TW202345654A

TW202345654A - 光學薄膜之評估方法

Info

Publication number: TW202345654A
Application number: TW112108735A
Authority: TW
Inventors: 野口光貴; 德岡咲美; 後藤周作
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2022-03-14
Filing date: 2023-03-09
Publication date: 2023-11-16
Also published as: WO2023176585A1

Abstract

本發明可正確評估光學薄膜之光學軸。本發明實施形態之評估方法，係光學薄膜之評估方法；該評估方法包含下述步驟：於基板上配置前述光學薄膜，該基板係於外周具有直線部者；以前述基板之前述直線部作為基準，測定前述光學薄膜之光學軸；及根據前述基板與前述光學薄膜之位置關係來校正前述測定結果。

Description

光學薄膜之評估方法

本發明涉及光學薄膜之評估方法。

以液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如有機EL顯示裝置)為代表之影像顯示裝置急速普及。影像顯示裝置中，為了實現影像顯示、提高影像顯示之性能，一般係使用相位差構件、偏光構件等光學構件(例如參照專利文獻1)。

近年來，持續開發影像顯示裝置之新用途。例如，開始將用以實現Virtual Reality(VR)之附顯示器之護目鏡(VR護目鏡)產品化。隨著影像顯示裝置之用途的擴展，而對包含上述光學構件之光學薄膜期望具有因應用途之形狀。先前技術文獻專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2021-103286號公報

發明欲解決之課題然而，有時會因形狀而難以正確掌握光學薄膜之光學軸。

有鑑於上述，本發明主要目的在於正確評估光學薄膜之光學軸。

用以解決課題之手段 1.本發明實施形態之評估方法，係光學薄膜之評估方法；該評估方法包含下述步驟：於基板上配置前述光學薄膜，該基板係於外周具有直線部者；以前述基板之前述直線部作為基準，測定前述光學薄膜之光學軸；及根據前述基板與前述光學薄膜之位置關係來校正前述測定結果。 2.在如上述1之評估方法中，於上述基板之外周亦可形成有沿第一方向延伸之第一直線部與沿第二方向延伸之第二直線部，且上述基板具有前述第一直線部與前述第二直線部相交之角部。 3.在如上述1或2之評估方法中，上述基板亦可在光學上為各向同性。 4.在如上述1至3中任一項之評估方法中，上述基板之全光線透射率亦可為85%以上。 5.在如上述1至4中任一項之評估方法中，上述基板之霧度亦可為5%以下。 6.在如上述1至5中任一項之評估方法中，上述光學薄膜於外周亦可不具有直線部。 7.在如上述1至6中任一項之評估方法中，上述光學薄膜亦可具有用以對前述基板定位之定位部。

8.本發明另一實施形態之測定裝置，係測定光學薄膜之光學軸的測定裝置；該測定裝置具備：基板，其係於外周具有直線部，且供配置前述光學薄膜者；試樣保持部，其具有供載置前述基板之載置面、及相對於前述載置面為直立之限制面；測定部，其可測定前述光學薄膜之光學軸；且該測定裝置係在前述基板之前述直線部對接於前述限制面之狀態下進行前述測定。 9.本發明又另一實施形態之基板係用於測定光學薄膜之光學軸且供配置前述光學薄膜者，且該基板於外周具有直線部。

發明效果根據本發明實施形態之評估方法，可正確評估光學薄膜之光學軸。

用以實施發明之形態以下參照圖式針對本發明實施形態進行說明，惟本發明不受該等實施形態所限。為了更明確說明圖式，相較於實施形態，有將各部分之寬度、厚度、形狀等示意顯示之情形，但僅為一例，非用以限定解釋本發明。又，關於圖式，有時會對相同或同等之要素賦予相同符號，並省略重複說明。

(用語及符號之定義) 本說明書中之用語及符號之定義如下。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」為面內折射率達最大之方向(亦即慢軸方向)的折射率，「ny」為在面內與慢軸正交之方向(亦即快軸方向)的折射率，而「nz」為厚度方向的折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」係在23℃下以波長λnm之光測定之面內相位差。例如，「Re(550)」係在23℃下以波長550nm之光測定之面內相位差。Re(λ)可於令層(薄膜)之厚度為d(nm)時，藉由式：Re(λ)=(nx-ny)×d求出。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」係在23℃下以波長λnm之光測定之厚度方向之相位差。例如，「Rth(550)」係在23℃下以波長550nm之光測定之厚度方向之相位差。Rth(λ)可於令層(薄膜)厚度為d(nm)時，藉由式：Rth(λ)=(nx-nz)×d求出。 (4)Nz係數 Nz係數可藉由Nz=Rth/Re求出。 (5)角度本說明書中提及角度時，該角度包含相對於基準方向往順時針方向及逆時針方向兩方向。因此，例如「45°」係指±45°。

本發明實施形態之光學薄膜之光學軸之評估方法包含下述步驟：使光學薄膜配置於基板上而準備測定基板，該基板係於外周具有直線部者；以基板之直線部作為基準，測定光學薄膜之光學軸；及根據基板與光學薄膜之位置關係來校正測定結果。

作為評估對象之光學薄膜可具有光學軸。具體上，光學薄膜至少包含相位差構件，且可具有慢軸及快軸。相位差構件可具有任意適當之面內相位差Re(550)。相位差構件之面內相位差Re(550)例如為100nm~300nm。例如，當相位差構件可作為所謂的λ/4構件發揮功能時，其面內相位差Re(550)例如為100nm~190nm，可為110nm~180nm，可為130nm~160nm，亦可為135nm~155nm。

上述相位差構件代表上可為樹脂薄膜之延伸薄膜或液晶化合物之定向固化層。

上述樹脂薄膜所含之樹脂可列舉：聚碳酸酯系樹脂、聚酯碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯縮醛系樹脂、聚芳酯系樹脂、環狀烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂等。該等樹脂可單獨使用，亦可組合來使用。組合方法可舉例如摻合、共聚。相位差構件展現逆色散波長特性時，可適宜使用含聚碳酸酯系樹脂或聚酯碳酸酯系樹脂(以下有時僅稱為聚碳酸酯系樹脂)之樹脂薄膜。

上述聚碳酸酯系樹脂可使用任意適當之聚碳酸酯系樹脂。例如，聚碳酸酯系樹脂包含源自茀系二羥基化合物之結構單元、源自異山梨醇系二羥基化合物之結構單元及源自選自於由脂環式二醇、脂環式二甲醇、二、三或聚乙二醇、以及伸烷基二醇或螺甘油所構成群組中之至少1種二羥基化合物之結構單元。聚碳酸酯系樹脂宜包含源自茀系二羥基化合物之結構單元、源自異山梨醇系二羥基化合物之結構單元、源自脂環式二甲醇之結構單元以及/或是源自二、三或聚乙二醇之結構單元；更宜包含源自茀系二羥基化合物之結構單元、源自異山梨醇系二羥基化合物之結構單元及源自二、三或聚乙二醇之結構單元。聚碳酸酯系樹脂亦可視需求包含有源自其他二羥基化合物之結構單元。此外，可適宜用於相位差構件之聚碳酸酯系樹脂及相位差構件之形成方法的詳細內容，例如記載於日本專利特開2014-10291號公報、日本專利特開2014-26266號公報、日本專利特開2015-212816號公報、日本專利特開2015-212817號公報、日本專利特開2015-212818號公報中，本說明書即援用該等公報之記載作為參考。

以樹脂薄膜之延伸薄膜構成之相位差構件的厚度例如為10µm~100µm，宜為10µm~70µm，較宜為20µm~60µm。

上述液晶化合物之定向固化層係液晶化合物在層內於預定方向定向且其定向狀態經固定之層。此外，「定向固化層」之概念包含如後述使液晶單體硬化而得之定向硬化層。以相位差構件來說，代表上係棒狀液晶化合物沿相位差構件之慢軸方向排列之狀態下定向(沿面定向)。棒狀液晶化合物可舉例如液晶聚合物及液晶單體。液晶化合物宜可聚合。液晶化合物若可聚合，便可使液晶化合物於定向後進行聚合，藉此固定液晶化合物的定向狀態。

上述液晶化合物之定向固化層(液晶定向固化層)可藉由下述方式來形成：對預定基材之表面施行定向處理，並於該表面塗敷含液晶化合物的塗敷液，使該液晶化合物於對應上述定向處理之方向定向，並固定該定向狀態。定向處理可採用任意適當之定向處理。具體上可舉機械性定向處理、物理性定向處理、化學性定向處理。機械性定向處理的具體例可舉磨擦處理、延伸處理。物理性定向處理的具體例可舉磁場定向處理、電場定向處理。化學性定向處理的具體例可舉斜向蒸鍍法、光定向處理。各種定向處理的處理條件可按目的採用任意適當之條件。

液晶化合物的定向可因應液晶化合物的種類在可展現液晶相之溫度下進行處理來進行。藉由進行所述溫度處理，液晶化合物會變為液晶狀態，而該液晶化合物會因應基材表面之定向處理方向而定向。

在一實施形態中，定向狀態之固定係藉由冷卻依上述方式定向之液晶化合物來進行。當液晶化合物為聚合性或交聯性時，定向狀態之固定係藉由對依上述方式定向之液晶化合物施行聚合處理或交聯處理來進行。

上述液晶化合物可使用任意適當之液晶聚合物及/或液晶單體。液晶聚合物及液晶單體各自可單獨使用，亦可組合。液晶化合物之具體例及液晶定向固化層之製作方法記載於例如日本專利特開2006-163343號公報、日本專利特開2006-178389號公報、國際公開第2018/123551號公報中。本說明書即援用該等公報之記載作為參考。

以液晶定向固化層構成之相位差構件的厚度例如為1µm~10µm，宜為1µm~8µm，較宜為1µm~6µm，更宜為1µm~4µm。

圖1係從上方觀看本發明一實施形態之測定基板的圖。測定基板6具有基板4、與配置於基板4上之光學薄膜2。基板4具有預定厚度(例如0.5mm~10mm)，且彼此相對向之兩主面為水平。基板4於外周具有俯視直線部。基板4於外周具有沿第一方向延伸之第一直線部4a與沿第二方向延伸之第二直線部4b。而且，基板4具有第一直線部4a與第二直線部4b相交之角部4c。基板4係第一方向與第二方向大致正交，且其俯視形狀呈大致矩形，惟基板之俯視形狀只要於外周之至少一部分形成有直線部，則無特別限定。例如，最長直線部分的長度相對於外周全長的比率大於0.1。

上述測定基板所用之基板宜在光學上為各向同性。藉由使用在光學上為各向同性之基板，可抑制對於光學薄膜之光學軸之評估所造成的影響。本說明書中，「在光學上為各向同性」意指面內相位差Re(590)為0nm~10nm。上述測定基板所用之基板之面內相位差Re(590)較宜為1nm以下，更宜為0.1nm以下，尤宜為0.05nm以下，最宜為0.01nm以下。上述測定基板所用之基板之厚度方向的相位差Rth(590)宜為-10nm~+10nm。

基板之全光線透射率宜為85%以上，較宜為88%以上，更宜為90%以上。基板之霧度宜為5%以下，較宜為3%以下，更宜為1%以下。藉由使用所述基板，可抑制對於光學薄膜之光學軸之評估所造成的影響。基板宜使用譬如玻璃基板。

光學薄膜2於外周不具有直線部。本說明書中，「於外周不具有直線部」係指最長直線部分的長度相對於外周全長的比率為0.1以下。於圖式例中，光學薄膜係做成大致橢圓形，但不限定於此，例如亦可為大致圓形。

雖未圖示，但光學薄膜2亦可透過任意適當之層而配置於基板4上。例如，光學薄膜2宜透過接著劑層、黏著劑層等之接著層而固著於基板4上。

光學薄膜之光學軸的測定係使用上述測定基板來進行。光學軸之測定裝置可使用任意適當之裝置。光學軸之測定裝置可舉例如王子計測器股份公司製之KOBRA-WPR。

代表上，於測定光學軸時，係將上述測定基板載置於測定裝置之治具上。圖2A係從上方觀看於測定裝置之治具上載置有圖1所示測定基板之狀態之一例的圖，圖2B係從橫向觀看於測定裝置之治具上載置有圖1所示測定基板之狀態之一例的圖。測定裝置之試樣保持治具8具有以水平面構成之載置面8a、與相對於載置面8a為直立之限制面8b。測定基板6(基板4)係以第一直線部4a對接於試樣保持治具8之限制面8b之狀態載置於載置面8a上。基板4具有包含第一直線部4a之端面41，且端面41對接於限制面8b。相較於不使用基板4之情況，藉由使用基板4來評估光學薄膜2之光學軸，可大幅提升評估精度。將形成角部4c之第一直線部4a對接於限制面8b，可更提升評估精度。此外，雖未圖示，但於試樣保持治具8除了設有限制面8b以外，亦可還設有用以將試樣保持治具8安裝於測定裝置之基準部等。

根據基板與光學薄膜之位置關係來校正使用有測定基板之光學薄膜之光學軸的測定結果。基板與光學薄膜之位置關係例如可使用影像測定機進行座標化(數值化)。影像測定機可舉例如Nikon公司製之NEXIV系列。

基板與光學薄膜之位置關係例如可藉由基板之直線部與連結光學薄膜之任意地點或任意2點之線的距離、角度來決定。光學薄膜2具有定位部2a、2a，其等係用以對基板4之第一直線部4a定位光學薄膜2之位置。在圖式例中，定位部2a係做成在俯視下外周被局部切除之切口部，惟不受此限。定位部例如可為在俯視下外周局部突出之突出部，亦可為設於光學薄膜之面內的記號。

上述光學薄膜除了包含相位差構件以外，還可包含其他構件。其他構件之具體例可舉偏光構件等光學構件。上述光學薄膜可用於任意適當之影像顯示裝置。上述光學薄膜例如可用於VR護目鏡。

圖3係示意圖，顯示VR護目鏡之顯示系統之一例的概略構成，且圖3示意圖示出顯示系統之各構成要素的配置及形狀等。顯示系統10具備有：顯示元件12、反射型偏光構件14、第一透鏡部16、半反射鏡18、第1λ/4構件20、第2λ/4構件22及第二透鏡部24。反射型偏光構件14係配置於顯示元件12之顯示面12a側即前方，其可反射從顯示元件12射出之光。第一透鏡部16係配置於顯示元件12與反射型偏光構件14之間的光路上，半反射鏡18係配置於顯示元件12與第一透鏡部16之間。第1λ/4構件20係配置於顯示元件12與半反射鏡18之間的光路上，第2λ/4構件22係配置於半反射鏡18與反射型偏光構件14之間的光路上。

顯示元件12例如為液晶顯示器或有機EL顯示器，且具有用以顯示影像之顯示面12a。要從顯示面12a射出之光例如會通過顯示元件12可包含之偏光構件後射出，成為第1直線偏光。

第1λ/4構件20可將入射第1λ/4構件20之第1直線偏光轉換成第1圓偏光。第1λ/4構件20亦可設於顯示元件12上而成一體。

半反射鏡18係使從顯示元件12射出之光透射，並使被反射型偏光構件14反射之光朝反射型偏光構件14反射。半反射鏡18係設於第一透鏡部16上而成一體。

第2λ/4構件22可使在反射型偏光構件14及半反射鏡18反射之光透射反射型偏光構件14。第2λ/4構件22亦可設於第一透鏡部16上而成一體。

從第1λ/4構件20射出之第1圓偏光會通過半反射鏡18及第一透鏡部16，藉由第2λ/4構件22轉換成第2直線偏光。從第2λ/4構件22射出之第2直線偏光不會透射反射型偏光構件14而朝半反射鏡18反射。此時，入射反射型偏光構件14之第2直線偏光的偏光方向係與反射型偏光構件14之反射軸同方向。因此，入射反射型偏光構件14之第2直線偏光會被反射型偏光構件14反射。

被反射型偏光構件14反射之第2直線偏光藉由第2λ/4構件22轉換成第2圓偏光，而從第2λ/4構件22射出之第2圓偏光係通過第一透鏡部16而被半反射鏡18反射。被半反射鏡18反射之第2圓偏光會通過第一透鏡部16，藉由第2λ/4構件22轉換成第3直線偏光。第3直線偏光會透射反射型偏光構件14。此時，入射反射型偏光構件14之第3直線偏光的偏光方向係與反射型偏光構件14之透射軸同方向。因此，入射反射型偏光構件14之第3直線偏光會透射反射型偏光構件14。

透射反射型偏光構件14之光會通過第二透鏡部24入射使用者之眼睛26。

顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與反射型偏光構件14之反射軸可配置成互相大致平行，亦可配置成大致正交。顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與第1λ/4構件20之慢軸構成的角度例如為40°~50°，可為42°~48°，亦可為約45°。顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與第2λ/4構件22之慢軸構成的角度例如為40°~50°，可為42°~48°，亦可為約45°。

第1λ/4構件20之面內相位差Re(550)例如為100nm~190nm，可為110nm~180nm，可為130nm~160nm，亦可為135nm~155nm。第1λ/4構件20宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。第1λ/4構件20之Re(450)/Re(550)例如為0.75以上且小於1，亦可為0.8以上且0.95以下。

第2λ/4構件22之面內相位差Re(550)例如為100nm~190nm，可為110nm~180nm，可為130nm~160nm，亦可為135nm~155nm。第2λ/4構件22宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。第2λ/4構件22之Re(450)/Re(550)例如為0.75以上且小於1，亦可為0.8以上且0.95以下。

雖未圖示，但顯示系統10亦可具備有配置於反射型偏光構件14之前方的吸收型偏光構件。反射型偏光構件之反射軸與吸收型偏光構件之吸收軸可配置成互相大致平行。

上述光學薄膜例如可包含上述顯示系統可具備之構件。具體上，光學薄膜可包含λ/4構件等相位差構件。又，光學薄膜可包含反射型偏光構件、吸收型偏光構件等偏光構件。並且，光學薄膜可包含保護構件、用以將相鄰之構件一體化之接著層等其他構件。光學薄膜之厚度會依例如所包含之構件的種類、數量而不同，但厚度例如為50µm~400µm。可應用於上述顯示系統之光學薄膜可具有對應第一透鏡部或第二透鏡部之形狀的形狀。例如，可設計成大致圓形、大致橢圓形等之於外周不具有直線部的形狀。此時，光學薄膜可設於第一透鏡部或第二透鏡部上而成一體。

圖4係顯示光學薄膜之詳細內容之一例的示意剖面圖。光學薄膜2包含：第2λ/4構件22，其可相當於上述相位差構件；另一相位差構件28，其配置於第2λ/4構件22之一側；及保護構件30，其配置於第2λ/4構件22之另一側。

第2λ/4構件22宜為折射率特性展現nx＞ny≧nz之關係。在此「ny=nz」不只ny與nz完全相同之情況，還包含實質上相同之情況。因此，在不損及本發明效果之範圍下可有成為ny＜nz之情形。第2λ/4構件之Nz係數宜為0.9~3，較宜為0.9~2.5，更宜為0.9~1.5，尤宜為0.9~1.3。

另一相位差構件28例如可使用折射率特性可展現nz＞nx=ny之關係的構件(所謂正C板)。正C板之厚度方向的相位差Rth(550)宜為-50nm~-300nm，較宜為-70nm~-250nm，更宜為-90nm~-200nm，尤宜為-100nm~-180nm。在此，「nx=ny」不僅包含nx與ny嚴格上相等之情況，還包含nx與ny實質上相等之情況。正C板之面內相位差Re(550)例如小於10nm。

正C板可以任意適當之材料形成，而正C板宜由含固定成垂面定向之液晶材料的薄膜構成。可使垂面定向的液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體，亦可為液晶聚合物。所述液晶化合物及正C板之形成方法的具體例可舉日本專利特開2002-333642號公報之段落[0020]~[0028]中記載之液晶化合物及該相位差層之形成方法。此時，正C板之厚度宜為0.5µm~5µm。

保護構件30代表上包含基材。基材可以任意適當之薄膜構成。成為構成基材之薄膜之主成分的材料，可舉例如：三醋酸纖維素(TAC)等之纖維素系樹脂、聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降𦯉烯系等之環烯烴系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系及乙酸酯系等之樹脂。基材之厚度宜為5µm~80µm，較宜為10µm~40µm，更宜為15µm~35µm。

保護構件30宜具有基材，再加上亦可具有形成於基材上之表面處理層。具有表面處理層之保護構件可配置成其基材位於第2λ/4構件22側。表面處理層可具有任意適當之功能。表面處理層例如宜具有抗反射功能。表面處理層之厚度宜為1µm~20µm，較宜為2µm~15µm，更宜為3µm~10µm。

雖未圖示，但光學薄膜2所含之各構件宜透過接著層而一體化。又，光學薄膜2亦可藉由未圖示之接著層(例如黏著劑層)設於上述顯示系統之第一透鏡部上而成一體。具體而言，光學薄膜2亦可於另一相位差構件28表面設置接著層，藉由該接著層貼合於第一透鏡部上。接著層可以接著劑形成，亦可以黏著劑形成。接著層之厚度例如為0.05µm~30µm，宜為3µm~20µm，更宜為5µm~15µm。

實施例以下，藉由實施例來具體說明本發明，惟本發明不受該等實施例所限。此外，厚度、相位差值、透射率及霧度係藉由下述測定方法測定之值。＜厚度＞ 1µm以下的厚度係使用掃描型電子顯微鏡(日本電子公司製，產品名「JSM-7100F」)進行測定。大於1μm的厚度係使用數位測微器(Anritsu公司製，產品名「KC-351C」)進行測定。＜相位差值＞使用王子計測器股份公司製之KOBRA-WPR進行測定。測定波長設為450nm、550nm及590nm，測定溫度設為23℃。＜全光線透射率＞使用日本電色公司製之MDH-4000，根據JIS K 7361進行測定。＜霧度＞依循JIS 7136使用霧度計(村上色彩科學研究所公司製，產品名「HN-150」)進行測定。

[實施例1] 準備厚度1.3mm且65mm×165mm尺寸之玻璃基板。該玻璃基板之面內相位差Re(590)為0nm，全光線透射率為92.26%，霧度為0.16%。

(λ/4構件之製作) 使用由2台具備有攪拌葉片及控制成100℃之回流冷卻器的直立式反應器構成之批次聚合裝置進行聚合。饋入雙[9-(2-苯氧基羰基乙基)茀-9-基]甲烷29.60質量份(0.046mol)、異山梨醇(ISB)29.21質量份(0.200mol)、螺甘油(SPG)42.28質量份(0.139mol)、碳酸二苯酯(DPC)63.77質量份(0.298mol)及作為觸媒的乙酸鈣一水合物1.19×10 ^-2質量份(6.78×10 ^-5mol)。將反應器內進行減壓氮取代後，以熱介質加溫，並於內溫達100℃之時間點開始攪拌。於升溫開始40分鐘後使內溫達到220℃，在以維持該溫度之方式進行控制的同時開始減壓，在達到220℃後以90分鐘使其成為13.3kPa。將隨聚合反應副生成之酚蒸氣導入100℃之回流冷卻器，使酚蒸氣中所含些許量之單體成分返回反應器，並將未凝聚之酚蒸氣導入45℃的凝聚器中回收。將氮導入第1反應器暫時使其回復到大氣壓後，將第1反應器內之經寡聚化的反應液移至第2反應器。接著，開始進行第2反應器內的升溫及減壓，並以50分鐘使內溫成為240℃、壓力成為0.2kPa。然後，進行聚合直到達到預定之攪拌功率。在達到預定功率之時間點將氮導入反應器中使壓力回復，並將所生成之聚酯碳酸酯系樹脂擠出至水中，裁切束狀物而獲得丸粒。

將所得聚酯碳酸酯系樹脂(丸粒)在80℃下真空乾燥5小時後，使用具備單軸擠製機(東芝機械公司製，缸筒設定溫度：250℃)、T型模(寬200mm，設定溫度：250℃)、冷卻輥(設定溫度：120~130℃)及捲取機之薄膜製膜裝置，製作出厚度135μm之長條狀樹脂薄膜。將所得長條狀樹脂薄膜以延伸溫度143℃、延伸倍率2.8倍往寬度方向延伸，而獲得厚度47μm之延伸薄膜。所得延伸薄膜之Re(590)為145nm，Re(450)/Re(550)為0.86，Nz係數為1.12。又，延伸薄膜之全光線透射率為96.81%，霧度為0.48%。

(正C板之形成) 將下述化學式(1)(式中之數字65及35表示單體單元之莫耳%，權宜上以嵌段聚合物表示：重量平均分子量5000)所示之側鏈型液晶聚合物20重量份、展現向列型液晶相之聚合性液晶(BASF公司製：商品名PaliocolorLC242)80重量份及光聚合引發劑(Ciba Specialty Chemicals公司製：商品名IRGACURE 907)5重量份溶解於環戊酮200重量份中，而調製出液晶塗敷液。接著，利用棒塗機將該塗敷液塗敷於已施行垂直定向處理之PET基材後，以80℃加熱乾燥4分鐘，藉此使液晶定向。對該液晶層照射紫外線使液晶層硬化，藉此於基材上形成厚度為4µm且Rth(550)為-100nm之正C板。 [化學式1]

(保護構件之製作) 將下述所示之抗反射層形成材料塗佈於具有內酯環結構之丙烯酸薄膜並以80℃加熱1分鐘，再以高壓水銀燈對加熱後之塗佈層照射累積光量300mJ/cm ²之紫外線使塗佈層硬化，而獲得形成有厚度0.1µm之抗反射層的丙烯酸薄膜(厚度44µm)。

(抗反射層形成材料) 混合以新戊四醇三丙烯酸酯為主成分之多官能丙烯酸酯(大阪有機化學工業股份公司製，商品名「Viscoat #300」，固體成分100重量%)100重量份、中空奈米二氧化矽粒子(日揮觸媒化成工業股份公司製，商品名「THRULYA 5320」，固體成分20重量%，重量平均粒徑75nm)150重量份、實心奈米二氧化矽粒子(日產化學工業股份公司製，商品名「MEK-2140Z-AC」，固體成分30重量%，重量平均粒徑10nm)50重量份、含氟元素之添加劑(信越化學工業股份公司製，商品名「KY-1203」，固體成分20重量%)12重量份及光聚合引發劑(BASF公司製，商品名「OMNIRAD907」，固體成分100重量%)3重量份。於該混合物中，添加以60：25：15重量比混合TBA(三級丁醇)、MIBK(甲基異丁基酮)及PMA(丙二醇單甲基醚乙酸酯)而成之混合溶劑作為稀釋溶劑，使整體之固體成分成為4重量%，並攪拌而調製出抗反射層形成用塗敷液。

(光學薄膜) 透過紫外線硬化型接著劑(硬化後之厚度1µm)將下述之上述正C板貼合於上述λ/4構件(延伸薄膜)上。接著，透過上述厚度5µm之黏著劑層將上述保護構件貼合於λ/4構件上，而獲得積層體。從所得積層體衝壓出32片如圖1所示之橢圓形光學薄膜。此外，係以預先掌握之λ/4構件之慢軸方向相對於所得光學薄膜之短邊方向成為45°之方向的方式進行衝壓。

(軸角度之測定) 將所得光學薄膜配置於上述玻璃基板上而獲得測定基板。具體上，係透過厚度12µm之黏著劑層將光學薄膜貼合於玻璃基板上而獲得測定基板。將所得測定基板載置於相位差測定裝置(王子計測器股份公司製，產品名「KOBRA-WPR」)之試樣保持治具上。具體上係如圖2所示，將測定基板之直線部對接於試樣保持治具之限制面。然後，在測定波長590nm、測定溫度為23℃±2℃及測定濕度60%±2%之條件下，測定光學薄膜之慢軸方向。具體上，係測定光學薄膜之慢軸方向相對於試樣保持治具之限制面所構成之軸角度。

(校正) 校正上述測定所得之軸角度，並評估光學薄膜之慢軸。具體上，係將測定基板中光學薄膜相對於玻璃基板之上邊的位置座標化，並算出貼合之偏移，再以所算出之偏移校正上述測定所得之軸角度。玻璃基板與光學薄膜位置之座標化係使用影像測定機(Nikon公司製，「NEXIV VMZ-R6555」)來進行。

[比較例1] 除了以下方面以外，依與實施例1相同方式評估光學薄膜之慢軸。・於軸角度之測定中，不使用玻璃基板而將光學薄膜直接載置於試樣保持治具上。具體上，係以橢圓形光學薄膜之短邊方向與試樣保持治具之限制面正交之方式對接。・不進行軸角度之校正。

將實施例1之評估結果及比較例1之測定結果的標準差(參差程度)列示於以下。比較例1中，在將光學薄膜載置於夾具上時容易產生偏移，而可謂測定值不一致。另一方面，實施例1中，由於使用玻璃基板而不易產生上述偏移且有進行校正，因此評估值之參差極低。

[表1]

本發明不受上述實施形態所限，可進行各種變形。例如，可以實質上與上述實施形態所示構成相同之構成、可發揮相同作用效果之構成或可達成相同目的之構成作取代。

產業上之可利用性本發明實施形態之評估方法可適宜用於評估光學薄膜之光學軸。

2:光學薄膜 2a:定位部 4:基板 41:端面 4a:第一直線部 4b:第二直線部 4c:角部 6:測定基板 8:試樣保持治具 8a:載置面 8b:限制面 10:顯示系統 12:顯示元件 12a:顯示面 14:反射型偏光構件 16:第一透鏡部 18:半反射鏡 20:第1λ/4構件 22:第2λ/4構件 24:第二透鏡部 26:使用者之眼睛 28:另一相位差構件 30:保護構件

圖1係從上方觀看本發明一實施形態之測定基板的圖。圖2A係從上方觀看於測定裝置之治具上載置有圖1所示測定基板之狀態之一例的圖。圖2B係從橫向觀看於測定裝置之治具上載置有圖1所示測定基板之狀態之一例的圖。圖3係示意圖，顯示VR護目鏡之顯示系統之一例的概略構成。圖4係顯示光學薄膜之詳細內容之一例的示意剖面圖。

2:光學薄膜

2a:定位部

4:基板

4a:第一直線部

4b:第二直線部

4c:角部

6:測定基板

Claims

一種評估方法，係光學薄膜之評估方法；該評估方法包含下述步驟：於基板上配置前述光學薄膜，該基板係於外周具有直線部者；以前述基板之前述直線部作為基準，測定前述光學薄膜之光學軸；及根據前述基板與前述光學薄膜之位置關係來校正前述測定結果。
如請求項1之評估方法，其中於前述基板之外周形成有沿第一方向延伸之第一直線部與沿第二方向延伸之第二直線部，且前述基板具有前述第一直線部與前述第二直線部相交之角部。
如請求項1之評估方法，其中前述基板在光學上為各向同性。
如請求項1之評估方法，其中前述基板之全光線透射率為85%以上。
如請求項1之評估方法，其中前述基板之霧度為5%以下。
如請求項1之評估方法，其中前述光學薄膜於外周不具有直線部。
如請求項1之評估方法，其中前述光學薄膜具有用以對前述基板定位之定位部。
一種測定裝置，係測定光學薄膜之光學軸的測定裝置；該測定裝置具備：基板，其係於外周具有直線部，且供配置前述光學薄膜者；試樣保持部，其具有供載置前述基板之載置面、及相對於前述載置面為直立之限制面；測定部，其可測定前述光學薄膜之光學軸；且該測定裝置係在前述基板之前述直線部對接於前述限制面之狀態下進行前述測定。
一種基板，係用於測定光學薄膜之光學軸且供配置前述光學薄膜者；且該基板於外周具有直線部。