TW202211726A - 光源模組以及光源模組之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種光源模組，包括透明導電基材以及發光元件，發光元件設置於透明導電基材的透明導電膜上並電性連接於透明導電膜，且發光元件為覆晶式發光二極體晶片及/或發光元件不包括導線支架。此外，本發明還提供一種光源模組的製造方法。

Description

光源模組以及光源模組之製造方法
本發明係涉及光學的領域，尤其係關於一種光源模組以及一種光源模組之製造方法。
隨著電子工業的演進以及工業技術的蓬勃發展，各種電子裝置大都朝著輕便、易於攜帶的方向進行開發與設計，以利使用者隨時隨地應用於行動商務或娛樂休閒等用途。而又由於近年來機、光、電的整合與應用受到重視的程度日益增加，因此各式各樣的光源模組正廣泛地延伸至各種電子產品上，例如將光源模組應用於電競用途之電腦的機殼上，使電腦的機殼具有酷炫的發光效果。
請參閱圖1與圖2，圖1為習知光源模組於未發光時的外觀結構示意圖，圖2為圖1所示光源模組的結構剖面示意圖。光源模組1包括透明導電基材11、複數發光二極體單元12、防護玻璃13以及填充於透明導電基材11與防護玻璃13之間的膠體14，且每一發光二極體單元12電性連接於透明導電基材11上的導電層111，故可經由透明導電基材11獲得電力而輸出光束，防護玻璃13以及膠體14則提供保護導電層111與發光二極體單元12的作用，避免發生受潮與刮傷的情況。
其中，光源模組1中的每一發光二極體單元12皆為發光二極體晶粒121被封裝後所形成者，詳言之，發光二極體單元12包括發光二極體晶粒121以及導線支架(lead frame)122，發光二極體晶粒121設置於導線支架122上並透過打線(wire bonding)123的方式而電性接合，導線支架122則是設置於透明導電基材11上並透過其電連接部124而電性連接於透明導電基材11的導電層111。
習知光源模組1的缺點為：(1)因應發光二極體晶粒121的封裝，導線支架122所占據的體積以及預留打線123所需的高度皆導致發光二極體單元12的整體厚度無法縮減，一般來說，透明導電基材11以上的厚度H1大都超過3毫米，不利於光源模組1的薄型化，亦不利於應用光源模組1的電子裝置朝輕、薄、短小的方向發展；(2)導線支架12並非是透光結構，影響光源模組1的穿透性且光源模組1無法提供雙面的發光效果；(3)當光源模組1未發光時，設置於其中的發光二極體單元12仍清晰可見，無法提供乾淨簡單的視覺效果；(4)為了避免發光二極體單元12中的線材123因光源模組1的彎折而斷裂或脫離，透明導電基材11僅能採用硬性基材，然此將影響光源模組1的可撓性。
根據以上的說明可知，習知的光源模組具有改善的空間。
本發明之一第一目的在提供一種光源模組，特別是一種低阻抗的透明導電基材與覆晶式發光二極體晶片(Flip-Chip LED)相結合的光源模組。
本發明之一第二目的在提供一種光源模組，特別是一種低阻抗的透明導電基材與不包括導線支架(lead frame)之發光元件相結合的光源模組。
本發明之一第三目的在提供一種上述光源模組的製造方法。
於一較佳實施例中，本發明提供一種光源模組，包括：
一透明導電基材，包括一透明基板以及一透明導電膜，且該透明導電膜設置於該透明基板上；以及
至少一覆晶式發光二極體晶片(Flip-Chip LED)，設置於該透明導電膜上且電性連接於該透明導電膜，用以經由該透明導電膜接收一電力並輸出一光束。
於一較佳實施例中，本發明亦提供一種光源模組，包括：
一透明導電基材，包括一透明基板以及一透明導電膜，且該透明導電膜設置於該透明基板上；以及
至少一發光元件，每一該發光元件包括一電性連接部且不包括導線支架(lead frame)；其中，每一該發光元件設置於該透明導電膜上而使該電性連接部電性連接於該透明導電膜，且每一該發光元件用以經由該透明導電膜接收一電力而輸出一光束。
於一較佳實施例中，該至少一覆晶式發光二極體晶片中之任一者係為一次毫米發光二極體(Mini LED)晶片。
於一較佳實施例中，該透明基板係為一玻璃基板、一聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板或一聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 基板。
於一較佳實施例中，該透明導電膜為由一銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)所形成的導電膜、一液晶聚合物混合材料(PEDOT)所形成的導電膜或一銦錫氧化物、一金屬以及一銦錫氧化物所堆疊形成之一複合導電膜。
於一較佳實施例中，該透明導電基材係為一硬性基材或一軟性基材。
於一較佳實施例中，該透明導電基材之上的厚度不超過0.25毫米。
於一較佳實施例中，光源模組更包括一基材保護層，且該基材保護層設置於該透明導電基材上。
於一較佳實施例中，光源模組更包括一發光元件保護層，且該發光元件保護層設置於該至少一覆晶式發光二極體晶片上。
於一較佳實施例中，本發明亦提供一種光源模組之製造方法，包括以下步驟：
(a)於一透明基板上形成一透明導電膜；以及
(b)設置該至少一覆晶式發光二極體晶片(Flip-Chip LED)於該透明導電膜上而使該至少一覆晶式發光二極體晶片電性連接於該透明導電膜。
1:光源模組
2:光源模組
11:透明導電基材
12:發光二極體單元
13:防護玻璃
14:膠體
21:透明導電基材
22:發光元件
23:基材保護層
24:發光元件保護層
111:導電層
121:發光二極體晶粒
122:導線支架
123:線材
124:電連接部
211:透明基板
212:透明導電膜
221:電性連接部
2121:電路圖案
2122:透明導電層
H1:厚度
H2:厚度
S1:步驟
S2:步驟
S3:步驟
S4:步驟
S5:步驟
S6:步驟
圖1：係為習知光源模組於未發光時的外觀結構示意圖。
圖2：係為圖1所示光源模組的結構剖面示意圖。
圖3：係為本發明光源模組於一較佳實施例之未發光時的外觀結構示意圖。
圖4：係為圖3所示光源模組的結構剖面示意圖。
圖5：係為本發明光源模組之製造方法的一較佳方塊流程示意圖。
圖6A：係為圖5所示步驟S1的概念示意圖。
圖6B：係為圖5所示步驟S2的概念示意圖。
圖6C：係為圖5所示步驟S3的概念示意圖。
圖6D：係為圖5所示步驟S4的概念示意圖。
圖6E：係為圖5所示步驟S5的概念示意圖。
圖6F：係為圖5所示步驟S6的概念示意圖。
本發明之實施例將藉由下文配合相關圖式進一步加以解說。盡可能的，於圖式與說明書中，相同標號係代表相同或相似構件。於圖式中，基於簡化與方便標示，形狀與大小可能經過誇大表示。可以理解的是，未特別顯示於圖式中或描述於說明書中之元件，為所屬技術領域中具有通常技術者所知之形態。本領域之通常技術者可依據本發明之內容而進行多種之改變與修改。
請參閱圖3與圖4，圖3為本發明光源模組於一較佳實施例之未發光時的外觀結構示意圖，圖4為圖3所示光源模組的結構剖面示意圖。光源模組2包括透明導電基材21以及複數發光元件22，且透明導電基材21包括透明基板211以及設置於透明基板211上的透明導電膜212，而透明導電膜212具有電路圖案 2121，以供該些發光元件22設置於其上並電性連接於電路圖案2121。於本案發明中，透明導電基材21可選用硬性基材，亦可為選用軟性基材。
再者，於本案發明中，每一發光元件22為包括電性連接部221但不包括導線支架(lead frame)的發光元件，例如發光元件22可為覆晶式發光二極體晶片(Flip-Chip LED)，更佳者，覆晶式發光二極體晶片為次毫米發光二極體(Mini LED)晶片，但不以上述為限。其中，發光元件22係經由其電性連接部221而直接電性連接於透明導電膜212上的電路圖案2121，因此可經由透明導電膜212接收電力而輸出光束。
較佳者，光源模組2還包括基材保護層23以及發光元件保護層24，且基材保護層23設置於透明導電基材21上，而發光元件保護層24設置於該些發光元件22上，因此發光元件22以及透明導電膜212上的電路圖案2121可受到保護，藉此避免刮傷或氧化。其中，基材保護層23以及發光元件保護層24皆為透明的保護層。
請參閱圖5與圖6A~圖6F，圖5為本發明光源模組之製造方法的一較佳方塊流程示意圖，圖6A~圖6F為圖5所示製造方法的流程概念示意圖。以下說明光源模組的製造方法。首先，執行步驟S1，提供一透明基板211，其如圖6A所示，且透明基板211可採用玻璃基板、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基板，但不以上述為限。
接著，執行步驟S2，於透明基板211上形成透明導電層2122，其如圖6B所示，且透明導電層2122可採用由銦錫氧 化物(Indium Tin Oxide,ITO)所形成的導電層或是由液晶聚合物混合材料(PEDOT)所形成的導電層，亦可以採用由銦錫氧化物、金屬以及銦錫氧化物所堆疊形成的複合導電層。此外，由於本案可在透明基板211上直接生長透明導電層2122且透明導電層2122可由不同材料所堆疊形成，故可降低透明導電基材21的阻抗並維持良好的光穿透度。
又，執行步驟S3，於透明導電層2122上形成電路圖案2121，其如圖6C所示，至此已完成透明導電膜212的製造。其中，電路圖案2121可經由半導體的光罩、曝光及/或蝕刻等製程而形成，而上述製程為熟知本技藝人士所知悉，故在此不再予以贅述。接著，執行步驟S4，於透明導電膜212上形成基材保護層23，其如圖6D所示，且基材保護層23可採用環氧樹脂(Epoxy)、聚甲基丙烯酸甲酯(Arcylic)、矽膠(Silicone)或雜化材料(Hybrid material)等材料，並經由塗佈、印刷或點膠的方式附著於透明導電膜212上，其優勢在於除了可保護透明透明導電膜212的電路圖案2121，還可增加基材保護層23與透明導電膜212的接著。
又，執行步驟S5，設置發光元件22於透明導電膜212上而使發光元件22電性連接於透明導電膜212，其如圖6E所示，而如前述所提，發光元件22可為覆晶式發光二極體晶片(Flip-Chip LED)，更佳者，覆晶式發光二極體晶片為次毫米發光二極體(Mini LED)晶片。最後，執行步驟S6，於發光元件22上形成發光元件保護層24，其如圖6F所示，且發光元件保護層24可採用環氧樹脂(Epoxy)、聚甲基丙烯酸甲酯(Arcylic)、矽膠(Silicone)或雜化材料(Hybrid material)等材料，並經由塗佈、印刷或點膠的 方式附著於發光元件22上。
基於以上的說明，本案光源模組2的優勢如下：(1)發光元件22不包括導線支架(lead frame)而有利於於光源模組2的薄型化，亦有利於應用光源模組2的電子裝置朝輕、薄、短小的方向發展，較佳者，但不以此為限，於本案光源模組2中，透明導電基材21以上的厚度H2不超過0.25毫米；(2)光源模組2可提供雙面的發光效果；(3)不需經過切割與打線(wire bonding)的製程，除了有利於光源模組2的製造，還可因此採用軟性的透明導電基材21來提升光源模組2的可撓性與可變化性；(4)適合應用於大型模組，例如尺寸為500毫米x200毫米以上的機構件上；(5)光源穩定且均勻；(6)光源模組2於未發光時可提供乾淨簡單的視覺效果(發光元件22不易被肉眼看見)。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，並非用以限定本發明之申請專利範圍，因此凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含於本案之申請專利範圍內。
2:光源模組
21:透明導電基材
22:發光元件
23:基材保護層
24:發光元件保護層
211:透明基板
212:透明導電膜
221:電性連接部
2121:電路圖案
2122:透明導電層
H2:厚度

Claims (20)

  1. 一種光源模組，包括：
    一透明導電基材，包括一透明基板以及一透明導電膜，且該透明導電膜設置於該透明基板上；以及
    至少一覆晶式發光二極體晶片(Flip-Chip LED)，設置於該透明導電膜上且電性連接於該透明導電膜，用以經由該透明導電膜接收一電力並輸出一光束。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該至少一覆晶式發光二極體晶片中之任一者係為一次毫米發光二極體(Mini LED)晶片。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該透明基板係為一玻璃基板、一聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板或一聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基板。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該透明導電膜為由一銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)所形成的導電膜、一液晶聚合物混合材料(PEDOT)所形成的導電膜或一銦錫氧化物、一金屬以及一銦錫氧化物所堆疊形成之一複合導電膜。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該透明導電基材係為一硬性基材或一軟性基材。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中於該透明導電基材之上的厚度不超過0.25毫米。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，更包括一基材保護層，且該基材保護層設置於該透明導電基材上；及/或
    該光源模組更包括一發光元件保護層，且該發光元件保護層 設置於該至少一覆晶式發光二極體晶片上。
  8. 一種光源模組，包括：
    一透明導電基材，包括一透明基板以及一透明導電膜，且該透明導電膜設置於該透明基板上；以及
    至少一發光元件，每一該發光元件包括一電性連接部且不包括導線支架(lead frame)；其中，每一該發光元件設置於該透明導電膜上而使該電性連接部電性連接於該透明導電膜，且每一該發光元件用以經由該透明導電膜接收一電力而輸出一光束。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之光源模組，其中該至少一發光元件中之任一者係為一覆晶式發光二極體晶片(Flip-Chip LED)。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之光源模組，其中該至少一發光元件中之任一者係為一次毫米發光二極體(Mini LED)晶片。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之光源模組，其中該透明基板係為一玻璃基板、一聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板或一聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基板。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之光源模組，其中該透明導電膜為由一銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)所形成的導電膜、一液晶聚合物混合材料(PEDOT)所形成的導電膜或一銦錫氧化物、一金屬以及一銦錫氧化物所堆疊形成之一複合導電膜。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之光源模組，其中該透明導電基材係為一硬性基材或一軟性基材。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之光源模組，其中於該透明導電基材之上的厚度不超過0.25毫米。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之光源模組，更包括一基材保護 層，且該基材保護層設置於該透明導電基材上；及/或
    該光源模組更包括一發光元件保護層，且該發光元件保護層設置於該至少一覆晶式發光二極體晶片上。
  16. 一種光源模組之製造方法，包括以下步驟：
    (a)於一透明基板上形成一透明導電膜；以及
    (b)設置該至少一覆晶式發光二極體晶片(Flip-Chip LED)於該透明導電膜上而使該至少一覆晶式發光二極體晶片電性連接於該透明導電膜。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之光源模組之製造方法，其中該步驟(a)包括：
    (a1)於該透明基板上形成一透明導電層；以及
    (a2)於該透明導電層上形成一電路圖案，以供該至少一覆晶式發光二極體晶片電性連接於其上。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之光源模組之製造方法，其中該透明導電層為由一銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)所形成的導電層、一液晶聚合物混合材料(PEDOT)所形成的導電層或一銦錫氧化物、一金屬以及一銦錫氧化物所堆疊形成之一複合導電層。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之光源模組之製造方法，其中該至少一覆晶式發光二極體晶片中之任一者係為一次毫米發光二極體(Mini LED)晶片。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之光源模組之製造方法，其中該透明基板係為一玻璃基板、一聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板或一聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基板。
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