TW202416403A - 工件處理方法及工件處理裝置 - Google Patents

Abstract

[課題]提供一種工件處理方法及工件處理裝置，其可於在以支撐體支撐工件的狀態下進行各種處理的構成中，防止工件產生不良並且可容易地使工件自支撐體脫離。 [解決手段]本發明之工件處理方法，其包含以下的過程：將於載體1上層積有保持工件W的保持膜3之膜層積體5載置於支撐台的過程；將工件W載置於膜層積體5中的保持膜3側而使保持膜3保持工件W的過程；對工件W進行既定的處理的過程；及使工件W自膜層積體5脫離的過程；且保持膜3係由包含聚矽氧化合物、氟化合物、或聚醯亞胺的孔質體構成。

Description

工件處理方法及工件處理裝置

本發明係關於一種工件處理方法及工件處理裝置，其用於對以基板或半導體晶圓(以下，適宜稱為「晶圓」)為例的工件執行各種處理，例如包含半導體元件的安裝處理、金屬蒸鍍處理或背面研磨處理。

近年來，以智慧型手機、IC卡為例的電子機器快速地趨向於薄型化及輕量化，因此也要求組裝於此種電子機器之半導體晶片小型化。伴隨半導體晶片的小型化，對於作為基礎的晶圓或基板(作為一例，撓性基板)，使用更薄板化者。

由於被薄板化的晶圓及基板的強度降低，因此容易破損而變得難以處理。因此，於先前技術中，將稱為支撐板的金屬板或硬質塑膠板等貼合於作為薄板化對象的工件後，對工件研磨。藉由在工件貼合支撐板(支撐體)，即使於研磨過程後也可保持工件的強度。因此，以切割處理或半導體封裝處理為例之其後的各種處理過程中，可避免於處理工件時產生工件的損傷。

將工件貼合於支撐板以支撐工件的過程，於防止因熱等引起之工件的翹曲方面也相當重要。即，於對工件進行金屬蒸鍍處理、清洗處理、樹脂成形處理等的情況下，容易產生工件因熱而變形，進而於基板產生翹曲的問題。藉由將工件貼合於支撐板，可確保工件的平坦性，因此可防止工件於各種處理過程中因熱等引起而翹曲。藉此，可避免以半導體晶片為例之半導體裝置的製造不良。

過往，於工件與支撐板之間形成黏著劑層而將兩者貼合，於對工件進行必要的處理之後，將以黏著劑層貼合的支撐板自工件剝離。作為將支撐板自工件剝離的先前的方法，可列舉預先於支撐板形成貫通孔，朝支撐板的貫通孔注入溶劑而使溶劑到達黏著劑層，以溶劑將黏著劑溶解，藉此，將支撐板自工件剝離的方法(參照專利文獻1)。

此外，作為先前之剝離方法的另一例，可列舉於以板狀之封閉構件將形成有貫通孔之支撐板中的未形成黏著劑層之側封閉的狀態下加熱支撐板的方法。於該方法中，由於支撐板之貫通孔內的空氣藉由加熱而膨脹，膨脹後的空氣進入黏著劑層而使黏著劑層變形，因此無需使用溶劑即可將支撐板自工件剝離(參照專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2006-135272號公報 專利文獻2：日本特開2008-034644號公報

[發明欲解決之課題]

然而，上述先前方法存在如下的問題。即，存在當將工件自支撐板剝離時，黏著劑層的至少一部分殘留於工件，所謂糊膠殘留的問題。若黏著劑殘留於工件時，則因殘留的黏著劑而會於工件上產生連接不良等，因此產生不良品的頻率變高。此外，由於在使用黏著劑將工件貼合於支撐板的操作中，需要黏著劑液的塗布及乾燥等複數個製程，因此半導體製品的生產效率降低。

此外，於在先前方法中的使用溶劑將工件剝離的情況下，由於溶劑滲透至黏著劑層需要較長時間，因此半導體製品的生產效率進一步降低。此外，於藉由以封閉構件將支撐板封閉且加熱而剝離工件的先前方法中，難以將加熱控制在空氣膨脹而使黏著劑層剝離的程度，此外，也難以保證封閉構件與支撐板的密接性。因此，難以提高藉由加熱使工件自支撐板剝離的效率。

本發明係鑑於上述情況而完成者，其主要目的在於提供一種工件處理方法及工件處理裝置，其在以支撐體支撐工件的狀態下進行各種處理的構成中，防止工件產生不良並且可容易地使工件自支撐體脫離。 [用以解決課題之手段]

為了達成上述目的，本發明採用如下的構成。 即，本發明之工件處理方法，其特徵在於包含： 層積體載置過程，其將於支撐體上層積有保持工件的保持膜之膜層積體載置於支撐台； 工件保持過程，其將上述工件載置於上述膜層積體中的上述保持膜側而使上述保持膜保持上述工件； 工件處理過程，其對上述工件進行既定的處理；及 工件脫離過程，其使上述工件自上述膜層積體脫離；且 上述保持膜係由包含矽化合物、氟化合物、或聚醯亞胺的多孔質體構成。

(作用‧功效)根據該構成，於工件保持過程中，藉由將工件載置於保持膜，而以由多孔質體構成的保持膜保持工件。

保持膜係用以保持工件，藉由使工件載置於膜層積體中的保持膜側以確保工件的平坦性。即，於以將半導體元件安裝於工件之過程為例的工件處理過程中，可藉由保持膜防止工件產生翹曲等變形。藉此，可更確實地防止於工件處理過程中產生不良品。

此外，保持膜係由多孔質體構成。因此，於使保持膜保持工件時，保持膜內不會進入氣泡，且隨工件表面之微細的凹凸而精度良好地變形，將保持膜密接於工件的更大範圍。因此，可提高保持膜之對工件的保持力。並且，當於工件脫離過程中使工件自膜層積體脫離時，可避免保持膜的一部分剝離而殘留於工件的表面。因此，可防止工件的表面被起因於保持膜的殘留物污染而產生不良的事態。

並且，藉由將工件載置於膜層積體的保持膜側的簡單操作，對工件作用防止工件變形的保持力。即，可極大地縮短防止工件變形之製程所需的時間。藉此，可提高工件的處理效率並且防止工件的變形。

此外，於上述發明中，較佳為，上述工件脫離過程包含：氣體供給過程，其藉由朝上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而降低上述保持膜的保持力；及工件分離過程，其使上述工件自藉由上述氣體供給過程而從降低了保持力的上述保持膜分離。

(作用‧功效)根據該構成，藉由朝工件與保持膜之間供給氣體，由於工件與構成保持膜的多孔質體的接觸被氣體妨礙，因此保持膜的保持力降低。即，藉由在進行了氣體供給過程之後進行工件分離過程，可防止使工件自保持膜分離的動作被保持膜的保持力妨礙，因此可更適宜地使工件自膜層積體脫離。

此外，於上述發明中，較佳為，上述膜層積體具有1或2個以上的通氣孔，該通氣孔係自載置於上述支撐台的面連通至保持上述工件的面， 上述氣體供給過程，係藉由自上述支撐台經由上述通氣孔朝上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。

(作用‧功效)根據該構成，構成膜層積體的支撐體及保持膜分別具有連通之1或2個以上的通氣孔。因此，藉由朝支撐台供給氣體，該氣體經由通氣孔供給於工件與保持膜之間的空間。因此，藉由在支撐台配設氣體供給機構，可容易實現確實地朝工件與保持膜之間供給氣體的系統。

此外，於上述發明中，較佳為具備接近過程，於該接近過程中使工件抑制構件抵接或接近保持於上述保持膜之上述工件中的未被上述保持膜保持之面的外周部，上述氣體供給過程，係於上述接近過程之後，藉由以上述工件抑制構件抑制上述工件，並且自上述支撐台經由上述通氣孔朝上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。

(作用‧功效)根據該構成，於使工件抑制構件抵接或接近工件的外周部的狀態下，使工件自藉由氣體供給過程而降低了保持力的保持膜分離。藉由使工件抑制構件成為抵接或接近工件的狀態，可以工件抑制構件抑制工件於氣體供給過程中過度地浮起。即，可避免藉由氣體供給致使工件過度地浮起而造成工件之水平方向的位置產生偏移的事態等。

此外，於上述發明中，較佳為，上述工件脫離過程具有接近過程，於該接近過程中使於中央部具有凹部的工件抑制構件抵接或接近保持於上述保持膜之上述工件中的未被上述保持膜保持之面的外周部，上述氣體供給過程，係於上述接近過程之後，藉由以上述工件抑制構件抑制上述工件的外周部，並且自上述支撐台經由上述通氣孔朝上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。

(作用‧功效)根據該構成，於使於中央部具有凹部的工件抑制構件抵接或接近工件之外周部的狀態下，使工件自藉由氣體供給過程而降低了保持力的保持膜分離。藉由使工件抑制構件成為抵接或接近工件的狀態，可以工件抑制構件抑制工件於氣體供給過程中過度地浮起。即，可避免藉由氣體供給致使工件過度地浮起而造成工件之水平方向的位置產生偏移的事態等。

此外，工件抑制構件係抑制工件中的外周部。即，由於工件的中央部不受到工件抑制構件的抑制，因此於工件的中央部配設有裝置等的情況下，可避免工件抑制構件與該裝置接觸並且抑制工件。

此外，於上述發明中，較佳為，上述工件脫離過程具備：第1脫離過程，其於上述保持膜保持上述工件之面中的一部分區域中，且於上述工件與上述保持膜之間形成間隙部，使上述工件於上述一部分區域中自上述保持膜脫離；及第2脫離過程，其藉由將上述間隙部自上述一部分區域擴展至上述一部分區域以外的區域，而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。

(作用‧功效)根據該構成，工件脫離過程係經由至少2個階段使工件自保持膜脫離。即，首先，於第1脫離過程中，於工件的一部分且在與保持膜之間形成間隙部，使工件於該一部分的區域自保持膜脫離。並且，於進行了第1脫離過程之後，於第2脫離過程中，藉由將間隙部自該一部分區域擴展至該一部分區域以外的區域，而使工件的整個面自保持膜脫離。

於此情況下，於第1脫離過程及第2脫離過程的每一過程中，用以使工件自保持膜脫離的力，係對抗保持膜之對工件W的一部分的保持力。即，與使工件的整個面同時自保持膜脫離的情況下需要較大的力相反，使工件的一部分自保持膜脫離而需要的力較小。藉此，可更容易地將工件W自保持膜脫離。

此外，於上述發明中，較佳為，上述支撐台係以於中央部具有凹部且僅支撐上述膜層積體的外周部的方式構成，上述第1脫離過程，係藉由朝上述支撐台的上述凹部供給氣體使上述膜層積體的中央部呈凸狀變形，而使上述工件中的外周部自上述保持膜脫離，上述第2脫離過程，係藉由使上述間隙部自外周部朝中央部擴展，而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。

(作用‧功效)根據該構成，支撐台係以於中央部具有凹部且支撐膜層積體的外周部的方式構成。並且，於第1脫離過程中，朝該支撐台的凹部供給氣體，使膜層積體的中央部呈凸狀變形。藉由該凸狀的變形，外周部的工件與膜層積體的距離，係較中央部的工件與膜層積體的距離遠。其結果，於工件的整個面中的外周部與保持膜之間形成間隙部，工件的外周部如上述自保持膜脫離而非中央部。此時，由於用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件W整體中的外周部的保持力，因此與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地僅使工件的外周部自保持膜脫離。

並且，於第2脫離過程中，藉由將於第1脫離過程中形成於工件的外周部與保持膜之間的間隙部朝工件的中央部與保持膜之間擴展，而使工件的整個面自保持膜脫離。於第2脫離過程中，由於用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件W整體中的中央部的保持力，因此與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地使工件的中央部自保持膜脫離。藉此，可避免保持膜之對工件的保持力超過用以使工件自保持膜脫離的力而產生脫離故障的事態。

此外，於上述發明中，較佳為，上述第1脫離過程，係於以部分吸附構件吸附保持上述工件的狀態下，藉由使上述部分吸附構件自上述膜層積體分離而使上述工件中的上述一端側自上述保持膜脫離，該部分吸附構件係吸附上述工件中的未被上述保持膜保持之面的一端側，上述第2脫離過程，係藉由使上述間隙部自上述工件中的上述一端側朝另一端側擴展，而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。

(作用‧功效)根據該構成，首先，於第1脫離過程中，於以部分吸附構件吸附保持上述工件的狀態下，藉由使該部分吸附構件自膜層積體分離，而使工件中的一端側的部分自保持膜脫離，該部分吸附構件係吸附工件中的未被保持膜保持之面的一端側。此時，由於用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件W整體中的一端側之部分的保持力，因此，與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地使工件之一端側的部分自保持膜脫離。

並且，於第2脫離過程中，藉由將於第1脫離過程中形成於工件的一端側與保持膜之間的間隙部朝工件的另一端側與保持膜之間擴展，而使工件的整個面自保持膜脫離。於第2脫離過程中，由於用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件W整體中的另一端側之部分的保持力，因此與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地使工件的另一端側自保持膜脫離。藉此，可避免保持膜之對工件的保持力超過用以使工件自保持膜脫離的力而產生脫離故障的事態。

此外，於上述發明中，較佳為，上述第1脫離過程係藉由使上述膜層積體的中央部呈凸狀變形而使上述工件中的外周部自上述保持膜脫離，上述第2脫離過程係藉由使上述間隙部自外周部朝中央部擴展而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。

(作用‧功效)根據該構成，首先於第1脫離過程中，藉由使膜層積體的中央部呈凸狀變形，而使工件整體中的外周部自保持膜脫離。此時，由於用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件整體中的外周部的保持力，因此，與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地使工件的一端側的部分自保持膜脫離。

並且，於第2脫離過程中，藉由將於第1脫離過程中形成於工件的外周部與保持膜之間的間隙部朝工件的中央部與保持膜之間擴展，而使工件的整個面自保持膜脫離。於第2脫離過程中，由於用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件整體中的中央部的保持力，因此與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地使工件的中央部自保持膜脫離。藉此，可避免保持膜之對工件的保持力超過用以使工件自保持膜脫離的力而產生脫離故障的事態。

為了實現上述目的，本發明也可採用如下的構成。 即，本發明之工件處理裝置，其特徵在於具備： 支撐台，其用以支撐在支撐體上層積有保持工件的保持膜的膜層積體； 層積體載置機構，其將上述膜層積體載置於上述支撐台； 工件載置機構，其將上述工件載置於上述膜層積體中的上述保持膜側而使上述保持膜保持上述工件； 工件處理機構，其對上述工件進行既定的處理；及 工件脫離機構，其使上述工件自上述膜層積體脫離；且 上述保持膜係由多孔質體構成，該多孔質體包含聚矽氧化合物、氟化合物、或聚醯亞胺。

(作用‧功效)根據該構成，藉由工件載置機構將工件載置於保持膜，使由多孔質體構成的保持膜保持工件。

保持膜係用以保持工件，藉由將工件載置於膜層積體中的保持膜側，以確保工件的平坦性。即，於以將半導體元件安裝於工件之過程為例的工件處理過程中，可藉由保持膜防止工件產生翹曲等變形。藉此，可更確實地防止於工件處理過程中產生不良品。

此外，保持膜係由多孔質體構成。因此，於使保持膜保持工件時，保持膜內不會進入氣泡，且隨工件表面之微細的凹凸而精度良好地變形，將保持膜密接於工件的更大範圍。因此，可提高保持膜之對工件的保持力。並且，當於工件脫離過程中使工件自膜層積體脫離時，可避免保持膜的一部分剝離而殘留於工件的表面。因此，可防止工件的表面被起因於保持膜的殘留物污染而產生不良的事態。

並且，藉由將工件載置於膜層積體的保持膜側的簡單操作，對工件作用防止工件變形的保持力。即，可極大地縮短防止工件變形之製程所需的時間。藉此，可提高工件的處理效率並且防止工件的變形。

此外，於上述發明中，較佳為，上述工件脫離機構具備：氣體供給機構，其藉由朝上述工件與上述保持膜之間供給氣體，以降低上述保持膜的保持力；及工件分離機構，其使上述工件自藉由上述氣體供給機構降低了保持力的上述保持膜分離。

(作用‧功效)根據該構成，藉由朝工件與保持膜之間供給氣體，由於工件與構成保持膜的多孔質體的接觸被氣體妨礙，因此保持膜的保持力降低。即，藉由氣體供給機構進行氣體供給處理之後使工件分離機構動作，可防止使工件自保持膜分離的動作被保持膜的保持力妨礙，因此可更適宜地使工件自膜層積體脫離。

此外，於上述發明中，較佳為，上述膜層積體具有1或2個以上的通氣孔，該通氣孔係自載置於上述支撐台的面連通至保持上述工件的面， 上述氣體供給機構，係藉由自上述支撐台經由上述通氣孔朝上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。

(作用‧功效)根據該構成，構成膜層積體的支撐體及保持膜分別具有連通之1或2個以上的通氣孔。因此，藉由朝支撐台供給氣體，該氣體經由通氣孔被供給於工件與保持膜之間的空間。因此，藉由在支撐台配設氣體供給機構，可容易地實現確實地朝工件與保持膜之間供給氣體的系統。

此外，於上述發明中，較佳為，上述工件脫離機構具備接近機構，其使工件抑制構件抵接或接近保持於上述保持膜的上述工件中的未被上述保持膜保持之面的外周部，上述氣體供給機構，係藉由以上述工件抑制構件抑制上述工件的外周部的浮起，並且自上述支撐台經由上述通氣孔朝上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。

(作用‧功效)根據該構成，於使工件抑制構件抵接或接近工件的外周部的狀態下，使工件自藉由氣體供給機構而降低了保持力的保持膜分離。藉由使工件抑制構件成為抵接或接近工件的狀態，可以工件抑制構件抑制因氣體供給機構引起的工件過度浮起。即，可避免藉由氣體供給致使工件過度地浮起而造成工件之水平方向的位置產生偏移的事態。

此外，於上述發明中，較佳為，上述工件脫離機構具備：工件抑制構件，其於中央部具有凹部，且抑制保持於上述保持膜的上述工件中的未被上述保持膜保持之面的外周部的浮起；及接近機構，其使上述工件抑制構件抵接或接近上述工件中的未被上述保持膜保持之面的外周部；且上述氣體供給機構，係藉由一面以上述工件抑制構件抑制上述工件的外周部的浮起，一面自上述支撐台經由上述通氣孔朝上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。

(作用‧功效)根據該構成，於使於中央部具有凹部的工件抑制構件抵接或接近工件之外周部的狀態下，使工件自藉由氣體供給機構而降低了保持力的保持膜分離。藉由使工件抑制構件成為抵接或接近工件的狀態，可以工件抑制構件抑制因氣體供給機構引起的工件過度浮起。即，可避免藉由氣體供給致使工件過度地浮起而造成工件之水平方向的位置產生偏移的事態等。

此外，工件抑制構件係抑制工件中的外周部。即，由於工件的中央部不受到工件抑制構件的抑制，因此於工件的中央部配設有裝置等的情況下，可避免工件抑制構件與該裝置接觸並且抑制工件。

此外，於上述發明中，較佳為，上述工件脫離機構具備：第1脫離機構，其於上述保持膜保持上述工件之面中的一部分區域中且於上述工件與上述保持膜之間形成間隙部，使上述工件於上述一部分區域中自上述保持膜脫離；及第2脫離過程，其藉由將上述間隙部自上述一部分區域擴展至上述一部分區域以外的區域，而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。

(作用‧功效)根據該構成，工件脫離機構係使用至少2個機構使工件自保持膜脫離。即，首先，第1脫離機構，係於工件的一部分與保持膜之間形成間隙部，使工件於該一部分的區域自保持膜脫離。然後，第2脫離機構藉由將間隙部自該一部分區域擴展至該一部分區域以外的區域，而使工件的整個面自保持膜脫離。

於此情況下，於第1脫離機構及第2脫離機構的各個中，用以使工件自保持膜脫離的力，係對抗保持膜之對工件W的一部分的保持力。即，於使工件的整個面同時自保持膜脫離的情況下需要較大的力，相反地使工件的一部分自保持膜脫離而需要的力則較小。藉此，可更容易地將工件W自保持膜脫離。

此外，於上述發明中，較佳為，上述支撐台係以於中央部具有凹部且支撐上述膜層積體的外周部的方式構成，上述第1脫離機構，藉由朝上述支撐台的上述凹部供給氣體而使上述膜層積體的中央部呈凸狀變形，而使上述工件中的外周部自上述保持膜脫離，上述第2脫離機構藉由使上述間隙部自外周部朝中央部擴展，而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。

(作用‧功效)根據該構成，支撐台係以於中央部具有凹部且支撐膜層積體的外周部的方式構成。並且，第1脫離機構係朝該支撐台的凹部供給氣體，使膜層積體的中央部呈凸狀變形。藉由該凸狀的變形，外周部的工件與膜層積體的距離係較中央部的工件與膜層積體的距離遠。其結果，於工件的整個面中的外周部與保持膜之間形成間隙部，工件的外周部如上述自保持膜脫離而非中央部。此時，由於用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件W整體中的外周部的保持力，因此與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地僅使工件的外周部自保持膜脫離。

並且，第2脫離機構係藉由以第1脫離機構將形成於工件的外周部與保持膜之間的間隙部朝工件的中央部與保持膜之間擴展，而使工件的整個面自保持膜脫離。由於第2脫離機構用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件整體中的中央部的保持力，因此與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地使工件的中央部自保持膜脫離。藉此，可避免保持膜之對工件的保持力超過用以使工件自保持膜脫離的力而產生脫離故障的事態。

此外，於上述發明中，較佳為，上述第1脫離機構，其具備：部分吸附構件，其吸附上述工件中的未被上述保持膜保持之面的一端側；及吸附構件分離機構，其於上述部分吸附構件吸附了上述工件之一端側的狀態下，藉由使上述部分吸附構件自上述膜層積體分離而使上述工件中的上述一端側自上述保持膜分離；上述第2脫離機構，係藉由使上述間隙部自上述工件中的上述一端側朝另一端側擴展而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。

(作用‧功效)根據該構成，首先，第1脫離機構，係以吸附工件中未被保持膜保持之面的一端側的部分吸附構件吸附保持上述工件的狀態下，藉由使該部分吸附構件自膜層積體分離，而使工件中的一端側的部分自保持膜脫離。此時，用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件整體中的一端側的部分的保持力，因此，與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地使工件的一端側的部分自保持膜脫離。

並且，第2脫離機構係藉由將以第1脫離機構形成於工件的一端側與保持膜之間的間隙部朝工件的另一端側與保持膜之間擴展，而使工件的整個面自保持膜脫離。由於第2脫離機構用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件W整體中的另一端側的部分的保持力，因此與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地使工件的另一端側自保持膜脫離。藉此，可避免保持膜之對工件的保持力超過用以使工件自保持膜脫離的力而產生脫離故障的事態。

此外，於上述發明中，較佳為，上述第1脫離機構係藉由使上述膜層積體的中央部呈凸狀變形而使上述工件中的外周部自上述保持膜脫離，上述第2脫離機構係藉由使上述間隙部自外周部朝中央部擴展而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。

(作用‧功效)根據該構成，首先，第1脫離機構係藉由使膜層積體的中央部呈凸狀變形，而使工件整體中的外周部自保持膜脫離。此時，用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件整體中的外周部的保持力，因此，與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地使工件的一端側的部分自保持膜脫離。

並且，第2脫離機構係藉由將以第1脫離機構形成於工件的外周部與保持膜之間的間隙部朝工件的中央部與保持膜之間擴展，而使工件的整個面自保持膜脫離。由於第2脫離機構用以使工件自保持膜脫離的力係對抗保持膜之對工件整體中的中央部的保持力，因此與對抗保持膜之對工件整體的保持力的情況比較，可更容易地使工件的中央部自保持膜脫離。因此，可避免保持膜之對工件的保持力超過用以使工件自保持膜脫離的力而產生脫離故障的事態。 [發明之效果]

根據本發明的工件處理方法及工件處理裝置，於工件保持過程中，藉由將工件載置於保持膜，以由多孔質體構成的保持膜保持工件。

保持膜係用以保持工件，藉由將工件載置於膜層積體中的保持膜側，以確保工件的平坦性。即，於以將半導體元件安裝於工件的過程為例的工件處理過程中，可藉由保持膜防止工件產生翹曲等變形。藉此，可更確實地防止於工件處理過程中產生不良品。

此外，保持膜係由多孔質體構成。因此，於將工件保持於保持膜時，保持膜內不會進入氣泡，且隨據工件表面之微細的凹凸而精度良好地變形，將保持膜密接於工件的更大範圍。因此，可提高保持膜之對工件的保持力。並且，當工件脫離過程中使工件自膜層積體脫離時，可避免保持膜的一部分剝離而殘留於工件的表面。因此，可防止工件的表面被起因於保持膜的殘留物污染而產生不良的事態。

並且，藉由將工件載置於膜層積體的保持膜側的簡單操作，對工件作用防止工件變形的保持力。即，可極大地縮短防止工件變形之製程所需的時間。藉此，可提高工件的處理效率並且防止工件的變形。

[用以實施發明的形態]

以下，參照圖式，對本發明之實施例1進行說明。首先，使用圖1及圖2，對實施例1之工件處理裝置的概要進行說明。工件處理裝置之目的在於，對工件W進行既定的處理。於實施例1中，作為工件處理過程，對在工件W安裝半導體元件7而製造半導體裝置11的製程進行說明。圖1為說明使用本實施例的工件處理裝置對工件W進行處理之一系列製程的流程圖，圖2為顯示各步驟中的半導體裝置之構成的剖視圖。

於本發明之工件處理裝置中，首先，將膜層積體5載置於支撐台21(步驟S1)，該膜層積體5具有圖2(a)所示的於載體1上層積有保持膜3的構成。接著，如圖2(b)所示，使保持膜3保持工件W(步驟S2)。然後，連接工件W的連接用導體部(未圖示)與半導體元件7的凸塊8，如圖2(c)所示，將半導體元件7安裝於工件W(步驟S3)。

於安裝半導體元件7之後，如圖2(d)所示，藉由封裝體9封裝半導體元件7(步驟S4)。於藉由封裝體9將半導體元件7封裝之後，使工件W自膜層積體5脫離而製造圖2(e)所示的半導體裝置11(步驟S5)。再者，於本實施例中，半導體裝置11係指藉由封裝體9分別將安裝於工件W上的1或2個以上的半導體元件7封裝而成的構造體。

在此，對構成膜層積體5的載體1及保持膜3進行說明。載體1係由金屬或硬質塑膠等構成的板狀構件，用以支撐工件W。作為載體1之具體例，可列舉矩形的不鏽鋼板或玻璃板。作為一例，載體1之厚度為100μm〜1mm左右，更佳為500μm左右。載體1之厚度，可根據以工件W的厚度為例的各種條件適宜變更。載體1相當於本發明的支撐體。

於實施例1中，如圖3(a)所示，於載體1分散形成有自表面側貫通至背面側的貫通孔81。形成貫通孔81之位置，係以與在後述的支撐台61上形成流通孔65的位置對應的方式預先確定。

保持膜3係形成於載體1上的薄層狀的構件，且以平坦的狀態保持工件W。保持膜3係將多孔質體作為主要構成材料。作為構成保持膜3的材料的較佳一例，可列舉包含聚矽氧化合物、氟化合物或聚醯亞胺的多孔質體。此外，作為構成保持膜3的材料之更佳的一例，可列舉含聚矽氧且具有連續氣泡構造的多孔質體、含有氟化合物且具有連續氣泡構造的多孔質體、或者含有聚醯亞胺且具有連續氣泡構造的多孔質體。即，該構成材料具有於鄰接的單元之間具有貫通孔的連續氣泡構造。於本發明中，聚矽氧係含矽的高分子化合物。於本發明中，氟化合物係含氟的高分子化合物。作為氟化合物的一例，可列舉聚四氟乙烯(PTFE)。於本實施例中，使用含聚矽氧且具有連續氣泡構造的多孔質體作為保持膜3的材料(膜材)。

由於保持膜3係多孔質體，因此保持膜3相對於配置在保持膜3表面的工件W發揮高吸附性。即，由於保持膜3的吸附性的因素，可提高保持膜3之對工件W的保持力。特別是於工件W形成有微細凹凸的情況下，由於保持膜3係多孔質體，工件W的凹凸進入形成於保持膜3之表面的孔部。因此，可提高保持膜3與工件W的密接性。

由於保持膜3為具有連續氣泡構造的多孔質體，保持膜3相對於配置在保持膜3表面的工件W發揮更高的吸附性。即，由於藉由連續氣泡構造發揮優異的氣泡脫泡性，因此保持膜3內不會進入氣泡而隨工件W表面的形狀更高精度地變形。因此，可進一步提高保持膜3與工件W的密接性。

於實施例1中，如圖3(b)所示，保持膜3分散形成有自表面側貫通至背面側的貫通孔83。於保持膜3上形成有貫通孔83的位置，係以與形成在載體1之貫通孔81的位置及於支撐台61上形成流通孔65的位置對應的方式預先確定。

因此，於使保持膜3層積於載體1而形成膜層積體5的情況下，各個貫通孔81係與各個貫通孔83連通，如圖3(c)所示，於膜層積體5分散形成有自載體1之下面貫通至保持膜3的上面之1或2個以上的貫通孔85。貫通孔85相當於本發明的通氣孔。

半導體元件7係安裝於工件W以形成配線電路的元件。於圖2(c)中，於工件W安裝有2個半導體元件7，但安裝於工件W的半導體元件7的數量也可適宜變更。作為半導體元件7的一例，可列舉使用聚矽氧半導體的IC、使用有機半導體的有機EL元件、積體有各種運算電路的處理器或記憶體等。於半導體元件7的下面形成有包含焊球的凸塊8。半導體元件7係隔著凸塊8與工件W連接。

作為工件W的一例，可列舉玻璃基板、有機基板、電路基板、矽晶圓等。於實施例1中，假定工件W為使用大致矩形的撓性基板的構成。工件W的形狀不限於大致矩形，也可適宜變更為以矩形、圓形、多邊形等為例的任意形狀。工件W的厚度可適宜變更，作為一例，厚度為100μm以下。

封裝材料9係用以封裝半導體元件7，作為構成材料的一例，可列舉環氧樹脂或酚樹脂等，但只要為可利用於半導體元件7之封裝的材料，則無特別限制。於本實施例中，假定使用固態的熱硬化性樹脂作為封裝材料9。

＜整體構成的說明＞ 在此，對構成實施例1之工件處理裝置的各機構進行說明。再者，於顯示工件處理裝置的圖中，對支撐各種構成的支撐機構、及驅動各種構成的驅動機構等，適宜地省略圖示。

工件處理裝置具有層積體載置機構13、工件安裝機構15、半導體安裝機構17、封裝機構19及工件脫離機構20。層積體載置機構13具有未圖示的層積體供給部、及馬蹄形的搬送臂21。於層積體供給部預先多段地收容有膜層積體5其具有於載體1層積有保持膜3的構成。

搬送臂21係搬送膜層積體5，並且將膜層積體5載置於後述的支撐台31。於搬送臂21之保持面設置有略微突出的複數個吸附墊，且經由該吸附墊吸附保持膜層積體5。於本實施例中，假定搬送臂21係於上面設置有吸附墊，且吸附保持膜層積體5中的載體1的下面周緣部的構成。

如圖4所示，工件安裝機構15具有工件供給部25、工件搬送機構27及處理室29。於工件供給部25的內部，多段地收容有使安裝半導體元件7的面朝向上方的狀態的工件W。

工件搬送機構27具備馬蹄形的保持臂28。於保持臂28的保持面設置有略微突出的複數個吸附墊，且經由該吸附墊吸附保持工件W。此外，保持臂28係經由形成於其內部的流路、及連接於該流路的基端側的連接流路而與空壓裝置連通連接。於本實施例中，假定保持臂28係於下面設置有吸附墊，且吸附保持工件W的上面周緣部的構成。於工件搬送機構27配設有未圖示的可動移動台，藉由該可動移動台，工件搬送機構27可於保持工件W的狀態下水平移動及升降移動。上述工件搬送機構27的構成係一例而已，只要為搬送工件W的構成，則不限此構成。

處理室29係由下殼體29A及上殼體29B構成。於下殼體29A的內部收容有支撐台31。支撐台31係用以保持膜層積體5，例如金屬製的吸盤台。較佳為，支撐台31係吸附保持膜層積體5的構成。

如圖4等所示，於支撐台31之內部配設有支撐銷32。支撐銷32係構成為藉由以氣缸為例的未圖示的致動器而可於支撐台31之支撐面作進出升降。此外，支撐銷32的位置，係以可使自支撐台31突出的支撐銷32自下方支撐膜層積體5的方式調整。

下殼體29A係構成為可與支撐台31一起沿著朝y方向延伸的軌道30在設定位置P1與安裝位置P2之間往返移動。於下殼體29A的上面形成有接合部33。

上殼體29B係配置於安裝位置P2的上方，且構成為可藉由未圖示的升降台升降移動。於上殼體29B的下面形成有接合部34。即，藉由在下殼體29A朝安裝位置P2移動的狀態下使上殼體29B下降，經由接合部33與接合部34將下殼體29A與上殼體29B接合而形成處理室29。較佳為，接合部33及接合部34的接合面係實施有以氟加工為例的脫模處理。藉由將接合部33及接合部34接合，而使處理室29的內部空間成為密閉狀態。

於上殼體29B的內部設置有按壓構件35。於按壓構件35的上部連結有汽缸37，按壓構件35藉由汽缸37的動作，可於處理室29的內部升降。按壓構件35的下面係扁平狀，該下面的尺寸係以大於工件W的尺寸的方式構成。藉由按壓構件35於處理室29的內部下降，對層積載置於支撐台31的膜層積體5及工件W進行按壓。藉由該按壓，工件W與膜層積體5的保持膜3密接，由保持膜3保持工件W。

如圖5所示，處理室29係經由減壓用的流路38與真空裝置39連通連接。於流路38配設有電磁閥40。此外，於處理室29連通連接有具備大氣開放用的電磁閥41的流路42。藉由真空裝置39動作，處理室29的內部空間被抽氣而減壓。即，工件安裝機構15係以於處理室29的內部在真空減壓狀態將工件W朝膜層積體5按壓的方式構成。再者，電磁閥40及電磁閥41之開閉操作及真空裝置39的動作，係藉由控制部43控制。

半導體安裝機構17具有載置台45、未圖示的焊劑塗布機構、半導體搬送機構及加熱機構。載置台45係載置吸附保持於膜層積體5的工件W。焊劑塗布機構係對工件W塗布焊劑。半導體搬送機構係將半導體元件7搬送且載置於塗布有焊劑的工件W。作為一例，加熱機構係回焊爐，藉由對載置有半導體元件7的工件W進行加熱，將半導體元件7安裝於工件W。

如圖6所示，封裝機構19具備上部模具47及下部模具49。上部模具47係經由流路51與封裝材料供給部53連通連接。封裝材料供給部53經由流路51朝上部模具47的內部空間供給封裝材料9。上部模具47係構成為可藉由未圖示的升降台升降移動。藉由上部模具47下降，如圖18所示，上部模具47及下部模具49將工件W中的自膜層積體5朝外側超出的部分(外周部WS)夾入而形成模具50。

於下部模具49的內部收容有保持台55。保持台55係將安裝有半導體元件7的工件W與膜層積體5一起進行載置保持的工作台，作為一例為金屬製的吸盤台。保持台55係與貫通下部模具49的桿57連結。桿57的另一端係與具備馬達等的致動器59驅動連結。因此，保持台55可於下部模具49的內部升降移動。

如圖7所示，工件脫離機構20具有支撐台61及吸附板63。如圖7及圖8所示，於支撐台61之中央部設置有工件支撐部64，其支撐保持於膜層積體5之狀態下的工件W。如圖8所示，於工件支撐部64的上面分散形成有複數個流通孔65及吸附孔67。各個流通孔65係與形成於工件支撐部64內部的流路68連接，且隔著電磁閥69與氣體供給裝置70連通。流路68係作為氣體供給用的通道的功能。

俯視下配置有流通孔65的位置，係以與形成於膜層積體5之貫通孔85的位置對應的方式預先確定。因此，如圖21所示，於將保持有工件W的膜層積體5支撐於支撐台61的情況下，各個貫通孔85分別與各個流路68連通。即，自氣體供給裝置70供給的氣體經由流路68及貫通孔85於工件W與保持膜3之間排放。

此外，設於工件支撐部64的各個吸附孔67，係與形成於工件支撐部64內部的流路71連接，且經由電磁閥72與真空裝置73連通。流路71係作為氣體排出用的通道的功能。藉由真空裝置73動作，可於工件支撐部64的上面與膜層積體5一起吸附保持工件W。

電磁閥69係藉由開閉對流路68內部的壓力調整。電磁閥72係藉由開閉對流路71內部的壓力調整。氣體供給裝置70及真空裝置73的動作以及電磁閥69、電磁閥72的開閉，分別藉由控制部79控制。氣體供給裝置70相當於本發明的氣體供給機構。

吸附板63係與可動台75連接，且構成為可升降移動及水平移動。於吸附板63的下面分散形成有複數個吸附孔76，各個流通孔76係與形成於吸附板63內部的流路77連接。流路77係隔著電磁閥78與真空裝置80連通，作為氣體排出用的通道的功能。藉由真空裝置80動作，吸附板63可吸附保持工件W。真空裝置80的動作係藉由控制部79控制。

此外，吸附板63係以整體為扁平，且保持完成了工件處理過程後的工件W的方式構成。於實施例1中，完成安裝過程及封裝過程之後，以吸附板63吸附保持於半導體裝置11中封裝有半導體元件7的封裝材料9的層之方式構成。即，吸附板63係以藉由吸附封裝材料9的層而吸附保持半導體裝置11，且將保持的半導體裝置11朝未圖示的半導體裝置收容部搬送的方式構成。

＜動作的概要＞ 在此，根據圖1所示的流程圖，對實施例1之工件處理裝置的動作詳細地進行說明。

步驟S1(膜層積體的載置) 當發出半導體裝置的製造指令時，首先藉由層積體載置機構13載置膜層積體5。即，將搬送臂21***未圖示的膜層積體供給部，藉由搬送臂21吸附保持膜層積體5。膜層積體5係以使保持膜3面朝下方的姿勢被搬入工件安裝機構15。再者，此時於工件安裝機構15中，下殼體29A預先朝設定位置P1移動。

若藉由搬送臂21將膜層積體5搬入工件安裝機構15時，則如圖9(a)所示，使支撐銷32自支撐台31突出。藉由保持膜層積體5的搬送臂21自支撐台31的上方下降，膜層積體5被支撐銷32接取。然後，如圖9(b)所示，支撐銷32下降，將膜層積體5載置於支撐台31之支撐面。藉由使未圖示的真空裝置等動作，支撐台31吸附保持膜層積體5的載體1側。

步驟S2(使膜保持工件) 於將膜層積體5載置於支撐台31之後，開始使保持膜3保持工件W的製程。即，工件搬送機構27將保持臂28***於工件供給部25的內部以多段地收容的工件W彼此之間。保持臂28吸附保持工件W的上面外周部並搬出，工件搬送機構27朝支撐台31之上方移動。然後，工件搬送機構27下降，同時解除保持臂28之對工件W的吸附，如圖10所示，將工件W載置於膜層積體5中的保持膜3側。再者，為了方便說明，於圖10至圖20中省略膜層積體5中的貫通孔85的記載。

若將工件W載置於保持膜3時，則如圖11所示，下殼體29A沿軌道30自設定位置P1朝安裝位置P2移動。若下殼體29A朝安裝位置P2移動時，則如圖12所示，上殼體29B開始下降。藉由上殼體29B下降，下殼體29A與上殼體29B接合而形成處理室29。

於形成處理室29之後，將洩氣用的電磁閥41關閉並且開啟電磁閥40而使真空裝置39動作，進行處理室29的內部空間的減壓。若處理室29的內部被減壓至既定的氣壓(作為一例，真空狀態或100Pa左右的減壓狀態)時，則控制部43將電磁閥40關閉並且使真空裝置39的動作停止。藉由將處理室29的內部減壓，存在於工件W與保持膜3之間的空氣被抽到處理室29的外部。

於使處理室29的內部減壓之後，控制部43使汽缸37動作而使按壓構件35下降。如圖13所示，藉由按壓構件35下降，將工件W朝支撐於支撐台31的膜層積體5按壓。

藉由將工件W朝膜層積體5按壓(加壓)，工件W與保持膜3的密接性增加，將工件W安裝於膜層積體5。即，藉由將工件W按壓於多孔質體的保持膜3，保持膜3的上面隨工件W之下面的凹凸而精度良好地變形，工件W的下面與保持膜3的上面以更大範圍接觸。藉由工件W與保持膜3接觸，產生凡得瓦力。並且，由於該凡得瓦力而產生保持膜3之對工件W的吸附力，藉由該吸附力，工件W被吸附保持於保持膜3。再者，假定藉由將工件W吸附保持於保持膜3而將工件W安裝於膜層積體5的構造體為「工件安裝體WF」。

於在減壓下藉由按壓構件35按壓而製成工件安裝體WF後，解除處理室29的減壓。即，控制部43使真空裝置39的動作停止，並且開啟洩氣用的電磁閥41而使處理室29內部的氣壓返回至大氣壓。然後，如圖14所示，使上殼體29B上升，使處理室29開放大氣。當處理室29開放大氣時，下殼體29A沿軌道30A自安裝位置P2恢復至設定位置P1。藉由下殼體29A恢復至設定位置P1，可將工件安裝體WF搬出。

步驟S3(半導體元件的安裝) 於將工件W安裝於保持膜3而製成工件安裝體WF之後，開始安裝半導體元件7的製程。首先，藉由未圖示的搬送機構將工件安裝體WF自支撐台31搬出，朝半導體安裝機構17的載置台45搬送。將工件安裝體WF載置於載置台45，載置台45吸附保持工件安裝體WF。然後，藉由未圖示的焊劑塗布機構於工件W的上面塗布焊劑。

於進行焊劑塗布的期間，半導體搬送機構將半導體元件7朝工件安裝體WF的上方搬送。然後，以未圖示的工件W的連接用導體部與半導體元件7的凸塊8對向的方式進行半導體元件7的位置對準。若完成對準時，則半導體搬送機構使半導體元件7下降，如圖15所示，使半導體元件7與工件W隔著焊劑接觸。

於使半導體元件7與工件W接觸後，加熱機構對工件W及半導體元件7加熱。藉由該加熱將包含於凸塊8的焊球加熱熔融，因此半導體元件7隔著凸塊8被固定於工件W。若完成加熱熔融時，半導體安裝機構17朝工件W的上面供給溶劑以除去焊劑。作為一例，使用二醇醚類的溶劑作為焊劑除去用的溶劑。

將半導體元件7安裝於工件W後，朝電漿處理裝置搬送安裝有半導體元件7的工件安裝體WF。然後，於電漿處理裝置具備的電漿清洗室的內部，對安裝有半導體元件7的工件W上面進行電漿放電。藉由對工件W進行電漿放電的處理，於工件W的上面除去有機類污染物及焊劑殘渣等。藉由進行電漿處理，完成步驟S3的半導體元件7的安裝製程。

步驟S4(半導體元件的封裝) 若將半導體元件7安裝於工件W時，則開始對安裝於工件W的半導體元件7封裝的製程。首先，使配設於封裝機構19的保持台55上升，將安裝有半導體元件7的工件安裝體WF自載置台45搬送至保持台55。此時，如圖16所示，保持台55朝高出下部模具49上面的位置上升移動。

於將安裝有半導體元件7的工件安裝體WF載置於保持台55之後，控制部43使致動器59動作而使保持台55下降。此時，如圖17所示，以保持膜3的上面與下部模具49的上面成為同一平面的方式調整保持台55的高度。換言之，將保持台55的高度調整為工件W之下面抵接或接近下部模具49的上面的程度。

使保持台55下降而調整高度之後，如圖18所示，使上部模具47下降。藉由上部模具47的下降，工件W中的自膜層積體5朝外側超出的部分、即工件W的外周部WS，藉由上部模具47與下部模具49夾入而形成模具50。即，模具50的內部空間係以工件W作為邊界劃分為上部模具47側的上空間H1及下部模具49側的下空間H2。

於上下夾入工件W的外周部WS而形成模具50之後，控制部43使封裝材料供給部53動作，如圖19所示，經由配設於上部模具47的流路51將封裝材料9供給於模具50的內部。由於模具50的內部空間係藉由工件W劃分，因此供給的封裝材料9被填充於配置有半導體元件7的上空間H1。

若將封裝材料9填充於上空間H1時，則未圖示之加熱機構動作以加熱封裝材料9。藉由加熱覆蓋半導體元件7周圍的封裝材料9，由封裝材料9封裝安裝於工件W的各個半導體元件7。即，固態的封裝材料9藉由加熱而被加熱熔融成為流動性高的狀態。成為流動性高之狀態的封裝材料9以跟隨安裝有半導體元件7之工件W的凹凸的方式變形，半導體元件7的周圍藉由封裝材料9高精度地填充。並且，熱硬化性樹脂的封裝材料9，藉由進一步的加熱而硬化，藉由該硬化，半導體元件7的周圍藉由封裝材料9封裝。再者，於圖1至圖33中，為了方便說明，較實際放大圖示半導體元件7，並且較實際增加封裝材料9的層的厚度。

藉由對半導體元件7進行封裝，於膜層積體5上形成半導體裝置11，其具有藉由封裝材料9對安裝於工件W的半導體元件7進行封裝後的構成。然後，如圖20所示，使上部模具47上升，使上部模具47與下部模具49分離。藉由使上部模具47上升，上部模具47自工件W分離，半導體裝置11中的封裝材料9的層露出於外部。藉由加熱既定時間使封裝材料9熱硬化，完成步驟S4的過程。於實施例1中，步驟S3之將半導體元件7安裝於工件W的過程及步驟S4之以封裝材料9封裝半導體元件7的過程相當於本發明的工件處理過程。即，於實施例1中，半導體裝置11相當於進行了既定處理的工件W。

步驟S5(工件的脫離) 於將半導體元件7封裝而完成半導體裝置11的製作之後，開始使工件W自膜層積體5脫離的製程。以下，對實施例1之工件脫離過程的詳細過程進行說明。

首先，藉由未圖示的搬送機構將半導體裝置11朝工件脫離機構20搬送。即，如圖21所示，將半導體裝置11載置於工件脫離機構20具備的支撐台61之工件支撐部64。此時，如圖21所示，以配置於工件支撐部64的各個流通孔65分別與配置於膜層積體5的各個貫通孔85連通的方式調整半導體裝置11於工件支撐部64上的位置。此外，此時，吸附板63係配置於支撐台61的上方。

將半導體裝置11載置於工件支撐部64後，控制部79開啟電磁閥72使真空裝置73動作，經由吸附孔67吸附保持半導體裝置11的載體1側。藉由吸附保持半導體裝置11而由支撐台61支撐工件W。

於吸附保持半導體裝置11後，於實施例1中進行對工件W與保持膜3的接觸面供給氣體的製程。即，控制部79開啟電磁閥69使氣體供給裝置70動作，開始氣體的供給。由於以自載體1側貫通至保持膜3側的貫通孔85與設於支撐台61的流通孔65分別連通的方式對膜層積體5進行對位，因此，自氣體供給裝置70供給的氣體Ar，如圖22所示，經由流路68及流通孔65朝貫通孔85的外部排出。

自流通孔65排出的氣體Ar將密接保持於保持膜3的工件W朝支撐台61上方推升。因此，如圖23所示，於流通孔65的近旁且於保持膜3與工件W之間形成有間隙部Hb。若自氣體供給裝置70持續供給氣體Ar，則如圖24所示，該間隙部Hb沿保持膜3與工件W的接觸面擴展。其結果，保持膜3與工件W密接之區域的面積隨著氣體Ar的供給而減少。即，藉由自氣體供給裝置70供給氣體Ar，保持膜3對工件W的保持力降低。

自氣體供給裝置70對工件W與保持膜3之間供給氣體Ar而使保持膜3的保持力降低後，使用吸附板63搬送半導體裝置11。即，如圖25所示，使吸附板63下降而與半導體裝置11接觸。然後，控制部79將電磁閥78開放並使真空裝置80動作，使流路77的內部排氣。若對流路77的內部排氣時，則吸附板63經由吸附孔76吸附封裝材料9的上面。如此，藉由真空裝置80動作，吸附板63吸附保持半導體裝置11。換言之，藉由真空裝置80的動作，吸附板63吸附保持工件W。

以吸附板63保持半導體裝置11後，如圖26所示使吸附板63上升。即，吸附板63使工件W朝與保持膜3的保持面垂直的方向移動。藉由自氣體供給裝置70供給氣體Ar，保持膜3之對工件W的保持力降低，因此吸附板63對工件W的保持力(吸附力)變得確實大於保持膜3之對工件W的保持力。因此，工件W之整個面容易自保持膜3脫離，半導體裝置11與吸附板63一起上升。

自膜層積體5脫離的半導體裝置11藉由吸附板63自工件脫離機構20搬出，收容於未圖示的半導體裝置收容部。藉由使工件W自膜層積體5脫離而將半導體裝置11收容於半導體裝置收容部，完成步驟S5的製程。

如此，藉由自步驟S1至步驟S5的一系列製程，製作半導體裝置11。然後，根據是否已製作了規定片數的半導體裝置11對製程分歧。於製作了規定片數之半導體裝置11的情況下，完成半導體裝置的製造裝置的動作。另一方面，於需要再製作半導體裝置11的情況下，進入步驟S6。

步驟S6(膜層積體的再利用) 於再製作半導體裝置11的情況下，將於步驟S5中使用的膜層積體5自封裝機構19朝工件安裝機構15搬送。即，載置於封裝機構19之保持台55的膜層積體5，藉由未圖示的搬送機構朝工件安裝機構15搬送，再次載置於支撐台31。

於將膜層積體5再次載置於支撐台31之後，再次進行步驟S2至S5的製程，藉此，再次製作半導體裝置11。然後，經由步驟S6重復規定次數的步驟S2至S5的製程，製作規定片數的半導體裝置11。即，於本發明的半導體裝置的製造製程中，可將製作第1片半導體裝置11時形成的膜層積體5再利用於製作第2片以後的半導體裝置11。換言之，可於下一次進行的步驟S2的製程中再利用半導體裝置11之製作中使用過的膜層積體5。

＜實施例1之構成的功效＞ 根據實施例1之工件處理裝置，於將工件W層積於膜層積體5的狀態下，進行處理工件的製程、即將半導體元件7安裝於工件W的製程及以封裝材料9封裝半導體元件7而製造半導體裝置11之製程(步驟S3、S4)。即，作為對工件W進行既定處理的前階段，進行將工件W載置於膜層積體5中的保持膜3側的製程(步驟S2)。

保持膜3係用以保持工件W，藉由將工件W載置於膜層積體5中的保持膜3側且使其密接，以確保工件W的平坦性。即，於在安裝半導體元件7的製程等中對工件W進行加熱時，可藉由保持膜3防止工件W變形造成工件W的一部分自膜層積體5浮起。此外，由於保持膜3係由具有強剪切黏著力的材料構成，因此可確實地防止工件W朝著沿保持膜3的表面(在此為xy平面)的方向偏移。

此外，保持膜3係與工件W的大致整個面接觸。換言之，保持膜係保持工件W的大致整個面。藉此，由於保持膜3對工件W的大致整個面作用維持平坦性的力，因此可更確實地防止工件W的變形。特別是，工件W中的安裝半導體元件7之區域確實地與膜層積體5的保持膜3接觸而被保持。即，由於特別在安裝半導體元件7的區域(進行工件W的處理的區域)中產生防止工件W變形的功效，因此可更確實地防止產生半導體元件7的安裝不良即工件W的處理不良。

於本實施例中，藉由於膜層積體5的保持膜3側載置工件W的簡單操作，對工件作用防止工件W變形的保持力。即，與先前技術構成不同，於實施例的半導體裝置11之製造製程中，可極大地縮短防止工件W變形的製程所需的時間。因此，可提高工件W的處理效率並且可防止工件W的變形。

並且，由於保持膜3的構成材料係具備連續氣泡構造的多孔質體，因此包含於保持膜3內部的氣體，可藉由連續氣泡構造適宜地朝保持膜3的外部排出。換言之，保持膜3具有優異的脫泡性。因此，於將工件W安裝於保持膜3時，保持膜3內不會進入氣泡而柔軟地變形。藉此，保持膜3的表面隨工件W的表面的形狀精度良好地變形，保持膜3與工件W可於更大範圍接觸。藉此，由於在保持膜3與工件W之間產生的凡得瓦力變得更大，因此可提高保持膜3之對工件W的保持力。

此外，於使用保持膜3保持工件W的實施例1的構成中，可適宜地避免於工件W產生殘渣。於如過往般使用黏著劑將工件保持於支撐體的情況下，由於以環氧類樹脂為例的黏著劑具有過強的垂直黏著力，為了將工件自支撐體剝離需要非常大的剝離力，因此擔心由於作用過大的剝離力而導致工件等損傷的事態。並且，於為了降低黏著力而藉由溶劑或加熱等使黏著劑軟化或液狀化的情況下，軟化或液狀化的黏著劑層容易被剪切而於工件殘留一部分黏著劑。由於起因於此種糊膠殘留之黏著劑的殘渣會對工件產生不良影響，因此極大地降低工件處理效率及工件處理精度。

另一方面，構成保持膜3的含有聚矽氧或氟化合物的連續氣泡構造的多孔質體，其作用於與面垂直之方向的保持力小於作用於面方向的剪切黏著力。因此，藉由於使用吸附板63等保持工件W的狀態下使工件W朝與保持膜3之面垂直的方向移動，不會使吸附板63之對工件W的保持力及拉伸力過度增大，可容易地使工件W自保持膜3脫離。即，可更確實地避免於使工件W自保持膜3脫離時對工件W或保持膜3等產生損傷。

此外，由於為了使工件W自保持膜3脫離而需要的拉伸力小，因此可適宜地避免保持膜3之層的一部分被剪切而殘留於工件W的事態。此外，由於保持膜3係固體狀，不需要為了降低保持力而使保持膜3軟化，因此可更確實地避免保持膜3被剪切。

並且，於實施例1中進行了對保持膜3與工件W之間供給氣體的製程後，使工件W自保持膜3脫離。藉由對保持膜3與工件W之間供給氣體，於保持膜3與工件W之間形成間隙部Hb，作用於保持膜3與工件W之間的凡得瓦力降低，其結果，保持膜3之對工件W的保持力降低。於進行了使保持膜3的保持力降低的製程後，由於使工件W朝與保持膜3之面垂直的方向移動而使工件W自保持膜3脫離，因此可更確實地避免起因於保持膜3的保持力而產生脫離故障或殘渣的事態。

此外，於本發明的工件處理裝置中，可避免於使工件W自保持膜3脫離時保持膜3之構成材料的一部分剝離而作為殘渣附著於工件W的事態。因此，可將於第1次的半導體裝置11之製造製程(工件處理製程)中使用的膜層積體5再次利用於第2次以後的半導體裝置11的製造製程。即，由於可於第2次以後之半導體裝置11的製造製程中，省略步驟S1的膜層積體5的生成製程，因此可縮短半導體裝置11之大量生產所需的時間，並且可大幅降低成本。此外，由於可削減載體1及保持膜3的廢棄量，因此也可降低對環境的負擔。

並且，於實施例1中，藉由氣體供給裝置70供給氣體Ar的步驟及使工件W自保持膜3分離的步驟，可容易且確實地使工件W自保持膜3脫離。即，與使用黏著劑的先前技術構成不同，由於不需要進行黏著劑的塗布乾燥、黏著劑的溶解、封裝構件的封裝及加熱等複數個且複雜的製程，因此，可大幅提高工件處理效率。

此外，於實施例1中，使工件W密接於膜層積體5的製程，係使用處理室29且於減壓狀態下進行。即，由於在將保持膜3與工件W之間的空間抽氣的狀態下使工件W密接於膜層積體5，因此可避免由進入保持膜3與工件W之間的空氣而導致保持膜3之對工件W的保持力降低。

此外，於本實施例中，膜層積體5係以俯視下小於工件W的方式構成，工件W係以工件W之外周部朝膜層積體5外側突出的方式載置於膜層積體5。於此情況下，於步驟S5中以封裝材料9對半導體元件7進行封裝時，藉由上部模具47與下部模具49等上下夾入朝膜層積體5外側突出之工件W的外周部WS，可使半導體元件7的周圍成為密閉狀態。因此，可不對半導體元件7或工件W的中央部施加壓力，於半導體元件7的周圍填充封裝材料9。藉此，於製造半導體裝置11時，於半導體元件7或工件W上的電路中可確實地避免因壓力的作用而產生損傷。

此外，藉由保持工件W的外周部WS，可不對半導體元件7或工件上的電路施加壓力而搬送半導體裝置11。藉此，於進行半導體裝置11之搬送時，也可避免半導體元件7或工件W上的電路產生損傷。 [實施例2]

接著，對本發明的實施例2說明。再者，對與在實施例1中說明的工件處理裝置相同之構成賦予相同的符號，且對不同的構成部分進行詳細說明。

實施例1與實施例2主要於膜層積體5及工件脫離機構20的構成上存在差異。於實施例1中，於膜層積體5形成有貫通孔85。即，藉由使形成有貫通孔81之載體1與形成有貫通孔83的保持膜3層積，形成具有自下面貫通至上面的貫通孔85的膜層積體5。此外，實施例1之工件脫離機構20，係於支撐台61設置有氣體供給裝置70。自氣體供給裝置70經由支撐台61及貫通孔85對工件W與保持膜3之間供給氣體後，於工件W的整個面使工件W自保持膜3脫離。

另一方面，實施例2的工件脫離裝置20A，具備吸附板63及支撐台61A。如圖27及圖28所示，支撐台61A係於中央部形成有凹部91而整體構成為中空。即，支撐台61的外周部係呈凸狀。凹部91的大小係以略小於工件W的方式構成。即，如圖27所示，外周部93中的凹部91近旁且圍繞凹部91之區域，係作為工件支撐部64A支撐工件W的外周部。

於工件支撐部64A上面分散形成有吸附孔67A。如圖27所示，吸附孔67A係與設於支撐台61A的流路71連接，且經由電磁閥72與真空裝置73連通。流路71係作為氣體排出用的通道的功能。藉由真空裝置73動作，可於工件支撐部64A的上面與膜層積體5的外周部一起吸附保持工件W的外周部。

於凹部91之底面形成有氣體流通孔95。氣體流通孔95係與設於支撐台61A的氣體供給用的流路96連接，且經由電磁閥97與氣體供給裝置98連通。氣體供給裝置98經由流路96及氣體流通孔95對凹部91之內部空間R供給氣體。電磁閥97的開閉及氣體供給裝置98的動作，係藉由控制部79控制。此外，如圖29等所示，實施例2係於膜層積體5不需要貫通孔85之構成方面與實施例1不同。

在此，對使用實施例2的工件處理裝置進行工件W之處理的一系列製程說明。再者，關於步驟S1至步驟S4的製程，由於實施例2係與實施例1相同，因此省略說明，對實施例2之步驟S5的製程進行說明。

步驟S5(工件的脫離) 於實施例2中，若開始步驟S5的製程時，則藉由未圖示的搬送機構將半導體裝置11朝工件脫離機構20搬送。即，如圖29所示，將半導體裝置11載置於支撐台61A的工件支撐部64A。此時，支撐台61A經由工件支撐部64A支撐半導體裝置11的外周部，另一方面，中空的支撐台61A成為不支撐半導體裝置11的中央部的狀態。

將半導體裝置11載置於工件支撐部64後，控制部79將電磁閥72開啟而使真空裝置73動作，經由吸附孔67A吸附保持半導體裝置11的外周部(具體為載體1的外周部)。藉由吸附保持半導體裝置11，以支撐台61支撐工件W的外周部。

於支撐台61A吸附保持半導體裝置11後，進行以吸附板63保持半導體裝置11的操作。即，如圖30所示，使吸附板63下降，與半導體裝置11接觸。然後，控制部79將電磁閥78開放並使真空裝置80動作，使流路77的內部排氣。對流路77的內部排氣後，吸附板63經由吸附孔76吸附封裝材料9的上面。如此，藉由真空裝置80的動作，吸附板63吸附保持半導體裝置11。

使真空裝置73及真空裝置80動作後，於實施例2中，使用氣體供給裝置98首先使工件W中的一部分自膜層積體5脫離。即，如圖31所示，控制部79將電磁閥97開放而使氣體供給裝置98動作，開始氣體Ar的供給。氣體Ar經由流路96及氣體流通孔95供給於中空的支撐台61A內部的空間R。

由於支撐台61A係吸附保持半導體裝置11之外周部，因此凹部91內部的空間R藉由支撐台61A及載體1而成為密閉狀態。因此，供給於空間R的氣體Ar不會朝外部逃逸而將載體1朝上方推壓。載體1之外周係藉由支撐台61A吸附保持，另一方面，載體1之中央部不受支撐台61的支撐。因此，如圖32所示，藉由氣體Ar的壓力，載體1與保持膜3一起成為中央部朝上方呈凸狀彎曲。

此時，使吸附板63對應載體1及保持膜3的中央部朝上方突出的長度L略微上升。即，工件W於整個面與吸附板63一起略微上升。藉由使吸附板63上升，於膜層積體5中的朝上方突出的中央部維持工件W與保持膜3密接的狀態。

另一方面，由於載體1之外周部藉由支撐台61A吸附保持而不朝上方移動，因此於膜層積體5中的外周部作用自工件W剝離的力。其結果，工件W的中央部維持與保持膜3密接的狀態，另一方面，工件W的外周部自保持膜3脫離。換言之，藉由一面對空間R供給氣體一面使吸附板63上升，如圖32所示，於工件W的一部分(在此為外周部)，於其與保持膜3之間形成間隙部Hc。間隙部Hc係作為工件W自保持膜3脫離的引導(脫離引導)的部分。使工件W整個面中的一部分自保持膜3脫離的過程相當於本發明的第1脫離過程。

使工件W的外周部自保持膜3脫離後，如圖33所示，進一步使吸附板63上升。藉由使吸附板63進一步上升，吸附板63保持的工件W與保持膜3的距離變大。並且，對工件W及保持膜3進一步作用剝離力。因此，形成間隙部Hc的區域自工件W的外周部朝中央部逐漸擴大，最終工件W於整個面上自保持膜3脫離。由於工件W於整個面自保持膜3脫離，半導體裝置11與吸附板63一起完全自支撐台61A脫離。

若於工件W的整個面自保持膜3脫離時，則自膜層積體5脫離的半導體裝置11藉由吸附板63自工件脫離機構20搬出，並收容於未圖示的半導體裝置收容部。藉由使工件W自膜層積體5脫離而將半導體裝置11收容於半導體裝置收容部，完成步驟S5的製程。再者，步驟S6的製程係與實施例1相同，因此省略說明。

＜實施例2之構成的功效＞ 於實施例2的工件處理裝置中，與實施例1同樣，作為對工件W進行既定處理的前階段，進行於膜層積體5中的保持膜3側載置工件W的製程。由於保持膜3係以平坦的狀態保持工件W，因此可防止於以安裝半導體元件7的步驟為例的對工件處理的步驟中產生工件W的變形或工件W的位置偏移。

保持膜3係用以保持工件W，藉由於膜層積體5中的保持膜3側載置工件W而使其密接，以確保工件W的平坦性。即，於在安裝半導體元件7的製程等中對工件W進行加熱時，可藉由保持膜3防止工件W變形而造成工件W的一部分自膜層積體5浮起。此外，由於保持膜3係由具有強剪切黏著力的材料構成，因此可確實地防止工件W朝著沿保持膜3的表面(在此為xy平面)的方向偏移。

並且，由於保持膜3的構成材料係具備連續氣泡構造的多孔質體，因此於將工件W安裝於保持膜3時，保持膜3內不會進入氣泡而柔軟地變形。藉此，保持膜3的表面隨工件W的表面的形狀精度良好地變形，由於保持膜3及工件W於更大範圍接觸，因此可提高保持膜3之對工件W的保持力。此外，由於保持膜3的構成材料係具有連續氣泡構造的多孔質體，因此於使工件W自保持膜3脫離時，可適宜地避免保持膜3的一部分殘留於工件W。並且，由於可防止保持膜3的一部分於工件W上變成殘渣，因此可再利用膜層積體5，可提高工件的處理效率及降低處理成本。

並且，於實施例2中使用氣體供給裝置98使保持膜3變形，首先於工件W的一部分與保持膜3之間形成間隙部Hc。然後，將間隙部分Hc擴展至工件W的其他部分。換言之，於使工件W中的一部分自保持膜3脫離之後，藉由逐漸使工件W的剩餘部分自保持膜3脫離，而使工件W的整個面自保持膜3脫離。

於此情況下，用以使工件W自保持膜3脫離的力(作為一例使保持有工件W的吸附板63上升的力)係對抗保持膜3之對工件W的一部分的保持力。即，於工件W的整個面同時自保持膜3脫離的情況需要較大的力，相反地，使工件W的一部分自保持膜3脫離所需的力較小。藉此，可降低作用於工件W的力，可容易地將工件W自保持膜3脫離，並且可更確實地避免由於保持膜3的保持力而對工件產生損傷的事態或在工件產生殘渣的事態。

此外，於實施例2中，由於不需要於工件W與保持膜3之間供給氣體，因此不需要於膜層積體5形成貫通孔85。因此，可將使工件W自膜層積體5脫離的製程進一步簡單化及縮短化。 [實施例3]

接著，對本發明的實施例3進行說明。再者，實施例3係與實施例2同樣地為於膜層積體5不需要貫通孔85的構成。實施例3的工件脫離裝置20的構成係與其他實施例不同。如圖34及圖35所示，實施例3的工件脫離裝置20B具有支撐台61B及吸附板63B。

支撐台61B係於中央部具備工件支撐部64B，工件支撐部64B具備與膜層積體5一起用以保持工件W的吸附孔67。即，支撐台61B係於不具備供給氣體的機構方面與實施例1及實施例2不同。藉此，於實施例3中，可省略以流通孔65、流路68、電磁閥69及氣體供給裝置70為例的氣體供給所需的構成。

吸附板63B具備旋轉軸99。旋轉軸99係與可動台75連接，且構成為可繞水平軸旋轉。於實施例3中，旋轉軸99係繞y方向的軸轉動。藉由旋轉軸99旋轉，可適宜調整吸附板63B之相對於水平面(xy平面)的角度。圖34顯示吸附板63B處於水平狀態。

吸附板63B的下面101整體係呈凸狀彎曲。於該下面101與其他實施例同樣地分散配置有吸附孔76。其中，假定吸附孔76中的配置於吸附板63B之x方向一端側(於圖34中為左側)為吸附孔76a。此外，假定配置於吸附板63B之中央側的吸附孔76為吸附孔76b，配置於吸附板63B的另一端側(於圖34中為右側)的吸附孔76為吸附孔76c，分別加以區別。

於實施例3中，以藉由吸附板63B具有彎曲的下面101，吸附板63B以可與工件W中的一部分接觸的方式構成。並且，藉由具備使吸附板63B傾斜的旋轉軸99，以可使吸附板63B與工件W接觸的區域自工件W的一端側朝另一端側依序變更的方式構成。

即，如圖37所示，於吸附板63B的一端側以較另一端側低的方式傾斜的狀態(以下，設為「左傾斜狀態」)下，下面101中的一端側可與工件W接觸。於該左傾斜狀態下，吸附孔76中的吸附孔76a可吸附保持工件W(半導體裝置11)的一端側。並且，如圖34所示，於吸附板63B為水平狀態的情況下，下面101之中央部可與工件W接觸。此外，如圖39所示，於吸附板63B的另一端側以較一端側低的方式傾斜的狀態(以下，設為「右傾斜狀態」)下，下面101中的另一端側可與工件W接觸。於該右傾斜狀態下，吸附孔76中的吸附孔76c可吸附保持工件W(半導體裝置11)的另一端側。

在此，對使用實施例3的工件處理裝置進行工件W之處理的一系列製程說明。再者，關於步驟S1至步驟S4的製程，由於實施例3係與實施例1相同，因此省略說明，對實施例3之步驟S5的製程說明。再者，為了方便說明，於半導體裝置11中省略半導體元件7及凸塊8的記載。

步驟S5(工件的脫離) 於實施例3中，若開始步驟S5的製程時，則藉由未圖示的搬送機構將半導體裝置11朝工件脫離機構20B搬送。即，如圖36所示，將半導體裝置11載置於支撐台61B的工件支撐部64B上。將半導體裝置11載置於工件支撐部64B後，控制部79將電磁閥72開放使真空裝置73動作，經由吸附孔67吸附保持半導體裝置11的外周部(具體為載體1的外周部)。藉由吸附保持半導體裝置11而由支撐台61B支撐工件W。

於吸附保持半導體裝置11後，於實施例3中使用吸附板63B進行使工件W的一部分自保持膜3脫離的操作。首先，如圖37所示，使旋轉軸99朝左旋轉而以成為左傾斜狀態的方式變更吸附板63B，並且使吸附板63B下降而與半導體裝置11接觸。此時，半導體裝置11中的一端側係與吸附板63B接觸。即，吸附孔76中的配置於下面101之一端側的吸附孔76a，係與半導體裝置11之一端側接觸。

使成為左傾斜狀態的吸附板63B接觸半導體裝置11後，控制部79將電磁閥78開放並且使真空裝置80動作，使流路77的內部排氣。若流路77的內部被排氣時，則吸附板63B經由吸附孔76a吸附保持半導體裝置11之上面中的一端側的部分。

於吸附板63B吸附保持半導體裝置11之一端側之後，控制部79使真空裝置80動作並且使旋轉軸99朝右旋轉。藉由旋轉軸99的旋轉，如圖38所示，吸附板63B的姿勢自左傾斜狀態變更為水平狀態。由於成為水平狀態，配置於吸附板63B之中央部分的吸附孔76b與半導體裝置11之中央部接觸而吸附。即，藉由使吸附板63B的姿勢成為水平狀態，進而由吸附板63B保持工件W的中央部分。

在此，藉由使旋轉軸99旋轉而將吸附板63B的姿勢自左傾斜狀態變更為水平狀態，下面101的一端側上升。此時，在設於下面101之一端側的吸附孔76a吸引保持半導體裝置11之一端側的狀態下，下面101之一端側上升，因此，於工件W的一端側作用自保持膜3分離的力。

由於保持膜3保持工件W的力係較該脫離的力弱，因此工件W整個面中的一端側的部分藉由吸附板63B的吸引力抬起，自保持膜3脫離。即，於工件W的一端側的部分且與保持膜3之間形成有間隙部Hc。於實施例3中，間隙部Hc係與實施例2同樣地為脫離引導。於實施例3中，使工件W整個面中的一端側自保持膜3脫離的過程相當於本發明的第1脫離過程。於實施例3中，吸附板63B相當於本發明的部分吸附構件。

此時，吸附板63B使工件W自保持膜3脫離的力，係對抗保持膜3之對工件W的一部分(工件W的一端側部分)的保持力。即，與使工件W的整個面同時自保持膜3脫離的構成比較，對抗使工件W自保持膜3脫離的力之力的大小變小。藉此，可降低作用於工件W的力，容易地將工件W自保持膜3脫離，並且可更確實地避免由於保持膜3的保持力而對工件產生損傷的事態或對工件產生殘渣的事態。

於吸附板63B使工件W的一端側自保持膜3脫離後，控制部79進一步使旋轉軸99朝右旋轉。藉由旋轉軸99的旋轉，如圖39所示，吸附板63B的姿勢自水平狀態朝右傾斜狀態變更。藉由成為右傾斜狀態，配置於吸附板63B之另一端側的吸附孔76c與半導體裝置11之另一端側接觸而吸附。即，藉由使吸附板63B的姿勢成為右傾斜狀態，而藉由吸附板63B重新保持工件W的另一端側。即，工件W的整個面藉由吸附板63B保持。

藉由使旋轉軸99旋轉而將吸附板63B的姿勢自水平狀態變更為右傾斜狀態，下面101之中央部上升。此時，在設於下面101之中央部的吸附孔76b吸引保持半導體裝置11之中央部的狀態下，下面101之中央部上升，因此，於工件W的中央部新作用自保持膜3分離的力。其結果，除了工件W的一端側外，工件W的中央部進而自保持膜3脫離。即，形成有間隙部Hc的區域自工件W的一端側朝中央部擴展。

吸附板63B使工件W的一端側及中央部自保持膜3脫離後，如圖40所示使吸附板63B上升。藉由使吸附板63B上升，工件W的另一端側部分也進而自保持膜3脫離。即，形成間隙部Hc的區域自工件W的一端側擴展至另一端側，工件W的整個面自保持膜3脫離。

此時，藉由吸附板63B的上升而使工件W自保持膜3脫離的力，係對抗保持膜3之對工件W的一部分(工件W的另一端側部分)的保持力。即，與使工件W的整個面同時自保持膜3脫離的構成比較，對抗使工件W自保持膜3脫離的力之力的大小變小，因此可容易地使工件W自保持膜3脫離。

若工件W的整個面自保持膜3脫離時，則自膜層積體5脫離的半導體裝置11藉由吸附板63B自工件脫離機構20搬出，被收容於未圖示的半導體裝置收容部。藉由使工件W自膜層積體5脫離而將半導體裝置11收容於半導體裝置收容部，完成步驟S5的製程。再者，步驟S6的製程係與實施例1相同，因此省略說明。

＜實施例3之構成的功效＞ 於實施例3的工件處理裝置中，與實施例1同樣，作為對工件W進行既定處理的前階段，進行於膜層積體5中的保持膜3側載置工件W的製程。由於保持膜3係以平坦的狀態保持工件W，因此可防止於以安裝半導體元件7之步驟為例的對工件進行處理的步驟中產生工件W之變形或工件W的位置偏移。

保持膜3係用以保持工件W，藉由在膜層積體5中的保持膜3側載置工件W而使其密接，以確保工件W的平坦性。即，於安裝半導體元件7的製程等中對工件W進行加熱時，可藉由保持膜3防止工件W變形而造成工件W的一部分自膜層積體5浮起。此外，由於保持膜3係由具有強剪切黏著力的材料構成，因此可確實地防止工件W朝著沿保持膜3的表面(在此為xy平面)的方向偏移。

並且，由於保持膜3的構成材料係具備連續氣泡構造的多孔質體，因此當於保持膜3安裝工件W時，保持膜3內不會進入氣泡而柔軟地變形。藉此，保持膜3的表面隨工件W表面的形狀精度良好地變形，由於保持膜3及工件W於更大範圍接觸，因此可提高保持膜3之對工件W的保持力。此外，由於保持膜3的構成材料係具有連續氣泡構造的多孔質體，因此於使工件W自保持膜3脫離時，可適宜地避免保持膜3的一部分殘留於工件W。並且，由於可防止保持膜3的一部分於工件W上成為殘渣，因此可再利用膜層積體5，可提高工件的處理效率及降低處理成本。

並且，於實施例3中，與實施例2同樣，首先於工件W的一部分與保持膜3之間形成間隙部Hc。然後，將間隙部分Hc擴展至工件W的其他部分。即，藉由使用具有旋轉軸99及彎曲的下面101之吸附板63B，可適宜變更工件W的整個面中的由吸附板63B保持的部分。根據該構成，於使工件W中的一端側的部分自保持膜3脫離後，藉由使工件W自一端側朝另一端側逐漸自保持膜3脫離，而使工件W的整個面自保持膜3脫離。

於此情況下，用以使工件W自保持膜3脫離的力，係對抗保持膜3之對工件W的一部分的保持力。即，與於工件W的整個面同時自保持膜3脫離的情況比較，可減小使工件W的一部分自保持膜3脫離所需的力。藉此，可降低作用於工件W的力，可容易地將工件W自保持膜3脫離，並且可更確實地避免由於保持膜3的保持力而對工件產生損傷的事態或對工件產生殘渣的事態。

此外，於實施例3中與實施例2同樣，不需要於工件W與保持膜3之間供給氣體，因此不需要於膜層積體5形成貫通孔85。因此，可將使工件W自膜層積體5脫離的製程進一步簡單化及縮短化。並且，於實施例3中，由於不需要對支撐台61B供給氣體，因此可省略供給氣體的機構。因此，可進一步簡化支撐台61B等的構成。

＜其他實施形態＞ 再者，本次揭示的實施形態，於所有方面皆為例示而非限於此。本發明的範圍，並非由上述實施形態的說明而是藉由申請專利範圍所揭示，並且，包含與申請專利範圍同等的意思及範圍內的所有變更(變形例)。作為一例，本發明可如下述實施變形。

(1)於實施例1中，也可於步驟S5中在使氣體供給裝置70動作而對工件W與保持膜3之間供給氣體Ar之前，使吸附板63下降而抵接或接近半導體裝置11的上面。藉由在步驟S5中使氣體供給裝置70動作，將氣體Ar供給於工件W與保持膜3之間，可能使半導體裝置11過度地浮起而於水平方向上的位置產生偏移。此外，存在半導體裝置11中的流通孔65周圍的部分較其他部分更大地浮起，造成半導體裝置11變形之事態的擔憂。

因此，藉由在使吸附板63抵接或接近半導體裝置11的狀態下使氣體供給裝置70動作，可由吸附板63抑制半導體裝置11之全部或一部分因自下方供給的氣體Ar而浮起一定程度以上。因此，可適宜地避免於供給氣體的過程中產生半導體裝置11之位置偏移或變形的事態。

(2)於實施例1中，吸附板63不限於下面扁平的構成。即，如圖41所示，也可為吸附板63於中央部具備凹部103並且於外周部具備環狀凸部105的構成。於此情況下，吸附板63係於凸部105具備吸附孔76，且經由該吸附孔76吸附保持半導體裝置11的外周部。另一方面，半導體裝置11之中央部不被吸附板63保持。

如此，於使用具有凹部103的吸附板63的變形例中，於步驟S5中，如圖42所示，於使吸附板63下降而使凸部105抵接或接近半導體裝置11之外周部的狀態下，使氣體供給裝置70動作。此情況下，經由貫通孔85對工件W與保持膜3之間供給氣體Ar，從而於工件W與保持膜3之間形成間隙部Hb。

此時，半導體裝置11之外周部藉由吸附板63的凸部105而被抑制浮起一定程度以上。另一方面，由於吸附板63的凹部103係位於自半導體裝置11分離的位置，因此，半導體裝置11之中央部不會受到吸附板63的抑制。於使用具有如此的凹部103之吸附板63的情況下，可抑制因氣體的供給而造成半導體裝置11(即工件W)過度地浮起，並且可防止對半導體裝置11之中央部施加過度的應力。

即，根據流通孔65的配置，藉由氣體供給裝置70供給的氣體Ar容易集中於半導體裝置11之整個面中特別是中央部。因此，與半導體裝置11之外周部比較，有時中央部更容易浮起。於此情況下，於以具有扁平下面的吸附板63抑制半導體裝置11之浮起的情況下，較外周部比較容易浮起的中央部藉由吸附板63而被迅速地抑制，另一方面，藉由氣體Ar持續受到比較大的朝上方的力。其結果，恐有對半導體裝置11之中央部施加較強的應力的擔憂。

與此相對，藉由使用於中央部具有凹部103的吸附板63，可適宜地抑制半導體裝置11之外周部浮起，另一方面，由於不抑制中央部浮起，因此可避免產生應力。並且，由於工件W的外周部受到吸附板63的抑制而防止浮起，因此也可避免工件W的位置於水平方向偏移。於該變形例中，吸附板63相當於本發明的工件抑制構件。

(3)於各實施例中，例示了於已在膜層積體供給部收容有膜層積體5的狀態下進行工件W之處理的構成，但不限於此。即，也可於工件處理裝置中，使載體1與保持膜3層積而製作膜層積體5。

於如此的變形例中，工件處理裝置進一步具備膜層積機構111。如圖43(a)等所示，膜層積機構111具有支撐載體1之載置台113，且使載體1與保持膜3層積而製作膜層積體5。較佳為，載置台113係一種與未圖示的真空裝置連接以吸附保持載體1的構成。

於具有膜層積機構111之變形例中，作為步驟S1之前製程，執行製作膜層積體5的製程。圖43(a)顯示使用膜層積機構111製作膜層積體5的製程的一例。於該製程中，將載體1自未圖示的載體供給部朝膜層積機構111搬送，將載體1載置於載置台113。載置台113係藉由真空裝置吸附保持載體1。然後，藉由將保持膜3自未圖示的膜供給部朝膜層積機構111搬送且於載體1上層積保持膜3，形成膜層積體5。

膜層積體5也可藉由在載體1之表面塗布液狀的膜材而形成保持膜3的層來製作。於該其他的變形例中，如圖43(b)所示，膜層積機構111除了載置台113外還具備塗布構件115。作為一例，塗布構件115可使用模塗布機或毛刷等，但只要為於載體1之上面形成保持膜3的層者並無特別限制。

使用具有塗布構件115的膜層積機構111製作膜層積體5的製程，如圖43(b)所示。即，將載體1吸附保持於載置台113之後，塗布構件115於載體1之上面塗布液狀的膜材(作為一例，液狀的聚矽氧多孔質體)。藉由塗布液狀的膜材，於載體1之層上形成保持膜3的層。於塗布液狀的膜材後，藉由使該膜材乾燥，該膜材成為固態的片狀，製作將載體1之層及成為固態的片狀之保持膜3的層層積而成的膜層積體5。

此外，膜層積機構111也可藉由在膜層積體5形成貫通孔85，製作於實施例1等中使用的膜層積體5。於使膜層積體5形成貫通孔85的變形例中，如圖43(c)所示，膜層積機構111進一步具備穿孔構件117。此外，根據於膜層積體5形成貫通孔85的數量及位置，於載置台113的上面設置凹部119。

於使用具有穿孔構件117的膜層積機構111製作具有貫通孔85的膜層積體5的情況下，於圖43(a)或圖43(b)所示的製程中使保持膜3層積於載體1之後，使用穿孔構件117形成貫通孔85。即，如圖43(c)所示，使穿孔構件117一面繞z方向的軸旋轉一面朝膜層積體5下降。使穿孔構件117於保持膜3的層形成貫通孔83並且於載體1之層形成貫通孔81。其結果，於膜層積體5形成自載體1之下面貫通至保持膜3上面的貫通孔85。若於膜層積機構111中製作具有所希望之構成的膜層積體5時，則將膜層積體5朝層積體載置機構13搬送而進行步驟S1的製程。

(4)於各實施例中，作為工件W處理過程，例示了步驟S3的將半導體元件7安裝於工件W的過程、及步驟S4的以封裝材料9封裝的過程，但處理工件W的過程不限於此。作為處理工件W之過程的其他例子，可列舉將以支撐用之黏著帶(切割帶)或電路保護用之黏著帶為例的片材黏貼於工件W的過程、對工件W進行金屬等蒸鍍的過程、研磨工件W的過程等。

(5)於各實施例中，雖然例示了以下構成但不限於此，即，作為工件處理過程使用了使半導體元件7安裝於工件W而製造半導體裝置11的過程，因此，於步驟S1中載置膜層積體5時使用的支撐台21與在步驟S5中使工件W脫離時使用的支撐台61係不同的工作台。也就是說，根據處理工件W的過程，也可於同一支撐台(作為一例，支撐台61)上進行步驟S1之過程及步驟S5的過程。

1:載體 3:保持膜 5:膜層積體 7:半導體元件 8:凸塊 9:封裝材料 11:半導體裝置 13:層積體載置機構 15:工件安裝機構 17:半導體安裝機構 19:封裝機構 20:工件脫離機構 21:搬送臂 25:工件供給部 27:工件搬送機構 29:處理室 30:軌道 31:支撐台 35:按壓構件 37:汽缸 39:真空裝置 40:電磁閥 41:電磁閥 43:控制部 47:上部模具 49:上部模具 50:模具 53:封裝材料供給部 55:保持台 59:致動器 61:支撐台 63:吸附板 64:工件支撐部 65:流通孔 67:吸附孔 68:流路 69:電磁閥 70:氣體供給裝置 71:流路 72:電磁閥 73:真空裝置 75:可動台 76:吸附孔 77:流路 78:電磁閥 79:控制部 80:真空裝置 81:貫通孔 83:貫通孔 85:貫通孔 91:凹部 93:外周部 95:氣體流通孔 96:流路 97:電磁閥 98:氣體供給裝置 99:旋轉軸 101:下面 103:凹部 105:凸部 107:下面 111:膜層積機構 113:載置台 115:塗布構件 117:穿孔構件 W:工件 Hb:間隙部 Hc:間隙部

圖1為對實施例1之工件處理裝置的製程進行說明的流程圖。 圖2為顯示實施例1之工件處理方法的各步驟中的半導體裝置之構成的剖視圖。(a)顯示完成步驟S1後的狀態，(b)顯示完成步驟S2後的狀態，(c)顯示完成步驟S3後的狀態，(d)顯示完成步驟S4後的狀態，(e)顯示完成步驟S5後的狀態。 圖3為說明實施例1之膜層積體的構成的圖。(a)為載體的俯視圖，(b)為保持膜的俯視圖，(c)為膜層積體的縱剖視圖。 圖4為實施例1之工件安裝機構的縱剖視圖。 圖5為實施例1之處理室的縱剖視圖。 圖6為實施例1之封裝機構的縱剖視圖。 圖7為實施例1之工件脫離機構的縱剖視圖。 圖8為實施例1之支撐台的俯視圖。 圖9為說明實施例1之步驟S1的圖。(a)為顯示支撐銷自搬送臂接取膜層積體的狀態的圖，(b)為顯示將膜層積體載置於支撐台的狀態的圖。 圖10為說明實施例1之步驟S2的圖。 圖11為說明實施例1之步驟S2的圖。 圖12為說明實施例1之步驟S2的圖。 圖13為說明實施例1之步驟S2的圖。 圖14為說明實施例1之步驟S2的圖。 圖15為說明實施例1之步驟S3的圖。 圖16為說明實施例1之步驟S4的圖。 圖17為說明實施例1之步驟S4的圖。 圖18為說明實施例1之步驟S4的圖。 圖19為說明實施例1之步驟S4的圖。 圖20為說明實施例1之步驟S4的圖。 圖21為說明實施例1之步驟S5的圖。 圖22為說明實施例1之步驟S5的圖。 圖23為說明實施例1之步驟S5的圖。 圖24為說明實施例1之步驟S5的圖。 圖25為說明實施例1之步驟S5的圖。 圖26為說明實施例1之步驟S5的圖。 圖27為實施例2之工件脫離機構的縱剖視圖。 圖28為實施例2之支撐台的俯視圖。 圖29為說明實施例2之步驟S5的圖。 圖30為說明實施例2之步驟S5的圖。 圖31為說明實施例2之步驟S5的圖。 圖32為說明實施例2之步驟S5的圖。 圖33為說明實施例2之步驟S5的圖。 圖34為實施例3之工件脫離機構的縱剖視圖。 圖35為實施例3之支撐台的俯視圖。 圖36為說明實施例3之步驟S5的圖。 圖37為說明實施例3之步驟S5的圖。 圖38為說明實施例3之步驟S5的圖。 圖39為說明實施例3之步驟S5的圖。 圖40為說明實施例3之步驟S5的圖。 圖41為顯示變形例之吸附板的縱剖視圖。 圖42為說明實施例3之步驟S5的圖。 圖43為說明製作實施例3之膜層積體的製程的圖。(a)為顯示將保持膜載置於載體而製作膜層積體之製程的圖，(b)為顯示使用塗布構件於載體上形成保持膜之層而製作膜層積體的製程的圖，(c)為顯示使用穿孔構件於膜層積體形成貫通孔的製程的圖。

1:載體

3:保持膜

5:膜層積體

9:封裝材料

11:半導體裝置

20:工件脫離機構

61:支撐台

63:吸附板

64:工件支撐部

65:流通孔

69:電磁閥

70:氣體供給裝置

71:流路

72:電磁閥

73:真空裝置

75:可動台

77:流路

78:電磁閥

79:控制部

80:真空裝置

85:貫通孔

W:工件

Ar:氣體

Claims (18)

1. 一種工件處理方法，其特徵在於具備： 層積體載置過程，其將於支撐體上層積有保持工件的保持膜之膜層積體載置於支撐台； 工件保持過程，其將上述工件載置於上述膜層積體中的上述保持膜側而使上述保持膜保持上述工件； 工件處理過程，其對上述工件進行既定的處理；及 工件脫離過程，其使上述工件自上述膜層積體脫離；且 上述保持膜係由多孔質體構成，該多孔質體包含聚矽氧化合物、氟化合物、或聚醯亞胺。
2. 如請求項1之工件處理方法，其中上述工件脫離過程具備： 氣體供給過程，其藉由對上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而降低上述保持膜的保持力；及 工件分離過程，其使上述工件自藉由上述氣體供給過程而降低了保持力的上述保持膜分離。
3. 如請求項2之工件處理方法，其中上述膜層積體具有1或2個以上的通氣孔，該通氣孔係自載置於上述支撐台的面連通至保持上述工件的面， 上述氣體供給過程，係藉由自上述支撐台經由上述通氣孔對上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。
4. 如請求項3之工件處理方法，其中上述工件脫離過程具備接近過程，其使工件抑制構件抵接或接近保持於上述保持膜之上述工件中的未被上述保持膜保持之面的外周部， 上述氣體供給過程，係於上述接近過程之後，藉由以上述工件抑制構件抑制上述工件，並且自上述支撐台經由上述通氣孔對上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。
5. 如請求項4之工件處理方法，其中上述接近過程係使於中央部具有凹部的工件抑制構件抵接或接近保持於上述保持膜之上述工件中的未被上述保持膜保持之面的外周部， 上述氣體供給過程，係於上述接近過程之後，藉由以上述工件抑制構件抑制上述工件的外周部，並且自上述支撐台經由上述通氣孔對上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。
6. 如請求項1之工件處理方法，其中上述工件脫離過程具備： 第1脫離過程，其於上述保持膜保持上述工件之面中的一部分區域中，且於上述工件與上述保持膜之間形成間隙部，使上述工件於上述一部分區域中自上述保持膜脫離；及 第2脫離過程，其藉由將上述間隙部自上述一部分區域擴展至上述一部分區域以外的區域，而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。
7. 如請求項6之工件處理方法，其中上述支撐台係以於中央部具有凹部且支撐上述膜層積體的外周部的方式構成， 上述第1脫離過程，係藉由對上述支撐台的上述凹部供給氣體使上述膜層積體的中央部呈凸狀變形，而使上述工件中的外周部自上述保持膜脫離， 上述第2脫離過程，係藉由使上述間隙部自外周部朝中央部擴展，而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。
8. 如請求項6之工件處理方法，其中上述第1脫離過程，係於以部分吸附構件吸附保持上述工件的狀態下，藉由使上述部分吸附構件自上述膜層積體分離而使上述工件中的上述一端側自上述保持膜脫離，其中該部分吸附構件係吸附上述工件中的未被上述保持膜保持之面的一端側， 上述第2脫離過程，係藉由使上述間隙部自上述工件中的上述一端側朝另一端側擴展，而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。
9. 如請求項6之工件處理方法，其中上述第1脫離過程係藉由使上述膜層積體的中央部呈凸狀變形而使上述工件中的外周部自上述保持膜脫離， 上述第2脫離過程係藉由使上述間隙部自外周部朝中央部擴展而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。
10. 一種工件處理裝置，其特徵在於具備： 支撐台，其支撐在支撐體上層積有保持工件的保持膜的膜層積體； 層積體載置機構，其將上述膜層積體載置於上述支撐台； 工件載置機構，其將上述工件載置於上述膜層積體中的上述保持膜側而使上述保持膜保持上述工件； 工件處理機構，其對上述工件進行既定的處理；及 工件脫離機構，其使上述工件自上述膜層積體脫離；且 上述保持膜係由多孔質體構成，該多孔質體包含聚矽氧化合物、氟化合物、或聚醯亞胺。
11. 如請求項10之工件處理裝置，其中上述工件脫離機構具備： 氣體供給機構，其藉由對上述工件與上述保持膜之間供給氣體，以降低上述保持膜的保持力；及 工件分離機構，其使上述工件自藉由上述氣體供給機構降低了保持力的上述保持膜分離。
12. 如請求項11之工件處理裝置，其中上述膜層積體具有1或2個以上的通氣孔，該通氣孔係自載置於上述支撐台的面連通至保持上述工件的面， 上述氣體供給機構，係藉由自上述支撐台經由上述通氣孔對上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。
13. 如請求項12之工件處理裝置，其中上述工件脫離機構具備接近機構，其使工件抑制構件抵接或接近保持於上述保持膜的上述工件中的未被上述保持膜保持之面的外周部， 上述氣體供給機構，係藉由以上述工件抑制構件抑制上述工件的外周部的浮起，並且自上述支撐台經由上述通氣孔對上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。
14. 如請求項13之工件處理裝置，其中上述接近機構係使工件抑制構件抵接或接近上述工件中的未被上述保持膜保持之面的外周部，該工件抑制構件係於中央部具有凹部，且抑制保持於上述保持膜的上述工件中的未被上述保持膜保持之面的外周部的浮起，且 上述氣體供給機構，係藉由以上述工件抑制構件抑制上述工件的外周部的浮起，並且自上述支撐台經由上述通氣孔對上述工件與上述保持膜之間供給氣體，而使上述保持膜的保持力降低。
15. 如請求項10之工件處理裝置，其中上述工件脫離機構具備： 第1脫離機構，其於上述保持膜保持上述工件之面中的一部分區域中且於上述工件與上述保持膜之間形成間隙部，使上述工件於上述一部分區域中自上述保持膜脫離；及 第2脫離機構，其藉由將上述間隙部自上述一部分區域擴展至上述一部分區域以外的區域，而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。
16. 如請求項15之工件處理裝置，其中上述支撐台係以於中央部具有凹部且支撐上述膜層積體的外周部的方式構成， 上述第1脫離機構，藉由對上述支撐台的上述凹部供給氣體使上述膜層積體的中央部呈凸狀變形，而使上述工件中的外周部自上述保持膜脫離， 上述第2脫離機構藉由使上述間隙部自外周部朝中央部擴展，而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。
17. 如請求項15之工件處理裝置，其中上述第1脫離機構具備： 部分吸附構件，其吸附上述工件中的未被上述保持膜保持之面的一端側；及 吸附構件分離機構，其於上述部分吸附構件吸附了上述工件之一端側的狀態下，藉由使上述部分吸附構件自上述膜層積體分離而使上述工件中的上述一端側自上述保持膜分離； 上述第2脫離機構，係藉由使上述間隙部自上述工件中的上述一端側朝另一端側擴展而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。
18. 如請求項15之工件處理裝置，其中上述第1脫離機構係藉由使上述膜層積體的中央部呈凸狀變形而使上述工件中的外周部自上述保持膜脫離， 上述第2脫離機構係藉由使上述間隙部自外周部朝中央部擴展而使上述工件的整個面自上述保持膜脫離。