，第一電子單元EU1可包括發射不同顏色或波長的光線的發光單元。例如，第一電子單元EU1可包括藍色發光單元、綠色發光單元和紅色發光單元，其中藍色發光單元、綠色發光單元和紅色發光單元可一起視為一像素，但不以此為限。在一些實施例中，每一個工作區域WR可包括三個第一凹槽R1，該三個第一凹槽R1中可分別設置有藍色發光單元、綠色發光單元和紅色發光單元。在此情形下，可透過進行三次流體轉移製程分別將藍色發光單元、綠色發光單元和紅色發光單元轉移到基板SB的第一凹槽R1中。在一些實施例中，每一個工作區域WR中的三個第一凹槽R1可分別具有第一尺寸、第二尺寸和第三尺寸，其中第一尺寸可大於第二尺寸，而第二尺寸可大於第三尺寸。在第一電子單元EU1的轉移製程中，可先轉移藍色發光單元、綠色發光單元和紅色發光單元中尺寸最大的一種發光單元，其中該種發光單元的尺寸可小於或等於第一尺寸且大於第二尺寸和第三尺寸，使得該種發光單元可進入具有第一尺寸的第一凹槽R1而無法進入具有第二尺寸和第三尺吋的第一凹槽R1。接著，可先轉移藍色發光單元、綠色發光單元和紅色發光單元中尺寸第二大的一種發光單元，其中該種發光單元的尺寸可小於或等於第二尺寸且大於第三尺寸，使得該種發光單元可進入具有第二尺寸的第一凹槽R1而無法進入具有第三尺吋的第一凹槽R1。之後，可再轉移藍色發光單元、綠色發光單元和紅色發光單元中尺寸最小的一種發光單元，其中該種發光單元的尺寸可小於或等於第三尺寸，使得該種發光單元可進入具有第三尺寸的第一凹槽R1。藉由上述設計，可透過數次流體轉移製程將藍色發光單元、綠色發光單元和紅色發光單元設置在第一凹槽R1中，且每一個工作區域WR中的三個第一凹槽R1中可分別設置有藍色發光單元、綠色發光單元和紅色發光單元。需注意的是，第一凹槽R1的設計並不以上述為限。在一些實施例中，每一個工作區域WR中的三個第一凹槽R1可分別具有不同形狀，而藍色發光單元、綠色發光單元和紅色發光單元可分別具有與該三個第一凹槽R1的一個、另一個和再另一個匹配的形狀，使得不同顏色的發光單元可設置在與其形狀對應的第一凹槽R1中。需注意的是，上述的第一電子單元EU1的流體轉移製程可應用到第一電子單元EU1包括不同種類的電子元件的任何適合的實施例。

需注意的是，根據電子裝置ED的設計或用途，工作區域WR可包括任意數量的第一凹槽R1和第二凹槽R2，而第一凹槽R1和第二凹槽R2可以任何適合的方式排列。

在透過流體轉移製程將第一電子單元EU1轉移到第一凹槽R1中之後，可接著進行步驟S106，從複數個工作區域中辨識出缺陷工作區域。具體來說，可對第一凹槽R1中的第一電子單元EU1進行一檢測步驟，並找出缺陷第一電子單元或未設置有第一電子單元EU1的第一凹槽R1。當一工作區域WR中的第一凹槽R1中具有缺陷的第一電子單元或未設置有第一電子單元EU1時，該工作區域WR可定義為缺陷工作區域。換言之，缺陷工作區域中的第一凹槽R1的至少一個沒有設置任何第一電子單元或設置有缺陷第一電子單元。第一電子單元EU1的檢測步驟可透過任何適合的方式進行，例如透過光致發光或電致發光方式進行光學檢查，但不以此為限。圖6為本揭露第一實施例的經修補製程後的基板和電子單元的俯視示意圖。例如，如圖6所示，在經過第一電子單元EU1的檢測步驟後，可檢測出四個缺陷第一電子單元DEU1，而該四個缺陷第一電子單元DEU1所在的工作區域WR被辨識定義為缺陷工作區域DWR。雖然圖6未示出，在一些實施例中，當一工作區域WR中的第一凹槽R1的至少一個為空缺的，則該工作區域WR亦被視為缺陷工作區域DWR。

在辨識出缺陷工作區域DWR之後，可接著進行步驟S108，將至少一修補電子單元以雷射轉移方式設置在缺陷工作區域的複數個第二凹槽的至少一個中。具體來說，如圖6所示，在辨識出缺陷工作區域DWR之後，可將修補電子單元REU透過雷射轉移製程轉移到該些缺陷工作區域DWR的至少一個第二凹槽R2中。在本實施例中，每一個工作區域WR中的第二凹槽R2可分別鄰近於一個第一凹槽R1設置，但不以此為限。在此情形下，在設置修補電子單元REU時，修補電子單元REU可設置在鄰近於設置有缺陷第一電子單元DEU1的第一凹槽R1的第二凹槽R2中，但不以此為限。例如，如圖6所示，在一缺陷工作區域DWR中，當缺陷第一電子單元DEU1是設置在中間的第一凹槽R1中時，修補電子單元REU可設置在該缺陷工作區域DWR中的中間的第二凹槽R2中。在一些實施例中，修補電子單元REU可設置在鄰近於未設置有第一電子單元DEU1的第一凹槽R1的第二凹槽R2中。在一些實施例中，當一缺陷工作區域DWR中包括多個設置有缺陷第一電子單元DEU1的第一凹槽R1時，鄰近於該些第一凹槽R1的第二凹槽R2中可分別設置有修補電子單元REU。需注意的是，上述關於修補電子單元REU的設置位置的敘述僅為示例性的，本揭露並不以此為限。可選擇性地，當缺陷第一電子單元DEU1設置在第一凹槽R1中時，可在步驟S108之前或之後，將缺陷第一電子單元DEU1與驅動單元之間的電連接路徑截斷。電連接路徑的截斷方法可包括雷射切割或其他適合的的方法，本揭露並不以此為限。

以下將詳述本實施例的透過雷射轉移方式轉移修補電子單元的數個變化實施例。

請參考圖4，圖4為本揭露第一實施例的設置修補電子單元的示意圖。在一些實施例中，上述的將修補電子單元REU以雷射轉移方式設置在缺陷工作區域的至少一個第二凹槽R2的步驟首先可包括提供一第一載板CR1，其中第一載板CR1可包括複數個第二電子單元EU2。具體來說，第一載板CR1可包括基底BS1和設置在基底BS1上的第一材料層ML1，其中第二電子單元EU2可透過第一材料層ML1附著到基底BS1。在本實施例中，第二電子單元EU2可以其接合墊BP3朝向第一材料層ML1的方式設置在第一載板CR1上。基底BS1材料可參考上述基底BS的材料，但不以此為限。第一材料層ML1可包括可與雷射光產生反應的任何適合的材料，例如可與雷射光產生反應的有機材料，但不以此為限。上述的“第一材料層ML1可與雷射光產生反應”可包括第一材料層ML1被雷射光照射後產生氣化、自基底BS1剝離、消失或可產生氣體等情形，但不以此為限。

接著，可以雷射LB照射複數個第二電子單元EU2中的至少一個，使該第二電子單元EU2從第一載板CR1轉移到一第二載板CR2。第二載板CR2可包括基底BS2以及設置在基底BS2上的第二材料層ML2。基底BS2材料可參考上述基底BS的材料，但不以此為限。第二材料層ML2可包括對第二電子單元EU2具有暫時黏性的任何適合的材料。例如，第二材料層ML2可包括矽氧樹脂(silicone)、壓克力(acrylic)、樹脂(resin)、光學樹脂(photo resin)或其他適合的材料。具體來說，可使第一載板CR1位於第二載板CR2上，其中第一載板CR1的第一材料層ML1與第二載板CR2的第二材料層ML2可面對彼此。接著，可以雷射LB照射第二電子單元EU2中的一部分，其中對應到該部分的第二電子單元EU2的第一材料層ML1的一部分可與雷射LB反應而消失、氣化或產生氣體，使得該部分的第二電子單元EU2可自第一載板CR1脫離並掉落到第二載板CR2上。如此，第二電子單元EU2可透過第二材料層ML2附著到基底BS2，或是說轉移到第二載板CR2。在此情形下，第二電子單元EU2的接合墊BP3可面朝上，或是說接合墊BP3可遠離第二材料層ML2。在本實施例中，在將第二電子單元EU2從第一載板CR1轉移到第二載板CR2時，第一載板CR1的基底BS1與第二載板CR2的基底BS2之間可具有距離T1。根據本實施例，距離T1的範圍可從1微米(micrometer，μm)到200微米，但不以此為限。藉由使距離T1在上述範圍內，可降低製程中第二電子單元EU2產生損壞的可能性。

將一部分的第二電子單元EU2轉移到第二載板CR2之後，可將該部分的第二電子單元EU2從第二載板CR2轉移到基板SB的缺陷工作區域DWR中的至少一個第二凹槽R2中。具體來說，可使第二載板CR2位於基板SB上，其中第二載板CR2上的第二電子單元EU2可對應到預計設置修補電子單元REU的第二凹槽R2。第二載板CR2可以第二材料層ML2面向基板SB的方式放置，使得第二電子單元EU2的接合墊BP3可面向第二凹槽R2。接著，可使第二載板CR2朝基板SB移動，藉此使第二電子單元EU2的接合墊BP3接觸於基板SB的電路層CL的接合墊BP4，進而使第二電子單元EU2電連接到電路層CL。電路層CL中的接合墊BP4可對應於第二凹槽R2設置，並可被第二凹槽R2所暴露。在本實施例中，接合墊BP3和接合墊BP4可透過任何適合的製程而彼此接合，例如金屬共晶接合(eutectic bonding)、導電膜接合(conductive film bonding)、金屬接合(metal bonding)、導電膏(conductive paste)接合或其他適合的製程。使接合墊BP3和接合墊BP4接合後，可移除第二載板CR2，而轉移到第二凹槽R2中的第二電子單元EU2可作為修補電子單元REU。如此，可完成轉移修補電子單元REU的製程。

在本實施例中，在將第二電子單元EU2從第一載板CR1轉移到第二載板CR2時，雷射LB在第一載板CR1上的照射位置，或是說被雷射LB所照射的第二電子單元EU2可根據設置有缺陷第一電子單元DEU1的第一凹槽R1或未設置有第一電子單元EU1的第一凹槽R1的位置而決定。詳言之，可先確認缺陷工作區域DER中設置有缺陷第一電子單元DEU1或為空缺的第一凹槽R1的位置，並藉此確認預計設置修補電子單元REU的第二凹槽R2的位置。之後，可根據該些第二凹槽R2的位置決定被雷射LB所照射的部分第二電子單元EU2。藉由上述設計，位於第二載板CR2上的第二電子單元EU2可對應到預計設置修補電子單元REU的第二凹槽R2的位置，即可一次性完成修補電子單元REU的轉移製程。

請參考圖5，圖5為本揭露第一實施例的一變化實施例的設置修補電子單元的示意圖。在一些實施例中，將修補電子單元REU以雷射轉移方式設置在缺陷工作區域的至少一個第二凹槽R2的步驟首先可包括提供一載板CR3，其中載板CR3可包括複數個第二電子單元EU2。載板CR3可包括基底BS3和設置在基底BS3上的第三材料層ML3，其中第二電子單元EU2可透過第三材料層ML3附著到基底BS3。在本實施例中，第二電子單元EU2可以其接合墊BP3遠離第三材料層ML3的方式設置在載板CR3上。基底BS3材料可參考上述基底BS的材料，但不以此為限。第三材料層ML3可包括可與雷射光產生反應的任何適合的材料。第三材料層ML3的材料可例如參考上述第一材料層ML1的材料，但不以此為限。

接著，可以雷射LB照射第二電子單元EU2的一部分，使該部分的第二電子單元EU2從載板CR3轉移到基板SB的缺陷工作區域DWR的第二凹槽R2的至少一個中。具體來說，可使載板CR3位於基板SB上，其中載板CR3的第三材料層ML3可面向基板SB，使得第二電子單元EU2的接合墊BP3可面向第二凹槽R2。接著，可以雷射LB照射對應到預計設置修補電子單元REU的第二凹槽R2的第二電子單元EU2的一部分，其中對應到該部分的第二電子單元EU2的第三材料層ML3的一部分可與雷射LB反應而消失、氣化或產生氣體，使得該部分的第二電子單元EU2可自載板CR3脫離並落入預計設置修補電子單元REU的第二凹槽R2中，而第二電子單元EU2的接合墊BP3可與接合墊BP4接觸，進而使第二電子單元EU2電連接到電路層CL。在本實施例中，接合墊BP3和接合墊BP4可透過任何適合的製程而彼此接合，例如金屬共晶接合(eutectic bonding)、導電膜接合(conductive film bonding)、金屬接合(metal bonding)、導電膏(conductive paste)接合或其他適合的製程。轉移到第二凹槽R2中的第二電子單元EU2可作為修補電子單元REU。如此，可完成轉移修補電子單元REU的製程。根據本實施例，可先確認預計設置修補電子單元REU的第二凹槽R2的位置，之後，可根據該些第二凹槽R2的位置決定被雷射LB所照射的第二電子單元EU2的一部分或雷射LB在載板CR3上的照射位置。

根據本實施例，電子裝置ED的製造方法可先包括透過流體轉移製程將第一電子單元轉移到基板SB上。如此，可提升第一電子單元的分布隨機性或可降低第一電子單元被浪費的情形。例如，在一些實施例中，當電子裝置ED包括顯示裝置時，使用流體轉移製程轉移第一電子單元EU1可降低電子裝置ED的亮度分布不均的情形，此外，使用流體轉移製程可提升被轉移的第一電子單元EU1的比例，進而降低生產成本。此外，在轉移第一電子單元EU1後，本實施例的電子裝置ED的製造方法還可包括透過雷射轉移製程轉移修補電子單元。藉由上述製程，可改善電子裝置ED的良率。

在進行上述步驟後，可形成電子裝置ED。需注意的是，電子裝置ED所包括的元件和/或膜層並不以上述為限，而可根據電子裝置ED的種類而包括其他適合的元件和/或膜層。此外，本實施例的製造方法M100中的任何步驟之間可根據需求***其它步驟。再者，製造方法M100中的任何步驟可根據需求調整順序或是刪除。

以下將詳述本揭露另一實施例的電子裝置的製造方法。

請參考圖7和圖9到圖13，圖7為本揭露第二實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖，而圖9到圖13示出了本實施例的電子裝置的製造方法的示意圖。根據本實施例，電子裝置ED的製造方法M200可包括以下步驟：

S202：提供第一基板，其中第一基板包括複數個電子單元；

S204：提供第二基板，其中第二基板包括複數個凹槽，而複數個凹槽之間具有第一間距；

S206：將複數個電子單元以流體轉移方式從第一基板轉移到第二基板的複數個凹槽中；

S208：提供第三基板，其中第三基板包括複數個工作區域，而複數個工作區域之間具有第二間距；以及

S210：將複數個電子單元的一部分從第二基板的複數個凹槽的一部分中轉移到複數個工作區域。

以下將詳述電子裝置ED的製造方法M200的各步驟內容。

請參考圖9，圖9為本揭露第二實施例的流體轉移製程的示意圖。在本實施例中，電子裝置ED的製造方法M200首先可先包括步驟S202，提供第一基板SB1，其中第一基板SB1包括複數個電子單元EU。第一基板SB1可包括可乘載電子單元EU的任何適合的基材，而電子單元EU可設置在第一基板SB1上。電子單元EU可在第一基板SB1上形成，但不以此為限。第一基板SB1可具有任何適合的形狀。在本實施例中，第一基板SB1可為圓形，但不以此為限。例如，本實施例的第一基板SB1可包括晶圓，但不以此為限。

接著，可進行步驟S204，提供第二基板SB2，其中第二基板SB2包括複數個凹槽RS。第二基板SB2的結構特徵可參考上述的基板SB，但不以此為限。例如，第二基板SB2可包括基底BS’以及設置在基底BS’上的擋牆結構BK1，其中基底BS’可包括基底和電路層。在一些實施例中，基底BS’可包括基底但不包括電路層。擋牆結構BK1可定義出凹槽RS，即凹槽RS可被擋牆結構BK1包圍。第二基板SB2可具有任何適合的形狀。在本實施例中，第二基板SB2可為矩形，但不以此為限。

需注意的是，上述的步驟S202和步驟S204可以任意順序進行或可同時進行。

接著，可進行步驟S206，將複數個電子單元EU以流體轉移方式從第一基板SB1轉移到第二基板SB2的複數個凹槽RS中。具體來說，可透過流體FL將第一基板SB1上的電子單元EU轉移到第二基板SB2，其中電子單元EU可進入第二基板SB2的複數個凹槽RS，藉此使電子單元EU設置在凹槽RS中。在本實施例中，電子單元EU可填滿第二基板SB2的凹槽RS，但不以此為限。在本實施例中，電子單元EU可從具有一形狀的基板轉移到具有另一形狀的基板，例如可從圓形基板(第一基板SB1)轉移到矩形基板(第二基板SB2)，但不以此為限。電子單元EU可包括輔助元件AE，其中輔助元件AE可在電子單元EU的轉移製程中協助使電子單元EU的接合墊BP5朝下，或是說朝向第二基板SB2。在完成電子單元EU的轉移製程後，可移除輔助元件AE，如圖9所示。

請參考圖8，圖8示出了使用壓印轉移方式從第一基板轉移電子單元的示意圖。具體來說，若使用壓印轉移方式來轉移第一基板SB1上的電子單元EU，受限於壓印工具的形狀限制，第一基板SB1上的電子單元EU的一部分可能無法透過壓印轉移方式而被轉移，導致部分的電子單元EU可能被浪費，進而增加生產成本。例如，圖8示出了使用壓印轉移方式轉移電子單元EU的情形，其中壓印工具一次可拾取一個區域ST內的電子單元EU，並透過多次拾取來完成電子單元EU的轉移製程。透過壓印工具拾取電子單元EU後可將其轉移到基板SB的第一凹槽R1中，其細節可參考上文，故不再贅述。然而，在此情形下，第一基板SB1上的電子單元EU的一部分無法被壓印工具拾起。例如，圖8中區域A1中的電子單元EU無法透過壓印轉移製程而被轉移。如此，區域A1中的電子單元EU可能被浪費，並導致電子裝置ED的生產成本增加。

此外，在一些實施例中，設置在第一基板SB1的不同區域上的電子單元EU可為同一類型的電子單元EU，但其特定特性可具有差異。上述的特性差異可例如由電子單元EU的製程所造成，但不以此為限。具體來說，電子單元EU可包括電子單元EUA、電子單元EUB和電子單元EUC，設置在第一基板SB1上的不同區域，其中電子單元EUA、電子單元EUB和電子單元EUC可為同類型的電子單元，但其特定特性可具有差異。例如，在一些實施例中，電子單元EU可包括發光單元，而電子單元EUA、電子單元EUB和電子單元EUC可為相同顏色的發光單元，但電子單元EUA、電子單元EUB和電子單元EUC所發射的光線的波長可具有差異。在此情形下，使用壓印轉移方式來轉移電子單元EU可能會導致具有不同的特定特性的電子單元EUA、電子單元EUB和電子單元EUC的分布隨機性不足，進而影響電子裝置ED的性能。例如，如圖8所示，使用壓印轉移方式將電子單元EU轉移到基板SB上之後，電子單元EUA、電子單元EUB和電子單元EUC並未在基板SB上隨機地排列。在此情形下，當電子裝置ED包括顯示裝置時，電子裝置ED可能會出現亮度分布不均的情形，進而影響電子裝置ED的顯示效果。

返回參考圖9。另一方面，根據本實施例，由於第一基板SB1上的電子單元EU可透過流體轉移製程轉移到第二基板SB2，電子單元EU可大致上透過流體FL而移動到凹槽RS中。如此，可降低電子單元EU被浪費的情形。換言之，在本實施例中，可轉移具有任意形狀的基板上的電子單元EU到另一基板，同時可降低電子單元EU被浪費的情形。此外，在透過流體FL將電子單元EU轉移到凹槽RS中之後，在第一基板SB1的不同區域上的電子單元EU(例如，上述的電子單元EUA、電子單元EUB和電子單元EUC)可隨機地在第二基板SB2上排列，或是說可隨機地設置在凹槽RS中。如此，後續將電子單元EU轉移到第三基板SB3時，電子單元EUA、電子單元EUB和電子單元EUC可隨機地在第三基板SB3上分布(如圖13所示)，進而降低電子單元EUA、電子單元EUB和電子單元EUC的特性差異對於電子裝置ED的性能的影響。例如，當電子裝置ED包括顯示裝置時，上述設計可改善電子裝置ED的亮度均勻性。

將電子單元EU移動到第二基板SB2的凹槽RS中之後，可接著進行步驟S208，提供第三基板SB3，其中第三基板SB3包括複數個工作區域WR。第三基板SB3的結構特徵可參考上述基板SB的結構敘述。例如，如圖10到圖12所示，第三基板SB3可包括基底BS4、設置在基底BS4上的電路層CL1和設置在電路層CL1上的擋牆結構BK2，其中擋牆結構BK2可定義出複數個第一凹槽R1和複數個第二凹槽R2(如圖13所示)。基底BS4、電路層CL1和擋牆結構BK2的結構特徵可分別參考上述的基底BS、電路層CL和擋牆結構BK。如圖13所示，第三基板SB3可包括複數個工作區域WR，其中工作區域WR可以矩陣方式排列，但不以此為限。第三基板SB3的每一個工作區域WR可包括複數個第一凹槽R1和複數個第二凹槽R2，但不以此為限。

接著，可進行步驟S210，將複數個電子單元EU的一部分從第二基板SB2的複數個凹槽RS的一部分中轉移到複數個工作區域WR。具體來說，可將第二基板SB2的凹槽RS中的電子單元EU的一部分轉移到第三基板SB3的工作區域WR中的第一凹槽R1中，使得電子單元EU設置在第一凹槽R1中。以下將詳述本實施例的將電子單元EU從第二基板SB2轉移到第三基板SB3的方法數個變化實施例。

請參考圖10，圖10為本揭露第二實施例的將電子單元從第二基板轉移到第三基板的示意圖。在一些實施例中，將電子單元EU從第二基板SB2轉移到第三基板SB3的方法首先可包括提供一載板CR，其中載板CR可包括基底BS5和設置在基底BS5上的第四材料層ML4。基底BS5的材料可參考上述基底BS的材料，但不以此為限。第四材料層ML4可包括可與雷射光產生反應的任何適合的材料。第四材料層ML4的材料可例如參考上述第一材料層ML1的材料，但不以此為限。

接著，可將複數個電子單元EU從凹槽RS中轉移到載板CR。具體來說，可使載板CR朝第二基板SB2移動，並使載板CR的第四材料層ML4接觸於設置在凹槽RS中的電子單元EU(例如接觸於電子單元EU相反於接合墊BP5的表面SR)。如此，電子單元EU可透過第四材料層ML4附著到基底BS5，藉此將凹槽RS中的電子單元EU轉移到載板CR。在此情形下，電子單元EU的接合墊BP5可在電子單元EU相反於第四材料層ML4的一側。

接著，可以雷射LB照射複數個電子單元EU的一部分，使該部分的電子單元EU從載板CR轉移到第三基板SB3，或是說轉移到第三基板SB3的工作區域WR。具體來說，可以雷射LB照射電子單元EU中的一部分，其中對應到該部分的電子單元EU的第四材料層ML4的一部分可與雷射LB反應而消失、氣化或產生氣體，使得該部分的電子單元EU可自載板CR脫離。在本實施例中，被雷射LB照射的該部分的電子單元EU可對應於第三基板SB3的凹槽(即第一凹槽R1)，使得該部分的電子單元EU自載板CR脫離後可進入第三基板SB3的第一凹槽R1中，藉此設置在第三基板SB3的工作區域WR中的第一凹槽R1中。在此情形下，朝向第三基板SB3的電子單元EU的接合墊BP5可接觸於第三基板SB3的電路層CL1中被第一凹槽R1暴露的接合墊BP6，藉此將電子單元EU電連接到電路層CL1。將電子單元EU轉移到第三基板SB3後可形成電子裝置ED。需注意的是，電子裝置ED還可包括其他適合的元件和/或膜層，並不以圖10所示為限。

請參考圖11，圖11為本揭露第二實施例的一變化實施例的將電子單元從第二基板轉移到第三基板的示意圖。在一些實施例中，將電子單元EU從第二基板SB2轉移到第三基板SB3的方法首先可包括從凹槽RS的一部分中拾取電子單元EU的一部分。例如，可使用轉移頭TH從第二基板SB2的凹槽RS的一部分中拾取電子單元EU的一部分。具體來說，轉移頭TH可包括複數個突起結構PP，其中突起結構PP可對應到欲拾取的電子單元EU。接著，可使轉移頭TH朝第二基板SB2移動，而每一個突起結構PP可接觸於其所對應的電子單元EU的表面SR，進而拾取其所對應的電子單元EU。突起結構PP的間距可根據第三基板SB3的第一凹槽R1的間距而決定，但不以此為限。此外，圖11所示的轉移頭TH的結構設計及拾取電子單元EU的方法僅為示例性的，本揭露並不以此為限。

接著，可將被轉移頭TH拾取的電子單元EU的一部分轉移到第三基板SB3，或是說轉移到第三基板SB3的工作區域WR。具體來說，可先使轉移頭TH的突出結構PP對應到第三基板SB3的第一凹槽R1，接著，可使轉移頭TH朝第三基板SB3移動，藉此使電子單元EU進入第一凹槽R1中，進而使電子單元EU設置在第三基板SB3的工作區域WR中的第一凹槽R1中。在此情形下，朝向第三基板SB3的電子單元EU的接合墊BP5可接觸於第三基板SB3的電路層CL1的接合墊BP6，藉此將電子單元EU電連接到電路層CL1。將電子單元EL轉移到第三基板SB3後可形成電子裝置ED。需注意的是，電子裝置ED還可包括其他適合的元件和/或膜層，並不以圖11所示為限。

需注意的是，將電子單元EU轉移到第三基板SB3的工作區域WR之後，還可選擇性地對電子單元EU進行檢測步驟和/或進行設置修補電子單元的步驟，其細節可參考上述第一實施例的內容，故不再贅述。

請參考圖10到圖12，圖12為本揭露第二實施例的電子裝置的剖視示意圖。具體來說，圖10和圖11所示的電子裝置ED可為圖13所示的電子裝置ED沿切線A-A’的剖視示意圖，而圖12所示的電子裝置ED可為圖13所示的電子裝置ED沿切線B-B’的剖視示意圖。根據本實施例，如上文所述，將電子單元EU從第二基板SB2轉移到第三基板SB3以形成電子裝置ED時，可僅轉移第二基板SB2上的電子單元EU的一部分，但不以此為限。換言之，電子裝置ED中的電子單元EU可為第二基板SB2上的電子單元EU的一部分。在此情形下，第二基板SB2上的電子單元EU可被使用於多次的轉移製程中，或是說單片的第二基板SB2可用於形成複數個電子裝置ED。具體來說，在第一基板SB1上的電子單元EU可先透過流體轉移製程而轉移到第二基板SB2，並可在第二基板SB2上進行排片(arranging)。接著，可轉移第二基板SB2上的電子單元EU的一部分(例如透過雷射轉移製程或壓印轉移製程，但不以此為限)到第三基板SB3的工作區域WR。在一些實施例中，在第二基板SB2中，被轉移的電子單元EU的一部分之間可具有一間距，其中該間距可根據第三基板SB3的第一凹槽R1的間距而定，但不以此為限。在此情形下，第二基板SB2的凹槽RS的間距可小於第三基板SB3的工作區域WR的間距。例如，如圖10和圖12所示，第二基板SB2的凹槽RS之間可具有第一間距P1，而第三基板SB3的工作區域WR之間可具有第二間距P2，其中第二間距P2大於第一間距P1。在第二基板SB2的剖視圖中，第一間距P1可定義為相鄰的兩個凹槽RS的同一側邊緣之間的距離。例如，第一間距P1可為相鄰的兩個凹槽RS的左側邊緣之間的距離，但不以此為限。在第三基板SB3的剖視圖中，第二間距P2可定義為相鄰的兩個工作區域WR的同一側邊緣之間的距離。例如，第二間距P2可為相鄰的兩個工作區域WR的左側邊緣之間的距離，但不以此為限。在本實施例中，第一間距P1可為相鄰的兩個凹槽RS在凹槽RS的排列方向上的間距，而第二間距P2可為相鄰的兩個工作區域WR在相同方向上的間距。例如，第一間距P1可為相鄰的兩個凹槽RS在方向X上的間距，而第二間距P2可為相鄰的兩個工作區域WR在方向X上的間距，但不以此為限。在一些實施例中，第一間距P1可為相鄰的兩個凹槽RS在方向Y上的間距，而第二間距P2可為相鄰的兩個工作區域WR在方向Y上的間距。在一些實施例中，第二間距P2可為第一間距P1的整數倍(即P2=n*P1，其中n為正整數)。

在一些實施例中，如圖12所示，每一個工作區域WR可包括複數個子工作區域SWR，其中一個子工作區域SWR可例如包括一個第一凹槽R1和/或鄰近於該第一凹槽R1的第二凹槽R2。當電子裝置ED包括顯示裝置時，一個子工作區域SWR可視為一子像素，但不以此為限。在此情形下，一個工作區域WR中的子工作區域SWR之間可具有第三間距P3。在第三基板SB3的剖視圖中，第三間距P3可定義為相鄰的兩個子工作區域SWR的同一側邊緣之間的距離。例如，第三間距P3可為相鄰的兩個子工作區域SWR的左側邊緣之間的距離，但不以此為限。第三間距P3可與第一間距P1和第二間距P2在相同的方向上所定義出。例如，第一間距P1可為相鄰的兩個凹槽RS在方向X上的間距，而第三間距P3可為兩個相鄰的子工作區域SWR在方向X上的間距。根據本實施例，第三間距P3大於第一間距P1。此外，在一些實施例中，第三間距P3可為第一間距P1的整數倍(即P3=n*P1，其中n為正整數)。

需注意的是，本實施例的電子裝置ED的電子單元EU可透過一次或多次的轉移製程而轉移到第三基板SB3，本揭露不以此為限。在一些實施例中，電子單元EU可透過一次轉移製程而轉移到第三基板SB3。在一些實施例中，電子單元EU可包括不同種類的電子元件(例如，上述的不同顏色的發光單元，但不以此為限)，而電子單元EU可透過多次轉移製程而轉移到第三基板SB3，使不同種類的電子元件可分別轉移到其所對應的第一凹槽R1中。藉由上述第一間距P1、第二間距P2和第三間距P3的設計，可有助於在各種電子單元EU的轉移製程下使用單一片第二基板SB2進行多次轉移製程以形成複數個電子裝置ED，進而簡化電子裝置ED的製程或降低電子裝置ED的生產成本。

綜上所述，本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，其包括使用流體轉移方式轉移電子單元，並使用雷射轉移方式進行電子單元的修補製程。因此，可降低電子單元被浪費的情形，或可改善電子裝置的良率。此外，本揭露還提供了一種電子裝置的製造方法，其包括使用流體轉移方式將電子單元轉移到一基板，並再將該基板上的電子單元的一部分轉移到另一基板。因此，可降低電子單元被浪費的情形，或可簡化電子裝置的製程或降低電子裝置的生產成本。 以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。

AE:輔助元件 BK,BK1,BK2:擋牆結構 BP2,BP1,BP3,BP4,BP5,BP6:接合墊 BS,BS1,BS2,BS3,BS4,BS5,BS’:基底 CL,CL1:電路層 CR1:第一載板 CR2:第二載板 CR3,CR:載板 DEU1:缺陷第一電子單元 DWR:缺陷工作區域 ED:電子裝置 EU,EUA,EUB,EUC:電子單元 EU1:第一電子單元 EU2:第二電子單元 FL:流體 LB:雷射 M100,M200:製造方法 ML1:第一材料層 ML2:第二材料層 ML3:第三材料層 ML4:第四材料層 P1:第一間距 P2:第二間距 P3:第三間距 PP:突起結構 R1:第一凹槽 R2:第二凹槽 REU:修補電子單元 RS:凹槽 S102,S104,S106,S108,S202,S204,S206,S208,S210:步驟 SB:基板 SB1:第一基板 SB2:第二基板 SB3:第三基板 SR:表面 ST,A1:區域 SWR:子工作區域 T1:距離 TH:轉移頭 WR:工作區域 X,Y,Z:方向 A-A’,B-B’:切線

圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖。 圖2為本揭露第一實施例的流體轉移製程的示意圖。 圖3為本揭露第一實施例的基板和電子單元的俯視示意圖。 圖4為本揭露第一實施例的設置修補電子單元的示意圖。 圖5為本揭露第一實施例的一變化實施例的設置修補電子單元的示意圖。 圖6為本揭露第一實施例的經修補製程後的基板和電子單元的俯視示意圖。 圖7為本揭露第二實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖。 圖8示出了使用壓印轉移方式從第一基板轉移電子單元的示意圖。 圖9為本揭露第二實施例的流體轉移製程的示意圖。 圖10為本揭露第二實施例的將電子單元從第二基板轉移到第三基板的示意圖。 圖11為本揭露第二實施例的一變化實施例的將電子單元從第二基板轉移到第三基板的示意圖。 圖12為本揭露第二實施例的電子裝置的剖視示意圖。 圖13為本揭露第二實施例的基板和電子單元的俯視示意圖。

M100:製造方法

S102,S104,S106,S108:步驟

Claims (11)

1. 一種電子裝置的製造方法，包括： 提供一基板，所述基板包括複數個工作區域，所述複數個工作區域的每一個分別包括複數個第一凹槽與複數個第二凹槽； 將複數個第一電子單元以流體轉移方式設置在所述複數個工作區域的所述複數個第一凹槽中； 從所述複數個工作區域中辨識出一缺陷工作區域，其中所述缺陷工作區域中的所述複數個第一凹槽的至少一個沒有設置任何電子單元或設置有一缺陷第一電子單元；以及 將至少一修補電子單元以雷射轉移方式設置在所述缺陷工作區域的所述複數個第二凹槽的至少一個中。
2. 根據請求項1所述的製造方法，其中將所述至少一修補電子單元以雷射轉移方式設置在所述缺陷工作區域的所述複數個第二凹槽的所述至少一個中的步驟包括： 提供一第一載板，所述第一載板包括複數個第二電子單元； 以雷射照射所述複數個第二電子單元的至少一第二電子單元，使所述至少一第二電子單元從所述第一載板轉移到一第二載板；以及 將所述至少一第二電子單元從所述第二載板轉移到所述缺陷工作區域的所述複數個第二凹槽的所述至少一個中，以使所述至少一第二電子單元作為所述至少一修補電子單元。
3. 根據請求項1所述的製造方法，其中將所述至少一修補電子單元以雷射轉移方式設置在所述缺陷工作區域的所述複數個第二凹槽的所述至少一個中的步驟包括： 提供一載板，所述載板包括複數個第二電子單元；以及 以雷射照射所述複數個第二電子單元的至少一第二電子單元，使所述至少一第二電子單元從所述載板轉移到所述缺陷工作區域的所述複數個第二凹槽的所述至少一個中，以使所述至少一第二電子單元作為所述至少一修補電子單元。
4. 根據請求項1所述的製造方法，其中所述缺陷工作區域中的所述複數個第二凹槽的所述至少一個鄰近於所述缺陷工作區域的所述複數個第一凹槽的所述至少一個。
5. 一種電子裝置的製造方法，包括： 提供一第一基板，所述第一基板包括複數個電子單元； 提供一第二基板，所述第二基板包括複數個凹槽，所述複數個凹槽之間具有一第一間距； 將所述複數個電子單元以流體轉移方式從所述第一基板轉移到所述第二基板的所述複數個凹槽中； 提供一第三基板，所述第三基板包括複數個工作區域，所述複數個工作區域之間具有一第二間距，其中所述第二間距大於所述第一間距；以及 將所述複數個電子單元的一部分從所述第二基板的所述複數個凹槽的一部分中轉移到所述複數個工作區域。
6. 根據請求項5所述的製造方法，其中將所述複數個電子單元的所述部分從所述第二基板的所述複數個凹槽的所述部分中轉移到所述複數個工作區域的步驟包括： 從所述複數個凹槽的所述部分中拾取所述複數個電子單元的所述部分；以及 將所述複數個電子單元的所述部分轉移到所述複數個工作區域。
7. 根據請求項5所述的製造方法，其中將所述複數個電子單元的所述部分從所述第二基板的所述複數個凹槽的所述部分中轉移到所述複數個工作區域的步驟包括： 提供一載板； 將所述複數個電子單元從所述複數個凹槽中轉移到所述載板；以及 以雷射照射所述複數個電子單元的所述部分，使所述複數個電子單元的所述部分從所述載板轉移到所述複數個工作區域。
8. 根據請求項5所述的製造方法，其中所述第二間距為所述第一間距的整數倍。
9. 根據請求項5所述的製造方法，其中所述第一基板為圓形，而所述第二基板為方形。
10. 根據請求項5所述的製造方法，其中所述複數個工作區域的每一個分別包括複數個子工作區域，所述複數個子工作區域之間具有一第三間距，且所述第三間距大於所述第一間距。
11. 根據請求項10所述的製造方法，其中所述第三間距為所述第一間距的整數倍。

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