TW202303287A - 用於旋轉運動、真空密封及壓力密封之垂直盤旋金屬波紋管 - Google Patents

用於旋轉運動、真空密封及壓力密封之垂直盤旋金屬波紋管 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種用於具有真空密封之旋轉運動之系統及方法。該系統包含一真空室、經安置於該真空室內之一組件支架，及一基座。一波紋管經安置於該基座與該組件支架之間，且該波紋管在該基座與該組件支架之間提供一密封。該波紋管、該基座及該組件支架在其三者之間界定一致動器隔室。一致動器經安置於該致動器隔室內。該致動器經組態以相對於該基座旋轉該組件支架，以便對準經安置於該組件支架上之一組件。組件支架相對於該基座之旋轉引起該波紋管之扭轉彈性變形。

Description

用於旋轉運動、真空密封及壓力密封之垂直盤旋金屬波紋管
本發明係關於用於半導體檢測或度量衡之光學設備。
半導體製造工業之演進對良率管理及特定言之度量衡及檢測系統提出愈來愈高的要求。關鍵尺寸繼續縮小，但工業需要減少用於達成高良率、高價值生產之時間。最小化從偵測到一良率問題至解決該問題之總時間決定了一半導體製造商之投資回報率。
製造半導體裝置(諸如邏輯及記憶體裝置)通常包含使用大量製程處理一半導體晶圓以形成半導體裝置之各種特徵及多個層級。例如，微影術係一半導體製程，其涉及將一圖案自一倍縮光罩轉印至經配置於一半導體晶圓上之一光阻劑。半導體製程之額外實例包含但不限於化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。可在一單一半導體晶圓上經製造之多個半導體裝置之一配置，將該多個半導體裝置分離成個別半導體裝置。
積體電路裝置中設計幾何圖形之不斷縮小，致使不斷需要改良光學檢測及度量衡工具。例如，用於光微影系統之光源在歷史上已經演變為越來越小之波長，藉此允許構造越來越小之結構。例如，可見波長光(例如400 nm)之使用由近紫外光(例如300 nm)所取代，而後又由深紫外(DUV)光(例如200 nm)所取代。然後，最近，DUV光源已由極紫外(EUV)光源(例如，13.5 nm)所取代。
隨著半導體技術中之特徵尺寸越來越小，光之波長已成為半導體程序內經使用之光學程序內之一限制因素，包含微影、晶圓及光罩檢測及度量衡。先進光學技術使用EUV光(例如，波長在11 nm至15 nm之範圍內，且更具體而言係，波長為13.5 nm)來解決由特徵尺寸越來越小而產生之問題，而沒有碎屑之一明亮EUV光源在追求下一代半導體程序中係非常寶貴的。開發一明亮的EUV光源之一個挑戰性態樣係減少電漿產生程序中之碎屑，同時將由電漿產生之EUV光損失降至最低。
在EUV架構下操作之檢測工具之一個缺點係，一粒子保護裝置，諸如，一薄膜，其通常被用於較長波長之工具中，不能被用於EUV環境中，因為保護裝置在EUV波長下係不透明的。此外，旨在於一EUV工具上經檢測之倍縮光罩之關鍵尺寸可能非常小，以使倍縮光罩表面上存在之幾乎任何粒子會引起不可接受之問題。舉例來說，污染物粒子可從附近用於將檢測光引導至倍縮光罩之光學元件發出。此外，用於在檢測期間移動倍縮光罩之倍縮光罩載物台亦可為污染粒子之一來源。
此外，由於對準原因，在一EUV或其他真空環境檢測系統中之一些光學元件需要被致動。此需要用於一個或多個自由度之精確(如亞奈米)運動。此外，一些光學元件較大(例如，幾公斤)，且需要致動力才能移動。此等光學元件在真空中移動。被暴露之光學表面對來自揮發性有機化合物(VOC)及來自粒子兩者之污染物非常敏感。VOC可為污染物。移動光學元件所需之致動器可排出揮發性碳氫化合物。此致動可產生可落在系統內之關鍵表面上之粒子。
當對準需要光學元件之旋轉運動時，需要旋轉密封。典型之彈性密封(如o形環、唇緣密封等)可被用於低真空應用內，但此等彈性密封在旋轉期間脫落粒子，且允許氣體進入經密封之體積，引起污染。鐵磁流體密封亦不適用於超高真空應用。
現時，在基於光之倍縮光罩檢測系統中之粒子控制利用流動空氣來執行，且流動空氣在一已知方向推進粒子。在真空系統中，諸如在一電子束檢測系統中，粒子控制大體上係藉由少量正壓及經設計以減少粒子數量之粒子減少方法來完成。先前方法有數個缺點。例如，先前方法沒有展示將粒子減少至直徑小於10 nm之一能力。此外，先前方法僅用於在檢測後允許倍縮光罩清潔之程序。然而，由於在檢測後不允許清潔，EUV倍縮光罩檢測工具必須處理較小的粒子。
差異泵抽可被用於分離含有一排氣部分之真空環境。一經差異泵抽之真空區域需要連接至抽氣系統。對於在一大型總成中之一真空室而言，此可能很難達成。此外，真空泵會產生不利於精密對準光學元件之振動。
清潔程序可自組件減少排氣率。大多數致動器含有潤滑劑或可排出氣體之其他材料，且永遠無法完全緩解。此外，在移動額外分子及粒子污染物期間，可能會產生無法利用清潔來完全清除之污染物。
因此，需要在一超高真空中旋轉密封之經改良系統和方法。
本發明之一實施例提供一系統。該系統可包括一真空室、經安置於真空室內之一組件支架，及一基座。該系統可進一步包括經安置於基座與組件支架之間之一波紋管。波紋管、基座及組件支架可在其三者之間界定一致動器隔室。波紋管可在基座與組件支架之間提供一密封。該系統可進一步包括經安置於致動器隔室內之一致動器。該致動器可經組態以使組件相對於基座旋轉。組件支架相對於基座之旋轉可引起波紋管之扭轉彈性變形。
根據本發明之一實施例，該系統可進一步包括經固定至基座及波紋管之一第一端之一第一凸緣。第一凸緣可藉由一圓周焊接固定至波紋管之第一端。該系統可進一步包括經固定至組件支架及波紋管之一第二端之一第二凸緣。第二凸緣可藉由一圓周焊接固定至波紋管之第二端。第一凸緣及第二凸緣中之至少一者可包含一密封壓蓋，且一密封環可經安置於密封壓蓋內。
根據本發明之一實施例，波紋管可包括經安置於一第一端區段與一第二端區段之間之一盤旋區段。盤旋區段可包括從第一端區段延伸至第二端區段之垂直肋。盤旋區段之周邊可具有由垂直肋界定之一正弦形狀。波紋管可藉由一鎳鈷合金製成。波紋管可藉由電鑄成型製造。波紋管可具有實質上呈圓形之截面。
根據本發明之一實施例，該系統可進一步包括一光學組件，光學組件經安置於真空室內之組件支架上。組件支架相對於基座之旋轉可引起光學組件之對應旋轉。
本發明之另一實施例提供一種方法。該方法可包括在一真空室中提供一組件支架。該方法可進一步包括提供一致動器，致動器經安置於組件支架與基座之間。一波紋管可經安置於基座與組件支架之間。波紋管、基座及組件支架可在其三者之間界定一致動器隔室。波紋管可在基座與組件支架之間提供一密封。該方法可進一步包括使用致動器使組件支架相對於基座旋轉。組件支架相對於基座之旋轉可引起波紋管之扭轉彈性變形。
根據本發明之一實施例，該方法可進一步包括在一心軸上電鑄成型一波紋管結構。該方法可進一步包括自波紋管結構移除心軸以獲得一波紋管。該方法可進一步包括在真空室中基座與組件支架之間安置波紋管。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張於2021年2月22日申請且已讓與之美國申請案第63/151,800號之臨時專利申請案之優先權, 該案之揭示內容在此以引用的方式併入。
儘管將依據特定實施例描述所主張標的物，然其他實施例(包含未提供本文中闡述之所有優點及特徵之實施例)亦在本發明之範疇內。可在不脫離本發明之範疇之情況下進行各種結構、邏輯、程序步驟、及電子改變。因此，本發明之範疇僅藉由參考隨附發明申請專利範圍而定義。
圖1係一系統100之一截面圖。系統100包含一真空室101。在一實例中，真空室101係一EUV半導體檢測工具之一部分。真空室101之壁界定一內部102，其可由一真空泵103泵抽至低壓或真空壓力。真空壓力可小於10 -7毫巴。例如，真空壓力可為超高真空(UHV)位準(例如，在10 -7與10 -12毫巴之間)。用於碳氫化合物之分壓可小於10 -10毫巴。
一組件105可經安置於真空室內部，由一組件支架110固持。組件105可為一光學組件。光學組件可為，例如，一攝影機、一透鏡、面鏡、孔徑、感測器、濾波器、衰減器或快門。光學組件可經組態以在EUV波長下使用。在另一實例中，光學組件可為一光罩。該光罩可不包含一薄膜，因此即使光罩上有一個粒子，亦可意味在操作期間出現故障。組件105可為在真空中(諸如，一載物台)遠程經致動之其他組件。系統100可包含複數個組件支架110，每個組件支架經組態以固持不同組件105。例如，系統100可包含一感測器陣列，其中每個感測器由一單獨組件支架110固持。
EUV光或其他波長之光可直接經引導穿過組件105。真空室101中可能有一光源。
組件支架110可經連接至一基座115。一波紋管120可經定位於基座115與組件支架110之間。波紋管120可在基座115與組件支架110之間提供一密封。此密封可提供數個分子保護數量級。例如，密封可具有每米長度小於10 -11標準立方釐米/秒之一洩漏率。使用波紋管120幾乎可遏制所有尺寸為10 nm或更大之粒子。
波紋管120、基座115及組件支架110可在其三者之間界定一致動器隔室111。圖1係一截面圖，因此波紋管120可圍繞基座115與組件支架110之一整體延伸，以密封致動器隔室111。波紋管120可使用緊固件、熔接、銅焊、軟焊或其他技術連接至基座115及組件支架110。
在一實例中，波紋管120由一鎳鈷合金製成。可使用其他金屬，諸如鎳、銅或其他合金。波紋管120可為與UHV相容之任何可撓性材料，且可防止大部分污染物通過。波紋管120能夠承受在真空室101及致動器隔室111內大氣壓力與UHV之間之一壓差。波紋管120可承受更大壓差，例如，高達3 atm與UHV之間之壓差。
致動器112可經定位於致動器隔室111內。致動器112可經組態以使組件支架110相對於基座115旋轉。致動器112可具有用於操作之潤滑劑，且藉由致動器112之任何移動可產生粒子及VOC。粒子通常由在真空室101內或在真空室101周圍之材料形成。例如，真空室101內之兩個組件可相互摩擦且形成粒子。VOC可為潤滑劑、清潔劑、來自一機器工間之殘留物或在真空室101內之材料。
因此，歸因於由某些擾動引起之材料脫落，可能產生粒子。粒子大體上由與致動器112相同之材料形成(例如，金屬、塑膠及潤滑劑)。其可能係由運動及振動引起之兩種材料摩擦或鬆散黏附材料(如沈積粒子、潤滑劑等)之脫落而產生之碎屑材料。大體上，任何移動之物體(例如，致動器112)可產生粒子。此外，當材料降解抑或係當附著的揮發性化合物藉由排氣蒸發時，即使靜態物品可產生VOC。
潤滑劑產生排氣，但當材料分解時，排氣可來自材料本身。例如，塑膠可排氣。排氣亦可來自附著在金屬等清潔表面上之分子污染物。污染物大體上來自製造期間之殘留污染物。
粒子之尺寸取決於何種零件移動、材料或表面光潔度。粒子之直徑可為5 nm或更大，諸如10 nm或更大。
相對於基座115之組件支架110之旋轉可引起波紋管120之扭轉彈性變形。藉由扭轉波紋管120，可旋轉組件支架110用於對準。例如，組件支架110可相對於基座115以10微弳度(microradian)或更大角度旋轉。在彈性變形範圍內之波紋管120之旋轉範圍及引起扭轉彈性變形所需之力可取決於波紋管120之材料、厚度及幾何形狀及在真空室101及致動器隔室111內部之溫度及真空壓力。例如，波紋管120之旋轉範圍可為1至10微弳度、1至3微弳度、1.3至3微弳度、1.3至2微弳度、2至3微弳度或其他範圍。在一特定實施例中，組件支架110可相對於基座115以約2微弳度旋轉。當波紋管120之變形在彈性範圍內時，波紋管120可藉由反向旋轉恢復到其原始形狀，且可重複旋轉。若波紋管120之變形在非彈性範圍內，則波紋管120可能無法恢復到其原始形狀，且此種塑性變形可能破壞致動器隔室111之密封，且可需要更換波紋管120。
相對於基座115之組件支架110之旋轉可引起組件105之對應旋轉。此可允許組件105之對準且改良系統100之測量精度。
圖2A及圖2B繪示波紋管120。波紋管120可包括一盤旋區段123。該盤旋區段123可經安置於波紋管120之一第一端區段121與一第二端區段122之間。該盤旋區段123可包括自第一端區段121延伸至第二端區段122之垂直肋124。如在圖2B中所展示，垂直肋124可交替地從波紋管120向內及向外突出。例如，每個向內突出之肋124a可經配置於兩個向外突出肋124b之間。垂直肋124各者具有相似的幾何形狀。例如，每個垂直肋124可具有相似的長度、寬度、突出深度及形狀，其值可取決於波紋管120所需之壓力負載及旋轉。根據一特定實施例，垂直肋124可具有小於1.77吋之一長度，約為0.25吋之一寬度，及約為0.125吋之一突出深度。垂直肋124可具有一半圓形狀。以此方式，盤旋區段123之周邊可具有由垂直肋124界定之一正弦形狀。垂直肋124可具有其他形狀，例如三角形、矩形等。
波紋管120可具有實質上呈圓形之截面。波紋管120具有約為7吋之一直徑，及約為1.77吋之一高度。替代地，波紋管120可具有多邊形截面，諸如一正方形、六邊形等。在此類實例中，垂直肋124可具有不同的幾何形狀，例如截面形狀之角部。波紋管120具有約為0.008吋之一厚度。藉由組合不同的金屬層，可達成更小厚度。例如，與鎳/鈷層結合使用之一銅層可產生具有為0.003吋之一厚度之一波紋管120。波紋管120之尺寸可取決於所需之壓力負載及旋轉。
大體上，波紋管120之設計可取決於系統要求，包含旋轉範圍、壓力/真空要求、幾何約束及致動力。波紋管120之設計亦可取決於實體約束，包含材料特性及製造能力。基於系統要求及實體約束之一平衡，可選擇每個設計變數之特定值。設計變數可包含波紋管之幾何形狀(直徑、高度等)、盤旋區段之幾何形狀(高度、半徑等)及盤旋厚度。以此方式，波紋管120可用於各種應用。
與現有旋轉密封相比，波紋管120可為系統100提供若干優點。波紋管120可與UHV相容，且可在受到惡劣輻射、化學或熱條件影響之環境中使用。波紋管120可被積極清潔，且可被置於高溫下，例如，高於400°C。波紋管120可能不會脫落粒子或排氣。波紋管120可經組態以在內部及外部支持大於1大氣壓。波紋管120之尺寸可被放大或縮小，以用於具有各種尺寸之檢測系統及應用。
可使用各種製造方法形成波紋管120。根據本發明之一實施例，波紋管120可藉由電鑄成型製造。在圖3A中所展示之一例示性電鑄成型程序中，一固體金屬源及一導電心軸經安置於含有經電鑄之金屬鹽之一電解液中，且向金屬源(陽極)及心軸(陰極)施加一直流電。直流電使金屬沈積在心軸之外表面上，直到達到具有所需厚度之一波紋管結構。心軸之外表面具有對應於波紋管120之垂直肋124之垂直肋，因此當金屬被沈積在心軸之外表面上時，所得波紋管結構具有相同垂直肋。心軸可完整地從波紋管結構上被分離、熔化或化學溶解/蝕刻，以獲得波紋管120。
根據本發明之另一實施例，波紋管120可由一滾壓成形程序製造。在圖3B中所展示之一例示性滾壓成形程序中，一金屬板穿過一組或多組滾軸，此等滾軸在金屬板中形成垂直肋。然後金屬板經滾軋成一圓柱形且經熔接以獲得波紋管120。
根據本發明之另一個實施例，波紋管120可由一液壓成形程序製造。在圖3C中所展示之一例示性液壓成形程序中，將薄壁管放置於一雙件式模具中。雙件式模具之內表面具有對應於波紋管120之垂直肋124之垂直肋。當一流體被壓入管中時，流體壓力致使管變形為模具之內表面之形狀，以獲得波紋管120。流體可為水、油或其他液體。
應暸解，可使用本領域中已知之其他製造方法形成波紋管120，且本發明不限於本文所描述之實例。利用此類製造方法，可製造具有一垂直盤旋區段123之一單片、薄波紋管120。當與系統100一起使用時，所製造之波紋管120在藉由致動器112之旋轉施加扭轉力時，可為足夠可撓的以彈性變形，且可為足夠強以承受在真空室101與致動器隔室111之間之壓差。
參考回圖1，系統100可進一步包括一第一凸緣130。第一凸緣130可被固定至基座115及波紋管120之第一端區段121。第一凸緣130可由緊固件及/或熔接固定至基座115。例如，如在圖4A及圖4B中所展示，第一凸緣130可具有複數個第一安裝孔131，該等第一安裝孔經組態以接納第一緊固件132以將第一凸緣130固定至基座115。第一凸緣130亦可具有經組態以接納一第一密封環134之一第一密封壓蓋133。第一密封環134可由金屬製成。第一密封環134可在第一凸緣130與基座115之間提供一密封。
第一凸緣130可藉由一圓周焊接固定至波紋管120之第一端區段121。例如，可在第一凸緣130之內徑內接納波紋管120之第一端區段121之至少一部分，使得波紋管120之第一端區段121之一外表面經熔接至第一凸緣130之一內表面。
回顧參考圖1，系統100可進一步包括一第二凸緣140。第二凸緣140可被固定至組件支架110及波紋管120之第二端區段122。第二凸緣140可藉由緊固件及/或熔接固定至組件支架110。例如，如在圖4A及圖4B中所展示，第二凸緣140可具有複數個第二安裝孔141，該等第二安裝孔經組態以接納第二緊固件142以將第二凸緣140固定至組件支架110。第二凸緣140亦可具有經組態以接納一第二密封環144之一第二密封壓蓋143。第二密封環144可由金屬製成。第二密封環144可在第二凸緣140與組件支架110之間提供一密封。
第二凸緣140可藉由一圓周焊接固定至波紋管120之第二端區段122。例如，波紋管120之第二端區段122之至少一部分可在第二凸緣140之內徑內被接納，使得波紋管120之第二端區段122之一外表面經熔接至第二凸緣140之一內表面。
第一凸緣130及第二凸緣140可由金屬製成。例如，第一凸緣130及第二凸緣140可由316不銹鋼製成。以此方式，波紋管120、第一凸緣130及第二凸緣140之總成可形成一全金屬旋轉密封總成。
第一凸緣130及第二凸緣140可經組態以用於各種密封。第一密封壓蓋133及第二密封壓蓋143之幾何形狀可取決於所使用之密封類型。第一密封環134及第二密封環144可為可撓性金屬密封、共面密封、線密封、銦密封等。一可撓性金屬密封可包括被一個或多個金屬套包圍之一緊密纏繞之螺旋彈簧。在壓縮期間，彈簧可迫使護套屈服，且確保與密封面正接觸。共面密封在第一密封壓蓋133及第二密封壓蓋143中被刀口壓縮以產生一密封。
對於系統100，波紋管120可在基座115與組件支架110之間提供一氣密密封，使得真空室101內之組件105可由致動器隔室111內之致動器112產生之粒子及VOC分離， 且波紋管120能夠承受扭轉彈性變形，以允許相對於基座115之組件支架110之旋轉，用於組件105之原位對準。以此方式，系統100可提供一更清潔之檢測環境且改良系統精度。
圖5A係根據本發明之一實施例之一方法200之一流程圖。方法200可被用於一系統，例如系統100。方法200可包含以下步驟。
在步驟210處，在一真空室中提供一組件支架。真空室可由一真空泵泵抽至低壓或真空壓力，諸如UHV。組件支架可固持一組件。組件可為一光學組件或可在真空中遠程經致動之其他組件。
在步驟220處，提供一致動器，該致動器經安置於組件支架與基座之間。一波紋管經安置於基座與組件支架之間，其中波紋管、基座及組件支架在其三者之間界定一致動器隔室。波紋管可在基座與組件支架之間提供一密封。致動器隔室可由一真空泵泵抽至低壓或真空壓力。
在步驟230處，使用致動器使組件支架相對於基座旋轉。組件支架相對於基座之旋轉引起波紋管之扭轉彈性變形。藉由使用致動器扭轉波紋管，可旋轉組件支架(及經安置於組件支架上之組件)用於對準，且可改良測量精度。例如，組件支架可相對於基座以10微弳度或更大角度旋轉。在彈性變形範圍內之波紋管之旋轉範圍及引起扭轉彈性變形所需之力可取決於波紋管之材料、厚度及幾何形狀，及真空室及致動器隔室內之真空壓力。例如，波紋管之旋轉範圍可為1至10微弳度、1至3微弳度、1.3至3微弳度、1.3至2微弳度、2至3微弳度或其他範圍。由於波紋管之變形在彈性範圍內，波紋管可藉由反向旋轉恢復到其原始形狀，且可重複旋轉。若波紋管之變形在非彈性範圍內，波紋管可能無法恢復到其原始形狀，此類塑性變形可能破壞致動器隔室之密封，且可能需要更換波紋管。
使用方法200，波紋管可在基座與組件支架之間提供一密封，使得真空室內之組件由致動器隔室內之致動器產生之粒子及VOC分離， 且波紋管能夠承受扭轉彈性變形，以允許組件支架相對於基座旋轉，用於組件之原位對準。以此方式，方法200可改良測量精度。
根據本發明之一實施例，方法200可進一步包括製造在圖5B中所展示之波紋管之以下步驟。
在步驟201處，在一心軸上電鑄成型一波紋管結構。圖3A中展示一例示性電鑄成型程序，其中一固體金屬源及一導電心軸經安置於含有進行電鑄之金屬鹽之一電解液內，且將直流電施加至金屬源(陽極)及心軸(陰極)。直流電引起金屬沈積在心軸之外表面上，直到達到具有所需厚度之一波紋管結構。心軸之外表面具有對應於波紋管之垂直肋之垂直肋，使得當金屬沈積在心軸之外表面上時，所產生之波紋管結構具有相同的垂直肋。
在步驟202處，自波紋管結構移除心軸，以獲得一波紋管。心軸可完整被分離、熔化或化學溶解/蝕刻，以獲得波紋管。
在步驟203處，波紋管經安置於在真空室內基座與組件支架之間。例如，波紋管可經由緊固件或熔接固定至基座及組件支架。
可在方法200之步驟210之前、步驟220之前及/或步驟230之前執行步驟201至步驟203。
藉由步驟201至步驟203之電鑄成型程序，可製造具有一垂直盤旋結構之一單片、薄波紋管。當與方法200結合使用時，經製造之波紋管在藉由致動器之旋轉施加一扭轉力時可為足夠可撓的以彈性變形，且可足夠強大以承受真空室與致動器隔室之間之壓差。
雖然經揭示為減少光學組件上之粒子及污染物，然本文所揭示之實施例亦可保護致動器免受致動器隔室外部環境之影響。使用光學組件清潔該區域時，可使用溶劑、電漿、O 3、紫外光及/或H 2。此類清潔技術可損壞致動器。波紋管可保護致動器免受此類清潔技術之影響。
儘管本發明中所提供之描述集中於在一EUV微影工具、EUV度量衡工具或EUV倍縮光罩檢測工具內之一光學組件周圍之粒子控制，然本文所揭示之實施例應解釋為應用於一EUV光學工具或對粒子存在敏感之其他光波長之光學工具之任何關鍵區域。本文所揭示之實施例亦可應用於對粒子敏感之其他真空系統，諸如電子束系統。例如，本文所揭示之實施例大體上可被用於藉由繞一光束軸旋轉以對準一非球面光學元件。
儘管本發明已相對於一個或多個特定實施例經描述，然將理解，本發明之其他實施例可在不脫離本發明範圍之情況下進行。因此，本發明僅受隨附發明申請專利範圍及其合理解釋限制。
100:系統 101:真空室 102:內部 103:真空泵 105:組件 110:組件支架 111:致動器隔室 112:致動器 115:基座 120:波紋管 121:第一端區段 122:第二端區段 123:盤旋區段 124:垂直肋 124a:向內突出之肋 124b:向外突出肋 130:第一凸緣 131:第一安裝孔 132:第一緊固件 133:第一密封壓蓋 134:第一密封環 140:第二凸緣 141:第二安裝孔 142:第二緊固件 143:第二密封壓蓋 144:第二密封環 200:方法 201:步驟 202:步驟 203:步驟 210:步驟 220:步驟 230:步驟
為了更全面理解本發明之性質及目的，應參考結合隨附圖式進行之以下詳細描述，其中： 圖1係根據本發明之一實施例之一系統之一截面圖； 圖2A係根據本發明之一實施例之一系統之一波紋管之一側視圖； 圖2B係圖2A之波紋管之一俯視圖； 圖3A係根據本發明之一實施例之一例示性電鑄成型程序； 圖3B係根據本發明之一實施例之一例示性滾壓成形程序； 圖3C係根據本發明之一實施例之一例示性液壓成形程序； 圖4A係圖1之系統之一部分之一截面圖； 圖4B係根據本發明之一實施例之一系統之一凸緣之一俯視圖； 圖5A係根據本發明之一實施例之一方法之一流程圖； 及 圖5B之一根據本發明之一實施例之一另一方法之一流程圖。
100:系統
101:真空室
102:內部
103:真空泵
105:組件
110:組件支架
111:致動器隔室
112:致動器
115:基座
120:波紋管
130:第一凸緣
132:第一緊固件
140:第二凸緣
142:第二緊固件

Claims (20)

  1. 一種系統，其包括： 一真空室； 一組件支架，其經安置於該真空室內； 一基座； 一波紋管，其經安置於該基座與該組件支架之間，其中該波紋管、該基座及該組件支架在其三者之間界定一致動器隔室，其中該波紋管在該基座與該組件支架之間提供一密封； 及 一致動器，其經安置於該致動器隔室內，其中該致動器經組態以相對於該基座旋轉該組件支架； 其中，該組件支架相對於該基座之旋轉引起該波紋管之扭轉彈性變形。
  2. 如請求項1之系統，其進一步包括： 一第一凸緣，其經固定至該基座及該波紋管之一第一端； 及 一第二凸緣，其經固定至該組件支架及該波紋管之一第二端。
  3. 如請求項2之系統，其中： 該第一凸緣藉由一圓周焊接固定至該波紋管之該第一端； 及 該第二凸緣藉由一圓周焊接固定至該波紋管之該第二端。
  4. 如請求項2之系統，其中該第一凸緣及該第二凸緣中之至少一者包括一密封壓蓋，且一密封環經安置於該密封壓蓋中。
  5. 如請求項1之系統，其中該波紋管包括經安置於一第一端區段與一第二端區段之間之一盤旋區段，且該盤旋區段包括自該第一端區段延伸至該第二端區段之垂直肋。
  6. 如請求項5之系統，其中該盤旋區段之該周邊具有由該等垂直肋界定之一正弦形狀。
  7. 如請求項1之系統，其中該波紋管由一鎳鈷合金製成。
  8. 如請求項1之系統，其中該波紋管藉由電鑄成型製造。
  9. 如請求項1之系統，其中該波紋管具有實質上呈圓形之截面。
  10. 如請求項1之系統，其進一步包括： 一光學組件，其經安置於該真空室內之該組件支架上； 其中，該組件支架相對於該基座之旋轉引起該光學組件之對應旋轉。
  11. 一種方法，其包括： 在一真空室中提供一組件支架； 提供經安置於該組件支架與一基座之間之一致動器，其中在該基座與該組件支架之間安置一波紋管，其中該波紋管、該基座及該組件支架在其三者之間界定一致動器隔室，且其中該波紋管在該基座與該組件支架之間提供一密封； 及 使用該致動器相對於該基座旋轉該組件支架，其中該組件支架相對於該基座之旋轉引起該波紋管之扭轉彈性變形。
  12. 如請求項11之方法，其中： 一第一凸緣經固定至該基座及該波紋管之一第一端；及 一第二凸緣經固定至該組件支架及該波紋管之一第二端。
  13. 如請求項12之方法，其中： 該第一凸緣藉由一圓周焊接固定至該波紋管之該第一端； 及 該第二凸緣藉由一圓周焊接固定至該波紋管之該第二端。
  14. 如請求項12之方法，其中該第一凸緣及該第二凸緣中之至少一者包括一密封壓蓋，且一密封環經安置於該密封壓蓋內。
  15. 如請求項11之方法，其中該波紋管包括經安置於一第一端區段與一第二端區段之間之一盤旋區段，且該盤旋區段包括自該第一端區段延伸至該第二端區段之垂直肋。
  16. 如請求項15之方法，其中該盤旋區段之該周邊具有由該等垂直肋界定之一正弦形狀。
  17. 如請求項11之方法，其中該波紋管由一鎳鈷合金製成。
  18. 如請求項11之方法，其中該方法進一步包括： 在一心軸上電鑄成型一波紋管結構； 從該波紋管結構移除該心軸以獲得該波紋管； 及 將該波紋管安置於該真空室內該基座與該組件支架之間。
  19. 如請求項11之方法，其中該波紋管具有實質上呈圓形之截面。
  20. 如請求項11之方法，其中一光學組件經安置於該真空室內之該組件支架上，且該組件支架相對於該基座之旋轉引起該光學組件之對應旋轉。
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