TW202320978A - 研磨墊 - Google Patents
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Abstract
提供一種研磨墊，其係可以使得產品規格日益嚴苛的研磨對象物之要求、光澤品質，能夠穩定地達成。一種研磨墊，係由含有略球狀之氣泡的發泡體所構成的研磨墊，其特徵為，若令墊子構成材料的密度為DMg/cm
3，則本研磨墊的密度是在0.36DM以上0.70DM以下之範圍內，研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口部直徑之變異(標準差σ1)是被調整成45μm以下；研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2)是被調整成35μm以下；發泡體中所含的氣泡無論是獨立氣泡還是連續氣泡均在所不問。
Description
本發明係有關於研磨墊。特別是有關於，將半導體晶圓等進行研磨的研磨墊。
對於半導體元件、硬碟、液晶顯示器用玻璃等之研磨對象物的表面，一般是使用具有氣泡徑為1μm～5mm(平均氣泡徑10μm～200μm)之氣泡的研磨墊與研磨液(游離砥粒)來進行研磨。
於研磨加工中，除了要求研磨對象物的平坦性，也還要求其表面的光澤度。為了將研磨對象物磨成平坦，使用所謂的硬的研磨墊雖然是有效的，但若使用硬的研磨墊，則會有增加研磨對象物表面之損傷或刮痕的傾向，含以獲得必要的表面的光澤度。
於先前技術中，將重視平坦性的研磨步驟與重視表面之光澤度的步驟加以組合而實施多階段之研磨的方法，已被提出(專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平9-55362
[專利文獻2]日本專利第6235247號
[發明所欲解決之課題]
於多階段的研磨中，若把重點過度放在平坦性，則表面的光澤度會極端地惡化，因此改善表面品質所需之步驟就會需要長時間實施。
另一方面，改善表面品質所需之步驟係會牽涉到平坦性的惡化，因此表面品質的改善，恐怕會損及在前階段中所達成的平坦性。因此重視平坦性的研磨步驟與重視表面之光澤度的步驟的組合，必須調整其平衡來運用。
在如此的運用方法中，在一方之步驟中研磨特性發生變動的情況下，就會需要調整他方之步驟以確保研磨對象物的最終品質。又，由於是將身為取捨的工程做組合運用，因此想要同時改善平坦性與表面光澤度之兩者，是有困難的。
一旦研磨對象物的最終產品規格變得嚴苛，則上述問題就會變得嚴重，難以保持穩定的光澤品質。
研磨墊就典型而言是用聚胺酯樹脂發泡體而被製造。研磨墊的概要係如以下所述。聚胺酯樹脂發泡體，係通常是藉由含有具聚胺酯鍵之異氰酸酯化合物的預聚合物與MOCA這類硬化劑進行反應，經過硬化而被成形。將其以切片機切割成薄片狀而製造出研磨墊。在研磨墊的表面係會形成有基於氣泡的開口(圖1係為先前的研磨墊的剖面略示圖)。
從該聚胺酯樹脂發泡體所被製造的研磨墊，就一般而言，係使用由電著鑽石等所構成的修整器，將研磨墊的研磨面進行研磨而使其粗糙化(圖2)。如圖2所示，研磨墊的表面係為，由不規則地排列有基於氣泡之開口、和已被粗糙化的研磨面，所形成的表面結構。本發明人發現，如此的表面結構，會導致研磨結果產生不均勻性。
藉由如此的表面結構，亦即不均勻的接觸所帶來的研磨結果，在對研磨對象物之表面所要求的規格不是很嚴苛的情況下，還能夠在容許範圍內。可是，隨著對於研磨的規格越來越嚴苛，針對如此的表面結構就越來越不能置之不理。
本發明係為了解決如此課題而被發明，目的在於同時改善研磨對象物的平坦性與表面的光澤度之兩者。
本發明的另一目的，係提供一種研磨墊，其係可以使得產品規格日益嚴苛的研磨對象物之要求、光澤品質，能夠穩定地達成。
再者，本發明的另一目的，係提供一種研磨墊，其係可以使得與研磨對象物做接觸的研磨墊之接觸面分布變得均勻。
又再者，本發明的另一目的，係提供一種研磨墊，其係即使硬度為高仍可抑制對研磨對象物產生刮痕。
又再者，本發明的另一目的，係提供一種研磨墊，其係即使硬度為低仍不會導致研磨對象物的平坦性變得惡化。
[用以解決課題之手段]
本發明為了解決上述之課題，係為一種由含有略球狀之氣泡的發泡體所構成的研磨墊，若令墊子構成材料的密度為DMg/cm
3，則本研磨墊的密度是在0.36DM以上0.70DM以下之範圍內，研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口部直徑之變異(標準差σ1)是被調整成45μm以下；研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2)是被調整成35μm以下。
若為了改善研磨對象物的平坦性而提高研磨墊的硬度，則研磨墊內的氣泡之數量密度會減少，氣泡間的樹脂部係從被氣泡分斷的形狀變化成連續性連接，其結果為，基於氣泡的開口所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2)會變大。
又，若為了改善光澤度，而降低研磨墊的硬度，則研磨墊內的氣泡之數量密度會變高，氣泡彼此就會相連，基於氣泡的開口部直徑之變異(標準差σ1)會變大。
要同時改善研磨對象物的平坦性與表面的光澤度之兩者，若令墊子構成材料的密度為DMg/cm
3，則藉由將本研磨墊的密度設成0.36DM以上0.70DM以下之範圍，就可將上述σ1設成45μm以下，將σ2設成35μm以下。
作為前述研磨墊之材料係無特別限定，可舉出例如：聚胺酯樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、鹵系樹脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯等)、聚苯乙烯、烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯等)、環氧樹脂、及感光性樹脂等。在這些之中，聚胺酯樹脂係耐摩耗性佳，藉由變更各種原料組成就可調整成所望之物性，因此作為研磨墊的材料是特佳。
在研磨墊之一形態的聚胺酯樹脂發泡體的情況下，合適的密度係為0.40至0.60g/cm
3之範圍內。
該聚胺酯樹脂發泡體中所含之氣泡的直徑，係平均徑為130μm以下，獨立的氣泡及相鄰的氣泡彼此係於其接點上結合而形成了開口的氣泡，亦即是由所謂的連續氣泡所構成。
胺酯樹脂發泡體的蕭氏A硬度理想是在70至95之範圍內。
[發明效果]
藉由本發明的研磨墊，以使得產品規格日益嚴苛的研磨對象物之要求、光澤品質，能夠穩定地達成。
再者，本發明的研磨墊，其研磨面與研磨對象物之接觸面積分布會變得均勻，即使對應於研磨對象物而設計成硬度較高，仍可抑制對研磨對象物造成刮痕，反之即使設計成硬度較低，仍不會使研磨對象物的平坦性變得惡化。
本發明之一形態的研磨墊，係由以下述方法所製造的含有略球狀之氣泡的聚胺酯樹脂發泡體所構成。聚胺酯樹脂發泡體的密度，理想是在0.40至0.60g/cm
3之範圍內。
本發明之一形態的聚胺酯樹脂發泡體中所含之氣泡，係由獨立的氣泡及相鄰的氣泡彼此係於其接點上結合而形成了開口的氣泡，亦即是由所謂的連續氣泡所構成。研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口部直徑之變異(標準差σ1)係為45μm以下；研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2)是被調整成35μm以下。胺酯發泡體的蕭氏A硬度理想是在70至95之範圍內。
如下述，本發明中的發泡體研磨墊的基於氣泡的開口部直徑之變異係被正確地控制，這是不可或缺的要件。
先前的研磨墊A的表面結構的SEM照片係被示於圖3。又，本發明的研磨墊B的表面結構的SEM照片係被示於圖4。如圖示(SEM照片)所示，先前的研磨墊A之表面上所存在的開口部，相較於本發明的研磨墊B之表面上所存在的開口部，直徑的變異較大。
具體而言，圖6中係圖示了先前的研磨墊A之開口部直徑分布的直方圖。開口部直徑之變異(標準差σ1)係為61μm。
又，圖7中係圖示了本發明的研磨墊B之開口部直徑分布的直方圖。開口部直徑之變異(標準差σ1)係為43μm。
又在如圖示(SEM照片)所示，先前的研磨墊A之表面上所存在的開口部所圍繞之部分的面積，相較於本發明的研磨墊B之表面上所存在的開口部所圍繞之部分的面積，變異較大。
具體而言，圖8中係圖示了先前的研磨墊A之開口部所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑分布的直方圖。開口部所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2)係為36μm。
又圖7中係圖示了，本發明的研磨墊B之開口部所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑分布的直方圖。開口部所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2)係為29μm。
開口部的直徑之變異(標準差σ1)、開口部所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2))，係將掃描型電子顯微鏡所得到的數據，使用市售的影像分析軟體而被算出。
一般而言在發泡體研磨墊的生成過程中，氣泡彼此會合而為一，最終會產生具有各式各樣大小之氣泡的發泡體。藉由調整所使用的含有發泡劑、泡沫穩定劑、觸媒之分散液，可以控制造成氣泡彼此合而為一的反應，其結果為，可如本發明的研磨墊，製造出幾乎是以均勻的氣泡徑而被構成的發泡體研磨墊。
因此，本發明的研磨墊之表面，係如圖4所圖示，可理解為，略球體狀之氣泡係整齊地排列，氣泡與氣泡之間所形成的領域亦即接觸面係為均勻地分布。均勻分布的接觸面，係在為了研磨而把研磨墊按壓至研磨對象物時，該按壓力也會均等地分散，不會有局部性變成高壓力的接觸面，因此可抑制對研磨對象物造成刮痕。因此，以高硬度的研磨墊進行研磨時，可抑制刮痕的發生並且同時可獲得平坦性。
又，由於本發明的研磨墊的直徑之變異(標準差σ1)是被控制成較小，因此研磨墊的壓縮性也變得均勻。因此，以低硬度的研磨墊進行研磨時，不會損及研磨對象物的平坦性，可達成所被要求的拋光精度。
本發明的研磨墊係被製造如下。
使用先前以來就被使用的連續式攪拌裝置來製造研磨墊。該裝置係連續地將原材料進行混合並灌入模具之形式的裝置。
作為事前的準備，而分別準備了：聚異氰酸酯化合物、多元醇化合物、預先在多元醇化合物中將發泡劑(水)與聚矽氧系泡沫穩定劑進行分散稀釋而成的分散液、作為硬化劑的低分子量(分子量62～350)之聚胺化合物、或低分子量之多元醇化合物。
作為聚異氰酸酯化合物，係分子內具有2個以上之異氰酸酯基，因此例如：作為分子內具有2個異氰酸酯基的二異氰酸酯化合物，係可舉出m-苯二異氰酸酯、p-苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯(2,6-TDI)、2,4-甲苯二異氰酸酯(2,4-TDI)、萘-1,5-二異氰酸酯、二苯甲烷-4,4’-二異氰酸酯、3,3’-二甲氧基聯苯-4,4’-二異氰酸酯、二甲苯-1,4-二異氰酸酯、二甲苯-1,3-二異氰酸酯、二苯丙烷-4,4’-二異氰酸酯、三亞甲基二異氰酸酯、五亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯等。這些係可單獨1種或合併2種以上使用。
作為多元醇化合物，係為二醇化合物、三醇化合物等之化合物，可舉出例如：乙二醇、丁二醇等之低分子量之多元醇化合物、及聚氧化丙二醇(PPG)、聚氧化四甲二醇(PTMG)等之高分子量(數平均分子量500～7000)的聚醚多元醇化合物、乙二醇與己二酸之反應物或丁二醇與己二酸之反應物等之聚酯多元醇化合物、聚碳酸酯多元醇化合物、聚己內酯多元醇化合物等之高分子量之多元醇化合物。這些係亦可單獨1種或合併2種以上使用。
上述聚異氰酸酯化合物、上述多元醇化合物，係預先藉由反應而生成含異氰酸酯基之化合物，亦即異氰酸酯封端胺酯預聚合物(以下稱作「預聚合物」)。將該預聚合物作為主劑使用，與含有聚醯胺等之硬化劑、及發泡劑的分散液進行混合而獲得聚胺酯發泡體。
將流動狀態的預聚合物投入至槽中，設定成溫度20～60℃下的黏度為50～20000mPa･s之範圍為佳。預聚合物係藉由減壓泵浦而進行脫氣，去除了溶存氣體為佳。
含有發泡劑的分散液，係在不參與發泡的多元醇化合物中分散有水及泡沫穩定劑、觸媒、其他因應需要而添加的添加劑等，但藉由以該分散液進行發泡，就可減少在以發泡劑單獨混合至預聚合物之際容易產生的混合斑之生成。
作為該分散液中使用的多元醇化合物可使用係例如：乙二醇、丁二醇等之低分子量之多元醇化合物、PTMG、PPG、聚乙二醇(PEG)等之高分子量之多元醇化合物。
作為發泡劑，雖然未限定但可使用水。為了避免混入雜質等，使用蒸餾水為佳。
作為泡沫穩定劑是使用界面活性劑，但為了妨礙氣泡彼此之合而為一而成為獨立氣泡，可使用例如：以聚氧化烯鏈做了修飾的聚二甲基矽氧烷的聚矽氧系泡沫穩定劑等。
該聚矽氧系泡沫穩定劑的使用量，係隨著水的使用量而被調整，但相對於水1.0重量份，以6.5～8.5重量份為佳，7.0～8.0重量份為較佳。
作為觸媒，係可使用公知物。可舉出例如：3級胺、醇胺、醚胺等之胺觸媒，醋酸鹽(鉀、鈣)、有機金屬觸媒等。此外，在本實施例中，作為觸媒是使用3級胺的DABCO33LV(EVONIK公司產品)，但本發明的效果係不僅限定於使用該觸媒的情況。觸媒的量係無特別限定，但相對於預聚合物100質量份而使用0.01～0.5質量份之比率為佳，0.05～0.3質量份為較佳。
藉由使用該分散液，水對聚胺酯樹脂的分散性會變佳，發泡形狀及發泡之分布會變得均勻。
於事前的準備中，亦可還混合有聚胺化合物。聚胺化合物，係與含異氰酸酯基之化合物的異氰酸酯基進行反應。
作為聚胺化合物，係可使用脂肪族或芳香族的聚胺化合物，但可舉出例如：乙二胺、丙二胺、六亞甲基二胺、異佛爾酮二胺、二環己基甲烷-4,4’-二胺、3,3’-二氯-4,4’-二氨基二苯基甲烷(以下簡稱「MOCA」)、二乙基甲基苯二胺、二甲硫基甲苯二胺、4,4’-亞甲基雙(3-氯-2,6-二乙基苯胺)、1,3-丙二醇-雙-(4-氨基苯甲酸酯)等。又，聚胺化合物亦可具有羥基，作為此種胺系化合物係可舉出例如：甲基二乙醇胺、二-(2-羥乙基)乙二胺、二-(2-羥乙基)丙二胺、二(2-羥乙基)苯胺等。這些係可單獨1種或合併2種以上使用。在本實施形態中是以將MOCA加熱至約120℃，使其熔融的狀態下來使用的例子來做說明。
雖然以水來作為發泡劑來說明，但不限定於此。例如，將水予以保持的水溶性物質、藉由化學發泡劑之分解或有機化合物之汽化所產生的氣體，也可形成氣泡。又，亦可藉由將空氣、氮、氧、二氧化碳、或氦、氬等之惰性氣體進行機械性攪拌、混合的方法(機械性發泡法)而形成發泡，亦可將上述的複數種發泡形成手段加以組合。
作為化學發泡劑係可使用例如：從N,N’-二亞硝基五亞甲基四胺、偶氮二甲醯胺、4,4’-氧代雙苯磺醯肼及二縮酸醯胺基聯氨所組成之群組中所選擇出來之至少1種。化學發泡劑的熱分解溫度若為100℃以上，則在聚胺酯發泡體之形成時可更加抑制早期的分解，可使氣泡的分散狀態更加均等且均勻。
作為可將水予以保持的水溶性物質係可舉出例如：羧甲基纖維素、羥丙基纖維素、羧甲基甲殼素、糊精及環糊精等之水溶性多醣類以及其衍生物、殼寡糖、果寡糖、蔗糖及葡萄糖等之寡糖或單糖類、脂肪族胺鹽及脂肪族銨鹽等之陽離子系界面活性劑、烷基苯磺酸鹽、磺酸鹽、烷基醚硫酸鹽及磷酸酯鹽等之陰離子系界面活性劑、醚型、醚酯型及酯型等之非離子系界面活性劑、胺基酸、蛋白質、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯基磺酸、以及聚(甲基)丙烯酸。這些係可單獨1種或組合2種以上來使用。這些水溶性物質，係由於容易保持水分，因此在聚胺酯成形體的形成時，水溶性物質中所被保持的水分會與含異氰酸酯基之化合物進行反應而產生氣體，而形成氣泡。
將上述的混合液盡快注入模板，然後，在模板內使混合液中的含異氰酸酯基之化合物與活性氫化合物進行反應及硬化，並且藉由發泡劑而形成複數氣泡，藉此獲得塊狀的聚胺酯發泡體。此時，含異氰酸酯基之化合物係藉由與活性氫化合物之反應(高分子化或交聯)而硬化，具有基質樹脂的聚胺酯樹脂泡體即被成型。
混合液中的含異氰酸酯基之化合物的含有比率，係無特別限定，但從能夠更確實且有效地達成本發明所致之效果的觀點來看，以莫耳比(當量比)來說，相對於活性氫化合物係為0.9～1.2，理想係為0.95～1.1。
將所得到的聚胺酯發泡體切片成所望之厚度，裁切成圓形等之所望之形狀而形成薄片狀的發泡墊。亦可考慮研磨加工時的漿料之供給或研磨屑之排出等，而形成所望之形狀的溝槽。
本研磨墊在使用時，係墊子的背面係被黏貼有，用來黏貼墊子所需之感壓式黏貼膠帶。隔著黏貼膠帶，而黏接至研磨裝置的固定盤，就可作為研磨墊來使用。
(比較例)
使用具有以下之構成的依照先前技術的研磨墊A，針對18片晶圓之每一者進行了研磨。
由甲苯二異氰酸酯(TDI)30重量份與聚四亞甲基二醇(PTMG)48重量份所構成的預聚合物，當作主劑。作為泡沫穩定劑係使用聚二甲基矽氧烷系的聚矽氧1.0重量份，作為發泡劑是使用水1.0重量份。將上述材料在所定之條件下進行攪拌混合後，作為硬化劑而投入二氯二氨基二苯甲烷(MOCA)20重量份，然後繼續混合一定時間後，將混合液灌注至模具而使其硬化。其後，在恆溫爐靜置所定之時間使反應結束，獲得固形狀的聚胺酯蛋糕。將該固形狀聚胺酯蛋糕以切片機切出所定之厚度，製造出研磨墊。
比較例的先前的研磨墊A與本發明的研磨墊B的主要物性值，示於圖5。
(實施例)
使用具有以下之構成的本發明的研磨墊B，針對18片晶圓之每一者進行了研磨。
關於作為主劑的預聚合物是使用和前述比較例相同的預聚合物。但是，在本實施例中，作為事前準備，該預聚合物係在密閉容器內進行了所定時間的脫氣。又，在PTMG1.0重量份中事前將泡沫穩定劑1.0重量份、水1.0重量份、觸媒0.1重量份予以分散而調整了分散液。作為觸媒是使用DABCO33LV。做好這些事前準備後，針對泡沫穩定劑、水、及硬化劑之預聚合物以和前述比較例相同混合比率將各成分進行攪拌混合後，立刻灌注至模具並使其硬化。其後進行和前述先前的研磨墊A相同的處理，製造出研磨墊。
如圖5所示，先前的研磨墊A與本發明的研磨墊B，係除了平均孔徑以外，其他物性值皆為彼此近似的值。
對於先前的研磨墊A與本發明的研磨墊B的2種類之研磨墊，使用SpeedFam公司製50B單面研磨裝置，對6英吋之矽晶圓實施研磨。為了直接比較墊子的性能，通常會進行的拋光研磨係不實施。將研磨後的矽晶圓進行RCA洗淨，以雷射顆粒計數器(Topcon公司製WM-7S)，計數晶圓表面的瑕疵數。0.25μm以上之粗大粒子數的測定結果，示於圖10。
又，還使用光學干擾顯微鏡，針對表面粗度進行測定。表面粗度Ra的測定結果示於圖11。
如圖10及圖11所示，可確認在本發明的研磨墊B中，瑕疵的總數、及表面粗度Ra均較先前的研磨墊A有所改善。
如圖5所示，先前的研磨墊A與本發明的研磨墊B係使用相同的原材料，製作成幾乎相同的密度，因此除了平均孔徑以外，其他物性值均為相互近似的值。
其結果為，未具體揭露的平坦性之結果，也是近似的值。因此本發明的研磨墊B係可維持平坦性，同時可較先前的研磨墊A更為改善了表面光澤度。
在本實施例雖然說明使用了發泡聚胺酯的研磨墊，但研磨墊的構成材料係不限定於聚胺酯。
[產業上利用之可能性]
本發明雖然說明了把半導體(矽)晶圓之研磨當作研磨對象物的一例，但研磨對象物係不限定於半導體(矽)晶圓，亦可對例如玻璃、藍寶石、各種陶瓷、金屬等來做利用。
[圖1]圖1係為先前的研磨墊的剖面結構的剖面略示圖。
[圖2]圖2係為對先前的研磨墊實施了鑽石修整後的剖面略示圖。
[圖3]圖3係為先前的研磨墊的表面結構的SEM照片。
[圖4]圖4係為本發明的研磨墊的表面結構的SEM照片。
[圖5]圖5係為先前的研磨墊A與本發明的研磨墊B的主要物性值的表格。
[圖6]圖6係為先前的研磨墊A之開口的直徑分布的直方圖。
[圖7]圖7係為本發明的研磨墊B之開口的直徑分布的直方圖。
[圖8]圖8係為先前的研磨墊A之開口所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑分布的直方圖。
[圖9]圖9係為本發明的研磨墊B之開口所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑分布的直方圖。
[圖10]圖10係為使用先前的研磨墊A與本發明的研磨墊B分別研磨18片晶圓之情況的瑕疵數之比較的圖形。
[圖11]圖11係為使用先前的研磨墊A與本發明的研磨墊B分別研磨18片晶圓之情況的表面粗度Ra之比較的圖形。
Claims (4)
- 一種研磨墊，係由含有略球狀之氣泡的發泡體所構成的研磨墊，其特徵為， 若令墊子構成材料的密度為DMg/cm 3，則本研磨墊的密度是在0.36DM以上0.70DM以下之範圍內，研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口部直徑之變異(標準差σ1)是被調整成45μm以下； 研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2)是被調整成35μm以下。
- 一種研磨墊，係由含有略球狀之氣泡的發泡體所構成的研磨墊，其特徵為， 若令墊子構成材料的密度為DMg/cm 3，則本研磨墊的密度是在0.36DM以上0.70DM以下之範圍內，研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2)是被調整成35μm以下。
- 如請求項1或2所記載之研磨墊，其中，前述發泡體是由聚胺酯發泡體所構成。
- 如請求項3所記載之研磨墊，其中，前述胺酯發泡體的平均氣泡徑不超過150μm。
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