TWI679569B

TWI679569B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI679569B
Application number: TW107142088A
Authority: TW
Inventors: 曹梓毅; Tzu-Yi Tsao; 劉品妙; Pin-Miao Liu
Original assignee: 友達光電股份有限公司; Au Optronics Corporation
Priority date: 2018-11-26
Filing date: 2018-11-26
Publication date: 2019-12-11
Also published as: US20200167027A1; US20220129100A1; TW202020639A; CN109840033A; US11687182B2; CN109840033B

Abstract

本發明提供一種顯示裝置，包括陣列基板以及設置於陣列基板上的多個控制元件、多個發光二極體以及電極圖案。各發光二極體包括第一半導體層、第二半導體層以及發光層。發光層設置於第一與第二半導體層之間。電極圖案包括多個第一與第二電極以及多條觸控驅動訊號線。各第一電極電性連接於至少一發光二極體的第一半導體層。各第二電極電性連接於對應的發光二極體的第二半導體層以及控制元件。各觸控驅動訊號線設置在相鄰第一電極之間，且至少一部分的觸控驅動訊號線沿第一方向延伸。各第一電極的至少一邊緣鄰近於觸控驅動訊號線的一線段。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種具有觸控功能的顯示裝置。

發光二極體具有能量轉換效率高、反應時間短、使用壽命長等優點。因此，近年來發光二極體成為兼具省電與環保特點的主要照明光源。再者，由於發光二極體製作尺寸上的突破，一種將發光二極體轉置於畫素結構中以形成微發光二極體顯示器（micro LED display）或次毫米級發光二極體（mini-LED）顯示器的技術逐漸出現在市場上。

另一方面，在顯示器上提供觸控功能為現今顯示器的必要功能之一。因此，將觸控模組整合至微發光二極體顯示器或次毫米級發光二極體顯示器中為本領域的重要課題之一。

本發明提供一種顯示裝置，整合發光二極體顯示技術與觸控技術。

本發明的顯示裝置包括陣列基板、多個控制元件、多個發光二極體以及電極圖案。多個控制元件設置於陣列基板上。多個發光二極體以陣列排列方式設置於陣列基板上，且分別包括第一半導體層、第二半導體層以及發光層。發光層設置於第一半導體層與第二半導體層之間。電極圖案形成於陣列基板上，且包括多個第一電極、多個第二電極以及多條觸控驅動訊號線。各第一電極電性連接於發光二極體中的至少一者的第一半導體層。各第二電極電性連接於對應的發光二極體的第二半導體層以及多個控制元件中的一者。多條觸控驅動訊號線分別設置在多個第一電極之間，且至少一部分的觸控驅動訊號線沿第一方向延伸。各第一電極的至少一邊緣鄰近多條觸控驅動訊號線的一線段。

在一些實施例中，各第一電極的至少一部分與多條觸控驅動訊號線實質上共平面。

在一些實施例中，多個第一電極彼此結構上不相連。

在一些實施例中，各第一電極電性連接於發光二極體中的多者的第一半導體層，且多條觸控驅動訊號線中的另一部分沿第二方向延伸。此外，沿第二方向延伸之相鄰兩觸控驅動訊號線彼此不相連。

在一些實施例中，各第一電極的至少兩邊緣鄰近多條觸控驅動訊號線的至少兩線段。

在一些實施例中，各第一電極的至少兩邊緣實質上平行於多條觸控驅動訊號線的所述至少兩線段。

在一些實施例中，陣列基板更包括邊框區。邊框區位於陣列基板的外圍，且沿第一方向延伸的觸控驅動訊號線之部分延伸至邊框區，且分別電性連接於觸控控制元件。

在一些實施例中，各觸控驅動訊號線的線寬大於或等於3μm，且小於或等於50 μm。

在一些實施例中，在沿第一方向延伸的觸控驅動訊號線之部分中，相鄰兩者之間的間距範圍為0.5 mm至5 mm。

在一些實施例中，在沿第一方向延伸的觸控驅動訊號線之部分中，相鄰兩者之間的第一電極的總面積為該些觸控驅動訊號線的相鄰兩者之間的面積的50 %至90 %。

在一些實施例中，電極圖案的材料包括可透光之金屬膜或透明導電材料。

基於上述，本發明實施例整合觸控感測電極與發光二極體的電極結合，而形成上述的第一電極。因此，作為觸控感測電極的第一電極與發光二極體可共同地設置於陣列基板上。另外，觸控驅動訊號線亦設置於陣列基板上。如此一來，本發明實施例的包括第一電極與觸控驅動訊號線的觸控模組可為內嵌式（in-cell）觸控模組。再者，本發明實施例的第一電極與觸控驅動訊號線形成自同一材料層。因此，第一電極與觸控驅動訊號線可在水平方向彼此間隔，且可藉由第一電極與觸控驅動訊號線在水平方向上的電容變化感測觸控物體的位置。相較於以橋接（bridging）的方式使觸控感測電極與觸控驅動訊號線的其中一者在兩者之交錯處跨越另一者，本發明實施例的相鄰的第一電極彼此並不直接相連。換言之，不需使用橋接的方式相連鄰近的觸控感測電極。另一方面，由於本發明實施例結合觸控感測電極與發光二極體的電極，故觸控感測電極的尺寸可微縮至子畫素的等級。因此，當本發明實施例的顯示裝置應用於電容式壓力感測操作時，可大幅提高壓力感測的辨識率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是依照本發明一些實施例的顯示裝置的上視示意圖。圖1B是依照本發明一些實施例的顯示裝置的一部分的剖視示意圖。舉例而言，圖1B是沿著圖1A的線A-A’所繪示的剖視示意圖。

請參照圖1A，本發明實施例的顯示裝置10包括陣列基板100，例如是玻璃基板或塑膠等可撓性材料的基板。多個發光二極體D設置於陣列基板100上。在一些實施例中，各發光二極體D可以是微發光二極體（micro-LED）或次毫米級發光二極體（mini-LED）。多個發光二極體D沿第一方向D1與第二方向D2陣列排列於陣列基板100上。第一方向D1與第二方向D2交錯。在一些實施例中，第一方向D1與第二方向D2垂直。每一發光二極體D或多個發光二極體D可位於一子畫素區SP內。在圖1A所示的實施例中，每一子畫素區SP可包括2個發光二極體D，但本發明並不以此為限。在每一子畫素區SP內包括多個發光二極體D的實施例中，各子畫素區SP內的多個發光二極體D可具有實質上相同的主波長範圍。在其他實施例中，各子畫素區SP內的多個發光二極體D也可具有彼此相異的主波長範圍。

請參照圖1A與圖1B，顯示裝置10更包括多個控制元件T。多個控制元件T設置於陣列基板100上。控制元件T包括主動元件、被動元件或其組合。舉例而言，主動元件可為單一或多個電晶體、控制IC或一些具備開關能力的元件，而被動元件可包括電容。在一些實施例中，控制元件T包括電晶體，其可包括通道層CH、閘電極GE與介電層GD。通道層CH形成於陣列基板100上。介電層GD覆蓋通道層CH，而閘電極GE形成於介電層GD上。介電層GD的一部分位於閘電極GE與通道層CH之間，而可作為閘介電層。通道層CH的交疊於閘電極GE的一部分可作為電晶體的通道區域，而通道層CH的位於閘電極GE的兩側之區域可經摻雜而作為電晶體的汲極/源極。在一些實施例中，可在閘電極GE上形成一或多層絕緣層104。此外，在一些實施例中，電晶體更可包括兩個汲極/源極區接觸結構CT。兩個汲極/源極區接觸結構CT分別穿過絕緣層104與介電層GD，而電性連接於通道層CH的汲極/源極。在其他實施例中，電晶體的通道層CH、閘電極GE與介電層GD也可以有其他的配置方式，本發明並不以此為限。

如圖1B所示，在一些實施例中，發光二極體D設置於控制元件T上。在一些實施例中，可在發光二極體D與控制元件T之間形成絕緣層106。發光二極體D可包括第一半導體層SC1、第二半導體層SC2與發光層EL。第一半導體層SC1與第二半導體層SC2依序堆疊於絕緣層106上，而發光層EL設置於第一半導體層SC1與第二半導體層SC2之間。在一些實施例中，發光二極體D可具有平台（mesa）結構。在此些實施例中，第一半導體層SC1的第一部分與第二半導體層SC2交疊，而第一半導體層SC1的第二部分不與第二半導體層SC2交疊。發光層EL位於第二半導體層SC2與第一半導體層SC1的第一部分之間。在一些實施例中，更可在發光二極體D上形成保護層PL。保護層PL覆蓋發光二極體D的頂面與側壁，惟分別暴露出第一半導體層SC1與第二半導體層SC2的頂面之一部分。兩個導電接墊CP可分別形成於第一半導體層SC1與第二半導體層SC2的暴露部分上。

在其他實施例中，發光二極體D與控制元件T也可並排地設置於陣列基板100上（未繪示）。換言之，在此些實施例中，發光二極體D與控制元件T並非堆疊設置於陣列基板100上。

顯示裝置10更包括電極圖案108。電極圖案108包括多個第一電極E1與多個第二電極E2。各第一電極E1與各第二電極E2分別電性連接於至少一發光二極體D的第一半導體層SC1與第二半導體層SC2。在一些實施例中，第一電極E1經由導電接墊CP連接於對應的第一半導體層SC1。相似地，第二電極E2也可經由另一導電接墊CP連接於對應的第二半導體層SC2。此外，第二電極E2更電性連接於至少一控制元件T。在一些實施例中，第一電極E1覆蓋第一半導體層SC1的未交疊於第二半導體層SC2的一部分（亦即上述的第二部分），且延伸至第一半導體層SC2的該部分的側壁上。此外，第一電極E1更延伸至發光二極體D的一側的絕緣層106上。另一方面，第二電極E2覆蓋第二半導體層SC2的頂面，且延伸至發光二極體D的側壁上。在一些實施例中，第二電極E2更延伸至發光二極體D一側的絕緣層106上，且可縱向地穿過絕緣層106而電性連接至控制元件T。舉例而言，第二電極E2可電性連接至控制元件T的一汲極/源極區接觸結構CT。

在一些實施例中，在形成電極圖案108之前，更可在陣列基板100上（例如是在絕緣層106上）形成其他線路SL。如此一來，電極圖案108可覆蓋於線路SL上。線路SL可與第一電極E1及/或第二電極E2電性連接，以傳遞用於驅動發光二極體D的電壓或傳遞其他訊號。在其他實施例中，線路SL也可形成於電極圖案108之後。換言之，在此些實施例中，線路SL可位於電極圖案108之上。

請參照圖1A，在一些實施例中，各第一電極E1可覆蓋並電性連接於多個發光二極體D的第一半導體層SC1。在圖1A所示的實施例中，各第一電極E1覆蓋6個發光二極體D的第一半導體層SC1，但本發明並不以第一電極E1所覆蓋的發光二極體D的數量為限。此外，在一些實施例中，多個第一電極E1在結構上彼此不相連。換言之，多個第一電極E1彼此並不直接相連，且相鄰的第一電極E1之間可具有其他構件（例如是以下所述的觸控驅動訊號線TL）。另一方面，多個第二電極E2分別覆蓋多個發光二極體D的第二半導體層SC2，且多個第二電極E2與其所覆蓋的第二半導體層SC2分別位於第一電極E1的多個開口W中。第一電極E1與第二電極E2在結構上彼此不相連。換言之，第一電極E1與第二電極E2並不直接連接，而可獨立地供應不同電壓至發光二極體D的第一半導體層SC1與第二半導體層SC2。此外，發光二極體D的未被第一電極E1與第二電極E2覆蓋的區域可作為發光區域。

請參照圖1A與圖1B，電極圖案108更包括多條觸控驅動訊號線TL。請參照圖1A，多條觸控驅動訊號線TL的一些部分可沿第一方向D1延伸，而另一些部分可沿第二方向D2延伸。各觸控驅動訊號線TL設置於相鄰的第一電極E1之間。在一些實施例中，各第一電極E1的至少一邊緣鄰近於多條觸控驅動訊號線TL的一線段。舉例而言，如圖1A所示，各第一電極E1的至少兩邊緣分別鄰近於多條觸控驅動訊號線TL的兩條線段。此外，各第一電極E1的至少一邊緣可實質上平行於與其鄰近的觸控驅動訊號線TL的線段。各觸控驅動訊號線TL可用於傳遞觸控驅動訊號，而各第一電極E1可作為觸控感測電極（或稱為參考電極），以連接到參考電壓。當觸控物體（例如是手指或觸控筆）靠近或接觸第一電極E1時，會改變第一電極E1與相鄰的觸控驅動訊號線TL之間的電容。如此一來，藉由取得電容值的分布，可感測物體靠近或觸碰顯示裝置10的位置。

在一些實施例中，各觸控驅動訊號線TL的線寬大於或等於3 μm，且小於或等於50 μm。然而，所屬領域中具有通常知識者可依據發光二極體D的尺寸以及電阻電容延遲（RC delay）的考量調整各觸控驅動訊號線TL的尺寸，本發明並不以此為限。此外，所屬領域中具有通常知識者更可依據觸控物體的尺寸而調整第一電極E1所覆蓋發光二極體D的數量。舉例而言，對於尺寸較小的觸控物體，需要縮小各第一電極E1的面積才可精確地感測觸控物體的位置。另一方面，對於尺寸較大的觸控物體，則可增加各第一電極E1的面積。在一些實施例中，多條觸控驅動訊號線TL的沿第一方向D1延伸的相鄰兩線段之間的間距範圍可為0.5 mm至5 mm。換言之，在此些實施例中，各第一電極E1的沿第二方向D2的總長度可自小於一個子畫素SP的長度至多個子畫素SP的長度之範圍中，例如是在10 um至10 mm的範圍中。此外，在一些實施例中，位於多條觸控驅動訊號線TL的沿第一方向D1（或第二方向D2）延伸的相鄰兩線段之間的第一電極E1的總面積A1為此兩線段之間的總面積A2的50 %至90 %。

請參照圖1B，在一些實施例中，多條觸控驅動訊號線TL可設置於絕緣層106上。此外，在一些實施例中，可在同一圖案化步驟中同時形成多個第一電極E1、多個第二電極E2以及多條觸控驅動訊號線TL。換言之，多個第一電極E1、多個第二電極E2以及多條觸控驅動訊號線TL可源自於同一導體材料層。在此些實施例中，可在絕緣層106與發光二極體D上形成此導體材料層。在一些實施例中，此導體材料層可為金屬薄膜。此金屬薄膜具有相當低的厚度（例如是厚度小於0.05 um），以使此金屬薄膜能夠透光。在其他實施例中，此導體材料層也可包括透明導電材料，例如是銦錫氧化物（indium-tin oxide，ITO）、銦鋅氧化物（indium-zinc oxide）、氧化鋅、氧化錫、其類似者或其組合。接著，對此導體材料層進行圖案化，以形成多個第一電極E1、多個第二電極E2以及多條觸控驅動訊號線TL。在一些實施例中，請參照圖1B，各第一電極E1的至少一部分可與各觸控驅動訊號線TL實質上共平面。相似地，各第二電極E2的至少一部分可與各觸控驅動訊號線TL實質上共平面。

圖2A是依照本發明一些實施例的顯示裝置10的多個觸控區TR的上視示意圖。

請參照圖2A，顯示裝置10可劃分為多個觸控區TR。需注意的是，觸控區TR不僅具有觸控感測的功能，也具有顯示的功能。因此，觸控區TR亦可稱作顯示區。在圖2A所示的實施例中，多個觸控區TR沿第二方向D2排列。相鄰的觸控區TR彼此不直接相連。具體而言，多條觸控驅動訊號線TL的沿第二方向D2延伸的線段在相鄰觸控區TR之間的邊界處中斷，而使彼此不互相連接。因此，各觸控區TR內的觸控驅動訊號線TL可獨立地傳遞觸控驅動訊號，故可避免在多個觸控區TR內傳遞的觸控驅動訊號彼此互相干擾。

在一些實施例中，陣列基板100更包括邊框區BR。邊框區BR位於陣列基板100的外圍區域，而環繞多個觸控區TR（或稱為顯示區）。多個觸控控制元件IC設置於邊框區BR內。各觸控區TR內的觸控驅動訊號線TL可電性連接至一觸控控制元件IC。在圖2A所示的實施例中，各觸控區TR內的觸控驅動訊號線TL的沿第一方向D1延伸的線段電性連接至對應的觸控控制元件IC。此外，在一些實施例中，多個觸控控制元件IC可設置於多個觸控區TR的在第一方向D1上相鄰的同一側。在其他實施例中，多個觸控控制元件IC也可設置於多個觸控區TR的在第一方向D1上相對的兩側，或可沿第二方向D2交替地設置於多個觸控區TR的在第一方向D1上相對的兩側。

圖2B是依照本發明一些實施例的顯示裝置10的多個觸控區TR的上視示意圖。圖2A與圖2B所示的顯示裝置10彼此相似，以下僅討論兩者的差異處，相同或相似處則不再贅述。

請參照圖2B，多個觸控區TR沿第一方向D1排列。在此些實施例中，多條觸控驅動訊號線TL的沿第一方向D1延伸的線段在相鄰的觸控區TR之間的邊界處中斷，而使彼此不互相連接。此外，多個觸控控制元件IC可設置於多個觸控區TR的在第二方向D2上相鄰的同一側。在其他實施例中，多個觸控控制元件IC也可設置於多個觸控區TR的在第二方向D2上相對的兩側，或可沿第一方向D1交替地設置於多個觸控區TR的在第二方向D2上相對的兩側。

圖3是依照本發明一些實施例的顯示裝置10的電容式壓力感測的示意圖。以簡潔起見，圖3僅繪示出多個第一電極E1，而省略其他構件（例如是觸控驅動訊號線TL等）。此外，多個第一電極E1是彼此不直接相連的（如圖1A、圖2A及圖2B所示）。

請參照圖1至圖3，本發明實施例的顯示裝置10可應用於電容式壓力感測。請參照圖3，當觸控物體F（例如是手指或以手握住感應的觸控筆）觸碰顯示裝置10時，此觸控物體F與顯示裝置10的接觸面積隨按壓的力道提高而增加。對應地，電容變化的區域也會隨著觸控物體的按壓力道之增加而擴大（請參照圖3中的虛線區域）。如此一來，可藉由電容變化的區域之面積推得觸控物體的按壓力。由於本發明實施例將子畫素區內發光二極體的電極進一步設置為用於觸控功能的觸控感測電極（亦即第一電極E1），故此觸控感測電極的尺寸可微縮至子畫素的等級。舉例而言，各觸控感測電極的面積僅為數個子畫素區的面積，例如是0.5 mm ²至1.0 mm ²，但不以此為限。據此，本發明實施例的顯示裝置10可透過第一電極E1與觸控驅動訊號線TL的設計同時具備顯示及觸控的功能，使其開口率不會因為增加了觸控的功能而減少太多，同時在製造上並不會使製程更為繁瑣。特別來說，對於電容式壓力感測可具有相當高的解析度。

圖4是依照本發明另一些實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。圖4所示的顯示裝置相似於圖1B所示的顯示裝置，以下僅討論兩者的差異處，相同或相似處則不再贅述。

請參照圖4，在一些實施例中，發光二極體D是以覆晶接合（flip chip bonding）的方式設置於陣列基板100上。舉例而言，可藉由覆晶接合的方式將發光二極體D設置於絕緣層106上。在此些實施例中，第一半導體層SC1覆蓋於第二半導體層SC2上。第一半導體層SC1具有交疊於第二半導體層SC2的第一部分，且具有未交疊於第二半導體層SC2的第二部分。發光層EL設置於第一半導體層SC1的第一部分與第二半導體層SC2之間。此外，電極圖案108設置於發光二極體D與陣列基板100之間。在一些實施例中，電極圖案108設置於絕緣層106上，且發光二極體D設置於電極圖案108的第一電極E1與第二電極E2上。第一電極E1電性連接於第一半導體層SC1的未交疊於第二半導體層SC2的一部分（亦即上述的第二部分）。在一些實施例中，可經由導電接墊CP及導電結構CC電性連接第一半導體層SC1與第一電極E1。導電結構CC可形成於第一電極E1與導電接墊CP之間。另一方面，第二電極E2電性連接於第二半導體層SC2。在一些實施例中，可藉由導電接墊CP電性連接第二半導體層SC2與第二電極E2。

基於圖4所示的發光二極體D是設置於電極圖案108上，電極圖案108中的多個第一電極E1、多個第二電極E2以及多條觸控驅動訊號線TL可實質上共平面。

綜上所述，本發明實施例結合觸控感測電極與發光二極體的電極，以使觸控感測電極與發光二極體共同地設置於陣列基板上。另外，觸控驅動訊號線亦設置於陣列基板上。如此一來，本發明實施例的包括觸控感測電極與觸控驅動訊號線的觸控模組可為內嵌式（in-cell）觸控模組。再者，本發明實施例的觸控感測電極與觸控驅動訊號線形成自同一材料層。因此，第一電極與觸控驅動訊號線可在水平方向彼此間隔，且可藉由觸控感測電極與觸控驅動訊號線在水平方向上的電容變化感測觸控物體的位置。相較於以橋接（bridging）的方式使觸控感測電極與觸控驅動訊號線的其中一者在兩者之交錯處跨越另一者，本發明實施例的相鄰的觸控感測電極彼此並不直接相連。換言之，不需使用橋接的方式相連鄰近的觸控感測電極。另一方面，由於本發明實施例結合觸控感測電極與發光二極體的電極，故觸控感測電極的尺寸可微縮至子畫素的等級。因此，當本發明實施例的顯示裝置應用於電容式壓力感測操作時，可大幅提高壓力感測的辨識率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧顯示裝置

100‧‧‧陣列基板

104、106‧‧‧絕緣層

108‧‧‧電極圖案

A1、A2‧‧‧面積

BR‧‧‧邊框區

CC‧‧‧導電結構

CH‧‧‧通道層

CP‧‧‧導電接墊

CT‧‧‧汲極/源極區接觸結構

D‧‧‧發光二極體

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

E1‧‧‧第一電極

E2‧‧‧第二電極

EL‧‧‧發光層

F‧‧‧觸控物體

GD‧‧‧介電層

GE‧‧‧閘電極

IC‧‧‧觸控控制元件

PL‧‧‧保護層

SC1‧‧‧第一半導體層

SC2‧‧‧第二半導體層

SL‧‧‧線路

SP‧‧‧子畫素區

T‧‧‧控制元件

TL‧‧‧觸控驅動訊號線

TR‧‧‧觸控區

W‧‧‧開口

圖1A是依照本發明一些實施例的顯示裝置的上視示意圖。圖1B是依照本發明一些實施例的顯示裝置的一部分的剖視示意圖。圖2A與圖2B是依照本發明一些實施例的顯示裝置的多個觸控區的上視示意圖。圖3是依照本發明一些實施例的顯示裝置的電容式壓力感測的示意圖。圖4是依照本發明另一些實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

Claims

一種顯示裝置，包括：一陣列基板；多個控制元件，設置於該陣列基板上；多個發光二極體，以陣列排列方式設置於該陣列基板上，且分別包括：一第一半導體層與一第二半導體層；以及一發光層，設置於該第一半導體層與該第二半導體層之間；以及一電極圖案，形成於該陣列基板上，包括：多個第一電極，其中各該第一電極電性連接於該些發光二極體中的至少一者的該第一半導體層；多個第二電極，其中各該第二電極電性連接於對應的該發光二極體的該第二半導體層以及該些控制元件之一；以及多條觸控驅動訊號線，分別設置在該些第一電極之間且至少部分該觸控驅動訊號線沿一第一方向延伸，其中各該第一電極的至少一邊緣鄰近該些觸控驅動訊號線的一線段。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該第一電極的至少一部分與該些觸控驅動訊號線實質上共平面。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該電極圖案中的該些第一電極、該些第二電極以及該些觸控驅動訊號線實質上共面。
如申請專利範圍第1像所述的顯示裝置，其中該些第一電極彼此結構上不相連。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該第一電極電性連接於該些發光二極體中的多者的該些第一半導體層，且該些觸控驅動訊號線中的另一部分沿一第二方向延伸，且沿該第二方向延伸之相鄰兩觸控驅動訊號線彼此不相連。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該第一電極的至少兩邊緣鄰近該些觸控驅動訊號線的至少兩線段。
如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置，其中各該第一電極的該至少兩邊緣實質上平行於該些觸控驅動訊號線的該至少兩線段。
如申請專利範圍第5項所述的顯示裝置，其中該陣列基板更包括一邊框區，該邊框區位於該陣列基板的外圍，且沿該第一方向延伸的該部分觸控驅動訊號線延伸至該邊框區，且分別電性連接於一觸控控制元件。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該觸控驅動訊號線的線寬大於或等於3 μm，且小於或等於50 μm。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中沿該第一方向延伸的該部分觸控驅動訊號線中相鄰兩者之間的間距範圍為0.5 mm至5 mm。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中沿該第一方向延伸的該部分觸控驅動訊號線中相鄰兩者之間的第一電極的總面積為該些觸控驅動訊號線的該相鄰兩者之間的面積的50 %至90 %。
如申請專利範圍第1像所述的顯示裝置，其中該電極圖案的材料包括可透光之金屬膜或透明導電材料。