TW202402891A - 顆粒、顆粒之製造方法、使用顆粒之組合物/成形體之製造方法、及顆粒製造用之組合物 - Google Patents

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Abstract

本發明之顆粒包含烯烴系聚合物A、及聚合物B。聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物。包含顆粒之中心且與顆粒之軸平行之剖面的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2)。 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相。 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的分散相。

Description

顆粒、顆粒之製造方法、使用顆粒之組合物/成形體之製造方法、及顆粒製造用之組合物
本發明係關於一種顆粒、顆粒之製造方法、使用顆粒之組合物/成形體之製造方法、及顆粒製造用之組合物。
先前,已知有一種樹脂組合物,其包含烯烴系聚合物及聚羥基烷酸酯系聚合物。據專利文獻1揭示,為了利用成形機使此種樹脂組合物成形,而藉由擠出成形來製造該樹脂組合物之顆粒。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2006-77063號公報
[發明所欲解決之問題]
然而,本發明人等進行了研究,結果判明於將包含聚羥基烷酸酯系聚合物及烯烴系聚合物之組合物自模孔擠出成形為線料狀,其後對線料進行切割而獲得顆粒時,線料容易斷開,而難以穩定生產顆粒。
本發明係鑒於上述問題而完成者,其目的在於提供一種包含聚羥基烷酸酯系聚合物,且可穩定生產之顆粒等。 [解決問題之技術手段]
[1]一種顆粒,其係包含烯烴系聚合物A及聚合物B者,且 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2), 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相; 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相。
[2]如[1]所記載之顆粒,其中相對於上述烯烴系聚合物A及上述聚合物B之合計100質量份,上述烯烴系聚合物A之含量為1~49質量份,上述聚合物B之含量為51~99質量份。
[3]如[1]或[2]所記載之顆粒,其中將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述烯烴系聚合物A之熔體質量流率設為MFR(A),將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述聚合物B之熔體質量流率設為MFR(B), MFR(A)/MFR(B)為1.5以上。
[4]如[1]至[3]中任一項所記載之顆粒,其中MFR(A)/MFR(B)為5.5以上。
[5]一種顆粒之製造方法,其係包含烯烴系聚合物A及聚合物B之顆粒之製造方法,且 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2), 上述顆粒之製造方法包括將上述烯烴系聚合物A及上述聚合物B於150~210℃之溫度下進行熔融混練之步驟, 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相; 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相。
[6]如[5]所記載之顆粒之製造方法,其中將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述烯烴系聚合物A之熔體質量流率設為MFR(A),將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述聚合物B之熔體質量流率設為MFR(B), MFR(A)/MFR(B)為1.5以上。
[7]一種組合物之製造方法,其包括將顆粒及烯烴系聚合物C於150~210℃之溫度下進行熔融混練之步驟,且 上述顆粒包含烯烴系聚合物A及聚合物B, 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2), 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相; 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相。
[8]如[7]所記載之組合物之製造方法,其中將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述烯烴系聚合物A之熔體質量流率設為MFR(A),將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述聚合物B之熔體質量流率設為MFR(B), MFR(A)/MFR(B)為1.5以上。
[9]一種成形體之製造方法,其包括將柱狀之顆粒及烯烴系聚合物C進行混合而獲得混合物之步驟、以及 使上述混合物成形之步驟,且 上述顆粒包含烯烴系聚合物A及聚合物B, 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2), 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相; 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相。
[10]如請求項9所記載之成形體之製造方法,其中將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述烯烴系聚合物A之熔體質量流率設為MFR(A),將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述聚合物B之熔體質量流率設為MFR(B), MFR(A)/MFR(B)為1.5以上。
[11]一種組合物,其係包含烯烴系聚合物A及聚合物B者,且 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 將上述組合物於180℃下進行熔融混練而獲得熔融狀態之線料,對上述熔融狀態之線料進行冷卻而使其固化,將已固化之線料進行切割而獲得顆粒,所獲得之顆粒之剖面之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2), 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相; 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相 (其中,上述顆粒之剖面係包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面,觀察圖像係掃描式電子顯微鏡之觀察圖像)。 [發明之效果]
根據本發明,提供一種可穩定生產之顆粒等。
以下,對本發明之若干實施方式詳細地進行說明。但,本發明並不限定於以下實施方式。
(可用作母料之顆粒) 本形態之顆粒係包含烯烴系聚合物A及聚合物B者,且 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2)。 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相。 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相。
(顆粒之形狀) 圖1中示出顆粒10之形狀之一例。本實施方式之顆粒10可具有柱狀形狀。柱狀形狀之顆粒10具備2個端面10a、10b、及連接該等端面之筒狀周面10c。顆粒10之典型形狀為如圖1所示之圓柱狀。
於本說明書中,將連結端面10a之中心10ac與端面10b之中心10bc之線作為顆粒之柱狀形狀之軸AX。再者,於本說明書中,中心意指幾何中心。
顆粒10之柱狀形狀之軸AX之長度L可設為1~20 mm。顆粒之與軸AX垂直之剖面之直徑D可設為1~10 mm。
與顆粒10之軸AX垂直之截面形狀可不為圓,於該情形時,直徑D係截面面積之圓相當徑。
<顆粒之結構> 如圖2所示,包含顆粒10之中心GC且與顆粒之軸AX平行之剖面CS的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2)。再者,於本說明書中,中心意指幾何中心。圖3中示出剖面CS之掃描式電子顯微鏡照片之模式圖。剖面CS中之觀察圖像之部位較適宜為顆粒10之中心GC之附近。即,剖面CS之徑向上之觀察圖像之部位較適宜為以顆粒之半徑1/2・D為基準,徑向之座標以軸AX為中心軸(原點),位於0~±0.5×(1/2・D)之範圍內。剖面CS之軸向上之觀察圖像之部位較適宜為以顆粒之軸向長度L為基準,軸向之座標以中心GC為原點,位於0~±0.5×L之範圍內。
必要條件(1):烯烴系聚合物A為分散相,聚合物B為連續相。換言之,於觀察圖像中,顆粒具有以聚合物B作為連續相(海部),以烯烴系聚合物A作為分散相(島部)之海島結構。
必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相。分散相之數量可為5個以上、7個以上、10個以上、15個以上、20個以上。分散相之數量之上限並無特別限制,可為100個以下,亦可為50個以下。 關於該分散相,由軸向長度L'相對於與軸AX正交之方向之長度D'之比所定義的長徑比L'/D'為2以上,較佳為3以上,更佳為5以上。
若剖面CS之觀察圖像滿足必要條件(1)及(2),則於自模具擠出之線料之狀態下,烯烴系聚合物A之細長之分散相可支持線料,可抑制冷卻前或冷卻後之線料之斷開或捲繞等。
<顆粒之組成>
於顆粒中,烯烴系聚合物A及聚合物B之質量比並無特別限定,就具有上述海島結構之觀點而言,較適宜為相對於烯烴系聚合物A及聚合物B之合計100質量份,烯烴系聚合物A之含量為1~49質量份,聚合物B之含量為51~99質量份。
可為烯烴系聚合物A之含量為2~40質量份且聚合物B之含量為60~98質量份,可為烯烴系聚合物A之含量為3~35質量份且聚合物B之含量為65~97質量份,可為烯烴系聚合物A之含量為5~30質量份且聚合物B之含量為70~95質量份。
烯烴系聚合物A與聚合物B之合計占顆粒之整體之比率可為50質量%以上,較適宜為60質量%以上,進而適宜為70質量%以上。
於顆粒中,將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之烯烴系聚合物A之熔體質量流率設為MFR(A),將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之聚合物B之熔體質量流率設為MFR(B), MFR(A)/MFR(B)較適宜為1.5以上。MFR(A)/MFR(B)可為2以上,亦可為3以上,亦可為4以上,亦可為5以上,亦可為5.5以上,亦可為6以上。MFR(A)/MFR(B)亦無上限,可為200以下,亦可為100以下。
<烯烴系聚合物A> 烯烴系聚合物A係指含有50質量%以上之源自碳原子數2以上10以下之烯烴之結構單元的聚合物(其中,將烯烴系聚合物之總量設為100質量%)。碳原子數2以上10以下之烯烴之例為:乙烯、丙烯、1-丁烯、異丁烯、1-戊烯、2-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、2-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十一烯、1-十二烯。
烯烴系聚合物A可含有源自除碳原子數2以上10以下之烯烴以外之單體之結構單元。除碳原子數2以上10以下之烯烴以外之單體之例為:苯乙烯等芳香族乙烯基單體;丙烯酸、甲基丙烯酸等不飽和羧酸;丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯等不飽和羧酸酯;乙酸乙烯酯等乙烯酯化合物;1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯(異戊二烯)等共軛二烯;及二環戊二烯、5-亞乙基-2-降𦯉烯等非共軛二烯。
烯烴系聚合物A可為選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物及丁烯系聚合物所組成之群中之至少1種,亦可為其等中之任意2種以上之組合。
乙烯系共聚物係指含有50質量%以上之源自乙烯之結構單元之聚合物,其例為:乙烯均聚物、乙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-1-辛烯共聚物、及乙烯-1-丁烯-1-己烯共聚物。乙烯系共聚物亦可為2種以上之乙烯系共聚物之組合。
乙烯系共聚物可為具有源自碳原子數3~20之α-烯烴之單體單元、及源自乙烯之單體單元的烯烴系彈性體。烯烴系彈性體中之源自乙烯之單體單元之含量較佳為10~85重量%(其中,將烯烴系彈性體之總重量設為100重量%)。作為碳原子數3~20之α-烯烴,可例舉丙烯、1-丁烯、異丁烯、1-戊烯、2-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、2-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十一烯及1-十二烯等,較佳為丙烯、1-丁烯、1-己烯或1-辛烯。
作為上述烯烴系彈性體,可例舉:乙烯-丙烯共聚彈性體、乙烯-1-丁烯共聚彈性體、乙烯-1-己烯共聚彈性體、及乙烯-1-辛烯共聚彈性體等。關於烯烴系彈性體,可僅使用1種,亦可併用2種以上。較佳為乙烯-1-丁烯共聚彈性體、或乙烯-1-辛烯共聚彈性體。
聚合物B可為烯烴系彈性體與丙烯系聚合物之混合物。
丙烯系共聚物係指含有50質量%以上之源自丙烯之結構單元之聚合物,其例為:丙烯均聚物、丙烯-乙烯共聚物、丙烯-1-丁烯共聚物、丙烯-1-己烯共聚物、丙烯-1-辛烯共聚物、丙烯-乙烯-1-丁烯共聚物、丙烯-乙烯-1-己烯共聚物、及丙烯-乙烯-1-辛烯共聚物。丙烯系共聚物亦可為2種以上之丙烯系共聚物之組合。烯烴系聚合物A較適宜為丙烯系共聚物。
丁烯系共聚物係指含有50質量%以上之源自1-丁烯之結構單元之聚合物,其例為:1-丁烯均聚物、1-丁烯-乙烯共聚物、1-丁烯-丙烯共聚物、1-丁烯-1-己烯共聚物、1-丁烯-1-辛烯共聚物、1-丁烯-乙烯-丙烯共聚物、1-丁烯-乙烯-1-己烯共聚物、1-丁烯-乙烯-1-辛烯共聚物、1-丁烯-丙烯-1-己烯共聚物、及1-丁烯-丙烯-1-辛烯共聚物。丁烯系共聚物亦可為2種以上之丁烯系共聚物之組合。
上述烯烴系聚合物A可藉由使用公知之聚合用觸媒之公知之聚合方法進行製造。
依據JIS K7210-2014,於190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之烯烴系聚合物A之熔體質量流率(MFR)較佳為0.1 g/10分鐘以上200 g/10分鐘以下。烯烴系聚合物A之熔體質量流率(MFR)可為2 g/10分鐘以上,亦可為20 g/10分鐘以上。烯烴系聚合物A之熔體質量流率(MFR)可為100 g/10分鐘以下,亦可為60 g/10分鐘以下。
<聚合物B> 聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物。
聚羥基烷酸酯系聚合物係指羥基烷酸之聚酯。羥基烷酸之例為2-羥基烷酸、3-羥基烷酸、4-羥基烷酸。
2-羥基烷酸之例為乙醇酸、乳酸、2-羥基丁酸。2-羥基烷酸之聚酯、即聚(2-羥基烷酸酯)系聚合物之例為聚乙醇酸、及聚乳酸。
3-羥基烷酸之例為3-羥基丁酸、3-羥基丙酸、3-羥基戊酸、3-羥基己酸。關於3-羥基烷酸之聚酯、即聚(3-羥基烷酸酯)系聚合物,將於下文詳細敍述。
4-羥基烷酸之例為4-羥基丁酸、4-羥基戊酸、4-羥基己酸。
聚合物B可為羥基烷酸之均聚物,亦可為2種以上之羥基烷酸之聚合物。
聚(3-羥基烷酸酯)系聚合物係指聚羥基烷酸酯、即羥基烷酸之聚酯,且必須包含(1)式所示之3-羥基烷酸酯之重複單元。(1)式中,R為氫原子、鹵素原子、碳原子數1~15之烷基、氰基、碳原子數1~18之胺基、碳原子數1~11之烷氧基(alkyloxy group)、碳原子數1~20之醯胺基、碳原子數6~12之芳基、或碳原子數1~9之一價雜環基。該等基可具有取代基。尤其,就與顆粒中所含之除聚合物B以外之成分(例如烯烴系聚合物A)之相容性之觀點而言,R較佳為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~20之醯胺基、或碳原子數6~8之芳基。
[-O-CHR-CH 2-CO-]…(1)
鹵素原子之例為F、Cl、Br及I。
碳原子數1~15之烷基可為直鏈狀,亦可為支鏈狀。烷基之碳原子數較佳為1~8,更佳為1~4。烷基之例為:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、2-甲基丁基、1-甲基丁基、己基、異己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、1-甲基戊基、庚基、辛基、異辛基、2-乙基己基、3,7-二甲基辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十四烷基、十五烷基。
碳原子數1~18或1~11之胺基之例為:胺基、烷基胺基、二烷基胺基、芳基胺基、烷基芳基胺基、苄基胺基、二苄基胺基。
烷基胺基之例為:甲基胺基、乙基胺基、丙基胺基、丁基胺基、戊基胺基、己基胺基、庚基胺基、辛基胺基、壬基胺基、癸基胺基、十二烷基胺基、異丙基胺基、異丁基胺基、異戊基胺基、第二丁基胺基、第三丁基胺基、第二戊基胺基、第三戊基胺基、第三辛基胺基、新戊基胺基、環丙基胺基、環丁基胺基、環戊基胺基、環己基胺基、環庚基胺基、環辛基胺基、1-金剛胺基(adamantaneamino)、2-金剛胺基。
二烷基胺基之例為:二甲基胺基、二乙基胺基、二丙基胺基、二丁基胺基、二戊基胺基、二異丙基胺基、二異丁基胺基、二異戊基胺基、甲基乙基胺基、甲基丙基胺基、甲基丁基胺基、甲基異丁基胺基、二環丙基胺基、吡咯烷基、哌啶基、哌𠯤基。
芳基胺基之例為:苯胺基、1-萘基胺基、2-萘基胺基、鄰甲苯胺基、間甲苯胺基、對甲苯胺基、1-茀胺基、2-茀胺基、2-噻唑胺基、對聯三苯胺基。
烷基芳基胺基之例為:N-甲基苯胺基、N-乙基苯胺基、N-丙基苯胺基、N-丁基苯胺基、N-異丙基苯胺基、N-戊基苯胺基。
碳原子數1~11之烷氧基之例為:甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、環丙氧基、環丁氧基、環戊氧基。
「醯胺基」意指自羧醯胺去除1個鍵結於氮原子之氫原子所得之基。碳原子數1~20之醯胺基之例為:甲醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯甲醯胺基、三氟乙醯胺基、五氟苯甲醯胺基等-NH-C(=O)-R A所表示之基(其中,R A為氫原子或一價有機基)、及如二甲醯胺基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁醯胺基、二苯甲醯胺基、二-三氟乙醯胺基、二-五氟苯甲醯胺基般-N(-C(=O)-R A)(-C(=O)-R B)所表示之基(其中,R A、R B分別獨立地為氫原子或一價有機基)。有機基可為可經鹵素原子取代之烷基、烷氧基、芳基。其中,醯胺基較佳為甲醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯甲醯胺基。
碳原子數6~12之芳基之例為苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、聯苯基,其中,更佳為苯基、甲苯基、二甲苯基。
碳原子數1~9之一價雜環基之雜原子之例為N、O及S,可飽和,亦可為不飽和,雜原子可為單數,亦可為複數,亦可具有異種之雜原子。此種雜環基之例可例舉:噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三𠯤基、噻唑基。
聚合物B之重複單元可僅由1種或複數種(1)式所示之3-羥基烷酸酯所構成,亦可具有1種或複數種(1)式所示之3-羥基烷酸酯、及1種或複數種其他羥基烷酸酯。
聚合物B較佳為相對於羥基烷酸酯之全部重複單元(100莫耳%)而包含50莫耳%以上之(1)式所示之3-羥基烷酸酯之重複單元,更佳為70莫耳%以上。
於R為氫原子或C nH 2n 1所表示之烷基且n為1~15之整數之情形時,(1)式所示之3-羥基烷酸酯之例為n=1之3-羥基丁酸酯(以下有時記載為3HB)、n=2之3-羥基戊酸酯(以下有時記載為3HV)、n=3之3-羥基己酸酯(以下有時記載為3HH)、n=5之3-羥基辛酸酯、n=15之3-羥基十八烷酸酯、R為氫原子之3-羥基丙酸酯。
僅具有(1)式所表示之1種重複單元之聚合物B之例為聚(3-羥基丁酸酯)(以下有時記載為P3HB)。
僅具有(1)式所表示之複數種重複單元之聚合物B之例為聚(3-羥基丁酸酯-共聚-3-羥基己酸酯)(以下有時記載為P3HB3HH)、聚(3-羥基丁酸酯-共聚-3-羥基戊酸酯)(以下有時記載為P3HB3HV)、聚(3-羥基丁酸酯-共聚-3-羥基丙酸酯(以下有時記載為P3HB3HP)。
除(1)式所示之3-羥基烷酸酯以外之其他羥基烷酸酯之例為(2)式所示之重複單元(式中,R 1為氫原子或C nH 2n 1所表示之烷基,n為1以上15以下之整數,m為2~10之整數)。
[-O-CHR 1-C mH 2m 1-CO-]…(2)
包含(1)式及(2)式之重複單元之聚合物B之例為聚(3-羥基丁酸酯-共聚-4-羥基丁酸酯)(例如下式(P3HB4HB))。
就提高熔點之觀點而言,聚合物B之重複單元較佳為至少包含(1)式所示之3-羥基烷酸酯中之3-羥基丁酸酯。
聚合物B較佳為相對於羥基烷酸酯之全部重複單元(100莫耳%)而包含50莫耳%以上之3-羥基丁酸酯之重複單元,更佳為70莫耳%以上。
聚合物B可具有2種以上之酯之重複單元,例如可如上所述為具有2種重複單元之二元聚合物、具有3種重複單元之三元共聚物、及具有4種重複單元之四元共聚物。
例如,三元共聚物之例為聚(3-羥基丁酸酯-共聚-3-羥基戊酸酯-共聚-3-羥基己酸酯)(以下有時記載為(P3HB3HV3HH))。
如上所述,聚合物B較佳為包含(1)式所示之3-羥基烷酸酯之重複單元中之3-羥基丁酸酯。相對於全部羥基烷酸酯之酯重複單元100莫耳,3-羥基丁酸酯之重複單元之比率XX較佳為90莫耳%以上,更佳為95莫耳%以上,進而較佳為98.0莫耳%以上。
比率XX通常為100莫耳%以下,較佳為99.9莫耳%以下,較佳為99.8莫耳%以下。
共聚物之排列方式可為無規共聚物、交替共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等之任一方式。
聚合物B可具有除(1)式及(2)式以外之其他酯重複單元,該其他酯重複單元之主鏈不包含芳香族烴結構。即,聚合物B為脂肪族聚酯。但,該其他酯重複單元之主鏈之碳上可鍵結有具有芳香族烴基之基。
關於聚合物B中之重複單元之構成比,如L.Tripathi., M.C.Factories, 11, 44(2012)所記載,可根據1H-NMR(Nuclear Magnetic Resonance,核磁共振)或13C-NMR等NMR測定結果進行計算而求出。
又,聚合物B可為聚羥基烷酸酯系聚合物之2種以上之摻合物。
聚合物B之重量平均分子量(Mw)可為1萬~100萬,較佳為2萬~80萬,更佳為3萬~60萬。藉由使重量平均分子量(Mw)為1萬以上,可獲得衝擊強度及拉伸伸長率優異之成形體。又,藉由使重量平均分子量為50萬以下,使得在烯烴系聚合物A中之分散性變得良好。重量平均分子量可為40萬以下,亦可為30萬以下,亦可為20萬以下,亦可為10萬以下。再者,於本說明書中,重量平均分子量(Mw)係藉由GPC(Gel Permeation Chromatography,凝膠滲透層析法),使用標準聚苯乙烯作為分子量標準物質而測定。
聚合物B為熱塑性樹脂,較適宜為結晶性。
依據JIS K7210-2014,於溫度190℃及負載2.16 kgf之條件下所測定之聚合物B之熔體質量流率(MFR(B))較佳為0.1 g/10分鐘以上200 g/10分鐘以下。MFR(B)可為1 g/10分鐘以上,亦可為3 g/10分鐘以上,亦可為5 g/10分鐘以上,亦可為7 g/10分鐘以上。MFR(B)可為150 g/10分鐘以下,亦可為100 g/10分鐘以下,亦可為70 g/100分鐘以下、50 g/100分鐘以下、30 g/100分鐘以下、20 g/100分鐘以下。
聚合物B之熔點(Tm)為150℃以上,亦可為155℃以上、160℃以上、165℃以上、170℃以上或175℃以上。聚合物B之熔點(Tm)可為220℃以下,亦可為200℃以下,亦可為190℃以下。
聚合物B之熔點(Tm)係藉由依據JIS K7121之示差掃描熱量計(DSC)測定,求出基於結晶熔融之主峰之位置,根據該主峰之位置而測定。
聚羥基烷酸酯系聚合物可為微生物所生產者,亦可為源自由石油或植物原料所衍生之化合物(例如環狀內酯等)者。
聚羥基烷酸酯系聚合物可如由微生物所生產者般羥基烷酸酯之各重複單元僅由D體(R體)所構成,亦可如由D體(R體)及L體(S體)之混合物所衍生者般羥基烷酸酯之重複單元包含D體(R體)及L體(S體)兩者。
於由微生物所生產之聚(3-羥基烷酸酯)系聚合物中,(1)式之重複單元可表示為下式。(BI-1)式中,n表示聚合度。
[化1]
並且,例如由微生物所生產之聚(3-羥基丁酸酯)具有如下結構。(BI-2)式中,n表示聚合度。
[化2]
又,由微生物所生產之聚(3-羥基丁酸酯-共聚-3-羥基己酸酯)具有如下結構。(BI-3)式中,m及n表示聚合度。
[化3]
又,由微生物所生產之聚(3-羥基丁酸酯-共聚-4-羥基丁酸酯)具有如下結構。(BI-4)式中,m及n表示聚合度。
[化4]
聚合物B可具有生物降解性。
例如,聚(3-羥基烷酸酯)系聚合物可利用如下微生物而製造,如將源自豚鼠氣單胞菌(Aeromonascaviae)之PHA(Phytohemagglutinin,植物血球凝集素)合成酵素基因導入至真養產鹼桿菌(Alcaligenes eutrophus)所得之真養產鹼桿菌AC32株(基於布達佩斯條約之國際寄存,國際寄存當局:獨立行政法人產業技術綜合研究所專利生物寄存中心(日本茨城縣築波市東1丁目1番地1中央第6),原寄存日:1996年8月12日、1997年8月7日移交,寄存編號FERMBP-6038(自原寄存FERMP-15786移交))(J.Bacteriol., 179, 4821(1997))等。
(添加劑) 組合物可視需要包含添加劑。作為添加劑,可為選自由穩定劑、防菌劑、防黴劑、分散劑、塑化劑、阻燃劑、黏著賦予劑、著色劑、金屬粉末、有機粉末、無機纖維、有機纖維、有機及無機之複合纖維、無機晶鬚及填充劑所組成之群中之至少一種。
穩定劑之例為選自由潤滑劑、防老化劑、抗氧化劑、熱穩定劑、耐光劑、耐候劑、金屬減活劑、紫外線吸收劑、光穩定劑及銅毒抑制劑所組成之群中之至少一種。耐光劑之例為受阻胺系耐光劑。
著色劑之例為選自由氧化鈦、碳黑及有機顏料所組成之群中之至少一種。金屬粉末之例為鐵氧體等氧化鐵。
有機粉末之例為蛋白質、聚酯(聚羥基烷酸酯系聚合物除外)、芳香族聚醯胺、纖維素及維尼綸。無機纖維之例為玻璃纖維及金屬纖維。有機纖維之例為碳纖維及芳香族聚醯胺纖維。無機晶鬚之例為鈦酸鉀晶鬚。
填充劑之例為選自由玻璃珠、玻璃氣球、玻璃鱗片等玻璃粉、矽酸鹽礦物、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、鋇鐵氧體、鍶鐵氧體、氧化鈹、氫氧化鎂、氫氧化鋁、鹼性碳酸鎂、碳酸鎂、碳酸鹽礦物、硫酸鈣、硫酸鎂、鹼性硫酸鎂、亞硫酸鈣、硫化鎘、石綿、雲母、碳酸鈣、滑石、二氧化矽、矽酸鈣、水滑石、高嶺土、矽藻土、石墨、浮石、硬橡膠粉(evo powder)、棉絨、軟木粉、硫酸鋇、氟樹脂、纖維素粉及木粉所組成之群中之至少一種。
添加劑為粒子之情形時之形狀並無限定,可為板狀、針狀或纖維狀。
就顆粒或組合物之剛性、耐衝擊性及尺寸穩定性之觀點而言,較佳為無機添加劑,更佳為作為板狀矽酸鹽礦物之滑石。
組合物可僅包含1種上述添加劑,亦可包含2種以上之組合。
於組合物中,添加劑可包含於烯烴系聚合物A及聚合物B之任一者中。添加劑可於烯烴系聚合物A之連續相中形成與聚合物B不同之分散相。
藉由動態機械分析(DMA)法所求出之組合物之相對於溫度之損失彈性模數E''的曲線中之峰可為複數個(例如2個峰),較適宜為1個(單峰)。
DMA法可如下進行,即,對於切成短條狀之0.3 mm厚之測定試樣,於測定頻率5 Hz、拉伸之測定模式下,自測定溫度-150℃以2℃/分鐘之升溫速度階段性地升溫,進行測定直至試樣熔融而無法測定為止。應變於0.1%以下之範圍內進行。
於該曲線中之峰為一個之情形時,該峰之溫度對應於玻璃轉移溫度Tg。組合物之玻璃轉移溫度Tg可為-70℃~150℃。
(表皮部) 於上述實施方式中,揭示了顆粒之剖面CS之海島結構(形態)整體上均勻之例,但顆粒10亦可如圖4所示,具有核心部10C、及設置於核心部10C之周圍且與核心部10C組成不同之筒狀表皮部10S。表皮部10S之外周面露出於顆粒10之表面。
表皮部10S之厚度可為0.1~100 μm。表皮部10S之厚度可相對於顆粒之半徑D/2為1~10%。
於顆粒10具有核心部10C及表皮部10S之情形時,核心部10C具有如圖3所示之上述海島結構,剖面CS之核心部10C之觀察圖像滿足上述必要條件(1)及(2)。
另一方面,於表皮部10S中,烯烴系聚合物A為連續相,聚合物B為分散相。於表皮部10S中,相對於烯烴系聚合物A及聚合物B之合計100質量份,聚合物B之含量可為1~49質量份,烯烴系聚合物A之含量可為51~99質量份。
顆粒整體之組成可為以不具有表皮部之形態所說明之組成。
若顆粒10具有此種表層,則存在可抑制線料或顆粒之表面之粗糙或黏膩之情況。
(顆粒之製造方法) 本實施方式之顆粒之製造方法係上述顆粒之製造方法。
該製造方法包括將上述烯烴系聚合物A及上述聚合物B於150~210℃之溫度下進行熔融混練之步驟。此處,可將烯烴系聚合物A及聚合物B之全部一次性進行熔融混練,亦可將烯烴系聚合物A及聚合物B之一部分進行熔融混練而獲得預混練物,繼而將烯烴系聚合物A及聚合物B之餘量加入至預混練物中進而進行熔融混練而獲得組合物。
於本實施方式中,進而具備:將藉由熔融混練所獲得之組合物自模具擠出而獲得線料之步驟;對線料進行冷卻而使其固化之步驟;將已固化之線料進行切割之步驟。於另一實施方式中,具備:將藉由熔融混練所獲得之組合物自模具擠出而獲得線料之步驟;一面對線料進行冷卻一面進行切割之步驟。
可使線料與水接觸而使其固化,亦可於傳送帶上等藉由與空氣等氣體接觸而使線料固化。
關於模具、冷卻裝置、切割裝置,可利用公知者。
藉由將組合物中之烯烴系聚合物A及聚合物B之質量比設為相對於烯烴系聚合物A及聚合物B之合計100質量份,烯烴系聚合物A之含量為1~49質量份,上述聚合物B之含量為51~99質量份,而容易具有上述海島結構。 又,藉由使組合物中之MFR(A)/MFR(B)為1.5以上,而容易具有上述結構。
藉由使組合物中之MFR(A)/MFR(B)為1.5以上,而容易製造具有表皮部之顆粒。
(適於製造顆粒之組合物) 本實施方式之組合物係包含烯烴系聚合物A及聚合物B者。聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物。將該組合物於180℃下進行熔融混練而獲得熔融狀態之線料,對上述熔融狀態之線料進行冷卻而使其固化,將已固化之線料進行切割而獲得之例如柱狀顆粒之剖面之觀察圖像滿足必要條件(1)及必要條件(2)。 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相。 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的分散相。 (其中,顆粒之剖面係包含顆粒之中心且與顆粒之軸平行之剖面,觀察圖像係掃描式電子顯微鏡之觀察圖像)
本實施方式之組合物係進行熔融混練而獲得熔融狀態之線料,對上述熔融狀態之線料進行冷卻而使其固化,將已固化之線料進行切割,藉此獲得上述柱狀顆粒者。因此,本實施方式之組合物本身無需具有柱狀顆粒之形狀,其剖面結構亦無需滿足必要條件(1)及(2)。
作為該組合物之具體之形狀,有烯烴系聚合物A之粉體及聚合物B之粉體之混合物、包含烯烴系聚合物A及聚合物B之組合物之球形顆粒等。
關於該組合物之組成,可設為與上述顆粒之組成相同。
(使用顆粒之複合物之製造方法) 本實施方式之組合物(複合物)之製造方法包括將上述顆粒及烯烴系聚合物C於150~210℃之溫度下進行熔融混練而獲得組合物Y之步驟。
作為烯烴系聚合物C,可例舉上述烯烴系聚合物A中所例舉者。顆粒中之烯烴系聚合物A與烯烴系聚合物C可相同,亦可不同。
顆粒與烯烴系聚合物C之混合比率並無特別限定,可適當調整以使所獲得之組合物Y中之聚合物B之組成成為所需值。
組合物Y可適當包含添加劑。添加劑可源自顆粒,亦可與顆粒分開另外添加。作為添加劑,可例舉上述者。
(使用顆粒之成形體之製造方法) 本實施方式之成形體之製造方法包括:將上述顆粒及烯烴系聚合物C進行混合而獲得混合物之步驟;及使混合物成形之步驟。使混合物成形之步驟具體而言係將混合物供給至成形機之原料供給口,利用成形機使混合物成形而製造成形體之步驟。可於成形機之外將混合顆粒及烯烴系聚合物C所獲得之混合物供給至成形機之原料供給口。亦可使用獨立之送料機將顆粒及烯烴系聚合物C分別供給至成形機之原料供給口,於原料供給口將顆粒及烯烴系聚合物C進行混合。
作為烯烴系聚合物C,可例舉上述烯烴系聚合物A中所例舉者。顆粒中之烯烴系聚合物A與烯烴系聚合物C可相同,亦可不同。
顆粒與烯烴系聚合物C之混合比率並無特別限定,可適當調整以使所獲得之組合物中之聚合物B之組成成為所需值。
混合物可適當包含添加劑。添加劑可源自顆粒,亦可與顆粒分開另外添加,亦可源自烯烴系聚合物C。作為添加劑,可例舉上述者。
於將顆粒及烯烴系聚合物C進行混合而獲得混合物之步驟中,顆粒及烯烴系聚合物C可以固體狀態而非熔融狀態進行混合。於該情形時,將顆粒及烯烴系聚合物C進行混合時之溫度可設為常溫。 又,將顆粒及烯烴系聚合物C進行混合而獲得混合物之步驟亦可為將顆粒及烯烴系聚合物C於150~210℃之溫度下進行熔融混練而獲得組合物Y之步驟。 成形時之溫度可設為150~230℃。
成形時,可使用射出成形法、擠出成形法、真空成形法、壓空成形法、加壓成形法、發泡成形法、吹塑成形法、旋轉成形法等公知之樹脂成形方法。所獲得之成形體之形狀並無特別限定。
上述成形體可廣泛地用作樹脂材料。
作為本發明之組合物之用途,可例舉:室外構件、傢俱及室內裝飾構件、房屋構件、玩具構件、園藝構件、汽車構件、包裝材料。作為室外構件,例如可例舉汽車棚構件、圍欄(fence)構件、門構件、門柱構件、支柱(post)構件、自行車站點(Cycle Port)構件、蓋板(deck)構件、陽光房構件、屋頂構件、露台構件、扶手構件、遮陽構件、遮篷(awning)構件等;作為傢俱及室內裝飾構件,例如可例舉沙發構件、桌子構件、椅子構件、床構件、衣櫃構件、櫥櫃(cabinet)構件、梳妝台構件等;作為家電構件,例如可例舉鐘錶用構件、手機構件、白色家電構件等;作為玩具構件,例如可例舉塑膠模型構件、立體模型(diorama)構件、視訊遊戲本體構件等;作為園藝構件,例如可例舉花盆(planter)構件、花瓶構件、種植盆用構件等;作為汽車構件,例如可例舉保險桿材料、儀錶面板材料、安全氣囊罩材料等;作為包裝材料,例如可例舉食品用包裝材料、纖維用包裝材料、雜貨用包裝材料等。進而,作為其他用途,例如可例舉:顯示器用構件、辦公自動化(OA)用機器構件、醫療用構件、排水盤、化妝品(toiletry)構件、瓶子、容器、除雪用品構件、各種建築用構件等。 [實施例]
以下,示出實施例來對本發明具體地進行說明。但,本發明並不限定於以下所示之實施例。
於以下說明中,表示量之「%」及「份」只要無特別說明,便以質量為基準。又,以下說明之操作只要無特別說明,便於常溫及常壓之條件下進行。
[實施例及比較例中使用之成分] 將實施例及比較例中所使用之成分示於以下。
(烯烴系聚合物(A-1):丙烯均聚物) 使用藉由日本專利特開2004-182981號公報之實施例1中所記載之方法所獲得之聚合觸媒,藉由液相-氣相聚合法來製造作為烯烴系聚合物之丙烯均聚物(A-1)。物性如下所示。 ・熔體流動速率(190℃,負載2.16 kgf):51 g/10分鐘
(烯烴系聚合物(A-2):丙烯均聚物) 使用藉由日本專利特開2004-182981號公報之實施例1中所記載之方法所獲得之聚合觸媒,藉由液相-氣相聚合法來製造作為烯烴系聚合物之丙烯均聚物(A-2)。物性如下所示。 ・熔體流動速率(190℃,負載2.16 kgf):1.0 g/10分鐘
(聚合物(B-1):聚(3-羥基丁酸酯) Newlight Technologies公司製造 ・熔體流動速率(190℃,負載2.16 kgf):1.6 g/10分鐘
(聚合物(B-2):聚(3-羥基丁酸酯) Newlight Technologies公司製造 ・熔體流動速率(190℃,負載2.16 kgf):7.9 g/10分鐘
添加劑使用以下成分。
(添加劑1) 住友化學公司製造之抗氧化劑「Sumilizer GA80」
(添加劑2) BASF公司製造之抗氧化劑「IRGANOX1010」
(添加劑3) BASF公司製造之抗氧化劑「IRGAFOS168」
(添加劑4) 帝人公司製造之環狀碳二醯亞胺「Carbosista TCC-NP」
(添加劑5) 協和化學工業公司製造之水滑石「DHT-4C」
[實施例1] 分別稱量10重量份之烯烴系聚合物(A-1)、90重量份之聚合物(B-1)、作為添加劑之0.2重量份之「IRGANOX1010」、0.2重量份之「IRGAFOS168」、2.0重量份之「Carbosista TCC-NP」後,將全部成分混合,使用東洋精機製作所製造之螺桿直徑為20 mm之雙軸混練機Labo Plastomill,將料筒溫度設為180℃,於螺桿轉速90 rpm之條件下進行混練並自模孔擠出,將所擠出之熔融狀態之線料浸漬於冷卻水槽中而進行冷卻固化,利用造粒機進行切割而獲得組合物之顆粒。顆粒為圓柱形狀,軸向長度L為3.4 mm,直徑D為1.9 mm。所獲得之顆粒(組合物)之MFR為5.7 g/10分鐘。
[實施例2] 分別稱量10重量份之烯烴系聚合物(A-1)、90重量份之聚合物(B-2)、作為添加劑之0.2重量份之「Sumilizer GA80」、0.2重量份之「IRGAFOS168」、0.5重量份之「Carbosista TCC-NP」後,將全部成分混合,使用Tanabe Plastic Machine製造之螺桿直徑為40 mm之單軸混練機,將料筒溫度設為180℃,於螺桿轉速35 rpm之條件下進行混練並自模孔擠出,將所擠出之熔融狀態之線料浸漬於冷卻水槽中而進行冷卻固化,利用造粒機進行切割而獲得組合物之顆粒。運轉時之馬達負載為16 A。顆粒為圓柱形狀,軸向長度L為3.4 mm,直徑D為2.0 mm。
所獲得之顆粒(組合物)之MFR為3.7 g/10分鐘。
[比較例1] 分別稱量100重量份之聚合物(B-2)、作為添加劑之0.2重量份之「Sumilizer GA80」、0.2重量份之「IRGAFOS168」、0.5重量份之「Carbosista TCC-NP」後,將全部成分混合,使用Tanabe Plastic Machine製造之螺桿直徑為40 mm之單軸混練機,將料筒溫度設為180℃,於螺桿轉速35 rpm之條件下進行混練並自模孔擠出,將所擠出之熔融狀態之線料浸漬於冷卻水槽中而進行冷卻固化,利用造粒機進行切割而獲得組合物之顆粒。運轉時之馬達負載為21A。於線料表面確認到黏膩。又,線料柔軟,有時會捲繞於造粒機之導輥上。線料(顆粒)為圓柱形狀,軸向長度L為3.6 mm,直徑D為2.5 mm。所獲得之組合物之MFR為3.0 g/10分鐘。
[比較例2] 分別稱量10重量份之烯烴系聚合物(A-2)、90重量份之聚合物(B-2)、作為添加劑之0.2重量份之「Sumilizer GA80」、0.2重量份之「IRGAFOS168」、0.2重量份之「Carbosista TCC-NP」、0.02重量份之「DHT-4C」後,將全部成分混合,使用Tanabe Plastic Machine製造之螺桿直徑為40 mm之單軸混練機,將料筒溫度設為180℃,於螺桿轉速35 rpm之條件下進行混練並自模孔擠出,將所擠出之熔融狀態之線料浸漬於冷卻水槽中而進行冷卻固化,利用造粒機進行切割而獲得組合物之顆粒。運轉時之馬達負載為20A。線料表面存在黏膩及表皮粗糙,於加工時發生了線料斷開。線料(顆粒)為圓柱形狀,軸向長度L為3.5 mm,直徑D為3.1 mm。
所獲得之組合物之MFR為5.5 g/10分鐘。
[評估] [熔體流動速率] 於190℃、負載2.16 kgf之條件下,依據JIS K7210-1:2014及K7210-2:2014進行測定。
[顆粒之剖面之形態之觀察] (試樣製作方法) 將實施例1~2、比較例1~2之顆粒分別以環氧樹脂進行包埋,利用超薄切片機來形成圖2所示之包含顆粒之軸AX且包含中心GC之剖面後,利用RuO 4於60℃下進行1.5小時剖面染色。於染色後利用超薄切片機再次形成剖面後,進行剖面之Pt-Pd蒸鍍。
(裝置、條件) 實施例1係於以下之裝置、條件下進行觀察。
裝置:掃描式電子顯微鏡(SEM) HITACHI公司製造之SU8020 條件:加速電壓4 kV 觀察倍率(反射電子圖像)5,000倍 實施例2、比較例1~2係於以下之裝置、條件下進行觀察。
裝置:掃描式電子顯微鏡(SEM) JEOL公司製造之JSM-7600F 條件:加速電壓5 kV 觀察倍率(反射電子圖像)5,000倍
[配向成5 μm以上之烯烴系聚合物A之分散相之測定] 利用掃描式電子顯微鏡所拍攝之剖面之反射電子圖像照片為400 μm 2之面積。觀察反射電子圖像照片,測量配向成長度5 μm以上之烯烴系聚合物A之分散相(島)之數量。對觀察視野未重疊之3張反射電子圖像照片進行此操作,根據合計之條數求出1200 μm 2之面積中之配向成長度5 μm以上之烯烴系聚合物A之分散相的數量。又,亦求出分散相之長徑比之算術平均值。再者,將由軸向長度L'相對於與軸AX正交之方向之長度D'之比所定義之長徑比L'/D'為2以上者作為分散相。
[生產穩定性] 於將自模孔擠出之熔融狀態之線料於冷卻水槽中冷卻,並利用造粒機將線料進行切割而使其顆粒化之步驟中,將可無缺陷地連續地製造之情形設為「○」,將自模孔至冷卻水槽為止之間發生了線料斷開之缺陷之情形設為「×」。
[線料冷卻固化性] 將冷卻水槽中經冷卻固化之線料無缺陷,可利用造粒機將線料進行切割而使其顆粒化之情形設為「○」,將冷卻後線料亦柔軟,有時捲繞於造粒機之導輥之情形設為「×」。
[線料表面狀態] 將於冷卻水槽中經固化之線料之表面未觀察到粗糙之情形設為「○」,將觀察到粗糙之情形設為「×」。
[線料表面狀態] 將於冷卻水槽中經固化之線料之表面未確認到黏膩之情形設為「○」,將確認到黏膩之情形設為「×」。
將結果及條件示於表1中。
[表1]
表1    單位 實施例1 實施例2 比較例1 比較例2
組成 丙烯系聚合物A (A-1) 質量份 10 10      
(A-2) 質量份          10
聚合物B (B-1) 質量份 90         
(B-2) 質量份    90 100 90
MFR比(A)/(B) - 31.9 6.5 - 0.1
物性 MFR 190℃ 21 N g/10分鐘 5.7 3.7 3.0 5.5
連續相    聚合物B 聚合物B 聚合物B 聚合物B
分散相(域(domain))    聚合物A 聚合物A - 聚合物A
分散狀態(長度5 μm以上之域數量) 24 22 0 2
長徑比(平均值) - 16.3 20.7 - 8.0
製造 狀況 生產穩定性 - ×
線料之冷卻固化性 - × -
線料表面粗糙 - ×
線料黏膩 - × ×
於滿足必要條件1及必要條件2之實施例1及實施例2中,線料之斷開或線料向導輥之捲繞得到抑制,可穩定生產顆粒。又,於實施例1、2中,在顆粒及線料之周面上確認到分散相為聚合物B且連續相為烯烴系聚合物A之表層。於實施例1及2中,亦未確認到線料表面粗糙或黏膩。
10:顆粒 10a:端面 10ac:端面之中心 10b:端面 10bc:端面之中心 10C:核心部 10c:周面 10S:表皮部 A:烯烴系聚合物 AX:軸 B:聚合物 CS:剖面 D:直徑 GC:中心 L:長度
圖1係一實施方式之柱狀顆粒之立體圖。 圖2係表示圖1之顆粒之剖面CS之模式圖。 圖3係表示顆粒之剖面CS之掃描式電子顯微鏡照片之一例的模式圖。 圖4係另一實施方式之柱狀顆粒之剖面模式圖。
10:顆粒
10a:端面
10ac:端面之中心
10b:端面
10bc:端面之中心
10c:周面
AX:軸
D:直徑
L:長度

Claims (11)

  1. 一種顆粒,其係包含烯烴系聚合物A及聚合物B者,且 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2), 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相; 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相。
  2. 如請求項1之顆粒,其中相對於上述烯烴系聚合物A及上述聚合物B之合計100質量份,上述烯烴系聚合物A之含量為1~49質量份,上述聚合物B之含量為51~99質量份。
  3. 如請求項1或2之顆粒,其中將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述烯烴系聚合物A之熔體質量流率設為MFR(A),將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述聚合物B之熔體質量流率設為MFR(B), MFR(A)/MFR(B)為1.5以上。
  4. 如請求項1或2之顆粒,其中MFR(A)/MFR(B)為5.5以上。
  5. 一種顆粒之製造方法,其係包含烯烴系聚合物A及聚合物B之顆粒之製造方法,且 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2), 上述顆粒之製造方法包括將上述烯烴系聚合物A及上述聚合物B於150~210℃之溫度下進行熔融混練之步驟, 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相; 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相。
  6. 如請求項5之顆粒之製造方法,其中將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述烯烴系聚合物A之熔體質量流率設為MFR(A),將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述聚合物B之熔體質量流率設為MFR(B), MFR(A)/MFR(B)為1.5以上。
  7. 一種組合物之製造方法,其包括將顆粒及烯烴系聚合物C於150~210℃之溫度下進行熔融混練之步驟,且 上述顆粒包含烯烴系聚合物A及聚合物B, 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2), 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相; 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相。
  8. 如請求項7之組合物之製造方法,其中將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述烯烴系聚合物A之熔體質量流率設為MFR(A),將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述聚合物B之熔體質量流率設為MFR(B), MFR(A)/MFR(B)為1.5以上。
  9. 一種成形體之製造方法,其包括將顆粒及烯烴系聚合物C進行混合而獲得混合物之步驟、以及 使上述混合物成形之步驟,且 上述顆粒包含烯烴系聚合物A及聚合物B, 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面的掃描式電子顯微鏡之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2), 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相; 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相。
  10. 如請求項9之成形體之製造方法,其中將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述烯烴系聚合物A之熔體質量流率設為MFR(A),將於溫度190℃、負載2.16 kgf之條件下所測定之上述聚合物B之熔體質量流率設為MFR(B), MFR(A)/MFR(B)為1.5以上。
  11. 一種組合物,其係包含烯烴系聚合物A及聚合物B者,且 上述聚合物B係具有150℃以上之熔點之聚羥基烷酸酯系聚合物, 將上述組合物於180℃下進行熔融混練而獲得熔融狀態之線料,對上述熔融狀態之線料進行冷卻而使其固化,將已固化之線料進行切割而獲得顆粒,所獲得之顆粒之剖面之觀察圖像滿足下述必要條件(1)及必要條件(2), 必要條件(1):上述烯烴系聚合物A為分散相,上述聚合物B為連續相; 必要條件(2):於觀察面積1200 μm 2之中,觀察到3個以上之上述顆粒之軸向之長度為5 μm以上的上述烯烴系聚合物A之分散相 (其中,上述顆粒之剖面係包含上述顆粒之中心且與上述顆粒之軸平行之剖面,觀察圖像係掃描式電子顯微鏡之觀察圖像)。
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