TW202345437A - 複合式負極活性材料球 - Google Patents

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Abstract

本發明提出一種複合式負極活性材料球，其包含有一本質上無孔隙的導電金屬核，以及數個分佈在導電金屬核表面的矽或矽化合物顆粒，該些矽或矽化合物顆粒的部分體積嵌入導電金屬核中，以使該些矽或矽化合物顆粒在與鋰合金化或去合金化時仍與導電金屬核維持良好接觸，使該複合式負極活性材料球具備優異導電性能。

Description

複合式負極活性材料球
本發明係關於一種鋰電池的負極材料，尤指一種具有共用導電金屬核的複合式負極活性材料球。
由於鋰離子電池相較於其它的儲能裝置具有較高的能量密度和/或較長的壽命，因此廣泛應用於各種產品，如交通運輸的載具、消費性與工業應用的穿戴產品、可攜設備與儲能設備等等，幾乎遍及人類日常生活上的各領域。
鋰離子電池常用的負極活性材料為石墨，然而石墨因為理論放電的容量上限制(大約360mAh/g)，使其在高容量鋰電池中的使用受到限制，因此其它能與鋰合金化的材料，例如矽材料，逐漸受到重視，以取代石墨成為鋰離子電池的負極活性材料。然而，矽材料雖然具有4200mAh/g的理論容量顯著優異於石墨，但是矽材料在充電和放電期間會發生300%或更高的體積膨脹，膨脹的應力將導致矽材料沿著矽微晶(crystalline or boundary)破裂。
因此各種解決矽材料應用在鋰電池負極的嶄新架構被提出。舉例來說，採用矽的奈米級顆粒(nanoparticle)或者細線(nano wire)，以透過顆粒的微小化來增加表面，將體積膨脹的應力釋放，以避免碎裂。但是矽材 料奈米化後將需要使用更多的導電材與黏著劑，導致極層可進行電化學反應的活性材料比例大幅降低。另外，奈米化將造成表面積過大，分散不易，使得漿料的製備較為困難。再者，較大表面積也導致具較高阻值的SEI層的面積增加，並形成更大量的SEI層，造成鋰資源的浪費。因此，由數個奈米矽材料所堆疊團聚形成的二次微粒架構被提出，在此架構中，位於內部的矽雖然可避免形成SEI層，但依然無法避免與鋰反應所引起體積變異，導致原本抵接狀態的矽顆粒間產生間隙，使得透過抵接點擴散的鋰失去擴散途徑。
另一種被提出的架構是具有奈米孔洞的微米級矽球，其藉由奈米微孔的存在來分散體積膨脹所產生的應力。但是在相同重量下，具有奈米孔洞的微米級矽球的表面積與無孔洞的奈米級矽球表面積幾乎是相同的，因此在電解質可以侵入奈米孔洞內形成SEI層的情況下，仍是存在大量SEI層再生與鋰資源消耗的問題。
鑑此，為解決上述缺點，衍生出於奈米孔洞內設置一填充材料，例如SiOx或Si/C。在化成後SiOx會形成Si與鋰矽酸鹽(LiSixOy)而就如同Si中夾了鋰矽酸鹽，而Si/C則是在初期就存在碳化物，以降低SEI層的形成面積。但鋰矽酸鹽的形成同樣會導致鋰的耗損，且填充材料的存在會使得整體的庫倫效率降低且利用率下降。此外，更提出使用液態金屬包覆數個奈米矽粉體的複合型態，如美國專利申請案，其申請號為16/514,953。此種型態的優勢為整體表面積相對較小，導電性佳以及液態金屬可作為應力吸收者。但液態金屬因接觸電解質所形成的SEI層相較於矽與電解質所形成的SEI層來說，結構穩定性差，易崩解。再者，液態金屬在電化學反應上的庫倫 效率與利用率都是較差的。
有鑑於現有矽材的缺失，本發明提出一種嶄新的複合式負極活性材料球，以解決上述的問題。
本發明之主要目的在提供一種嶄新的複合式負極活性材料球，其矽或矽化合物顆粒在與鋰合金化與去合金化的體積變異過程能夠藉由嵌設於導電金屬核中的部分來維持與導電金屬核良好的接觸，使該複合式負極活性材料球維持優異的電子傳遞能力。
本發明之又一目的在提供一種嶄新的複合式負極活性材料球，其導電金屬核是選自於能與鋰合金化的材料，因此可以在導電金屬核材料未設置有矽或矽化合物顆粒前先進行預鋰化，以在合成為複合式負極活性材料球後，金屬核能夠做為補鋰來源，以降低充放電過程中鋰離子不可逆的損失。
本發明之另一目的在於提供一種嶄新的複合式負極活性材料球，其該些矽或矽化合物顆粒間的部分固態電解質介面膜(SEI)是共用的而且導電金屬核表面幾乎是被該些矽或矽化合物顆粒覆蓋遮蔽，因此能夠有效降低該複合式負極活性材料球組配成鋰電池構件時對電解質與鋰離子的損耗。
本發明之又一目的在於提供一種嶄新的複合式負極活性材料球，其利用微米級的導電金屬核作為奈米級矽或矽化合物顆粒附著的載體，使混煉作為鋰電池之負極極層漿料時具有易分散的尺度，以解決奈米 級矽或矽化合物顆粒易團聚導致不易分散的缺點。
本發明之又一目的在於提供一種嶄新的複合式負極活性材料球，其導電金屬核相較於矽或矽化合物顆粒是硬度較低的材料，因此當矽或矽化合物顆粒因充電放電產生體積變異時，可以藉由導電金屬核來吸收體積變異所產生的應力。
為達上述目的，本發明提供一種複合式負極活性材料球，其包含有一導電金屬核，其在室溫具有一第一平均半徑，以及數個分佈在導電金屬核表面的矽或矽化合物顆粒，其具有一第二平均半徑，部分該矽或矽化合物顆粒與該導電金屬核表面直接接觸的部分體積嵌入導電金屬核中，使該些矽或矽化合物顆粒在產生體積變異時仍與導電金屬核直接接觸，維持該複合式負極活性材料球具有良好電子傳導特性，因此，導電金屬核可以作為該些矽或矽化合物顆粒的共用內部導電元件。上述的第一平均半徑是上述的第二平均半徑的10倍以上。
底下藉由具體實施例詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
10:複合式負極活性材料球
12:導電金屬核
14:矽或矽化合物顆粒
14a:露出部分
14b:嵌入部分
16:導電材料
17:矽或矽化合物顆粒
18:SEI膜
18a:共用SEI膜
19:凹陷處
20:電池芯
22:負極層
222:負極集電層
24:正極層
242:正極活性材料
244:正極集電層
26:隔離層
28:膠框
32:碳化物殼層
a:圈圍區域
第1圖是本發明的複合式負極活性材料球結構示意圖。
第2圖是使用本發明之複合式負極活性材料球所組成的電池芯結構示意圖。
第3圖是嵌設於導電金屬核表面上之相鄰矽或矽化合物顆粒間的SEI膜 呈現共用狀態的示意圖。
第4圖是矽或矽化合物顆粒部分體積嵌設於導電金屬核中的示意圖。
第5圖與第6圖皆是矽或矽化合物顆粒以不同粒徑堆疊在導電金屬核表面上，且與該導電金屬核表面直接接觸的矽或矽化合物顆粒的部分體積嵌設於導電金屬核中的示意圖。
第7圖是當矽或矽化合物顆粒以不同粒徑堆疊在導電金屬核表面時，該些矽或矽化合物顆粒的固態電解質絕緣(SEI)層部分呈現共用狀態的示意圖。
第8圖是本發明的複合式負極活性材料球的另一結構示意圖。
為了讓本發明的優點，精神與特徵可以更容易明確的了解，後續將以實施例進行詳述與討論。需聲明的是該些實施例僅為本發明代表性的實施例，並不以此侷限本發明之實施態樣與請求範疇僅能侷限於該些實施例態樣。提供該些實施例的目的僅是讓本發明的公開內容更加透徹與易於了解。
在本發明公開的各種實施例中使用的術語僅用於描述特定實施例的目的，並非在限制本發明所公開的各種實施例。除非有清楚的另外指示，所使用的單數形式係也包含複數形式。除非另有限定，否則在本說明書中使用的所有術語(包含技術術語和科學術語)具有與本發明公開的各種實施例所屬領域普通技術人員通常理解的涵義相同的涵義。上述術語(諸如在一般使用辭典中限定的術語)將被解釋為具有與在相同技術領域中 的語境涵義相同的涵義，並且將不被解釋為具有理想化的涵義或過於正式的涵義，除非在本發明公開的各種實施例中被清楚地限定。
在本說明書的描述中，參考術語”一實施例”、”一具體實施例”等地描述意指結合該實施例描述地具體特徵、結構、材料或者特點包含於本發明的至少一個實施例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例。而且，描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任何一個或多個實施例中以合適的方式結合。
首先，如第1圖所示，本發明係有關於一種複合式負極活性材料球10，其包含有一本質上無孔隙的導電金屬核12，以及數個分佈在導電金屬核12表面的矽或矽化合物顆粒14與導電材料16，如圖中所示，矽或矽化合物顆粒14直接接觸於導電金屬核12表面。然而，也可以有些矽或矽化合物顆粒17並不與導電金屬核12表面接觸(見第5-7圖)。這些矽或矽化合物顆粒17是堆疊在矽或矽化合物顆粒14的表面上，以進一步減少未被該些矽或矽化合物14覆蓋的導電金屬核12的表面被顯露出來。藉由這個方式來減少導電金屬核12與電解質的接觸區域。對與導電金屬核12表面直接接觸的矽或矽化合物顆粒14來說，該些矽或矽化合物顆粒14的部分體積嵌入導電金屬核12中，並非僅是表面單點黏著或接觸。上述的部分體積在化成後可以是矽或矽化合物顆粒14體積的至少10%嵌入導電金屬核12中。上述的導電金屬核12在室溫具有一第一平均粒徑與一第一平均硬度，上述的矽或矽化合物顆粒14具有一第二平均粒徑與一第二平均硬度，第一平均粒徑為第二平均粒徑的10倍以上。第一平均粒徑為0.1微米至50微米，第二平均粒徑為10奈米至500奈米。第二平均硬度大於第一平均硬度，以利於矽或矽化合物顆粒14部 分體積嵌入導電金屬核12。如第4圖所示，與導電金屬核12表面直接接觸的矽或矽化合物顆粒14包含有顯露於導電金屬核12外的露出部分14a與嵌設於導電金屬核12中的嵌入部分14b。因此當本發明的複合式負極活性材料球10因鋰離子嵌入與脫出的合金化與去合金化而導致矽或矽化合物顆粒14產生體積變異時，與導電金屬核12表面直接接觸的矽或矽化合物顆粒14能夠藉由嵌設至導電金屬核12中的嵌入部分14b來維持與導電金屬核12直接接觸，使複合式負極活性材料球10能夠維持良好電子傳遞特性。藉由這樣的方式能夠有效解決既有技術因為矽或矽化合物顆粒的體積變異產生電性傳遞空乏區的問題。舉例來說，空乏區的產生是由於矽或矽化合物顆粒在合金化與去合金化反覆體積膨脹與收縮的情況下所形成，當矽或矽化合物顆粒在體積膨脹時將推擠譬如為如碳黑/碳管之導電添加材向外部移動，隨後矽或矽化合物顆粒體積收縮回復或碎裂時，將會與已位移的導電添加材產生電子無法傳遞的間隙區域，稱之為空乏區。
在本發明中導電材料16可以直接與導電金屬核12接觸或者是與矽或矽化合物顆粒14接觸，或者兩種情況同時存在。在本發明中只要任一導電材料16接觸到導電金屬核12則可以由透過導電金屬核心12將電子傳遞給所有有接觸的矽或矽化合物顆粒14，或者是將電子由矽或矽化合物顆粒14向外傳遞；因此，導電金屬核12可作為矽或矽化合物顆粒14的共用內部導電元件。
此外，導電金屬核12選自於能在一第一電位能與鋰進行合金化的材料，而上述的矽或矽化合物顆粒14能在一第一二電位與鋰進行合金化，第一電位與第二電位不相同，較佳者為第一電位大於第二電位；因此 當矽或矽化合物顆粒14與鋰產生合金化或去合金化反應時，導電金屬核12是呈現與鋰無合金化反應的惰性狀態，但此呈現惰性狀態的導電金屬核12可作為鋰的擴散宿主，並以合金化存在導電金屬核12中，以擴大複合式負極活性材料球10所能接受的鋰總量。再者，擴散進入導電金屬核12的鋰可再次擴散進入矽或矽化合物顆粒14，因此擴散至導電金屬核12中的鋰也可作為矽或矽化合物顆粒14的補鋰來源。此外，因上述的導電金屬核12是可選自於能與鋰合金化的材料，因此可以在導電金屬核12表面未設置有矽或矽化合物顆粒14前先對導電金屬核12進行鋰擴散/摻雜，也就是施行預鋰化，隨後再進行導電金屬核心12與矽或矽化合物顆粒14的混合，以製備本發明的複合式負極活性材料球10。上述的混合方式可以是球磨(ball milling)等具有施加適當壓力的方式，以將矽或矽化合物顆粒14部分體積嵌入導電金屬核12中。當以本發明的複合式負極活性材料球10來組構成電池芯時，經預鋰化的導電金屬核12同時能做為電池芯的補鋰來源，以降低充放電過程中鋰離子的不可逆損失。
再者，如第5圖與第6圖所示，矽或矽化合物顆粒14、17呈現以不同粒徑堆疊時，直接設置或者說接觸導電金屬核12表面的矽或矽化合物顆粒14將部分嵌設於導電金屬核12中。此外，如圖所示，導電金屬核12因矽或矽化合物顆粒14擠壓而凹陷的同一凹陷處19可能填設堆疊有大小不同粒徑的矽或矽化合物顆粒14。在第5圖中是呈現小顆粒矽或矽化合物顆粒與凹陷處19接觸，大顆粒矽或或矽化合物17堆疊於小顆粒矽或矽化合物顆粒14的表面上。第6圖是呈現另一種大小矽或矽化合物顆粒14都與凹陷處19觸接觸。
導電金屬核12的材料為一種低熔點金屬，其材料可以是由選自於銦(熔點156.6℃)、錫(熔點231.9℃)、鋁(熔點660.4℃)、鉍(熔點271.4℃)或者鍺(熔點937.7℃)等上述元素中至少二者混合所形成的合金。在本發明中所宣稱的低熔點金屬是指熔點低於232℃的合金。舉例來說，使用45%錫與55%鉍所混合形成的低熔點金屬，其熔點約為150℃。低熔點金屬相較於矽或矽化合物顆粒是硬度較低的，也就是低熔點金屬相較於矽或矽化合物顆粒14是較柔軟的，因此導電金屬核12能夠隨著矽或矽化合物顆粒14擠壓產生變形。此外，在第1圖中雖然導電金屬核12是以等徑的圓狀表示，但其實際上也可以是其他幾何形狀或是不規則的形狀。再者，更可以藉由材料組成的選配，使導電金屬核12在電池運作溫度下，能夠呈現至少部分軟化，因此可被矽或矽化合物顆粒14,17因合金化之體積膨脹所產生的應力擠壓，或者是填入矽或矽化合物顆粒14,17因體積膨脹所產生的裂縫中。當矽或矽化合物顆粒14、17去合金化時，矽或矽化合物顆粒14的體積將產生收縮，並將嵌入的矽或矽化合物顆粒14、17裂縫中的低熔點金屬擠出，此時被排擠出的低熔點金屬將可做為矽或矽化合物顆粒14、17新的導電締結點。
本發明所使用的矽或矽化合物顆粒14、17的材料可以選自純矽、氧化矽或者氮化矽等等可作為負極的矽基活性材料，或者上述種類的混合，因此可基於純矽、氧化矽或氮化矽等材料的粒徑尺寸差異，進行優化選擇，以達到使用不同粒徑的矽或矽化合物顆粒14嵌設在具高內聚力的導電金屬核12表面上，達到較佳的表面覆蓋效果。舉例來說，導電金屬核12的外表面面積至少50%以上都是被矽或矽化合物顆粒覆蓋或者說遮蔽，最佳是85%以上。矽或矽化合物顆粒14的粒徑分佈可以是在10奈米-500奈米間。 奈米級矽或矽化合物顆粒14具有較高的表面積/體積比，利於提高鋰離子接觸嵌入的可反應區域面積，但奈米級矽或矽化合物顆粒14因為團聚力的關係在極層塗佈漿料中非常不易分散，因此造成使用上的瓶頸。而本發明使用高內聚力的導電金屬核12作為奈米級矽或矽化合物顆粒14附著的載體，因此在使用奈米尺度的矽或矽化合物顆粒14作為活性材料的極層漿料時，漿料中分散的主體將由奈米級的矽或矽化合物顆粒14轉移成為較大尺度的微米級的複合式負極材料球10，以解決奈米級顆粒易團聚導致不易分散的缺點。
本發明所使用的導電材料16可以選自奈米碳管、石墨烯、碳纖維、碳黑、石墨顆粒、天然石墨、人造石墨、乙炔黑、科琴黑等；金屬粉末；或者導電聚合物等。導電材料16並不限於上述這些材料，只要能適用於鋰電池中的任何導電材料即可。該些導電材料16接觸到導電金屬核12則可藉由導電金屬核12將電子傳遞給所有接觸的矽或矽化合物顆粒14，或將電子由矽或矽化合物顆粒14移出。導電材料16可以採與上述的矽或矽化合物顆粒14一起混合，然後在形成於導電金屬核12上。
請參閱第2圖，其係一使用本發明之複合式負極活性材料球的電池芯結構示意圖。如圖所示，將複合式負極活性材料球10與一黏合劑(圖中未示)混合，隨後塗覆在一負極集電層222表面上，以做為電池芯20的負極層22。此電池芯20包含有一正極層24以及一位於負極層22與正極層24間的隔離層26。上述的正極層24的正極活性材料242可以選自本領域中使用的任何材料，並沒有任何限制。舉例來說，可使用實現鋰離子的嵌入和脫出的化合物作為正極活性材料，例如可使用鋰與選自鈷、鎳、錳和其組合的化合 物。
在正極層24中所使用的導電材料與/或黏合劑可以與負極層22中所使用的相同或相異。設置於正極層24與負極層22間的隔離層26可選自於在相同領域中的任何材料，舉例來說具有低電解質離子遷移阻力的材料，如玻璃纖維、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、PTFE和其組合所紡織或無紡形成之具孔洞與阻隔正極層24與負極層22接觸的片材。或者隔離層26也可以是選自於固態電解質。在第2圖中所繪示的電池芯20結構是採用正極集電層244、負極集電層222與夾設於正極集電層244與負極集電層222間的膠框28作為此電池芯20與外在環境隔離的封裝構件，但並不因此侷限本發明之複合式負極活性材料球10僅能使用在這樣的電池芯結構，而是可以廣泛應用於各種可使用矽基材料做負極活性材料的電池芯/電池架構。
請一併參閱第3圖與第1圖。如圖所示，當使用本發明之複合式負極活性材料球10所組成之電池進行充電放電反應時，複合式負極活性材料球10表面會形成一固態電解質絕緣(SEI)膜18。因為SEI膜18會形成在可與鋰合金化物質與電解質接觸的表面上，因此在本發明中，導電金屬核12的外表面大部分都已被矽或矽化合物顆粒14的遮蔽，可有效降低電解質與導電金屬核12接觸形成SEI膜，降低電解質的損耗。再者，兩相鄰矽或矽化合物顆粒14間的SEI膜18是屬於共用SEI膜18a，如圖中虛線圈圍區域a所標註的部分，相較於現在既有的負極層是由數個獨立狀態矽或矽化合物顆粒混鍊而成的情況來說，本發明具有部分共用型態的SEI膜18a能夠大幅度降低SEI膜18的形成量，降低電解質的損耗。而第7圖是呈現出當矽或矽化合物顆粒14、17以不同粒徑堆疊在導電金屬核12表面時，該些矽或矽化合物顆粒 14、17的固態電解質膜18同樣具有部分共用狀態，成為共用SEI膜18a。
相較於導電金屬核12所形成的SEI膜來說，矽或矽化合物顆粒14、17所形成的SEI膜是較薄、較穩定且較易於鋰離子通過的，並且使得矽或矽化合物顆粒14具有較佳的庫倫效率。因此相較於美國專利第16/514,953號申請案，其使用低熔點金屬來全面包覆矽或矽化合物顆粒的狀態，本發明的複合式活性材料球10的架構是導電金屬核12的大部分表面都已經被矽或矽化合物顆粒14所遮蔽，因此大幅降低導電金屬核12與電解質接觸的面積，因此能夠降低直接形成於導電金屬核12且較不利鋰離子通過的SEI膜的比例。
此外，如第8圖所示，本發明的矽或矽化合物顆粒14的至少部分表面(譬如75%)更可形成有一碳化物殼層32，以最大幅度降低電解質與矽或矽化合物顆粒14的直接接觸，進而改善矽表面懸鍵引起的電解質分解。在較佳的狀態時，90%以上的矽或矽化合物顆粒14表面都可形成有一碳化物殼層32。
綜上所述，本發明提供一種複合式負極活性材料球，其包含有一本質上無孔隙的導電金屬核，以及數個分佈在導電金屬核表面的矽或矽化合物顆粒，其中與導電金屬核表面直接接觸的矽或矽化合物顆粒的部分體積嵌入導電金屬核中，藉由該些嵌入導電金屬核中的矽或矽化合物顆粒部分，能在矽或矽化合物顆粒因電化學離子嵌入/脫出產生體積變異時仍與導電金屬核維持直接接觸，使本發明的複合式負極活性材料球在負極極層中依然具有良好電子傳遞性。本發明的複合式負極活性材料球更因為矽或矽化合物顆粒彼此間的共用SEI膜，以及設置於導電金屬核外部的矽或矽 化合物顆粒對導電金屬核外部表面的遮蔽效果，有效地降低電解質的損耗。此外，本發明的導電金屬核是可以與鋰合金化的材料，因此可對導電金屬核先進行預鋰化，使其在後續可做為組構成電池芯時的補鋰來源，降低充放電過程中鋰離子不可逆的損失；或者，導電金屬核可以做為接收鋰擴散的新宿主，進而提高了複合式活性材料球可接收或可釋出的鋰總量，以具有較高的電化學運作效能，因此使用本發明的複合式負極活性材料球所組成的電池芯在基於上述的優勢下，能夠保有極佳的充放電性能再現性。
唯以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍。故即凡依本發明申請範圍所述之特徵及精神所為之均等變化或修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
10:複合式負極活性材料球
12:導電金屬核
14:矽或矽化合物顆粒
16:導電材料

Claims (10)

  1. 一種複合式負極活性材料球，其包含有：
    一導電金屬核，其在室溫具有一第一平均粒徑；以及
    數個矽或矽化合物顆粒，其具有一第二平均粒徑，該些矽或矽化合物顆粒係分佈在該導電金屬核表面，其中該些矽或矽化合物顆粒直接接觸該導電金屬核表面且該些矽或矽化合物顆粒的部分體積嵌設於該導電金屬核中，該導電金屬核為該些矽或矽化合物顆粒的共用內部導電元件；
    其中該第一平均粒徑大於該第二平均粒徑的10倍。
  2. 如請求項1所述之複合式負極活性材料球，其中該導電金屬核的材料是低熔點金屬，其熔點低於232℃。
  3. 如請求項2所述之複合式負極活性材料球，其中該導電金屬核的材料是由銦、錫、鋁、鉍或者鍺中選擇至少二者所形成的合金。
  4. 如請求項1所述之複合式負極活性材料球，其中該矽或矽化合物顆粒的材料是選自於純矽、氧化矽或者氮化矽，或者上述至少兩種的混合。
  5. 如請求項1所述之複合式負極活性材料球，其中該矽或矽化合物顆粒的粒徑分佈是在10奈米至500奈米尺度間。
  6. 如請求項1所述之複合式負極活性材料球，其中該導電金屬核本質上不具有孔隙。
  7. 如請求項1所述之複合式負極活性材料球，其中該導電金屬核可在一第一電位與鋰形成合金化，該矽或矽化合物顆粒可在一第二電位與鋰形成合金化，該第一電位大於該第二電位。
  8. 如請求項1所述之複合式負極活性材料球，更包含有至少一導電材料，其部分直接與該導電金屬核表面接觸。
  9. 如請求項1所述之複合式負極活性材料球，其中該導電金屬核的外表面面積至少50%以上都是被該矽或矽化合物顆粒覆蓋。
  10. 如請求項1所述之複合式負極活性材料球，其中該第一平均粒徑是0.1微米至50微米，該第二平均粒徑是10奈米至500奈米。
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