TW202209432A - 基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置 - Google Patents

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田中公一朗
福田昌弘
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Abstract

本發明之目的在於令基板面內的顯影處理均一化。為了達成上述目的,本發明之基板處理方法,包含以下步驟:實行第1顯影處理,其將具有一端面以及於端面開口的噴吐口之噴嘴,以端面與基板的表面互相對向的方式配置,且一邊令基板旋轉,一邊以第1流量從噴吐口噴吐顯影液,並在該狀態下,一邊令端面與基板的表面上的顯影液接觸,一邊令噴嘴移動;以及實行第2顯影處理,其在第1顯影處理之後,一邊令基板旋轉,一邊在與基板的表面的中心互相對向的位置令端面與基板的表面上的顯影液接觸,並在該狀態下,以比第1流量更大的第2流量,從噴吐口噴吐顯影液。

Description

基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理方法、記錄媒體以及基板處理裝置。
於專利文獻1揭示了一種基板處理方法,包含:液層形成步驟,其於基板的中心部位,形成被純水稀釋的稀釋顯影液的液層;液膜形成步驟,其在之後,令基板以第1旋轉速度旋轉,以令稀釋顯影液的液層擴散到基板全面,進而形成稀釋顯影液的液膜;以及顯影液供給步驟,其在之後,令基板以比第1旋轉速度更慢的第2旋轉速度旋轉,並在該狀態下,從具有接液面的噴嘴供給顯影液,以在基板與接液面之間形成顯影液的液層,同時令噴嘴在通過基板中心的半徑方向上移動,而將顯影液供給到基板上。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2016-111345號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明提供一種基板處理方法、記錄媒體以及基板處理裝置,其有效地令基板面內的顯影處理均一化。 [解決問題的手段]
本發明一實施態樣之基板處理方法,包含以下步驟:實行第1顯影處理,其將具有一端面以及於端面開口的噴吐口之噴嘴,以端面與基板的表面互相對向的方式配置,且一邊令基板旋轉,一邊以第1流量從噴吐口噴吐顯影液,並在該狀態下,一邊令端面與基板的表面上的顯影液接觸,一邊令噴嘴移動;以及實行第2顯影處理,其在第1顯影處理之後,一邊令基板旋轉,一邊在與基板的表面的中心互相對向的位置令端面與基板的表面上的顯影液接觸,並在該狀態下,以比第1流量更大的第2流量,從噴吐口噴吐顯影液。 [發明的功效]
若根據本發明,便可提供一種基板處理方法、記錄媒體以及基板處理裝置,其有效地令基板面內的顯影處理均一化。
以下,參照圖式並針對一實施態樣進行說明。在說明中,相同的要件或具有相同功能的要件會附上相同的符號,並省略重複說明。
[基板處理系統] 圖1所示的基板處理系統1,係對工作件W實施感光性被膜的形成、該感光性被膜的曝光,以及該感光性被膜的顯影的系統。作為處理對象的工作件W,例如為基板,或是藉由實施既定處理而形成了膜層或電路等狀態的基板。工作件W所包含的基板,例如為含矽的晶圓。工作件W(基板),亦可形成圓形。作為處理對象的工作件W,可為玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display,平面顯示器)等,亦可為對該等基板實施既定處理所得到的中間體。感光性被膜,例如為光阻膜。
基板處理系統1,具備:塗布顯影裝置2,以及曝光裝置3。曝光裝置3,係對形成於工作件W(基板)的光阻膜(感光性被膜)進行曝光的裝置。具體而言,曝光裝置3,利用浸液曝光等方法,對光阻膜的曝光對象部分照射能量線。塗布顯影裝置2,在曝光裝置3的曝光處理之前,實行對工作件W的表面塗布光阻(藥劑)以形成光阻膜的處理,並在曝光處理之後,實行光阻膜的顯影處理。
以下,作為基板處理裝置的一例,對塗布顯影裝置2的構造進行說明。如圖1以及圖2所示的,塗布顯影裝置2,具備:載體區塊4、處理區塊5、介面區塊6,以及控制裝置100(控制部)。
載體區塊4,實行將工作件W導入塗布顯影裝置2內以及從塗布顯影裝置2內導出工作件W的動作。例如,載體區塊4,可支持工作件W用的複數個載體C,並內建了包含傳遞臂在內的搬運裝置A1。載體C,例如收納複數枚圓形的工作件W。搬運裝置A1,從載體C取出工作件W並傳遞到處理區塊5,或從處理區塊5接收工作件W並送回到載體C內。處理區塊5,具有複數個處理模組11、12、13、14。
處理模組11,內建了塗布單元U1、熱處理單元U2,以及將工作件W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組11,利用塗布單元U1以及熱處理單元U2,在工作件W的表面上形成下層膜。塗布單元U1,將下層膜形成用的處理液塗布在工作件W上。熱處理單元U2,實行伴隨下層膜的形成的各種熱處理。
處理模組12,內建了:塗布單元U1、熱處理單元U2,以及將工作件W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組12,利用塗布單元U1以及熱處理單元U2,在下層膜上形成光阻膜。塗布單元U1,將光阻膜形成用的處理液塗布在下層膜上。光阻膜形成用的處理液,可為中等粘度以上的光阻液。光阻膜形成用的處理液的粘度,可為50cP~1000cP,亦可為100cP~800cP,亦可為200cP~600cP。熱處理單元U2,實行伴隨光阻膜的形成的各種熱處理。光阻膜的厚度,可為5μm~30μm,亦可為6μm~25μm,亦可為7μm~20μm。
處理模組13,內建了:塗布單元U1、熱處理單元U2,以及將工作件W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組13,利用塗布單元U1以及熱處理單元U2在光阻膜上形成上層膜。塗布單元U1,將上層膜形成用的處理液塗布在光阻膜之上。熱處理單元U2,實行伴隨上層膜的形成的各種熱處理。
處理模組14,內建了:顯影單元U3、熱處理單元U4,以及將工作件W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組14,利用顯影單元U3以及熱處理單元U4,實行經過曝光處理的光阻膜的顯影,以及伴隨顯影的熱處理。顯影單元U3,在已曝光的工作件W的表面上塗布顯影液之後,利用沖洗液將其沖掉,以形成光阻圖案(實施光阻膜的顯影)。熱處理單元U4,實行伴隨顯影的各種熱處理。作為熱處理的具體例,可列舉出:顯影前的加熱處理(PEB,Post Exposure Bake,曝後烤)、顯影後的加熱處理(PB,Post Bake,後烘烤)等。
在處理區塊5內的載體區塊4側設置了棚台單元U10。棚台單元U10,區劃出沿著上下方向並排的複數個單元。在棚台單元U10的附近設置了包含升降臂在內的搬運裝置A7。搬運裝置A7,令工作件W在棚台單元U10的各單元之間升降。
在處理區塊5內的介面區塊6側設置了棚台單元U11。棚台單元U11,區劃出沿著上下方向並排的複數個單元。
介面區塊6,在其與曝光裝置3之間實行工作件W的傳遞。例如介面區塊6,內建了包含傳遞臂在內的搬運裝置A8,並與曝光裝置3連接。搬運裝置A8,將配置於棚台單元U11的工作件W傳給曝光裝置3。搬運裝置A8,從曝光裝置3接收工作件W並送回到棚台單元U11。
控制裝置100,例如,控制塗布顯影裝置2,進而依照以下的工序實行塗布顯影處理。首先,控制裝置100,控制搬運裝置A1,將載體C內的工作件W搬運到棚台單元U10,並控制搬運裝置A7,將該工作件W配置於處理模組11用的單元。
接著,控制裝置100,控制搬運裝置A3,將棚台單元U10的工作件W搬運到處理模組11內的塗布單元U1以及熱處理單元U2。另外,控制裝置100,控制塗布單元U1以及熱處理單元U2,在該工作件W的表面上形成下層膜。之後,控制裝置100,控制搬運裝置A3,將形成了下層膜的工作件W送回棚台單元U10,並控制搬運裝置A7,將該工作件W配置於處理模組12用的單元。
接著,控制裝置100,控制搬運裝置A3,將棚台單元U10的工作件W搬運到處理模組12內的塗布單元U1以及熱處理單元U2。另外,控制裝置100,控制塗布單元U1以及熱處理單元U2,於該工作件W的表面形成光阻膜。之後,控制裝置100,控制搬運裝置A3,將工作件W送回棚台單元U10,並控制搬運裝置A7,將該工作件W配置於處理模組13用的單元。
接著,控制裝置100,控制搬運裝置A3,將棚台單元U10的工作件W搬運到處理模組13內的各單元。另外,控制裝置100,控制塗布單元U1以及熱處理單元U2,在該工作件W的光阻膜上形成上層膜。之後,控制裝置100,控制搬運裝置A3,將工作件W搬運到棚台單元U11。
接著,控制裝置100,控制搬運裝置A8,將棚台單元U11的工作件W送出到曝光裝置3。之後,控制裝置100,控制搬運裝置A8,從曝光裝置3接收實施過曝光處理的工作件W,並將其配置於棚台單元U11中的處理模組14用的單元。
接著,控制裝置100,控制搬運裝置A3,將棚台單元U11的工作件W搬運到處理模組14內的各單元,並控制顯影單元U3以及熱處理單元U4,實行該工作件W的光阻膜的顯影。之後,控制裝置100,控制搬運裝置A3,將工作件W送回棚台單元U10,並控制搬運裝置A7以及搬運裝置A1,將該工作件W送回載體C內。以上述方式,塗布顯影處理便完成。
另外,基板處理裝置的具體構造,不限於以上所例示的塗布顯影裝置2的構造。基板處理裝置,只要具備顯影單元U3以及可控制該單元的控制裝置100,則無論為何等構造均可。
(顯影單元) 接著,參照圖3以及圖4,詳細說明顯影單元U3的一例。如圖3所示的,顯影單元U3,例如,具有:旋轉保持部30、顯影液供給部40(液體供給部),以及沖洗液供給部60。
旋轉保持部30,保持工作件W並令其旋轉。旋轉保持部30,例如,具有保持部32以及旋轉驅動部34。保持部32,在令工作件W的表面Wa朝向上方的狀態下,支持工作件W的背面,並利用例如真空吸附等方式,保持該工作件W。旋轉驅動部34,例如利用電動馬達等動力源,令保持部32繞垂直的旋轉軸Ax旋轉。藉此,工作件W繞旋轉軸Ax旋轉。保持部32,亦可以工作件W的中心與旋轉軸Ax大略對齊一致的方式,保持工作件W。
顯影液供給部40,對保持部32所保持的工作件W的表面Wa供給顯影液。顯影液,係用來除去曝光後的光阻膜的除去對象部分的處理液。光阻膜的除去對象部分,在曝光處理後相對於顯影液為可溶的部分。當顯影液為正型時,在曝光處理中曝光的部分相對於顯影液為可溶。當顯影液為負型時,在曝光處理中並未曝光的部分相對於顯影液為可溶。關於正型的顯影液的具體例,可列舉出鹼性溶液。關於負型的顯影液的具體例,可列舉出有機溶劑。顯影液供給部40,例如,具有:噴嘴42、儲槽44、泵46、閥門48,以及噴嘴驅動部52(驅動部)。
噴嘴42,向工作件W的表面Wa噴吐顯影液。如圖4所示的,噴嘴42,包含一端面42a以及噴吐口42b。端面42a,與保持部32所保持的工作件W的表面Wa互相對向。噴吐口42b,設置於端面42a(在端面42a開口)。噴嘴42,可具有圓形的端面42a,噴吐口42b可在端面42a的中央部位開口。作為一例,端面42a的中心與噴吐口42b的中心大略對齊一致。
端面42a的面積,比工作件W的表面Wa的面積更小。端面42a的面積,相較於工作件W的表面Wa的面積,例如可為1~15%,亦可為1~11%,亦可為1~3%。噴嘴42,例如可由PTFE(polytetrafluoroethylene,聚四氟乙烯)等樹脂材料所構成。另外,噴嘴42,亦可包含分布於端面42a的複數個噴吐口42b。噴吐口42b的形狀(輪廓),可為圓形或橢圓形,亦可為多角形,亦可為狹縫狀。噴吐口42b的面積(開口面積),相較於端面42a的面積,可為0.3%~5%左右。
回到圖3,噴嘴42,透過管路54與儲槽44連接。儲槽44儲存顯影液。泵46以及閥門48設置於管路54。泵46,例如為伸縮泵,其將顯影液從儲槽44壓送到噴嘴42。閥門48,例如為氣動閥,其調節管路54內的開度。藉由控制閥門48,便可切換從噴嘴42噴吐顯影液的狀態,以及並未從噴嘴42噴吐顯影液的狀態。另外,藉由控制泵46以及閥門48的至少其中一方,便可調節從噴嘴42噴吐的顯影液的噴吐流量(每單位時間的噴吐流量)。
噴嘴驅動部52,調節噴嘴42的位置。更具體而言,噴嘴驅動部52,在令端面42a朝向下方的狀態下,以橫越工作件W的上方的方式,令噴嘴42移動,令噴嘴42升降。例如,噴嘴驅動部52,具有:利用電動馬達等動力源令噴嘴42沿著工作件W的表面Wa移動的機構,以及利用電動馬達等動力源令噴嘴42升降的機構。噴嘴驅動部52,在令噴嘴42沿著工作件W的表面Wa移動時,係令噴嘴42沿著通過工作件W的旋轉軸Ax的路徑移動。噴嘴驅動部52,可令噴嘴42沿著直線狀的路徑移動,亦可令噴嘴42沿著彎曲路徑移動。
沖洗液供給部60,對保持部32所保持的工作件W的表面Wa,供給與顯影液相異的沖洗液。沖洗液,用來將顯影液沖掉。另外,沖洗液,亦用來作為在供給顯影液之前對表面Wa所供給的預濕液。沖洗液,例如為純水或DIW(deionized water,去離子水)。沖洗液供給部60,例如具有:噴嘴62、儲槽64、泵66、閥門68,以及噴嘴驅動部72。
噴嘴62,向工作件W的表面Wa噴吐沖洗液。噴嘴62,透過管路74與儲槽64連接。儲槽64儲存沖洗液。泵66以及閥門68設置於管路74。泵66,例如為伸縮泵,其將沖洗液從儲槽64壓送到噴嘴62。閥門68,例如為氣動閥,其調節管路74內的開度。藉由控制閥門68,便可切換從噴嘴62噴吐沖洗液的狀態,以及並未從噴嘴62噴吐沖洗液的狀態。另外,藉由控制泵66以及閥門68的至少其中一方,亦可調節從噴嘴62噴吐的沖洗液的噴吐流量。
噴嘴驅動部72,例如利用電動馬達等動力源令噴嘴62移動。具體而言,噴嘴驅動部72,在令噴嘴62的噴吐口朝向下方的狀態下,令噴嘴62沿著工作件W的表面Wa移動。
(控制裝置) 接著,參照圖5以及圖6,針對控制裝置100的一例進行說明。控制裝置100,控制包含顯影單元U3在內的塗布顯影裝置2。如圖5所示的,控制裝置100,關於其功能上的構造(以下稱為「功能模組」),例如,具有:預濕控制部102、第1顯影控制部104、第2顯影控制部106、第1沖洗控制部112、第3顯影控制部114、第2沖洗控制部116,以及噴嘴切換控制部117。各功能模組所實行的處理,相當於控制裝置100所實行的處理。
預濕控制部102,令顯影單元U3實行預濕處理。預濕處理,包含:利用旋轉驅動部34令保持工作件W的保持部32旋轉的步驟,以及一邊利用旋轉保持部30令工作件W旋轉,一邊利用沖洗液供給部60對工作件W的表面Wa供給沖洗液的步驟。
第1顯影控制部104,令顯影單元U3實行第1顯影處理。第1顯影處理,係「以端面42a對向工作件W的表面Wa的方式配置噴嘴42,一邊利用旋轉保持部30令工作件W旋轉,一邊從噴吐口42b以既定的第1流量噴吐顯影液,在此狀態下,一邊令端面42a與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,一邊利用噴嘴驅動部52令噴嘴42移動」的處理。第1流量,為預定值,作為一例,可為100ml/min~700ml/min,亦可為200ml/min~600ml/min,亦可為300ml/min~500ml/min。第1顯影處理的工作件W的旋轉速度,例如,為300rpm~1000rpm。
在第1顯影處理中,端面42a,與「在第1顯影處理的實行中,已從噴嘴42噴吐而供給到表面Wa上的顯影液」以及「在預濕處理中所供給的沖洗液」接觸。以下,將「噴嘴42的端面42a與包含在工作件W的表面Wa上的顯影液在內的處理液接觸」的狀態,稱為「接觸液體狀態」。在第1顯影處理中,「一邊令工作件W旋轉,一邊從與工作件W的表面Wa互相對向的噴嘴42的噴吐口42b,以第1流量噴吐顯影液」的步驟,以及「維持接觸液體狀態,同時令噴嘴42沿著表面Wa移動」的步驟,同步實行。
第1顯影控制部104,亦可在一邊令工作件W旋轉一邊從噴吐口42b以第1流量噴吐顯影液的狀態下,維持接觸液體狀態,同時利用噴嘴驅動部52令噴嘴42沿著工作件W的半徑方向往返移動。例如,第1顯影控制部104,利用噴嘴驅動部52令噴嘴42在對向工作件W的表面Wa的中心(旋轉軸Ax)的位置與對向工作件W的外周Wb的位置之間往返移動。在噴嘴42對向工作件W的中心的狀態下,從垂直上方觀察,端面42a以及噴吐口42b的其中任一個的位置與工作件W的中心重疊。在噴嘴42對向工作件W的外周Wb的狀態下,從垂直上方觀察,端面42a以及噴吐口42b的其中任一個的位置與工作件W的外周Wb重疊。在一例中,第1顯影控制部104,係從垂直上方觀察利用噴嘴驅動部52令噴嘴42在「噴吐口42b與工作件W的中心重疊的位置」與「該噴吐口42b與工作件W的外周Wb重疊的位置」之間往返移動。
第1顯影控制部104,亦可在第1顯影處理中,令顯影單元U3實行掃出處理,並在掃出處理之後,令顯影單元U3實行掃入處理。掃出處理,係「在一邊利用旋轉保持部30令工作件W旋轉,一邊從噴吐口42b以第1流量噴吐顯影液的狀態下,一邊令端面42a與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,一邊利用噴嘴驅動部52令噴嘴42從工作件W的中心向工作件W的外周Wb移動」的處理。在一例中,第1顯影控制部104,維持接觸液體狀態,同時利用噴嘴驅動部52令噴嘴42從噴嘴42的噴吐口42b對向工作件W的中心的位置,移動到噴吐口42b對向外周Wb的位置。
掃入處理,係「在一邊利用旋轉保持部30令工作件W旋轉,一邊以第1流量從噴吐口42b噴吐顯影液的狀態下,一邊令端面42a與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,一邊利用噴嘴驅動部52令噴嘴42從工作件W的外周Wb向工作件W的中心移動」的處理。在一例中,第1顯影控制部104,維持接觸液體狀態,同時利用噴嘴驅動部52令噴嘴42從噴吐口42b對向工作件W的外周Wb的位置,移動到噴嘴42的噴吐口42b對向工作件W的中心的位置。第1顯影控制部104,亦可在掃出處理的實行期間與掃入處理的實行期間之間,在接觸液體狀態下,且在從噴吐口42b以第1流量噴吐顯影液的狀態下,利用噴嘴驅動部52令噴嘴42在對向工作件W的外周Wb的位置停留既定時間。
第2顯影控制部106,在第1顯影處理之後,令顯影單元U3實行第2顯影處理。第2顯影處理,係「一邊利用旋轉保持部30令工作件W旋轉,一邊在與工作件W的表面Wa的中心互相對向的位置令端面42a與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,並在此狀態下,從噴吐口42b以既定的第2流量噴吐顯影液」的處理。第2流量,預先設定為比上述第1流量更大的值。作為一例,第2流量,可為300ml/min~900ml/min,亦可為400ml/min~800ml/min,亦可為500ml/min~700ml/min。
第2顯影控制部106,亦可令顯影單元U3實行以第2流量噴吐顯影液的第2顯影處理並持續既定時間(亦可令「顯影液供給部40以第2流量噴吐顯影液的狀態」持續既定時間)。持續實行第2顯影處理的既定時間,例如,為5秒鐘~20秒鐘。第2顯影處理的工作件W的旋轉速度,例如,為100rpm~1000rpm。
第2顯影控制部106,亦可於藉由第1顯影處理而將噴嘴42配置在與工作件W的表面Wa的中心互相對向的位置的狀態下,令從噴嘴42噴吐的顯影液的噴吐流量從第1流量增加到第2流量,進而令顯影單元U3開始第2顯影處理。第2顯影控制部106,亦可在第1顯影處理的掃入處理的結束時點,於噴嘴42所配置的位置,利用噴嘴驅動部52令噴嘴42停止,並就這樣令噴吐流量增加到第2流量,以開始第2顯影處理。第2顯影控制部106,亦可在噴嘴42與工作件W的表面Wa的中心互相對向的區域內,利用噴嘴驅動部52令噴嘴42移動到與第1顯影處理的掃入處理的結束時點的噴嘴42的配置位置相異的位置,同時令噴吐流量增加到第2流量,以開始第2顯影處理。
第1沖洗控制部112,在第2顯影處理之後,令顯影單元U3實行第1沖洗處理。第1沖洗處理,係「一邊利用旋轉保持部30令工作件W旋轉,一邊利用沖洗液供給部60對工作件W的表面Wa供給沖洗液」的處理。第1沖洗控制部112,亦可在第1沖洗處理實行後,在沖洗液供給部60停止供給沖洗液的狀態下,以甩除工作件W的表面Wa上的沖洗液的方式,利用旋轉保持部30令工作件W持續旋轉。
在第1沖洗處理中的從噴嘴62(另外的噴嘴)吐向表面Wa的沖洗液的噴吐流量(每單位時間的噴吐流量),設定為既定的第3流量。第3流量,例如,設定為在第2顯影處理中的顯影液的噴吐流量(亦即第2流量)以上的值。在一例中,第3流量,為500ml/min~1500ml/min。在第1沖洗處理中的工作件W的旋轉速度,亦可設定為在第2顯影處理中的工作件W的旋轉速度以上的值。在一例中,在第1沖洗處理中的工作件W的旋轉速度,為100rpm~1500rpm。在一例中,第1沖洗處理的實行時間,為3秒鐘~15秒鐘。
第3顯影控制部114,在第2顯影處理之後(例如在第1沖洗處理之後),令顯影單元U3實行第3顯影處理。第3顯影處理,係「以形成顯影液的液層的方式,對工作件W的表面Wa從噴嘴42供給顯影液,並控制旋轉保持部30,以將該液層保持在工作件W的表面Wa上」的處理。例如,在第3顯影處理中,第3顯影控制部114,為了在工作件W的表面Wa上形成顯影液的液層,而令顯影單元U3實行與上述第1顯影處理的掃出處理同樣的處理(以下稱為「在第3顯影處理中的掃出處理」)。在第3顯影處理中的掃出處理中,第3顯影控制部114,亦可與第1顯影處理同樣,從噴嘴42以第1流量噴吐顯影液。第3顯影控制部114,與在第3顯影處理中的掃出處理同步,令旋轉保持部30實行降低工作件W的旋轉速度的減速處理。
在減速處理中,第3顯影控制部114,控制旋轉保持部30,令工作件W的旋轉從一旋轉速度(例如200rpm~400rpm),減速到與該一旋轉速度相異的旋轉速度(例如5rpm~20rpm)。減速處理,亦可包含「控制旋轉保持部30,隨著噴嘴42的端面42a的中心(噴吐口42b)接近工作件W的外周Wb,令工作件W的旋轉速度逐漸降低」的態樣。此時,所謂逐漸降低,亦包含以複數個階段階段性地降低的態樣。第3顯影控制部114,亦可控制旋轉保持部30,隨著端面42a的中心接近工作件W的外周Wb,令工作件W的旋轉速度逐漸降低。與在第3顯影處理中的掃出處理同步,實行減速控制,藉此,在顯影液的液層的形成過程中,防止在工作件W的中央部位的顯影過度進行,同時防止在工作件W的外周部位的液層崩壞。
第3顯影控制部114,亦可以顯影液的液層保持在工作件W的表面Wa上的方式,利用旋轉保持部30令工作件W以低旋轉速度(例如在減速處理的完成時點的旋轉速度以下的旋轉速度)旋轉,亦可利用旋轉保持部30令工作件W的旋轉停止。第3顯影控制部114,例如,在顯影液的液層形成之後,與第1顯影處理同樣,一邊利用旋轉保持部30令工作件W旋轉,一邊令端面42a與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,一邊實行利用噴嘴驅動部52令噴嘴42從工作件W的外周Wb向工作件W的中心移動的掃入動作(在第3顯影步驟中的掃入處理)。之後,第3顯影控制部114,控制顯影單元U3,令工作件W的旋轉停止的狀態持續既定時間(令顯影單元U3實行靜止顯影)。在該靜止顯影中,第3顯影控制部114,亦可令顯影液供給部40停止從噴嘴42噴吐顯影液,亦可令顯影液供給部40持續以設定成適合除去溶解生成物以及置換顯影液等的既定流量,噴吐顯影液。
第2沖洗控制部116,在第3顯影處理之後,令顯影單元U3實行第2沖洗處理。第2沖洗控制部116,例如,與上述的第1沖洗處理同樣,令顯影單元U3實行第2沖洗處理。在第2沖洗處理中的沖洗液的噴吐流量以及工作件W的旋轉速度,可分別與在第1沖洗處理中的噴吐流量以及旋轉速度相同,亦可相異。第2沖洗控制部116,亦可在第2沖洗處理實行後,在沖洗液供給部60停止供給沖洗液的狀態下,以甩除工作件W的表面Wa上的沖洗液的方式(以令其乾燥的方式)利用旋轉保持部30令工作件W持續旋轉。
噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部52,以分別在上述第1顯影處理、第2顯影處理以及第3顯影處理的前後,實行噴嘴42的配置以及退避的至少其中一方。例如,噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部52,以在第2顯影處理之後或在第3顯影處理中的上述靜止顯影之後,令噴嘴42從噴嘴42的端面42a與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸的狀態,上升到工作件W的表面Wa的上方。然後,噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部52,令已上升的噴嘴42退避到工作件W之外。噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部72,以分別在上述預濕處理、第1沖洗處理以及第2沖洗處理的前後,實行噴嘴62的配置以及退避的至少其中一方。
噴嘴切換控制部117,亦可控制噴嘴驅動部52,在令噴嘴42上升到工作件W的表面Wa的上方時,實行用以令噴嘴42退避的複數次退避動作。複數次退避動作(各退避動作),各自包含令噴嘴42上升既定量的步驟,以及在該上升後令噴嘴42停止的步驟。藉由實行複數次退避動作,以實行階段性地令噴嘴42上升的動作(包含複數個上升步驟在內的噴嘴動作)。噴嘴切換控制部117,亦可控制噴嘴驅動部52,令噴嘴42的上升速度在複數個上升步驟之間相異,以避免附著於端面42a的液體殘留下來。
有時會在包圍保持工作件W的保持部32的杯狀部的外側,設置待機浴槽(圖中未顯示),其具有「在不使用噴嘴42的非處理時,令該噴嘴42在內部待機,並以洗淨液洗淨端面42a」的功能。此時,噴嘴切換控制部117,亦可控制噴嘴驅動部52,在液體處理開始時令噴嘴42從待機浴槽內向外移動,以令噴嘴42移動到杯狀部上方,此時,與上述同樣,實行包含複數個上升步驟在內的噴嘴動作。藉此,便可防止在待機浴槽內的噴嘴42的端面42a被液體附著。
控制裝置100,係由一個或複數個控制用電腦所構成。例如,控制裝置100,具有圖6所示的電路120。電路120,具有:一個或複數個處理器122、記憶體124、儲存器126、輸入輸出埠128,以及計時器132。儲存器126,例如具有硬碟等電腦可讀取的記錄媒體。記錄媒體,記憶了用以令控制裝置100實行後述基板處理方法的程式。記錄媒體,亦可為非揮發性的半導體記憶體、磁碟以及光碟等可取出的媒體。記憶體124,暫時記憶從儲存器126的記錄媒體載入的程式以及處理器122的運算結果。
處理器122,與記憶體124協同運作,執行上述程式。輸入輸出埠128,根據來自處理器122的指令,在其與旋轉保持部30、顯影液供給部40以及沖洗液供給部60等之間實行電子信號的輸入輸出。計時器132,例如藉由計算一定周期的基準脈衝以測量經過時間。另外,控制裝置100的硬體構造,亦可由專用的邏輯電路或其所積體的ASIC(application specific integrated circuit,特殊應用積體電路)所構成。
[基板處理方法] 接著,參照圖7,針對在顯影單元U3中所實行的圖案形成處理,進行說明,以作為基板處理方法的一例。圖7,係表示對一工作件W的圖案形成處理的一例的流程圖。
控制裝置100,在作為處理對象的工作件W配置於顯影單元U3(旋轉保持部30)的狀態下,首先,實行步驟S01。在步驟S01中,例如,預濕控制部102,令顯影單元U3實行上述的預濕處理。預濕控制部102,在利用旋轉保持部30令工作件W旋轉時,利用沖洗液供給部60對工作件W的表面Wa供給沖洗液。關於預濕處理的具體例,後述之。
接著,控制裝置100,實行步驟S02。在步驟S02中,例如,第1顯影控制部104,令顯影單元U3實行上述的第1顯影處理。第1顯影控制部104,在利用旋轉保持部30令工作件W旋轉時,從噴嘴42(噴吐口42b)向工作件W的表面Wa,以上述第1流量噴吐顯影液,在此狀態下,一邊令噴嘴42的端面42a與工作件W的表面Wa上的處理液接觸,一邊利用噴嘴驅動部52令噴嘴42移動。關於第1顯影處理的具體例,後述之。
接著,控制裝置100,實行步驟S03。在步驟S03中,例如,第2顯影控制部106,令顯影單元U3實行上述的第2顯影處理。第2顯影控制部106,在利用旋轉保持部30令工作件W旋轉時,令配置在與工作件W的表面Wa的中心互相對向的位置的噴嘴42的端面42a,與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,在此狀態下,從噴嘴42的噴吐口42b以第2流量噴吐顯影液。關於第2顯影處理的具體例,後述之。
接著,控制裝置100,實行步驟S04。在步驟S04中,例如,第1沖洗控制部112,令顯影單元U3實行第1沖洗處理。第1沖洗控制部112,亦可在利用旋轉保持部30令工作件W旋轉時,利用沖洗液供給部60對工作件W的表面Wa供給沖洗液。關於第1沖洗處理的具體例,後述之。
接著,控制裝置100,實行步驟S05。在步驟S05中,例如,第3顯影控制部114,令顯影單元U3實行第3顯影處理。第3顯影控制部114,以形成顯影液的液層的方式,從噴嘴42將顯影液供給到工作件W的表面Wa,並控制旋轉保持部30,以將顯影液的液層保持在工作件W的表面Wa上。關於第3顯影處理的具體例,後述之。
接著,控制裝置100,實行步驟S06。在步驟S06中,例如,第2沖洗控制部116,令顯影單元U3實行第2沖洗處理。第2沖洗控制部116,以與步驟S04的第1沖洗處理同樣的方式,令顯影單元U3實行第2沖洗處理。根據以上所述,對一工作件W的圖案形成處理便結束。以下,針對上述的步驟S01~S05的各步驟(亦包含該步驟的前後處理在內)進行說明。
(預濕處理) 圖8,係表示包含步驟S01的預濕處理以及預濕處理的前後處理在內的一連串處理的一例的流程圖。首先,控制裝置100,在旋轉保持部30保持作為處理對象的工作件W的狀態下,實行步驟S11、S12。在步驟S11中,例如,控制裝置100,利用旋轉保持部30令工作件W開始旋轉。在之後的步驟中,直到控制裝置100利用旋轉保持部30令工作件W停止旋轉為止,工作件W持續旋轉。在步驟S12中,例如,噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部72,將沖洗液供給部60的噴嘴62配置在與工作件W的表面Wa的中心(旋轉軸Ax)互相對向的位置。
接著,控制裝置100,實行步驟S13。在步驟S13中,例如,預濕控制部102,利用沖洗液供給部60開始從噴嘴62對工作件W的表面Wa供給沖洗液。預濕控制部102,亦可藉由將沖洗液供給部60的閥門68從關閉狀態切換到開啟狀態,以令沖洗液供給部60開始供給沖洗液。藉此,開始從噴嘴62噴吐沖洗液(預濕液)到旋轉保持部30所旋轉的工作件W的表面Wa上,預濕處理開始。
接著,控制裝置100,實行步驟S14。在步驟S14中,例如,預濕控制部102,從步驟S13的開始供給沖洗液的時點,待機到經過預濕時間為止。預濕時間,預先設定之,其設定為吾人所期望的液量的沖洗液供給到表面Wa上的程度。
接著,控制裝置100,實行步驟S15。在步驟S15中,例如,預濕控制部102,利用沖洗液供給部60停止從噴嘴62對工作件W的表面Wa供給沖洗液。預濕控制部102,亦可藉由將沖洗液供給部60的閥門68從開啟狀態切換到關閉狀態,以令沖洗液供給部60停止供給沖洗液(亦可停止從噴嘴62噴吐沖洗液)。藉由實行以上的步驟S13~S15(預濕處理),如圖9所示的,工作件W繞旋轉軸Ax旋轉,同時沖洗液被供給到工作件W的表面Wa上,而在表面Wa上形成沖洗液的液膜RF。
接著,控制裝置100,實行步驟S16。在步驟S16中,例如,噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部72,令噴嘴62從工作件W的表面Wa的中心退避到工作件W之外。根據以上所述,包含預濕處理在內的一連串處理便結束。
(第1顯影處理) 圖10,係表示包含步驟S02的第1顯影處理以及第1顯影處理的前後處理在內的一連串處理的一例的流程圖。控制裝置100,在上述的步驟S16實行之後,實行步驟S21、S22。在步驟S21中,例如,控制裝置100,控制旋轉保持部30,將工作件W的旋轉速度調節成第1顯影處理的設定值。在步驟S22中,例如,噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部52,將顯影液供給部40的噴嘴42配置在與工作件W的表面Wa的中心(旋轉軸Ax)互相對向的位置。噴嘴切換控制部117,亦可控制噴嘴驅動部72,將噴嘴42配置於噴嘴42的噴吐口42b與工作件W的表面Wa的中心互相對向的位置。
接著,控制裝置100,實行步驟S23。在步驟S23中,例如,第1顯影控制部104,令顯影單元U3開始從噴嘴42噴吐顯影液以及令噴嘴42向工作件W的外周Wb移動。藉此,上述的掃出處理便開始。第1顯影控制部104,如圖11(a)所示的,利用顯影液供給部40開始從與工作件W的中心互相對向的噴嘴42的噴吐口42b噴吐顯影液,並以噴嘴驅動部52開始令噴嘴42從工作件W的中心向外周Wb移動。第1顯影控制部104,亦可藉由將顯影液供給部40的閥門48從關閉狀態切換到開啟狀態,以開始從噴吐口42b噴吐顯影液。第1顯影控制部104,控制泵46或閥門48,令噴吐口42b的噴吐流量為第1流量。
接著,控制裝置100,實行步驟S24。在步驟S24中,例如,第1顯影控制部104,待機到噴嘴42移動至噴吐口42b對向外周Wb的位置為止。第1顯影控制部104,例如,根據噴嘴驅動部52所包含的馬達的旋轉角度,判斷噴嘴42是否移動到對向外周Wb的位置。藉此,如圖11(b)所示的,以第1流量噴吐顯影液的噴嘴42,一邊與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,一邊從正在旋轉的工作件W的中心向外周Wb移動。
接著,控制裝置100,實行步驟S25。在步驟S25中,例如,第1顯影控制部104,利用噴嘴驅動部52令噴嘴42停止移動。藉此,掃出處理便結束。在以上的步驟S23~S25(掃出處理)中,第1顯影控制部104,控制顯影液供給部40,從噴嘴42以第1流量噴吐顯影液,並在此狀態下,一邊維持噴嘴42的接觸液體狀態,一邊利用噴嘴驅動部52令噴嘴42從工作件W的中心向工作件W的外周Wb移動。
接著,控制裝置100,實行步驟S26。在步驟S25中,噴嘴42的移動停止,然後,在步驟S26中,例如,第1顯影控制部104,待機到經過既定的調節時間為止。第1顯影控制部104,控制顯影液供給部40,在令噴吐口42b與工作件W的外周Wb互相對向的狀態下,從噴嘴42以第1流量噴吐顯影液,直到經過調節時間為止。調節時間,根據欲在第1顯影處理中令工作件W的外周部位的顯影進行到何等程度而預先設定之。
接著,控制裝置100,實行步驟S27。在步驟S27中,例如,第1顯影控制部104,以顯影單元U3開始令噴嘴42向工作件W的中心移動。藉此,上述的掃入處理便開始。第1顯影控制部104,在持續從與顯影液的液層DF接觸的噴嘴42的噴吐口42b以第1流量噴吐顯影液的情況下,以噴嘴驅動部52開始令噴嘴42從工作件W的外周Wb向中心移動。
接著,控制裝置100,實行步驟S28。在步驟S28中,例如,第1顯影控制部104,待機到噴嘴42移動至噴吐口42b與工作件W的中心互相對向的位置(旋轉軸Ax)為止。第1顯影控制部104,例如,根據噴嘴驅動部52所包含的馬達的旋轉角度,判斷噴嘴42是否移動到與工作件W的中心互相對向的位置。藉此,如圖11(d)所示的,以第1流量噴吐顯影液的噴嘴42,一邊與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,一邊從正在旋轉的工作件W的外周Wb向中心移動。
接著,控制裝置100,實行步驟S29。在步驟S29中,例如,第1顯影控制部104,利用噴嘴驅動部52令噴嘴42停止移動。藉此,掃入處理便結束。在以上的步驟S27~S29(掃入處理)中,第1顯影控制部104,控制顯影液供給部40,從噴嘴42以第1流量噴吐顯影液,並在此狀態下,一邊維持噴嘴42的接觸液體狀態,一邊利用噴嘴驅動部52令噴嘴42從工作件W的外周Wb向中心移動。根據以上所述,包含第1顯影處理在內的一連串處理便結束。
(第2顯影處理) 圖12,係表示包含步驟S03的第2顯影處理以及第2顯影處理的前後處理在內的一連串處理的一例的流程圖。控制裝置100,在上述的步驟S29實行之後,實行步驟S31。在步驟S31中,例如,控制裝置100,控制旋轉保持部30,將工作件W的旋轉速度調節成第1顯影處理的設定值。
接著,控制裝置100,實行步驟S32。在步驟S32中,例如,第2顯影控制部106,如圖13所示的,在令噴嘴驅動部52維持「因為步驟S29的掃入處理結束,而噴吐口42b與工作件W的中心互相對向」的狀態的情況下,控制顯影液供給部40,令噴吐口42b的噴吐流量從第1流量增加到第2流量。第2顯影控制部106,為了增加到第2流量,可控制閥門48,令顯影液供給部40的閥門48的開度增加,亦可控制泵46,令泵46壓送顯影液的壓力增加。從噴吐口42b噴吐的顯影液的噴吐流量增加到第2流量,第2顯影處理便開始。
接著,控制裝置100,實行步驟S33。在步驟S33中,例如,第2顯影控制部106,從步驟S32的第2顯影處理開始時點,待機到經過中心噴吐時間為止。中心噴吐時間,預先設定之,其在包含該第2顯影處理、步驟S02的第1顯影處理以及詳細內容後述的步驟S05的第3顯影處理在內的顯影處理中,設定為光阻膜的顯影充分進行的程度。
接著,控制裝置100,實行步驟S34。在步驟S34中,例如,第2顯影控制部106,控制顯影液供給部40,停止從噴嘴42噴吐顯影液。第2顯影控制部106,藉由將顯影液供給部40的閥門48從開啟狀態切換到關閉狀態,以停止從噴嘴42的噴吐口42b噴吐顯影液。在以上的步驟S32~S34(第2顯影處理)中,第2顯影控制部106,控制顯影液供給部40,一邊在與工作件W的表面Wa的中心互相對向的位置維持噴嘴42的接觸液體狀態,一邊從噴嘴42以第2流量噴吐顯影液。
接著,控制裝置100,實行步驟S35。在步驟S35中,例如,噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部52,令噴嘴42從工作件W的表面Wa的中心退避到工作件W之外。此時,在工作件W的表面Wa上形成了顯影液的液層DF。根據以上所述,包含第2顯影處理在內的一連串處理便結束。另外,噴嘴切換控制部117,亦可在步驟S35中,在令噴嘴42退避時,控制噴嘴驅動部52,以實行令噴嘴42階段性上升的上述複數次退避動作。
(第1沖洗處理) 圖14,係表示包含步驟S04的第1沖洗處理以及第1沖洗處理的前後處理在內的一連串處理的一例的流程圖。控制裝置100,在上述步驟S35實行之後,實行步驟S41、S42。在步驟S41中,例如,控制裝置100,控制旋轉保持部30,將工作件W的旋轉速度調節成第1沖洗處理的設定值。在步驟S42中,例如,噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部72,將沖洗液供給部60的噴嘴62配置在與工作件W的表面Wa的中心(旋轉軸Ax)互相對向的位置。
接著,控制裝置100,實行步驟S43、S44。在步驟S43中,例如,第1沖洗控制部112,如圖15(a)所示的,控制沖洗液供給部60,從配置於旋轉軸Ax的噴嘴62開始對工作件W的表面Wa供給沖洗液。第1沖洗控制部112,亦可藉由將沖洗液供給部60的閥門68從關閉狀態切換到開啟狀態,以開始從噴嘴62噴吐沖洗液。第1沖洗控制部112,亦可控制泵66或閥門68,以令從噴嘴62噴吐的沖洗液的噴吐流量為第3流量。在步驟S44中,例如,第1沖洗控制部112,從步驟S43的開始噴吐沖洗液的時點,待機到經過沖洗時間為止。沖洗時間,預先設定之,例如,如圖15(b)所示的,設定成工作件W的表面Wa上的顯影液的液層DF被置換成沖洗液的液膜RF的程度。
接著,控制裝置100,實行步驟S45。在步驟S45中,例如,第1沖洗控制部112,控制沖洗液供給部60,停止從噴嘴62對工作件W的表面Wa供給沖洗液。第1沖洗控制部112,亦可藉由將沖洗液供給部60的閥門68從開啟狀態切換到關閉狀態,以停止從噴嘴62噴吐沖洗液。在以上的步驟S42~S44(第1沖洗處理)中,第2沖洗控制部116,藉由從噴嘴62向正在旋轉的工作件W的表面Wa以第3流量噴吐沖洗液,而對工作件W的表面Wa供給沖洗液。
接著,控制裝置100,實行步驟S46、S47。在步驟S46中,例如,噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部72,令噴嘴62從工作件W的中心退避到工作件W之外。在步驟S47中,例如,控制裝置100,從步驟S45的停止供給沖洗液的時點,待機到經過甩除時間為止。甩除時間,預先設定之,例如,如圖15(c)所示的,設定成工作件W的表面Wa上的沖洗液的至少一部分被甩到工作件W之外的程度。另外,控制裝置100,亦可控制旋轉保持部30,令停止供給沖洗液之後的工作件W的旋轉速度,比第1沖洗處理的旋轉速度更快。根據以上所述,包含第1沖洗處理在內的一連串處理便結束。
(第3顯影處理) 圖16,係表示包含步驟S05的第3顯影處理以及第3顯影處理的前後處理在內的一連串處理的一例的流程圖。控制裝置100,在上述步驟S47實行之後,實行步驟S51、S52。在步驟S51中,例如,控制裝置100,控制旋轉保持部30,將工作件W的旋轉速度,調節成第3顯影處理的設定值。在步驟S52中,例如,噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部52,將噴嘴42配置於顯影液供給部40的噴嘴42的噴吐口42b與工作件W的表面Wa的中心(旋轉軸Ax)互相對向的位置。
接著,控制裝置100,實行步驟S53。在步驟S53中,例如,第3顯影控制部114,令顯影單元U3開始「從噴嘴42噴吐顯影液、噴嘴42向外周Wb移動,以及降低工作件W的旋轉速度」等處理。第3顯影控制部114,利用顯影液供給部40開始從噴嘴42的噴吐口42b噴吐顯影液,並以噴嘴驅動部52開始令噴嘴42從工作件W的中心向外周Wb移動。第3顯影控制部114,亦可藉由將顯影液供給部40的閥門48從關閉狀態切換到開啟狀態,以開始從噴嘴42噴吐顯影液。第3顯影控制部114,亦可控制顯影液供給部40,令從噴嘴42噴吐的顯影液的噴吐流量為第1流量。
接著,控制裝置100,實行步驟S54。在步驟S54中,例如,第3顯影控制部114,待機到噴嘴42移動至噴吐口42b對向外周Wb的位置為止。第3顯影控制部114,例如,根據噴嘴驅動部52所包含的馬達的旋轉角度,判斷噴嘴42是否移動到對向外周Wb的位置。藉此,形成「與因為在該處理中噴吐顯影液而形成在工作件W的表面Wa上的顯影液接觸」的狀態的噴嘴42,持續噴吐顯影液,同時從正在旋轉的工作件W的中心向外周Wb移動(實行第3顯影處理中的掃出處理)。此時,第3顯影控制部114,亦可控制旋轉保持部30,隨著噴嘴42的端面42a的中心(噴吐口42b)接近工作件W的外周Wb,令工作件W的旋轉速度逐漸降低。
接著,控制裝置100,實行步驟S55。在步驟S55中,例如,第3顯影控制部114,令顯影液供給部40停止從噴嘴42噴吐顯影液以及移動噴嘴42,並令旋轉保持部30完成工作件W的旋轉的減速。第3顯影控制部114,藉由將閥門48從開啟狀態切換到關閉狀態,以停止從噴嘴42噴吐顯影液。
接著,控制裝置100,實行步驟S56、S57。在步驟S56中,例如,噴嘴切換控制部117,控制噴嘴驅動部52,令停止在與工作件W的外周Wb互相對向的位置的噴嘴42,退避到工作件W之外。另外,噴嘴切換控制部117,亦可在步驟S56中,在令噴嘴42退避時,控制噴嘴驅動部52,實行令噴嘴42階段性上升的上述複數次退避動作。在步驟S57中,例如,第3顯影控制部114,控制旋轉保持部30,令工作件W的旋轉停止。
接著,控制裝置100,實行步驟S58。在步驟S58中,例如,第3顯影控制部114,從步驟S55的停止噴吐顯影液的時點,待機到經過顯影時間為止。此時,如圖17所示的,工作件W停止旋轉,藉此維持在工作件W的表面Wa上形成了顯影液的液層DF的狀態。另外,第3顯影控制部114,亦可不停止工作件W的旋轉,而係利用旋轉保持部30將工作件W維持低度旋轉(例如步驟S56的減速控制的結束時點的旋轉速度),以令顯影單元U3維持形成了顯影液的液層DF的狀態。顯影時間,預先設定之,其設定為光阻膜的顯影充分進行的程度。在步驟S58中,在經過顯影時間之後,包含第3顯影處理在內的一連串處理便結束。
(變化實施例) 上述圖案形成處理以及該處理所包含的各步驟的工序僅為一例,可適當變更之。例如,上述步驟(處理)的一部分亦可省略之,亦可以不同的順序實行各步驟。另外,上述步驟的其中任意2個以上的步驟亦可組合,步驟的一部分亦可修正或刪除。或者,除了上述各步驟之外,亦可實行其他步驟。
第2顯影控制部106,亦可將從噴嘴42噴吐的顯影液的噴吐流量比上述第2流量更小的期間夾在中間,而令顯影單元U3間歇性地實行第2顯影處理。在噴吐流量比上述第2流量更小的期間,控制裝置100,亦可控制顯影液供給部40,而從噴嘴42以比第2流量更小的流量噴吐顯影液。或者,控制裝置100,亦可控制顯影液供給部40,而不從噴嘴42噴吐顯影液(停止噴吐)。像這樣,於噴吐流量比第2流量更小的期間,包含以比第2流量更小的流量噴吐顯影液的期間,以及並未噴吐顯影液的期間。在噴吐流量比第2流量更小的期間,控制裝置100,亦可利用旋轉保持部30將工作件W的旋轉維持在與第2顯影處理相同的旋轉速度。
當間歇性地實行第2顯影處理時,第2顯影控制部106,亦可控制旋轉保持部30,令「第2顯影處理中的工作件W的旋轉速度」,比「在間歇性地實行的第2顯影處理之間令噴吐流量比第2流量更小的期間的工作件W的旋轉速度」更大。亦可藉由令第2顯影處理的旋轉速度比噴吐流量比第2流量更小的期間的旋轉速度更大,以促使溶解生成物被除去以及調整顯影的進行程度。
在第2顯影處理中以第2流量噴吐顯影液時的噴嘴42的高度位置,亦可比第1顯影處理以及第3顯影處理等其他顯影處理的噴嘴42的高度位置更高。例如,控制裝置100,亦可在第2顯影處理開始之前,控制噴嘴驅動部52,以在第1顯影處理結束之後令噴嘴42往上方移動。此時,形成「在第2顯影處理中,端面42a之中的與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸的部分,比在第1顯影處理中與顯影液接觸的部分更小」的狀態。在該狀態下,相較於端面42a的大致全部與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸的狀態,即使顯影液的噴吐流量減少,噴吐口42b的垂直下方的液層仍會縮小。因此,吾人認為,顯影液的流動容易變化(平順地變化),發生顯影液中的壓力降低而引發泡沫以及瞬間停液等情況的可能性便降低。
第2顯影控制部106,亦可在第2顯影處理中,令工作件W的旋轉方向變化。具體而言,第2顯影控制部106,亦可控制旋轉保持部30,以交替地令工作件W往一旋轉方向(正旋轉,例如順時鐘)旋轉以及往與該旋轉方向相反的旋轉方向(逆旋轉,例如逆時鐘)旋轉。藉由像這樣,在第2顯影處理中令工作件W往正旋轉與逆旋轉二個方向旋轉,在正旋轉時與逆旋轉時,於工作件W的表面Wa的各位置,顯影液的流動便改變。藉此,便可有效率地從因為顯影而開始生成圖案的工作件W的表面Wa將溶解生成物除去。另外,可抑制因為表面Wa的顯影液的流動改變,而導致面內局部性的顯影進行程度的差異。第2顯影控制部106,亦可在第2顯影處理中,控制旋轉保持部30,而將工作件W正旋轉地旋轉與工作件W逆旋轉地旋轉重複複數次。
控制裝置100,亦可取代步驟S04的第1沖洗處理,或是除了第1沖洗處理之外(在第1沖洗處理之前),令顯影單元U3實行將顯影液甩到工作件W之外的甩除處理。此時,控制裝置100,亦可如圖5所示的,更具有令顯影單元U3實行甩除處理的甩除控制部118作為功能模組。甩除處理,係「在顯影液供給部40停止從噴嘴42噴吐顯影液的狀態下,利用旋轉保持部30令工作件W旋轉,以將工作件W的表面Wa上的顯影液甩到工作件W之外」的處理。甩除處理的旋轉速度以及旋轉時間,分別設定成可將顯影液甩到工作件W之外(將表面Wa上的顯影液排出)的程度,在一例中,係分別設定成與步驟S03中的第2顯影處理的旋轉速度以及顯影液的噴吐時間相同的程度。
圖18,係表示間歇性地實行第2顯影處理,且接續第2顯影處理實行甩除處理時的流程圖。控制裝置100,首先,實行步驟S71。在步驟S71中,例如,第2顯影控制部106,利用顯影液供給部40開始從噴嘴42以第2流量噴吐顯影液。藉此,第2顯影處理便開始。接著,控制裝置100,實行步驟S72。在步驟S72中,例如,第2顯影控制部106,從步驟S71的第2顯影處理開始時點,待機到經過預定的導通(ON)時間為止。藉此,第2顯影處理(以第2流量噴吐顯影液的狀態)持續進行,直到經過導通(ON)時間為止。
接著,控制裝置100,實行步驟S73、S74。在步驟S73中,例如,第2顯影控制部106,令顯影液供給部40停止從噴嘴42噴吐顯影液。藉此,第2顯影處理便暫時中斷。在步驟S74中,例如,控制裝置100,從步驟S73的停止噴吐顯影液的時點,待機到經過預定的切斷(OFF)時間為止。藉此,持續並未實行第2顯影處理的狀態(停止噴吐顯影液的狀態),直到經過切斷(OFF)時間為止。
接著,控制裝置100,實行步驟S75。在步驟S75中,例如,控制裝置100,判斷第2顯影處理的實行期間的合計值,是否超過預定的中央噴吐時間。在步驟S75中,當判斷第2處理時間的實行期間的合計值並未超過中央噴吐時間時,控制裝置100,便重複步驟S71~S75。步驟S75所使用的中央噴吐時間,以間歇性地實行複數次第2顯影處理的方式設定。導通(ON)時間與切斷(OFF)時間,例如,考慮到「顯影液的進行」與「顯影液的節約」的平衡而設定之。
在步驟S75中,當判斷複數次第2顯影處理的實行期間的合計值超過中央噴吐時間時,控制裝置100,實行步驟S76。在步驟S76中,例如,甩除控制部118,從在步驟S75中判斷超過中央噴吐時間的時點,待機到經過預定的甩除時間為止。藉此,在甩除時間中,在並未從噴嘴42噴吐顯影液的狀態下,以將工作件W的表面Wa上的顯影液甩到工作件W之外的方式,利用旋轉保持部30令工作件W旋轉。另外,甩除控制部118,亦可在實行步驟S76之前,控制旋轉保持部30,令其形成甩除處理的工作件W的旋轉速度的設定值。根據以上所述,包含間歇性地實行的第2顯影處理與甩除處理在內的一連串處理便結束。
控制裝置100,亦可在第1顯影處理中,不令顯影單元U3實行掃出處理,而令顯影單元U3實行掃入處理。控制裝置100,亦可在令顯影單元U3實行掃入處理之後,令顯影單元U3實行掃出處理。控制裝置100,亦可令顯影單元U3實行複數次掃入處理以及複數次掃出處理。掃入處理的實行次數與掃出處理的實行次數亦可彼此相異。
控制裝置100,亦可省略第1沖洗處理(或甩除處理)。控制裝置100,例如,亦可根據光阻膜形成用的處理液的粘度(光阻膜的厚度),省略第1沖洗處理。控制裝置100,亦可根據光阻膜形成用的處理液的種類(粘度)或揭示光阻膜厚度的種類別資訊,判定第2顯影處理以及第1沖洗處理可否實行。例如,控制裝置100,亦可根據種類別資訊,分3階段判定第2顯影處理以及第1沖洗處理可否實行。在一例中,控制裝置100,亦可在種類別資訊所揭示的粘度或膜厚比第1閾值更小時,不令顯影單元U3實行第2顯影處理以及第1沖洗處理。控制裝置100,亦可在種類別資訊所揭示的粘度或膜厚比第1閾值更大且比第2閾值更小時,令顯影單元U3實行第2顯影處理,但不令顯影單元U3實行第1沖洗處理。第2閾值,設定成比第1閾值更大的值。控制裝置100,亦可在種類別資訊所揭示的粘度或膜厚比第2閾值更大時,令顯影單元U3實行第2顯影處理以及第1沖洗處理。另外,亦可根據種類別資訊,取代控制裝置100,而由操作者預先設定第2顯影處理以及第1沖洗處理可否實行。
[實施態樣的功效] 以上說明的基板處理方法,包含以下步驟:實行第1顯影處理,其將具有端面42a以及於端面42a開口的噴吐口42b的噴嘴42,以端面42a與工作件W的表面Wa互相對向的方式配置,且一邊令工作件W旋轉,一邊以第1流量從噴吐口42b噴吐顯影液,並在該狀態下,一邊令端面42a與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,一邊令噴嘴42移動;以及實行第2顯影處理,其在第1顯影處理之後,一邊令工作件W旋轉,一邊在與工作件W的表面Wa的中心互相對向的位置,令端面42a與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,並在該狀態下,以比第1流量更大的第2流量,從噴吐口42b噴吐顯影液。
在作為使用顯影液的顯影處理的處理對象的被膜的膜厚分布中,會有「相較於工作件W的外周部位的膜厚,中央部位的膜厚較厚」的傾向。因此,在工作件W的中央部位,相較於工作件W的外周部位,有時在膜厚方向上的顯影程度會不足。另外,即使令中央部位與外周部位顯影程度均一化,有時在膜厚較厚的中央部位顯影程度仍會不足。相對於此,上述基板處理方法以及塗布顯影裝置2,在第1顯影處理之後,係在工作件W的表面Wa的中心附近噴吐顯影液。藉此,在第2顯影處理中,相較於外周部位,中央部位的顯影程度更進一步推進,故工作件W的中央部位與外周部位之間的顯影程度推進情況的差異縮小,進而解決中央部位的顯影程度不足的問題。因此,有助於工作件W面內的顯影處理的均一化。另外,藉由以比第1顯影處理的第1流量更大的第2流量噴吐顯影液,可令顯影快速進行,並可將伴隨顯影所產生的溶解生成物迅速地排出到工作件W之外。
第1顯影處理,亦可包含以下步驟:一邊令工作件W旋轉,一邊以第1流量從噴吐口42b噴吐顯影液,並在該狀態下,一邊令端面42a與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,一邊令噴嘴42從工作件W的外周Wb向工作件W的中心移動。上述基板處理方法,亦可於因為第1顯影處理而噴嘴42配置在與工作件W的表面Wa的中心互相對向的位置的狀態下,令從噴吐口42b噴吐的顯影液的噴吐流量,從第1流量增加到第2流量,以開始第2顯影處理。此時,由於可縮短從第1顯影處理移到第2顯影處理的期間,故有助於令顯影處理更有效率。
第1顯影處理,亦可更包含以下步驟:在令以第1流量噴吐顯影液的噴嘴42從工作件W的外周Wb向工作件W的中心移動之前,一邊令工作件W旋轉,一邊以第1流量從噴吐口42b噴吐顯影液,並在該狀態下,一邊令端面42a與工作件W的表面Wa上的顯影液接觸,一邊令噴嘴42從工作件W的中心向工作件W的外周Wb移動。此時,在第1顯影處理中,對工作件W的表面Wa至少實行2次顯影液的塗布。藉由第一次的塗布,顯影液相對於工作件W的表面Wa的接觸角縮小,故可在第二次的塗布中輕易地將顯影液塗散開。
上述基板處理方法,亦可將從噴吐口42b噴吐的顯影液的噴吐流量比第2流量更小的期間夾在中間,而間歇性地實行第2顯影處理。此時,便可減少顯影液的使用量,同時在第2顯影處理之間將溶解生成物排出到工作件W之外。
第2顯影處理中的工作件W的旋轉速度,亦可比在間歇性地實行的第2顯影處理之間令顯影液的噴吐流量比第2流量更小的期間的工作件W的旋轉速度更大。此時,便可促使溶解生成物被除去,同時調節顯影的進行程度。
在第2顯影處理中,令工作件W旋轉的步驟,亦可包含:令工作件W往一方向旋轉的步驟,以及令工作件W往與該一方向相反的方向旋轉的步驟。此時,由於在工作件W的表面Wa的各位置,顯影液的流動改變,故可有效率地將溶解生成物從因為顯影而開始生成圖案的工作件W的表面Wa除去。另外,由於在表面Wa上的顯影液的流動改變,故可抑制面內的局部性顯影的進行程度的差異。
上述基板處理方法,亦可更包含以下步驟:在第2顯影處理之後,停止從噴吐口42b噴吐顯影液,並在該狀態下,以將工作件W的表面Wa上的顯影液甩到工作件W之外的方式,令工作件W旋轉。此時,便可更確實地將伴隨第2顯影處理而在工作件W的表面Wa上所產生的溶解生成物除去。
上述基板處理方法,亦可更包含以下步驟:在第2顯影處理之後,一邊令工作件W旋轉,一邊對工作件W的表面Wa供給沖洗液;以及實行第3顯影處理,其在沖洗液供給後,以形成顯影液的液層的方式,從噴嘴42對工作件W的表面Wa供給顯影液,並將顯影液的液層保持在工作件W的表面Wa上。此時,便可在第3顯影處理之前,利用沖洗液,更確實地將伴隨第2顯影處理而在工作件W的表面Wa上所產生的溶解生成物除去。
供給沖洗液的步驟,亦可包含從噴嘴62向工作件W的表面Wa以第2流量以上的第3流量噴吐沖洗液的步驟。此時,便可迅速地將伴隨第2顯影處理而在工作件W的表面Wa上所產生的溶解生成物除去。
供給沖洗液時的工作件W的旋轉速度,亦可在第2顯影處理中的工作件W的旋轉速度以上。此時,便可迅速地將伴隨第2顯影處理而在工作件W的表面Wa上所產生的溶解生成物除去。
上述基板處理方法,亦可更包含以下步驟:在第2顯影處理之後,停止噴吐顯影液,並在該狀態下,實行用以令噴嘴42退避的複數次退避動作。複數次退避動作,亦可各自包含令噴嘴42上升的步驟,以及在上升後令噴嘴42停止的步驟。此時,藉由實行複數次退避動作,便可將附著於噴嘴42的端面42a的顯影液除去,並可降低在令噴嘴42退避到工作件W之外時顯影液從端面42a滴落的可能性。
當光阻膜形成用的處理液為中等粘度以上的光阻液時,在膜厚分布中,中央部位比外周部位更加***的傾向會變大。另外,當使用中等粘度以上的光阻液時,光阻膜的厚度會變厚(例如在5μm以上)。在第2顯影處理中,係一邊令工作件W旋轉,一邊噴吐顯影液,故不僅工作件W的中央部位,亦可促進在外周部位的顯影。因此,即使為僅靠第3顯影處理並無法充分顯影的程度的膜厚,藉由亦實行第2顯影處理,便可促進膜層整體的顯影。因此,上述基板處理方法以及塗布顯影裝置2,在使用中等粘度以上的光阻液的態樣中,更有其效用。
1:基板處理系統 2:塗布顯影裝置 3:曝光裝置 4:載體區塊 5:處理區塊 6:介面區塊 11~14:處理模組 30:旋轉保持部 32:保持部 34:旋轉驅動部 40:顯影液供給部 42:噴嘴 42a:端面 42b:噴吐口 44:儲槽 46:泵 48:閥門 52:噴嘴驅動部 54:管路 60:沖洗液供給部 62:噴嘴 64:儲槽 66:泵 68:閥門 72:噴嘴驅動部 74:管路 100:控制裝置 102:預濕控制部 104:第1顯影控制部 106:第2顯影控制部 112:第1沖洗控制部 114:第3顯影控制部 116:第2沖洗控制部 117:噴嘴切換控制部 118:甩除控制部 120:電路 122:處理器 124:記憶體 126:儲存器 128:輸入輸出埠 132:計時器 A1,A3,A7,A8:搬運裝置 Ax:旋轉軸 C:載體 DF:液層 RF:液膜 S01~S06,S11~S16,S21~S29,S31~S35,S41~S47,S51~S58,S71~S76:步驟 U1:塗布單元 U10,U11:棚台單元 U2:熱處理單元 U3:顯影單元 U4:熱處理單元 W:工作件 Wa:表面 Wb:外周
[圖1] 係以示意方式表示基板處理系統的一例的立體圖。 [圖2] 係以示意方式表示塗布顯影裝置的一例的側視圖。 [圖3] 係表示顯影單元的一例的示意圖。 [圖4] 係表示噴吐顯影液的噴嘴的一例的立體圖。 [圖5] 係表示控制裝置的功能構造的一例的方塊圖。 [圖6] 係表示控制裝置的硬體構造的一例的方塊圖。 [圖7] 係表示圖案形成處理的一例的流程圖。 [圖8] 係表示包含預濕處理在內的一連串處理的一例的流程圖。 [圖9] 係用以說明預濕處理的一例的示意圖。 [圖10] 係表示包含第1顯影處理在內的一連串處理的一例的流程圖。 [圖11] (a)~(d)係用以說明第1顯影處理的一例的示意圖。 [圖12] 係表示包含第2顯影處理在內的一連串處理的一例的流程圖。 [圖13] 係用以說明第2顯影處理的一例的示意圖。 [圖14] 係表示包含第1沖洗處理在內的一連串處理的一例的流程圖。 [圖15](a)~(c)係用以說明第1沖洗處理的一例的示意圖。 [圖16] 係表示包含第3顯影處理在內的一連串處理的一例的流程圖。 [圖17] 係用以說明第3顯影處理的一例的示意圖。 [圖18] 係表示包含第2顯影處理在內的一連串處理的一例的流程圖。
30:旋轉保持部
40:顯影液供給部
42:噴嘴
42a:端面
42b:噴吐口
Ax:旋轉軸
DF:液層
W:工作件
Wa:表面
Wb:外周

Claims (13)

  1. 一種基板處理方法,包含以下步驟: 實行第1顯影處理,將具有一端面以及於該端面開口的噴吐口之噴嘴,以該端面與基板的表面互相對向的方式配置,且一邊令該基板旋轉,一邊以第1流量從該噴吐口噴吐顯影液,並在該狀態下,一邊令該端面與該基板的表面上的該顯影液接觸,一邊令該噴嘴移動;以及 實行第2顯影處理,在該第1顯影處理之後,一邊令該基板旋轉,一邊在與該基板的表面的中心互相對向的位置令該端面與該基板的表面上的該顯影液接觸,並在該狀態下,以比該第1流量更大的第2流量,從該噴吐口噴吐該顯影液。
  2. 如請求項1之基板處理方法,其中, 該第1顯影處理,包含以下步驟:一邊令該基板旋轉,一邊以該第1流量從該噴吐口噴吐該顯影液,並在該狀態下,一邊令該端面與該基板的表面上的該顯影液接觸,一邊令該噴嘴從該基板的外周向該基板的中心移動; 於因為該第1顯影處理而該噴嘴配置在與該基板的表面的中心互相對向的位置的狀態下,令從該噴吐口噴吐的該顯影液的噴吐流量,從該第1流量增加到該第2流量,以開始該第2顯影處理。
  3. 如請求項2之基板處理方法,其中, 該第1顯影處理,更包含以下步驟:在令以該第1流量噴吐該顯影液的該噴嘴從該基板的外周向該基板的中心移動之前,先一邊令該基板旋轉,一邊以該第1流量從該噴吐口噴吐該顯影液,並在該狀態下,一邊令該端面與該基板的表面上的該顯影液接觸,一邊令該噴嘴從該基板的中心向該基板的外周移動。
  4. 如請求項1之基板處理方法,其中, 將從該噴吐口噴吐的該顯影液的噴吐流量比該第2流量更小的期間夾在中間,而間歇性地實行該第2顯影處理。
  5. 如請求項4之基板處理方法,其中, 該第2顯影處理中的該基板的旋轉速度,比在間歇性地實行的該第2顯影處理之間令該顯影液的噴吐流量比該第2流量更小的期間的該基板的旋轉速度更大。
  6. 如請求項1之基板處理方法,其中, 在該第2顯影處理中令該基板旋轉的步驟,包含:令該基板往一方向旋轉的步驟,以及令該基板往與該一方向相反的方向旋轉的步驟。
  7. 如請求項1至6項中任一項之基板處理方法,其中, 更包含以下步驟:在該第2顯影處理之後,停止從該噴吐口噴吐該顯影液,並在該狀態下,令該基板旋轉,以將該基板的表面上的該顯影液甩到該基板之外。
  8. 如請求項1至6項中任一項之基板處理方法,其中, 更包含以下步驟: 在該第2顯影處理之後,一邊令該基板旋轉,一邊對該基板的表面供給沖洗液;以及 實行第3顯影處理,其在該沖洗液供給後,從該噴嘴對該基板的表面供給該顯影液以形成該顯影液的液層,並將該顯影液的液層保持在該基板的表面上。
  9. 如請求項8之基板處理方法,其中, 該供給沖洗液的步驟,包含從另外的噴嘴向該基板的表面以在該第2流量以上的第3流量噴吐該沖洗液的步驟。
  10. 如請求項8之基板處理方法,其中, 供給該沖洗液時的該基板的旋轉速度,為該第2顯影處理時的該基板的旋轉速度以上。
  11. 如請求項1至6項中任一項之基板處理方法,其中, 更包含以下步驟:在該第2顯影處理之後,停止噴吐該顯影液,並在該狀態下,實行用以令該噴嘴退避的複數次退避動作; 該複數次退避動作,各自包含:令該噴嘴上升的步驟,以及在上升後令該噴嘴停止的步驟。
  12. 一種電腦可讀取記錄媒體,其中: 記憶了用以令裝置實行請求項1所記載的基板處理方法的程式。
  13. 一種基板處理裝置,包含: 旋轉保持部,保持基板並令該基板旋轉; 液體供給部,包含:噴嘴,具有與該旋轉保持部所保持的該基板的表面互相對向的端面以及於該端面開口並噴吐顯影液的噴吐口;以及驅動部,令該噴嘴沿著該基板的表面移動;以及 控制部,控制該旋轉保持部以及該液體供給部; 該控制部,依序實行: 第1顯影處理,一邊利用該旋轉保持部令該基板旋轉,一邊以第1流量從該噴吐口噴吐該顯影液,並在該狀態下,一邊令該端面與該基板的表面上的該顯影液接觸,一邊利用該驅動部令該噴嘴移動;以及 第2顯影處理,在該第1顯影處理之後,一邊利用該旋轉保持部令該基板旋轉,一邊在與該基板的表面的中心互相對向的位置令該端面與該基板的表面上的該顯影液接觸,並在該狀態下,以比該第1流量更大的第2流量,從該噴吐口噴吐該顯影液。
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