TW202246577A - 基板液處理裝置及基板液處理方法 - Google Patents

基板液處理裝置及基板液處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202246577A
TW202246577A TW111102597A TW111102597A TW202246577A TW 202246577 A TW202246577 A TW 202246577A TW 111102597 A TW111102597 A TW 111102597A TW 111102597 A TW111102597 A TW 111102597A TW 202246577 A TW202246577 A TW 202246577A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
substrate
supply path
processing
path
Prior art date
Application number
TW111102597A
Other languages
English (en)
Inventor
金子聡
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202246577A publication Critical patent/TW202246577A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

[課題]提供一種有利於以簡單的裝置構成加熱基板及處理液之技術。 [解決手段]基板液處理裝置，係具備有：基板保持部，保持基板；噴嘴構件，具有第1供給路徑與吐出口，該吐出口，係被連接於第1供給路徑且被定位於基板之上方；及下方加熱器，被定位於基板之下方，具有流通有處理液的第2供給路徑，加熱基板之周緣區域及第2供給路徑內的處理液，第1供給路徑被連接於第2供給路徑，從第2供給路徑經由第1供給路徑被供給至吐出口的處理液，係自吐出口朝向基板吐出。

Description

基板液處理裝置及基板液處理方法
本揭示，係關於基板液處理裝置及基板液處理方法。
近年來，伴隨著半導體元件之微細化及三維化的進展，可更高精度地進行半導體元件的加工。例如，在進行無電解鍍敷的情況下，可藉由加熱基板及鍍敷液的方式，促進處理之進行，並對基板精度良好地賦予鍍敷被膜(參閱專利文獻1)。
如此一來，藉由加熱調整基板及處理液(例如鍍敷液)之各個溫度的方式，可促進基板的液處理。
另一方面，當個別地設置用以加熱基板的加熱器與用以加熱處理液的加熱器時，則存在有裝置構成複雜化且裝置尺寸亦大型化的傾化。
特別是，當在有限空間進行基板之液處理的情況下，係必需以不妨礙其他裝置的方式，設置用以加熱基板的加熱器及用以加熱處理液的加熱器。因此，可設置之加熱器的尺寸、形狀及位置等受到限制。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-249679號公報
[本發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供一種有利於以簡單的裝置構成加熱基板及處理液之技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣，係關於基板液處理裝置，其特徵係，具備有：基板保持部，保持基板；噴嘴構件，具有第1供給路徑與吐出口，該吐出口，係被連接於第1供給路徑且被定位於基板之上方；及下方加熱器，被定位於基板之下方，具有流通有處理液的第2供給路徑，加熱基板之周緣區域及第2供給路徑內的處理液，第1供給路徑被連接於第2供給路徑，從第2供給路徑經由第1供給路徑被供給至吐出口的處理液，係自吐出口朝向基板吐出。 [發明之效果]
根據本揭示，有利於以簡單的裝置構成加熱基板及處理液。
以下，參閱圖面，例示地說明本揭示之典型的實施形態。
[第1實施形態] 圖1，係表示處理系統80的一例之概略的圖。圖1所示之處理系統80，係具有搬入搬出站91及處理站92。搬入搬出站91，係包含有：載置部81，具備複數個載體C；及搬送部82，設置有第1搬送機構83及收授部84。複數個基板W以水平狀態被收容於各載體C。在處理站92，係設置有：複數個處理單元10，被設置於搬送路徑86的兩側；及第2搬送機構85，於搬送路徑86往復移動。
基板W，係藉由第1搬送機構83從載體C被取出且載放於收授部84，並藉由第2搬送機構85從收授部84被取出。而且，基板W，係藉由第2搬送機構85被搬入對應的處理單元10，並在對應的處理單元10中施予預定液處理(在本實施形態中，係鍍敷處理)。其後，基板W，係藉由第2搬送機構85從對應的處理單元10被取出且載放於收授部84，其後，藉由第1搬送機構83返回到載置部81的載體C。
處理系統80，係具備有控制部93。控制部93，係例如由電腦所構成，並具備有演算處理部及記憶部。在控制部93之記憶部，係記憶有用以在處理系統80所進行的各種處理之程式及資料。控制部93之演算處理部，係適當地讀出並執行被記憶於記憶部的程式，藉此，控制處理系統80之各種裝置且進行各種處理。
記憶於控制部93之記憶部的程式及資料，係被記錄於電腦可讀取之記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於記憶部者。作為電腦可讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)及記憶卡等。
圖2，係表示第1實施形態之處理單元10(基板液處理裝置)的一例之概略的圖。在圖2中，係透視處理腔室11並圖示位於處理腔室11之內側的裝置，且表示基板保持部12(特別是支撐接觸部12b)、頂板13、下方加熱器14及罩杯構造體15的剖面。
本實施形態之處理單元10，係如上述般，對基板W賦予鍍敷液且進行鍍敷處理(例如無電解鍍敷處理)。但是，處理系統80所具備之複數個處理單元10(參閱圖1)的一部分或全部，係亦可設成為進行其他處理的單元。以下說明的技術，係亦可應用於進行鍍敷處理以外之液處理的基板液處理裝置及基板液處理方法。
處理單元10，係具備有：處理腔室11；基板保持部12；頂板13；下方加熱器14；及罩杯構造體15。基板保持部12、頂板13、下方加熱器14及罩杯構造體15，係被設置於處理腔室11的內側。
基板保持部12，係可旋轉地保持經由第2搬送機構85(參閱圖1)所供給的基板W。基板保持部12，係以使圓盤狀的基板W之中心軸線與旋轉軸線A一致的方式，支撐基板W。
本實施形態之基板保持部12，係具有支撐驅動部12a及支撐接觸部12b。
支撐接觸部12b，係可與基板W接觸而直接支撐該基板W。圖2所示之支撐接觸部12b，係雖支撐基板W中旋轉軸線A貫通的中心區域，但並不支撐基板W的周緣區域而使其露出。
由支撐接觸部12b所進行的基板W之支撐方式，係並未被限定。例如，支撐接觸部12b，係亦可採用真空方式，該真空方式，係藉由吸附基板W的方式，支撐該基板W。
圖3，係表示支撐接觸部12b的一例之概略的剖面圖，且表示廣域接觸支撐狀態的支撐接觸部12b。圖4，係表示支撐方式切換部45的一例之概略的剖面圖，且表示廣域接觸支撐狀態的支撐方式切換部45。圖5，係表示支撐接觸部12b的一例之概略的剖面圖，且表示窄域接觸支撐狀態的支撐接觸部12b。圖6，係表示支撐方式切換部45的一例之概略的剖面圖，且表示窄域接觸支撐狀態的支撐方式切換部45。
本實施形態之支撐接觸部12b，係可在廣域接觸支撐方式與窄域接觸支撐方式之間切換支撐基板W的方式。
亦即，支撐接觸部12b，係具有支撐方式切換部45，該支撐方式切換部45，係具有圓環狀的平面形狀。支撐方式切換部45，係可處於從支撐載置面12c突出的突出狀態(參閱圖6)與不從支撐載置面12c突出的非突出狀態(參閱圖4)。
支撐方式切換部45的突出狀態與非突出狀態之間的切換，係可藉由任意的裝置構成及任意方法來實施。
在圖3~圖6所示的例子中，係支撐方式切換部45之內部的中空部45a經由驅動流體路徑46被連接於支撐切換驅動部(參閱後述的圖8)。藉由以支撐切換驅動部調整中空部45a之氣壓的方式，支撐方式切換部45之狀態可在突出狀態與非突出狀態之間切換。
亦即，將中空部45a之氣壓調整成相對小的壓力(例如真空壓力)，藉此，可使支撐方式切換部45收縮而成為非突出狀態(參閱圖4)。另一方面，將中空部45a之氣壓調整成相對大的壓力(例如大氣壓(標準氣壓))，藉此，可使支撐方式切換部45膨脹而成為突出狀態(參閱圖6)。
在廣域接觸支撐方式中，支撐方式切換部45，係處於非突出狀態(參閱圖3及圖4)。藉此，基板W，係被載放於支撐載置面12c，且遍及相對較廣的範圍，藉由支撐接觸部12b(特別是支撐載置面12c)予以接觸支撐。另外，在廣域接觸支撐方式中，處於非突出狀態之支撐方式切換部45，係亦可與被載放於支撐載置面12c的基板W接觸，或亦可與其不接觸。
另一方面，在窄域接觸支撐方式中，支撐方式切換部45，係處於突出狀態(參閱圖5及圖6)。藉此，基板W，係在遠離支撐載置面12c的狀態下，被載放於支撐方式切換部45。
在窄域接觸支撐方式中與支撐方式切換部45接觸的基板W之部分的範圍(面積)，係比在廣域接觸支撐方式中與支撐載置面12c接觸的基板W之部分的範圍(面積)小。因此，在窄域接觸支撐方式中，係與廣域接觸支撐方式相比，基板W以更窄的接觸面積予以支撐，並可抑制自基板W向基板保持部12的熱移動。
圖2所示之支撐驅動部12a，係對支撐接觸部12b賦予旋轉動力，使藉由支撐接觸部12b所支撐的基板W與支撐接觸部12b一起以旋轉軸線A為中心而旋轉。
本實施形態之支撐驅動部12a，係不僅可使支撐接觸部12b以旋轉軸線A為中心旋轉，亦可使支撐接觸部12b沿著旋轉軸線A於高度方向上下動作。
圖2所示之支撐驅動部12a，係具備有：旋轉驅動軸，在旋轉軸線A上延伸且支撐接觸部12b被固定地安裝於前端部；及旋轉驅動本體部，使旋轉驅動軸以旋轉軸線A為中心旋轉。
旋轉驅動軸及旋轉驅動本體部，係可具有任意構成。圖2所示之旋轉驅動本體部，係包含有用以使旋轉驅動軸以旋轉軸線A為中心旋轉的驅動部(參閱圖8的「基板旋轉驅動部51」)與使旋轉驅動軸沿著旋轉軸線A於高度方向移動的驅動部(參閱圖8的「基板上下驅動部52」)。使旋轉驅動軸旋轉之驅動部，係例如亦可具備有馬達、無端環帶及滑輪。使旋轉驅動軸於高度方向移動之驅動部，係例如亦可具備有馬達及滾珠螺桿。
頂板13，係被設置為可在控制部93之控制下移動，且覆蓋藉由基板保持部12所保持的基板W。
本實施形態之頂板13，係作為具有第1供給路徑21及吐出口22的噴嘴構件而發揮功能。
吐出口22，係被連接於第1供給路徑21且被定位於基板W的上方，朝向藉由基板保持部12所保持的基板W之上面吐出經由第1供給路徑21所供給的處理液。
在第1供給路徑21，係設置有除電體24。處理液，係在第1供給路徑21中藉由除電體24去除靜電後，被輸送至吐出口22。
第1供給路徑21中與被連接於吐出口22的一側之端部為相反側的端部(圖2之右側的端部)之開口(以下亦稱為「液流入開口」)，係被密封體23所包圍。第1供給路徑21之該液流入開口，係關於高度方向，被定位於比吐出口22低。
密封體23，係典型而言，由O形環所構成。在頂板13之第1供給路徑21被連接於下方加熱器14之第2供給路徑31的情況下，頂板13及下方加熱器14，係經由密封體23而連接，第1供給路徑21與第2供給路徑31之間藉由密封體23而密封。
圖7，係表示頂板13之一例的上視圖。在圖7中，以虛線表示被設置於頂板13之下面的吐出口22及各密封體23與被設置於頂板13之內部的第1供給路徑21。
在頂板13，係設置有複數個(較佳為三個以上)密封體23。該些密封體23中之一個，係包圍第1供給路徑21之液流入開口的密封體23(參閱圖2)。
該些密封體23(特別是密封體23之下面)，係位於同一水平面上，相對於頂板13的中心軸線即旋轉軸線A或吐出口22以等角度間隔地配置。藉此，在經由密封體23相互連接頂板13及下方加熱器14的情況下，可將頂板13與下方加熱器14之間的間隔在整體上保持為一定。
本實施形態之頂板13，係具有加熱器(在圖2中，係省略圖示；參閱後述圖8所示的「上方加熱器16」)。上方加熱器之設置形態，係並未被限定。例如上方加熱器，係亦可被設置於比圖2所示的第1供給路徑21更上方，或亦可被設置於比第1供給路徑21更下方。
藉由頂板13被配置於基板W附近的方式，可藉由從上方加熱器發出的熱，積極地加熱基板W及該基板W上的處理液。
下方加熱器14，係具有：第2供給路徑31，被定位於藉由基板保持部12所保持之基板W的下方，並流通有處理液。
圖2所示之下方加熱器14，係具有與基板W(特別是基板W的下面)的周緣區域對向之圓環狀的平面形狀，第2供給路徑31，係具有螺旋狀的平面形狀。下方加熱器14，係在控制部93之控制下，加熱基板W的周緣區域及第2供給路徑31內的處理液。
下方加熱器14之具體的加熱方式，係並未被限定。
例如，電熱線(省略圖示)亦可被埋入下方加熱器14。在該情況下，藉由電流流動於電熱線的方式，下方加熱器14，係可加熱基板W之周緣區域及第2供給路徑31內的處理液。
又，下方加熱器14，係亦可具有加熱媒體流路(省略圖示)。在該情況下，藉由在加熱媒體流路流通有加熱媒體(例如高溫之DIW(De-Ionized Water))的方式，下方加熱器14，係可加熱基板W之周緣區域及第2供給路徑31內的處理液。例如，將所期望溫度之DIW從溫水供給器(省略圖示)供給至加熱媒體流路，並以溫水供給器加熱從加熱媒體流路所排出的DIW，將加熱後之DIW再次從溫水供給器供給至加熱媒體流路，藉此，可使DIW(加熱媒體)循環。
第2供給路徑31之具體形態並未被限定，第2供給路徑31，係具有足以藉由下方加熱器14加熱第2供給路徑31內之處理液的流路長度。為了確保那樣的足夠流路長度，第2供給路徑31，係例如亦可具有蜿蜒形狀。
本實施形態之第2供給路徑31，係具有：液引導路徑31a，螺旋狀地延伸；及液滯留部31b，被連接於液引導路徑31a。藉由液引導路徑31a形成連接有處理液供給部40之第2供給路徑31的一方側部分，並藉由液滯留部31b形成第2供給路徑31之另一方側的開口(以下亦稱為「液流出開口」)。
處理液供給部40，係在控制部93之控制下，將包含有鍍敷液及DIW之複數個種類的處理液供給至第2供給路徑31。
液引導路徑31a與液滯留部31b之間的具體連接形態，係並未被限定。例如液引導路徑31a亦可僅經由沿水平方向延伸的貫通孔(省略圖示)被連接於液滯留部31b。亦即，液引導路徑31a及液滯留部31b，係雖經由貫通孔相互連接，但在貫通孔以外的部位，液引導路徑31a及液滯留部31b，係亦可相互隔絕。
液引導路徑31a中被連接於液滯留部31b之一側的開口，係藉由液滯留部31b所儲存的液體，與周圍隔絕。
密封液供給部41經由密封液供給路徑32被連接於液滯留部31b。密封液供給部41，係在控制部93之控制下，將密封液供給至液滯留部31b。例如，密封液供給部41，係亦可對液滯留部31b持續供給密封液，使密封液自液滯留部31b溢流。液引導路徑31a內之處理液，係藉由液滯留部31b所儲存的密封液，與周圍隔絕。
密封液之具體組成雖並未被限定，但使用對處理液影響較小的液體作為密封液為較佳。本實施形態之密封液供給部41，係將DIW作為密封液而供給至液滯留部31b。
在下方加熱器14之上面，係形成有液保持溝33、第1氣體供給路徑34及氣體排出路徑35。
從第1氣體供給路徑34朝向上方噴出惰性氣體(例如氮)。氣體排出路徑35，係從下方加熱器14之上方引入氣體(包含惰性氣體)，將該氣體引導至外方。藉此，可抑制外氣(亦即處理腔室11內的環境空氣)朝頂板13與下方加熱器14之間的空間流入，並將頂板13與下方加熱器14之間的空間調整為低氧氣氛圍。
圖2所示之第1氣體供給路徑34及氣體排出路徑35的各者，係具有圓環狀之平面形狀，並與藉由基板保持部12所保持的基板W之下面的周緣部對向，且氣體排出路徑35比第1氣體供給路徑34更位於旋轉軸線A的附近。但是，第1氣體供給路徑34及氣體排出路徑35的位置及設置形態，係並未被限定。
液保持溝33，係位於藉由基板保持部12所保持的基板W之周緣區域的附近。自基板W溢落之處理液的至少一部分被儲存於液保持溝33。儲存於液保持溝33之處理液，係藉由其表面張力與附著於基板W(特別是基板W之側端面及/或背面)的處理液相連。
其結果，從液保持溝33突出之處理液會持續地附著於基板W之下面的周緣區域及側端面。藉此，可藉由處理液來持續地處理基板W之下面的周緣區域及側端面。
一般而言，基板W的周緣區域上之處理液的行為並不穩定。特別是，在基板W的下面之周緣區域及側端面未被處理液覆蓋的情況下，想穩定地確保基板W的周緣區域上及側端面上之處理液的足夠膜厚，係並不容易。
另一方面，如本實施形態般，藉由處理液包覆基板W之下面的周緣區域及側端面，藉此，防止基板W之上面的周緣區域中之處理液的膜厚之降低，並且可藉由處理液來適當地處理基板W的周緣區域整體。
另外，在不需藉由處理液處理基板W的下面之周緣區域及側端面的情況下，係亦可不設置液保持溝33。
在本實施形態中，係藉由頂板13的移動，頂板13及下方加熱器14，係被配置於連接位置及非連接位置。
藉由頂板13及下方加熱器14被配置於連接位置的方式，第1供給路徑21及第2供給路徑31相互連接。第1供給路徑21被連接於第2供給路徑31，從第2供給路徑31經由第1供給路徑21被供給至吐出口22的處理液，係從吐出口22朝向基板W吐出。如此一來，在第2供給路徑31中，對基板W賦予藉由下方加熱器14所加熱的處理液。
另一方面，藉由頂板13的移動且頂板13及下方加熱器14被配置於非連接位置的方式，第1供給路徑21及第2供給路徑31，係相互遠離，遮斷第1供給路徑21與第2供給路徑31之間的連接。
罩杯構造體15，係具有環狀之平面形狀，並被設成為包圍藉由基板保持部12所保持的基板W。罩杯構造體15，係接取從基板W飛散的液體並引導至排洩管(省略圖示)，或以防止基板W周圍之氣體擴散的方式，對氣體之流動進行整流。
罩杯構造體15之具體構成，係並未被限定。例如，罩杯構造體15，係亦可單獨具有主要用以引導液體的罩杯與主要用以對氣體之流動進行整流的罩杯。
處理單元10，係亦可更具備有上述未提及的其他裝置。
本實施形態之處理單元10，係更具備有沖洗液吐出部(參閱後述的圖8及圖15)。沖洗液吐出部，係在控制部93之控制下，於處理腔室11的內側移動並吐出沖洗液。
又，處理單元10，係亦可具備有：供氣裝置，將惰性氣體供給至處理腔室11內；排氣裝置，用以從處理腔室11內排出氣體；及排液裝置，用以從處理腔室11內排出自基板W掉落(飛散)的液體。
圖8，係表示處理單元10的控制構成之一例的功能方塊圖。
在控制部93，係連接有上方加熱器16、下方加熱器14、基板旋轉驅動部51、基板上下驅動部52、頂板驅動部53、處理液供給部40、密封液供給部41、沖洗液吐出部27及支撐切換驅動部54。上方加熱器16、下方加熱器14、基板旋轉驅動部51、基板上下驅動部52、頂板驅動部53、處理液供給部40、密封液供給部41、沖洗液吐出部27及支撐切換驅動部54，係在控制部93之控制下進行驅動。
上方加熱器16及下方加熱器14，係藉由控制部93予以控制，調整發熱量。基板旋轉驅動部51，係藉由控制部93予以控制，調整旋轉驅動軸及支撐接觸部12b(更進一步而言為基板W)的旋轉狀態。基板上下驅動部52，係藉由控制部93予以控制，調整旋轉驅動軸及支撐接觸部12b(更進一步而言為基板W)之高度方向的位置。頂板驅動部53，係藉由控制部93予以控制，使頂板13移動並調整頂板13的配置。
處理液供給部40，係藉由控制部93予以控制，調整供給至第2供給路徑31之處理液的種類、量及供給時間點。密封液供給部41，係藉由控制部93予以控制，調整供給至液滯留部31b之密封液的量及供給時間點。沖洗液吐出部27，係藉由控制部93予以控制，調整沖洗液吐出部27的移動、從沖洗液吐出部27所吐出之沖洗液的量及吐出時間點。支撐切換驅動部54，係藉由控制部93予以控制，進行支撐方式切換部45之狀態(亦即突出狀態及非突出狀態)的切換。
處理單元10所具備的各種裝置中之未表示於圖8的裝置亦可被連接於控制部93，並在控制部93之控制下予以控制。例如，控制部93，係亦可控制氣體供給部或氣體吸引部，該氣體供給部，係將惰性氣體供給至第1氣體供給路徑34，該氣體吸引部，係經由氣體排出路徑35吸引氣體。
[基板液處理方法] 其次，說明使用了上述處理單元10之基板液處理方法的一例。
藉由控制部93適當地控制處理單元10所具備的各種機器，藉此，實施以下說明之基板液處理方法。
圖9~圖15，係用以說明第1實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元10的放大圖。在圖9~圖15中，表示頂板13及下方加熱器14的剖面。
在圖9~圖15中，處理單元10被簡化表示。例如，在圖9~圖15中，係以簡化之形狀，表示呈螺旋狀設置的液引導路徑31a。又，在圖9~圖15中，係省略第1氣體供給路徑34、氣體排出路徑35及除電體24的圖示。
首先，處理單元10，係如圖9所示般，處於準備狀態(準備工程)。
在準備工程中，頂板13，係被配置於退避位置，從下方加熱器14向上方離開。液引導路徑31a，係被從處理液供給部40所供給的鍍敷液L1填滿，液滯留部31b，係被從密封液供給部41所供給的DIWL3填滿。液引導路徑31a內之鍍敷液L1，係藉由下方加熱器14予以加熱。
其次，處理單元10，係如圖10所示般，處於基板設置狀態(基板設置工程)。
在基板設置工程中，從第2搬送機構85(參閱圖1)所供給的基板W，係在藉由基板保持部12保持的狀態下，被配置於處理位置。配置於處理位置之基板W的周緣區域，係在下方加熱器14之上方，位於下方加熱器14的附近，藉由下方加熱器14予以加熱。另外，液引導路徑31a內之鍍敷液L1亦藉由下方加熱器14予以加熱。
又，在基板設置工程中，係頂板13進行移動並被配置於圖10所示的覆蓋位置。藉由頂板13被配置於覆蓋位置的方式，第1供給路徑21及第2供給路徑31，係藉由密封體23而密封，同時相互連接。
又，從第1氣體供給路徑34(參閱圖2)噴出惰性氣體。藉此，頂板13與下方加熱器14之間的空間(亦即配置有基板W的空間)成為低氧氣氛圍。來自第1氣體供給路徑34之惰性氣體的噴出，係持續至使用了鍍敷液L1的液處理(亦即鍍敷處理)結束為止。
在基板設置工程的期間，DIWL3被儲存於液滯留部31b，液引導路徑31a內之鍍敷液L1，係被液滯留部31b內的DIWL3密封。另外，在基板設置工程中，密封液供給部41，係亦可停止DIWL3對液滯留部31b之供給，或亦可將少量的DIWL3供給至液滯留部31b。
其次，處理單元10，係如圖11所示般，處於覆液形成狀態(覆液形成工程)。
在覆液形成工程中，係DIWL2從處理液供給部40新供給至液引導路徑31a。藉此，液引導路徑31a內之鍍敷液L1(參閱圖10)，係被新供給的DIWL2推出，並通過第2供給路徑31及第1供給路徑21從吐出口22吐出且被供給至基板W(特別是上面)。
如此一來，將鍍敷液L1從第2供給路徑31經由第1供給路徑21供給至吐出口22，並從該吐出口22朝向基板W吐出，藉此，在基板W上，係形成有鍍敷液L1之覆液而開始基板W的鍍敷處理。另外，於基板W上之鍍敷液L1的覆液之形成完成的時間點，第2供給路徑31及第1供給路徑21，係處於被DIWL2填滿的狀態。
又，在覆液形成工程中，係支撐方式切換部45處於突出狀態，基板W，係以窄域接觸支撐方式，藉由基板保持部12予以支撐(參閱圖5及圖6)。藉此，可抑制自基板W及該基板W上之鍍敷液L1向基板保持部12(特別是支撐接觸部12b)的熱移動，並防止基板W及覆液之溫度降低。另外，從有效果地防止基板W及覆液之溫度降低的觀點來看，係在來自吐出口22之鍍敷液L1被載放於基板W上之前，支撐方式切換部45處於突出狀態狀態為較佳。
又，在覆液形成工程中，係因應所需，基板W藉由基板保持部12以旋轉軸線A為中心而旋轉。
從基板W掉落之鍍敷液L1，係在下方加熱器14的液保持溝33被捕捉，並藉由表面張力，從液保持溝33朝上方突出，同時與基板W上的鍍敷液L1相連。藉此，在基板W之側端面及下面周緣區域亦附著有鍍敷液L1，並在基板W之側端面及下面周緣區域亦進行鍍敷處理。
其次，處理單元10，係如圖12所示般，處於自重排放狀態(自身重量排放工程)。
在自重排放工程中，頂板13，係從覆蓋位置移動至上升位置，並被配置於從下方加熱器14向上方離開的位置。藉此，第1供給路徑21及第2供給路徑31，係處於非連接狀態，第1供給路徑21之液流入開口，係朝向周圍環境開放。
其結果，第1供給路徑21內之DIWL2(參閱圖11)，係在重力的影響下，因自重而從第1供給路徑21被排出，並可藉由DIWL2洗淨第1供給路徑21。此時，由於第1供給路徑21之液流入開口，係被設置於比吐出口22低的位置，因此，第1供給路徑21內的DIWL2，係基本上不會從吐出口22被排出，而是藉由自重排放，從液流入開口被排出。
如此一來，從第1供給路徑21所排出之DIWL2，係朝向下方加熱器14的液滯留部31b掉落。因此，從第1供給路徑21掉落的DIWL2與從密封液供給部41所供給的DIWL3以混合之狀態被儲存於液滯留部31b。如此一來，使從密封液供給部41被供給至液滯留部31b之密封液成為與從處理液供給部40被供給至第2供給路徑31之處理液(特別是推出鍍敷液L1之處理液)相同，如此，可容易地進行處理液及密封液的處理。
在自重排放工程中，係基板W亦藉由基板保持部12而與頂板13相同地上升，並維持基板W及該基板W上之鍍敷液L1接近頂板13的狀態。
藉此，在自重排放工程的期間，基板W上之鍍敷液L1亦被頂板13覆蓋，並藉由上方加熱器16予以加熱而維持高溫狀態。從進行穩定之加熱及鍍敷處理的觀點來看，自重排放工程中的基板W與頂板13之間的高度方向之間隔，係成為和上述覆液形成工程中的基板W與頂板13之間的高度方向之間隔相同為較佳。
其次，處理單元10，係如圖13所示般，為了進行下個鍍敷處理而處於下個處理準備狀態(下個處理準備工程)。
在下個處理準備工程中，係在頂板13被配置於上升位置的狀態下，鍍敷液L1從處理液供給部40新供給至液引導路徑31a。藉此，液引導路徑31a內之DIWL2(參閱圖12)會被新供給的鍍敷液L1推出，並可藉由鍍敷液L1填滿液引導路徑31a。
如此一來，新供給至液引導路徑31a之鍍敷液L1，係藉由下方加熱器14予以加熱。
另一方面，從液引導路徑31a推出DIWL2，係流入液滯留部31b。此時，第1供給路徑21及第2供給路徑31，係處於非連接狀態，液滯留部31b，係朝向周圍環境開放。因此，DIW自液滯留部31b溢流，自液滯留部31b溢流之DIW，係從下方加熱器14掉落至外部。
另外，在下個處理準備工程中，亦可進行或亦可不進行DIWL3從密封液供給部41對液滯留部31b之供給。藉由進行DIWL3從密封液供給部41對液滯留部31b之供給的方式，在液滯留部31b，係持續地儲存有新鮮的DIW，並可藉由其新鮮的DIW來密封液引導路徑31a內之鍍敷液L1。
其次，處理單元10，係如圖14所示般，處於液處理促進狀態(液處理促進工程)。
在液處理促進工程中，頂板13及基板W下降，頂板13，係再次被配置於覆蓋位置，基板W，係再次被配置於處理位置。藉此，基板W及基板W上之鍍敷液L1，係藉由上方加熱器16及下方加熱器14予以加熱而促進鍍敷處理。
在液處理促進工程中充分地進行鍍敷處理，藉此，鍍敷處理結束。
其次，處理單元10，係如圖15所示般，處於洗淨處理狀態(洗淨處理工程)。
在洗淨處理工程中，頂板13被配置於退避位置，沖洗液吐出部27被配置於液供給位置。而且，從被配置於液供給位置之沖洗液吐出部27朝向基板W的上面吐出沖洗液L4。藉此，基板W上之鍍敷液L1(參閱圖14)被置換成沖洗液L4，藉由沖洗液L4沖洗基板W。
在洗淨處理工程中，係支撐方式切換部45處於非突出狀態，基板W，係藉由基板保持部12而以廣域接觸支撐狀態予以支撐。藉此，由基板保持部12產生的基板W之保持力會增大，可藉由基板保持部12來穩定地支撐基板W。因此，在洗淨處理工程中，亦可使基板W以高速旋轉。
另外，當在洗淨處理工程中不需使基板W之周圍成為低氧氣氛圍的情況下，係亦可停止來自第1氣體供給路徑34之惰性氣體的噴出。
其後，處理單元10，係進行後處理。
後處理，係包含一個以上的處理，在本實施形態中，係至少包含使基板W乾燥的基板乾燥處理。基板乾燥處理之具體的處理內容，係並未被限定。例如，亦可藉由使基板W高速旋轉的旋轉乾燥或使用了IPA(異丙醇)的IPA乾燥，進行基板乾燥處理。
亦可在基板乾燥處理之前後及與基板乾燥處理同時地進行基板乾燥處理以外的處理。例如，亦可藉由沖洗處理裝置(省略圖示)，對基板W之側端面及下面賦予沖洗液，重點式地進行基板W之側端面及下面的沖洗處理。
如以上所說明般，根據本實施形態之處理單元10及基板液處理方法，藉由下方加熱器14加熱基板W及鍍敷液L1兩者。如此一來，能以簡單的裝置構成來加熱基板W及鍍敷液L1。
[第2實施形態] 以下，說明關於第2實施形態之處理單元10的一例。在本實施形態中，對於與上述第1實施形態相同或對應的要素，係賦予相同符號，並省略其詳細說明。
圖16，係表示第2實施形態之處理單元10(基板液處理裝置)的一例之概略的圖。在圖16中，係透視處理腔室11並圖示位於處理腔室11之內側的裝置，且表示基板保持部12(特別是支撐接觸部12b)、頂板13、下方加熱器14及罩杯構造體15的剖面。
本實施形態之頂板13，係具有惰性氣體供給路徑37及預清洗液供給路徑38。
惰性氣體供給路徑37之一方的開口，係被設置於與吐出口22相鄰的位置，且露出於由頂板13所包圍的內側空間。惰性氣體供給路徑37之另一方的開口，係被連接於惰性氣體供給部61。
惰性氣體供給部61，係在控制部93之控制下，將惰性氣體(例如氮)供給至惰性氣體供給路徑37。從惰性氣體供給部61被供給至惰性氣體供給路徑37之惰性氣體，係自惰性氣體供給路徑37之一方的開口朝向由頂板13所包圍的內側空間噴出。
從惰性氣體供給部61被供給至惰性氣體供給路徑37之惰性氣體的具體組成，係並未被限定。在本實施形態中，與自第1氣體供給路徑34所噴出的惰性氣體相同組成之惰性氣體，係從惰性氣體供給部61被供給至惰性氣體供給路徑37。
如此一來，在惰性氣體供給路徑37，係流通有從惰性氣體供給部61所供給的惰性氣體，該惰性氣體，係從惰性氣體供給路徑37朝向頂板13與基板W之間的空間吐出。
預清洗液供給路徑38之一方的開口，係被設置於與惰性氣體供給路徑37之一方的開口相鄰之位置，且露出於由頂板13所包圍的內側空間。預清洗液供給路徑38之另一方的開口，係被連接於預清洗液供給部62。
預清洗液供給部62，係在控制部93之控制下，將預清洗液供給至預清洗液供給路徑38。預清洗液，係用以在基板W的鍍敷處理之前所進行的基板W之洗淨的液體，預清洗液之具體組成，係並未被限定。
從預清洗液供給部62被供給至預清洗液供給路徑38之預清洗液，係自預清洗液供給路徑38之一方的開口朝向由頂板13所包圍的內側空間噴出。
如此一來，在預清洗液供給路徑38，係流通有從預清洗液供給部62所供給的預清洗液，該預清洗液，係從預清洗液供給路徑38朝向基板W吐出。
本實施形態之處理單元10的其他構成，係與上述第1實施形態之處理單元10(參閱圖2~圖15)的構成相同。
其次，說明使用了上述處理單元10之基板液處理方法的一例。
藉由控制部93適當地控制處理單元10所具備的各種機器，藉此，實施以下說明之基板液處理方法。
圖17~圖22，係用以說明第2實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元10的放大圖。在圖17~圖22中，表示頂板13及下方加熱器14的剖面，且處理單元10被簡化表示。
處理單元10，係與上述第1實施形態相同地，在經過準備狀態(參閱圖9)及基板設置狀態(參閱圖10)後，處於圖17所示的預清洗液賦予狀態(預清洗液賦予工程)。
在預清洗液賦予工程中，頂板13移動而被配置於第1上升位置。第1上升位置，係比在後述的自重排放工程(參閱圖20)及下個處理準備工程(參閱圖21)中配置有頂板13之上升位置(亦即第2上升位置)高。
又，在預清洗液賦予工程中，基板W，係被配置於上升位置。配置於上升位置的基板W與配置於第1上升位置的頂板13之間的高度方向之距離，係並未被限定。
在為了促進使用了預清洗液L5之預清洗處理而不需加熱基板W及預清洗液L5的情況下，基板W，係亦可遠離頂板13。另一方面，在為了促進使用了預清洗液L5之預清洗處理而需要加熱基板W及預清洗液L5的情況下，基板W，係被配置於頂板13附近為較佳。在該情況下，藉由來自被設置於頂板13之上方加熱器16(參閱圖8)的熱，加熱基板W及基板W上的預清洗液L5，可促進預清洗處理。
在預清洗液賦予工程中，支撐方式切換部45，係處於非突出狀態，基板W，係藉由基板保持部12而以廣域接觸支撐狀態予以支撐。
另外，在預清洗液賦予工程中，亦可藉由基板保持部12使基板W高速旋轉或停止。
而且，在頂板13被配置於第1上升位置的狀態下，從惰性氣體供給路徑37吐出惰性氣體G，並從預清洗液供給路徑38吐出預清洗液L5。藉此，頂板13與下方加熱器14之間的空間，係被調整成低氧氣氛圍，在基板W上，係形成預清洗液L5的覆液。
特別是，在本實施形態中，係惰性氣體G不僅從位於基板W之下方的第1氣體供給路徑34噴出，亦從位於基板W之上方的惰性氣體供給路徑37噴出(參閱圖2)。藉此，不僅位於基板W之下方的空間，位於基板W之上方的空間亦可調整成氧氣量非常少的低氧氣氛圍。
其次，處理單元10，係如圖18所示般，處於主處理準備狀態(主處理準備工程)。
在主處理準備工程中，頂板13及基板W下降，頂板13，係被配置於覆蓋位置，基板W，係被配置於處理位置。藉此，第1供給路徑21及第2供給路徑31，係在藉由密封體23而密封的狀態下相互連接。
其次，處理單元10，係依序處於覆液形成狀態(參閱圖19)、自重排放狀態(參閱圖20)、下個處理準備狀態(參閱圖21)及液處理促進狀態(參閱圖22)。
本實施形態中所進行的該些覆液形成狀態、自重排放狀態、下個處理準備狀態及液處理促進狀態，係與上述第1實施形態(參閱圖11~圖14)相同地進行。
另外，在本實施形態之處理單元10中，係至少在預清洗液賦予工程~液處理促進工程中，持續地從第1氣體供給路徑34及惰性氣體供給路徑37噴出惰性氣體G，且基板W被置放於低氧氣氛圍下。
其後，在本實施形態中，係與上述第1實施形態相同地，進行洗淨處理工程(參閱圖15)及後處理工程(包含基板乾燥處理)。
如以上所說明般，根據本實施形態之處理單元10及基板液處理方法，藉由從惰性氣體供給路徑37所噴出的惰性氣體，可將頂板13與下方加熱器14之間的空間更有效地調整成低氧氣氛圍。
又，根據本實施形態之處理單元10，可對藉由基板保持部12所保持的基板W賦予預清洗液，進行基板W之前洗淨(亦即預清洗處理)。
[第3實施形態] 以下，說明關於第3實施形態之處理單元10的一例。在本實施形態中，對於與上述第1實施形態相同或對應的要素，係賦予相同符號，並省略其詳細說明。
圖23，係表示第3實施形態之處理單元10(基板液處理裝置)的一例之概略的圖。在圖23中，係透視處理腔室11並圖示位於處理腔室11之內側的裝置，且表示基板保持部12(特別是支撐接觸部12b)、頂板13、下方加熱器14及罩杯構造體15的剖面。圖24，係圖23所示之頂板13的上視圖。
圖23所示之處理液供給部40，係具有第1處理液供給部65、第2處理液供給部66及第3處理液供給部67。
第1處理液供給部65及第2處理液供給部66，係將上述基板W之液處理中所使用的處理液(亦即鍍敷液L1及DIWL2)經由處理液引導路徑70供給至第2供給路徑31。第3處理液供給部67，係將第2供給路徑31之洗淨處理中所使用的處理液(例如SPM(硫酸及過氧化氫水的混合液))經由處理液引導路徑70供給至第2供給路徑31。
處理液供給部40，係在控制部93之控制下，切換第1處理液供給部65、第2處理液供給部66及第3處理液供給部67，將所期望的處理液從對應之處理液供給部供給至第2供給路徑31。
本實施形態之頂板13，係具有處理液排出路徑71。處理液排出路徑71，係與在頂板13之外部延伸的處理液排出引導路徑72連接而不與第1供給路徑21連接。
處理液排出路徑71，係因應以旋轉軸線A為中心之頂板13的旋轉，被配置於與第2供給路徑31之液流出開口(亦即藉由液滯留部31b所形成的開口)連接的位置和不與該液流出開口連接的位置。
亦即，第1供給路徑21之液流入開口及處理液排出路徑71之開口，係位於與旋轉軸線A(亦即頂板13的中心軸線)相等距離，並被配置於以中心軸線A為中心的同一圓上。以旋轉軸線A中心之第1供給路徑21的液流入開口與處理液排出路徑71的開口之間的角度偏移量，係並未被限定，例如亦可為數度~10度左右。
頂板13，係藉由頂板驅動部53(參閱圖8)或藉由操作者，以旋轉軸線A為中心而旋轉。藉此，頂板13，係被配置於「第2供給路徑31(特別是液流出開口)與第1供給路徑21連接」的位置(參閱圖2)和「第2供給路徑31(特別是液流出開口)與處理液排出路徑71連接」的位置(參閱圖23)。
藉由處理液排出路徑71被連接於第2供給路徑31的方式，從第2供給路徑31所排出的處理液經由處理液排出路徑71被引導至處理液排出引導路徑72。如此一來，將從第2供給路徑31所排出的處理液引導至處理液排出路徑71，藉此，可確實地防止該處理液經由第1供給路徑21及吐出口22被賦予至基板W的情形。
因此，在使接觸於第1供給路徑21、吐出口22及/或基板W並不佳之處理液流通於第2供給路徑31的情況下，頂板13，係被配置於「第2供給路徑31與處理液排出路徑71接觸」的位置。
作為接觸於第1供給路徑21、吐出口22及/或基板W並不佳之處理液，可考慮例如含有SPM的處理液。
一般而言，混合IPA及SPM並不佳。因此，在為了進行第2供給路徑31之洗淨處理而使用SPM的情況下，頂板13，係被配置於「第2供給路徑31與處理液排出路徑71連接」的位置。在該狀態下，SPA從處理液供給部40(特別是第3處理液供給部67)經由處理液引導路徑70被供給至第2供給路徑31。藉此，藉由SPA洗淨第2供給路徑31，使用於洗淨之SPA，係從第2供給路徑31通過處理液排出路徑71被排出至處理液排出引導路徑72。
另一方面，當在基板乾燥處理中使用IPA的情況下，以IPA不通過處理液引導路徑70及第2供給路徑31之任意方法，對基板W賦予IPA。例如，IPA亦可從能移動的吐出單元(省略圖示)直接被賦予至基板W，或IPA亦可從能連接於第1供給路徑21的IPA供給路徑(省略圖示)經由第1供給路徑21及吐出口22被賦予至基板W。
[第1變形例] 圖25，係表示第1變形例之處理單元10(基板液處理裝置)的一例之概略的圖。在圖25中，透視處理腔室11並圖示位於處理腔室11之內側的裝置，且表示基板保持部12(特別是支撐接觸部12b)、頂板13、下方加熱器14及罩杯構造體15的剖面。
本變形例之頂板13，係具有流體流通路徑75。
流體流通路徑75之一方的端部，係被連接於第1供給路徑21。流體流通路徑75之另一方的端部，係與在頂板13之外部延伸的流體引導路徑76連接。流體(例如液體及/或氣體)從流體供給部77經由流體引導路徑76被供給至流體流通路徑75。從流體引導路徑76被供給至流體流通路徑75之流體，係可流入第1供給路徑21，自吐出口22吐出。
例如，在DIW從流體供給部77被供給至流體流通路徑75的情況下，亦可使從流體流通路徑75流入第1供給路徑21的DIW自吐出口22吐出。
在頂板13被配置於退避位置的狀態下，亦可進行虛擬分配，該虛擬分配，係將DIW等的沖洗液從流體供給部77供給至流體流通路徑75，並使從流體流通路徑75流入第1供給路徑21的該沖洗液自吐出口22吐出。在該情況下，藉由沖洗液，可沖洗第1供給路徑21及吐出口22。
[其他變形例] 頂板13，係亦可不具備上方加熱器16(參閱圖8)。
在上述實施形態中，係雖使用覆蓋基板W整體的頂板13來作為對基板W賦予處理液的噴嘴構件，但亦可使用僅覆蓋基板W之一部分的頂板13作為噴嘴構件。例如，頂板13具有貫通孔，從被設置於頂板13的上方之FFU(風扇過濾單元)所輸送而來的氣流亦可經由該貫通孔流入頂板13的下方。
在上述實施形態中，係雖藉由移動頂板13的方式，調整頂板13及下方加熱器14之相對位置，但亦可移動下方加熱器14以代替頂板13，或除了頂板13以外還移動下方加熱器14。下方加熱器14，係亦可在控制部93之控制下，藉由下方加熱器驅動部(省略圖示)移動。
具有第1供給路徑21及吐出口22之噴嘴構件，係亦可具有頂板13以外的任意構成，例如亦可由中空管(省略圖示)所構成。
在上述實施形態中，係沖洗液吐出部27雖與頂板13個別設置，但沖洗液吐出部13亦可具備有沖洗液吐出部27。在該情況下，沖洗液吐出部27，係因應頂板13的移動而移動。因此，在將沖洗液從沖洗液吐出部27吐出至基板W之上面時，頂板13，係被配置於藉由基板保持部12所保持的基板W之上方。
應當注意，本說明書中所揭示之實施形態，係在所有方面僅為例示而不應被解釋為限制性。上述實施形態及變形例，係可在不脫離添附之申請專利範圍及其意旨下，以各種形態進行省略、置換及變更。例如亦可組合上述實施形態及變形例，又，上述以外的實施形態亦可與上述實施形態或變形例組合。
又，將上述技術思想具體化之技術性範疇，係並未被限定。例如上述基板液處理裝置亦可被應用於其他裝置。又，亦可藉由用以使電腦執行上述基板液處理方法所含有之一個或複數個程序(步驟)的電腦程式，具體化上述技術思想。又，亦可藉由記錄了像那樣的電腦程式之電腦可讀取的非暫時性(non-transitory)記錄媒體，具體化上述技術思想。
10:處理單元 12:基板保持部 13:頂板 14:下方加熱器 21:第1供給路徑 22:吐出口 31:第2供給路徑 W:基板
[圖1]圖1，係表示處理系統的一例之概略的圖。 [圖2]圖2，係表示第1實施形態之處理單元(基板液處理裝置)的一例之概略的圖。 [圖3]圖3，係表示支撐接觸部的一例之概略的剖面圖，且表示廣域接觸支撐狀態的支撐接觸部。 [圖4]圖4，係表示支撐方式切換部的一例之概略的剖面圖，且表示廣域接觸支撐狀態的支撐方式切換部。 [圖5]圖5，係表示支撐接觸部的一例之概略的剖面圖，且表示窄域接觸支撐狀態的支撐接觸部。 [圖6]圖6，係表示支撐方式切換部的一例之概略的剖面圖，且表示窄域接觸支撐狀態的支撐方式切換部。 [圖7]圖7，係表示頂板之一例的上視圖。 [圖8]圖8，係表示處理單元的控制構成之一例的功能方塊圖。 [圖9]圖9，係用以說明第1實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖10]圖10，係用以說明第1實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖11]圖11，係用以說明第1實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖12]圖12，係用以說明第1實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖13]圖13，係用以說明第1實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖14]圖14，係用以說明第1實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖15]圖15，係用以說明第1實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖16]圖16，係表示第2實施形態之處理單元(基板液處理裝置)的一例之概略的圖。 [圖17]圖17，係用以說明第2實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖18]圖18，係用以說明第2實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖19]圖19，係用以說明第2實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖20]圖20，係用以說明第2實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖21]圖21，係用以說明第2實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖22]圖22，係用以說明第2實施形態之基板液處理方法的一例之處理單元的放大圖。 [圖23]圖23，係表示第3實施形態之處理單元(基板液處理裝置)的一例之概略的圖。 [圖24]圖24，係圖23所示之頂板的上視圖。 [圖25]圖25，係表示第1變形例之處理單元(基板液處理裝置)的一例之概略的圖。
10:處理單元
11:處理腔室
12:基板保持部
12a:支撐驅動部
12b:支撐接觸部
13:頂板
14:下方加熱器
15:罩杯構造體
21:第1供給路徑
22:吐出口
23:密封體
24:除電體
31:第2供給路徑
31a:液引導路徑
31b:液滯留部
32:密封液供給路徑
33:液保持溝
34:第1氣體供給路徑
35:氣體排出路徑
40:處理液供給部
41:密封液供給部
45:支撐方式切換部
46:驅動流體路徑
W:基板

Claims (11)

  1. 一種基板液處理裝置，其特徵係，具備有： 基板保持部，保持基板； 噴嘴構件，具有第1供給路徑與吐出口，該吐出口，係被連接於前述第1供給路徑且被定位於前述基板之上方；及 下方加熱器，被定位於前述基板之下方，具有流通有處理液的第2供給路徑，加熱前述基板之周緣區域及前述第2供給路徑內的前述處理液， 前述第1供給路徑被連接於前述第2供給路徑，從前述第2供給路徑經由前述第1供給路徑被供給至前述吐出口的前述處理液，係自前述吐出口朝向前述基板吐出。
  2. 如請求項1之基板液處理裝置，其中， 前述噴嘴構件及前述下方加熱器中之至少任一者，係被設成為可移動， 前述噴嘴構件及前述下方加熱器，係被配置於「前述第1供給路徑及前述第2供給路徑相互連接」的連接位置與「前述第1供給路徑及前述第2供給路徑相互遠離」的非前述連接位置。
  3. 如請求項1或2之基板液處理裝置，其中，具備有： 處理液供給部，將複數個種類的處理液供給至前述第2供給路徑。
  4. 如請求項1~3中任一項之基板液處理裝置，其中， 前述第2供給路徑，係具有：液引導路徑；及液滯留部，被連接於前述液引導路徑之一方的開口， 前述液引導路徑之前述一方的開口，係藉由前述液滯留部所儲存的液體，與周圍隔絕。
  5. 如請求項4之基板液處理裝置，其中，具備有： 密封液供給部，將密封液供給至前述液滯留部， 前述液引導路徑內之前述處理液，係藉由前述液滯留部所儲存的前述密封液，與周圍隔絕。
  6. 如請求項1~5中任一項之基板液處理裝置，其中， 前述下方加熱器，係具有液保持溝， 在前述基板之下面的前述周緣區域，係附著有從前述液保持溝突出的前述處理液。
  7. 如請求項1~6中任一項之基板液處理裝置，其中， 前述基板保持部，係具有： 支撐接觸部，具有支撐載置面；及 支撐方式切換部，可處於從前述支撐載置面突出的突出狀態與不從前述支撐載置面突出的非突出狀態， 在前述支撐方式切換部處於前述非突出狀態的情況下，前述基板，係被載放於前述支撐載置面， 在前述支撐方式切換部處於前述突出狀態的情況下，前述基板，係遠離前述支撐載置面，被載放於前述支撐方式切換部。
  8. 如請求項1~7中任一項之基板液處理裝置，其中， 前述噴嘴構件，係具有：預清洗液供給路徑，流通有從預清洗液供給部所供給的預清洗液， 前述預清洗液，係從前述預清洗液供給路徑朝向前述基板吐出。
  9. 如請求項1~8中任一項之基板液處理裝置，其中， 前述噴嘴構件，係具有：惰性氣體供給路徑，流通有從惰性氣體供給部所供給的惰性氣體， 前述惰性氣體，係從前述惰性氣體供給路徑朝向前述噴嘴構件與前述基板之間的空間吐出。
  10. 如請求項1~9中任一項之基板液處理裝置，其中， 前述噴嘴構件，係具有：處理液排出路徑，不與前述第1供給路徑連接，且與在前述噴嘴構件之外部延伸的處理液排出引導路徑連接， 前述處理液排出路徑被連接於前述第2供給路徑，從第2供給路徑所排出的前述處理液經由前述處理液排出路徑被引導至前述處理液排出引導路徑。
  11. 一種基板液處理方法，係使用了基板液處理裝置，該基板液處理裝置，係具備有：基板保持部，保持基板；噴嘴構件，具有第1供給路徑與吐出口，該吐出口，係被連接於前述第1供給路徑且被定位於前述基板之上方；及下方加熱器，被定位於前述基板之下方，具有流通有處理液的第2供給路徑，加熱前述基板之周緣區域及流通於前述第2供給路徑的前述處理液，該基板液處理方法，其特徵係，包含有： 「將前述第1供給路徑連接於前述第2供給路徑」的工程；及 「將前述處理液從前述第2供給路徑經由前述第1供給路徑供給至前述吐出口，且從該吐出口朝向前述基板吐出」的工程。
TW111102597A 2021-02-01 2022-01-21 基板液處理裝置及基板液處理方法 TW202246577A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021014473 2021-02-01
JP2021-014473 2021-02-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202246577A true TW202246577A (zh) 2022-12-01

Family

ID=82653375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111102597A TW202246577A (zh) 2021-02-01 2022-01-21 基板液處理裝置及基板液處理方法

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202246577A (zh)
WO (1) WO2022163450A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6190278B2 (ja) * 2014-01-08 2017-08-30 東京エレクトロン株式会社 熱交換システム及び同熱交換システムを有する基板処理装置
JP6707386B2 (ja) * 2016-04-07 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法及び記憶媒体
US20220154342A1 (en) * 2019-03-28 2022-05-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022163450A1 (ja) 2022-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4574644B2 (ja) めっき処理ユニット
JP3587723B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5466261B2 (ja) 無電解めっき装置、無電解めっき方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR101801987B1 (ko) 기판 처리 방법 및 유체 노즐의 이동 속도 제어 방법
WO2001084621A1 (en) Rotation holding device and semiconductor substrate processing device
JP2008534774A (ja) 半導体基板上への金属の無電解堆積のための装置
JP2003203892A (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US9552994B2 (en) Plating apparatus, plating method, and storage medium
JP2004207573A (ja) 塗布処理装置
JP2003297788A (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2002220692A (ja) めっき装置及び方法
JP2013033925A (ja) 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
JP2007519831A (ja) 半導体基板上へ金属を無電解堆積するための装置
JP3958572B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5105833B2 (ja) 無電解めっき装置、無電解めっき方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US6634370B2 (en) Liquid treatment system and liquid treatment method
TW202246577A (zh) 基板液處理裝置及基板液處理方法
JP3892687B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4353626B2 (ja) 塗布方法および塗布装置
TW201911395A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP7485561B2 (ja) 基板処理方法
US20140302242A1 (en) Plating apparatus, plating method and storage medium having plating program stored thereon
JP2003332284A (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2013206984A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2000114152A (ja) 基板処理装置