TW202344700A - 蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩裝置之製造方法及有機裝置之製造方法 - Google Patents

蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩裝置之製造方法及有機裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本揭示之蒸鍍罩裝置具備框架、蒸鍍罩及對準罩。對準罩包含位於第2方向上互不相同之位置且與框架重疊之2個第1對準罩孔。將框架與對準罩接合之第1熔接部相對於第1對準罩孔，位於第2方向之對準罩之外側。將框架與對準罩接合之第2熔接部相對於第1對準罩孔，位於第2方向之對準罩之內側。

Description

蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩裝置之製造方法及有機裝置之製造方法
本揭示係關於一種蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩裝置之製造方法及有機裝置之製造方法。
智慧型手機或平板PC(Personal Computer：個人電腦)等可攜帶之裝置所使用之顯示裝置之領域中，作為有機裝置之一例之有機EL(Electro Luminescence：電致發光)顯示裝置備受矚目。作為有機EL顯示裝置等有機半導體裝置之製造方法及製造裝置，已知有使用蒸鍍罩形成像素之方法及裝置。為了於蒸鍍罩形成以期望之圖案排列之貫通孔，而以期望之圖案形成像素。例如，首先將固定於框架之狀態之蒸鍍罩與有機EL顯示裝置用基板組合。接著，於蒸鍍裝置中，使包含有機材料之蒸鍍材料經由蒸鍍罩之貫通孔於基板上蒸鍍。藉由實施此種蒸鍍步驟，可以對應於蒸鍍罩之貫通孔之圖案，將包含蒸鍍材料之蒸鍍層(或有機EL顯示裝置之發光層)作為像素形成於基板上。蒸鍍層構成有機EL顯示裝置之發光層。
有將以蒸鍍罩與框架構成之裝置稱為蒸鍍罩裝置之情形。蒸鍍罩裝置以使蒸鍍罩與基板對位之方式，於蒸鍍裝置內對位。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5382259號公報
[發明所欲解決之問題]
本揭示之目的在於提供一種可提高對位精度之蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩裝置之製造方法及有機EL顯示裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本揭示之蒸鍍罩裝置具備框架、蒸鍍罩及對準罩。框架包含第1框架面、位於第1框架面之相反側之第2框架面、及自第1框架面貫通至第2框架面之框架開口。蒸鍍罩與第1框架面接合。蒸鍍罩包含俯視時與框架開口重疊之複數個貫通孔。對準罩與第1框架面接合。對準罩與蒸鍍罩於第1方向上排列。對準罩包含位於與第1方向正交之第2方向上互不相同之位置且與框架重疊之2個第1對準罩孔。將框架與對準罩接合之第1熔接部相對於第1對準罩孔，位於第2方向之對準罩之外側。將框架與對準罩接合之第2熔接部相對於第1對準罩孔，位於第2方向之對準罩之內側。
本揭示之蒸鍍罩裝置具備框架、蒸鍍罩及對準罩。框架包含第1框架面、位於第1框架面之相反側之第2框架面、及自第1框架面貫通至第2框架面之框架開口。蒸鍍罩與第1框架面接合。蒸鍍罩包含俯視時與框架開口重疊之複數個貫通孔。對準罩與第1框架面接合。對準罩與蒸鍍罩於第1方向上排列。對準罩包含位於與第1方向正交之第2方向上互不相同之位置且與框架重疊之2個第1對準罩孔。將框架與對準罩接合之第1熔接部相對於第1對準罩孔，位於第2方向之對準罩之外側。將框架與對準罩接合之第5熔接部相對於第1對準罩孔，位於第1方向之兩側。
本揭示之蒸鍍罩裝置之製造方法具備準備步驟、第1接合步驟及第2接合步驟。準備步驟中準備框架，該框架包含第1框架面、位於第1框架面之相反側之第2框架面、及自第1框架面貫通至第2框架面之框架開口。第1接合步驟中，將對準罩藉由第1熔接部及第2熔接部與第1框架面接合。第2接合步驟中，將包含俯視時與框架開口重疊之複數個貫通孔之蒸鍍罩與對準罩於第1方向上排列而接合於第1框架面。對準罩包含位於與第1方向正交之第2方向上互不相同之位置且與框架重疊之2個第1對準罩孔。第1熔接部相對於第1對準罩孔位於第2方向之對準罩之外側。第2熔接部相對於第1對準罩孔位於第2方向之對準罩之內側。
本揭示之蒸鍍罩裝置之製造方法具備準備步驟、第1接合步驟及第2接合步驟。準備步驟中準備框架，該框架包含第1框架面、位於第1框架面之相反側之第2框架面、及自第1框架面貫通至第2框架面之框架開口。第1接合步驟中，將對準罩藉由第1熔接部及第5熔接部與第1框架面接合。第2接合步驟中，將包含俯視時與框架開口重疊之複數個貫通孔之蒸鍍罩與對準罩於第1方向上排列而接合於第1框架面。對準罩包含位於與第1方向正交之第2方向上互不相同之位置且與框架重疊之2個第1對準罩孔。第1熔接部相對於第1對準罩孔位於第2方向之對準罩之外側。第5熔接部相對於第1對準罩孔位於第1方向之兩側。
本揭示之有機EL顯示裝置之製造方法具備裝置準備步驟、對位步驟、密著步驟及蒸鍍步驟。裝置準備步驟中，準備上述蒸鍍罩裝置。對位步驟中，進行蒸鍍罩裝置與基板之對位。密著步驟中，使蒸鍍罩裝置之蒸鍍罩與基板密著。蒸鍍步驟中，使蒸鍍材料通過蒸鍍罩之貫通孔於基板上蒸鍍，形成蒸鍍層。 [發明之效果]
根據本揭示，可提高對位精度。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則「基板」、「基材」、「板」、「片材」、或「薄膜」等意指成為某構成之基礎之物質之用語僅基於稱呼之差異，彼此不區分。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則對於形狀或幾何條件以及特定其等之程度之例如「平行」、「正交」等用語、長度、或角度之值等，不限於嚴格含義，包含可期待相同功能之程度之範圍而解釋。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則將某構件或某區域等之某構成設於其他構件或其他區域等之其他構成之「上」或「下」、「上側」或「下側」、或者「上方」或「下方」之情形時，包含某構成與其他構成直接相接之情形。再者，亦包含某構成與其他構成之間含有另外構成之情形，即間接相接之情形。又，只要無特別說明，則「上」或「上側」或「上方」、或「下」或「下側」或「下方」等詞句之上下方向可反轉。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則有對同一部分或具有相同功能之部分標註同一符號或類似符號，省略其重複說明之情形。又，為方便說明起見，有圖式之尺寸比例與實際比例不同之情形，或自圖式省略構成之一部分之情形。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則於不產生矛盾之範圍內，可與其他實施形態或變化例組合。又，其他實施形態彼此、或其他實施形態及變化例亦可於不產生矛盾之範圍內組合。又，變化例彼此亦可於不產生矛盾之範圍內組合。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則就製造方法等方法揭示複數個步驟之情形時，亦可於所揭示之步驟之間，實施未揭示之其他步驟。又，所揭示之步驟之順序於不產生矛盾之範圍內為任意。
本說明書及本圖式中，只要未特別說明，則由「～」之記號表現之數值範圍包含置於「～」符號前後之數值。例如，由「34～38質量%」之表現劃定之數值範圍，與由「34質量%以上38質量%以下」之表現劃定之數值範圍相同。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則本說明書之一實施形態中，舉製造有機EL顯示裝置時用於將有機材料以期望之圖案於基板上圖案化之蒸鍍罩或其製造方法相關之例進行說明。但，不限定於此種應用，可對用於各種用途之蒸鍍罩應用本實施形態。
以下，一面參照圖式，一面針對本揭示之一實施形態詳細說明。另，以下所示之實施形態為本揭示之實施形態之一例，本揭示並非僅限定於該等實施形態而解釋。
本揭示之第1態樣係蒸鍍罩裝置，其具備： 框架，其具有第1框架面、位於上述第1框架面之相反側之第2框架面、及自上述第1框架面貫通至上述第2框架面之框架開口； 蒸鍍罩，其與上述第1框架面接合，包含俯視時與上述框架開口重疊之複數個貫通孔；及 對準罩，其與上述第1框架面接合，與上述蒸鍍罩於第1方向上排列；且 上述對準罩包含：2個第1對準罩孔，其等位於與上述第1方向正交之第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 將上述框架與上述對準罩接合之第1熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側； 將上述框架與上述對準罩接合之第2熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之內側。
作為本揭示之第2態樣，亦可如上述第1態樣之蒸鍍罩裝置，其中 上述第1熔接部包含排列於上述第1方向之複數個第1熔接分割部， 上述第2熔接部包含排列於上述第1方向之複數個第2熔接分割部。
作為本揭示之第3態樣，亦可如上述第1態樣或上述第2態樣之蒸鍍罩裝置，其中 上述框架包含：第1框架對準孔，其自上述第1框架往向上述第2框架面延伸，俯視時與上述第1對準罩孔重疊。
作為本揭示之第4態樣，亦可如上述第3態樣之蒸鍍罩裝置，其中 上述第1框架對準孔自第1框架面貫通至第2框架面。
作為本揭示之第5態樣，亦可如上述第4態樣之蒸鍍罩裝置，其中 上述第1框架對準孔於與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向延伸。
作為本揭示之第6態樣，亦可如上述第1態樣至上述第5態樣之各者之蒸鍍罩裝置，其中 上述第1對準罩孔於上述第2方向位於上述框架開口之兩側。
作為本揭示之第7態樣，亦可如上述第1態樣至上述第6態樣之各者之蒸鍍罩裝置，其中 將上述框架與上述對準罩接合之第5熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第1方向之至少一側。
作為本揭示之第8態樣，亦可如上述第1態樣至上述第7態樣之各者之蒸鍍罩裝置，其中 上述對準罩包含：2個第2對準罩孔，其等位於上述第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 上述第2對準罩孔各自於上述第2方向上，位於一上述第2熔接部與另一上述第2熔接部之間。
作為本揭示之第9態樣，亦可如上述第8態樣之蒸鍍罩裝置，其中 將上述框架與上述對準罩接合之第3熔接部相對於上述第2對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側； 將上述框架與上述對準罩接合之第4熔接部相對於上述第2對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之內側。
作為本揭示之第10態樣，亦可如上述第9態樣之蒸鍍罩裝置，其中 上述第3熔接部包含排列於上述第1方向之複數個第3熔接分割部， 上述第4熔接部包含排列於上述第1方向之複數個第4熔接分割部。
作為本揭示之第11態樣，亦可如上述第8態樣至上述第10態樣之各者之蒸鍍罩裝置，其中 上述框架包含自上述第1框架往向上述第2框架面延伸之第2框架對準孔， 上述第2框架對準孔包含：對準框架開口，其位於上述第1框架面，俯視時與上述第2對準罩孔重疊。
作為本揭示之第12態樣，亦可如上述第11態樣之蒸鍍罩裝置，其中 上述第2框架對準孔自上述第1框架面貫通至上述第2框架面。
作為本揭示之第13態樣，亦可如上述第12態樣之蒸鍍罩裝置，其中 上述第2框架對準孔相對於上述第1框架面傾斜。
作為本揭示之第14態樣，亦可如上述第8態樣至上述第13態樣之各者之蒸鍍罩裝置，其中 上述第2對準罩孔於上述第1方向位於上述框架開口之一側。
作為本揭示之第15態樣，亦可如上述第8態樣至上述第14態樣之各者之蒸鍍罩裝置，其中 將上述框架與上述對準罩接合之第6熔接部相對於上述第2對準罩孔，位於上述第1方向之至少一側。
本揭示之第16態樣係蒸鍍罩裝置，其具備： 框架，其具有第1框架面、位於上述第1框架面之相反側之第2框架面、及自上述第1框架面貫通至上述第2框架面之框架開口； 蒸鍍罩，其與上述第1框架面接合，包含俯視時與上述框架開口重疊之複數個貫通孔；及 對準罩，其與上述第1框架面接合，與上述蒸鍍罩於第1方向上排列；且 上述對準罩包含：2個第1對準罩孔，其等位於與上述第1方向正交之第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 將上述框架與上述對準罩接合之第1熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側； 將上述框架與上述對準罩接合之第5熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第1方向之兩側。
作為本揭示之第17態樣，亦可如上述第16態樣之蒸鍍罩裝置，其中 上述對準罩包含：2個第2對準罩孔，其等位於上述第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 上述第2對準罩孔各自於上述第2方向上，位於一上述第1對準罩孔與另一上述第1對準罩孔之間。
作為本揭示之第18態樣，亦可如上述第17態樣之蒸鍍罩裝置，其中 將上述框架與上述對準罩接合之第3熔接部相對於上述第2對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側； 將上述框架與上述對準罩接合之第6熔接部相對於上述第2對準罩孔，位於上述第1方向之兩側。
本揭示之第19態樣係蒸鍍罩裝置之製造方法，其具備： 準備步驟，其準備框架，該框架包含第1框架面、位於上述第1框架面之相反側之第2框架面、及自上述第1框架面貫通至上述第2框架面之框架開口； 第1接合步驟，其將對準罩藉由第1熔接部及第2熔接部與上述第1框架面接合；及 第2接合步驟，其將包含俯視時與上述框架開口重疊之複數個貫通孔之蒸鍍罩與上述對準罩於第1方向上排列而接合於上述第1框架面；且 上述對準罩包含：2個第1對準罩孔，其等位於與上述第1方向正交之第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 上述第1熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側， 上述第2熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之內側。
本揭示之第20態樣係蒸鍍罩裝置之製造方法，其具備： 準備步驟，其準備框架，該框架包含第1框架面、位於上述第1框架面之相反側之第2框架面、及自上述第1框架面貫通至上述第2框架面之框架開口； 第1接合步驟，其將對準罩藉由第1熔接部及第5熔接部與上述第1框架面接合； 第2接合步驟，其將包含俯視時與上述框架開口重疊之複數個貫通孔之蒸鍍罩與上述對準罩於第1方向上排列而接合於上述第1框架面；且 上述對準罩包含：2個第1對準罩孔，其等位於與上述第1方向正交之第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 上述第1熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側， 上述第5熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第1方向之兩側。
另，上述第19態樣至上述第20態樣分別亦可為藉由第19態樣至第20態樣之各者之蒸鍍罩裝置之製造方法製造之蒸鍍罩裝置。
本揭示之第21態樣係有機裝置之製造方法，其具備： 裝置準備步驟，其準備上述第1態樣至上述第18態樣之各者之蒸鍍罩裝置； 對位步驟，其進行上述蒸鍍罩裝置與基板之對位； 密著步驟，其使上述蒸鍍罩裝置之上述蒸鍍罩與基板密著；及 蒸鍍步驟，其使蒸鍍材料通過上述蒸鍍罩之上述貫通孔於上述基板上蒸鍍，形成蒸鍍層。
另，上述第21態樣亦可為藉由第21態樣之有機裝置之製造方法製造之有機裝置。
以下，參照圖1～圖20，針對本揭示之一實施形態之蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩裝置之製造方法及有機裝置之製造方法進行說明。
首先，參照圖1，針對對對象物實施使蒸鍍材料蒸鍍之蒸鍍處理之蒸鍍裝置80進行說明。
如圖1所示，蒸鍍裝置80亦可具備坩堝81等蒸鍍源、加熱器83及蒸鍍罩裝置10。蒸鍍裝置80亦可進而具備用以將蒸鍍裝置80之內部設為真空氛圍之排氣機構(未圖示)。坩堝81設置於蒸鍍裝置80之內部，以收容有機發光材料等蒸鍍材料82之方式構成。加熱器83以加熱坩堝81之方式構成。藉由於真空氛圍中加熱坩堝81，蒸鍍材料82蒸發。
蒸鍍罩裝置10亦可以與坩堝81對向之方式位於蒸鍍裝置80內。蒸鍍罩裝置10亦可位於坩堝81之上方。基板91位於面對蒸鍍罩裝置10之蒸鍍罩20之位置。基板91係使蒸鍍材料82附著之對象物。基板91亦可位於蒸鍍罩20之上方。基板91亦可固持於未圖示之夾具並保持。自坩堝81飛來之蒸鍍材料通過蒸鍍罩20之後述之貫通孔25，附著於基板91。
如圖1所示，蒸鍍裝置80亦可具備位於基板91上方之磁鐵85。藉由設置磁鐵85，蒸鍍罩20藉由磁力向磁鐵85吸引，可將蒸鍍罩20與基板91密著。藉此，可抑制蒸鍍步驟中產生陰影(後述)，可提高由附著於基板91之蒸鍍材料82形成之蒸鍍層之形狀精度或位置精度。蒸鍍層相當於後述之有機EL顯示裝置90之發光層92(參照圖14)。亦可於基板91與磁鐵85間介置蒸鍍時將基板91冷卻之冷卻板(未圖示)。
接著，參照圖2～圖7，針對本揭示之一實施形態之蒸鍍罩裝置10進行說明。
如圖2及圖3所示，本實施形態之蒸鍍罩裝置10亦可具備框架15、設置於框架15上之蒸鍍罩20、及設置於框架15上之對準罩40。亦可將排列於第1方向D1之2個以上蒸鍍罩20接合於框架15上。本實施形態中，蒸鍍罩20以與第1方向D1正交之第2方向D2成為長邊方向之方式形成細長狀。蒸鍍罩20具有於第2方向D2上單行狀排列之複數個貫通孔群26。複數個蒸鍍罩20亦可於第1方向D1上排列，固定於框架15。
框架15亦可將蒸鍍罩20以朝沿框架15之平面之方向拉伸之狀態支持。該情形時，可抑制蒸鍍罩20撓曲。如此，蒸鍍罩20亦可張架於框架15並固定。
如圖3所示，框架15亦可包含第1框架面15a與第2框架面15b。第1框架面15a亦可為與蒸鍍罩20相接之面。亦可將蒸鍍罩20與第1框架面15a接合。第2框架面15b亦可位於第1框架面15a之相反側。另，圖3係模式性顯示圖2之A-A線剖面之圖，為明確圖式，減少後述之貫通孔群26之個數及貫通孔25之個數。
如圖2及圖4所示，框架15亦可於俯視時形成矩形框之形狀。框架15亦可包含框架開口16。框架開口16亦可自第1框架面15a貫通至第2框架面15b。框架開口16亦可於俯視時與蒸鍍罩20之貫通孔群26重疊。圖2所示之例中，框架開口16以俯視時沿第1方向D1及第2方向D2之方式形成矩形之形狀。此處，「俯視」為意指於蒸鍍罩20之厚度方向觀察之用語，例如設為意指於與圖2之紙面垂直之方向觀察之用語。厚度方向為與第1方向D1正交且與第2方向D2正交之方向，以下稱為第3方向D3。
框架15亦可包含2個第1延伸部分15c與2個第2延伸部分15d。第1延伸部分15c於第1方向D1位於框架開口16之兩側。框架開口16位於2個第1延伸部分15c間。第2延伸部分15d於第2方向D2位於框架開口16之兩側。框架開口16位於2個第2延伸部分15d間。第1延伸部分15c及第2延伸部分15d一體形成連續狀，構成框架15。
如圖4所示，框架15亦可包含4個第1框架對準孔17與4個第2框架對準孔18。
第1框架對準孔17亦可為用以進行框架15與對準罩40之對位之孔。第1框架對準孔17亦可為於後述之第2接合步驟中，用以於自框架15之第2框架面15b朝向第1框架面15a之方向上目視第1對準罩孔43之孔(參照圖12)。
如圖5所示，第1框架對準孔17亦可自第1框架面15a向第2框架面15b延伸。第1框架對準孔17亦可於第3方向D3延伸。第1框架對準孔17可與第1框架面15a垂直延伸，亦可與第2框架面15b垂直延伸。第1框架對準孔17亦可自第1框架面15a貫通至第2框架面15b。然而，若第1框架對準孔17可於自對準罩40之後述之第1對準罩面40a朝向第2對準罩面40b之方向上目視第1對準罩孔43，則亦可不貫通框架15。第1框架對準孔17之平面形狀為任意，但亦可如圖7所示，為圓形之形狀。
如圖4所示，4個第1框架對準孔17亦可位於沿第1方向D1及第2方向D2之四角形之頂點。排列於第2方向D2之2個第1框架對準孔17亦可於第2方向D2位於框架開口16之兩側。圖4所示之例中，位於上側之第1框架對準孔17位於框架開口16之上側，位於下側之第1框架對準孔17位於框架開口16之下側。排列於第2方向D2之2個第1框架對準孔17與1個對準罩40之後述之第1對準罩孔43對應。
第2框架對準孔18亦可為有機EL顯示裝置90之製造方法之對位步驟中使用之孔。更具體而言，第2框架對準孔18亦可為於蒸鍍裝置80內進行將蒸鍍罩裝置10與基板91對位時，用以提高第2對準罩孔44之可見性之孔。藉由第2對準罩孔44之可見性提高，可提高蒸鍍罩裝置10之對位精度。
如圖6所示，第2框架對準孔18亦可自第1框架面15a向第2框架面15b延伸。第2框架對準孔18可相對於第1框架面15a傾斜，亦可相對於第2框架面15b傾斜。第2框架對準孔18亦可自第1框架面15a貫通至第2框架面15b。然而，若第2框架對準孔18包含後述之對準框架開口18a，則亦可不貫通框架15。
第2框架對準孔18亦可包含位於第1框架面15a之對準框架開口18a。對準框架開口18a亦可於俯視時與後述之第2對準罩孔44重疊。對準框架開口18a之平面形狀為任意，但亦可如圖7所示，為圓形之形狀。
如圖4所示，框架15亦可包含4個第2框架對準孔18。4個第2框架對準孔18亦可位於沿第1方向D1及第2方向D2之四角形之頂點。排列於第1方向D1之2個第2框架對準孔18亦可於第1方向D1位於框架開口16之兩側。圖4之例中，位於左側之第2框架對準孔18位於框架開口16之左側，位於右側之第2框架對準孔18位於框架開口16之右側。排列於第2方向D2之2個第2框架對準孔18與1個對準罩40之後述之第2對準罩孔44對應。
框架15亦可以與構成後述之蒸鍍罩20之材料相同之材料構成。然而，不限定於此，亦可以與蒸鍍罩20不同之材料構成。
如圖3所示，框架15具有自第1框架面15a遍及第2框架面15b之厚度H1。厚度H1例如可為10 mm以上，可為15 mm以上，可為20 mm以上，亦可為25 mm以上。藉由將厚度H1設為10 mm以上，可抑制因自張架之蒸鍍罩20接收之張力而變形。又，厚度H1例如可為25 mm以下，可為40 mm以下，可為45 mm以下，亦可為50 mm以下。藉由將厚度H1設為50 mm以下，可抑制質量之增大。厚度H1之範圍亦可由包含10 mm、15 mm、20 mm及25 mm之第1組群，及/或包含25 mm、40 mm、45 mm及50 mm之第2組群規定。厚度H1之範圍亦可藉由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合規定。厚度H1之範圍亦可藉由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合規定。厚度H1之範圍亦可藉由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為10 mm以上50 mm以下、可為10 mm以上45 mm以下，可為10 mm以上40 mm以下，可為10 mm以上25 mm以下，可為10 mm以上25 mm以下，可為10 mm以上20 mm以下，可為10 mm以上15 mm以下，可為15 mm以上50 mm以下，可為15 mm以上45 mm以下，可為15 mm以上40 mm以下，可為15 mm以上25 mm以下，可為15 mm以上25 mm以下，可為15 mm以上20 mm以下，可為20 mm以上50 mm以下，可為20 mm以上45 mm以下，可為20 mm以上40 mm以下，可為20 mm以上25 mm以下，可為20 mm以上25 mm以下，可為25 mm以上50 mm以下，可為25 mm以上45 mm以下，可為25 mm以上40 mm以下，可為25 mm以上25 mm以下，可為25 mm以上50 mm以下，可為25 mm以上45 mm以下，可為25 mm以上40 mm以下，可為40 mm以上50 mm以下，可為40 mm以上45 mm以下，亦可為45 mm以上50 mm以下。
接著，參照圖2及圖3，針對本揭示之一實施形態之蒸鍍罩20進行說明。
如圖3所示，蒸鍍罩20亦可包含第1罩面20a與第2罩面20b。第1罩面20a亦可為蒸鍍時與基板91(參照圖1)密著之面。第2罩面20b亦可位於第2罩面20b之相反側。第2罩面20b亦可為與上述框架15相接之面。
如圖2及圖3所示，蒸鍍罩20亦可包含2個重疊部21。重疊部21亦可位於第2方向D2之蒸鍍罩20之兩側。重疊部21亦可與第1框架面15a即第2延伸部分15d重疊。重疊部21係於第2方向D2上，位於俯視時較後述之貫通孔群26外側之部分。重疊部21之一部分於將蒸鍍罩20與框架15接合後切斷並去除。
如圖3所示，蒸鍍罩20亦可包含2個以上之貫通孔25。蒸鍍罩20亦可包含以2個以上之貫通孔25構成之貫通孔群26。本實施形態中，如圖2所示，各蒸鍍罩20包含排列於第2方向D2之2個以上之貫通孔群26。貫通孔群26於第2方向D2位於2個重疊部21之間。
如圖3所示，貫通孔25自第1罩面20a延伸至第2罩面20b，貫通蒸鍍罩20。圖3中，為了簡化圖式，顯示貫通孔25之壁面以自第1罩面20a向第2罩面20b自中心軸線CL遠離之方式，相對於中心軸線CL直線狀傾斜之例。如此，貫通孔25之壁面亦可以第1罩面20a之開口尺寸小於第2罩面20b之開口尺寸之方式形成。該情形時，可抑制自蒸鍍裝置80之坩堝81飛來之蒸鍍材料82到達基板91之前到達第2罩面20b。該情形時，可抑制蒸鍍材料82到達貫通孔25之壁面並附著。可抑制形成於基板91之發光層92之厚度於貫通孔25之壁面附近變薄。藉此，可抑制陰影產生。陰影是指由貫通孔25之壁面阻礙蒸鍍材料82對基板91之附著。因此，可提高由附著於基板91之蒸鍍材料82形成之發光層92(參照圖14)之形狀精度或位置精度，可提高發光層92之精細度。另，雖於此處省略關於貫通孔25之剖面形狀之更詳細說明，但根據蒸鍍罩20之製造方法，貫通孔25之壁面之形狀亦可為彎曲之形狀，為任意。
如圖2及圖3所示，貫通孔群26與上述之框架15之框架開口16重疊，自框架開口16露出。貫通孔25於俯視時與框架開口16重疊。亦可所有貫通孔群26與框架開口16重疊。貫通孔群26亦可以2個以上之貫通孔25形成群之方式構成。貫通孔群26作為意指規則排列之複數個貫通孔25之集合體使用。構成1個貫通孔群26之外緣之貫通孔25係同樣規則排列之複數個貫通孔25中位於最外側之貫通孔25。亦可於外緣之貫通孔25之外側，不存在同樣規則排列，意欲通過蒸鍍材料82之貫通孔25。然而，亦可於外緣之貫通孔25之外側，形成其他用途之貫通孔或凹部(皆未圖示)。該等其他用途之貫通孔或凹部亦可不具有貫通孔25之排列之規則性而形成，亦可認為不屬於貫通孔群26。
如圖2所示，複數個貫通孔群26亦可空出特定之間隔排列。貫通孔群26亦可於第2方向D2上空出特定之間隔排列。雖未圖示，但貫通孔群26亦可分別於第1方向及第2方向D2上排列，並列排列。更具體而言，構成沿第1方向D1之1個行之各貫通孔群26、及構成與該行於第2方向D2上相鄰之其他行之各貫通孔群26亦可於第2方向D2上整齊排列。
1個貫通孔群26中，複數個貫通孔25亦可空出特定之間隔排列。貫通孔25亦可於第1方向D1上空出特定之間隔排列，且於第2方向D2上空出特定之間隔排列。貫通孔25之排列間距可於第1方向D1及第2方向D2上不同，亦可相等。貫通孔25之排列間距亦可根據顯示裝置或投影裝置之像素密度，例如如下述般規定。 ・像素密度為600 ppi以上之情形：間距為42.3 μm以下 ・像素密度為1200 ppi以上之情形：間距為21.2 μm以下 ・像素密度為3000 ppi以上之情形：間距為8.5 μm以下 ・像素密度為5000 ppi以上之情形：間距為5.1 μm以下
像素密度為600 ppi之顯示裝置或投影裝置亦可以距眼球15 cm左右之距離下顯示圖像或影像之方式使用，例如亦可作為智慧型手機用之有機EL顯示裝置使用。像素密度為1200 ppi之顯示裝置或投影裝置亦可以距眼球8 cm左右之距離下顯示圖像或影像之方式使用，例如亦可將用以表現虛擬現實(所謂VR(Virtual Reality))之圖像或影像用於顯示或投影。像素密度為3000 ppi之顯示裝置或投影裝置亦可以距眼球3 cm左右之距離下顯示圖像或影像之方式使用，例如亦可將用以表現增強現實(所謂AR(Augmented Reality))之圖像或影像用於顯示或投影。像素密度為5000 ppi之顯示裝置或投影裝置亦可以距眼球2 cm左右之距離下顯示圖像或影像之方式使用，例如亦可將用以表現增強現實之圖像或影像用於顯示或投影。
另，1個貫通孔群26之貫通孔25可並列排列，亦可交錯排列(未圖示)。即，構成沿第1方向D1之1個行之各貫通孔25、及構成與該行於第2方向D2相鄰之其他行之各貫通孔25亦可不於第2方向D2上整齊排列。構成1個行之各貫通孔25與構成相鄰之其他行之貫通孔25亦可於第1方向D1上偏移排列。該偏移量亦可為第1方向D1之排列間距C1之一半，但偏移量為任意。
貫通孔25亦可於俯視時具有大致矩形形狀之輪廓。輪廓之形狀可根據像素之形狀任意規定。例如，可具有六角形、八角形等其他多角形之形狀，亦可具有圓形之形狀。又，輪廓之形狀亦可為複數個形狀之組合。又，貫通孔25亦可分別具有互不相同輪廓之形狀。貫通孔25具有多角形形狀之輪廓之情形時，貫通孔25之開口尺寸亦可設為多角形中對向之一對邊之間隔。
圖3中，蒸鍍罩20之第1罩面20a之貫通孔25之開口尺寸以符號S1表示。蒸鍍罩20之第2罩面20b之貫通孔25之開口尺寸以符號S2表示。符號S3表示第1罩面20a之互相相鄰之貫通孔25彼此間之距離。
尺寸S1、尺寸S2及尺寸S3根據顯示裝置或投影裝置之像素密度，例如如以下之表1般規定。 [表1]
有將貫通孔群26稱為有效區域27之情形。有將位於有效區域27周圍之區域稱為周圍區域28之情形。本實施形態中，周圍區域28包圍1個有效區域27。
使用蒸鍍罩20製作有機EL顯示裝置等顯示裝置之情形時，1個有效區域27與1個有機EL顯示裝置之顯示區域對應。因此，根據圖2所示之蒸鍍罩20，有機EL顯示裝置可多面蒸鍍。1個有效區域27亦可對應於複數個顯示區域。
有效區域27例如亦可於俯視時具有大致矩形形狀之輪廓。有效區域27之輪廓亦可由自外側與對應之貫通孔群26中位於最外側之貫通孔25相接之線劃定。更詳細而言，有效區域27之輪廓亦可由與貫通孔25之開口相接之線劃定。圖2所示之例中，有效區域27之輪廓成為大致矩形形狀之輪廓。雖未圖示，但各有效區域27亦可根據有機EL顯示裝置之顯示區域之形狀，具有各種形狀之輪廓。例如，各有效區域27亦可具有圓形形狀之輪廓。
如圖3所示，蒸鍍罩20具有自第1罩面20a遍及第2罩面20b之厚度H2。厚度H2例如可為2 μm以上，可為5 μm以上，可為10 μm以上，亦可為15 μm以上。藉由將厚度H2設為2 μm以上，可確保蒸鍍罩20之機械強度。又，厚度H2例如可為20 μm以下，可為30 μm以下，可為40 μm以下，亦可為50 μm以下。藉由將厚度H2設為50 μm以下，可抑制陰影產生。厚度H2之範圍亦可由包含2 μm、5 μm、10 μm及15 μm之第1組群，及/或包含20 μm、30 μm、40 μm及50 μm之第2組群規定。厚度H2之範圍亦可藉由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合規定。厚度H2之範圍亦可藉由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合規定。厚度H2之範圍亦可藉由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為2 μm以上50 μm以下，可為2 μm以上40 μm以下，可為2 μm以上30 μm以下，可為2 μm以上20 μm以下，可為2 μm以上15 μm以下，可為2 μm以上10 μm以下，可為2 μm以上5 μm以下，可為5 μm以上50 μm以下，可為5 μm以上40 μm以下，可為5 μm以上30 μm以下，可為5 μm以上20 μm以下，可為5 μm以上15 μm以下，可為5 μm以上10 μm以下，可為10 μm以上50 μm以下，可為10 μm以上40 μm以下，可為10 μm以上30 μm以下，可為10 μm以上20 μm以下，可為10 μm以上15 μm以下，可為15 μm以上50 μm以下，可為15 μm以上40 μm以下，可為15 μm以上30 μm以下，可為15 μm以上20 μm以下，可為20 μm以上50 μm以下，可為20 μm以上40 μm以下，可為20 μm以上30 μm以下，可為30 μm以上50 μm以下，可為30 μm以上40 μm以下，亦可為40 μm以上50 μm以下。
蒸鍍罩20亦可以金屬材料構成。金屬材料亦可為磁性金屬材料。蒸鍍罩20例如亦可以包含鎳之鐵合金構成。鐵合金除鎳以外，亦可進而包含鈷。例如，作為蒸鍍罩20之材料，亦可使用鎳及鈷之含量合計為30質量%以上54質量%以下，且鈷之含量為0質量%以上6質量%以下之鐵合金。作為包含鎳之鐵合金之具體例，列舉包含34質量%以上38質量%以下之鎳之殷鋼材、包含38質量%以上54質量%以下之鎳之低熱膨脹鍍Fe-Ni系合金等。作為包含鎳及鈷之鐵合金之具體例，列舉除30質量%以上34質量%以下之鎳外，進而包含鈷之超殷鋼材等。藉由使用此種鐵合金，可降低蒸鍍罩20之熱膨脹係數。例如，使用玻璃基板作為基板91之情形時，可將蒸鍍罩20之熱膨脹係數設為與玻璃基板同等之低值。藉此，蒸鍍步驟時，可抑制形成於基板91之發光層92之形狀精度或位置精度因蒸鍍罩20與基板91間之熱膨脹係數之差而降低。
作為構成蒸鍍罩20之材料，可不將熱膨脹係數設為與玻璃基板同等之低值之情形時，亦可取代上述鐵合金，例如以單體之鎳構成，或者亦可以包含鈷之鎳合金構成。以包含鈷之鎳合金構成之情形時，作為蒸鍍罩20之材料，亦可使用鈷之含量為8質量%以上10質量%以下之鎳合金。藉由使用此種鎳或鎳合金，以鍍覆處理製造蒸鍍罩20之情形時，可使析出形成蒸鍍罩20之鍍覆被膜之鍍覆液穩定，可容易管理且提高處理性。可使鍍覆被膜之成分均等，可提高蒸鍍罩20之品質。
如圖2、圖3及圖7所示，亦可於蒸鍍罩20形成蒸鍍罩熔接部30。蒸鍍罩熔接部30將框架15與蒸鍍罩20接合。
蒸鍍罩熔接部30亦可位於重疊部21。蒸鍍罩熔接部30亦可包含排列於第1方向D1之複數個熔接分割部30a。熔接分割部30a可於俯視時形成點狀，亦可自蒸鍍罩20遍及框架15而形成。例如，亦可藉由點熔接而形成熔接分割部30a。熔接分割部30a之個數可為1個，亦可為2個以上，為任意。
蒸鍍罩熔接部30不限於包含複數個熔接分割部30a。例如，雖未圖示，但蒸鍍罩熔接部30亦可以於第1方向D1連續狀延伸之方式形成。
接著，參照圖2及圖5～圖7，針對本揭示之一實施形態之對準罩40進行說明。
如圖2所示，亦可將2個對準罩40與框架15接合。對準罩40亦可與框架15之第1框架面15a接合。對準罩40亦可張架於框架15並固定。
如圖5及圖6所示，對準罩40亦可包含第1對準罩面40a與第2對準罩面40b。第1對準罩面40a亦可為蒸鍍時基板91密著之面。第2對準罩面40b亦可位於第1對準罩面40a之相反側。第2對準罩面40b亦可為與上述框架15相接之面。
如圖2所示，對準罩40亦可於第1方向D1上與蒸鍍罩20排列。更具體而言，對準罩40亦可於第1方向D1位於框架開口16之一側。一對準罩40亦可於俯視時與一第1延伸部分15c重疊，與位於該第1延伸部分15c附近之蒸鍍罩20於第1方向D1上排列。另一對準罩40亦可於俯視時與另一第1延伸部分15c重疊，與位於該第1延伸部分15c附近之蒸鍍罩20於第1方向D1上排列。圖2所示之例中，左側之對準罩40亦可於俯視時與左側之第1延伸部分15c重疊，位於位於最左側之蒸鍍罩20之左側。右側之對準罩40亦可於俯視時與右側之第1延伸部分15c重疊，位於位於最右側之蒸鍍罩20之右側。
如圖2及圖7所示，對準罩40亦可包含2個第1對準重疊部41與第2對準重疊部42。
第1對準重疊部41於第2方向D2位於框架開口16之兩側。第1對準重疊部41於俯視時與第1框架面15a即第2延伸部分15d重疊。圖2所示之例中，上側之第1對準重疊部41位於框架開口16之上側，與上側之第2延伸部分15d重疊。下側之第1對準重疊部41位於框架開口16之下側，與下側之第2延伸部分15d重疊。
第2對準重疊部42於第1方向D1位於框架開口16之一側。第2對準重疊部42於俯視時與第1框架面15a即第1延伸部分15c重疊。圖2所示之例中，左側之對準罩40之第2對準重疊部42位於框架開口16之左側，與左側之第1延伸部分15c重疊。右側之對準罩40之第2對準重疊部42位於框架開口16之右側，與右側之第1延伸部分15c重疊。
如圖2所示，對準罩40亦可包含2個第1對準罩孔43與2個第2對準罩孔44。
第1對準罩孔43亦可為用以進行框架15與對準罩40之對位之孔。第1對準罩孔43亦可為後述之第2接合步驟中，用以設定用以規定蒸鍍罩20之貫通孔25之位置的座標之原點之孔。
第1對準罩孔43亦可位於第2方向D2上互不相同之位置，且與框架15重疊。第1對準罩孔43亦可位於對應之第1對準重疊部41。第1對準罩孔43亦可於第2方向D2位於框架開口16之兩側。圖2所示之例中，上側之第1對準罩孔43位於框架開口16之上側，下側之第1對準罩孔43位於框架開口16之下側。如圖7所示，第1對準罩孔43亦可位於俯視時與對應之第1框架對準孔17重疊之位置。
如圖5所示，第1對準罩孔43亦可自第1對準罩面40a延伸至第2對準罩面40b，貫通對準罩40。然而，若第1對準罩孔43可進行框架15與對準罩40之對位，且可設定用以規定蒸鍍罩20之貫通孔25之位置的座標之原點，則亦可不貫通對準罩40。第1對準罩孔43之平面形狀為任意，但亦可如圖7所示，為圓形之形狀。
如圖5及圖7所示，第1對準罩孔43亦可於俯視時與對應之第1框架對準孔17重疊。第1對準罩孔43及第1框架對準孔17之平面形狀為圓形之情形時，第1對準罩孔43之直徑亦可小於第1框架對準孔17之直徑。
第2對準罩孔44亦可為有機EL顯示裝置90之製造方法之對位步驟中使用之孔。更具體而言，第2對準罩孔44亦可為於蒸鍍裝置80內用以進行蒸鍍罩裝置10與基板91之對位之孔。
如圖2及圖7所示，第2對準罩孔44亦可位於第2方向D2上互不相同之位置，且與框架15重疊。第2對準罩孔44亦可位於第2對準重疊部42。2個第2對準罩孔44亦可位於第2對準重疊部42。2個第2對準罩孔44亦可於第2方向D2上分開。圖2所示之例中，左側之對準罩40之第2對準罩孔44位於框架開口16之左側，右側之對準罩40之第2對準罩孔44位於框架開口16之右側。
第2對準罩孔44亦可位於排列於第2方向D2之2個第2對準熔接部52之間。例如如圖2所示，第2對準罩孔44亦可於第2方向D2上，位於上側之第2對準熔接部52與下側之第2對準熔接部52之間。
如圖6所示，第2對準罩孔44亦可自第1對準罩面40a延伸至第2對準罩面40b，貫通對準罩40。然而，若第2對準罩孔44可進行蒸鍍罩裝置10與基板91之對位，則亦可不貫通對準罩40。第2對準罩孔44之平面形狀為任意，但亦可如圖7所示，為圓形之形狀。
如圖6及圖7所示，第2對準罩孔44亦可於俯視時與對應之第2框架對準孔18之對準框架開口18a重疊。第2對準罩孔44及對準框架開口18a之平面形狀為圓形之情形時，第2對準罩孔44之直徑亦可大於對準框架開口18a之直徑。
如圖2及圖7所示，亦可於對準罩40形成第1對準熔接部51及第2對準熔接部52。第1對準熔接部51及第2對準熔接部52將框架15與對準罩40接合。第1對準熔接部51為第1熔接部之一例，第2對準熔接部52為第2熔接部之一例。
第1對準熔接部51及第2對準熔接部52亦可位於第1對準重疊部41。第1對準熔接部51亦可相對於第1對準罩孔43，位於第2方向D2之對準罩40之外側。該情形時，第1對準熔接部51於第2方向D2上，位於較第1對準罩孔43更遠離對準罩40之中心之位置。第2對準熔接部52亦可相對於第1對準罩孔43，位於第2方向D2之對準罩40之內側。該情形時，第2對準熔接部52於第2方向D2上，位於較第1對準罩孔43更靠近對準罩40之中心之位置。第1對準罩孔43亦可於第2方向D2上，位於第1對準熔接部51與第2對準熔接部52之間。
如圖7所示，第1對準熔接部51亦可包含排列於第1方向D1之複數個第1熔接分割部51a。第2對準熔接部52亦可包含排列於第1方向D1之複數個第2熔接分割部52a。第1熔接分割部51a及第2熔接分割部52a可於俯視時形成點狀，亦可自對準罩40遍及框架15而形成。例如，亦可藉由點熔接，形成第1熔接分割部51a及第2熔接分割部52a。第1熔接分割部51a之個數可為1個，亦可為2個以上，為任意。第2熔接分割部52a之個數可為1個，亦可為2個以上，為任意。第1熔接分割部51a及第2熔接分割部52a亦可以相對於第1對準罩面40a不***之方式形成。
第1對準熔接部51不限於包含複數個第1熔接分割部51a。例如，雖未圖示，但第1對準熔接部51亦可以於第1方向D1連續狀延伸之方式形成。第2對準熔接部52亦同樣，亦可以於第1方向D1連續狀延伸之方式形成。
如圖7所示，第1對準熔接部51與第1對準罩孔43亦可以距離L1分開。距離L1為俯視時第1對準熔接部51之中心與第1對準罩孔43之中心間之第2方向D2之距離。第2對準熔接部52與第1對準罩孔43亦可以距離L2分開。距離L2為俯視時第2對準熔接部52之中心與第1對準罩孔43之中心間之第2方向D2之距離。
距離L1例如可為5.0 mm以上，可為5.5 mm以上，亦可為6.0 mm以上。藉由將距離L1設為5.0 mm以上，可抑制第1對準熔接部51之熔接應變對第1對準罩孔43帶來影響。距離L1例如可為6.5 mm以下，可為7.0 mm以下，亦可為7.5 mm以下。藉由將距離L1設為7.5 mm以下，可抑制第1對準熔接部51自第1對準罩孔43遠離。距離L1之範圍亦可由包含5.0 mm、5.5 mm及6.0 mm之第1組群、及/或包含6.5 mm、7.0 mm及7.5 mm之第2組群規定。距離L1之範圍亦可由上述第1組群所含之值中之任意一個、與上述第2組群所含之值中之任意一個之組合規定。距離L1之範圍亦可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合規定。距離L1之範圍亦可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為5.0 nm以上7.5 mm以下，可為5.0 mm以上7.0 mm以下，可為5.0 mm以上6.5 mm以下，可為5.0 mm以上6.0 mm以下，可為5.0 mm以上5.5 mm以下，可為5.5 mm以上7.5 mm以下，可為5.5 mm以上7.0 mm以下，可為5.5 mm以上6.5 mm以下，可為5.5 mm以上6.0 mm以下，可為6.0 mm以上7.5 mm以下，可為6.0 mm以上7.0 mm以下，可為6.0 mm以上6.5 mm以下，可為6.5 mm以上7.5 mm以下，可為6.5 mm以上7.0 mm以下，亦可為7.0 mm以上7.5 mm以下。
距離L2例如可為3.5 mm以上，可為4.0 mm以上，亦可為4.5 mm以上。藉由將距離L2設為3.5 mm以上，可抑制第2對準熔接部52之熔接應變對第1對準罩孔43帶來影響。距離L2例如可為4.0 mm以下，可為4.5 mm以下，亦可為5.0 mm以下。藉由將距離L2設為5.0 mm以下，可抑制第2對準熔接部52自第1對準罩孔43遠離。距離L2之範圍亦可由包含3.5 mm、4.0 mm及4.5 mm之第1組群，及/或包含4.0 mm、4.5 mm及5.0 mm之第2組群規定。距離L2之範圍亦可由上述第1組群所含之值中之任意一個、與上述第2組群所含之值中之任意一個之組合規定。距離L2之範圍亦可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合規定。距離L2之範圍亦可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為3.5 mm以上5.0 mm以下，可為3.5 mm以上4.5 mm以下，可為3.5 mm以上4.0 mm以下，可為3.5 mm以上4.5mm以下，可為3.5 mm以上4.0 mm以下，可為4.0 mm以上5.0 mm以下，可為4.0 mm以上4.5 mm以下，可為4.0 mm以上4.0 mm以下，可為4.0 mm以上4.5 mm以下，可為4.5 mm以上5.0 mm以下，可為4.5 mm以上4.5 mm以下，可為4.5 mm以上4.0 mm以下，可為4.0 mm以上5.0 mm以下，可為4.0 mm以上4.5 mm以下，亦可為4.5 mm以上5.0 mm以下。
如圖2及圖7所示，亦可於對準罩40形成第3對準熔接部53及第4對準熔接部54。第3對準熔接部53及第4對準熔接部54將框架15與對準罩40接合。第3對準熔接部53為第3熔接部之一例，第4對準熔接部54為第4熔接部之一例。
第3對準熔接部53及第4對準熔接部54亦可位於第2對準重疊部42。第3對準熔接部53亦可相對於第2對準罩孔44，位於第2方向D2之對準罩40之外側。該情形時，第3對準熔接部53於第2方向D2上，位於較第2對準罩孔44更遠離對準罩40之中心之位置。第4對準熔接部54亦可相對於第2對準罩孔44，位於第2方向D2之對準罩40之內側。該情形時，第4對準熔接部54於第2方向D2上，位於較第2對準罩孔44更靠近對準罩40之中心之位置。第2對準罩孔44亦可於第2方向D2上，位於第3對準熔接部53與第4對準熔接部54之間。
如圖7所示，第3對準熔接部53亦可包含排列於第1方向D1之複數個第3熔接分割部53a。第4對準熔接部54亦可包含排列於第2方向D2之複數個第4熔接分割部54a。第3熔接分割部53a及第4熔接分割部54a可於俯視時形成點狀，亦可自對準罩40遍及框架15而形成。例如，亦可藉由點熔接，形成第3熔接分割部53a及第4熔接分割部54a。第3熔接分割部53a之個數可為1個，亦可為2個以上，為任意。第4熔接分割部54a之個數可為1個，亦可為2個以上，為任意。第3熔接分割部53a及第4熔接分割部54a以相對於第1對準罩面40a不***之方式形成。
第3對準熔接部53不限於包含複數個第3熔接分割部53a。例如，雖未圖示，但第3對準熔接部53亦可以於第1方向D1連續狀延伸之方式形成。第4對準熔接部54亦同樣，亦可以於第1方向D1連續狀延伸之方式形成。
如圖7所示，第3對準熔接部53與第2對準罩孔44亦可以距離L3分開。距離L3為俯視時第3對準熔接部53之中心與第2對準罩孔44之中心間之第2方向D2之距離。第4對準熔接部54與第2對準罩孔44亦可以距離L4分開。距離L4為俯視時第4對準熔接部54之中心與第2對準罩孔44之中心間之第2方向D2之距離。
距離L3例如可為8.0 mm以上，可為8.5 mm以上，亦可為9.0 mm以上。藉由將距離L3設為8.0 mm以上，可抑制第3對準熔接部53之熔接應變對第2對準罩孔44帶來影響。距離L3例如可為10.5 mm以下，可為11.0 mm以下，亦可為11.5 mm以下。藉由將距離L3設為11.5 mm以下，可抑制第3對準熔接部53自第2對準罩孔44遠離。距離L3之範圍亦可由包含8.0 mm、8.5 mm及9.0 mm之第1組群，及/或包含10.5 mm、11.0 mm及11.5 mm之第2組群規定。距離L3之範圍亦可由上述第1組群所含之值中之任意一個、與上述第2組群所含之值中之任意一個之組合規定。距離L3之範圍亦可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合規定。距離L3之範圍亦可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為8.0 mm以上11.5 mm以下，可為8.0 mm以上11.0 mm以下，可為8.0 mm以上10.5 mm以下，可為8.0 mm以上9.0 mm以下，可為8.0 mm以上8.5 mm以下，可為8.5 mm以上11.5 mm以下，可為8.5 mm以上11.0 mm以下，可為8.5 mm以上10.5 mm以下，可為8.5 mm以上9.0 mm以下，可為9.0 mm以上11.5 mm以下，可為9.0 mm以上11.0 mm以下，可為9.0 mm以上10.5 mm以下，可為10.5 mm以上11.5 mm以下，可為10.5 mm以上11.0 mm以下，亦可為11.0 mm以上11.5 mm以下。
距離L4例如可為8.0 mm以上，可為8.5 mm以上，亦可為9.0 mm以上。藉由將距離L4設為8.0 mm以上，可抑制第4對準熔接部54之熔接應變對第2對準罩孔44帶來影響。距離L4例如可為10.5 mm以下，可為11.0 mm以下，亦可為11.5 mm以下。藉由將距離L4設為11.5 mm以下，可抑制第4對準熔接部54自第2對準罩孔44遠離。距離L4之範圍亦可由包含8.0 mm、8.5 mm及9.0 mm之第1組群，及/或包含10.5 mm、11.0 mm及11.5 mm之第2組群規定。距離L4之範圍亦可由上述第1組群所含之值中之任意一個、與上述第2組群所含之值中之任意一個之組合規定。距離L4之範圍亦可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合規定。距離L4之範圍亦可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為8.0 mm以上11.5 mm以下，可為8.0 mm以上11.0 mm以下，可為8.0 mm以上10.5 mm以下，可為8.0 mm以上9.0 mm以下，可為8.0 mm以上8.5 mm以下，可為8.5 mm以上11.5 mm以下，可為8.5 mm以上11.0 mm以下，可為8.5 mm以上10.5 mm以下，可為8.5 mm以上9.0 mm以下，可為9.0 mm以上11.5 mm以下，可為9.0 mm以上11.0 mm以下，可為9.0 mm以上10.5 mm以下，可為10.5 mm以上11.5 mm以下，可為10.5 mm以上11.0 mm以下，亦可為11.0 mm以上11.5 mm以下。
對準罩40亦可以與構成上述蒸鍍罩20之材料相同之材料構成。然而，不限定於此，亦可以與蒸鍍罩20不同之材料構成。
接著，參照圖8～圖11，針對包含此種構成之本實施形態之蒸鍍罩裝置10之製造方法進行說明。本實施形態之蒸鍍罩裝置10之製造方法亦可具備框架準備步驟、蒸鍍罩準備步驟、對準罩準備步驟、第1接合步驟及第2接合步驟。蒸鍍罩裝置10之製造亦可於未圖示之張架裝置內進行。
首先，作為準備步驟，亦可準備上述框架15。框架15可藉由任意之製造方法製造。例如，框架15亦可藉由將板材或鍛造材等進行機械加工而製造。例如，第1框架對準孔17及第2框架對準孔18亦可藉由機械加工而形成。框架15亦可安裝於上述張架裝置。
作為蒸鍍罩準備步驟，亦可準備上述蒸鍍罩20。蒸鍍罩20如上所述，亦可藉由壓延材之蝕刻處理或鍍覆處理等任意製造方法製造。以鍍覆處理製造之情形時，蒸鍍罩20亦可以2個以上之層構成。該情形時，貫通孔25以貫通該等層之方式形成。
作為對準罩準備步驟，亦可準備上述對準罩40。對準罩40與蒸鍍罩20同樣，亦可藉由壓延材之蝕刻處理或鍍覆處理等任意製造方法製造。
各準備步驟之後，作為第1接合步驟，如圖8所示，亦可將2個對準罩40藉由各對準熔接部51～54與框架15之第1框架面15a接合。
更具體而言，首先，對準罩40一面主要對第2方向D2賦予張力，一面與第1框架面15a上之期望之位置對位。此時，第1對準罩孔43相對於對應之第1框架對準孔17對位。例如，亦可於自第2框架面15b朝向第1框架面15a之方向上以相機61(參照圖12)目視第1框架對準孔17及第1對準罩孔43，進行對位。第1對準罩孔43之直徑小於第1框架對準孔17之直徑之情形時，相機61可容易目視第1對準罩孔43。對準罩40對框架15對位之情形時，於俯視時，第1對準重疊部41與第2延伸部分15d重疊，第2對準重疊部42與第1延伸部分15c重疊。
將對準罩40對位後，如圖8～圖10所示，對準罩40藉由各對準熔接部51～54與框架15接合。於對對準罩40賦予張力之狀態下，形成各對準熔接部51～54。例如，亦可以雷射光L之點熔接，將對準罩40與框架15接合。該情形時，如圖9及圖10所示，對對準罩40之第1對準罩面40a照射雷射光L。於被照射雷射光L之區域中，自第1對準罩面40a超過第2對準罩面40b遍及框架15之區域形成熔融部。藉由熔融部冷卻並固化，於第1對準重疊部41形成第1熔接分割部51a及第2熔接分割部52a，且於第2對準重疊部42形成第3熔接分割部53a及第4熔接分割部54a。
如此，將對準罩40與框架15接合並固定。
第1接合步驟之後，作為第2接合步驟，如圖11所示，亦可將複數個蒸鍍罩20與框架15之第1框架面15a接合。複數個蒸鍍罩20相對於對準罩40排列於第1方向D1。
更具體而言，首先，蒸鍍罩20一面主要對第2方向D2賦予張力，一面與第1框架面15a上之期望之位置對位。此時，確認貫通孔25相對於框架15之位置。更具體而言，亦可確認貫通孔25之位置是否相對於期望之位置定位於容許範圍內。例如，亦可測定貫通孔25相對於基於4個第1對準罩孔43設定之原點之座標，將該測定之座標與貫通孔25之目標座標進行比較。
例如，亦可將通過位於對角線上之2個第1對準罩孔43之中心之2個直線之交點設為原點。如圖12所示，第1對準罩孔43之中心亦可藉由於自第2框架面15b朝向第1框架面15a之方向上以相機61目視，並進行圖像分析而測定。貫通孔25之座標亦可為俯視時之貫通孔25之中心點。如圖13所示，貫通孔25之座標亦可藉由於自第2框架面15b朝向第1框架面15a之方向上以相機61目視，並進行圖像分析而測定。座標之測定亦可以複數個貫通孔25進行，確認複數個貫通孔25之位置。各貫通孔25之位置亦可以定位於期望位置之方式，調整賦予蒸鍍罩20之張力。將蒸鍍罩20對位之情形時，於俯視時，重疊部21與第2延伸部分15d重疊。
將蒸鍍罩20對位後，如圖11所示，蒸鍍罩20與框架15接合。於對蒸鍍罩20賦予張力之狀態下，形成蒸鍍罩熔接部30之熔接分割部30a。蒸鍍罩熔接部30亦可與上述之對準熔接部51～54同樣地形成。蒸鍍罩熔接部30之熔接分割部30a形成於重疊部21。
如此，蒸鍍罩20與框架15接合並固定。
第2接合步驟之後，作為切斷步驟，將各蒸鍍罩20之重疊部21之一部分切斷(亦稱為切邊)。該情形時，於蒸鍍罩20之重疊部21中較蒸鍍罩熔接部30更靠第2方向D2之外側之位置，將蒸鍍罩20切斷。
如此，獲得圖2所示之蒸鍍罩裝置10。將蒸鍍罩裝置10自張架裝置取出。
接著，參照圖1及圖14～圖18，針對使用本實施形態之蒸鍍罩裝置10之有機裝置之製造方法進行說明。以下，作為有機裝置之一例，舉有機EL顯示裝置90為例進行說明。
此處，使用圖14，針對有機EL顯示裝置90進行說明。圖14係顯示有機EL顯示裝置90之模式剖視圖。有機EL顯示裝置90具備藉由使用上述本實施形態之蒸鍍罩裝置10而形成於基板91之發光層92。發光層92為蒸鍍層之一例。1個有機EL顯示裝置90亦可相當於1個顯示區域。
更具體而言，如圖14所示，於基板91之一面，排列設有複數個元件93。雖未圖示，但元件93亦可排列於圖14之紙面之深度方向。元件93亦可作為像素構成。元件93包含第1電極94、通電層95及第2電極96。第1電極94亦可位於基板91上。通電層95亦可位於第1電極94上。第2電極96亦可位於通電層95上。通電層95亦可包含發光層92。由複數個元件93構成1個有機EL顯示裝置90。亦可於1個基板91多面形成複數個有機EL顯示裝置90之元件93。該情形時，藉由將基板91按照每個有機EL顯示裝置90裁斷，獲得各個有機EL顯示裝置90。圖14中，作為一例，顯示2個有機EL顯示裝置90形成於1個基板91之例。
如圖1所示，基板91亦可包含第1基板面91a與第2基板面91b。第2基板面91b亦可位於第1基板面91a之相反側。第2基板面91b亦可為蒸鍍時與蒸鍍罩20之第1罩面20a密著之面。
如圖15所示，基板91亦可包含基板對準孔91c。基板對準孔91c亦可自第1基板面91a延伸至第2基板面91b(參照圖16)，貫通基板91。然而，若基板對準孔91c可進行與第2對準罩孔44之對位，則亦可不貫通基板91。基板對準孔91c之平面形狀為任意。基板對準孔91c之平面形狀如圖15所示，亦可為圓形之形狀。基板91具有對於可見光之透過性之情形時，基板對準孔91c之直徑可與第2對準罩孔44之直徑相等，亦可不同。該情形時，基板對準孔91c之直徑亦可大於或小於第2對準罩孔44之直徑。基板91不具有對於可見光之透過性之情形時，基板對準孔91c之直徑亦可小於第2對準罩孔44之直徑。
基板91亦可為具有絕緣性之板狀構件。基板91亦可具有使光透過之光透過性。基板91例如可為玻璃基板，亦可為矽基板。又，基板91例如亦可以石英、具有光透過性之聚醯亞胺或具有光透過性之液晶聚合物構成。
如圖14所示，第1電極94包含具有導電性之材料。例如，第1電極94亦可包含金屬、具有導電性之金屬氧化物、或其他無機材料等。第1電極94亦可包含銦錫氧化物等具有光透過性及導電性之金屬氧化物。
導電層95如上所述，亦可包含藉由通電而放射光之發光層92。該情形時，導電層95亦可包含電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層及電子注入層等。例如，第1電極94為陽極且第2電極96為陰極之情形時，於第1電極94上依序積層電洞注入層、電洞輸送層、發光層92、電子輸送層、電子注入層及第2電極96。通電意指對通電層95施加電壓，或於通電層95流動電流。圖14中，為了簡化圖式，省略電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層及電子注入層。
第2電極96包含金屬等具有導電性之材料。作為構成第2電極96之材料之例，列舉鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鉻、鋁、銦、鋰、鈉、鉀、鈣、鎂、鉻、碳等及該等之合金。
有機EL顯示裝置90中顯示圖像之情形時，對構成元件93之第1電極94與第2電極96間施加電壓。藉此，自元件93之發光層92放射光，放射之光於自發光層92朝向第1電極94之方向上向外部取出，或於自發光層92朝向第1電極94之方向上向外部取出。藉由於各元件93中控制光自發光層92之放射，而顯示期望之圖像。
接著，參照圖15～圖18，針對本揭示之一實施形態之有機EL顯示裝置90之製造方法進行說明。有機EL顯示裝置90之製造亦可於圖1所示之蒸鍍裝置80內進行。
有機EL顯示裝置90之製造方法中，亦可具備使用蒸鍍罩裝置10使蒸鍍材料82附著於基板91而形成發光層92之步驟。更具體而言，本實施形態之有機EL顯示裝置之製造方法亦可具備基板準備步驟、裝置準備步驟、基板對位步驟、密著步驟及蒸鍍步驟。
首先，作為基板準備步驟，亦可準備上述基板91。
又，作為裝置準備步驟，亦可準備上述蒸鍍罩裝置10。蒸鍍罩裝置10亦可安裝於上述蒸鍍裝置80內。
裝置準備步驟之後，作為對位步驟，如圖15所示，將蒸鍍罩裝置10與基板91對位。例如，亦可以將對準罩40之第2對準罩孔44與基板91之基板對準孔91c對位之方式，調整蒸鍍罩裝置10及基板91之至少一者之位置。該情形時，首先如圖16所示，於蒸鍍罩20之第1罩面20a安裝基板91。接著，亦可於自基板91之第1基板面91a朝向第2基板面91b之方向上，以相機62目視基板對準孔91c及第2對準罩孔44，進行對位。基板91可透過可見光之情形時，不論基板對準孔91c與第2對準罩孔44之大小關係，相機62都可目視基板對準孔91c與第2對準罩孔44。第2對準罩孔44之直徑大於第2框架對準孔18之對準框架開口18a之直徑之情形時，相機62可容易目視第2對準罩孔44。對位步驟中，基板91亦可保持於未圖示之夾具。
對位步驟之後，作為密著步驟，如圖17所示，亦可使基板91與蒸鍍罩20密著。亦可使基板91與蒸鍍罩20之第1罩面20a密著。
更具體而言，首先，以將蒸鍍罩20之第1罩面20a配置於上方之方式，將蒸鍍罩裝置10配置於蒸鍍裝置80內。又，將基板91保持於夾具。接著，將基板91以保持於夾具之狀態配置於蒸鍍罩20之上方。接著，將基板91之第2基板面91b與蒸鍍罩20之第1罩面20a對接。
接著，如圖17所示，將磁鐵85定位於基板91之上表面，以磁鐵85之磁力將蒸鍍罩20吸引至基板91。藉此，基板91與蒸鍍罩20之第1罩面20a密著。另，第1電極94為陽極之情形時，亦可於使蒸鍍罩20與基板91密著之前，形成第1電極94與構成通電層95之電洞注入層及電洞輸送層。
密著步驟之後，作為蒸鍍步驟，如圖18所示，亦可使蒸鍍材料82通過蒸鍍罩20之貫通孔25於基板91上蒸鍍，形成發光層92。發光層92形成於對應之通電層95之電洞輸送層上。更具體而言，將蒸鍍裝置80之內部空間設為真空氛圍，使蒸鍍材料82蒸發，飛來至基板91。飛來之蒸鍍材料82通過蒸鍍罩20之各貫通孔25，到達期望之通電層95之電洞輸送層並附著。藉此，於基板91以對應於貫通孔25之圖案形成發光層92。
如上所述，本實施形態中，貫通孔25於各有效區域27中以特定之圖案配置。另，欲進行複數個色之彩色顯示之情形時，準備具備對應於各色之蒸鍍罩20之蒸鍍罩裝置10，以各蒸鍍罩裝置10，使各色之蒸鍍材料82附著於對應之通電層95之電洞輸送層。藉此，例如可使紅色用之有機發光材料、綠色用之有機發光材料及藍色用之有機發光材料分別於一個基板91上蒸鍍。
形成發光層92後，於發光層92上形成構成通電層95之電子輸送層及電子注入層，獲得通電層95。其後，於各通電層95上形成第2電極96。
如此，獲得於基板91上形成有各色之發光層92之有機EL顯示裝置90。
製造有機EL顯示裝置90後，製造其他有機EL顯示裝置90之情形時，亦可將蒸鍍罩裝置10自蒸鍍裝置80卸下。卸下之蒸鍍罩裝置10亦可於製造對應之有機EL顯示裝置90之情形時再次安裝於蒸鍍裝置80。該情形時，亦抑制對準罩40之第2對準罩孔44位置偏離。
更具體而言，於第2方向D2之第1對準罩孔43之兩側，形成有第1對準熔接部51及第2對準熔接部52。藉此，於蒸鍍罩裝置10之處理中，抑制第1對準重疊部41於第3方向D3撓曲。因此，可抑制第1對準罩孔43之位置偏離，可再現蒸鍍罩裝置10與基板91之對位精度。
同樣地，於第2方向D2之第2對準罩孔44之兩側，形成有第3對準熔接部53及第4對準熔接部54。藉此，於蒸鍍罩裝置10之處理中，抑制第2對準重疊部42於第3方向D3撓曲。因此，可抑制第2對準罩孔44之位置偏離，可再現蒸鍍罩裝置10與基板91之對位精度。
如此，根據本實施形態，第1對準熔接部51相對於第1對準罩孔43，位於第2方向D2之對準罩40之外側。第2對準熔接部52相對於第1對準罩孔43，位於第2方向D2之對準罩40之內側。藉此，可於第2方向D2之第1對準罩孔43之兩側，將對準罩40固定於框架15，可抑制對準罩40於第3方向D3撓曲。因此，可抑制第1對準罩孔43之位置偏離。其結果，可提高對準罩40與框架15之對位精度。
又，根據本實施形態，第1對準熔接部51包含排列於第1方向D1之複數個第1熔接分割部51a，第2對準熔接部52包含排列於第1方向D1之複數個第2熔接分割部52a。藉此，可於第2方向D2之第1對準罩孔43之兩側，將對準罩40進而牢固地固定於框架15，可進而抑制對準罩40於第3方向D3撓曲。因此，可進而抑制第1對準罩孔43之位置偏離。
又，根據本實施形態，框架15包含自第1框架面15a向第2框架面15b延伸之第1框架對準孔17。第1框架對準孔17於俯視時與第1對準罩孔43重疊。藉此，可使用第1對準罩孔43與第1框架對準孔17，進行對準罩40與框架15之對位。
又，根據本實施形態，第1框架對準孔17自第1框架面15a貫通至第2框架面15b。藉此，可將第1框架對準孔17藉由自第1框架面15a進行機械加工而形成，或者可藉由自第2框架面15b進行機械加工而形成。因此，可容易形成第1框架對準孔17。
又，根據本實施形態，第1框架對準孔17於與第1方向D1及第2方向D2正交之第3方向D3延伸。藉此，可於自框架15之第2框架面15b朝向第1框架面15a之方向上，經由第1框架對準孔17目視第1對準罩孔43。
又，根據本實施形態，第1對準罩孔43於第2方向D2位於框架開口16之兩側。藉此，可使對準罩40之2個第1對準罩孔43於第2方向D2上互相遠離。因此，可提高對準罩40與框架15之對位精度。
又，根據本實施形態，對準罩40包含2個第2對準罩孔44，其等位於第2方向D2上互不相同之位置，且與框架15重疊。2個第2對準罩孔44於第2方向D2上，位於一第2對準熔接部52與另一第2對準熔接部52之間。藉此，可使用第2對準罩孔44進行蒸鍍罩裝置10與基板91之對位。
又，根據本實施形態，第3對準熔接部53相對於第2對準罩孔44，位於第2方向D2之對準罩40之外側。第4對準熔接部54相對於第2對準罩孔44，位於第2方向D2之對準罩40之內側。藉此，可於第2方向D2之第2對準罩孔44之兩側，將對準罩40固定於框架15，可抑制對準罩40於第3方向D3撓曲。因此，可抑制第2對準罩孔44之位置偏離。其結果，可提高對準罩40與框架15之對位精度。
又，根據本實施形態，第3對準熔接部53包含排列於第1方向D1之複數個第3熔接分割部53a，第4對準熔接部54包含排列於第1方向D1之複數個第4熔接分割部54a。藉此，可於第2方向D2之第2對準罩孔44之兩側，將對準罩40進而牢固地固定於框架15，可進而抑制對準罩40於第3方向D3撓曲。因此，可進而抑制第2對準罩孔44之位置偏離。
又，根據本實施形態，框架15包含自第1框架面15a向第2框架面15b延伸之第2框架對準孔18。第2框架對準孔18包含位於第1框架面15a之對準框架開口18a。對準框架開口18a於俯視時與第2對準罩孔44重疊。藉此，可使用第2對準罩孔44與對準框架開口18a，進行蒸鍍罩裝置10與基板91之對位。又，於自對準罩40之第1對準罩面40a朝向第2對準罩面40b之方向上目視第2對準罩孔44時，可經由第2對準罩孔44目視對準框架開口18a。該情形時，可提高第2對準罩孔44之可見性。
又，根據本實施形態，第2框架對準孔18自第1框架面15a貫通至第2框架面15b。藉此，可將第2框架對準孔18藉由自第1框架面15a進行機械加工而形成，或者可藉由自第2框架面15b進行機械加工而形成。因此，可容易形成第2框架對準孔18。
又，根據本實施形態，第2框架對準孔18相對於第1框架面15a傾斜。藉此，即使第2框架對準孔18貫通框架15之情形時，於蒸鍍步驟中，亦可抑制蒸鍍材料82到達對準框架開口18a。因此，可以1個蒸鍍罩裝置10進行複數次蒸鍍，可重複使用。又，第2框架對準孔18相對於第1框架面15a傾斜之情形時，可加強第2框架對準孔18與第2對準罩孔44之對比度。因此，可提高第2對準罩孔44之可見性。
又，根據本實施形態，第2對準罩孔44於第1方向D1位於框架開口16之一側。藉此，可使2個對準罩40之第1對準罩孔43於第1方向D1上互相遠離。因此，可提高對準罩40與框架15之對位精度。
另，可對上述實施形態施加各種變更。以下，視需要一面參照圖式，一面對變化例進行說明。又，以下之說明及以下之說明所使用之圖式中，對可與上述實施形態同樣構成之部分使用與上述實施形態之對應部分所使用之符號相同之符號，省略重複說明。又，明確上述實施形態中獲得之作用效果亦可於變化例中獲得之情形時，亦有省略其說明之情形。
上述之本實施形態中，已針對第2框架對準孔18相對於第1框架面15a傾斜之例進行說明。然而，不限定於此。例如，若第2框架對準孔18於蒸鍍步驟中可抑制蒸鍍材料82到達對準框架開口18a，則亦可不相對於第1框架面15a傾斜。
上述之本實施形態中，已針對使用第2對準罩孔44，進行蒸鍍罩裝置10與基板19之對位之例進行說明。然而，不限定於此。例如，亦可使用第1對準罩孔43，進行蒸鍍罩裝置10與基板91之對位。該情形時，對準罩40亦可不包含第2對準罩孔44，框架15亦可不包含第2框架對準孔18。對準罩40可不包含第3對準熔接部53，亦可不包含第4對準熔接部54。
上述之本實施形態中，已針對於第2方向D2，第1對準熔接部51位於第1對準罩孔43之外側，第2對準熔接部52位於第1對準罩孔43之內側之例進行說明。然而，不限定於此。
例如如圖19所示，將框架15與對準罩40接合之對準熔接部亦可相對於第1對準罩孔43，位於第1方向D1之至少一側。更具體而言，圖19所示之第5對準熔接部55及第6對準熔接部56之至少一者亦可形成於對準罩40。第5對準熔接部55及第6對準熔接部56為第5熔接部之一例。亦可於對準罩40，形成第5對準熔接部55及第6對準熔接部56之任一者，不形成另一者。如圖19所示，亦可於對準罩40，形成第5對準熔接部55及第6對準熔接部56之兩者，該情形時，第1對準罩孔43由對準熔接部51、52、55、56包圍。
如圖19所示，第5對準熔接部55亦可相對於第1對準罩孔43，位於第1方向D1之框架15之外側。該情形時，第5對準熔接部55於第1方向D1上，位於較第1對準罩孔43更遠離對準罩40之中心之位置。第5對準熔接部55亦可包含複數個第5熔接分割部55a。複數個第5熔接分割部55a亦可排列於第2方向D2上。第5熔接分割部55a亦可於第2方向D2配置於第1對準罩孔43之兩側。第5熔接分割部55a亦可與第1熔接分割部51a等同樣地形成。
第6對準熔接部56亦可相對於第1對準罩孔43，位於第1方向D1之框架15之內側。該情形時，第6對準熔接部56於第1方向D1上，位於較第1對準罩孔43更靠近對準罩40之中心之位置。第6對準熔接部56亦可包含複數個第6熔接分割部56a。複數個第6熔接分割部56a亦可排列於第2方向D2上。第6熔接分割部56a亦可於第2方向D2配置於第1對準罩孔43之兩側。第6熔接分割部56a亦可與第1熔接分割部51a等同樣地形成。
如此，根據圖19所示之變化例，可於第2方向D2之第1對準罩孔43之兩側，將對準罩40固定於框架15。又，可於第1方向D1之第1對準罩孔43之兩側，將對準罩40固定於框架15。藉此，可進而抑制對準罩40於第3方向D3撓曲，可進而抑制第1對準罩孔43之位置偏離。
例如如圖19所示，將框架15與對準罩40接合之對準熔接部亦可相對於第2對準罩孔44，位於第1方向D1之至少一側。第7對準熔接部57及第8對準熔接部58之至少一者亦可形成於對準罩40。第7對準熔接部57及第8對準熔接部58為第6熔接部之一例。亦可於對準罩40，形成第7對準熔接部57及第8對準熔接部58之任一者，不形成另一者。亦可於對準罩40，形成第7對準熔接部57及第8對準熔接部58之兩者，該情形時，第2對準罩孔44由對準熔接部53、54、57、58包圍。
如圖19所示，第7對準熔接部57亦可相對於第2對準罩孔44，位於第1方向D1之框架15之外側。該情形時，第7對準熔接部57於第1方向D1上，位於較第1對準罩孔43更遠離對準罩40之中心之位置。第7對準熔接部57亦可包含複數個第7熔接分割部57a。複數個第7熔接分割部57a亦可排列於第2方向D2上。第7熔接分割部57a亦可於第2方向D2配置於第2對準罩孔44之兩側。第7熔接分割部57a亦可與第1熔接分割部51a等同樣地形成。
第8對準熔接部58亦可相對於第2對準罩孔44，位於第1方向D1之框架15之內側。該情形時，第8對準熔接部58於第1方向D1上，位於較第1對準罩孔43更靠近對準罩40之中心之位置。第8對準熔接部58亦可包含複數個第8熔接分割部58a。複數個第8熔接分割部58a亦可排列於第2方向D2上。第8熔接分割部58a亦可於第2方向D2配置於第2對準罩孔44之兩側。第8熔接分割部58a亦可與第1熔接分割部51a等同樣地形成。
如此，根據圖19所示之變化例，可於第2方向D2之第2對準罩孔44之兩側，將對準罩40固定於框架15。又，可於第1方向D1之第2對準罩孔44之兩側，將對準罩40固定於框架15。藉此，可進而抑制對準罩40於第3方向D3撓曲，可進而抑制第2對準罩孔44之位置偏離。
圖19所示之例中，已針對相對於第1對準罩孔43，形成有第1對準熔接部51、第2對準熔接部52、第5對準熔接部55及第6對準熔接部56之例進行說明。然而，不限定於此。例如如圖20所示，亦可不形成第2對準熔接部52。該情形時，相對於第1對準罩孔43，形成有第1對準熔接部51、第5對準熔接部55及第6對準熔接部56。根據圖20所示之變化例，可於第2方向D2之第1對準罩孔43之外側，將對準罩40固定於框架15。又，可於第1方向D1之第1對準罩孔43之兩側，將對準罩40固定於框架15。藉此，可抑制對準罩40於第3方向D3撓曲，可抑制第1對準罩孔43之位置偏離。
圖19所示之例中，已針對相對於第2對準罩孔44，形成有第3對準熔接部53、第4對準熔接部54、第7對準熔接部57及第8對準熔接部58之例進行說明。然而，不限定於此。例如如圖20所示，亦可不形成第4對準熔接部54。該情形時，相對於第2對準罩孔44，形成有第3對準熔接部53、第7對準熔接部57及第8對準熔接部58。根據圖20所示之變化例，可於第2方向D2之第2對準罩孔44之外側，將對準罩40固定於框架15。又，可於第1方向D1之第2對準罩孔44之兩側，將對準罩40固定於框架15。藉此，可抑制對準罩40於第3方向D3撓曲，可抑制第2對準罩孔44之位置偏離。
已說明對於上述實施形態之若干變化例，當然亦可將複數個變化例適當組合而應用。
10:蒸鍍罩裝置 15:框架 15a:第1框架面 15b:第2框架面 15c:第1延伸部分 15d:第2延伸部分 16:框架開口 17:第1框架對準孔 18:第2框架對準孔 18a:對準框架開口 20:蒸鍍罩 20a:第1罩面 20b:第2罩面 21:重疊部 25:貫通孔 26:貫通孔群 27:有效區域 28:周圍區域 30:蒸鍍罩熔接部 30a:熔接分割部 40:對準罩 40a:第1對準罩面 40b:第2對準罩面 41:第1對準重疊部 42:第2對準重疊部 43:第1對準罩孔 44:第2對準罩孔 51:第1對準熔接部 51a:第1熔接分割部 52:第2對準熔接部 52a:第2熔接分割部 53:第3對準熔接部 53a:第3熔接分割部 54:第4對準熔接部 54a:第4熔接分割部 55:第5對準熔接部 55a:第5熔接分割部 56:第6對準熔接部 56a:第6熔接分割部 57:第7對準熔接部 57a:第7熔接分割部 58:第8對準熔接部 58a:第8熔接分割部 61:相機 62:相機 80:蒸鍍裝置 81:坩堝 83:加熱器 85:磁鐵 90:有機EL顯示裝置 91:基板 91a:第1基板面 91b:第2基板面 91c:基板對準孔 92:發光層 93:元件 94:第1電極 95:通電層 96:第2電極 CL:中心軸線 D1:第1方向 D2:第2方向 H1:厚度 H2:厚度 L:雷射光 L1:距離 L2:距離 L3:距離 L4:距離 S1:開口尺寸 S2:開口尺寸 S3:尺寸
圖1係顯示具備本揭示之實施形態之蒸鍍罩裝置之蒸鍍裝置之圖。 圖2係顯示本揭示之實施形態之蒸鍍罩裝置之俯視圖。 圖3係模式性顯示沿圖2所示之A-A線之剖面之圖。 圖4係顯示圖2所示之框架之俯視圖。 圖5係顯示圖2所示之蒸鍍罩裝置之第1框架對準孔之剖視圖，係沿圖7之B-B線之剖視圖。 圖6係顯示圖2所示之蒸鍍罩裝置之第2框架對準孔之剖視圖，係沿圖7之C-C線之剖視圖。 圖7係顯示圖2所示之蒸鍍罩裝置之部分放大俯視圖。 圖8係顯示本揭示之實施形態之蒸鍍罩裝置之製造方法之第1接合步驟之圖。 圖9係顯示圖8所示之第1接合步驟中，形成第1對準熔接部及第2對準熔接部之情況之圖。 圖10係顯示圖8所示之第1接合步驟中，形成第3對準熔接部及第4對準熔接部之情況之圖。 圖11係顯示本揭示之實施形態之蒸鍍罩裝置之製造方法之第2接合步驟之圖。 圖12係顯示圖11所示之第2接合步驟中，目視第1對準罩孔之情況之圖。 圖13係顯示圖11所示之第2接合步驟中，目視貫通孔之情況之圖。 圖14係模式性顯示藉由本揭示之實施形態之有機EL顯示裝置之製造方法所得之有機EL顯示裝置之剖視圖。 圖15係顯示本揭示之實施形態之有機EL顯示裝置之製造方法之對位步驟之圖。 圖16係顯示圖15所示之對位步驟中，目視基板對準孔及第2對準罩孔之情況之圖。 圖17係顯示本揭示之實施形態之有機EL顯示裝置之製造方法之密著步驟之圖。 圖18係顯示本揭示之實施形態之有機EL顯示裝置之製造方法之蒸鍍步驟之圖。 圖19係顯示圖7所示之蒸鍍罩裝置之變化例之部分放大俯視圖。 圖20係顯示圖19所示之蒸鍍罩裝置之變化例之部分放大俯視圖。
10:蒸鍍罩裝置
15:框架
15a:第1框架面
15c:第1延伸部分
15d:第2延伸部分
16:框架開口
20:蒸鍍罩
20a:第1罩面
21:重疊部
26:貫通孔群
27:有效區域
28:周圍區域
30:蒸鍍罩熔接部
40:對準罩
40a:第1對準罩面
41:第1對準重疊部
42:第2對準重疊部
43:第1對準罩孔
44:第2對準罩孔
51:第1對準熔接部
52:第2對準熔接部
53:第3對準熔接部
54:第4對準熔接部
D1:第1方向
D2:第2方向

Claims (21)

  1. 一種蒸鍍罩裝置，其具備： 框架，其具有第1框架面、位於上述第1框架面之相反側之第2框架面、及自上述第1框架面貫通至上述第2框架面之框架開口； 蒸鍍罩，其與上述第1框架面接合，包含俯視時與上述框架開口重疊之複數個貫通孔；及 對準罩，其與上述第1框架面接合，與上述蒸鍍罩於第1方向上排列；且 上述對準罩包含：2個第1對準罩孔，其等位於與上述第1方向正交之第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 將上述框架與上述對準罩接合之第1熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側； 將上述框架與上述對準罩接合之第2熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之內側。
  2. 如請求項1之蒸鍍罩裝置，其中 上述第1熔接部包含排列於上述第1方向之複數個第1熔接分割部， 上述第2熔接部包含排列於上述第1方向之複數個第2熔接分割部。
  3. 如請求項1或2之蒸鍍罩裝置，其中 上述框架包含：第1框架對準孔，其自上述第1框架往向上述第2框架面延伸，俯視時與上述對準罩孔重疊。
  4. 如請求項3之蒸鍍罩裝置，其中 上述第1框架對準孔自第1框架面貫通至第2框架面。
  5. 如請求項4之蒸鍍罩裝置，其中 上述第1框架對準孔於與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向延伸。
  6. 如請求項1或2之蒸鍍罩裝置，其中 上述第1對準罩孔於上述第2方向位於上述框架開口之兩側。
  7. 如請求項1或2之蒸鍍罩裝置，其中 將上述框架與上述對準罩接合之第5熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第1方向之至少一側。
  8. 如請求項1或2之蒸鍍罩裝置，其中 上述對準罩包含：2個第2對準罩孔，其等位於上述第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 上述第2對準罩孔各自於上述第2方向上，位於一上述第2熔接部與另一上述第2熔接部之間。
  9. 如請求項8之蒸鍍罩裝置，其中 將上述框架與上述對準罩接合之第3熔接部相對於上述第2對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側； 將上述框架與上述對準罩接合之第4熔接部相對於上述第2對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之內側。
  10. 如請求項9之蒸鍍罩裝置，其中 上述第3熔接部包含排列於上述第1方向之複數個第3熔接分割部， 上述第4熔接部包含排列於上述第1方向之複數個第4熔接分割部。
  11. 如請求項8之蒸鍍罩裝置，其中 上述框架包含自上述第1框架往向上述第2框架面延伸之第2框架對準孔， 上述第2框架對準孔包含：對準框架開口，其位於上述第1框架面，俯視時與上述第2對準罩孔重疊。
  12. 如請求項11之蒸鍍罩裝置，其中 上述第2框架對準孔自上述第1框架面貫通至上述第2框架面。
  13. 如請求項12之蒸鍍罩裝置，其中 上述第2框架對準孔相對於上述第1框架面傾斜。
  14. 如請求項8之蒸鍍罩裝置，其中 上述第2對準罩孔於上述第1方向位於上述框架開口之一側。
  15. 如請求項8之蒸鍍罩裝置，其中 將上述框架與上述對準罩接合之第6熔接部相對於上述第2對準罩孔，位於上述第1方向之至少一側。
  16. 一種蒸鍍罩裝置，其具備： 框架，其具有第1框架面、位於上述第1框架面之相反側之第2框架面、及自上述第1框架面貫通至上述第2框架面之框架開口； 蒸鍍罩，其與上述第1框架面接合，包含俯視時與上述框架開口重疊之複數個貫通孔；及 對準罩，其與上述第1框架面接合，與上述蒸鍍罩於第1方向上排列；且 上述對準罩包含：2個第1對準罩孔，其等位於與上述第1方向正交之第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 將上述框架與上述對準罩接合之第1熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側； 將上述框架與上述對準罩接合之第5熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第1方向之兩側。
  17. 如請求項16之蒸鍍罩裝置，其中 上述對準罩包含2個第2對準罩孔，其等位於上述第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 上述第2對準罩孔各自於上述第2方向上，位於一上述第1對準罩孔與另一上述第1對準罩孔之間。
  18. 如請求項17之蒸鍍罩裝置，其中 將上述框架與上述對準罩接合之第3熔接部相對於上述第2對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側； 將上述框架與上述對準罩接合之第6熔接部相對於上述第2對準罩孔，位於上述第1方向之兩側。
  19. 一種蒸鍍罩裝置之製造方法，其具備： 準備步驟，其準備框架，該框架包含第1框架面、位於上述第1框架面之相反側之第2框架面、及自上述第1框架面貫通至上述第2框架面之框架開口； 第1接合步驟，其將對準罩藉由第1熔接部及第2熔接部與上述第1框架面接合；及 第2接合步驟，其將包含俯視時與上述框架開口重疊之複數個貫通孔之蒸鍍罩與上述對準罩於第1方向上排列而接合於上述第1框架面；且 上述對準罩包含：2個第1對準罩孔，其等位於與上述第1方向正交之第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 上述第1熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側， 上述第2熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之內側。
  20. 一種蒸鍍罩之製造方法，其具備： 準備步驟，其準備框架，該框架包含第1框架面、位於上述第1框架面之相反側之第2框架面、及自上述第1框架面貫通至上述第2框架面之框架開口； 第1接合步驟，其將對準罩藉由第1熔接部及第5熔接部與上述第1框架面接合； 第2接合步驟，其將包含俯視時與上述框架開口重疊之複數個貫通孔之蒸鍍罩與上述對準罩於第1方向上排列而接合於上述第1框架面；且 上述對準罩包含：2個第1對準罩孔，其等位於與上述第1方向正交之第2方向上互不相同之位置，且與上述框架重疊； 上述第1熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第2方向之上述對準罩之外側， 上述第5熔接部相對於上述第1對準罩孔，位於上述第1方向之兩側。
  21. 一種有機裝置之製造方法，其具備： 裝置準備步驟，其準備如請求項1或2之蒸鍍罩裝置； 對位步驟，其進行上述蒸鍍罩裝置與基板之對位； 密著步驟，其使上述蒸鍍罩裝置之上述蒸鍍罩與基板密著；及 蒸鍍步驟，其使蒸鍍材料通過上述蒸鍍罩之上述貫通孔於上述基板上蒸鍍，而形成蒸鍍層。
TW112106210A 2022-02-25 2023-02-21 蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩裝置之製造方法及有機裝置之製造方法 TW202344700A (zh)

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