TW202315014A - 導線架以及封裝方法 - Google Patents

導線架以及封裝方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202315014A
TW202315014A TW110135504A TW110135504A TW202315014A TW 202315014 A TW202315014 A TW 202315014A TW 110135504 A TW110135504 A TW 110135504A TW 110135504 A TW110135504 A TW 110135504A TW 202315014 A TW202315014 A TW 202315014A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
lead frame
die
lead
sacrificial structure
sacrificial
Prior art date
Application number
TW110135504A
Other languages
English (en)
Inventor
顏豪疄
黃恒賫
永中 胡
Original Assignee
立錡科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 立錡科技股份有限公司 filed Critical 立錡科技股份有限公司
Priority to TW110135504A priority Critical patent/TW202315014A/zh
Priority to US17/847,231 priority patent/US20230098393A1/en
Publication of TW202315014A publication Critical patent/TW202315014A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49544—Deformation absorbing parts in the lead frame plane, e.g. meanderline shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4825—Connection or disconnection of other leads to or from flat leads, e.g. wires, bumps, other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本發明提出一種導線架，其包含：至少一易變形結構，該易變形結構包含一打線接合區(Bond area)、一晶粒焊墊(Die paddle)、或一導線引腳(Lead finger)；以及至少一犧牲結構，該犧牲結構連接於對應之易變形結構與導線架中對應之一接近部分之間，其中接近部分位於易變形結構附近。

Description

導線架以及封裝方法
本發明係有關一種導線架，特別是藉由犧牲結構以提供暫時支撐，並降低製作過程中內部變形的一種導線架。
因應封裝尺寸越來越大的趨勢，導線架(Lead frame)的打線接合區(Bond area)、晶粒焊墊(Die paddle)、或導線引腳(Lead finger)，其尺寸越來越長。參照圖1，在滿足連接訊號的需求下，導線架11內越來越長的結構易扭曲變形。並且，當導線架11配置越來越複雜，導線架11內許多結構更需繞彎以避開其他結構，此繞彎的設計可導致扭曲變形的狀況加劇。其中，扭曲變形的狀況可造成結構錯位、斷裂、甚至及訊號傳遞功能失效等。此外，扭曲變形狀況也可能造成導線架11部分內部結構平面度不足、焊接點易脫焊、空焊。這些問題通常到品管階段才被發現，其處理十分耗費人力物力。
為解決此困擾，參照圖2顯示美國專利US 20080157297的示意圖，其中導線架上設置晶片21，為了降低應力的影響，導線架中設計了多組弓形緩衝結構22，以吸收內外結構間不同的變形量，而不致產生相互影響。為了容置弓形緩衝結構22、並提供弓形緩衝結構22的變形空間，將導線架的圍框23往外擴大，封裝尺寸因此外增數倍，封裝尺寸的空間運用效率較低。
參照圖3，其顯示美國專利US 9093486的示意圖，其中導線架31上貼附黏性膠帶32，此黏性膠帶32的黏貼面貼附於導線架31，導線架31另一側又貼附另一膠帶33，導線架31位於黏性膠帶32與膠帶33間。並導線架31位於黏性膠帶32與膠帶33之間，預先填入封裝材料34，以減少導線架31的變形。此技術初步藉由黏性膠帶32固定導線架31，並藉由封裝材料34固定導線架31。然後，在填入封裝材料34的導線架31上，進行設置晶片與焊線。然而，在導線架31以及固化的封裝材料34上再一次堆疊熔融的封裝材料34，此堆疊的熔融封裝材料難以與原有封裝材料34熔接良好，在熔接面上必然存在高殘留應力，此殘留應力可能基於瞬間局部相變化、以及兩不同溫度封裝材料間的熱膨脹差距。此外，導線架31與黏性膠帶32或膠帶33間可能有縫隙，導致封裝材料34易在導線架31上局部溢料，遮蓋導線架31的部分頂面或底面，影響後續焊接。熔融封裝材料溫度過高時，可導致已固化的封裝材料34部分熔融，導線架31中部份結構可能出現移動，影響導線架31部份結構的位置準確度。
此外，另一美國專利US 7439097中揭露的先前技術，其類似於美國專利US 9093486，其中導線架也採預先封裝的設計。然而，如前所述，前後封裝材料間的熔接效果、封裝材料在導線架上的部分溢料、後封裝材料溫度過高影響導線架部分結構的位置準確度，都是可能的缺點。
針對先前技術的缺點，本發明提供一種導線架的設計，可在不需增加導線架封裝尺寸以及單次封裝材料填入的製作條件下，大幅地降低導線架內部結構扭曲變形的困擾。
就其中一個觀點言，本發明提供了一種導線架，以解決前述之困擾。此導線架，包含至少一易變形結構以及至少一犧牲結構。易變形結構包含一打線接合區(Bond area)、一晶粒焊墊(Die paddle)、或一導線引腳(Lead finger)。犧牲結構連接於對應之易變形結構與導線架中對應之一接近部分之間，用於提供暫時支撐，並降低或避免製作過程中易變形結構的扭曲變形，其中接近部分位於易變形結構附近。
當封裝尺寸越來越大的趨勢，導線架內的打線接合區、晶粒焊墊、或導線引腳，都可能包含細長且彎曲的設計，以滿足越來越複雜的連線需求。無論是機械、雷射或化學切割導線架，導線架中部份結構細長且彎曲處的結構強度不足，都具扭曲變形的高風險。本發明在導線架中結構強度較弱處加入犧牲結構，以補強結構強度(或補強結構剛性)，為本發明提供的技術特徵之一。
一實施例中，犧牲結構於導線架中具有一半切斷狀態，此半切斷狀態的犧牲結構具有少於其他導線架厚度(例如，導線架厚度的一半厚度)的特徵。
一實施例中，導線架中的接近部分，包含與易變形結構鄰近的導線架中另一打線接合區、另一晶粒焊墊、或另一導線引腳，其端視哪一個離易變形結構較近、或者可形成適當的輔助結構強度。一實施例中，導線架又包含一圍框，以環繞導線架。此實施例中，導線架中的接近部分，可包含與易變形結構鄰近的導線架中另一打線接合區、另一晶粒焊墊、另一導線引腳、或圍框，其端視哪一個離易變形結構較近、或者可形成適當的輔助結構強度。
本發明的導線架，可用於方型扁平無引腳封裝(Quad Flat No Lead，QFN)、方型扁平式封裝技術(Quad Flat Package，QFP)、雙列直插封裝(Dual In-Line Package，DIP)、小型封裝(Small Outline Package，SOP)、小型電晶體封裝(Small Outline Transistor，SOT)、以及系統整合晶片封裝(System on Integrated Chip，SOIC)。
另一觀點中，本發明提供一種封裝方法，包含：提供一導線架，導線架中包含至少一易變形結構與至少一犧牲結構，其中犧牲結構連接於對應之易變形結構與導線架中對應之接近部分之間，用於暫時補強易變形結構；設置晶粒或散熱元件於導線架上；提供一封裝材料，進行封裝導線架與其上的晶粒或散熱元件；從導線架完全切斷或移除至少部分犧牲結構；以及切割封裝材料以及導線架，以形成多個封裝結構，各封裝結構包含晶粒與散熱元件中至少其一、一封裝材料部分對應分割後封裝材料、以及一導線架部分對應分割後導線架。
一實施例中，以封裝材料進行封裝導線架與其上的晶粒或散熱元件的步驟中，又包含：封裝材料進行封裝導線架的一側，以及封裝於此側導線架上設置的晶粒或散熱元件。
一實施例中，從導線架移除犧牲結構的步驟中，包含：藉由雷射切割、化學蝕刻、以及機械加工方式移除犧牲結構。
底下藉由具體實施例詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
本發明中的圖式均屬示意，主要意在表示各電路組成部分間之相互關係，至於形狀與尺寸則並未依照比例繪製。
圖4顯示本發明的一個觀點中，本發明所提供的一種導線架40，以解決前述之困擾。此導線架40，包含一易變形結構41以及一犧牲結構42。易變形結構41例如包含一打線接合區(Bond area)411、一晶粒焊墊(Die paddle)412、或一導線引腳(Lead finger)413。依照設計，在封裝材料進行封裝前與後，易變形結構41都需保持位置準確度，不然會影響後續加工。犧牲結構42連接於易變形結構41與導線架40中一接近部分之間，用於提供暫時支撐，並降低或避免製作過程中易變形結構41的扭曲變形。前述的接近部分，為位於易變形結構41附近。此實施例中，易變形結構41主要為導線架40中設置元件、或接合打線用途。
圖4僅為舉例說明，實施的狀況不同，易變形結構41不一定相同於圖4所示包含導線引腳413。一般狀況中，導線架40內的細長結構可能包含打線接合區411、晶粒焊墊412、或導線引腳413，或者也包含其他細長結構。打線接合區411、晶粒焊墊412、與導線引腳413的位置準確與否，對於後續製造與使用影響甚大，所以本發明以此三種結構為主要臨時補強的元件為舉例。若需要，易變形結構41也可加入其他導線架40內元件主。此外，易變形結構41中打線接合區411、晶粒焊墊412、或導線引腳413的數量也可因不同實施狀況而有所改變，可不受限於一個或圖式中所示。
一實施例中，圖5顯示另一種導線架50，包含易變形結構51與犧牲結構52，其中的易變形結構51不同於圖4的易變形結構41。易變形結構51主要包含打線接合區511、晶粒焊墊512。比較圖4與5，可知本發明的易變形結構51可依需要而有不同的組合。
以圖4為例，當封裝尺寸越來越大的趨勢，導線架40內的打線接合區411、晶粒焊墊412、或導線引腳413，都可能包含較細長且彎曲的設計，以滿足越來越複雜的連線需求。無論是機械、雷射或化學所切割的導線架40，導線架40中部份的細長且彎曲結構，其結構強度常不足(封裝尺寸輕薄的要求下，導線架40的厚度可能變薄，結構強度不足更明顯)，都可能出現扭曲變形。當進行封裝導線架40與其上的晶粒或散熱元件(例如Copper clip)，從開始填料至冷卻的溫度變化會造成封裝材料體積改變。封裝材料與導線架40間熱膨脹係數不同，溫度改變可使導線架40承受應力，造成導線架40內部結構變形。在導線架40中結構強度較弱處加入犧牲結構42，以暫時補強結構強度(或暫時補強結構剛性)，為本發明提供的技術特徵之一。此犧牲結構42為暫時補強用途，在封裝材料完成封裝導線架40與其上的晶粒或散熱元件的過程後，可從導線架40上移除犧牲結構42。此時導線架40的內部結構，已為封裝材料所固定，移除犧牲結構42後，可解除打線接合區411、晶粒焊墊412、或導線引腳413之間因連接犧牲結構42形成的暫時連接，而易變形結構41已固定，不易扭曲變形。
一實施例中，犧牲結構42於導線架40中具有一半切斷狀態。此半切斷狀態的犧牲結構42，具有少於其他導線架40厚度(例如，導線架40原厚度的一半)的特徵。或者，根據結構強度需要、或後續製程的考量，犧牲結構42也可具有導線架40的原厚度。即犧牲結構42與他導線架40厚度相同，而從原有位置中被推移一距離，此距離少於厚度。此半切斷狀態或推移距離，可在犧牲結構42與打線接合區411、晶粒焊墊412、或導線引腳413之間的接觸部分，形成預留的斷裂結構。如此，在移除犧牲結構42步驟時可精確依循犧牲結構42的預定移除範圍(切斷位置，例如圖4虛線所示)，降低誤破壞打線接合區411、晶粒焊墊412、或導線引腳413的可能性。重要地，導線架40在完成進入封裝步驟前，犧牲結構42與打線接合區411、晶粒焊墊412、或導線引腳413之間的接合，可大幅提高導線架40內部結構的機械穩定度。
一實施例中，導線架40中的接近部分，包含與易變形結構41鄰近的導線架40中另一打線接合區411、另一晶粒焊墊412、或另一導線引腳413，其端視哪一個離易變形結構41較近、或者可與易變形結構41形成適當的輔助結構強度的導線架40部分。一實施例中，導線架40又包含一圍框43，以環繞導線架40。此實施例中，導線架40中的接近部分，可包含與易變形結構41鄰近的導線架40中另一打線接合區411、另一晶粒焊墊412、另一導線引腳413、或圍框43，其端視哪一個離易變形結構41較近、或者可與易變形結構41形成適當的輔助結構強度的導線架40的部分。
另一觀點中，犧牲結構42可用於提升易變形結構41的變形阻抗，即阻止易變形結構41產生變形的強度。例如，藉由犧牲結構42，使易變形結構41於封裝前不具有懸臂結構的特性，如此犧牲結構42可限制易變形結構41的扭曲變形。如此，導線架40中的易變形結構41，在封裝前以及封裝過程中，不易產生變形。
本發明的導線架，可用於方型扁平無引腳封裝(Quad Flat No Lead，QFN)、方型扁平式封裝技術(Quad Flat Package，QFP)、雙列直插封裝(Dual In-Line Package，DIP)、小型封裝(Small Outline Package，SOP)、小型電晶體封裝(Small Outline Transistor，SOT)、以及系統整合晶片封裝(System on Integrated Chip，SOIC)。前述之封裝僅為舉例，若基於實施的需要，也可應用於其他具有導線架的封裝結構中。
參照圖6A至6F，其顯示另一觀點中本發明所提供的一種封裝方法。此封裝方法包含：提供一導線架60(圖6A)，導線架60中包含易變形結構61與犧牲結構62，其中犧牲結構62連接於易變形結構61與導線架60中接近部分之間，用於暫時補強易變形結構61；設置晶粒Ch或散熱元件Cop於導線架60上(圖6B)；提供一封裝材料63，進行封裝導線架60與其上的晶粒Ch或散熱元件Cop(圖6C、6D，其中圖6C為頂面方向示意圖，圖6D為底面方向示意圖，代表倒置導線架60與封裝材料63)；從導線架60上完全切斷或移除至少部分犧牲結構62(圖6E)，完全切斷或移除犧牲結構62後產生圖式中溝槽部分；以及分割封裝材料63以及導線架60(圖6F)，以形成多個封裝結構Pa，各封裝結構Pa包含晶粒Ch與散熱元件Cop中至少其一、封裝材料部分對應分割後封裝材料、以及導線架部分對應分割後導線架。
一實施例中，前述的設置晶粒Ch或散熱元件Cop於導線架60上的步驟中，又包含：在晶粒Ch與導線架60間進行打線，以產生晶粒Ch與導線架60間一訊號連接線路。
一實施例中，以封裝材料63進行封裝導線架60與其上的晶粒Ch或散熱元件Cop的步驟中，又包含：封裝材料63進行封裝導線架60的一側，以及封裝於此側導線架60上設置的晶粒Ch或散熱元件Cop。參照圖6B，其中的晶粒Ch與散熱元件Cop，於圖6C中覆蓋於封裝材料63中，其中導線架60的一側外露於封裝材料63外。然而，本發明可不受限於封裝導線架60的一側，若需要封裝材料63也可封裝導線架60的兩側。
前述的實施例中，從導線架40、50、60移除犧牲結構42、52、62的步驟中，包含：藉由雷射切割、化學蝕刻、以及機械加工方式移除犧牲結構42、52、62。又一實施例中，其中機械加工包含沖壓、切割、研磨、或其他適用的機械加工方式。其中，可依據需要而決定移除犧牲結構42、52、62時封裝材料63的溫度，例如化學蝕刻時，封裝材料63可處於固化的溫度；又例如機械加工時，為避免造成過高的殘留應力，封裝材料63可處於未完全進入玻璃態的溫度(又或者，封裝材料63可處於固化的溫度)。如此，使用者可依需要而決定其實施時封裝材料63的溫度。
此外，前述的封裝方法，又可參照圖7A至7F中的剖斷面示意圖了解其步驟。此封裝方法包含：提供一導線架70(圖7A)，導線架70中包含易變形結構71與犧牲結構72，其中犧牲結構72連接於易變形結構71與導線架70中接近部分之間，用於暫時補強易變形結構71；設置晶粒Ch或散熱元件於導線架70上(圖7B，圖式中以晶粒Ch為例，圖式又舉例顯示晶粒Ch與導線架70間的打線部分)；提供一封裝材料73，進行封裝導線架70與其上的晶粒Ch或散熱元件(圖7C、7D，其中圖7C為頂面方向示意圖，圖7D為底面方向示意圖，代表倒置導線架70與封裝材料73)；從導線架70上完全切斷或移除至少部分犧牲結構72 (圖7E)，移除犧牲結構72後產生圖式中的溝槽部分；以及切割封裝材料73以及導線架70(圖7F)，以形成多個封裝結構Pa，各封裝結構Pa包含晶粒Ch與散熱元件中至少其一、封裝材料部分對應分割後封裝材料、以及導線架部分對應分割後導線架。
以上已針對實施例來說明本發明，唯以上所述者，僅係為使熟悉本技術者易於了解本發明的內容而已，並非用來限定本發明之權利範圍。在本發明之相同精神下，熟悉本技術者可以思及各種等效變化。例如，導線架上設置不同於圖式中數量的晶片、或元件放置時有不同的順序、或元件的形狀不同於圖式等，本發明的範圍應涵蓋上述及其他所有等效變化。
11,31,40,50,60,70:導線架 21:晶片 22:弓形緩衝結構 23:圍框 32:黏性膠帶 33:膠帶 34:封裝材料 41,51,61,71:易變形結構 411,511:打線接合區 412,512:晶粒焊墊 413:導線引腳 42,52,62,72:犧牲結構 43:圍框 63,73:封裝材料 Ch:晶粒 Cop:散熱元件
圖1、2、3顯示先前技術中導線架的示意圖。 圖4、5顯示根據本發明兩實施例中導線架的示意圖。 圖6A至6F顯示本發明一實施例的封裝方法的步驟示意圖。 圖7A至7F顯示本發明一實施例的封裝方法的步驟示意圖。
40:導線架
41:易變形結構
411:打線接合區
412:晶粒焊墊
413:導線引腳
42:犧牲結構
43:圍框

Claims (11)

  1. 一種導線架，包含： 至少一易變形結構，該易變形結構包含一打線接合區(Bond area)、一晶粒焊墊(Die paddle)、或一導線引腳(Lead finger)；以及 至少一犧牲結構，該犧牲結構連接於對應之該易變形結構與該導線架中對應之一接近部分之間，其中該接近部分位於該易變形結構附近。
  2. 如請求項1所述之導線架，其中該犧牲結構於該導線架中為一半切斷狀態。
  3. 如請求項1所述之導線架，其中於該導線架用以設置至少一晶粒或至少一散熱元件於該導線架上，且於一封裝材料封裝該導線架與其上的該晶粒或該散熱元件後，從該導線架完全切斷或移除至少部分該犧牲結構，以形成多個封裝結構。
  4. 如請求項1所述之導線架，其中該導線架中的該接近部分，包含該易變形結構外的該導線架的另一打線接合區、另一晶粒焊墊、或另一導線引腳。
  5. 如請求項1所述之導線架，其中該犧牲結構用於提升該易變形結構的變形阻抗。
  6. 如請求項1所述之導線架，其中該導線架可用於方形扁平無引腳封裝(Quad Flat No Lead，QFN)、方型扁平式封裝技術(Quad Flat Package，QFP)、雙列直插封裝(Dual In-Line Package，DIP)、小型封裝(Small Outline Package，SOP)、小型電晶體封裝(Small Outline Transistor，SOT)、以及系統整合晶片封裝(System on Integrated Chip，SOIC)。
  7. 一種封裝方法，包含： 提供一導線架，該導線架包含至少一易變形結構與至少一犧牲結構，其中該犧牲結構連接於對應之該易變形結構與該導線架中對應之一接近部分之間； 設置晶粒或散熱元件於該導線架上； 提供一封裝材料，封裝該導線架與其上的該晶粒或該散熱元件； 從該導線架完全切斷或移除至少部分該犧牲結構；以及 切割該封裝材料以及該導線架，以形成多個封裝結構，各該封裝結構包含一封裝材料部分對應分割後該封裝材料、一導線架部分對應分割後該導線架、以及該晶粒與該散熱元件中至少其一。
  8. 如請求項7所述之封裝方法，其中該犧牲結構於該導線架中為一半切斷狀態。
  9. 如請求項7所述之封裝方法，其中該導線架中的該接近部分，包含該導線架的另一打線接合區、另一晶粒焊墊、或另一導線引腳。
  10. 如請求項7所述之封裝方法，其中該犧牲結構用於提升該易變形結構的變形阻抗。
  11. 如請求項7所述之封裝方法，其中從該導線架完全切斷或移除至少部分該犧牲結構的步驟中，包含：藉由雷射切割、化學蝕刻、以及機械加工方式完全切斷或移除至少部分該犧牲結構。
TW110135504A 2021-09-24 2021-09-24 導線架以及封裝方法 TW202315014A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110135504A TW202315014A (zh) 2021-09-24 2021-09-24 導線架以及封裝方法
US17/847,231 US20230098393A1 (en) 2021-09-24 2022-06-23 Lead frame and packaging method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110135504A TW202315014A (zh) 2021-09-24 2021-09-24 導線架以及封裝方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202315014A true TW202315014A (zh) 2023-04-01

Family

ID=85718493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110135504A TW202315014A (zh) 2021-09-24 2021-09-24 導線架以及封裝方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230098393A1 (zh)
TW (1) TW202315014A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230098393A1 (en) 2023-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9324644B2 (en) Semiconductor device
US6437429B1 (en) Semiconductor package with metal pads
US9502339B2 (en) Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method
US20070145570A1 (en) Semiconductor device
JP5232394B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2014220439A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2004179253A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US8017445B1 (en) Warpage-compensating die paddle design for high thermal-mismatched package construction
TWM523189U (zh) 導線架預成形體及導線架封裝結構
KR20080067289A (ko) 반도체 장치
TW202315014A (zh) 導線架以及封裝方法
JP2007096042A (ja) 半導体装置
JP2004247613A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20090302443A1 (en) Leadframe-based semiconductor package having arched bend in a supporting bar and leadframe for the package
JP5585352B2 (ja) リードフレーム、半導体装置及びその製造方法
JP6490453B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN115910945A (zh) 导线架以及封装方法
JP3565114B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
CN216354192U (zh) 一种半导体芯片打线结构
JP2008311390A (ja) 半導体装置
JPH0653399A (ja) 樹脂封止型半導体装置
TWI236123B (en) Semiconductor package with lead frame
TWI627714B (zh) 導線架及晶片封裝結構
JP2007281380A (ja) 半導体素子およびその製造方法
JP3805733B2 (ja) 半導体装置の製造方法