TW202344914A - 成像鏡頭、相機模組及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

一種成像鏡頭，其包含複數光學元件與光路徑轉折機構，其中光路徑轉折機構配置於光軸上用以轉折光軸至少一次。光路徑轉折機構包含光線轉折元件、遮光結構及奈米結構層。光線轉折元件包含反射面、入光面及出光面。反射面用以將光線轉折元件的入光光路轉折至出光光路。遮光結構設置於光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者上，且遮光結構包含主要遮光部。奈米結構層連續分布於光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者與主要遮光部上，奈米結構層呈現複數不規則脊狀凸起。藉此，可保持成像畫面清晰。

Description

成像鏡頭、相機模組及電子裝置
本揭示內容係關於一種成像鏡頭與相機模組，且特別是一種應用在可攜式電子裝置上的成像鏡頭與相機模組。
近年來，可攜式電子裝置發展快速，例如智慧型電子裝置、平板電腦等，已充斥在現代人的生活中，而裝載在可攜式電子裝置上的相機模組與其成像鏡頭也隨之蓬勃發展。但隨著科技愈來愈進步，使用者對於成像鏡頭的品質要求也愈來愈高。因此，發展一種可減少反射光產生以保持成像畫面清晰的成像鏡頭遂成為產業上重要且急欲解決的問題。
本揭示內容提供一種成像鏡頭、相機模組及電子裝置，藉由設置遮光結構以減少反射光產生，藉以保持成像畫面清晰。
依據本揭示內容一實施方式提供一種成像鏡頭，其包含複數光學元件與一光路徑轉折機構，其中一光軸通過光學元件，且光路徑轉折機構配置於光軸上用以轉折光軸至少一次。光路徑轉折機構包含至少一光線轉折元件、一遮光結構及一奈米結構層。光線轉折元件包含一反射面、一入光面及一出光面。反射面用以將光線轉折元件的一入光光路轉折至一出光光路。入光面配置於反射面的物側，且入光光路通過入光面。出光面配置於反射面的像側，且出光光路通過出光面。遮光結構設置於光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者上，且遮光結構包含一主要遮光部，其中主要遮光部位於通過光軸的一橫截面上最靠近光軸的一邊緣部。奈米結構層連續分布於光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者與遮光結構的主要遮光部上，奈米結構層呈現複數不規則脊狀凸起。遮光結構的主要遮光部環繞光軸定義一通光區域。奈米結構層的平均高度介於90 nm至350 nm。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中遮光結構可同時設置於光線轉折元件的入光面和出光面上。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中主要遮光部的邊緣厚度可介於0.4 um至50 um。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中奈米結構層的平均高度可介於125 nm至300 nm。另外，奈米結構層的平均高度可介於195 nm至255 nm。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件可更包含一連接結構層，連接結構層設置於奈米結構層與光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者之間。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中連接結構層可進一步設置於奈米結構層與遮光結構之間。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件的數量可為二，且光路徑轉折機構用以轉折光軸二次。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件的反射面可互相平行。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件的數量可為三，且光路徑轉折機構用以轉折光軸三次。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件的反射面的其中二者可互相垂直。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件可更包含一連接面，連接面連接反射面、入光面及出光面。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件可由塑膠材質製成。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件可由玻璃材質製成。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件的阿貝數可介於40至65。
依據本揭示內容一實施方式提供一種相機模組，包含如前述實施方式的成像鏡頭。
依據本揭示內容一實施方式提供一種電子裝置，包含如前述實施方式的相機模組與一電子感光元件，其中電子感光元件設置於相機模組的一成像面。
依據本揭示內容一實施方式提供一種成像鏡頭，其包含複數光學元件與一光路徑轉折機構，其中一光軸通過光學元件，且光路徑轉折機構配置於光軸上用以轉折光軸至少一次。光路徑轉折機構包含一光線轉折元件、一遮光結構及一奈米結構層。光線轉折元件包含至少二反射面、一入光面及一出光面。反射面用以將光線轉折元件的一入光光路轉折至一出光光路。入光面配置於反射面的一者的物側，且入光光路通過入光面。出光面配置於反射面的另一者的像側，且出光光路通過出光面。遮光結構設置於光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者上，且遮光結構包含一主要遮光部，其中主要遮光部位於通過光軸的一橫截面上最靠近光軸的一邊緣部。奈米結構層連續分布於光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者與遮光結構的主要遮光部上，奈米結構層呈現複數不規則脊狀凸起。遮光結構的主要遮光部環繞光軸定義一通光區域。奈米結構層的平均高度介於90 nm至350 nm。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中遮光結構可同時設置於光線轉折元件的入光面和出光面上。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中主要遮光部的邊緣厚度可介於0.4 um至50 um。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中奈米結構層的平均高度可介於125 nm至300 nm。另外，奈米結構層的平均高度可介於195 nm至255 nm。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件可更包含一連接結構層，連接結構層設置於奈米結構層與光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者之間。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中連接結構層可進一步設置於奈米結構層與遮光結構之間。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光路徑轉折機構可用以轉折光軸至少四次。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中反射面的數量可為四，且光線轉折元件的反射面的二者互相平行。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件的反射面的另二者可使光軸於光線轉折元件內部全反射。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件可更包含一連接面，連接面連接反射面、入光面及出光面。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件的連接面可包含至少一注料痕。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件可更包含一階差結構。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件可由塑膠材質製成。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件可由玻璃材質製成。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中光線轉折元件的阿貝數可介於40至65。
本揭示內容提供一種成像鏡頭，其包含複數光學元件及一光路徑轉折機構，其中一光軸通過光學元件，且光路徑轉折機構配置於光軸上用以轉折光軸至少一次。光路徑轉折機構包含一光線轉折元件、一遮光結構及一奈米結構層。光線轉折元件包含一反射面、一入光面及一出光面，其中反射面用以將光線轉折元件的一入光光路轉折至一出光光路，入光面配置於反射面的物側，且入光光路通過入光面，且出光面配置於反射面的像側，且出光光路通過出光面。遮光結構設置於光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者上，且遮光結構包含一主要遮光部，其中主要遮光部位於通過光軸的一橫截面上最靠近光軸的一邊緣部。奈米結構層連續分布於光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者與遮光結構的主要遮光部上，奈米結構層呈現複數不規則脊狀凸起。遮光結構的主要遮光部環繞光軸定義一通光區域。奈米結構層的平均高度介於90 nm至350 nm。透過奈米結構層設置於遮光結構的主要遮光部上，可減少光線於主要遮光部反射，藉以保持成像畫面清晰。
具體而言，遮光結構可以是由環氧樹脂為基底的速乾型墨水形成的黑色塗墨層、化學氣相沉積的黑化鍍膜層、光阻墨層或者由包含黑色聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)材質的遮光片所構成，但不以此為限。再者，從橫截面觀察到奈米結構層呈現不規則脊狀凸起，其如山脊般呈現下寬上窄的形式，使奈米結構層的等效折射率可自底部向頂部遞減，藉以破壞反射光並減少反射光產生。
奈米結構層的表面具有複數孔洞結構，而孔洞結構露出部分的光線轉折元件或部分的遮光結構，其中露出的部分光線轉折元件或部分遮光結構與空氣接觸。
反射面的數量可為至少二，其中入光面配置於反射面的一者的物側，且出光面配置於反射面的另一者的像側。具體而言，光線轉折元件可以是由複數光線轉折元件黏合或組裝後形成，但不以此為限制。透過選用適當折射率的光線轉折元件，複數反射面可使成像光線於光線轉折元件內部全反射。
光路徑轉折機構可用以轉折光軸至少四次。藉此，可對應長焦距的光學設計，以達到鏡頭微小化的效果。進一步來說，反射面的數量可為四，且光線轉折元件的反射面的二者互相平行，其中互相平行的二反射面上皆設置有反射光學膜層，且反射光學膜層可包含銀原子層。再者，光線轉折元件的反射面的另二者可使光軸於光線轉折元件內部全反射。利用單一光線轉折元件內部全反射，可等同於複數光線轉折元件轉折光軸的光學特性，藉以降低生產成本。
遮光結構可同時設置於光線轉折元件的入光面和出光面上。藉此，可得到較佳遮光範圍的遮光結構，藉以提升雜散光的遮蔽效率。
光線轉折元件可更包含一連接結構層，其中連接結構層設置於奈米結構層與光線轉折元件的入光面和出光面中至少一者之間。連接結構層可使光線轉折元件與奈米結構層之間緊密接合，藉以具有較高的結構穩定性。再者，奈米結構層可設置於連接結構層的最頂層，且連接結構層可以是由複數折射率相異且交替堆疊的膜層組成，且連接結構層可包含至少一氧化矽(SiO 2)膜層或至少一氧化鈦(TiO 2)膜層。奈米結構層的表面具有複數孔洞結構，而孔洞結構露出部分的連接結構層，其中露出的部分連接結構層與空氣接觸。
連接結構層可進一步設置於奈米結構層與遮光結構之間。具體而言，連接結構層可使遮光結構與奈米結構層之間緊密接合，藉以具有較高的結構穩定性。
光線轉折元件的數量可為二，且光路徑轉折機構用以轉折光軸二次，其中光線轉折元件的反射面可互相平行。藉此，可對應長焦距的光學設計，以達到鏡頭微小化的效果。
光線轉折元件的數量可為三，且光路徑轉折機構用以轉折光軸三次，其中光線轉折元件的反射面的其中二者可互相垂直。藉此，可對應長焦距的光學設計，以達到鏡頭微小化的效果。
光線轉折元件可更包含一連接面，其中連接面連接反射面、入光面及出光面。具體而言，除了反射面、入光面及出光面以外的面都可定義為連接面，且連接面可由複數光線轉折元件黏合或組裝後形成，但並不以此為限。
光線轉折元件的連接面可包含至少一注料痕，且光線轉折元件更包含一階差結構。藉此，有利於辨識通光區域與遮光區域的交界範圍。進一步來說，階差結構附近的通光區域相較於遮光區域，可以呈凹陷狀或是突出狀，但不以此為限。
光線轉折元件可由塑膠材質製成。藉此，可減少光線轉折元件的重量，進而達到鏡頭輕量化的目的。或者，光線轉折元件可由玻璃材質製成。藉此，對於溫度效應具有更穩定的光學性能。
主要遮光部的邊緣厚度可介於0.4 um至50 um。藉此，可對應由不同方式製成的遮光結構厚度條件，以搭配不同的光學設計需求，提升設計裕度。
奈米結構層的平均高度可介於125 nm至300 nm。透過上述奈米結構層高度設定範圍，可於不影響成像品質的前提下兼顧較佳抗反射效果。另外，奈米結構層的平均高度可介於195 nm至255 nm。當奈米結構層平均高度接近200 nm時，對於特定條件的入射光有較佳的抗反射效果，但不以此為限。進一步來說，奈米結構層的材質可包含氧化鋁(Al 2O 3)。
光線轉折元件的阿貝數可介於40至65。透過具有低色散光學特性的光線轉折元件可減少光學色像差，以提升成像品質。
上述本揭示內容成像鏡頭中的各技術特徵皆可組合配置，而達到對應之功效。
本揭示內容提供一種相機模組，其中相機模組包含前述的成像鏡頭。
本揭示內容提供一種電子裝置，其中電子裝置包含前述的相機模組與一電子感光元件。電子感光元件設置於相機模組的一成像面。
根據上述實施方式，以下提出具體實施方式與實施例並配合圖式予以詳細說明。
＜第一實施方式＞
請參照第1A圖至第1E圖，其中第1A圖繪示依照本揭示內容第一實施方式中相機模組10的立體圖，第1B圖繪示依照第1A圖第一實施方式中相機模組10的分解圖，第1C圖繪示依照第1A圖第一實施方式中相機模組10的另一分解圖，第1D圖繪示依照第1A圖第一實施方式中相機模組10的俯視圖，第1E圖繪示依照第1D圖第一實施方式中相機模組10沿剖線1E-1E的剖面圖。由第1A圖至第1E圖可知，相機模組10包含一殼體11、一驅動件12、一電路板13、一載體14及一成像鏡頭（圖未標示），其中相機模組10可應用於電子裝置（圖未繪示），且電子裝置的一電子感光元件IS設置於相機模組10的一成像面15。具體而言，殼體11設置於載體14的一側，成像鏡頭設置於載體14內，且驅動件12與電路板13設置於載體14的另一側，其中驅動件12用以驅動成像鏡頭。
請參照第1F圖至第1H圖，其中第1F圖繪示依照第1A圖第一實施方式中相機模組10的部分剖視圖，第1G圖繪示依照第1F圖第一實施方式中光線轉折元件120a的部分放大圖，第1H圖繪示依照第1A圖第一實施方式中相機模組10的部分示意圖。由第1A圖至第1H圖可知，成像鏡頭包含複數光學元件111、一鏡筒112及一光路徑轉折機構（圖未標示），其中一光軸（圖未標示）通過光學元件111，光路徑轉折機構配置於光軸上用以轉折光軸至少一次，且光學元件111設置於鏡筒112中。進一步來說，光路徑轉折機構包含二光線轉折元件120a、120b、一遮光結構130及一奈米結構層140，其中光線轉折元件120a、120b的數量為二，且光路徑轉折機構用以轉折光軸二次，藉以對應長焦距的光學設計以達到鏡頭微小化的效果。再者，光線轉折元件120a、120b可由塑膠材質製成，藉以減少光線轉折元件120a、120b的重量，進而達到鏡頭輕量化的目的；或者，光線轉折元件120a、120b可由玻璃材質製成，藉以對於溫度效應具有更穩定的光學性能。
由第1B圖、第1C圖及第1H圖可知，光線轉折元件120a包含一反射面121a、一入光面122a、一出光面123a及一連接面124a，且光線轉折元件120b包含一反射面121b、一入光面122b、一出光面123b及一連接面124b，其中反射面121a用以將光線轉折元件120a的一入光光路L1轉折至一出光光路L2；入光面122a配置於反射面121a的物側，且入光光路L1通過入光面122a；出光面123a配置於反射面121a的像側，且出光光路L2通過出光面123a；連接面124a連接反射面121a、入光面122a及出光面123a；反射面121b用以將光線轉折元件120b的一入光光路L1轉折至一出光光路L2；入光面122b配置於反射面121b的物側，且入光光路L1通過入光面122b；出光面123b配置於反射面121b的像側，且出光光路L2通過出光面123b；連接面124b連接反射面121b、入光面122b及出光面123b。再者，光軸與光線轉折元件120a的出光光路L2、光線轉折元件120b的入光光路L1平行，且光線轉折元件120a的反射面121a與光線轉折元件120b的反射面121b互相平行。
詳細而言，遮光結構130同時設置於光線轉折元件120a的入光面122a、出光面123a及光線轉折元件120b的入光面122b、出光面123b上，藉以得到較佳遮光範圍的遮光結構130，進而提升雜散光的遮蔽效率。
再者，光線轉折元件120a、120b的阿貝數介於40至65。
請參照第1I圖，其為依照第1H圖第一實施方式的第一實施例中光線轉折元件120a的局部放大圖。由第1I圖可知，遮光結構130包含一主要遮光部131，其中主要遮光部131位於通過光軸的一橫截面上最靠近光軸的一邊緣部，且遮光結構130的主要遮光部131環繞光軸定義一通光區域。具體而言，遮光結構130可以是由環氧樹脂為基底的速乾型墨水形成的黑色塗墨層、化學氣相沉積的黑化鍍膜層、光阻墨層或者由包含黑色PET材質的遮光片所構成，但不以此為限。
請參照第1J圖與第1K圖，其中第1J圖繪示依照第1I圖第一實施方式的第一實施例中奈米結構層140的掃描式電子顯微鏡影像，第1K圖繪示依照第1I圖第一實施方式的第一實施例中奈米結構層140的另一掃描式電子顯微鏡影像。由第1J圖與第1K圖可知，透過掃描式電子顯微鏡影像俯視觀察奈米結構層140於光線轉折元件120a的分布情況，奈米結構層140連續分布於光線轉折元件120a的入光面122a、出光面123a及遮光結構130的主要遮光部131上，且奈米結構層140呈現複數不規則脊狀凸起。透過奈米結構層140設置於遮光結構130的主要遮光部131上，可減少光線於主要遮光部131反射，藉以保持成像畫面清晰。具體而言，奈米結構層140的材質包含氧化鋁，奈米結構層140的表面具有複數孔洞結構，而孔洞結構露出部分的光線轉折元件120a或部分的遮光結構130，其中露出的部分光線轉折元件120a或部分遮光結構130與空氣接觸。
由第1I圖可知，主要遮光部131的邊緣厚度T為18 um。
請參照第1L圖，其為依照第1H圖第一實施方式的第二實施例中光線轉折元件120a的局部放大圖。由第1L圖可知，遮光結構130的邊緣為圓弧狀，且主要遮光部131的邊緣厚度T為5 um。
請參照第1M圖，其為依照第1H圖第一實施方式的第三實施例中光線轉折元件120a的局部放大圖。由第1M圖可知，光線轉折元件120a可更包含一連接結構層150，其中連接結構層150設置於奈米結構層140與光線轉折元件120a的入光面122a之間，且連接結構層150進一步設置於奈米結構層140與遮光結構130之間。具體而言，連接結構層150可使光線轉折元件120a與奈米結構層140之間緊密接合，並使遮光結構130與奈米結構層140之間緊密接合，藉以具有較高的結構穩定性。再者，奈米結構層140可設置於連接結構層150的最頂層。奈米結構層140的表面的孔洞結構露出部分的連接結構層150，其中露出的部分連接結構層150與空氣接觸。
由第1M圖可知，遮光結構130的邊緣為圓弧狀，且主要遮光部131的邊緣厚度T為5 um。
請參照第1N圖至第1P圖，其中第1N圖繪示依照第1M圖第一實施方式的第三實施例中光線轉折元件120a的剖面的掃描式電子顯微鏡影像，第1O圖繪示依照第1M圖第一實施方式的第三實施例中光線轉折元件120a的剖面的另一掃描式電子顯微鏡影像，第1P圖繪示依照第1M圖第一實施方式的第三實施例中光線轉折元件120a的剖面的再一掃描式電子顯微鏡影像。由第1N圖至第1P圖可知，由電子顯微鏡影像觀察光線轉折元件120a的剖面，由上至下依序為奈米結構層140、連接結構層150及光線轉折元件120a的表面，其中第1N圖的奈米結構層140的高度T1為200.3 nm，連接結構層150的厚度T2為73.68 nm；第1O圖的奈米結構層140的高度T1為232.7 nm，連接結構層150的厚度T2為76.62 nm；第1P圖的奈米結構層140的高度T1為247.4 nm，連接結構層150的厚度T2為75.15 nm，其中奈米結構層140的平均高度為226.8 nm。
進一步來說，由第1N圖至第1P圖可觀察到奈米結構層140呈現不規則脊狀凸起，其如山脊般呈現下寬上窄的形式，使奈米結構層140的等效折射率可自底部向頂部遞減，藉以破壞反射光並減少反射光產生。
請參照第1Q圖，其為依照第1H圖第一實施方式的第四實施例中光線轉折元件120a的局部放大圖。由第1Q圖可知，主要遮光部131的邊緣厚度T為18 um。
必須說明的是，第1A圖至第1I圖、第1L圖至第1M圖及第1Q圖的十字網底與撒點網底分別用以示意遮光結構130的範圍與奈米結構層140的範圍。
＜第二實施方式＞
請參照第2A圖至第2D圖，其中第2A圖繪示依照本揭示內容第二實施方式中相機模組20的立體圖，第2B圖繪示依照第2A圖第二實施方式中相機模組20的部分立體圖，第2C圖繪示依照第2A圖第二實施方式中相機模組20的俯視圖，第2D圖繪示依照第2C圖第二實施方式中相機模組20沿剖線2D-2D的剖面圖。由第2A圖至第2D圖可知，相機模組20包含複數載體24及一成像鏡頭（圖未標示），其中相機模組20可應用於電子裝置（圖未繪示），且電子裝置的一電子感光元件IS設置於相機模組20的一成像面25。
請參照第2E圖至第2H圖，其中第2E圖繪示依照第2A圖第二實施方式中光線轉折元件220a、220b、220c的立體圖，第2F圖繪示依照第2E圖第二實施方式中光線轉折元件220a的部分剖視圖，第2G圖繪示依照第2F圖第二實施方式中光線轉折元件220a的部分放大圖，第2H圖繪示依照第2A圖第二實施方式中相機模組20的部分示意圖。由第2A圖至第2H圖可知，成像鏡頭包含複數光學元件211及一光路徑轉折機構（圖未標示），其中一光軸（圖未標示）通過光學元件211，且光路徑轉折機構配置於光軸上用以轉折光軸至少一次。進一步來說，光路徑轉折機構包含三光線轉折元件220a、220b、220c、一遮光結構230及一奈米結構層240，且載體24用以容納光學元件211及光線轉折元件220b、220c，其中光線轉折元件220a、220b、220c的數量為三，且光路徑轉折機構用以轉折光軸三次，藉以對應長焦距的光學設計以達到鏡頭微小化的效果。
由第2H圖可知，光線轉折元件220a包含一反射面221a、一入光面222a、一出光面223a及一連接面（圖未標示），光線轉折元件220b包含一反射面221b、一入光面222b、一出光面223b及一連接面（圖未標示），光線轉折元件220c包含一反射面221c、一入光面222c、一出光面223c及一連接面（圖未標示），其中反射面221a用以將光線轉折元件220a的一入光光路L1轉折至一出光光路L2；入光面222a配置於反射面221a的物側，且入光光路L1通過入光面222a；出光面223a配置於反射面221a的像側，且出光光路L2通過出光面223a；連接面連接反射面221a、入光面222a及出光面223a；反射面221b用以將光線轉折元件220b的一入光光路L1轉折至一出光光路L2；入光面222b配置於反射面221b的物側，且入光光路L1通過入光面222b；出光面223b配置於反射面221b的像側，且出光光路L2通過出光面223b；連接面連接反射面221b、入光面222b及出光面223b；反射面221c用以將光線轉折元件220c的一入光光路L1轉折至一出光光路L2；入光面222c配置於反射面221c的物側，且入光光路L1通過入光面222c；出光面223c配置於反射面221c的像側，且出光光路L2通過出光面223c；連接面連接反射面221c、入光面222c及出光面223c。再者，光線轉折元件220b的反射面221b與光線轉折元件220c的反射面221c互相垂直，且除了反射面221a、221b、221c、入光面222a、222b、222c及出光面223a、223b、223c以外的面都可定義為連接面。
詳細而言，遮光結構230同時設置於光線轉折元件220a的入光面222a、連接面、光線轉折元件220b的連接面、出光面223b及光線轉折元件220c的連接面上，藉以得到較佳遮光範圍的遮光結構230，進而提升雜散光的遮蔽效率。
請參照第2I圖，其為依照第2H圖第二實施方式的第一實施例中光線轉折元件220b的局部放大圖。由第2I圖可知，遮光結構230包含一主要遮光部231，其中主要遮光部231位於通過光軸的一橫截面上最靠近光軸的一邊緣部，且遮光結構230的主要遮光部231環繞光軸定義一通光區域。
進一步來說，奈米結構層240連續分布於光線轉折元件220b的入光面222b及遮光結構230的主要遮光部231上，且奈米結構層240呈現複數不規則脊狀凸起。透過奈米結構層240設置於遮光結構230的主要遮光部231上，可減少光線於主要遮光部231反射，藉以保持成像畫面清晰。具體而言，奈米結構層240的表面具有複數孔洞結構，而孔洞結構露出部分的光線轉折元件220b或部分的遮光結構230，其中露出的部分光線轉折元件220b或部分遮光結構230與空氣接觸。
由第2I圖可知，主要遮光部231的邊緣厚度T為28 um。
請參照第2J圖，其為依照第2H圖第二實施方式的第二實施例中光線轉折元件220b的局部放大圖。由第2J圖可知，遮光結構230的邊緣為圓弧狀，且主要遮光部231的邊緣厚度T為4 um。
請參照第2K圖，其為依照第2H圖第二實施方式的第三實施例中光線轉折元件220b的局部放大圖。由第2K圖可知，光線轉折元件220b可更包含一連接結構層250，其中連接結構層250設置於奈米結構層240與光線轉折元件220b的出光面223b之間，且連接結構層250進一步設置於奈米結構層240與遮光結構230之間。具體而言，連接結構層250可使光線轉折元件220b與奈米結構層240之間緊密接合，並使遮光結構230與奈米結構層240之間緊密接合，藉以具有較高的結構穩定性。再者，奈米結構層240可設置於連接結構層250的最頂層。奈米結構層240的表面的孔洞結構露出部分的連接結構層250，其中露出的部分連接結構層250與空氣接觸。
由第2K圖可知，遮光結構230的邊緣為圓弧狀，且主要遮光部231的邊緣厚度T為4 um。
請參照第2L圖，其為依照第2H圖第二實施方式的第四實施例中光線轉折元件220b的局部放大圖。由第2L圖可知，主要遮光部231的邊緣厚度T為28 um。
必須說明的是，第2A圖至第2L圖的十字網底與撒點網底分別用以示意遮光結構230的範圍與奈米結構層240的範圍。
＜第三實施方式＞
請參照第3A圖至第3E圖，其中第3A圖繪示依照本揭示內容第三實施方式中相機模組30的立體圖，第3B圖繪示依照第3A圖第三實施方式中相機模組30的分解圖，第3C圖繪示依照第3A圖第三實施方式中相機模組30的另一分解圖，第3D圖繪示依照第3A圖第三實施方式中相機模組30的俯視圖，第3E圖繪示依照第3D圖第三實施方式中相機模組30沿剖線3E-3E的剖面圖。由第3A圖至第3E圖可知，相機模組30包含一支撐件32、一載體34及一成像鏡頭（圖未標示），其中相機模組30可應用於電子裝置（圖未繪示），且電子裝置的一電子感光元件IS設置於相機模組30的一成像面35。具體而言，成像鏡頭設置於載體34內，且支撐件32設置於載體34的一側。
請參照第3F圖至第3H圖，其中第3F圖繪示依照第3A圖第三實施方式中光線轉折元件320的部分剖視圖，第3G圖繪示依照第3F圖第三實施方式中光線轉折元件320的部分放大圖，第3H圖繪示依照第3A圖第三實施方式中相機模組30的部分示意圖。由第3A圖至第3H圖可知，成像鏡頭包含複數光學元件311及一光路徑轉折機構（圖未標示），其中一光軸（圖未標示）通過光學元件311，光路徑轉折機構配置於光軸上用以轉折光軸至少一次，且光學元件311設置於載體34中。進一步來說，光路徑轉折機構包含一光線轉折元件320、一遮光結構330及一奈米結構層340，其中支撐件32用以支撐光線轉折元件320。
由第3H圖可知，光線轉折元件320包含複數反射面321、一入光面322、一出光面323及複數連接面324，其中反射面321用以將光線轉折元件320的一入光光路L1轉折至一出光光路L2；入光面322配置於反射面321的物側，且入光光路L1通過入光面322；出光面323配置於反射面321的像側，且出光光路L2通過出光面323；連接面324連接反射面321、入光面322及出光面323。透過選用適當折射率的光線轉折元件320，複數反射面321可使成像光線於光線轉折元件320內部全反射。再者，光軸與光線轉折元件320的入光光路L1平行。
具體而言，光路徑轉折機構用以轉折光軸至少四次，藉以對應長焦距的光學設計，以達到鏡頭微小化的效果，其中反射面321的數量為四，光線轉折元件320的反射面321的二者互相平行，光線轉折元件320的反射面321的另二者使光軸於光線轉折元件320內部全反射，且光線轉折元件320的反射面321的二者分別與入光面322、出光面323共用平面。利用單一光線轉折元件320內部全反射，可等同於複數光線轉折元件轉折光軸的光學特性，藉以降低生產成本。進一步來說，互相平行的二反射面321上可皆設置有反射光學膜層（圖未繪示），其中反射光學膜層可包含銀原子層。
詳細而言，遮光結構330同時設置於光線轉折元件320的入光面322、出光面323、與入光面322、出光面323共用平面的反射面321及連接面324上，藉以得到較佳遮光範圍的遮光結構330，進而提升雜散光的遮蔽效率。
請參照第3I圖，其為依照第3H圖第三實施方式的第一實施例中光線轉折元件320的局部放大圖。由第3I圖可知，遮光結構330包含一主要遮光部331，其中主要遮光部331位於通過光軸的一橫截面上最靠近光軸的一邊緣部，且遮光結構330的主要遮光部331環繞光軸定義一通光區域。
進一步來說，奈米結構層340連續分布於光線轉折元件320的入光面322、出光面323及遮光結構330的主要遮光部331上，且奈米結構層340呈現複數不規則脊狀凸起。透過奈米結構層340設置於遮光結構330的主要遮光部331上，可減少光線於主要遮光部331反射，藉以保持成像畫面清晰。具體而言，奈米結構層340的表面具有複數孔洞結構，而孔洞結構露出部分的光線轉折元件320或部分的遮光結構330，其中露出的部分光線轉折元件320或部分的遮光結構330與空氣接觸。
由第3I圖可知，主要遮光部331的邊緣厚度T為23 um。
請參照第3J圖，其為依照第3H圖第三實施方式的第二實施例中光線轉折元件320的局部放大圖。由第3J圖可知，遮光結構330的邊緣為圓弧狀，且主要遮光部331的邊緣厚度T為4 um。
請參照第3K圖，其為依照第3H圖第三實施方式的第三實施例中光線轉折元件320的局部放大圖。由第3K圖可知，光線轉折元件320可更包含一連接結構層350，其中連接結構層350設置於奈米結構層340與光線轉折元件320的入光面322之間，且連接結構層350進一步設置於奈米結構層340與遮光結構330之間。具體而言，連接結構層350可使光線轉折元件320與奈米結構層340之間緊密接合，並使遮光結構330與奈米結構層340之間緊密接合，藉以具有較高的結構穩定性。再者，奈米結構層340可設置於連接結構層350的最頂層。奈米結構層340的表面的孔洞結構露出部分的連接結構層350，其中露出的部分連接結構層350與空氣接觸。
由第3K圖可知，遮光結構330的邊緣為圓弧狀，且主要遮光部331的邊緣厚度T為4 um。
請參照第3L圖，其為依照第3H圖第三實施方式的第四實施例中光線轉折元件320的局部放大圖。由第3L圖可知，主要遮光部331的邊緣厚度T為23 um。
必須說明的是，第3B圖至第3C圖、第3E圖至第3L圖的十字網底與撒點網底分別用以示意遮光結構330的範圍與奈米結構層340的範圍。
＜第四實施方式＞
請參照第4A圖至第4E圖，其中第4A圖繪示依照本揭示內容第四實施方式中光線轉折元件420的立體圖，第4B圖繪示依照第4A圖第四實施方式中光線轉折元件420的另一立體圖，第4C圖繪示依照第4A圖第四實施方式中光線轉折元件420的俯視圖，第4D圖繪示依照第4C圖第四實施方式中光線轉折元件420沿剖線4D-4D的剖面圖，第4E圖繪示依照第4A圖第四實施方式中光線轉折元件420的示意圖。由第4A圖至第4E圖可知，光線轉折元件420包含複數反射面421、一入光面422、一出光面423及複數連接面（圖未標示），其中反射面421用以將光線轉折元件420的一入光光路L1轉折至一出光光路L2；入光面422配置於反射面421的物側，且入光光路L1通過入光面422；出光面423配置於反射面421的像側，且出光光路L2通過出光面423；連接面連接反射面421、入光面422及出光面423，且除了反射面421、入光面422及出光面423以外的面都可定義為連接面。
透過選用適當折射率的光線轉折元件420，複數反射面421可使成像光線於光線轉折元件420內部全反射。再者，光軸與光線轉折元件420的入光光路L1平行。必須說明的是，第四實施方式的光線轉折元件420可應用於第三實施方式的相機模組30，且一電子感光元件IS設置於一成像面（圖未標示）。
詳細來說，光線轉折元件420可由複數光線轉折元件黏合或組裝後形成，進一步來說，連接面可以是由複數光線轉折元件黏合或組裝後形成，但並不以此為限。
由第4A圖至第4D圖可知，光線轉折元件420可更包含一階差結構425，且光線轉折元件420的連接面包含至少一注料痕426，其中階差結構425設置於反射面421、入光面422及出光面423上。藉此，有利於辨識通光區域與遮光區域的交界範圍。進一步來說，階差結構425附近的通光區域相較於遮光區域，可以呈凹陷狀或是突出狀，但不以此為限。
請參照第4F圖與第4G圖，其中第4F圖繪示依照第4E圖第四實施方式的第一實施例中光線轉折元件420的局部放大圖，第4G圖繪示依照第4E圖第四實施方式的第一實施例中光線轉折元件420的另一局部放大圖。由第4F圖與第4G圖可知，遮光結構430包含一主要遮光部431，其中主要遮光部431位於通過光軸的一橫截面上最靠近光軸的一邊緣部，且遮光結構430的主要遮光部431環繞光軸定義一通光區域。
進一步來說，奈米結構層440連續分布於光線轉折元件420的入光面422、出光面423及遮光結構430的主要遮光部431上，且奈米結構層440呈現複數不規則脊狀凸起。透過奈米結構層440設置於遮光結構430的主要遮光部431上，可減少光線於主要遮光部431反射，藉以保持成像畫面清晰。具體而言，奈米結構層440的表面具有複數孔洞結構，而孔洞結構露出部分的光線轉折元件420或部分的遮光結構430，其中露出的部分光線轉折元件420或部分的遮光結構430與空氣接觸。
由第4F圖可知，主要遮光部431的邊緣厚度T為1 um。
請參照第4H圖，其為依照第4E圖第四實施方式的第二實施例中光線轉折元件420的局部放大圖。由第4H圖可知，光線轉折元件420可更包含複數連接結構層450，其中連接結構層450設置於光線轉折元件420的入光面422，且連接結構層450進一步設置於遮光結構430。具體而言，連接結構層450可於未設置奈米結構層的情況下設置於光線轉折元件420的入光面422與遮光結構430。
進一步來說，連接結構層450是由複數折射率相異且交替堆疊的膜層組成，其中連接結構層450可包含至少一氧化矽膜層或至少一氧化鈦膜層。
由第4H圖可知，主要遮光部431的邊緣厚度T為1 um。
必須說明的是，第4A圖至第4C圖及第4F圖至第4H圖的十字網底與撒點網底分別用以示意遮光結構430的範圍與奈米結構層440的範圍。
＜第五實施方式＞
請參照第5A圖與第5B圖，其中第5A圖繪示依照本揭示內容第五實施方式中電子裝置50的示意圖，第5B圖繪示依照第5A圖第五實施方式中電子裝置50的方塊圖。由第5A圖與第5B圖可知，第五實施方式中，電子裝置50係一智慧型手機，電子裝置50包含四相機模組與一電子感光元件53，其中電子感光元件53設置於相機模組的一成像面，且相機模組分別為長焦望遠鏡頭511、超廣角鏡頭512、超長焦望遠鏡頭513及廣角主鏡頭514。進一步來說，相機模組分別包含成像鏡頭（圖未繪示），且成像鏡頭包含複數光學元件（圖未繪示）與一光路徑轉折機構（圖未繪示），其中光路徑轉折機構配置於光軸上用以轉折光軸至少一次，且包含至少一光線轉折元件（圖未繪示）。
詳細來說，可透過切換不同視角的相機模組，使電子裝置50實現光學變焦的功能。必須說明的是，鏡頭蓋板52僅為示意電子裝置50內部的長焦望遠鏡頭511、超廣角鏡頭512、超長焦望遠鏡頭513及廣角主鏡頭514，並不表示鏡頭蓋板52為可拆卸式的。具體而言，第五實施方式的光線轉折元件可為前述第一實施方式至第四實施方式的光線轉折元件，但並不以此為限。
電子裝置50更包含一使用者介面54，其中使用者介面54可為觸控螢幕或顯示螢幕，並不以此為限。
進一步來說，使用者透過電子裝置50的使用者介面54進入拍攝模式。此時長焦望遠鏡頭511、超廣角鏡頭512、超長焦望遠鏡頭513及廣角主鏡頭514匯集成像光線在電子感光元件53上，並輸出有關影像的電子訊號至成像訊號處理元件(Image Signal Processor，ISP)55。
因應電子裝置50的相機規格，電子裝置50可更包含一光學防手震組件56，係可為OIS防抖回饋裝置，進一步地，電子裝置50可更包含至少一個輔助光學元件（圖未標示）及至少一個感測元件57。第五實施方式中，輔助光學元件為閃光燈模組58與對焦輔助模組59，閃光燈模組58可用以補償色溫，對焦輔助模組59可為紅外線測距元件、雷射對焦模組等。感測元件57可具有感測物理動量與作動能量的功能，如加速計、陀螺儀、霍爾元件(Hall Effect Element)，以感知使用者的手部或外在環境施加的晃動及抖動，進而有利於電子裝置50中相機模組（即長焦望遠鏡頭511、超廣角鏡頭512、超長焦望遠鏡頭513及廣角主鏡頭514）配置的自動對焦功能及光學防手震組件56的發揮，以獲得良好的成像品質，有助於依據本發明的電子裝置50具備多種模式的拍攝功能，如優化自拍、低光源HDR(High Dynamic Range，高動態範圍成像)、高解析4K(4K Resolution)錄影等。此外，使用者可由觸控螢幕直接目視到相機的拍攝畫面，並在觸控螢幕上手動操作取景範圍，以達成所見即所得的自動對焦功能。
此外，電子裝置50可更包含但不限於顯示單元(Display)、控制單元(Control Unit)、儲存單元(Storage Unit)、暫儲存單元(RAM)、唯讀儲存單元(ROM)或其組合。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10,20,30:相機模組 11:殼體 12:驅動件 13:電路板 14,24,34:載體 15,25,35,53:成像面 111,211,311:光學元件 112:鏡筒 120a,120b,220a,220b,220c,320,420:光線轉折元件 121a,121b,221a,221b,221c,321,421:反射面 122a,122b,222a,222b,222c,322,422:入光面 123a,123b,223a,223b,223c,323,423:出光面 124a,124b,324:連接面 130,230,330,430:遮光結構 131,231,331,431:主要遮光部 140,240,340,440:奈米結構層 150,250,350,450:連接結構層 32:支撐件 425:階差結構 426:注料痕 50:電子裝置 511:長焦望遠鏡頭 512:超廣角鏡頭 513:超長焦望遠鏡頭 514:廣角主鏡頭 52:鏡頭蓋板 54:使用者介面 55:成像訊號處理元件 56:光學防手震組件 57:感測元件 58:閃光燈模組 59:對焦輔助模組 IS,53:電子感光元件 L1:入光光路 L2:出光光路 T:邊緣厚度 T1:高度 T2:厚度
第1A圖繪示依照本揭示內容第一實施方式中相機模組的立體圖； 第1B圖繪示依照第1A圖第一實施方式中相機模組的分解圖； 第1C圖繪示依照第1A圖第一實施方式中相機模組的另一分解圖； 第1D圖繪示依照第1A圖第一實施方式中相機模組的俯視圖； 第1E圖繪示依照第1D圖第一實施方式中相機模組沿剖線1E-1E的剖面圖； 第1F圖繪示依照第1A圖第一實施方式中相機模組的部分剖視圖； 第1G圖繪示依照第1F圖第一實施方式中光線轉折元件的部分放大圖； 第1H圖繪示依照第1A圖第一實施方式中相機模組的部分示意圖； 第1I圖繪示依照第1H圖第一實施方式的第一實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第1J圖繪示依照第1I圖第一實施方式的第一實施例中奈米結構層的掃描式電子顯微鏡影像； 第1K圖繪示依照第1I圖第一實施方式的第一實施例中奈米結構層的另一掃描式電子顯微鏡影像； 第1L圖繪示依照第1H圖第一實施方式的第二實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第1M圖繪示依照第1H圖第一實施方式的第三實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第1N圖繪示依照第1M圖第一實施方式的第三實施例中光線轉折元件的剖面的掃描式電子顯微鏡影像； 第1O圖繪示依照第1M圖第一實施方式的第三實施例中光線轉折元件的剖面的另一掃描式電子顯微鏡影像； 第1P圖繪示依照第1M圖第一實施方式的第三實施例中光線轉折元件的剖面的再一掃描式電子顯微鏡影像； 第1Q圖繪示依照第1H圖第一實施方式的第四實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第2A圖繪示依照本揭示內容第二實施方式中相機模組的立體圖； 第2B圖繪示依照第2A圖第二實施方式中相機模組的部分立體圖； 第2C圖繪示依照第2A圖第二實施方式中相機模組的俯視圖； 第2D圖繪示依照第2C圖第二實施方式中相機模組沿剖線2D-2D的剖面圖； 第2E圖繪示依照第2A圖第二實施方式中光線轉折元件的立體圖； 第2F圖繪示依照第2E圖第二實施方式中光線轉折元件的部分剖視圖； 第2G圖繪示依照第2F圖第二實施方式中光線轉折元件的部分放大圖； 第2H圖繪示依照第2A圖第二實施方式中相機模組的部分示意圖； 第2I圖繪示依照第2H圖第二實施方式的第一實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第2J圖繪示依照第2H圖第二實施方式的第二實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第2K圖繪示依照第2H圖第二實施方式的第三實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第2L圖繪示依照第2H圖第二實施方式的第四實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第3A圖繪示依照本揭示內容第三實施方式中相機模組的立體圖； 第3B圖繪示依照第3A圖第三實施方式中相機模組的分解圖； 第3C圖繪示依照第3A圖第三實施方式中相機模組的另一分解圖； 第3D圖繪示依照第3A圖第三實施方式中相機模組的俯視圖； 第3E圖繪示依照第3D圖第三實施方式中相機模組沿剖線3E-3E的剖面圖； 第3F圖繪示依照第3A圖第三實施方式中光線轉折元件的部分剖視圖； 第3G圖繪示依照第3F圖第三實施方式中光線轉折元件的部分放大圖； 第3H圖繪示依照第3A圖第三實施方式中相機模組的部分示意圖； 第3I圖繪示依照第3H圖第三實施方式的第一實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第3J圖繪示依照第3H圖第三實施方式的第二實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第3K圖繪示依照第3H圖第三實施方式的第三實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第3L圖繪示依照第3H圖第三實施方式的第四實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第4A圖繪示依照本揭示內容第四實施方式中光線轉折元件的立體圖； 第4B圖繪示依照第4A圖第四實施方式中光線轉折元件的另一立體圖； 第4C圖繪示依照第4A圖第四實施方式中光線轉折元件的俯視圖； 第4D圖繪示依照第4C圖第四實施方式中光線轉折元件沿剖線4D-4D的剖面圖； 第4E圖繪示依照第4A圖第四實施方式中光線轉折元件的示意圖； 第4F圖繪示依照第4E圖第四實施方式的第一實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第4G圖繪示依照第4E圖第四實施方式的第一實施例中光線轉折元件的另一局部放大圖； 第4H圖繪示依照第4E圖第四實施方式的第二實施例中光線轉折元件的局部放大圖； 第5A圖繪示依照本揭示內容第五實施方式中電子裝置的示意圖；以及 第5B圖繪示依照第5A圖第五實施方式中電子裝置的方塊圖。
10:電子裝置
11:殼體
12:驅動件
13:電路板
14:載體
111:光學元件
112:鏡筒
120a,120b:光線轉折元件
121b:反射面
122a:入光面
123a:出光面
124a,124b:連接面
130:遮光結構
IS:電子感光元件

Claims (33)

  1. 一種成像鏡頭，包含： 複數光學元件，一光軸通過該些光學元件；以及 一光路徑轉折機構，配置於該光軸上用以轉折該光軸至少一次，且包含： 至少一光線轉折元件，包含： 一反射面，用以將該至少一光線轉折元件的一入光光路轉折至一出光光路； 一入光面，配置於該反射面的物側，且該入光光路通過該入光面；及 一出光面，配置於該反射面的像側，且該出光光路通過該出光面； 一遮光結構，設置於該至少一光線轉折元件的該入光面和該出光面中至少一者上，且該遮光結構包含： 一主要遮光部，位於通過該光軸的一橫截面上最靠近該光軸的一邊緣部；及 一奈米結構層，連續分布於該至少一光線轉折元件的該入光面和該出光面中至少該者與該遮光結構的該主要遮光部上，該奈米結構層呈現複數不規則脊狀凸起； 其中，該遮光結構的該主要遮光部環繞該光軸定義一通光區域； 其中，該奈米結構層的平均高度介於90 nm至350 nm。
  2. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該遮光結構同時設置於該至少一光線轉折元件的該入光面和該出光面上。
  3. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該主要遮光部的邊緣厚度介於0.4 um至50 um。
  4. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該奈米結構層的平均高度介於125 nm至300 nm。
  5. 如請求項4所述的成像鏡頭，其中該奈米結構層的平均高度介於195 nm至255 nm。
  6. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該至少一光線轉折元件更包含一連接結構層，該連接結構層設置於該奈米結構層與該至少一光線轉折元件的該入光面和該出光面中至少該者之間。
  7. 如請求項6所述的成像鏡頭，其中該連接結構層進一步設置於該奈米結構層與該遮光結構之間。
  8. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該至少一光線轉折元件的數量為二，且該光路徑轉折機構用以轉折該光軸二次。
  9. 如請求項8所述的成像鏡頭，其中該二光線轉折元件的該二反射面互相平行。
  10. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該至少一光線轉折元件的數量為三，且該光路徑轉折機構用以轉折該光軸三次。
  11. 如請求項10所述的成像鏡頭，其中該三光線轉折元件的該些反射面的其中二者互相垂直。
  12. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該至少一光線轉折元件更包含一連接面，該連接面連接該反射面、該入光面及該出光面。
  13. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該至少一光線轉折元件由塑膠材質製成。
  14. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該至少一光線轉折元件由玻璃材質製成。
  15. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該至少一光線轉折元件的阿貝數介於40至65。
  16. 一種相機模組，包含： 如請求項1所述的成像鏡頭。
  17. 一種電子裝置，包含： 如請求項16所述的相機模組；以及 一電子感光元件，設置於該相機模組的一成像面。
  18. 一種成像鏡頭，包含： 複數光學元件，一光軸通過該些光學元件；以及 一光路徑轉折機構，配置於該光軸上用以轉折該光軸至少一次，且包含： 一光線轉折元件，包含： 至少二反射面，用以將該光線轉折元件的一入光光路轉折至一出光光路； 一入光面，配置於該至少二反射面的一者的物側，且該入光光路通過該入光面；及 一出光面，配置於該至少二反射面的另一者的像側，且該出光光路通過該出光面； 一遮光結構，設置於該光線轉折元件的該入光面和該出光面中至少一者上，且該遮光結構包含： 一主要遮光部，位於通過該光軸的一橫截面上最靠近該光軸的一邊緣部；及 一奈米結構層，連續分布於該光線轉折元件的該入光面和該出光面中至少該者與該遮光結構的該主要遮光部上，該奈米結構層呈現複數不規則脊狀凸起； 其中，該遮光結構的該主要遮光部環繞該光軸定義一通光區域； 其中，該奈米結構層的平均高度介於90 nm至350 nm。
  19. 如請求項18所述的成像鏡頭，其中該遮光結構同時設置於該光線轉折元件的該入光面和該出光面上。
  20. 如請求項18所述的成像鏡頭，其中該主要遮光部的邊緣厚度介於0.4 um至50 um。
  21. 如請求項18所述的成像鏡頭，其中該奈米結構層的平均高度介於125 nm至300 nm。
  22. 如請求項21所述的成像鏡頭，其中該奈米結構層的平均高度介於195 nm至255 nm。
  23. 如請求項18所述的成像鏡頭，其中該光線轉折元件更包含一連接結構層，該連接結構層設置於該奈米結構層與該光線轉折元件的該入光面和該出光面中至少該者之間。
  24. 如請求項23所述的成像鏡頭，其中該連接結構層進一步設置於該奈米結構層與該遮光結構之間。
  25. 如請求項18所述的成像鏡頭，其中該光路徑轉折機構用以轉折該光軸至少四次。
  26. 如請求項25所述的成像鏡頭，其中該至少二反射面的數量為四，且該光線轉折元件的該四反射面的二者互相平行。
  27. 如請求項26所述的成像鏡頭，其中該光線轉折元件的該四反射面的另二者使該光軸於該光線轉折元件內部全反射。
  28. 如請求項18所述的成像鏡頭，其中該光線轉折元件更包含一連接面，該連接面連接該至少二反射面、該入光面及該出光面。
  29. 如請求項28所述的成像鏡頭，其中該光線轉折元件的該連接面包含至少一注料痕。
  30. 如請求項29所述的成像鏡頭，其中該光線轉折元件更包含一階差結構。
  31. 如請求項30所述的成像鏡頭，其中該光線轉折元件由塑膠材質製成。
  32. 如請求項18所述的成像鏡頭，其中該光線轉折元件由玻璃材質製成。
  33. 如請求項18所述的成像鏡頭，其中該光線轉折元件的阿貝數介於40至65。
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