TW202144326A - 用於電子裝置之化合物 - Google Patents

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泰瑞莎 穆吉卡佛南
瑞秋 塔分
法蘭克 佛格
安瑪 帕姆
亞歷山大 康利
安東尼 索拉
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Abstract

本發明係關於式(I)之化合物、關於其在電子裝置中之用途、關於用於製備該化合物之方法、以及包含該化合物之電子裝置。

Description

用於電子裝置之化合物
本申請案係關於螺聯茀衍生物，其中苯環之一或多者已被交換為雜芳基環。該等化合物適用於電子裝置。
在本申請案的上下文中，電子裝置係理解為意指所謂的有機電子裝置，其含有有機半導體材料作為功能性材料。更特別地，這些應理解為意指OLED(有機電致發光裝置)。用語OLED係理解為意指具有一或多層並在施加電壓時發光之電子裝置，該(等)層包含有機化合物。OLED的構造及功能的一般原理係所屬技術領域中具有通常知識者已知的。
在電子裝置(尤其是OLED)中，令人非常感興趣的是改善性能數據。在這些態樣中，尚未找到任何完全令人滿意的解決方案。
發射層及具有電洞傳輸功能的層對電子裝置的性能數據有很大的影響。亦正在尋求在這些層中使用的新穎化合物，尤其是電洞傳輸化合物以及可當作發光層中的電洞傳輸基質材料，尤其是用於磷光發射體者的化合物。為此目的，尤其是尋找具有高玻璃轉移溫度、高穩定性及高電洞導電性的化合物。化合物的高穩定性係獲得電子裝置長壽命的先決條件。
在先前技術中，三芳基胺化合物(諸如螺聯茀胺及茀胺)特別已知作為電子裝置之電洞傳輸材料及電洞傳輸基質材料。
然而，仍然需要適用於電子裝置的替代化合物，尤其是具有一或多種上述有利性質的化合物。當將這些化合物用於電子裝置中時，尤其是在關於壽命、操作電壓及設備效率方面，仍然需要改善所獲得的性能數據。
現已發現，其中一或多個苯環已經雜芳基環交換之特定螺聯茀衍生物非常適合用於電子裝置。彼等尤其適合用於OLED中，且甚至更特別地在OLED中用作電洞傳輸材料及用作電洞傳輸基質材料，尤其是用於磷光發射體者。所發現的化合物得到裝置的高壽命、高效率及低操作電壓。進一步較佳地，所發現的化合物具有高玻璃轉移溫度、高穩定性及高電洞導電性。
本申請案因此提供下式(I)之化合物：
Figure 02_image001
其中單元R在各情況下係相同或不同，且係選自式(R-1)至(R-3)之單元：
Figure 02_image003
且其中： 式(R-1)至(R-3)之單元係經由*所標示之位置各自鍵結至式(I)之其餘部分； 式(I)中至少一個單元R係選自式(R-2)及(R-3)之單元； X在各情況下係相同或不同，且係選自O、S及NAr0 ； Z在各情況下係相同或不同，且係選自N及CR1 ； Ar0 在各情況下係相同或不同，且係選自具有6至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之雜芳族環系統； Ar1 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R2 、CN、Si(R2 )3 、P(=O)(R2 )2 、OR2 、S(=O)R2 、S(=O)2 R2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經一或多個R2 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經-R2 C=CR2 -、-C≡C-、Si(R2 )2 、C=O、C=NR2 、 -C(=O)O-、-C(=O)NR2 -、NR2 、P(=O)(R2 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； R1 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R1 基團可彼此連接且可形成脂族或雜脂族環；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經-R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、 -C(=O)O-、-C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； R2 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R2 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-C(=O)O-、-C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； R5 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R6 、CN、Si(R6 )3 、N(R6 )2 、P(=O)(R6 )2 、OR6 、S(=O)R6 、S(=O)2 R6 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R5 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經R6 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R6 C=CR6 -、-C≡C-、Si(R6 )2 、C=O、C=NR6 、-C(=O)O-、-C(=O)NR6 -、NR6 、P(=O)(R6 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； R6 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R6 基團可彼此連接且可形成環；且其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基、芳族環系統及雜芳族環系統可經一或多個選自F及CN之基團取代；及 至少一個符合式(A)之A基團係與至少一個單元R鍵結，其係直接鍵結至單元R的環或者鍵結至Ar0 或Ar1 基團：
Figure 02_image005
其中： ArL 在各情況下係相同或不同，且係選自具有6至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之雜芳族環系統； Ar2 在各情況下係相同或不同，且係選自芳族環系統(其具有6至40個芳族環原子且係經R3 基團取代)及雜芳族環系統(其具有5至40個芳族環原子且係經R3 基團取代)； E在各情況下係相同或不同，且係單鍵或選自C(R4 )2 、Si(R4 )2 、N(R4 )、O、及S之二價基團； R3 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R3 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經-R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、 -C(=O)O-、-C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； R4 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R4 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經-R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、 -C(=O)O-、-C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； k係0或1，其中在k=0的情況下，ArL 基團不存在，並且式(A)之基團的氮原子構成附接位置，且同時n=0；及 m係0或1，其中，在m=0的情況下，所討論的E基團不存在，並且Ar2 基團彼此不鍵結； n係0或1，其中，在n=0的情況下，所討論的E基團不存在，並且ArL 及Ar2 基團彼此不鍵結。
當A基團鍵結至單元R時，此意指R1 或R2 基團在所討論的位置上沒有鍵結，使得該位置對於至A基團的鍵結係自由的。
下列定義適用於本申請案中所使用的化學基團。除非給出任何更具體的定義，否則彼等均適用。
在本發明的上下文中，芳基係理解為意指單一芳族環(即苯)、或稠合芳族多環(例如萘、菲或蒽)。在本申請案的上下文中，稠合芳族多環係由二或更多個彼此稠合的單一芳族環組成。環之間的稠合在此係理解為意指環彼此共享至少一個邊。在本發明的上下文中，芳基含有6至40個芳族環原子。此外，芳基不含有任何雜原子作為芳族環原子，而是只含有碳原子。
在本發明的上下文中，雜芳基係理解為意指單一雜芳族環(例如吡啶、嘧啶或噻吩)、或稠合雜芳族多環(例如喹啉或咔唑)。在本申請案的上下文中，稠合雜芳族多環係由二或更多個彼此稠合的單一芳族或雜芳族環組成，其中芳族及雜芳族環中之至少一者係雜芳族環。環之間的稠合在此係理解為意指環彼此共享至少一個邊。在本發明的上下文中，雜芳基含有5至40個芳族環原子，其中至少一者係雜原子。雜芳基之雜原子較佳係選自N、O及S。
各自可經上述基團取代之芳基或雜芳基尤其應理解為意指衍生自下列中之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、
Figure 109134710-12-01
、苝、聯伸三苯、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并蒽、苯并菲、稠四苯、稠五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶(acridine)、啡啶(phenanthridine)、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
(phenothiazine)、啡㗁
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
(phenoxazine)、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑、蒽并㗁唑、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2‑噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、苯并嗒
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉(quinoxaline)、吡
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、啡
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、
Figure 109134440-A0304-12-0015-2
啶(naphthyridine)、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉(phenanthroline)、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-㗁二唑、1,2,4‑㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、1,2,4-三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、1,2,3-三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、四唑、1,2,4,5-四
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、1,2,3,4-四
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、1,2,3,5-四
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、嘌呤、喋啶、吲
Figure 109134440-A0101-12-0029-1
(indolizine)及苯并噻二唑。
在本發明的上下文中，芳族環系統係不一定僅含有芳基、而是可額外地含有一或多個與至少一個芳基稠合的非芳族環之系統。此等非芳族環僅含有碳原子作為環原子。由此定義所涵蓋的基團之實例係四氫萘、茀及螺聯茀。此外，用語「芳族環系統」包括由二或更多個經由單鍵彼此連接之芳族環系統所組成的系統，例如聯苯、聯三苯、7-苯基-2-茀基、聯四苯及3,5-二苯基-1-苯基。在本發明的上下文中，芳族環系統含有6至40個碳原子且在該環系統中不含雜原子。「芳族環系統」之定義不包括雜芳基。
雜芳族環系統符合芳族環系統之上述定義，不同之處在於雜芳族環系統必須含有至少一個雜原子作為環原子。與芳族環系統的情況一樣，雜芳族環系統不必僅含有芳基及雜芳基，而是可額外地含有一或多個與至少一個芳基或雜芳基稠合的非芳族環。非芳族環可僅含有碳原子作為環原子，或者彼等可額外地含有一或多個雜原子，其中雜原子較佳係選自N、O及S。此類雜芳族環系統之一個實例係苯并哌喃基。此外，用語「雜芳族環系統」係理解為意指由二或更多個經由單鍵彼此鍵結之芳族或雜芳族環系統所組成的系統，例如4,6-二苯基-2-三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
基。在本發明的上下文中，雜芳族環系統含有5至40個選自碳及雜原子之環原子，其中該等環原子之至少一者係雜原子。雜芳族環系統之雜原子較佳係選自N、O及S。
因此，本申請案中所定義的用語「雜芳族環系統」及「芳族環系統」彼此不同之處在於，芳族環系統不能具有雜原子作為環原子，而雜芳族環系統必須具有至少一個雜原子作為環原子。該雜原子可存在作為非芳族雜環之環原子或作為芳族雜環之環原子。
根據上述定義，任何芳基均被用語「芳族環系統」所涵蓋，並且任何雜芳基均被用語「雜芳族環系統」所涵蓋。
具有6至40個芳族環原子之芳族環系統或具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統尤其是理解為意指衍生自上述在芳基及雜芳基下之基團，且衍生自聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、茚并茀、參茚并苯(truxene)、異參茚并苯、螺參茚并苯、螺異參茚并苯、茚并咔唑、或衍生自這些基團之組合。
在本發明的上下文中，具有1至20個碳原子之直鏈烷基、及具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基及具有2至40個碳原子之烯基或炔基(其中個別氫原子或CH2 基團亦可經在上述基團之定義中提及之基團取代)較佳係理解為意指甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。
具有1至20個碳原子之烷氧基或烷硫基(其中個別氫原子或CH2 基團亦可經在上述基團之定義中提及之基團取代)較佳係理解為意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。
在本申請案的上下文中，二或更多個基團可一起形成環之措辭尤其應理解為意指二個基團係藉由化學鍵彼此連接。然而，此外，上述措辭亦應理解為意指若二個基團中之一者係氫，則第二個基團結合至氫原子鍵結的位置而形成環。
在本發明之較佳實施例中，式(I)中恰好一個或恰好二個單元R係選自式(R-2)及(R-3)之單元，而其他單元R符合式(R-1)。更佳地，式(I)中恰好一個單元R係選自式(R-2)及(R-3)之單元，而其餘三個單元R符合式(R-1)。
在本發明之較佳實施例中，式(I)中恰好一個或恰好二個單元R符合式(R-2)，而其他單元R符合式(R-1)。更佳地，式(I)中恰好一個單元R符合式(R-2)，而其餘三個單元R符合式(R-1)。
X在各情況下較佳係相同或不同，且係選自O及S；更佳地，X係S。
在式(R-1)之單元中，較佳地不多於三個Z基團、更佳地不多於二個Z基團、甚至更佳地不多於一個Z基團、最佳地沒有Z基團係N。其餘基團對應地係CR1 。另外較佳地，一個環中沒有相鄰Z基團係N。又進一步較佳地，任何式(I)中不多於3個Z基團係N；更佳地，任何式(I)中不多於2個Z基團係N；甚至更佳地，任何式(I)中不多於一個Z基團係N；最佳地，沒有Z基團係N。
Ar0 在各情況下較佳係相同或不同，且係選自具有6至40個芳族環原子且係各自經R2 基團取代之芳族環系統。更佳地，Ar0 在各情況下係相同或不同，且係選自苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基及9,9'-二苯基茀基)、苯并茀基、螺聯茀基、茚并茀基、茚并咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并稠合的二苯并呋喃基、苯并稠合的二苯并噻吩基、經萘基取代的苯基、經茀基取代的苯基、經螺聯茀基取代的苯基、經二苯并呋喃基取代的苯基、經二苯并噻吩基取代的苯基、經咔唑基取代的苯基、經吡啶基取代的苯基、經嘧啶基取代的苯基、及經三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
基取代的苯基，其中所述基團係各自經R2 基團取代。非常特佳者係苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基及9,9'-二苯基茀基)、經萘基取代的苯基、經茀基取代的苯基、經螺聯茀基取代的苯基、經二苯并呋喃基取代的苯基、經二苯并噻吩基取代的苯基、經咔唑基取代的苯基、經吡啶基取代的苯基、經嘧啶基取代的苯基、及經三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
基取代的苯基，其中所述基團係各自經R2 基團取代。最佳地，Ar0 係經R2 基團取代的苯基，其中R2 較佳係H。
當A基團鍵結至Ar1 基團時，所討論的Ar1 基團較佳係選自具有6至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之雜芳族環系統；更佳地係選自具有6至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之芳族環系統；甚至更佳地係選自苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基及9,9'-二苯基茀基)、苯并茀基、螺聯茀基、茚并茀基、茚并咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并稠合的二苯并呋喃基、苯并稠合的二苯并噻吩基、經萘基取代的苯基、經茀基取代的苯基、經螺聯茀基取代的苯基、經二苯并呋喃基取代的苯基、經二苯并噻吩基取代的苯基、經咔唑基取代的苯基、經吡啶基取代的苯基、經嘧啶基取代的苯基、及經三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
基取代的苯基，其中所述基團係各自經R2 取代；甚至更佳地係選自苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基及9,9'-二苯基茀基)、經萘基取代的苯基、經茀基取代的苯基、經螺聯茀基取代的苯基、經二苯并呋喃基取代的苯基、經二苯并噻吩基取代的苯基、經咔唑基取代的苯基、經吡啶基取代的苯基、經嘧啶基取代的苯基、及經三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
基取代的苯基，其中所述基團係各自經R2 取代；最佳地係選自經R2 基團取代的苯基，其中R2 較佳係H。
Ar1 在各情況下較佳係相同或不同，且係選自H、D、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、烷氧基、芳族環系統及雜芳族環系統係各自經一或多個R2 基團取代。Ar1 在各情況下更佳係相同或不同，且係選自具有6至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之芳族環系統。特佳地，Ar1 在各情況下係相同或不同，且係選自苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基及9,9'-二苯基茀基)、苯并茀基、螺聯茀基、茚并茀基、茚并咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并稠合的二苯并呋喃基、苯并稠合的二苯并噻吩基、經萘基取代的苯基、經茀基取代的苯基、經螺聯茀基取代的苯基、經二苯并呋喃基取代的苯基、經二苯并噻吩基取代的苯基、經咔唑基取代的苯基、經吡啶基取代的苯基、經嘧啶基取代的苯基、及經三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
基取代的苯基，其中所述基團係各自經R2 基團取代。甚至更佳者係苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基及9,9'-二苯基茀基)、經萘基取代的苯基、經茀基取代的苯基、經螺聯茀基取代的苯基、經二苯并呋喃基取代的苯基、經二苯并噻吩基取代的苯基、經咔唑基取代的苯基、經吡啶基取代的苯基、經嘧啶基取代的苯基、及經三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
基取代的苯基，其中所述基團係各自經R2 基團取代。最佳地，Ar1 係經R2 基團取代的苯基，其中R2 較佳係H。
R1 在各情況下較佳係相同或不同，且係選自H、D、F、CN、Si(R5 )3 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中所述烷基及烷氧基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基或烷氧基中之一或多個CH2 基團可經 -C≡C-、-R5 C=CR5 -、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-NR5 -、 -O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR5 -置換。更佳地，R1 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、Si(R5 )3 、具有1至20個碳原子且可經氘化之直鏈烷基、具有3至20個碳原子且可經氘化之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子且可經氘化之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子且可經氘化之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團(其較佳係H)取代。甚至更佳地，R1 係H。
下表中顯示較佳的R1 基團：
Figure 02_image007
Figure 02_image009
Figure 02_image011
Figure 02_image013
Figure 02_image015
Figure 02_image017
Figure 02_image019
Figure 02_image021
Figure 02_image023
Figure 02_image025
Figure 02_image027
特佳者在此係R1 -1、R1 -2、R1 -143、R1 -148、R1 -149及R1 -177基團。
R2 在各情況下較佳係相同或不同，且係選自H、D、F、CN、Si(R5 )3 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中所述烷基及烷氧基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基或烷氧基中之一或多個CH2 基團可經 -C≡C-、-R5 C=CR5 -、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-NR5 -、 -O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR5 -置換。更佳地，R2 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、Si(R5 )3 、具有1至20個碳原子且可經氘化之直鏈烷基、具有3至20個碳原子且可經氘化之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子且可經氘化之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且可經氘化之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團(其較佳係H)取代。甚至更佳地，R2 係H。
較佳地，僅一或二個A基團存在於式(I)中；更佳地，僅一個A基團存在於式(I)中。
當二個A基團存在於式(I)中時，彼等較佳係鍵結至二個不同的單元R。
ArL 在各情況下較佳係相同或不同，且係選自具有6至20個芳族環原子且係經R2 基團取代之芳族環系統、及具有5至20個芳族環原子且係經R2 基團取代之雜芳族環系統。特佳地，ArL 基團在各情況下係相同或不同，且係選自衍生自下列中之二價基團：苯、聯苯、聯三苯、萘、茀、茚并茀、茚并咔唑、螺聯茀、二苯并呋喃、二苯并噻吩、及咔唑，其各者係經R2 基團取代。甚至更佳地，ArL 係衍生自苯、聯苯或萘之二價基團，其各者係經一或多個R2 基團取代，其中該R2 基團在此情況下較佳係H。
較佳地，k係0。
在k=1的情況下，較佳的-(ArL )k -基團符合下列式：
Figure 02_image029
Figure 02_image031
Figure 02_image033
Figure 02_image035
Figure 02_image037
Figure 02_image039
其中虛線表示至該式(I)其餘部分之鍵，且其中顯示為未取代的位置上之基團係各自經R2 基團取代，其中這些位置上的R2 基團較佳係H。在上述式中，特佳者係式(ArL -1)、(ArL -2)、(ArL -3)、(ArL -4)、(ArL -15)、(ArL -20)、(ArL -25)、(ArL -36)。
較佳地，Ar2 在各情況下係相同或不同，且係選自衍生自下列中之單價基團：苯、聯苯、聯三苯、聯四苯、萘、茀(尤其是9,9'-二甲基茀及9,9'-二苯基茀)、9-矽茀(尤其是9,9'-二甲基-9-矽茀及9,9'-二苯基-9-矽茀)、苯并茀、螺聯茀、茚并茀、茚并咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、苯并咔唑、咔唑、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、喹啉、吡啶、嘧啶、吡
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、嗒
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
及三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
，其中該等單價基團係各自經一或多個R3 基團取代。替代地，該Ar2 基團在各情況下係相同或不同，且較佳地可選自衍生自下列中之基團的組合：苯、聯苯、聯三苯、聯四苯、萘、茀(尤其是9,9'-二甲基茀及9,9'-二苯基茀)、9-矽茀(尤其是9,9'-二甲基-9-矽茀及9,9'-二苯基-9-矽茀)、苯并茀、螺聯茀、茚并茀、茚并咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、喹啉、吡啶、嘧啶、吡
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、嗒
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
及三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
，其中該等基團係各自經一或多個R3 基團取代。
在較佳實施例中，Ar2 基團係完全氘化或部分氘化。
特佳地，Ar2 基團在各情況下係相同或不同，且係選自苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基及9,9'-二苯基茀基)、苯并茀基、螺聯茀基、茚并茀基、茚并咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并稠合的二苯并呋喃基、苯并稠合的二苯并噻吩基、經萘基取代的苯基、經茀基取代的苯基、經螺聯茀基取代的苯基、經二苯并呋喃基取代的苯基、經二苯并噻吩基取代的苯基、經咔唑基取代的苯基、經吡啶基取代的苯基、經嘧啶基取代的苯基、及經三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
基取代的苯基，其中所述基團係各自經R3 基團取代。
特佳的Ar2 基團係相同或不同，且係選自下列式：
Figure 02_image041
Figure 02_image043
Figure 02_image045
Figure 02_image047
Figure 02_image049
Figure 02_image051
Figure 02_image053
Figure 02_image055
Figure 02_image057
Figure 02_image059
Figure 02_image061
Figure 02_image063
Figure 02_image065
Figure 02_image067
Figure 02_image069
Figure 02_image071
Figure 02_image073
Figure 02_image075
Figure 02_image077
其中在顯示為未經取代的位置上之基團係經R3 基團取代，其中這些位置上之R3 較佳係H，且其中虛線鍵係至胺氮原子之鍵。
最佳地，Ar2 在各情況下係相同或不同，且係選自式Ar-1、Ar-2、Ar-3、Ar-4、Ar-5、Ar-48、Ar-50、Ar-74、Ar-78、Ar-82、Ar-107、Ar-108、Ar-117、Ar-134、Ar-139及Ar-172。
在較佳實施例中，式(A)中所選的二個Ar2 基團係不同的。
E較佳係單鍵。
較佳地，標號m及n之總和係0或1，更佳係0。較佳地，n=0，使得所討論的E基團不存在。較佳地，m係0，使得所討論的E基團不存在。
在替代性較佳實施例中，m=1且n=0。在此情況下，較佳地，式(A)之次單元
Figure 02_image079
係選自下列式：
Figure 02_image081
Figure 02_image083
Figure 02_image085
其等在環上之未經佔據位置係經R3 基團取代，其中這些R3 基團較佳係H。
在替代性較佳實施例中，n=1且m=0。在此情況下，較佳地，式(A)之單元
Figure 02_image087
係選自下列式：
Figure 02_image089
其等在環上之未經佔據位置係經R3 基團取代，其中這些R3 基團較佳係H。
較佳地，R3 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中所述烷基及烷氧基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基或烷氧基中之一或多個CH2 基團可經-C≡C-、R5 C=CR5 -、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-NR5 -、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR5 -置換。更佳地，R3 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、Si(R5 )3 、具有1至20個碳原子且可經氘化之直鏈烷基、具有3至20個碳原子且可經氘化之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子且可經氘化之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且可經氘化之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團(其較佳係H)取代。甚至更佳地，R3 係H。
較佳地，R4 在各情況下較佳係相同或不同，且係選自H、D、F、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中所述烷基及烷氧基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基或烷氧基中之一或多個CH2 基團可經-C≡C-、R5 C=CR5 -、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-NR5 -、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR5 -置換。更佳地，R4 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、Si(R5 )3 、具有1至20個碳原子且可經氘化之直鏈烷基、具有3至20個碳原子且可經氘化之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子且可經氘化之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且可經氘化之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團(其較佳係H)取代。甚至更佳地，R4 係H。
較佳地，R5 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、CN、Si(R6 )3 、N(R6 )2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中所述烷基及烷氧基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R6 基團取代；且其中在所述烷基或烷氧基中之一或多個CH2 基團可經-C≡C-、-R6 C=CR6 -、Si(R6 )2 、C=O、C=NR6 、-NR6 -、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR6 -置換。更佳地，R5 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、Si(R6 )3 、具有1至20個碳原子且可經氘化之直鏈烷基、具有3至20個碳原子且可經氘化之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子且可經氘化之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且可經氘化之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R6 基團(其較佳係H)取代。甚至更佳地，R5 係H。
式(I)之較佳實施例符合式(I-A)至(I-D)：
Figure 02_image091
Figure 02_image093
其中變數係如上所定義，且A基團係直接鍵結至單元R之環或鍵結至與環中之一者鍵結的Ar1 基團或鍵結至為X=NAr0 基團之一部分的Ar0 基團。較佳者在此係式(I-A)。進一步較佳地，A基團係鍵結至與環中之一者鍵結的Ar1 基團或鍵結至為X=NAr0 基團之一部分的Ar0 基團。
當A基團鍵結至單元(R-1)時，較佳係鍵結至對應於螺聯茀上1、2或4位置之位置，較佳係2或4位置。位置1、2及4係螺聯茀基本骨架上之下列位置：
Figure 02_image095
因此式(I)之較佳實施例符合下列式(I-a)至(I-f)中之一者：
Figure 02_image097
其中單元R係選自式(R-2)及(R-3)，較佳係(R-2)，並且其中R1 基團鍵結至環上所有未經佔據位置。
進一步較佳地，式(I)之化合物符合下列式(I-1)至(I-11)中之一者：
Figure 02_image099
Figure 02_image101
Figure 02_image103
其中變數係如上所定義，且其中至少一個A基團係直接鍵結至環中之一者或鍵結至與環中之一者鍵結的Ar1 基團或鍵結至為X=NAr0 基團之一部分的Ar0 基團。每個式較佳地恰有一個A基團鍵結。進一步較佳地，至少一個A基團係鍵結至與環中之一者鍵結的Ar1 基團或鍵結至為X=NAr0 基團之一部分的Ar0 基團。上述式中之X較佳係S或O，更佳係S。在上述式中，較佳者係式(I-1)至(I-5)，特佳者係式(I-1)至(I-3)，並且非常特佳者係式(I-1)。
式(I-1)至(I-4)之較佳實施例符合下列所示之式：
Figure 02_image105
Figure 02_image107
Figure 02_image109
Figure 02_image111
Figure 02_image113
Figure 02_image115
Figure 02_image117
Figure 02_image119
Figure 02_image121
Figure 02_image123
其中變數具有上文所給的定義。
上述式中之Ar0 較佳係經R2 取代的苯基，其中R2 在這些情況下較佳係H。上述式中之Ar1 較佳係經R2 取代的苯基，其中R2 在這些情況下較佳係H。
在上述式中，較佳者係式(I-1S-1)至(I-3S-4)、(I-1O-1)至(I-3O-4)及(I-1N-1)至(I-3N-5)。在上述式中，進一步較佳者係式(I-1S-1)至(I-4S-3)及(I-1O-1)至(I-4O-3)。較佳者係式(I-1S-1)至(I-3S-4)及(I-1O-1)至(I-3O-4)。
進一步較佳者係式(I-1S-1)至(I-1S-4)、(I-1O-1)至(I-1O-4)及(I-1N-1)至(I-1N-5)。其中，特佳者係式(I-1S-1)至(I-1S-4)及(I-1O-1)至(I-1O-4)。
進一步較佳者係式(1-1S-1)、(I-1S-2)、(I-2S-1)、(I-2S-2)、(I-3S-1)、(I-3S-2)、(1-1O-1)、(I-1O-2)、(I-2O-1)、(I-2O-2)、(I-3O-1)、(I-3O-2)、(1-1N-1)至(I-1N-3)、(I-2N-1)至(I-2N-3)、及(I-3N-1)至(I-3N-3)。
式(I-1S-3)、(I-1S-4)、(I-2S-3)、(I-2S-4)、(I-3S-3)、(I-3S-4)之較佳實施例係下列式：
Figure 02_image125
Figure 02_image127
Figure 02_image129
Figure 02_image131
Figure 02_image133
其中出現的變數係如上文所定義且較佳地符合較佳實施例，並且其中苯環上之未經佔據位置係各自經R1 基團(其較佳係H)取代。
式(I-1O-3)、(I-1O-4)、(I-2O-3)、(I-2O-4)、(I-3O-3)、(I-3O-4)之較佳實施例係下列式：
Figure 02_image135
Figure 02_image137
Figure 02_image139
Figure 02_image141
其中出現的變數係如上文所定義且較佳地符合較佳實施例，並且其中苯環上之未經佔據位置係各自經R1 基團(其較佳係H)取代。
在上述式中，特佳者係式(I-1S-3-1)、(I-1S-3-2)、(I-1S-3-3)、(I-1S-4-1)、(I-1S-4-2)、(I-1S-4-3)、(I-1O-3-1)、(I-1O-3-2)、(I-1O-3-3)、(I-1O-4-1)、(I-1O-4-2)及(I-1O-4-3)，非常特佳者係(I-1S-3-1)、(I-1S-3-2)、(I-1S-3-3)、(I-1S-4-1)、(I-1S-4-2)及(I-1S-4-3)。
最佳地，式(I)之化合物符合式(I-1S-1)、(I-1S-2)、(I-1S-3-1)、(I-1S-3-2)、(I-1S-3-3)、(I-1S-4-1)、(I-1S-4-2)、(I-1S-4-3)、(I-1O-1)、(I-1O-2)、(I-1O-3-1)、(I-1O-3-2)、(I-1O-3-3)、(I-1O-4-1)、(I-1O-4-2)及(I-1O-4-3)中之一者，其中變數在這些情況下較佳地符合以上所指明之較佳實施例。在這些情況下，Ar1 尤佳係經R2 基團(其係H)取代之苯基。
式(I)之較佳化合物係下列化合物：
Figure 02_image143
Figure 02_image145
Figure 02_image147
Figure 02_image149
Figure 02_image151
Figure 02_image153
Figure 02_image155
Figure 02_image157
Figure 02_image159
Figure 02_image161
Figure 02_image163
Figure 02_image165
Figure 02_image167
Figure 02_image169
這包括以上所示之化合物的對應構型異構物、尤其是非鏡像異構物或鏡像異構物之揭露。
式(I)之化合物可藉由所屬技術領域中具有通常知識者已知的有機化學合成步驟來製備，例如藉由金屬化、將親核試劑加成到羰基上、Suzuki反應及Hartwig-Buchwald反應。
以下顯示用於製備式(I)之化合物的較佳方法。應以說明性而非限制性方式理解該方法。如果這在技術上是有利的，則所屬技術領域中具有通常知識者將能夠脫離所示的說明性方法並在其通常領域知識的範疇內進行改變，以便得到式(I)之化合物。
在第一步驟中，由式(Int-1)之經羧酸酯取代的噻吩、呋喃或吡咯化合物開始，藉由閉環來製備式(Int-2)之中間體。可在芳基化反應中將其進一步轉化為式(Int-3)之中間體(方案1)。 方案1
Figure 02_image171
變數在此係如下所定義： V在各情況下係相同或不同，且係選自反應性基團，較佳係Cl、Br或I； X係如上對於式(I)所定義者： Ar在各情況下係相同或不同，且係選自具有6至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之雜芳族環系統； Hal係Cl、Br或I； R係具有1至20個碳原子的烷基、或經取代或未經取代 之具有6至40個芳環原子的芳族環系統、或經取代或未經取代之具有5至40個芳族環原子的雜芳族環系統； i係0、1或2； 其中化合物在苯環上之未經佔據位置係各自經R1 基團取代，如上對於式(I)所定義者。
如以下方案1b所示，亦可藉由與方案1所示類似的途徑製備式(Int-3)之位置異構物，其中五員雜芳族環的X基團係在相鄰位置(式(Int-3b))。 方案1b
Figure 02_image173
變數在此係如對於方案1所定義者。
如以下方案1c所示，亦可藉由與方案1所示類似的途徑製備式(Int-3)之位置異構物，其中五員雜芳族環的X基團係在相鄰位置(式(Int-3c))。 方案1c
Figure 02_image175
變數在此係如對於方案1所定義者。
在後續步驟中將式(Int-2)或(Int-3)之化合物轉化為螺聯茀衍生物(方案2)。這係藉由將鄰位金屬化雙芳基加成到式(Int-2)或(Int-3)之化合物的羰官能基上，隨後進行酸催化閉環，得到式(Int-4)及(Int-5)之化合物。 方案2
Figure 02_image177
替代地，亦可藉由使茀衍生物與鄰位金屬化雜芳基-芳基衍生物(Int-A1)反應來製備式(Int-4)之化合物(方案2-1)：
Figure 02_image179
式(Int-4)、(Int-A1)及(Int-5)之化合物中的可變基團係如上所定義，其中標號t係0或1，且較佳係1，並且其中存在至少一個標號i等於1，且其中該等式係各自在苯環之未經佔據位置處經R1 基團取代。
對於式(Int-3b)之化合物可類似地進行，得到式(Int-4b)之化合物；參見方案2b 方案2b
Figure 02_image181
其中出現的變數係如對於方案2所定義者。
替代地，亦可藉由使茀衍生物與鄰位金屬化雜芳基-芳基衍生物(Int-A2)反應來製備式(Int-4b)之化合物(方案2b-1)：
Figure 02_image183
對於式(Int-3c)之化合物可類似地進行，得到式(Int-4c)之化合物；參見方案2c 方案2c
Figure 02_image185
其中出現的變數係如對於方案2所定義者。
替代地，亦可藉由使茀衍生物與鄰位金屬化雜芳基-芳基衍生物(Int-A3)反應來製備式(Int-4c)之化合物(方案2c-1)：
Figure 02_image187
式(Int-4)、(Int-4b)、(Int-4c)及(Int-5)之化合物是製備式(I)之化合物的重要中間體，因此同樣地形成本申請案之標的的一部分。
用於反應中之鄰位金屬化雙芳基化合物可例如藉由鋰化或格任亞(Grignard)反應從對應的鄰位鹵化雙芳基來製備，如合成實例中所示。
如方案3a、3b、3c或3d所示，可經由與胺之Buchwald偶合、或經由與經胺基取代的芳基或雜芳基化合物之Suzuki偶合，將式(Int-4)或(Int-4b)或(Int-4c)或(Int-5)之中間體進行轉化。這得到式(I)之化合物。 方案3a
Figure 02_image189
方案3b
Figure 02_image191
方案3c
Figure 02_image193
方案3d
Figure 02_image195
變數在此係如上所定義，存在至少一個等於1的標號，並且A'係式(A)之單元，其中k係0，且A"係式(A)之單元，其中k係1。
因此，本申請案提供一種用於製備式(I)之化合物的方法，其特徵在於，在第一步驟中經由閉環反應，藉由酸的作用，將化合物(Int-1)轉化為化合物(Int-2)，並且進一步特徵在於，在另一步驟中，加成上鄰位金屬化雙芳基並進行另一閉環反應，形成化合物(Int-4)或(Int-5)，並且進一步特徵在於，在另一步驟中，進行Suzuki偶合或Hartwig-Buchwald偶合，給出式(I)之化合物。
在較佳實施例中，在第一步驟之後，執行過渡金屬催化的芳基化，將化合物(Int-2)轉化為化合物(Int-3)。
同樣地，本申請案提供一種用於製備式(I)之化合物的方法，其特徵在於，在第一步驟中經由閉環反應，藉由酸的作用，將化合物(Int-1b)轉化為化合物(Int-3b)或將化合物(Int-1c)轉化為化合物(Int-3c)，並且進一步特徵在於，在另一步驟中，加成上鄰位金屬化雙芳基並進行另一閉環反應，而從化合物(Int-3b)形成化合物(Int-4b)或從化合物(Int-3c)形成化合物(Int-4c)，並且進一步特徵在於，在另一步驟中，進行Suzuki偶合或Hartwig-Buchwald偶合，給出式(I)之化合物。
反應步驟在此以指定的順序進行。
同樣地，本申請案提供一種用於製備式(I)之化合物的方法，其特徵在於，在第一步驟中將鄰位金屬化雜芳基-芳基衍生物(Int-A1)、(Int-A2)或(Int-A3)與茀酮衍生物反應並進行閉環反應，形成選自式(Int-4)、(Int-4b)及(Int-4c)之化合物的化合物，並且進一步特徵在於，在另一步驟中，進行Suzuki偶合或Hartwig-Buchwald偶合，給出式(I)之化合物。
本發明之上述化合物，尤其是經反應性脫離基(諸如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯)取代的化合物，可找到作為用於生產對應的寡聚物、樹枝狀聚合物或聚合物之單體的用途。合適的反應性脫離基係例如溴、碘、氯、硼酸、硼酸酯、胺、具有末端C-C雙鍵或C-C參鍵的烯基或炔基、氧
Figure 109134440-A0101-12-0022-1
、氧呾、進入環加成(例如1,3-偶極環加成)的基團，例如二烯或疊氮化物、羧酸衍生物、醇及矽烷。
因此，本發明進一步提供寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其含有一或多種式(I)之化合物，其中至該聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於式(I)中經R1 、R2 、R3 或R4 取代之任何所欲位置處。根據式(I)之化合物的鍵聯，該化合物係寡聚物或聚合物側鏈的一部分或主鏈的一部分。在本發明的上下文中，寡聚物係理解為意指由至少三個單體單元所形成之化合物。在本發明的上下文中，聚合物係理解為意指由至少十個單體單元所形成之化合物。本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物可係共軛、部分共軛或非共軛。本發明之寡聚物或聚合物可係直鏈、支鏈或樹枝狀。在具有直鏈鍵聯的結構中，式(I)之單元可彼此直接連接，或者彼等可經由二價基團(例如，經由經取代或未經取代的伸烷基)、經由雜原子或二價芳族或雜芳族基團彼此連接。在支鏈及樹枝狀結構中，例如，三或更多個式(I)之單元可經由三價或更高價的基團(例如，經由三價或更高價的芳族或雜芳族基團)連接，以給出支鏈或樹枝狀寡聚物或聚合物。
對於寡聚物、樹枝狀聚合物及聚合物中的式(I)之重複單元，較佳者與如上針對式(I)之化合物所述者相同。
為了製備寡聚物或聚合物，將本發明之單體進行均聚合或與其他單體進行共聚合。合適且較佳的共聚單體係選自茀、螺聯茀、對伸苯基、咔唑、噻吩、二氫菲、順式及反式茚並茀、酮、菲、或者這些單元中之二或更多者。聚合物、寡聚物及樹枝狀聚合物一般還含有其他單元，例如發光(螢光或磷光)單元，例如乙烯基三芳基胺或磷光金屬錯合物、及/或電荷傳輸單元，尤其是基於三芳基胺者。
本發明之聚合物、寡聚物及樹枝狀聚合物具有有利的性質，尤其是高壽命、高效率及良好的色坐標。
本發明之聚合物及寡聚物通常係藉由一或多種單體類型的聚合來製備，其中至少一種單體導致聚合物中式(I)之重複單元。合適的聚合反應係所屬技術領域中具有通常知識者已知的且描述於文獻中。得到C-C及C-N偶合之特別合適及較佳的聚合反應如下： (A)  SUZUKI聚合； (B)  YAMAMOTO聚合； (C)  STILLE聚合；及 (D)  HARTWIG-BUCHWALD聚合。
如何藉由這些方法進行聚合以及如何接著將聚合物從反應介質中分離並純化係所屬技術領域中具有通常知識者已知的，並且在文獻中有詳細描述。
為了從液相加工(例如藉由旋塗或藉由印刷方法)本發明之化合物，需要本發明之化合物的調配物。這些調配物可係例如溶液、分散液或乳液。為此，較佳可使用二或更多種溶劑之混合物。合適且較佳的溶劑係例如甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯(mesitylene)、四氫萘、藜蘆醚(veratrol)、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二
Figure 109134440-A0304-12-0059-1
烷、苯氧基甲苯(尤其是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚(phenetol)、1,4-二異丙基苯、二苄醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷、或此等溶劑之混合物。
本發明因此進一步提供一種調配物，尤其係溶液、分散液或乳液，其包含至少一種式(I)之化合物或含有至少一種式(I)之單元之至少一種聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物以及至少一種溶劑，較佳係有機溶劑。可製備此類溶液之方式係所屬技術領域中具有通常知識者已知的。
式(I)之化合物適合用於電子裝置中，尤其是有機電致發光裝置(OLED)。取決於取代基，式(I)之化合物可用於不同的功能及層。較佳者係在電洞傳輸層中用作電洞傳輸材料及/或在發光層中用作基質材料，更佳地係與磷光發射體組合使用。
本發明因此進一步提供式(I)之化合物在電子裝置中之用途。此電子裝置較佳係選自由下列所組成之群組：有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學偵測器、有機感光器、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-雷射)及更佳地有機電致發光裝置(OLED)。
本發明進一步提供一種包含至少一種式(I)之化合物之電子裝置。此電子裝置較佳係選自上述裝置。
特佳者係包含陽極、陰極及至少一個發光層之有機電致發光裝置，其特徵在於至少一層包含至少一種式(1)之化合物的有機層存在於裝置中。較佳者係包含陽極、陰極及至少一個發光層之有機電致發光裝置，其特徵在於裝置中至少一層有機層(選自電洞傳輸層及發光層)包含至少一種式(1)之化合物。
電洞傳輸層在此係理解為意指設置在陽極與發光層之間的所有層，較佳係電洞注入層、電洞傳輸層及電子阻擋層。電洞注入層在係理解為意指直接鄰接於陽極的層。電洞傳輸層在此係理解為意指在陽極與發光層之間但不直接鄰接於陽極、且較佳地不直接鄰接於發光層的層。電子阻擋層在此係理解為意指在陽極與發光層之間且直接鄰接於發光層的層。電子阻擋層較佳地具有高能量LUMO，並因此防止電子從發光層激發。
除了陰極、陽極及發光層之外，電子裝置可包含其他層。這些在各情況下係選自例如一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、中間層、電荷產生層及/或有機或無機p/n接面。然而，應指出的是並非這些層的每一者都必須存在，並且層的選擇總是取決於所使用的化合物，並且尤其亦取決於裝置係螢光或是磷光電致發光裝置。
電子裝置中之層順序較佳係如下： -陽極- -電洞注入層- -電洞傳輸層- -隨意地其他電洞傳輸層- -發光層- -隨意地電洞阻擋層- -電子傳輸層- -電子注入層- -陰極-。
同時，在此應當再次指出，並非必須存在所有所述層及/或可額外存在其他層。
本發明之有機電致發光裝置可含有二或更多個發光層。更佳地，這些發光層總體上具有在380 nm與750 nm之間的數個發光最大值，使得總體結果發白光；換言之，在發光層中使用可發螢光或發磷光且發射藍光、綠光、黃光、橘光或紅光之各種發光化合物。特佳地係三層系統，即具有三個發光層之系統，其中三層中之一者在各情況下顯示藍色發光，三層中之一者在各情況下顯示綠色發光，且三層中之一者在各情況下顯示橘色或紅色發光。本發明之化合物在此較佳地係存在於電洞傳輸層或發光層中。應注意的是，為了產生白光，與其使用多種發射顏色的發射體化合物，單獨使用在寬波長範圍內發射的發射體化合物亦可係合適的。
較佳地，使用式(I)之化合物作為電洞傳輸材料。發光層在此可係螢光發光層，或可係磷光發光層。發光層較佳係藍色螢光層或綠色磷光層。
當含有式(I)之化合物的裝置含有磷光發光層時，較佳地該層含有二或更多種、較佳地恰好二種不同的基質材料(混合基質系統)。混合基質系統的較佳實施例在下文進一步詳細描述。
如果將式(I)之化合物用作電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中的電洞傳輸材料，則該化合物可作為純材料(亦即以100%的比例用於電洞傳輸層中)使用，或者可與一或多種其他化合物組合使用。
在較佳實施例中，包含式(I)之化合物的電洞傳輸層額外地包含一或多種其他的電洞傳輸化合物。這些其他電洞傳輸化合物較佳地選自三芳基胺化合物，更佳地選自單三芳基胺化合物。非常特佳地，彼等係選自電洞傳輸材料的較佳實施例，稍後將在下文中指出。在所述的較佳實施例中，式(I)之化合物及一或多種其他電洞傳輸化合物較佳地係各自以至少10%的比例存在，更佳地係各自以至少20%的比例存在。
在較佳實施例中，包含式(I)之化合物的電洞傳輸層額外地含有一或多種p-摻雜劑。根據本發明所使用之p-摻雜劑較佳係能夠氧化混合物中之一或多種其他化合物的那些有機電子受體化合物。
特佳地作為p-摻雜劑者係醌二甲烷( quinodimethane)化合物、氮雜茚并茀二酮、氮雜萉(azaphenalene)、氮雜聯伸三苯、I2 、金屬鹵化物(較佳係過渡金屬鹵化物)、金屬氧化物(較佳係包含至少一種過渡金屬或第3主族金屬之金屬氧化物)、及過渡金屬錯合物(較佳係Cu、Co、Ni、Pd及Pt與含有至少一個氧原子作為鍵結位置(bonding site)之配位基的錯合物)。其他較佳者係過渡金屬氧化物作為摻雜劑，較佳係錸、鉬及鎢之氧化物，更佳係Re2 O7 、MoO3 、WO3 及ReO3 。又其他較佳者係呈(III)氧化態的鉍錯合物，更特別是具有缺電子配位基(更特別是羧酸鹽配位基)之鉍(III)錯合物。
p-摻雜劑較佳地在p-摻雜的層中實質上均勻分佈。這可例如藉由p-摻雜劑與電洞傳輸材料基質的共蒸發來達到。p-摻雜劑較佳係以1%至10%的比例存在於p-摻雜層中。
較佳的p摻雜劑尤其是下列化合物：
Figure 02_image197
Figure 02_image199
在較佳實施例中，在裝置中存在符合下列實施例中之一者的電洞注入層：a)包含三芳基胺及p-摻雜劑；或b)含有單一的缺電子材料(電子受體)。在實施例a)之較佳實施例中，三芳基胺係單三芳基胺，尤其是在下文中進一步提及的較佳三芳基胺衍生物中之一者。在實施例b)之較佳實施例中，缺電子材料係如US 2007/0092755中所述的六氮雜聯伸三苯衍生物。
式(I)之化合物可存在於裝置的電洞注入層、電洞傳輸層及/或電子阻擋層中。當化合物存在於電洞注入層或電洞傳輸層中時，較佳係已p-摻雜，意味著該化合物在層中係與p-摻雜劑呈混合形式，如上所述。
式(I)之化合物較佳係存在於電子阻擋層中。在此情況下，較佳地不是p-摻雜。進一步較佳地，在此情況下，較佳地在層中呈單一化合物的形式而不添加其他化合物。
在替代性較佳實施例中，式(I)之化合物係與一或多種發光化合物、較佳係磷光發光化合物組合在發光層中用作基質材料。磷光發光層化合物在此較佳係選自紅色磷光及綠色磷光化合物。
在此情況下，基質材料在發光層中的比例係在50.0體積%與99.9體積%之間，較佳係在80.0體積%與99.5體積%之間，且更佳係在85.0體積%與97.0體積%之間。
因此，發光化合物之比例係在0.1體積%與50.0體積%之間，較佳係在0.5體積%與20.0體積%之間，且更佳係在3.0體積%與15.0體積%之間。
有機電致發光裝置的發光層亦可含有包含多種基質材料(混合基質系統)及/或多種發光化合物的系統。同樣在此情況下，發光化合物通常係在系統中具有較小比例者，而基質材料係在系統中具有較大比例者。然而，在個別情況下，系統中單一基質材料的比例可小於單一發光化合物的比例。
較佳地將式(I)之化合物用作混合基質系統的組分，較佳係用於磷光發射體者。混合基質系統較佳地包含二或三種不同的基質材料，更佳係二種不同的基質材料。較佳地，在此情況下，二種材料中之一者係具有電洞傳輸性質的材料，而另一種材料則係具有電子傳輸性質的材料。進一步較佳地，當材料中之一者係選自HOMO與LUMO之間能量差大的化合物(寬帶隙材料)。混合基質系統中的式(I)之化合物較佳係具有電洞傳輸性質的基質材料。因此，當將式(I)之化合物用作OLED發光層中的磷光發射體之基質材料時，在發光層中存在具有電子傳輸性質的第二基質化合物。二種不同的基質材料在此可以1:50至1:1、較佳係1:20至1:1、更佳係1:10至1:1、且最佳係1:4至1:1的比例存在。
然而，混合基質組分的所欲電子傳輸及電洞傳輸性質亦可主要地或完全地組合在單一混合基質組分中，在該情況下，其他混合基質組分還具有其他功能。
較佳者係在裝置的上述層中使用下列材料類別：
磷光發射體：
用語「磷光發射體」一般涵蓋透過自旋禁止躍遷實現光之發射的化合物，該自旋禁止躍遷例如係從激發三重態或具有較高自旋量子數之態(例如五重態)的躍遷。
合適的磷光發射體尤其是在適當激發時發光(較佳地在可見光區域)且亦含有至少一個原子序大於20、較佳地大於38且小於84、更佳地大於56且小於80的原子之化合物。較佳者係使用含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪之化合物，尤其是含有銥、鉑或銅之化合物，作為磷光發射體。
在本發明的上下文中，所有發光的銥、鉑或銅錯合物被認為係磷光化合物。
通常，根據先前技術用於磷光OLED且係有機電致發光裝置領域中之所屬技術領域中具有通常知識者已知的所有磷光錯合物皆適合用於本發明之裝置中。下表中顯示合適的磷光發射體之其他實例：
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Figure 02_image207
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Figure 02_image219
Figure 02_image221
螢光發射體：
較佳的螢光發光化合物係選自芳基胺之類別。在本發明的上下文中，芳基胺係理解為意指含有三個直接鍵結至氮之經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統之化合物。較佳地，此等芳族或雜芳族環系統之至少一者係稠合環系統(fused ring system)，更佳地具有至少14個芳族環原子。此等之較佳實例係芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族
Figure 109134710-12-01
胺或芳族
Figure 109134710-12-01
二胺。芳族蒽胺係理解為意指其中二芳基胺基直接鍵結至蒽基(較佳係在9位置)之化合物。芳族蒽二胺係理解為意指其中二個二芳基胺基直接鍵結至蒽基(較佳係在9,10位置)之化合物。類似地定義芳族芘胺、芘二胺、
Figure 109134710-12-01
胺及
Figure 109134710-12-01
二胺，其中二芳基胺基較佳地鍵結至芘之1位置或1,6位置。其他較佳的發光化合物係茚并茀胺或茚并茀二胺、苯并茚并茀胺或苯并茚并茀二胺、及二苯并茚并茀胺或二苯并茚并茀二胺、以及具有稠合芳基之茚并茀衍生物。同樣較佳的係芘芳基胺。同樣較佳的係連接至呋喃單元或噻吩單元之苯并茚并茀胺、苯并茀胺、延伸的苯并茚并茀、啡㗁
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
、及茀衍生物。
用於螢光發射體之基質材料：
用於螢光發射體的較佳基質材料係選自下列類別：寡聚伸芳基((例如2,2',7,7'-四苯基螺聯茀)，尤其是含有稠合芳族基團之寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基)、多足金屬錯合物、電洞傳導性化合物、電子傳導性化合物(尤其是酮、膦氧化物及亞碸)；阻轉異構物、硼酸衍生物及苯并蒽。特佳的基質材料係選自下列類別：寡聚伸芳基(其包含萘、蒽、苯并蒽及/或芘、或此等化合物之阻轉異構物)、寡聚伸芳基伸乙烯基、酮、膦氧化物及亞碸。非常特佳的基質材料係選自下列類別：寡聚伸芳基(其包含蒽、苯并蒽、苯并菲及/或芘、或此等化合物之阻轉異構物)。在本發明的上下文中，寡聚伸芳基應理解為意指其中至少三個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。
用於磷光發射體之基質材料：
用於磷光發射體(以及式(I)之化合物)之較佳的基質材料係芳族酮、芳族膦氧化物或芳族亞碸或碸、三芳基胺、咔唑衍生物(例如CBP(N,N-雙咔唑基聯苯))、吲哚并咔唑衍生物、茚并咔唑衍生物、氮雜咔唑衍生物、雙極性基質材料、矽烷、氮雜硼雜環戊二烯或硼酸酯、三
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衍生物、鋅錯合物、二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)或四氮雜矽雜環戊二烯衍生物、二氮雜磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物、橋聯咔唑衍生物、聯伸三苯衍生物、或內醯胺。
電子傳輸材料：
合適的電子傳輸材料係例如揭示於Y. Shirota等人之Chem.Rev. 2007, 107(4), 953-1010中之化合物或用於根據先前技術之該等層中的其他材料。
用於電子傳輸層之材料可係根據先前技術在電子傳輸層中用作電子傳輸材料之任何材料。尤其合適的係鋁錯合物(例如Alq3 )、鋯錯合物(例如Zrq4 )、鋰錯合物(例如Liq)、苯并咪唑衍生物、三
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡
Figure 109134710-A0304-12-0000-4
衍生物、喹㗁啉衍生物、喹啉衍生物、㗁二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮雜磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物及膦氧化物衍生物。下表中顯示較佳的電子傳輸化合物：
Figure 02_image223
Figure 02_image225
Figure 02_image227
電洞傳輸材料：
除了式(I)之化合物之外，較佳地用於本發明之OLED的電洞傳輸層中之其他化合物係茚并茀胺衍生物、胺衍生物、六氮雜聯伸三苯衍生物、具有稠合芳族系統之胺衍生物、單苯并茚并茀胺、二苯并茚并茀胺、螺聯茀胺、茀胺、螺二苯并哌喃胺、二氫吖啶衍生物、螺二苯并呋喃及螺二苯并噻吩、菲二芳基胺、螺三苯并
Figure 109134440-A0304-12-0020-20
酚酮、具有間苯二胺基團之螺聯茀、螺雙吖啶(spirobisacridine) 、𠮿
Figure 109134440-0000-3
二芳基胺、及具有二芳基胺基之9,10-二氫蒽螺化合物。下表中顯示較佳的電洞傳輸化合物：
Figure 02_image229
Figure 02_image231
Figure 02_image233
Figure 02_image235
Figure 02_image237
此外，下列化合物HT-1至HT-10適用於具有電洞傳輸功能之層，尤其是用於電洞注入層、電洞傳輸層及/或電子阻擋層，或適用於在發光層中作為基質材料，尤其是在包含一或多個磷光發射體之發光層中作為基質材料：
Figure 02_image239
Figure 02_image241
Figure 02_image243
化合物HT-1至HT-10通常對於在其任何設計及組成的OLED中之上述用途均具有良好的適用性，而不僅對於根據本申請案之OLED中之上述用途。在公開的說明書中揭示用於製備這些化合物之方法以及與使用這些化合物有關的其他相關揭露，這些公開的說明書各自引用於表中個別化合物的下方括號內。該等化合物在OLED中顯示良好的性能數據，尤其是良好的壽命及良好的效率。
電子裝置之較佳的陰極係具有低功函數的金屬、金屬合金或由各種金屬組成之多層結構，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。額外合適者係由鹼金屬或鹼土金屬與銀組成的合金，例如由鎂與銀組成的合金。在多層結構的情況下，除了提到的金屬外，亦可使用其他具有相對高的功函數之金屬，例如Ag或Al，在這種情況下，通常使用例如諸如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag之金屬組合。亦較佳地在金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數的材料之薄中間層(thin interlayer)。可用於此目的之實例係鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但亦有對應的氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2 O、BaF2 、MgO、NaF、CsF、Cs2 CO3 等)。為此目的亦可使用喹啉酸鋰(LiQ)。此層之層厚度較佳地在0.5與5 nm之間。
較佳的陽極係具有高功函數的材料。較佳地，陽極相對於真空具有大於4.5 eV之功函數。首先，具有高氧化還原電位的金屬適合於此目的，例如Ag、Pt或Au。其次，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )亦係較佳的。對於某些應用，電極之至少一者必須是透明的或部分透明的，以便於能夠照射有機材料(有機太陽能電池)或發射光(OLED、O-雷射)。較佳的陽極材料在此係導電混合金屬氧化物。特佳者係氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。進一步較佳者係導電的摻雜有機材料，尤其是導電的摻雜聚合物。此外，陽極亦可由二或更多層組成，例如由ITO的內層及金屬氧化物的外層組成，該金屬氧化物較佳係氧化鎢、氧化鉬或氧化釩。
在較佳實施例中，電子裝置之特徵在於藉由昇華方法來塗佈一或多層。在此情況下，在真空昇華系統中藉由氣相沉積，在小於10-5 毫巴、較佳係小於10-6 毫巴之初始壓力下施加材料。然而，在此情況下，初始壓力亦可係甚至更低，例如低於10-7 毫巴。
同樣較佳者係電子裝置，其特徵在於藉由OVPD(有機氣相沉積)方法或借助於載體氣體昇華來塗佈一或多層。在此情況下，在10-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加材料。此方法之特殊實例係OVJP(有機蒸氣噴射印刷)方法，其中直接藉由噴嘴來施加材料並因此將其結構化(例如M. S. Arnold等人，Appl. Phys. Lett.2008, 92, 053301)。
額外較佳者係電子裝置，其特徵在於從溶液中製造一或多層，例如藉由旋塗、或藉由任何印刷方法，例如網版印刷、柔版印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但更佳地係LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷。為此目的，需要式(I)之可溶的化合物。藉由化合物的合適取代可達到高溶解度。
進一步較佳地，藉由從溶液中施加一或多層並藉由昇華方法施加一或多層來製造本發明之電子裝置。
在施加層之後(根據用途)，將裝置結構化、觸點連接且最終密封，以排除水及空氣的損壞效應。
根據本發明，包含一或多種式(I)之化合物的電子裝置可用於顯示器中、在照明應用中作為光源及在醫學及/或化妝品應用中作為光源。
實例 A)合成實例
1,3‐二苯基‐8H‐茚并[1,2‐c]噻吩‐8‐酮 1a
Figure 02_image245
將4-苯基噻吩-3-羧酸甲酯(59.50 g, 218 mmol)懸浮於478.48 ml的三氟甲烷磺酸中並在室溫下攪拌隔夜。將反應混合物倒在冰水上。沉澱出黃色固體。將沉澱的固體以抽吸(suction)過濾並溶解於EtOAc中，藉由首先用NaHCO3 溶液然後用水搖動來萃取。將有機相乾燥並濃縮(49.7 g，98%產率)。
將初始裝入的4A分子篩在減壓下加熱，添加8H-茚并[1,2-c]噻吩-8-酮(44.60 g, 239.5 mmol)、Cs2 CO3 (234.09 g, 718.5 mmol)、John-Phos(7.15 g, 23.9 mmol)、乙酸鈀(II) (2.69 g, 11.9 mmol)、乾燥的N,N-二甲基甲醯胺(669.00 ml)及溴苯(75.71 ml, 718.5 mmol)，並將混合物在150℃攪拌隔夜。然後使混合物冷卻至室溫並與水摻混。將沉澱的固體以抽吸過濾，並用庚烷洗滌(70 g，產率85%)。
以類似的方式製備下列化合物：
Figure 02_image247
Figure 02_image249
Figure 02_image251
7‐氯‐1',3'‐二苯基螺[茀‐9,8'‐茚并[1,2‐c]噻吩] 2a
Figure 02_image253
將28.5 g(106.4 mmol)的2-溴-4'-氯-1,1'-聯苯在烘烤過的燒瓶內溶解於280 ml的乾燥THF中。將反應混合物冷卻至-78℃。在此溫度下，緩慢地逐滴添加39 ml的n-BuLi於己烷中(97.5 mmol)之2.5 M溶液。將混合物在-70℃另外攪拌1小時。隨後在-70℃下，將30 g的1,3‐二苯基‐8H‐茚并[1,2‐c]噻吩‐8‐酮(88.6 mmol)溶解於145 ml的THF中並逐滴添加。在添加結束後，使反應混合物逐漸溫熱至室溫，用NH4 Cl停止反應，然後將混合物在旋轉蒸發器上濃縮。將固體材料溶解在380 ml的甲苯中，然後添加1.7 g (8.9 mmol)的對甲苯磺酸。將混合物在回流下加熱6小時，然後使其冷卻至室溫並與水摻混。將沉澱的固體以抽吸過濾，並用庚烷洗滌(30.6 g，產率67%)。
以類似的方式製備下列化合物：
Figure 02_image255
Figure 02_image257
Figure 02_image259
Figure 02_image261
Figure 02_image263
N‐{[1,1'‐聯苯]‐2‐基}‐N‐(9,9‐二甲基‐9H‐茀‐2‐基)‐1',3'‐二苯基螺[茀‐9,8'‐茚并[1,2‐c]噻吩]‐2‐胺 3a
Figure 02_image265
將10.6 g的N‐{1,1'‐聯苯]‐2‐基}‐9,9‐二甲基茀‐2‐胺(29.3 mmol)及14.5 g的2‐氯‐1',3'‐二苯基螺[茀‐9,8'‐茚并[1,2‐c]噻吩](28.5 mol)溶解於250 ml的甲苯中。將溶液除氣並用N2 飽和。之後，向其中添加1 g(5.1 mmol)的S-Phos及1.6 g(1.7 mmol)的Pd2 (dba)3 ，然後添加4.1 g的三級丁醇鈉(42.7 mmol)。將反應混合物在保護性氣氛下加熱至沸騰隔夜。隨後將混合物分配在甲苯與水之間，並將有機相用水洗滌三次，且用Na2 SO4 乾燥並藉由旋轉蒸發濃縮。在粗製產物已用甲苯過濾通過矽膠之後，將剩餘的殘餘物從庚烷/甲苯中再結晶。最後將物質在高真空下昇華；純度係99.9%。產率係8 g(理論值的30%)。
以類似的方式製備下列化合物：
Figure 02_image267
Figure 02_image269
Figure 02_image271
Figure 02_image273
Figure 02_image275
Figure 02_image277
Figure 02_image279
Figure 02_image281
N‐{[1,1'‐聯苯]‐4‐基}‐N‐(4‐{1',3'‐二苯基螺[茀‐9,8'‐茚并[1,2‐c]噻吩]‐7‐基}苯基)‐9,9‐二甲基‐9H‐茀‐2‐胺 4a
Figure 02_image283
將20.0 g(39 mmol)的N‐{[1,1'‐聯苯]‐4‐基}‐9,9‐二甲基‐N‐[4‐(4,4,5,5‐四甲基‐1,3,2‐二氧雜硼雜環戊烷‐2‐基)苯基]‐9H‐茀‐2‐胺及23.5 g(42 mmol)的2‐氯‐1',3'‐二苯基螺[茀‐9,8'‐茚并[1,2‐c]噻吩]懸浮於400 ml的二㗁烷及13.7 g的氟化銫(90 mmol)中。將4.0 g(5.4 mmol)的二氯化雙(三環己基膦)鈀添加至此懸浮液中，並將反應混合物在回流下加熱18小時。冷卻後，移出有機相，將其過濾通過矽膠，用80 ml的水洗滌三次，然後濃縮至乾。在粗製產物已用甲苯過濾通過矽膠之後，將剩餘的殘餘物從庚烷/甲苯中再結晶且最後在高真空下昇華；純度係99.9%。產率係11 g(理論值的30%)。
以類似的方式製備下列化合物：
Figure 02_image285
Figure 02_image287
Figure 02_image289
Figure 02_image291
Figure 02_image293
Figure 02_image295
B) 裝置實例 1) 用於OLED之一般製造方法及OLED之示性
塗佈有厚度為50 nm之結構化ITO(氧化銦錫)之玻璃板係施加OLED之基板。
基本上OLED具有下列層結構：基板/電洞注入層(HIL)/電洞傳輸層(HTL)/電子阻擋層(EBL)/發光層(EML)/隨意地電洞阻擋層(HBL)/電子傳輸層(ETL)/電子注入層(EIL)及最後係陰極。藉由厚度為100 nm之鋁層來形成陰極。OLED之確切結構可在下列表中找到。下表中顯示用於生產OLED所使用之材料。在此所使用的材料H-A係蒽衍生物，且所使用的SEB-A係螺聯茀二胺。所使用的發射體TEG-A係Ir(PPy)3 的衍生物。
藉由在真空腔室內進行熱氣相沉積來施加所有材料。在此情況下，發光層係由至少一種基質材料(主體材料)及發光摻雜劑組成，該發光摻雜劑係藉由共蒸發以特定的體積比添加至基質材料中。以如同H:SEB (95%:5%)這樣的形式給出的細節在此意指材料H係以95體積%的比例且SEB係以5體積%的比例存在於層中。
以類似的方式，電子傳輸層及電洞注入層亦可由二種材料之混合物所組成。表3中顯示OLED中所使用的材料之結構。
OLED係以標準方式示性。為此目的，判定電致發光光譜、由假定朗伯輻射特性的電流-電壓-亮度特性計算出隨亮度而變動之外部量子效率(EQE，以%測量)、及壽命。參數EQE @ 10 mA/cm²係指在10 mA/cm²時達到的外部量子效率。參數U @ 10 mA/cm2 係指在10 mA/cm2 時的操作電壓。壽命LT係定義為在恆定電流密度的操作過程中，亮度從起始亮度降至一定比例所歷經的時間。LT80數字在此意指所記述的壽命對應於亮度降至其起始值的80%所歷經的時間。數字LT90具有對應的含意。數字@80或60或40 mA/cm2 在此意指所討論的壽命係在80或60或40 mA/cm2 時所測量。 2) 在綠色磷光OLED之EBL中含有式(I)之化合物的本發明OLED
製造下表所示之裝置：
Figure 02_image297
如上所示之裝置設置中，本發明之化合物為OLED提供非常好的效率及壽命：
Figure 02_image299
此外，如下表所示製造裝置：
Figure 02_image301
此為OLED提供非常好的效率及壽命：
Figure 02_image303
3) 在藍色螢光OLED之EBL中含有式(I)之化合物的本發明OLED
製造如下表所示之裝置：
Figure 02_image305
如上所示之裝置設置中，本發明之化合物為OLED提供非常好的效率及壽命：
Figure 02_image307
此外，如下表所示製造裝置：
Figure 02_image309
此為OLED提供非常好的效率及壽命：
Figure 02_image311
4) 在藍色螢光OLED之HIL及HTL中含有式(I)之化合物的本發明OLED
製造如下表所示之裝置：
Figure 02_image313
如上所示之裝置設置中，本發明之化合物為OLED提供非常好的效率及壽命：
Figure 02_image315
此外，如下表所示製造裝置：
Figure 02_image317
此為OLED提供非常好的效率及壽命：
Figure 02_image319
Figure 02_image321
Figure 02_image323
Figure 02_image325
Figure 02_image327
Figure 02_image329

Claims (26)

  1. 一種式(1)之化合物
    Figure 03_image001
    其中單元R在各情況下係相同或不同，且係選自式(R-1)至(R-3)之單元：
    Figure 03_image003
    且其中： 式(R-1)至(R-3)之單元係經由*所標示之位置各自鍵結至式(I)之其餘部分； 式(I)中至少一個單元R係選自式(R-2)及(R-3)之單元； X在各情況下係相同或不同，且係選自O、S及NAr0 ； Z在各情況下係相同或不同，且係選自N及CR1 ； Ar0 在各情況下係相同或不同，且係選自具有6至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之雜芳族環系統； Ar1 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R2 、CN、Si(R2 )3 、P(=O)(R2 )2 、OR2 、S(=O)R2 、S(=O)2 R2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經一或多個R2 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經-R2 C=CR2 -、-C≡C-、Si(R2 )2 、C=O、C=NR2 、 -C(=O)O-、-C(=O)NR2 -、NR2 、P(=O)(R2 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； R1 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R1 基團可彼此連接且可形成脂族或雜脂族環；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經-R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、 -C(=O)O-、-C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； R2 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R2 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-C(=O)O-、-C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； R5 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R6 、CN、Si(R6 )3 、N(R6 )2 、P(=O)(R6 )2 、OR6 、S(=O)R6 、S(=O)2 R6 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R5 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經R6 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R6 C=CR6 -、-C≡C-、Si(R6 )2 、C=O、C=NR6 、-C(=O)O-、-C(=O)NR6 -、NR6 、P(=O)(R6 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； R6 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R6 基團可彼此連接且可形成環；且其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基、芳族環系統及雜芳族環系統可經一或多個選自F及CN之基團取代；及 至少一個符合式(A)之A基團係與至少一個單元R鍵結，其係直接鍵結至單元R的環或者鍵結至Ar0 或Ar1 基團：
    Figure 03_image005
    其中： ArL 在各情況下係相同或不同，且係選自具有6至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之雜芳族環系統； Ar2 在各情況下係相同或不同，且係選自具有6至40個芳族環原子且係經R3 基團取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且係經R3 基團取代之雜芳族環系統； E在各情況下係相同或不同，且係單鍵或選自C(R4 )2 、Si(R4 )2 、N(R4 )、O、及S之二價基團； R3 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R3 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-C(=O)O-、-C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； R4 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R4 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基以及所述芳族環系統及雜芳族環系統係各自經R5 基團取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基及炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-C(=O)O-、-C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； k係0或1，其中在k=0的情況下，該ArL 基團不存在，並且式(A)之基團的氮原子構成附接位置，且同時n=0；及 m係0或1，其中，在m=0的情況下，所討論的E基團不存在，並且Ar2 基團彼此不鍵結； n係0或1，其中，在n=0的情況下，所討論的E基團不存在，並且ArL 及Ar2 基團彼此不鍵結。
  2. 如請求項1之化合物，其中，式(I)中恰好一個單元R係選自式(R-2)及(R-3)之單元，而其餘三個單元R符合式(R-1)。
  3. 如請求項1或2之化合物，其中，式(I)中恰好一個或恰好二個單元R符合式(R-2)，而其他單元R符合式(R-1)。
  4. 如請求項1至3中一或多項之化合物，其中，X係S或O。
  5. 如請求項1至4中一或多項之化合物，其中，Z基團係CR1 。
  6. 如請求項1至5中一或多項之化合物，其中，Ar1 係經R2 基團取代的苯基。
  7. 如請求項1至6中一或多項之化合物，其中，R1 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、Si(R5 )3 、具有1至20個碳原子且可經氘化之直鏈烷基、具有3至20個碳原子且可經氘化之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子且可經氘化之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且可經氘化之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團取代。
  8. 如請求項1至7中一或多項之化合物，其中，R2 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、Si(R5 )3 、具有1至20個碳原子且可經氘化之直鏈烷基、具有3至20個碳原子且可經氘化之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子且可經氘化之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且可經氘化之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團取代。
  9. 如請求項1至8中一或多項之化合物，其中，R3 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、Si(R5 )3 、具有1至20個碳原子且可經氘化之直鏈烷基、具有3至20個碳原子且可經氘化之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子且可經氘化之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且可經氘化之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團取代。
  10. 如請求項1至9中一或多項之化合物，其中，R4 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、Si(R5 )3 、具有1至20個碳原子且可經氘化之直鏈烷基、具有3至20個碳原子且可經氘化之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子且可經氘化之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且可經氘化之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R5 基團取代。
  11. 如請求項1至10中一或多項之化合物，其中，R5 在各情況下係相同或不同，且係選自H、D、Si(R6 )3 、具有1至20個碳原子且可經氘化之直鏈烷基、具有3至20個碳原子且可經氘化之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子且可經氘化之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且可經氘化之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統係各自經R6 基團取代。
  12. 如請求項1至11中一或多項之化合物，其中，ArL 在各情況下係相同或不同，且係選自衍生自下列中之二價基團：苯、聯苯、聯三苯、萘、茀、茚并茀、茚并咔唑、螺聯茀、二苯并呋喃、二苯并噻吩、及咔唑，其各者可經R2 基團取代。
  13. 如請求項1至12中一或多項之化合物，其中，Ar2 基團在各情況下係相同或不同，且係選自衍生自下列中之單價基團：苯、聯苯、聯三苯、聯四苯、萘、茀(尤其是9,9'-二甲基茀及9,9'-二苯基茀)、9-矽茀(尤其是9,9'-二甲基-9-矽茀及9,9'-二苯基-9-矽茀)、苯并茀、螺聯茀、茚并茀、茚并咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、苯并咔唑、咔唑、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、喹啉、吡啶、嘧啶、吡
    Figure 109134710-A0304-12-0000-4
    、嗒
    Figure 109134710-A0304-12-0000-4
    及三
    Figure 109134710-A0304-12-0000-4
    ，其中該等單價基團係各自經一或多個R3 基團取代。
  14. 如請求項1至13中一或多項之化合物，其中，n及m係0。
  15. 如請求項1至14中一或多項之化合物，其中，該化合物符合式(I-a)至(I-f)中之一者：
    Figure 03_image007
    Figure 03_image009
    其中該單元R係選自式(R-2)及(R-3)，較佳係(R-2)，如請求項1中所定義，並且其中R1 基團鍵結至該等環上所有未經佔據位置。
  16. 如請求項1至15中一或多項之化合物，其中，該化合物符合下列式中之一者：
    Figure 03_image011
    Figure 03_image013
    Figure 03_image015
    Figure 03_image017
    Figure 03_image019
    Figure 03_image021
    Figure 03_image023
    Figure 03_image025
    Figure 03_image027
    Figure 03_image029
    Figure 03_image031
    其中該等變數係如請求項1至15中之一或多項所定義。
  17. 如請求項1至16中一或多項之化合物，其中，該化合物符合選自下列式如請求項16之式：(I-1S-1)、(I-1S-2)、(I-1S-3-1)、(I-1S-3-2)、(I-1S-3-3)、(I-1S-4-1)、(I-1S-4-2)、(I-1S-4-3)、(I-1O-1)、(I-1O-2)、(I-1O-3-1)、(I-1O-3-2)、(I-1O-3-3)、(I-1O-4-1)、(I-1O-4-2)及(I-1O-4-3)。
  18. 如請求項1至17中一或多項之化合物，其中，Z係如請求項5所定義，Ar1 係如請求項6所定義，R1 係如請求項7所定義，R2 係如請求項8所定義，R3 係如請求項9所定義，R4 係如請求項10所定義及R5 係如請求項11所定義。
  19. 一種式(Int-4)、(Int-4b)、(Int-4c)或(Int-5)之化合物，
    Figure 03_image033
    Figure 03_image035
    其中t=0或1，i係0、1或2，其中至少一個i係1，且其中，此外： V在各情況下係相同或不同，且係選自反應性基團，較佳係Cl、Br或I； Ar在各情況下係相同或不同，且係選自具有6至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且係經R2 基團取代之雜芳族環系統； 其中該化合物係各自在該苯環上之未經佔據位置處經R1 基團取代，並且其中其他變數係如請求項1至18中之一或多項所定義。
  20. 一種用於製備如請求項1至18中一或多項之化合物的方法，其特徵在於： - 在第一步驟中經由閉環反應，藉由酸的作用，將化合物(Int-1)轉化為化合物(Int-2)，並且進一步特徵在於，在另一步驟中，加成上鄰位金屬化雙芳基並進行另一閉環反應，形成化合物(Int-4)或(Int-5)，並且進一步特徵在於，在另一步驟中，進行Suzuki偶合或Hartwig-Buchwald偶合，給出式(I)之化合物，或 在第一步驟中經由閉環反應，藉由酸的作用，將化合物(Int-1b)轉化為化合物(Int-3b)或將化合物(Int-1c)轉化為化合物(Int-3c)，並且進一步特徵在於，在另一步驟中，加成上鄰位金屬化雙芳基並進行另一閉環反應，而從化合物(Int-3b)形成化合物(Int-4b)或從化合物(Int-3c)形成化合物(Int-4c)，並且進一步特徵在於，在另一步驟中，進行Suzuki偶合或Hartwig-Buchwald偶合，給出式(I)之化合物。
  21. 一種用於製備如請求項1至18中一或多項之化合物的方法，其特徵在於，在第一步驟中將鄰位金屬化雜芳基-芳基衍生物(Int-A1)、(Int-A2)或(Int-A3)與茀酮衍生物反應並進行閉環反應，形成選自式(Int-4)、(Int-4b)及(Int-4c)之化合物的化合物，並且進一步特徵在於，在另一步驟中，進行Suzuki偶合或Hartwig-Buchwald偶合，給出式(I)之化合物。
  22. 聚合物或樹枝狀聚合物，其含有一或多種如請求項1至18中一或多項之化合物，其中至該聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於式(I)中經R1 、R2 、R3 或R4 取代之任何所欲位置處。
  23. 一種調配物，其包含至少一種如請求項1至18中一或多項之化合物或至少一種如請求項21之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物、以及至少一種溶劑。
  24. 一種電子裝置，其包含至少一種如請求項1至18中一或多項之化合物或至少一種如請求項21之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。
  25. 如請求項24之電子裝置，其中該電子裝置係有機電致發光裝置且包含陽極、陰極及至少一個發光層，並且其中該化合物係存在於該裝置之電洞傳輸層或發光層中。
  26. 一種如請求項1至18中之一或多項之化合物於電子裝置中之用途。
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